DE60307408T2 - Fotoelektrische Sensoranordnung und Herstellungsverfahren dafür - Google Patents

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Description

  • Das Gebiet der Erfindung ist das der optischen Sensoren im Bereich der Mikroelektronik, die herkömmlicherweise eine Sensorschicht umfassen, die einem Leseschaltkreis zugeordnet ist, welcher insbesondere nach der sogenannten „above IC"-Struktur, d.h. der Struktur auf einem integrierten Schaltkreis ausgebildet ist.
  • Optische Sensoren sind herkömmlicherweise dazu bestimmt, eine Beleuchtungsstärke zu erfassen und diese in ein elektrisches Signal umzuwandeln, dessen Amplitude proportional zu der erfassten Beleuchtungsstärke ist. Diese elektrischen Signale werden im allgemeinen – insbesondere im Bereich des Leseschaltkreises – verarbeitet, um ein Bild der erfassten Szene wiederzugeben.
  • Um diese Sensorvorrichtungen zu miniaturisieren, wurde versucht, die eigentliche Erfassung mit der Schaltung zur Verarbeitung des ihr zugeordneten Signals zu integrieren.
  • Nun weist das Prinzip einer „above IC"-Struktur den Vorteil auf, dass ermöglicht wird, einen Sensorpixel-Füllfaktor nahe 100 % zu erreichen, in dem Maße wie sich der Leseschaltkreis unter der Sensorschicht befindet.
  • Herkömmlicherweise ist die Sensorschicht, die mit dem Leseschaltkreis durch ein isolierendes Substrat verbunden ist, von Einzelsensoren in Form einer Matrix gebildet. Ein jeder dieser Einzelsensoren umfasst eine sogenannte untere Elektrode, die auf dem genannten isolierenden Substrat, typischerweise Siliziumdioxid oder ein Siliziumnitrid, ausgebildet ist und die mittels eines das Substrat durchquerenden elektrischen Leiters, der herkömmlicherweise als „plug" oder „via" bezeichnet wird, mit dem Leseschaltkreis verbunden ist. Diese untere Elektrode ist mit einer lichtempfindlichen Schicht überzogen, die typischerweise von einer aus amorphem Silizium gefertigten P-I-N-, N-I-P-, P-I-, N-I-, I-P- oder I-N-Diode gebildet ist, wobei die gesamte Matrix von einer oberen lichtdurchlässigen Elektrode, die folglich allen Pixeln der Matrix gemein ist, überzogen ist.
  • Die Dioden sind mit einer Spannung von einigen Volt zwischen der oberen Elektrode und der unteren Elektrode in Sperrrichtung gepolt.
  • Wenn die intrinsische lichtempfindliche Schicht ein Photon absorbiert, sendet sie somit ein Elektron-Loch-Paar aus, das entlang der durch die untere bzw. obere Metallelektrode auferlegten Feldlinien zu diesen Elektroden diffundiert, und die Teilchen werden gesammelt, anschließend für eine gewisse Integrierzeit gespeichert und schließlich durch den Leseschaltkreis gezählt.
  • Wenn die lichtempfindliche Schicht aus amorphem Silizium gefertigt ist, hängt die Gesamtdicke der Sensorschichten aus einem solchen Material teilweise von den zu betrachtenden und zu erfassenden Wellenlängen ab und liegt typischerweise in der Größenordnung von 500 Nanometern bei einer korrekten Erfassung im Roten und von 50 Nanometern, um lediglich die Absorption im Blauen zu erhalten.
  • Die Sensorschicht kann am Rand der Matrix geätzt sein, um zu ermöglichen, die obere lichtdurchlässige Elektrode wieder herunter zu führen, und um sie unter Sicherstellung eines direkten Kontakts mit einem Verbinder oder „Plug" des Leseschaltkreises unter Vorspannung zu setzen.
  • Jedes Pixel der unteren Elektrode ist mit dem Leseschaltkreis einzeln verbunden, so dass es adressiert und gelesen werden kann und dass die erhaltenen Informationen gemultiplext werden können, damit daraus ein der betrachteten Erfassung entsprechendes Bild erzeugt werden kann.
  • Eines der bei dieser Art der Struktur häufig auftretenden Probleme liegt in den Leckströmen zwischen den Pixeln im Bereich der unteren Elektroden, insbesondere aufgrund der Tatsache des Auftretens einer Potentialdifferenz zwischen zwei benachbarten unteren Elektroden.
  • Um dieses Problem zu beheben, ist in der US-A-6 215 164 eine besondere Struktur der P-I-N- oder N-I-P-Dioden der photoelektrischen Sensoren vorgeschlagen worden. Diese nehmen ein besonderes Profil an, insbesondere im Bereich der intrinsischen Sensorschicht, die durch Matrizierung der dotierten unteren Schicht erhalten wird, so dass lediglich das Metall der unteren Elektrode bedeckt wird. Die lichtempfindliche Schicht eines jeden Pixels ist von der lichtempfindlichen Schicht des benachbarten Pixels mittels eines Oxids, typischerweise eines Siliziumoxids oder Si3N4, gar einer Kombination aus beiden, getrennt, dessen Ziel die Begrenzung der optischen Intermodulation ist, ein Begriff, der im allgemein verwendet wird, um das Phänomen des vorgenannten Leckstroms zwischen den Pixeln zu bezeichnen.
  • Nun weist aber die Matrizierung der empfindlichen Schichten den Nachteil auf, dass sie ein erneutes Aufwachsen auf jeder Ebene erfordert, die matriziert werden soll. Es stellt sich heraus, dass die mit der Oberflächenkontamination verbundenen Probleme sowie die Probleme einer erneuten Kontaktherstellung dazu führen, dass der Dunkelstrom der so erhaltenen Sensoren und folglich deren Empfindlichkeit gegenüber schwacher Beleuchtung erhöht wird.
  • Es wurde auch vorgeschlagen, so zum Beispiel in dem Dokument US-A-6 114 739, die dotierte untere Schicht entfallen zu lassen, indem dafür Sorge getragen wird, dass die Qualität des Metall/lichtempfindliche Schicht-Kontakts vom Typ Schottky-Kontakt richtig gewählt wird.
  • Ein weiteres Problem, das es im Rahmen der Ausführung derartiger photoelektrischer Sensoren zu lösen gilt, liegt in der Tatsache, dass ein hoher Füllfaktor im Bereich des eigentlichen Sensors gewünscht wird. Infolgedessen muss der zwischen den Pixeln befindliche Zwischenraum möglichst klein sein, typischerweise in der Größenordnung von 500 Nanometern, während die Größe der Pixel einige Mikrometer erreichen kann.
  • Jedoch werden durch die Reduzierung des zwischen den Pixeln befindlichen Zwischenraums die Phänomene optischer Intermodulation, die man doch gerade beseitigen oder zumindest begrenzen möchte, verstärkt.
  • Um diese Nachteile zu beheben, wurde beispielsweise in dem Dokument EP-A-0 494 694 vorgeschlagen, der lichtempfindlichen Schicht im Bereich eines jeden Pixels ein abgerundetes Profil zu verleihen. In 1 ist übrigens eine schematische Ansicht des betreffenden Sensors dargestellt. Dieser umfasst ein isolierendes Substrat (1), insbesondere aus Siliziumoxid, eine untere Elektrode (2) pro Pixel, auf der eine lichtempfindliche Schicht (3) aus amorphem Silizium angebracht ist, die ein abgerundetes Profil annimmt. Das so erhaltene Ganze ist mit einer oberen lichtdurchlässigen Schicht (4) überzogen, die das Profil der genannten lichtempfindlichen Schicht annimmt. Hingegen weist auch diese Art der Matrizierung den Nachteil auf, dass sie ein erneutes Schichtaufwachsen erfordert, mit den gleichen Problemen der Oberflächenkontamination wie sie in dem Dokument US-A-6 215 164 erläutert sind.
  • Durch die eingesetzte Technologie, nämlich das Anbringen auf einem integrierten Schaltkreis, werden Probleme hinsichtlich des Haftvermögens der oberen Schicht auf dem Leseschaltkreis festgestellt. Insbesondere im Rahmen des Einsatzes von Sensoren aus amorphem Silizium stellt das Haftvermögen der unter Spannung stehenden dicken Schichten mit einer hohen Wasserstoffdichte ein gewisses Problem dar.
  • Dieses Problem ist um so schwerwiegender, wenn die Schicht, die anhaften soll, nicht dotiert ist, wie dies bei den I-P- oder I-N-Strukturen der Fall ist.
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, sich von diesen verschiedenen Nachteilen zu befreien. Ihr Ziel ist zunächst eine Strukturierung der Oberfläche des Leseschaltkreises, so dass die optische Trennung zwischen den Pixeln (optische Intermodulation) begünstigt wird, wobei gleichzeitig der Füllfaktor erhöht wird.
  • Die Erfindung schlägt somit eine photoelektrische Sensorvorrichtung vor, die auf einem isolierenden Substrat eine Matrix aus Einzelsensoren umfasst, wobei ein jeder der Einzelsensoren die Aufschichtung aus einer unteren Elektrode, einer Schicht aus einem lichtempfindlichen Material und einer oberen lichtdurchlässigen Elektrode umfasst, wobei die obere Elektrode allen Einzelsensoren gemein ist, wobei eine jede der unteren Elektroden unabhängig voneinander mit einem Leseschaltkreis verbunden ist, und zwar mittels eines elektrischen Leiters, der sich zwischen der unteren Elektrode und dem Leseschaltkreis erstreckt.
  • Sie ist dadurch gekennzeichnet:
    • – dass die unteren Elektroden jeweils auf einem individualisierten isolierenden Höcker positioniert sind, der in Bezug auf das isolierende Substrat erhöht ist;
    • – und dass die obere Elektrode nicht eben ist und sich außerdem zwischen zwei benachbarte Höcker einfügt, bis sie eine Ebene erreicht, die unter der Ebene der unteren Elektroden liegt.
  • So ist es möglich, eine optische Trennung zu erzielen und folglich die optische Intermodulation zu verringern, ohne dass die Sensorschicht matriziert werden muss.
  • Denn durch die somit beanspruchte besondere Struktur sind die elektrischen Feldlinien am Pixelrand gekrümmt, so dass elektrische Felder mit entgegengesetzten Richtungen auf beiden Seiten der Mitte des zwischen den Pixeln befindlichen Bereichs erzielt werden.
  • Dies hat zur Folge, dass die Ladungsträger gezwungen werden, sich zur nächstgelegenen Elektrode hin zu richten.
  • Gemäß der Erfindung ist das isolierende Substrat von einer Isolierschicht gebildet, die auf einem Schaltkreis zur Signalverarbeitung abgelagert ist.
  • Nach einer ersten Ausführungsform der Erfindung sind die Höcker jeweils von einer zusätzlichen individualisierten Isolierschicht gebildet, die auf dem isolierenden Substrat abgelagert ist.
  • Nach einer weiteren Ausführungsform der Erfindung bilden die Höcker einen Grundbestandteil des isolierenden Substrats.
  • Vorteilhafterweise haben die Oberflächenhöcker eine erhöhte Form, so dass die lichtempfindlichen Sensorschichten von zwei benachbarten Pixeln am Pixelrand quasi vertikal gegenüberliegen, mit streng entgegengesetzten Polaritäten.
  • Nach einem weiteren vorteilhaften Merkmal der Erfindung sind die photoelektrischen Sensoren von PIN-, NIP-, PI-, NI-, IP- oder IN-Dioden gebildet.
  • Außerdem ist das lichtempfindliche Material gemäß der Erfindung auf Siliziumbasis, eventuell in Verbindung mit Wasserstoff, Germanium oder Kohlenstoff.
  • Weiterhin ist nach einem weiteren vorteilhaften Merkmal der Erfindung der Zwischenraum zwischen den lichtempfindlichen Materialien von zwei benachbarten Sensoren auf das Zweifache der Dicke der lichtdurchlässigen Elektrode reduziert und liegt typischerweise in der Größenordnung von 100 nm.
  • Ein Ziel der Erfindung ist auch ein Verfahren zur Herstellung eines photoelektnschen Sensors der zuvor beschriebenen Art.
  • Dieses Verfahren zur Herstellung eines Sensorschaltkreises, der von einer Matrix aus Einzelsensoren gebildet ist, die auf einem isolierenden Substrat abgelagert und einem Leseschaltkreis zugeordnet sind, besteht darin:
    • – für einen jeden der Einzelsensoren eine Metallisierungsschicht auszubilden, die mittels das isolierende Substrat durchquerenden Leitern mit dem Leseschaltkreis verbunden ist;
    • – auf dem isolierenden Substrat unter Umschließen der Metallisierungsschicht eine Schicht aus einem elektrischen Isolator abzulagern;
    • – eine Öffnung innerhalb der Schicht auszubilden, bis die Metallisierungsschicht erreicht ist, und die so ausgebildete Öffnung mit einem elektrisch leitenden Material zu füllen, das folglich in elektrischen Kontakt mit der Metallisierungsschicht gelangt;
    • – eine Elektrode abzulagern, die dazu bestimmt ist, eine untere Elektrode auf der Oberseite der Isolierschicht zu werden, wobei die Elektrode in elektrischem Kontakt mit dem elektrischen Leiter ist;
    • – eine Schicht aus lichtempfindlichem Material auf der gesamten, so ausgebildeten Matrix abzulagern, die im Wesentlichen die Form eines jeden der durch die Isolierschicht und die untere Elektrode gebildeten Einzelkomplexe annimmt;
    • – auf der so gebildeten Aufschichtung eine einzige obere lichtdurchlässige Elektrode abzulagern, die ebenfalls die Form der isolierenden Höcker annimmt, so dass sie bis zu einer Ebene hinunterreicht, die unter der Ebene der unteren Elektroden liegt.
  • Ziel der Erfindung ist auch ein weiteres Verfahren zur Herstellung derartiger photoelektrischer Sensoren.
  • Dieses Verfahren zur Herstellung eines Sensorschaltkreises, der von einer Matrix aus Einzelsensoren gebildet ist, die auf einem isolierenden Substrat abgelagert und einem Leseschaltkreis zugeordnet sind, besteht darin:
    • • eine leitende Metallschicht abzulagern und diese mittels eines Leiters mit dem Leseschaltkreis zu verbinden;
    • • eine Lithographie und eine Ätzung dieser Metallschicht durchzuführen, so dass individualisierte untere Elektroden ausgebildet werden;
    • • eine Tiefätzung innerhalb des isolierenden Substrats durchzuführen;
    • • anschließend die lichtempfindliche Schicht, einschließlich im Bereich der Ätzung des isolierenden Substrats abzulagern, so dass die lichtempfindliche Schicht das so realisierte besondere Profil annimmt;
    • • und schließlich die obere lichtdurchlässige Elektrode, einschließlich im Bereich der Ätzung der Passivierungsschicht abzulagern, so dass sich die obere Elektrode in den zwischen den Pixeln befindlichen Zwischenraum einfügt, damit sie auf eine Ebene hinunterreicht, die unter der Ebene der unteren Elektrode liegt.
  • Die Art der Ausführung der Erfindung sowie die sich hieraus ergebenden Vorteile werden aus den nachfolgenden Ausführungsbeispielen, die zur Unterrichtung gegeben und als nicht einschränkend zu verstehen sind, anhand der beliegenden Figuren besser hervorgehen.
  • 1 ist – wie bereits genau erläutert wurde – eine schematische Darstellung eines photoelektrischen Sensors nach dem Stand der Technik.
  • 2 ist eine schematische Darstellung im Querschnitt eines photoelektrischen Sensors nach einer ersten Ausführungsform der Erfindung.
  • 3 ist eine ähnliche Ansicht wie 2, nach einer weiteren Ausführungsform der Erfindung.
  • In Verbindung mit 2 wurde nun der erfindungsgemäße photoelektrische Sensor dargestellt. Um die schematische Darstellung zu vereinfachen, wurde der Leseschaltkreis in dieser Figur nicht dargestellt. Des Weiteren sind die verschiedenen Bezugszeichen, die Elementen oder Komponenten entsprechen, welche mit denjenigen des Standes der Technik identisch sind, beibehalten worden.
  • Gemäß der Erfindung umfasst der photoelektrische Sensor für jedes Pixel zunächst eine Metallisierungsschicht (9) mit einer relativ großen Dicke, typischerweise von 1 μm, die mittels eines Leiters oder „Plug" (7) mit dem Leseschaltkreis verbunden ist.
  • Diese Metallisierungsschicht (9) wird anschließend mit einem Isolatorüberzug (6), wie einem Siliziumoxid, einem Siliziumnitrid, einen Siliziumoxinitrid oder jedweden Kombination dieser umschlossen. Dieser Isolatorüberzug (6) gelangt nun mit dem Silizium des isolierenden Trägers (1) in Kontakt und bildet einen Höcker mit gewölbter Form, wie dies aus 2 ersichtlich ist. Dieser Überzug (6) kann durch ein durch Niedertemperaturplasma (400 °C) unterstütztes CVD-Verfahren (chemical vapour deposition) hergestellt werden.
  • Sobald der Höcker (6) hergestellt ist, wird ausgehend von der Oberseite des genannten Höckers bis zum Erreichen der Metallisierungsschicht (9) eine Öffnung ausgebildet. Diese Öffnung wird mit einem elektrisch leitenden Material (8) aufgefüllt, wobei dieses mit der Metallisierungsschicht (9) in Kontakt gelangt.
  • Die untere Elektrode (2) des Pixels wird dann auf der Oberseite des Höckers (6) beispielsweise durch Kathodenzerstäubung ablagert. Diese untere Elektrode mit einer relativ geringen Dicke, typischerweise von 50 Nanometern, geht auf beiden Seiten des Höckers (6) so weit wie möglich nach unten, ohne dabei die mit dem Substrat (1) in Kontakt befindliche Basis des Höckers zu erreichen.
  • Anschließend wird die Diode (3), insbesondere aus amorphem Silizium des Typs PIN, NIP, NI, PI, IN oder IP abgelagert.
  • Wie in 2 gut zu erkennen ist, nimmt diese Schicht aus amorphem Silizium die Konturen der verschiedenen Höcker (6) an und füllt außerdem den zwischen den Pixeln befindlichen Zwischenraum (5) zwischen zwei benachbarten Höckern auf.
  • Dann erfolgt die Ablagerung einer einzigen oberen Elektrode (4) für alle Pixel des Sensors, wobei diese obere Elektrode lichtdurchlässig, insbesondere aus Indium- und Zinnoxid (ITO) gefertigt ist.
  • Nach einem Merkmal der Erfindung fügt sich die obere Elektrode (4) ebenfalls in den zwischen den Pixeln befindlichen Zwischenraum (5) zwischen zwei benachbarten Höckern ein und erreicht insbesondere eine Ebene, die unter der durch die untere Elektrode (2) erreichten Ebene liegt.
  • Hierbei ist festzustellen, dass die elektrischen Feldlinien im Bereich der zwischen den Pixeln befindlichen Zone (5) entgegengesetzt sind, wodurch die Ladungsträger gezwungen werden, sich zu der nächstgelegenen unteren Elektrode hin zu richten. Darüber hinaus wurde ein Teil dieser Feldlinien in 2 materialisiert, wodurch das erzielte Ergebnis veranschaulicht wird.
  • Nach einem vorteilhaften Merkmal der Erfindung ist der Trennabstand zwischen den zwei lichtempfindlichen Materialien von zwei benachbarten Pixeln nahe dem Zweifachen der Dicke der oberen lichtdurchlässigen Elektrode (4) (100 Nanometer für die Erfassung des sichtbaren Lichts 400 – 800 nm), was dazu beiträgt, die Phänomene optischer Intermodulation zu begrenzen. Der Erfassungsbereich eines Pixels nähert sich somit maximal demjenigen des benachbarten Pixels; die von den Photonen erzeugten Elektronen sind in dem einen oder anderen Pixel eingeschlossen. Die optische Trennung der Pixel ist folglich verbessert.
  • Parallel hierzu ermöglicht das gewölbte, d.h. keinen spitzen Winkel aufweisende Profil der Höcker (6) und folglich der unteren Elektrode (2), den Dunkelstrom zu begrenzen und infolgedessen die Dynamik des so ausgebildeten Sensorsystems zu erhöhen.
  • Nach einer in 3 dargestellten Variante der Erfindung ist es jedoch möglich, keine derartige gewölbte Form der unteren Elektrode zu verwenden.
  • Bei dieser Ausführungsform wird zunächst auf herkömmlichem Weg die Abscheidung einer Metallschicht auf dem isolierenden Substrat (1) vollzogen, wobei die genannte Schicht über Leiter oder „Plugs" (7) mit dem Leseschaltkreis verbunden ist.
  • Nun wird eine Lithographie sowie eine Ätzung dieser Metallschicht vollzogen, so dass die unteren Elektroden (2) gebildet werden. Anschließend wird innerhalb des isolierenden Substrats (1) eine Tiefätzung durchgeführt.
  • Dann wird eine lichtempfindliche Schicht (3) abgelagert, welche dazu bestimmt ist, die Detektordiode auf dem so ausgebildeten Ganzen, einschließlich im Bereich der Ätzung des isolierenden Substrats, zu bilden, wodurch sie das so realisierte besondere Profil annimmt.
  • Nun wird die obere lichtdurchlässige Elektrode (4) abgelagert, die sich in den zwischen den Pixeln befindlichen Zwischenraum (5) einfügt und bei der man feststellt, dass sie innerhalb des genannten Zwischenraums auf eine Ebene hinunterreicht, die deutlich unter derjenigen der unteren Elektrode (2) liegt, wodurch es – wie bei der in Verbindung mit 2 beschriebenen Ausführungsform- möglich ist, die Phänomene optischer Intermodulation zu reduzieren.
  • In dem beschriebenen Beispiel ist die Höhe der zwischen den Pixeln befindlichen Wände relativ groß, sie liegt in der Größenordnung des um. Trotzdem ist es möglich, in diesem Bereich eine sanftere Neigung in Betracht zu ziehen, die entweder durch Ätzung oder durch Abscheidung realisiert wird. Weiterhin sind in diesem Fall die elektrischen Feldlinien um jedes Pixel herum radial ausgerichtet und verlaufen auf beiden Seiten der oberen Elektrode in entgegengesetzter Richtung, wodurch die Ladungsträger stets gezwungen sind, sich zur nächstgelegenen unteren Elektrode hin zu richten.
  • Welche Ausführungsform auch immer gewählt wird, es ist hervorzuheben, dass die Durchführung einer solchen Substratstrukturierung durch einen Gewinn im Bereich des mechanischen Haftvermögens der verschiedenen Schichten untereinander, durch Wirkungen lokalen Abbaus der mechanischen Spannungen zum Ausdruck kommt.
  • Denn die mechanischen Spannungen des empfindlichen Materials breiten sich nicht über die gesamte Oberfläche des Überzugs aus, sondern sind auf die Fläche jedes Pixels begrenzt. Das Haftvermögen des Überzugs wird durch die Rauhigkeit des Substrats, die Rauhigkeit, welche durch die Strukturierung seiner Oberfläche erzeugt wird, verbessert.
  • Es liegt folglich keine Ausbreitung der mechanischen Spannungen mehr vor wie im Falle einer planarisierten Struktur, und das Haftvermögen wird somit erheblich verbessert.

Claims (10)

  1. Photoelektrische Sensorvorrichtung, die auf einem isolierenden Substrat (1) eine Matrix aus Einzelsensoren umfasst, wobei ein jeder der Einzelsensoren die Aufschichtung aus einer unteren Elektrode (2), einer Schicht aus einem lichtempfindlichen Material (3) und einer oberen lichtdurchlässigen Elektrode (4) umfasst, wobei die obere Elektrode allen Einzelsensoren gemein ist, wobei eine jede der unteren Elektroden (2) unabhängig voneinander mit einem Leseschaltkreis verbunden ist, und zwar mittels eines elektrischen Leiters, der sich zwischen der unteren Elektrode und dem Leseschaltkreis erstreckt, dadurch gekennzeichnet: – dass die unteren Elektroden (2) jeweils auf einem individualisierten isolierenden Höcker (6) positioniert sind, der in Bezug auf das isolierenden Substrat (1) erhöht ist; – und dass die obere Elektrode (4) nicht eben ist und sich außerdem zwischen zwei benachbarte Höcker (6) einfügt, bis sie eine Ebene erreicht, die unter der Ebene der unteren Elektroden liegt.
  2. Photoelektrische Sensorvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das isolierende Substrat (1) von einer Schicht aus isolierendem Material gebildet ist, die auf einem Schaltkreis zur Signalverarbeitung abgelagert ist.
  3. Photoelektrische Sensorvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Höcker (6) jeweils von einer zusätzlichen individualisierten Isolierschicht gebildet sind, die auf dem isolierenden Substrat (1) abgelagert ist.
  4. Photoelektrische Sensorvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Höcker (6) einen Grundbestandteil des isolierenden Substrats (1) bilden.
  5. Photoelektrische Sensorvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Höcker (6) eine erhöhte Form haben, so dass die lichtempfindlichen Sensorschichten (3) von zwei benachbarten Pixeln am Pixelrand quasi vertikal gegenüberliegen, mit streng entgegengesetzten Polaritäten.
  6. Photoelektrische Sensorvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die photoelektrischen Sensoren von PIN-, NIP-, PI-, NI-, IP- oder IN-Dioden gebildet sind.
  7. Photoelektrische Sensorvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass das lichtempfindliche Material (3) auf der Basis von Silizium gefertigt ist.
  8. Photoelektrische Sensorvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass das lichtempfindliche Material (3) auf der Basis von Silizium, in Verbindung mit Wasserstoff, Germanium oder Kohlenstoff gefertigt ist.
  9. Verfahren zur Herstellung eines Sensorschaltkreises, der von einer Matrix aus Einzelsensoren gebildet ist, die auf einem isolierenden Substrat (1) abgelagert und einem Leseschaltkreis zugeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, dass es darin besteht: – für einen jeden der Einzelsensoren eine Metallisierungsschicht (9) auszubilden, die mittels das isolierende Substrat durchquerenden Leitern mit dem Leseschaltkreis verbunden ist; – auf dem isolierenden Substrat unter Umschließen der Metallisierungsschicht (9) eine einen Höcker bildende Schicht aus einem elektrischen Isolator (6) abzulagern; – eine Öffnung innerhalb der Schicht (6) auszubilden, bis die Metallisierungsschicht (9) erreicht ist, und die so ausgebildete Öffnung mit einem elektrisch leitenden Material (8) zu füllen, das folglich in elektrischen Kontakt mit der Metallisierungsschicht (9) gelangt; – eine Elektrode (2) abzulagern, die dazu bestimmt ist, eine untere Elektrode auf der Oberseite der Isolierschicht (6) zu werden, wobei die Elektrode in elektrischem Kontakt mit dem elektrischen Leiter (8) ist; – eine Schicht aus lichtempfindlichem Material (3) auf der gesamten, so ausgebildeten Matrix abzulagern, die im Wesentlichen die Form eines jeden der durch die Isolierschicht und die untere Elektrode gebildeten Einzelkomplexe annimmt; – auf der so gebildeten Aufschichtung eine einzige obere lichtdurchlässige Elektrode (4) abzulagern, die ebenfalls die Form der isolierenden Höcker (6) annimmt, so dass sie auf eine Ebene hinunterreicht, die unter der Ebene der unteren Elektroden im Bereich der so realisierten, zwischen den Sensoren gelegenen Zonen (5) liegt.
  10. Verfahren zur Herstellung eines Sensorschaltkreises, der von einer Matrix aus Einzelsensoren gebildet ist, die auf einem isolierenden Substrat (1) abgelagert und einem Leseschaltkreis zugeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, dass es darin besteht: • eine leitende Metallschicht (2) abzulagern und diese mittels eines Leiters (7) mit dem Leseschaltkreis zu verbinden; • eine Lithographie und eine Ätzung dieser Metallschicht durchzuführen, so dass individualisierte untere Elektroden (2) ausgebildet werden; • eine Tiefätzung innerhalb des isolierenden Substrats durchzuführen; • anschließend eine lichtempfindliche Schicht (3), einschließlich im Bereich der Ätzung des isolierenden Substrats abzulagern, so dass die lichtempfindliche Schicht das so realisierte besondere Profil annimmt; • und schließlich eine einzige obere lichtdurchlässige Elektrode (4), einschließlich im Bereich der Ätzung des isolierenden Substrats abzulagern, so dass sich die obere Elektrode in den zwischen den Pixeln befindlichen Zwischenraum (5) einfügt, damit sie auf eine Ebene hinunterreicht, die unter der Ebene der unteren Elektrode (2) liegt.
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