DE60313864T2 - Anordnung, Verfahren und Elektrode zur Erzeugung eines Plasmas - Google Patents

Anordnung, Verfahren und Elektrode zur Erzeugung eines Plasmas Download PDF

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    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
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Description

  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich allgemein auf eine Plasmaerzeugung und Plasmabehandlung und genauer auf eine Anordnung zum Erzeugen eines Plasmas mit einem Entladungsraum zwischen zumindest einem Paar von Elektroden, die zum Bereitstellen eines elektrischen Felds und zum Erzeugen eines Plasmas in dem elektrischen Feld eingerichtet sind, wobei zumindest eine der Elektroden durch eine dielektrische Schicht bedeckt ist, und die zumindest eine Elektrode eine Grenzfläche mit dem Entladungsraum aufweist.
  • Die Erfindung bezieht sich weiter auf eine Elektrode zur Verwendung in solch einer Anordnung.
  • Die Erfindung bezieht sich ebenso auf ein Verfahren zum Betreiben einer Anordnung wie vorstehend beschrieben zum Erzeugen und Beibehalten eines Glimmentladungsplasmas in einem Plasmaentladungsraum mit zumindest einem Paar von Elektroden, durch Einführen eines Gases oder eines Gasgemisches unter atmosphärischen Druckbedingungen in den Entladungsraum, durch Energetisieren der Elektroden unter Verwendung einer AC-Energieversorgungseinrichtung, die ein elektrisches Feld zum Erzeugen eines Plasmas in dem elektrischen Feld bereitstellt, wobei zumindest eine der Elektroden durch eine dielektrische Schicht bedeckt ist, und die zumindest eine der Elektroden eine Grenzfläche mit dem Entladungsraum besitzt.
  • Hintergrund der Erfindung
  • Eine Anordnung und ein Verfahren, wie vorstehend beschrieben, ist zum Beispiel in der Europäischen Patentanmeldung EP-A-0467639 beschrieben, die einen Plasmaoberflächenbehandlungsprozess unter atmosphärischen Druckbedingungen beschreibt, wobei ein Plasma zwischen einem Paar von Elektroden erzeugt wird, wovon zumindest eine mit einem festen Dielektrikum bedeckt ist.
  • Die Verwendung von Plasmas bei der Materialverarbeitung und/oder der Oberflächenbehandlung ist in der Industrie weit verbreitet. Plasmas können für alle Arten von Oberflächenbehandlungen verwendet werden, unter welchen Säubern und Aktivieren von Oberflächen, Bedampfen, wie etwa plasma-gestütztes chemisches Bedampfen (PECVD) usw. sind. Plasmas werden ebenso verwendet zum Verbessern der haftenden Eigenschaften einer Oberfläche, zum Beispiel Polymeroberflächen. Ein Beispiel dafür ist die Fotofilmproduktionsindustrie, bei welcher Plasmas verwendet werden, um die Oberfläche eines Filmsubstrats zu behandeln, zum Beispiel, um die haftenden Eigenschaften zu verbessern.
  • Plasmas werden allgemein als eine geeignete Lösung zur Materialverarbeitung betrachtet, weil ein großer Fluss von reaktiven Arten (Radikalen, Ionen) erzeugt wird, welcher auf den Verarbeitungsbereich gerichtet werden kann und durch eine geeignete elektrische Feldverteilung in die gewünschte Form verarbeitet werden kann.
  • Es ist zu verstehen, dass speziell bei Anwendungen, die auf Oberflächenbehandlung gerichtet sind, das Plasma idealerweise ein gleichförmiges und stabiles Plasma ist. Bei Verwendung eines gleichförmigen und stabilen Plasmas wird die Oberfläche ebenso auf eine gleichförmige Weise behandelt. Wenn zum Beispiel die haftenden Eigenschaften zu verbessern sind, wird der Fachmann es vorziehen, haftende Eigenschaften zu erhalten, die über die behandelte Oberfläche hinweg gleichförmig sind.
  • Um die Erzeugung eines gleichförmigen Plasmas zu erreichen ist es erstens wichtig, dass ein Durchschlag bzw. „breakdown" des Plasmas gleichförmig ist, und zweitens dass das gleichförmig erzeugte Plasma solang wie möglich beibehalten wird. In beiden dieser Schritte können große Instabilitäten auftreten, wie etwa Strahldurchschlag bzw. Streamer „breakdown" und Verfaserung bzw. „filamentation". Um ein homogenes Glühen zu erzeugen, sollten diese Instabilitäten vermieden werden.
  • Es wurden viele Bemühungen unternommen, Plasmas unter atmosphärischem Druckbedingungen und bei niedrigen Temperaturen (zum Beispiel 300 K bis 400 K) zu erzeugen, da dies stark die Anzahl von Anwendungen verbessert, während es die Verarbeitungskosten reduziert. Die Vorteile des Verwendens von atmosphärischen Druckbedingungen sind die größere Dichte von reaktiven Arten, als in dem Fall eines niedrigen Drucks, und der Vorteil des Vermeidens einer Vakuumtechnologie. Die Erzeugung bei niedrigen Temperaturen macht diese Technologie anwendbar für die Behandlung von thermoplastischen Polymeroberflächen. Ein anderer Vorteil ist die Möglichkeit des Erzeugens eines stabilen Plasmas unter Verwendung von Luft anstelle eines anderen Gases, da Luft billig und leicht verfügbar ist.
  • Die Erzeugung eines Plasmas unter den vorstehenden Bedingungen ist keine unkomplizierte Technik. Bei atmosphärischem Druckbedingungen ist die Partikeldichte hoch und als Ergebnis davon ist die mittlere freie Weglänge („mean free path") von reaktiven Arten klein. Der Prozess des Erregens und Ionisierens ist auf einen begrenzten Bereich beschränkt, und das Plasma wird hauptsächlich in einer faserartigen Form erzeugt.
  • Plasmas unter atmosphärischen Druckbedingungen tendieren dazu sehr unstabil zu sein und tendieren dazu sich nach kurzer Zeit nach dem Durchschlag in einen Funken oder einen Bogen zu entwickeln. Jeder zufällige lokale Anstieg einer Stromdichte wird eher dazu tendieren zu wachsen als gedämpft zu werden, und das Plasma wird beschränkt.
  • Die Effekte der vorstehend erwähnten Instabilitäten können durch Begrenzen der Stromdichte und der Plasmadauer durch Bedecken der Elektroden mit einem Dielektrikum reduziert werden (dielektrische Sperrschicht-Entladungskonfiguration, DBD). Aufgrund der Ladungsanhäufung auf der Oberfläche des dielektrischen Materials wird der Wert der Spannung, die an das Plasma angelegt wird, reduziert. Wenn die Größe der Spannung, die an das Plasma angelegt wird, unter einen kritischen Pegel abfällt (Abschaltspannung) kann das Plasma nicht länger beibehalten werden. Die Plasmadauer wird deshalb begrenzt.
  • Andererseits ist jedoch die Verwendung von „stranguliertem" atmosphärischem Plasma zur Materialverarbeitung weniger effizient. Zusätzlich kann die dielektrische Sperrschichtentladung die Stromdichte nur zu einem bestimmten Ausmaß beschränken, da Strähle bzw. „streamers" mit Stromdichten im Bereich von 10 A/cm2 auf kleinen Oberflächenbereichen immer noch erzeugt werden können. Die dielektrische Sperrschicht beschränkt die Gesamtstromdichte über die Oberfläche der Elektroden, die zum Erzeugen des Plasmas verwendet werden, aber verhindert nicht das Auftreten von starken lokalen Strömen aufgrund einer Strahlbildung bzw. „streamer formation".
  • Es ist bekannt, dass die Oberfläche der Elektroden (ob mit einem Dielektrikum bedeckt oder nicht) eine wichtige Rolle beim Erzeugen und Beibehalten des Plasmas spielt. Eine Vielzahl von Interaktionen zwischen der Oberfläche, dem elektrischen Feld zum Erzeugen des Plasmas und dem Plasma selbst bestimmen die Bedingungen, die in dem Entladungsraum vorhanden sind, und bestimmen deshalb, ob ein erzeugtes Plasma stabil und gleichförmig oder nicht stabil and faserartig ist.
  • Eine dieser Interaktionen basiert auf einer Erzeugung sekundärer Elektronen an der Oberfläche der Elektrode. Diese sekundären Elektronen müssen von der Oberfläche befreit werden und in den Entladungsraum freigegeben werden, wo sie zu der Erzeugung des Plasmas beitragen können. Ein Material zu finden, bei dem einerseits ausreichend sekundäre Elektronen in der Nähe der Oberflächen vorhanden sind während andererseits diese sekundären Elektronen unter Verwendung eines nur begrenzten Energiebetrags freigegeben werden können, ist schwierig. Eine Anzahl von Materialien wurde vorgeschlagen, oft in Kombination mit einer dielektrischen Sperrschicht-Entladungskonfiguration, aber das Optimum in diesem Gleichgewicht zu finden bleibt in der Industrie ein Problem.
  • Kurzfassung der Erfindung
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung eine Anordnung und ein Verfahren zum Erzeugen eines Plasmas bereitzustellen, durch welches die vorstehend erwähnten Probleme vermieden werden.
  • Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Anordnung und ein Verfahren bereitzustellen, welche dazu in der Lage sind, ein Plasma zu erzeugen, das gleichförmig und stabil ist.
  • In einem ersten Aspekt der Erfindung werden diese und andere Aufgaben durch die vorliegende Erfindung erreicht, durch Bereitstellen einer Anordnung gemäß Anspruch 1. Weitere Ausführungsbeispiele sind in den abhängigen Ansprüchen beschrieben.
  • Es ist speziell die Kombination des Verwendens elektrisch leitender Bereiche, für welche die Arbeitsfunktion niedrig ist, und isolierender Bereiche, auf welchen Ladung angehäuft wird, die Vorteile bereitstellt. Die Arbeitsfunktion der Oberfläche gibt die Energie an, die zum Freigeben von Elektronen von der Oberfläche erforderlich ist. Leitende Oberflächen stellen eine niedrige Arbeitsfunktion bereit und Elektronen, die in der Nähe der Oberfläche eines Leiters vorhanden sind, können leicht freigegeben werden, zum Beispiel unter dem Einfluss eines elektrischen Feldes.
  • Andererseits ist eine isolierende Oberfläche in einem elektrischen Feld gekennzeichnet durch eine Ladungsanhäufung auf der Oberfläche, wobei die Anhäufung von Ladung das elektrische Feld in der Nähe der Oberfläche lokal verstärkt.
  • Es ist daher zu verstehen, dass eine Oberfläche, die aus Bereichen, die das elektrische Feld lokal verstärken, und Bereichen mit einer niedrigen Arbeitsfunktion besteht, in denen Elektronen unter dem Einfluss eines elektrischen Feldes leicht freigegeben werden können, beim Bereitstellen von Elektronen für den Entladungsraum sehr effizient sind.
  • Ein Verwenden solch einer Oberfläche auf den Elektroden der Anordnung wie vorstehend erwähnt ist daher vorteilhaft, da die Elektronen, die durch die Oberfläche effizient freigegeben werden, zu dem Plasma beitragen können.
  • In einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung sind die elektronisch leitenden Bereiche und die isolierenden Bereiche gleichförmig über die Grenzfläche verteilt.
  • Eine gleichförmige Verteilung der elektronisch leitenden Bereiche und isolierenden Bereiche ermöglicht es, dass die Freigabe von Elektronen von dieser Oberfläche über die Oberfläche als Ganzes homogener ist. Dies trägt zu der Gleichförmigkeit des Plasmas bei, da es eine gleichförmige Plasmaerzeugung ermöglicht. Zusätzlich, sobald das Plasma erzeugt ist, wird aufgrund einer homogeneren Freigabe von Elektronen über der Oberfläche die Verteilung der Elektronen über dem Entladungsraum ebenso gleichförmiger und dies trägt zur Stabilität des Plasmas bei.
  • Gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ist der Oberflächenbereich von einem oder mehreren der leitenden Bereiche und der isolierenden Bereiche zumindest eine Größenordnung kleiner als der Oberflächenbereich der Grenzfläche.
  • Es sei angemerkt, dass die Vorteile von abwechselnd eingerichteten kleinen leitenden und isolierenden Bereichen darin liegen, dass die Oberfläche eine Vielzahl von Bereichen umfasst, in denen die Arbeitsfunktion niedrig ist und welche nahe zu anderen Bereichen sind, in denen das elektrische Feld verstärkt ist. Da es besonders die Kombination zwischen dem lokal verstärkten Feld und den Bereichen auf der Oberfläche mit niedrigen Arbeitsfunktionen ist, ist anzuerkennen, dass eine Oberfläche gemäß diesem Ausführungsbeispiel beim Freigeben von Elektronen in den Entladungsraum sehr effizient ist.
  • Es sei angemerkt, dass gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung die isolierenden Bereiche aus einem dielektrischen Material bestehen. Dielektrische Materialien mit elektrisch isolierenden Eigenschaften sind für die Verwendung in Kombination mit der vorliegenden Erfindung geeignet.
  • Es ist zu verstehen, dass bei einer dielektrischen Sperrschicht-Entladungskonfiguration (DBD) wie vorstehend, die Lehren dieser Erfindung leicht erreicht werden können, durch Hinzufügen von Bereichen eines leitenden Materials zu der Oberfläche der Elektroden mit der dielektrischen Schicht. Es sei angemerkt, dass dies durch Sputtern, Bedampfen, Ätzen, Überziehen oder einem anderen Verfahren des Befestigens, Haftens oder Einbringens elektrisch leitender Bereiche in oder auf die Oberfläche erreicht werden kann. Im Besonderen können die leitenden oder isolierenden Bereiche durch Sputtern eines Metallüberzugs auf eine dielektrische Schicht im Plasma gefolgt von Lufteinwirkung gebildet werden.
  • Ein weiterer Vorteil dieses letztgenannten Ausführungsbeispiels ist es, dass es beobachtet wurde, dass die Effekte der Lehren der vorliegenden Erfindung in Kombination mit einer dielektrischen Sperrschichtkonfiguration wie beschrieben, zum Bereitstellen eines gleichförmigen Plasmas gut geeignet sind. Diese Ausführungsbeispiele können zum Beispiel verwendet werden, um Plasmas unter atmosphärischen Druckbedingungen bei niedrigen Temperaturen zum Beispiel unter Verwendung von Luft zu erzeugen.
  • Das dielektrische Material kann aus einer Gruppe mit Polyethylenterephthalat (PET), Polyethylennaphthalat (PEN), Polytetrafluorethylen (PTFE), Triacetat-Cellulose (TAC), Polyolefine wie etwa Polyethylen oder Polypropylen, Polyamide, Polyurethane, Polystyrole, Polycarbonate, Polysiloxane, Polyacrylate, Polymethacrylate, Keramiken wie etwa SiO2, Al2O3, ZrO, Y2O3, CaCO3 oder MgO und Kombinationen von diesen ausgewählt werden. Es ist zu verstehen, dass jedes andere dielektrische Material verwendet werden kann, angemessene Ergebnisse wurden jedoch unter Verwendung der vorstehend erwähnten dielektrischen Materialen erhalten.
  • Gemäß einem anderen bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung bestehen der eine oder die mehreren leitenden Bereiche aus Metall. Dieses Metall kann aus einer Gruppe mit Nickel (Ni), Chrom (Cr), Kupfer (Cu), Eisen (Fe), Gold (Au), Molybdän (Mb), Silber (Ag), Aluminium (Al), Titan (Ti), Kobalt (Co), Magnesium (Mg), Platin (Pt), Zinn (St), Zink (Zn) und ähnlichen ausgewählt werden. Natürlich kann auch jedes andere geeignete Metall genauso verwendet werden. Angemessene Ergebnisse und stabile und gleichförmige Plasmas wurden unter Verwendung der vorstehend erwähnten Metalle erhalten.
  • In einem spezifischen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung werden die leitenden Bereiche durch eine Metallschicht gebildet, wobei eine Oberfläche von diesen die Grenzfläche bildet. Gemäß diesem Ausführungsbeispiel ist die Elektrode mit einer Metallschicht bedeckt, auf welcher zum Beispiel eine Vielzahl von isolierenden Bereichen angeordnet sein kann. Es ist anzuerkennen, dass ebenso an eine Elektrode, die mit einer dielektrischen Schicht (gemäß einem der vorstehenden Ausführungsbeispiele) bedeckt ist, gedacht werden kann, wobei die dielektrische Schicht mit einer Metallschicht bedeckt ist, wobei mittels Ätzen die dielektrische Oberfläche freigelegt wird, was die Vielzahl von elektrisch leitenden und isolierenden Bereichen bildet.
  • In einem weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung ist die Elektrode mit einem dielektrischen Material bedeckt, auf welchem eine Vielzahl von elektrisch leitenden Bereichen angeordnet ist, zum Beispiel in der Form geschlossener Stellen.
  • Es sei angemerkt, dass diese leitenden Bereiche oder isolierenden Bereiche in die Grenzfläche eingebettet werden können, zum Beispiel als geschlossene leitende Stellen, die in einer dielektrischen Oberfläche in einer DBD-Konfiguration eingebettet werden können oder als geschlossene isolierende Bereiche in einer Metallschicht.
  • Gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung können die leitenden oder isolierenden Bereiche eingerichtet werden, um eine leitende oder isolierende periodische Struktur zu bilden. Die periodische Struktur kann aus einer Gruppe mit Gittern, konzentrischen Kreisen, Drähten, Linienmustern, Streifen oder jeden anderen ähnlichen Strukturen ausgewählt werden.
  • Die elektrisch leitenden Bereiche und isolierenden Bereiche können aus einer Gruppe mit Quadraten, Kreisen, Punkten, Dreiecken, Polygonen oder anderen Formen ausgewählt werden.
  • Jede dieser periodischen Strukturen, Stellen und Bereiche kann einfach gleichförmig auf der Oberfläche eingerichtet werden (wie zum Beispiel ein Schachbrettmuster) und sind deshalb zur Verwendung mit der Erfindung geeignet.
  • Eine Mischung eines Metalls und eines Polymers kann verwendet werden, um eine Oberfläche mit einer sehr niedrigen Arbeitsfunktion zu produzieren. Auf diese Weise werden die Feldemission und die sekundäre Elektronenemission stark verstärkt, was die Erzeugung eines gleichförmigen Plasmas unterstützt. Die Menge an Metall muss überwiegen.
  • Gemäß einem zweiten Aspekt stellt die Erfindung eine Elektrode wie in Anspruch 22 definiert bereit, zur Verwendung in einer Anordnung gemäß einem der vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiele.
  • Gemäß einen dritten Aspekt bezieht sich die Erfindung ebenso auf ein Verfahren des Betreibens einer solchen Anordnung zum Erzeugen und Aufrechterhalten eines Glimmentladungsplasmas in einem Plasmaentladungsraum, gemäß Anspruch 23.
  • Gemäß einem vierten Aspekt wird das Verfahren angewendet zum Behandeln einer Oberfläche eines Körpers, der sich in dem Entladungsraum befindet, wie etwa eine Substratoberfläche eines Fotofilms, durch Aussetzen der Oberfläche zu dem Plasma, das durch die Anordnung der Erfindung wie vorstehend beschrieben erzeugt wird.
  • Die Lehren dieser Erfindung können bei der Materialverarbeitung und/oder Oberflächenbehandlungsprozessen in vielen Industrien verwendet werden. Sie können für alle Arten von Oberflächenbehandlungen verwendet werden, unter welchen Säubern und Aktivieren von Oberflächen, Bedampfen wie etwa plasma-gestütztes chemisches Bedampfen (PECVD) usw. sind. Die Lehren dieser Erfindung sind ebenso dazu geeignet, zum Verbessern der haftenden Eigenschaften einer Oberfläche verwendet zu werden, wie etwa Polymeroberflächen, welche in der Fotofilmproduktionsindustrie angewendet werden.
  • Die vorstehend erwähnten und andere Merkmale und Vorteile der Erfindung sind in der folgenden Beschreibung der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen dargestellt. Die beschriebenen Ausführungsbeispiele sind auf die Behandlung einer Oberfläche eines Körpers mit einem Glimmplasma unter atmosphärischen Druckbedingungen (APG) gerichtet. Die Erfindung ist jedoch nicht auf die offenbarten Ausführungsbeispiele beschränkt, welche nur für erklärende Zwecke bereitgestellt sind.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist eine schematische Zeichnung einer Anordnung gemäß der vorliegenden Erfindung;
  • 2 zeigt schematisch eine Grenzfläche zwischen einer Elektrode und einem Entladungsraum in einer Anordnung gemäß der vorliegenden Erfindung;
  • 3 stellt ein Plasma-Strom-Spannungs-Diagramm eines Plasmas dar, das mit einer Anordnung gemäß der vorliegenden Erfindung erzeugt wird;
  • 4a bis 4d zeigen eine Anzahl von Oberflächen mit leitenden und isolierenden Bereichen.
  • Detaillierte Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist eine schematische Zeichnung einer Anordnung gemäß der vorliegenden Erfindung. Die Anordnung umfasst eine erste Elektrode 1 und eine zweite Elektrode 2. Eine zu behandelnde Oberfläche 3, zum Beispiel ein Polymerfilm, wird über die Oberfläche der zweiten Elektrode 2 transportiert. Die erste Elektrode besteht aus einer leitenden Schicht 1, auf welcher ein dielektrisches Material 5 angebracht ist. Die Oberfläche 3 des dielektrischen Materials 5, das dem Entladungsraum 7 gegenübersteht, bildet eine Grenzfläche mit dem Entladungsraum 7. Eine Vielzahl von leitenden Bereichen 4 wurde in die Oberfläche 6 der dielektrischen Schicht 5 eingebettet, so dass die Grenzfläche 6 aus einer Vielzahl von isolierenden und leitenden Bereichen besteht. Die Elektroden 1 und 2 sind mit einer Energieversorgung 8 verbunden, zum Bereitstellen eines elektrischen Felds in dem Entladungsraum 7. Zum Zweck des Erzeugens eines Plasmas in dem Entladungsraum wurde eine Gasversorgungseinrichtung 9 zum Zuführen eines Gases oder eines Gasgemisches unter atmosphärischen Druckbedingungen in den Entladungsraum 7 bereitgestellt.
  • Gase zum Erzeugen eines Plasmas können aus einer Gruppe mit Helium, Argon, Stickstoff, Luft, Sauerstoff, Kohlendioxid und einer Mischung mit irgendeinem der Gase dieser Gruppe ausgewählt werden.
  • 2 zeigt eine Vergrößerung einer Elektrode, die in einer Anordnung gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann. Die Elektrode kann aus einer leitenden Schicht 10 bestehen, die mit einer (nicht gezeigten) Energieversorgung verbunden werden kann. Die Elektrode ist mit einer dielektrischen Schicht 11 bedeckt, welche auf einer Seite an der leitenden Schicht 10 anliegt, und auf der anderen Seite eine Grenzfläche 13 bereitstellt, wobei die Grenzfläche 13 dem Entladungsraum gegenübersteht. Eine Vielzahl von elektrisch leitenden Stellen 12 ist auf der Grenzfläche 13 der dielektrischen Schicht 11 vorhanden.
  • Die leitenden Stellen 12 können aus einem Metall oder jedem anderen elektrisch leitenden Metall bestehen. Wie vom Fachmann anzuerkennen ist, offenbaren die leitenden Stellen eine Oberfläche zu dem Entladungsraum, welche eine niedrige Arbeitsfunktion besitzt, was bedeutet, dass Elektronen, die in der Nähe der Oberfläche der Stellen 12 vorhanden sind, leicht in den Entladungsraum freigegeben werden können, da die Energie, die erforderlich ist, um diese Elektronen von dem Leiter in den Entladungsraum freizugeben, relativ klein ist. Die Bereiche 15 zwischen den Stellen 12, welche Bereiche die isolierenden Bereiche der Grenzfläche bilden, sind durch eine Ladungsanhäufung von Ladung in der Nähe der Oberfläche der Isolatoren unter dem Einfluss eines elektrischen Feldes, das in dem Entladungsraum über der Grenzfläche 13 vorhanden ist, gekennzeichnet. Aufgrund dieser Ladungsanhäufung wird das elektrische Feld lokal durch die dichte Ladung an der Oberfläche verstärkt. Die Linien 14 sind Linien, bei denen das elektrische Potential des elektrischen Feldes konstant ist. Die (nicht gezeigten) elektrischen Feldlinien, sind senkrecht zu den Linien 14. Die Linien 14 zeigen deshalb die Verstärkung des elektrischen Feldes nur für erklärende Zwecke.
  • Es sei angemerkt, dass die Kombination der Stellen 12, die eine niedrige Arbeitsfunktion besitzen, und das verstärkte elektrische Feld (wie durch die Linien 14 angegeben) Vorteile bereitstellt, da die Oberfläche 13 dazu in der Lage ist, Elektronen effektiv durch die Stellen 12 freizugeben, während die Bereiche 15 das elektrische Feld verstärken und dadurch die Elektronen an den Stellen 12 anregen, um in dem Entladungsraum einzutreten. Tatsächlich wird aufgrund des verstärkten elektrischen Feldes die Potentialsperrschicht zwischen den leitenden Bereichen 12 und dem Entladungsraum verringert. Eine Oberfläche gemäß der vorliegenden Erfindung ist deshalb effizienter beim Freigeben von Elektronen als eine Oberfläche mit nur einem leitenden Material oder eine Oberfläche mit nur einem isolierenden Material. Es liegt an der Kombination der Eigenschaften von Leitern und Isolatoren, dass die Effekte der vorliegenden Erfindung erreicht werden.
  • Vorzugsweise werden die leitenden Eigenschaften des Dielektrikums ausgewählt, so dass ein Verlust von Ladung durch Ableitung von dieser eliminiert oder auf ein absolutes Minimum gebracht werden kann, da dies zur Instabilität des Plasmas beiträgt. Gute Ergebnisse wurden unter Verwendung dielektrischer Materialien erreicht, mit einer Leitfähigkeit, welche gleich oder kleiner als 10–10 Ω–1cm–1 ist, speziell dielektrischer Materialien mit einer Leitfähigkeit, die kleiner ist als 10–12 Ω–1cm–1, zum Bilden der isolierenden Bereiche.
  • Die Größe der Strukturen, Stellen und Bereiche an der Grenzfläche werden vorzugsweise derart ausgewählt, dass eine ausreichende Ladung vorhanden ist, um ein Plasma zu erzeugen. Gute Ergebnisse wurden unter Verwendung von Strukturen, Stellen und Bereichen erreicht, mit Dimensionen in dem Bereich von 1 nm und einem mm. Es sei angemerkt, dass Bereiche dieser Dimension keine praktischen Schwierigkeiten während des Herstellungsprozesses aufwerfen.
  • Diese Erfindung ist jedoch nicht auf die Verwendung von dielektrischen Materialien mit diesen Eigenschaften und/oder Dimensionen der Strukturen, Stellen und Bereiche wie vorstehend erwähnt beschränkt; Die angegebenen Bereiche sollten als Beispiele betrachtet werden.
  • 3 zeigt ein Plasma-Strom-Spannungs-Diagramm eines Experiments, das mit einer Elektrode gemäß der vorliegenden Erfindung ausgeführt wird. Die vertikale Achse links 22 zeigt den Plasmastrom in mA. Die vertikale Achse rechts 23 zeigt die an die Elektroden angelegte Spannung in V. Auf der horizontalen Achse 24 ist die Zeit in μs gezeigt. Die Sinuskurve 20 ist die an die Elektroden angelegte Spannung und Kurve 21 ist der Plasmastrom.
  • Das Experiment wurde unter Verwendung einer ähnlichen Anordnung, wie in 1 gezeigt, ausgeführt. Eine der Elektroden innerhalb dieser Anordnung war mit einer dielektrischen Schicht von PET mit einer Dicke von ungefähr 200 μm bedeckt. Die dielektrische Schicht wurde dann mit einer Schicht von NiCr mit einer Dicke von ungefähr 100 nm überzogen, unter Verwendung physikalischer Bedampfung. Die Elektrode wurde in der Anordnung derart platziert, dass die NiCr-Schicht dem Entladungsraum gegenüber stand. Die andere Elektrode in der Anordnung wurde mit einer dielektrischen Schicht von PEN mit einer Dicke von ungefähr 100 μm überzogen.
  • Die dielektrische Sperrschicht-Entladungskonfiguration, die durch die vorstehend erwähnte Anordnung gebildet wird, wurde zuerst in einen Vorbehandlungsprozess verwendet, der nötig war, um eine Vielzahl von Rissen in der NiCr-Schicht zu erzeugen. Die Vielzahl von Rissen in der NiCr-Schicht war notwendig, um die darunter liegende dielektrische Schicht von PET freizulegen. Deshalb, nach der Vorbehandlung der Elektrode, die mit einer Schicht von PET und einer Schicht von NiCr bedeckt ist, stellte die Elektrode eine Grenzfläche mit dem Entladungsraum bereit, wobei die Grenzfläche aus abwechselnd leitenden und isolierenden Bereichen bestand, gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • Das Plasma entsprechend dem Plasma-Strom-Diagramm von 3 wurde unter Verwendung eines Lückenabstandes zwischen den Elektroden von 1,7 mm erzeugt, während die angelegte Spannung eine Amplitude von ungefähr 4,5 kV hatte. Der Entladungsraum war mit Luft bei atmosphärischen Druckbedingungen bei Zimmertemperatur (ungefähr 300 K) gefüllt. Es wurde beobachtet, dass die Durchschlagspannung in der Luft bis zu einem Wert der Hälfte des Startwerts bemerkenswert abgenommen hat.
  • Die Spitzen 25 und 26 der Plasma-Strom-Kurve 21 sind relativ glatt als verglichen zu den Plasma-Strom-Spitzen, die im Falle einer (nicht gezeigten) Strahlbildung bzw. „streamer formation" erreicht worden wären. Eine Plasma-Strom-Kurve einer Strahlbildung bzw. „streamer formation" offenbart oft starke Spitzen von kurzer Dauer. Wie in 3 gesehen werden kann, besteht die Plasma-Strom-Kurve 120, die in 3 gezeigt ist, aus Spitzen 25 und 26, welche eine relativ lange Dauer besitzen (in der gleichen Ordnung der Dauer einer halben Periode der angelegten Spannung) und umfasst eine Vielzahl von Rauschspitzen, die den Hauptspitzen 25 und 26 überlagert sind.
  • 5 zeigt die Ergebnisse von Beobachtungen des Plasmaverhaltens mit einer Hochgeschwindigkeitskamera. Die Hochgeschwindigkeitskamera nimmt eine Anzahl von Musterlinienabtastungen während einer Plasmaentladung auf, und stellt diese Musterlinienabtastungen zusammen sequentiell in die vertikale Richtung beginnend von oben, um ein Bild wie in 5 zu bilden. Deshalb entspricht die vertikale Richtung der Dauer der Messung, wobei in dem vorliegenden Fall eine Abtastung alle 15 ms vorgenommen wurde. Die Lichtabtastungen wurden durch Integrieren des Lichts, das in dem Entladungsraum vorhanden ist, parallel zu dem elektrischen Feld erreicht. Der Entladungsraum war mit Luft gefüllt, und das Plasma wurde unter Verwendung einer Kathode, die mit einer Hybridschicht von NiCr und PEN bedeckt war, erzeugt, gemäß der vorliegenden Erfindung. Der Lückenabstand zwischen den Elektroden, die den Entladungsraum bilden, war 1,7 mm und die Frequenz der AC-Spannung, die an die Elektroden angelegt wurde, war 11,8 kHz. Die Beobachtungen weisen auf eine diffuse Glimmentladung in der gesamten Elektrodenlücke hin. Dies wird ebenso durch das Licht, das mit einer schnellen Fotoverstärkerröhre (PMT) ausgesendet und erfasst wird, bestätigt.
  • 4a bis 4d zeigt eine Anzahl von möglichen Oberflächenkonfigurationen mit einer Vielzahl von leitenden und isolierenden Bereichen, welche abwechselnd angeordnet sind. 4a zeigt eine Oberfläche 30, welche aus einer isolierenden Oberfläche 32 besteht, die zum Beispiel ein Dielektrikum wie etwa PEN oder PET sein kann, worauf ein leitendes Gitter 31 platziert wurde, welche zusammen die Grenzfläche 30 bilden. Es sei angemerkt, dass durch Verwenden des leitenden Gitters in Kombination mit der isolierenden Schicht 32 eine homogene Verteilung von quadratischförmigen isolierenden Bereichen zu dem Entladungsraum hin offenbart ist. Es sei weiter angemerkt, dass die Grenzfläche 30 so aus einer leitenden Schicht konstruiert sein kann, auf welche ein isolierendes Gitter platziert wird.
  • 4b zeigt eine andere Konfiguration der Grenzschicht 35, wobei eine Vielzahl von leitenden scheibenförmigen Stellen homogen über eine isolierende Oberfläche 37 verteilt ist. In 4c, besteht die Grenzfläche 40 aus einer Schachbrettkonfiguration und quadratisch geformten leitenden Stellen 41 und isolierenden Bereichen 42. Es sei angemerkt, dass diese Konfiguration eine homogen verteilte gleichmäßige Menge von leitenden und isolierenden Bereichen bereitstellt, welche abwechselnd angeordnet sind, wobei die Gesamtoberfläche der leitenden Bereiche und die Gesamtoberfläche der isolierenden Bereiche gleich ist.
  • 4d zeigt eine Konfiguration, wobei eine Vielzahl von größeren und kleineren leitenden Bereichen 46 auf einer isolierenden Oberfläche 47 eingerichtet sind, um die Grenzfläche 45 zu bilden. Die Grenzfläche 45 kann zum Beispiel leicht durch Aufsprühen oder Sputtern eines leitenden Überzugs auf die isolierende Oberfläche konstruiert werden, und stellt deshalb einen effizienten Weg zum Herstellen einer solchen Grenzfläche bereit.
  • Es ist anzuerkennen, dass viele Modifikationen und Variationen der vorliegenden Erfindung angesichts der vorstehenden Lehren möglich sind. Es ist deshalb zu verstehen, dass innerhalb des Umfangs der beigefügten Ansprüche, die Erfindung anders als speziell vorstehend beschrieben umgesetzt werden kann.

Claims (24)

  1. Anordnung zum Erzeugen eines Plasmas, mit einem Entladungsraum (7) zwischen zumindest einem Paar von Elektroden (1, 2), die eingerichtet sind zum Bereitstellen eines elektrischen Felds und zum Erzeugen eines Plasmas in dem elektrischen Feld, wobei zumindest eine der Elektroden (1, 2) durch eine dielektrische Schicht (5, 11) bedeckt ist und die zumindest eine Elektrode eine Grenzfläche (6, 13) mit dem Entladungsraum (7) besitzt, dadurch gekennzeichnet, dass die Grenzfläche (6, 13) aus abwechselnd angeordneten leitenden (4, 12) und isolierenden (15) Bereichen besteht und die leitenden Bereiche (4, 12) auf der dielektrischen Schicht (5, 11) vorhanden sind.
  2. Anordnung gemäß Anspruch 1, wobei die leitenden Bereiche (4, 12) und die isolierenden Bereiche (15) gleichmäßig über die Grenzfläche (6, 13) verteilt sind.
  3. Anordnung gemäß einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die leitenden Bereiche (4, 12), die isolierenden Bereiche (15) und die Grenzfläche (6, 13) Oberflächenbereiche besitzen und wobei der Oberflächenbereich von entweder einem oder mehreren der leitenden Bereiche (4, 12) und der isolierenden Bereiche (15) zumindest eine Größenordnung weniger ist als der Oberflächenbereich der Grenzfläche (6, 13).
  4. Anordnung gemäß einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die isolierenden Bereiche (15) aus einem dielektrischen Material (5) bestehen.
  5. Anordnung gemäß Anspruch 4, wobei das dielektrische Material (5) eine Leitfähigkeit kleiner oder gleich 10–10 Ω–1cm–1 besitzt.
  6. Anordnung gemäß Anspruch 5, wobei das dielektrische Material (5) eine Leitfähigkeit kleiner oder gleich 10–12 Ω–1cm–1 besitzt.
  7. Anordnung gemäß Anspruch 4, 5 oder 6, wobei die isolierenden Bereiche (15) durch die dielektrische Schicht (5, 11) gebildet werden, wobei dessen Oberfläche die Grenzfläche bildet.
  8. Anordnung gemäß Anspruch 7, wobei die leitenden Bereiche (4, 12) in die Oberfläche der dielektrischen Schicht (5, 11) eingebaut sind.
  9. Anordnung gemäß Anspruch 8, wobei die leitenden und isolierenden Bereiche (15) durch Sputtern eines Metallüberzugs auf die dielektrische Schicht (5, 11) im Plasma gefolgt von Lufteinwirkung gebildet wurden.
  10. Anordnung gemäß Anspruch 7 oder 8, wobei die dielektrische Schicht (5, 11) eine strombegrenzende dielektrische Schicht (5, 11) ist, die auf zumindest einer der Elektroden (1, 2) vorhanden ist.
  11. Anordnung gemäß einem der Ansprüche 4 bis 10, wobei das dielektrische Material (5) aus einer Gruppe mit Polyethylenterephthalat (PET), Polyethylennaphthalat (PEN), Polytetraflourethylen (PTFE), Triacetat-Cellulose (TAC), Polyolefine wie etwa Polyethylen und Polypropylen, Polyamide, Polyurethane, Polystyrole, Polycarbonate, Polysiloxane, Polyacrylate, Polymethacrylate, Keramiken wie etwa SiO2, Al2O3, ZrO, Y2O3, CaCO3 oder MgO und Kombinationen von diesen ausgewählt wird.
  12. Anordnung gemäß einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die leitenden Bereiche (4, 12) aus einem Metall bestehen.
  13. Anordnung gemäß Anspruch 12, wobei die leitenden Bereiche (4, 12) durch eine Metallschicht gebildet werden, die die dielektrische Schicht (5, 11) bedeckt, wobei eine Oberfläche der Metallschicht die Grenzfläche (6, 13) bildet.
  14. Anordnung gemäß Anspruch 13, wobei die Vielzahl von elektrisch leitenden (4, 12) und isolierenden (15) Bereichen durch zumindest eines aus einer Gruppe mit einer Vielzahl von isolierenden Bereichen (15), die auf der Metallschicht aufgebracht sind, oder Freilegen der dielektrischen Schicht (5, 11) durch Ätzen der Metallschicht gebildet werden.
  15. Anordnung gemäß einem der Ansprüche 12 bis 14, wobei das Metall aus einer Gruppe mit Nickel (Ni), Chrom (Cr), Kupfer (Cu), Eisen (Fe), Gold (Au), Molybdän (Mb), Silber (Ag), Aluminium (Al), Titan (Ti), Cobalt (Co), Magnesium (Mg), Platin (Pt), Zinn (St), Zink (Zn) oder Kombinationen von diesen ausgewählt wird.
  16. Anordnung gemäß einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die leitenden oder isolierenden Bereiche (15) entsprechend aus einem leitenden oder isolierenden Pulver bestehen.
  17. Anordnung gemäß einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die leitenden Bereiche (4, 12) aus einer oder mehreren geschlossenen leitenden Stellen (12, 36) bestehen.
  18. Anordnung gemäß einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die isolierenden Bereiche (15) aus einer oder mehreren geschlossenen isolierenden Flächen (32, 42) bestehen.
  19. Anordnung gemäß Anspruch 17 oder 18, wobei entweder eine oder mehrere der Stellen (12, 36) und Flächen (32, 42) aus einer Gruppe mit Quadraten, Kreisen, Punkten, Dreiecken, Polygonen oder anderen Formen ausgewählt wird/werden.
  20. Anordnung gemäß einem der vorstehenden Ansprüche, wobei entweder einer der leitenden (4, 12) oder isolierenden Bereiche (15) eingerichtet ist, um eine leitende oder isolierende periodische Struktur zu bilden.
  21. Anordnung gemäß Anspruch 20, wobei die periodische Struktur aus einer Gruppe mit Gittern, konzentrischen Kreisen, Drähten, Linienmustern, Streifen, einer Schachbrettkonfiguration von leitenden und isolierenden Bereichen (15) und ähnlichen Strukturen ausgewählt wird.
  22. Elektrode zur Verwendung in einer Anordnung gemäß einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Elektrode (1, 10) durch eine dielektrische Schicht (5, 11) bedeckt ist, deren Oberfläche eine Grenzfläche (6, 13) mit einem Entladungsraum (7) der Anordnung bildet, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche (6, 13) aus abwechselnd angeordneten leitenden (4, 12) und isolierenden (15) Bereichen besteht und die leitenden Bereiche (4, 12) auf der dielektrischen Schicht (5, 11) vorhanden sind.
  23. Verfahren zum Betreiben einer Anordnung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 21 zum Erzeugen und Aufrechterhalten eines Glimmentladungsplasmas in dem Entladungsraum (7) durch Einlassen eines Gases oder Gasgemischs unter atmosphärischen Druckbedingungen in den Entladungsraum (7) und durch Einschalten der Elektroden (1, 2) unter Verwendung einer AC-Energieversorgungseinrichtung, die ein elektrisches Feld zum Erzeugen eines Plasmas in dem elektrischen Feld bereitstellt.
  24. Verfahren gemäß Anspruch 23, wobei ein Gehäuse in dem Entladungsraum (7) zum Behandeln einer Oberfläche des Gehäuses platziert wird, indem die Oberfläche des Gehäuses dem Plasma ausgesetzt wird.
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