DE60223501T2

DE60223501T2 - Aufwärtsfrequenzwandler für Radiosysteme

Info

Publication number: DE60223501T2
Application number: DE60223501T
Authority: DE
Inventors: Gabriele Foltran; Maurizio Motta; Luigi Negri; Marco Piloni
Original assignee: Siemens SpA
Current assignee: Siemens SpA
Priority date: 2002-05-22
Filing date: 2002-05-22
Publication date: 2008-04-30
Anticipated expiration: 2022-05-23
Also published as: EP1365506B1; EP1365506A1; DE60223501D1; ATE378731T1

Description

Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Erfindung betrifft Aufwärtswandler für Funksysteme und wurde unter spezieller Beachtung des ständig steigenden Bedarfs an Hochleistungs-Aufwärtswandlern für MMW-(Millimeterwellen-) Funksysteme entwickelt.
Spezieller betrifft die vorliegende Erfindung eine Aufwärtswandlerschaltung gemäß dem Oberbegriff von Anspruch 1, welche z.B. aus US 2001/0053676 bekannt ist.
Jüngere Entwicklungen bei Funknetzstandards (ETSI, FCCI, ...), insbesondere im Hinblick auf SDH (Synchronous Digital Hierarchy, synchrone digitale Hierarchie), BWA (Broadband Wireless Access, drahtloser Breitbandanschluss) und PtMP (Point to Multipoint, Punkt-zu-Mehrpunkt-) Systeme, stellen immer strengere Anforderungen in Bezug auf Ausgangsleistungs-Spektrummasken. Diese beinhalten strenge Anforderungen in Bezug auf Einschränkungen der gesendeten Spektrummaske und die Rauschausgangsleistung während des Abschaltens im Burst-Mode-Betrieb.
Um diese Anforderungen zu erfüllen, müssen Mikrowellensender und insbesondere diejenigen, die in den MMW-Frequenzbändern arbeiten (d.h. in Frequenzbereichen, die zu sehr kritischen Betriebsbedingungen für die Schaltungsanordnung führen), ein gutes Betriebsverhalten in Bezug auf Linearität (IP3-P_1db-IMR3), Dynamikbereich der Ausgangsleistung, Gleichstromverbrauch und Leistungsdichte des Ausgangsrauschens aufweisen.
Stand der Technik
Die Aufwärtswandlerschaltungen dieser Art sind auf eine solche Weise gestaltet, dass sie enthalten:

– eine Eingangsstufe zum Erzeugen eines ZF-Signals, das einer Frequenz-Aufwärtswandlung zu unterziehen ist,
– einen Lokaloszillator zum Erzeugen eines Lokaloszillatorsignals,
– eine Mischstufe, in die das besagte ZF-Signal und das besagte Lokaloszillatorsignal eingespeist werden, zum Erzeugen eines "aufwärts gewandelten" (aufwärts gemischten) RF-Signals durch Mischen des besagten ZF-Signals und des besagten Lokaloszillatorsignals,
– eine RF-Verstärkerkette, in die das besagte aufwärts gewandelte RF-Signal eingespeist wird, zum Verstärken des besagten aufwärts gewandelten RF-Signals mit einem gegebenen Verstärkungsfaktor, wobei die besagte Verstärkerkette eine Vielzahl von linearen Dämpfungsstufen enthält, sowie Mittel, die dazu dienen, die Verstärkung automatisch zu steuern, indem sie die Kompressionsleistung konstant halten, während der Ausgangsleistungspegel variiert wird.

Die Application Note 1048 Hewlett Packard, die in den USA 11/1997 gedruckt wurde, zeigt ein auf einer PIN-Diode basierendes variables Dämpfungsglied. Diese Vorrichtung gewährleistet eine gute Linearität, jedoch ist sie sehr schwer als eine integrierte Schaltung (Integrated Circuit, IC) im MMW-Bereich (jenseits von 30 GHz) zu implementieren; ferner würde sich eine Entwurfslösung mit diskreten Dioden als zu sehr kritisch und komplex in diesem Frequenzbereich erweisen. Umgekehrt können sie nicht an der ZF-Stufe verwendet werden, aufgrund von nichtfunktionalen (NF) Anforderungen am ZF-Eingangsport.
Das Datenblatt "Agilent HMMC-1002 DC-50 Ghz Attenuator", das am 19. Februar 2001 gedruckt wurde, zeigt ein spannungsvariables Dämpfungsglied (Voltage Variable Attenuator, VVA), das in MMW-IC-Form implementiert ist. Diese liefern einen guten Dynamikbereich, leiden jedoch an Linearitätsproblemen, da FET-Sperrschichten (ein nichtlineares Element) als variable Widerstände verwendet werden.
Gegenstand und Zusammenfassung der Erfindung
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einige der Nachteile zu überwinden, die diesen Anordnungen nach dem Stand der Technik innewohnen, d.h. einen für den Betrieb in den MMW-Frequenzbändern geeigneten Aufwärtswandler bereitzustellen, der ein gutes Leistungsniveau sicherstellt und dabei gleichzeitig niedrigere Produktionskosten aufweist (einschließlich Zusammenbau und Feinabstimmung).
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird diese Aufgabe mittels eines Aufwärtswandlers gelöst, der die Merkmale aufweist, welche in Anspruch 1 genannt sind.
Der beanspruchte Aufwärtswandler ermöglicht, dass eine Degradation leicht kontrolliert wird, indem jede Verstärkerstufe der besagten Vielzahl einen jeweiligen, selektiv regelbaren Verstärkungswert aufweist, und indem er wenigstens ein Verstärkungsregelmodul zum Variieren des besagten gegebenen Verstärkungswertes der besagten RF-Verstärkerkette durch einheitliches Variieren der jeweiligen Verstärkungen der besagten Verstärkerstufen aufweist. Die vorliegende Architektur erfordert keinerlei zusätzliche variable Dämpfungseinrichtung; auf diese Weise ist es nicht notwendig, eine weitere Verstärkerstufe einzufügen (um den Einfügungsverlust der variablen Dämpfungseinrichtung zu kompensieren), und der Gleichstromverbrauch wird entsprechend der Einstellung des Ausgangsleistungspegels optimiert.
Kurzbeschreibung der Zeichnungen
Die Erfindung wird nunmehr lediglich beispielhaft unter Bezugnahme auf die beigefügten Abbildungen der Zeichnungen beschrieben, wobei:
1 ein Blockschaltbild eines Aufwärtswandlers gemäß der Erfindung ist,
2 ein Blockschaltbild einer Vorspannungsquelle ist, die für eine Verwendung in dem Aufwärtswandler der Erfindung vorgesehen ist,
3 ein Diagramm ist, das die Verstärkung in Abhängigkeit vom Drainstrom in einer FET-Verstärkerstufe zeigt, die für eine Verwendung in der Erfindung vorgesehen ist, und
4 ein Diagramm ist, das die Ausgangsleistung in Abhängigkeit von der Eingangsleistung in einem Wandler gemäß der Erfindung zeigt.
Ausführliche Beschreibung einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung
In 1 ist ein Aufwärtswandler, der für einen Betrieb z.B. in den 38 und 41 GHz Frequenzbändern vorgesehen ist, als Ganzes mit 1 bezeichnet.
Natürlich wurden die angegebenen Frequenzbänder nur für Beispielzwecke gewählt und dürfen in keiner Weise als den Rahmen der Erfindung einschränkend ausgelegt werden.
Die Eingangsstufe des Aufwärtswandlers 1 besteht im Wesentlichen aus einer rauscharmen Verstärkerstufe (Low Noise Amplifier, LNA), die im Zwischenfrequenzbereich (ZF-Bereich) arbeitet. Die besagte ZF-Stufe enthält einen ZF-Vorverstärker 10, der eine Eingangsleitung 10a zum Empfangen eines ZF-Eingangssignals aufweist, das einer Frequenz-Aufwärtswandlung zu unterziehen ist. Mit dem Vorverstärker 10 in Kaskade geschaltet ist vorzugsweise ein Block 11 zur automatischen Verstärkungsregelung (AVR) der ZF, der eine Eingangssteuerleitung aufweist, die ein Temperaturregelsignal empfängt, das von einem Komparator 12 erzeugt wird.
Ein erster Eingang des Komparators 12 ist mit einer Temperaturregelschaltung 13 verbunden, in die ein Temperatursignal eingespeist wird, das von einem Temperatursensor 14 erzeugt wird. Der andere Eingang des Komparators 12 ist mit einer ZF-Verstärkungseinstelleinheit 15 verbunden, die im Wesentlichen aus einem Potentiometer besteht.
Die aus den Blöcken 11 bis 15 bestehende Anordnung ist in der Technik üblich und muss insofern hier nicht ausführlicher beschrieben werden.
Das Ausgangssignal von dem ZF-Abschnitt, der den Vorverstärker 10 und den Verstärkungsregelungsblock 11 umfasst, wird in eine Mischstufe 16 eingespeist, welche vorzugsweise aus einem Lokaloszillator-Einseitenbandmischer (LO-Image Reject Mixer) besteht, in den das von einem Lokaloszillator 17 erzeugte Signal eingespeist wird.
Im Ergebnis des Mischens im Mischer 16 wird ein RF-Signal erzeugt, welches im Wesentlichen dem ZF-Eingangssignal auf Leitung 10a entspricht, das einer Aufwärtswandlung mittels eines Frequenzwertes unterzogen wurde, welcher dem Wert der Frequenz des Lokaloszillator-Signals entspricht, das von dem Oszillator 17 erzeugt wird.
Die Bezugszeichen 18a, 18b und 18c bezeichnen eine Vielzahl von Verstärkerstufen, welche eine RF-Verstärkerkette bilden, die dazu vorgesehen ist, auf einer Ausgangsleitung 19 ein RF-Ausgangssignal zu erzeugen, das geeignet ist, z.B. einer Antenne (nicht dargestellt) zugeführt zu werden.
Obwohl in 1 drei Verstärkerstufen 18a, 18b, 18c dargestellt sind, kann die Anzahl der Verstärkerstufen, welche die RF-Verstärkerkette bilden, auch von drei verschieden sein. Im Wesentlichen wird, in Abhängigkeit von der vorgesehenen Anwendung, die Anzahl derartiger RF-Verstärkerstufen als ein vernünftiger Kompromiss zwischen dem Gesamtverstärkungswert, der erreicht werden soll, und der Komplexität der Schaltung gewählt.
Mit jeder der Verstärkerstufen 18a, 18b, 18c ist ein Bias-Netzwerk (Vorspannungs-Netzwerk) 180a, 180b, 180c verknüpft.
Das Bezugszeichen 20 bezeichnet einen Radiofrequenzdetektor von einem bekannten Typ, der mit der Ausgangsleitung 19 verknüpft ist, um den Leistungspegel am Ausgang der die Verstärkerstufen 18a, 18b und 18c enthaltenden RF-Verstärkerkette zu detektieren. Das Ausgangssignal von dem Leistungsdetektor 20 wird in eine Schaltung 21 zur automatischen Verstärkungsregelung (AVR) eingespeist.
Die AVR-Schaltung 21 ist dazu vorgesehen, selektiv den Verstärkungswert der die Stufen 18a, 18b und 18c umfassenden RF-Verstärkerkette durch Vorspannungs- oder Bias-Netzwerke 180a, 180b, 180c zu variieren, gemäß Prinzipien, welche im Folgenden ausführlicher beschrieben werden.
Insbesondere wird die Schaltung 21 über eine Leitung 21a von einer RF-Verstärkungseinstelleinheit 22 von einem bekannten Typ gesteuert.
Das von der Schaltung 21 erzeugte Signal der automatischen Verstärkungsregelung wird über eine Leitung 23 zu den Stufen 18a, 18b und 18c der RF-Verstärkerkette zurückgeführt.
Speziell ist eine Leitung 23 mit einem oder mehreren Bias-Netzwerken 180a, 180b und 180c verbunden, um selektiv die Verstärkungswerte der Verstärkerstufen 18a, 18b und 18c zu steuern, wie im Folgenden genauer beschrieben wird.
Das Bezugszeichen 24 bezeichnet einen Schalter, welcher es gestattet, die Rückkopplungsschleife der automatischen Verstärkungsregelung (AVR) von der Schaltung 21, die durch die Leitung 23 repräsentiert wird, selektiv zu unterbrechen, um die Leitung 23 mit einem festen Spannungswert (z.B. –5 Volt) zu verbinden, um während der Ausführung von Prozeduren der Voreinstellung und des Abgleichs und/oder von Tests eine manuelle Verstärkungsregelung (MVR) zu ermöglichen.
Es ist klar, dass der Block 11 und die mit ihm verknüpften, aus den Elementen 12 bis 15 bestehenden Schaltungsanordnungen dazu bestimmt sind, die Verstärkung des ZF-Abschnitts (10, 11) des Aufwärtswandlers zu steuern, um Erscheinungen der Temperaturdrift zu kompensieren.
Dagegen wird die eigentliche AVR-Funktion in dem RF-Abschnitt ausgeführt, indem die Betriebsbedingungen der Verstärkerstufen 18a, 18b und 18c (über die Netzwerke 180a, 180b, und 180c) in richtiger Art und Weise variiert werden.
Die in 1 dargestellte Anordnung erfordert keine zusätzliche Dämpfungsschaltung in dem RF-Abschnitt, was einen bemerkenswerten Vorteil gegenüber Anordnungen nach dem Stand der Technik, die solche Schaltungen enthalten, darstellt, wenn man berücksichtigt, dass z.B. PIN-Dioden-Dämpfungsglieder, auch wenn sie eine gute Linearität gewährleisten, unter Verwendung von MMIC-Elementen im Millimeterwellen-Betriebsbereich nicht einfach zu implementieren sind.
Dagegen wird in der dargestellten Anordnung, um die Verstärkung auf dem RF-Niveau zu reduzieren, ein High-Level-Aufwärtswandler-Mischer 16 verwendet. Auf diese Weise wird die Eingangs-Rauschzahl durch Verwendung einer rauscharmen Verstärkerstufe im ZF-Bereich verbessert.
Um den gewünschten Ausgangsleistungs-Dynamikbereich bei gleichzeitiger Beibehaltung der Leistungscharakteristik bezüglich Rauschzahl und IMR3 (Linearität) zu gewährleisten, wird die Gesamtverstärkung der aus den Stufen 18a, 18b und 18c bestehenden Verstärkerkette selektiv variiert, indem – auf eine einheitliche Weise – die Verstärkung jeder einzelnen darin enthaltenen Stufe entsprechend variiert wird.
Dies geschieht vorzugsweise, indem der Verstärkungswert für jede Stufe in der Kette dementsprechend auf eine einheitliche Weise variiert wird, indem variable Biasstromquellen 180a, 180b, 180c verwendet werden, die vorzugsweise die in 2 dargestellte allgemeine Struktur aufweisen.
Um die aus den Verstärkerstufen 18a, 18b und 18c bestehende Millimeterwellen-Verstärkerkette in richtiger Art und Weise zu betreiben, wird die Verstärkerkette daher nach Linearitätskriterien dimensioniert, wobei zugleich sichergestellt wird, dass die Treiberstufen nicht zu einer unerwünschten Kompression des Signals in den nachfolgenden Stufen führen.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist vorzugsweise eine Stromquelle, wie in 2 dargestellt, für jede der Verstärkerstufen 18a, 18b und 18c der in 1 dargestellten RF-Verstärkerkette vorgesehen. Anordnungen, bei denen eine solche Stromquelle zum Treiben von zwei oder mehr der Verstärkerstufen 18a, 18b, 18c vorgesehen ist, sind ebenfalls im Schutzbereich der vorliegenden Erfindung enthalten.
Zur Erläuterung der Funktionsweise einer solchen Stromquelle wird auf 3 der Zeichnungen Bezug genommen, welche den Zusammenhang zwischen dem Drainstrom Id (mA, horizontale Achse) und der Verstärkung (dB, vertikale Achse) in einer typischen FET-Verstärkerstufe zeigt.
Das Blockschaltbild von 2 zeigt die typische Anordnung einer Stromquelle, die dazu vorgesehen ist, über eine Steuerleitung angesteuert zu werden; diese ist zum Zwecke der Konsistenz mit dem Blockschaltbild von 1 mit 23 bezeichnet.
Unter der Annahme, dass optimale Anpassungsbedingungen mit der Last vorliegen und dass der Sättigungsbereich eines FET-Verstärkers ideal ist, kann die maximale Ausgangsleistung P_max (ohne eine harmonische Verzerrung) ausgedrückt werden als: Pmax = Id·Vd/8,wobei I_d und V_d die Drainstromstärke bzw. die Drainspannung bezeichnen.
Infolgedessen können, um die Verstärkung der Stufen 18a, 18b und 18c in der RF-Kette unter Aufrechterhaltung der Linearität derselben zu variieren, sowohl I_d als auch V_d gesteuert werden.
Dies kann mittels der Anordnung von 2 erreicht werden, die einen Bipolartransistor (BJT-Transistor) 25 enthält.
Die Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors 25 ist zwischen eine Stromzuführungsleitung Vcc und einen (vorzugsweise negativen) Referenzwert –Vcc geschaltet.
Der Emitter und der Kollektor des Transistors 24 sind mit jeweiligen Widerständen verknüpft, die mit 26 bzw. 27 bezeichnet sind. Entsprechende Signale zum Ansteuern der Drain- und Gate-Elektroden des (der) in den Stufen 18a, 18b und 18c enthaltenen FET-Verstärkers) können daher aus jeweiligen Bias-Steuerleitungen an dem Emitter (Leitung 26a) bzw. dem Kollektor (Leitung 27a) des Transistors 25 entnommen werden.
Die Basis des Transistors 25 ist mit dem Zwischenpunkt eines Spannungsteilers verbunden, der zwei Widerstände 28 und 29 enthält, die zwischen der Stromversorgungsspannung Vcc und dem mit der Rückkopplungsleitung 23 verbundenen Spannungsregelungspunkt in Reihe geschaltet sind.
Das Diagramm von 4 zeigt die Ausgangsleistung (PAus, mW) als Funktion der Eingangsleistung (PEin, mW) einer FET-Verstärkerstufe für verschiedene Werte des Drainstroms, für Drainstrom-Werte (I_d), welche 10 mA (I), 30 mA (II), 50 mA (III), 70 mA (IV) bzw. 90 mA (V) entsprechen.
Es ist leicht erkennbar, dass die Anordnung der Erfindung die Nachteile überwindet, die denjenigen Anordnungen nach dem Stand der Technik innewohnen, die darauf abzielen, die Verstärkung automatisch zu steuern, indem sie die Kompressionsleistung konstant halten, während die Verstärkung geändert wird. Die beschriebene Anordnung ermöglicht, dass eine Degradation leicht kontrolliert wird, da, wenn I_d variiert, das Verhältnis zwischen dem "Nutzsignal" und den Intermodulationsprodukten konstant gehalten wird.
Das soeben beschriebene Verfahren zur Verstärkungsregelung ist insbesondere geeignet, auf einer RF-Verstärkerkette ausgeführt zu werden.
Die Wahl der Komponente, bei welcher eine Verstärkungsregelung durchzuführen ist, ist tatsächlich kritisch, da sie sowohl die Rauschzahl als auch den Pegel von Intermodulationsprodukten beeinflusst.
In einer Kette, die n Stufen aufweist, wird, wenn eine Verstärkungsregelung an einer der Eingangsstufen der Kette durchgeführt wird, die Rauschzahl nachteilig beeinflusst. Wird dagegen eine Regelung an einer der letzten Stufen in der Kette vorgenommen, wird die Linearität beeinträchtigt. Die Anordnung der Erfindung sieht vor, dass diese Parameter gleichzeitig gesteuert werden, um die Gesamtleistungsfähigkeit des Systems bei gleichzeitiger Sicherstellung einer ausreichend hohen Verstärkungsdynamik zu erhalten.
Bei der Anordnung der Erfindung wird, um einen Dynamikbereich der Ausgangsleistung bei gleichzeitiger Aufrechterhaltung der Leistungscharakteristik hinsichtlich der Rauschzahl und der Linearität (IMR3) zu gewährleisten, die Verstärkung der gesamten RF-Verstärkerkette (Stufen 18a, 18b und 18c) variiert, indem die Verstärkungswerte jeder einzelnen Stufe in der Kette gleichzeitig und einheitlich variiert werden.
Im Falle von FET-Verstärkerstufen geschieht dies vorzugsweise, indem die Werte des Drainstroms Id jeder Stufe geregelt werden. Um eine ordnungsgemäße Funktion zu gewährleisten, ist die gesamte Kette nach Linearitätskriterien gestaltet, die sicherstellen, dass Treiber nicht nachfolgende Stufen komprimieren.
Bei der Anordnung der Erfindung kann die Ausgangsleistung hinsichtlich des GS-Stromverbrauches optimiert werden. Dies ist darauf zurückzuführen, dass für niedrige Ausgangsleistungspegel ein geringerer Strom benötigt wird.
Ein solches Merkmal ist insbesondere in Systemen von Nutzen, welche Leistungsregelungsanordnungen vom Typ der ATPC (Automatic Transmitter Power Control, automatische Sendeleistungsregelung) oder RTPC (Remote Transmitter Power Control, Sendeleistungs-Fernregelung) während des normalen Betriebs verwenden, z.B. bei niedrigen Leistungspegeln aufgrund der geringeren GS-Leistungsaufnahme. Die Betriebstemperatur wird ebenfalls verringert, wodurch der mittlere Ausfallabstand des Senders erhöht wird.
Bei der gegenwärtig bevorzugten Ausführungsform wird der Aufwärtswandler 11 unter Anwendung der Technologie der Mikrostreifen-Übertragungsleitungen implementiert, unter Verwendung von MMIC-Elementen und Keramiksubstrat-Hybriden.
Eine solche Baugruppe ist für eine vollautomatisierte Produktion unter Anwendung von Epoxid-Befestigungsverfahren geeignet. Es ist keine manuelle Feinabstimmung des Wandlers 1 erforderlich, und eine Kalibrierung der Ausgangsleistung kann mittels einer vollautomatisierten softwaregesteuerten Routine durchgeführt werden.

Eine Zusammenstellung der wesentlichsten Parameter der Leistungscharakteristik einer beispielhaften Ausführungsform eines Aufwärtswandlers gemäß der Erfindung ist in der nachfolgenden Tabelle 1 enthalten.

Frequenzbereich	37 ÷ 39,5 GHz 40,5 ÷ 43,5 GHz
Dynamikbereich der Ausgangsleistung	1 ÷ 21 dBm
IMR3 mit Bezug auf Einzelkanalpegel	≥ 40 dBc bei beliebigem PAus
NF an Eingangsport	≤ 15 dB bei Pmax ≤ 25 dB bei Pmin
GS-Leistungsaufnahme	≤ 12 W bei Pmax ≤ 7 W bei Pmin

Die Erfindung stellt somit eine verbesserte Aufwärtswandler-Anordnung bereit, die für einen Betrieb in den Millimeterwellen-Frequenzbändern für Radioanwendungen geeignet ist. Die Hauptmerkmale einer solchen Anordnung sind hohe Linearität und hoher Dynamikbereich, adaptive GS-Leistungsaufnahme und niedrige Rauschzahl.
Natürlich können unbeschadet des Prinzips der Erfindung die Einzelheiten der Konstruktion und die Ausführungsformen bezüglich dessen, was hier lediglich beispielhaft beschrieben und dargestellt wurde, in einem weiten Rahmen variiert werden, ohne den Schutzbereich der vorliegenden Erfindung zu verlassen.

Claims

Aufwärtswandlerschaltung (1), welche umfasst: – eine Eingangsstufe (10, 11) zum Erzeugen eines ZF-Signals, das einer Frequenz-Aufwärtswandlung zu unterziehen ist, – einen Lokaloszillator (17) zum Erzeugen eines Lokaloszillatorsignals, – eine Mischstufe (16), in die das besagte ZF-Signal und das besagte Lokaloszillatorsignal eingespeist werden, zum Erzeugen eines aufwärts gewandelten RF-Signals durch Mischen des besagten ZF-Signals und des besagten Lokaloszillatorsignals, – eine RF-Verstärkerkette (18a, 18b, 18c), in die das besagte aufwärts gewandelte RF-Signal eingespeist wird, zum Verstärken des besagten aufwärts gewandelten RF-Signals mit einem gegebenen Verstärkungsfaktor, dadurch gekennzeichnet, dass die besagte Verstärkerkette enthält: a) eine Vielzahl von Verstärkerstufen (18a, 18b, 18c), wobei jede Verstärkerstufe der besagten Vielzahl einen jeweiligen, selektiv regelbaren Verstärkungswert aufweist, b) wenigstens ein Verstärkungsregelmodul (180a, 180b, 180c), das zum Variieren des besagten gegebenen Verstärkungswertes der besagten RF-Verstärkerkette durch einheitliches Variieren der jeweiligen Verstärkungen der besagten Verstärkerstufen (18a, 18b, 18c) der besagten RF-Verstärkerkette vorgesehen ist, und mit dem besagten wenigstens einen Verstärkungsregelmodul (180a, 180b, 180c) ein RF-Leistungsdetektor (20) zum Erfassen der Leistung des besagten aufwärts gewandelten RF-Signals verknüpft ist, das durch die besagte RF-Verstärkerkette (18a, 18b, 18c) mit dem besagten gegebenen Verstärkungswert verstärkt worden ist, wobei die besagten jeweiligen Verstärkungen der Verstärkerstufen (18a, 18b, 18c) der besagten RF-Verstärkerkette in Abhängigkeit von der besagten Leistung des besagten aufwärts gewandelten und verstärkten RF-Signals selektiv variiert werden.
Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Verstärkerstufen (18a, 18b, 18c) der besagten RF-Verstärkerkette FET-Verstärkerstufen sind, wobei die besagten jeweiligen Verstärkungen der besagten Verstärkerstufen (18a, 18b, 18c) variiert werden, indem der Drainstrom (Id) und/oder die Drain-Quellenspannung (Vds) der FET-Verstärkerstufe variiert wird.
Schaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das besagte wenigstens eine Verstärkungsregelmodul (180a, 180b, 180c) aufweist: – einen Verstärkungsregelungs-Eingangsanschluss (23), der dazu vorgesehen ist, auf eine gegebene Verstärkungsregelspannung gebracht zu werden, – einen Transistor (25) mit einem Basis-, einem Emitter- und einem Kollektoranschluss, – einen Spannungsteiler (28, 29), der auf die besagte gegebene Spannung an dem besagten Verstärkungsregelungs-Eingangsanschluss (23) reagiert, wobei der besagte Spannungsteiler einen Abgriffspunkt aufweist, der mit dem Basisanschluss des besagten Transistors (25) verbunden ist, wobei der besagte Emitter- und der besagte Kollektoranschluss des besagten Transistors (25) mit dem Drain- bzw. mit dem Gate-Anschluss wenigstens einer der besagten FET-Verstärkerstufen in der besagten RF-Verstärkerkette (18a, 18b, 18c) verbunden sind.
Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die besagte Eingangsstufe (10, 11) wenigstens einen variablen Verstärkungsblock (11) sowie temperaturempfindliche Regelungs-Schaltungsanordnungen (12 bis 15) zum selektiven Variieren der Verstärkung des besagten wenigstens einen Blockes (11) in Abhängigkeit von der Temperatur enthält.
Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die besagte RF-Verstärkerkette (18a, 18b, 18c) so konfiguriert ist, dass sie im Bereich von – zig GHz arbeitet, vorzugsweise im 40-GHz-Bereich.