DE60215067T2 - Optischer Mikroverschluss mit elektrostatischem Antrieb und Mikroverschlussmatrix mit vereinfachter Steuerung - Google Patents

Optischer Mikroverschluss mit elektrostatischem Antrieb und Mikroverschlussmatrix mit vereinfachter Steuerung Download PDF

Info

Publication number
DE60215067T2
DE60215067T2 DE60215067T DE60215067T DE60215067T2 DE 60215067 T2 DE60215067 T2 DE 60215067T2 DE 60215067 T DE60215067 T DE 60215067T DE 60215067 T DE60215067 T DE 60215067T DE 60215067 T2 DE60215067 T2 DE 60215067T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
micro
signal
shutter
electrode
dielectric layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE60215067T
Other languages
English (en)
Other versions
DE60215067D1 (de
Inventor
Marco Pizzi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Centro Ricerche Fiat SCpA
Original Assignee
Centro Ricerche Fiat SCpA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Centro Ricerche Fiat SCpA filed Critical Centro Ricerche Fiat SCpA
Application granted granted Critical
Publication of DE60215067D1 publication Critical patent/DE60215067D1/de
Publication of DE60215067T2 publication Critical patent/DE60215067T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/04Networks or arrays of similar microstructural devices
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0035Constitution or structural means for controlling the movement of the flexible or deformable elements
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/02Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the intensity of light

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
  • Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft elektrostatisch gesteuerte optische Mikroverschlußeinrichtungen von dem Typ, der folgendes umfaßt:
    ein Substrat, das aus einem Blättchen aus transparentem Material besteht,
    eine erste Elektrode, die aus einer Folie aus transparentem leitendem Material besteht, die auf einer Seite des das Substrat bildenden Blättchens aufgebracht ist,
    eine ebenfalls transparente Dielektrikumschicht, die über der die erste Elektrode bildenden Folie aufgebracht ist, und
    eine bewegliche Lamelle, die eine dünne Folie aus leitendem Material umfaßt, die eine zweite Elektrode bildet, wobei ein Ende mit der Dielektrikumschicht verbunden ist und von einer aufgerollten Ruheposition, in der der Durchtritt von Licht durch das Substrat möglich ist, in einen entrollten Zustand über der Dielektrikumschicht bewegt werden kann, in der der Durchtritt von Licht durch die elektrostatische Haftung verhindert wird, die verursacht wird durch Anlegen einer Potentialdifferenz zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode.
  • Eine Mikroverschlußeinrichtung des obigen Typs wird in der europäischen Patentanmeldung EP-A-1 008 885 von dem gleichen Anmelder beschrieben und dargestellt.
  • Die Erfindung betrifft insbesondere ein Verfahren zum Betätigen einer Matrix von optischen Mikroverschlüssen des in dem Oberbegriff von Anspruch 1 angegebenen Typs. Eine Matrix dieses Typs ist aus US 5,233,459 A bekannt.
  • Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht in der Verbesserung der bekannten Einrichtung durch Produzieren eines Mikroverschlusses, der auf einfache und effiziente Weise gelenkt werden kann und der insbesondere ein einfaches und effizientes Lenken einer Matrix gestattet, die aus einer Vielzahl von zueinander identischen Mikroverschlüssen besteht.
  • Im Hinblick auf die Erreichung dieser Aufgabe ist der Gegenstand der Erfindung ein Verfahren mit den Merkmalen von Anspruch 1.
  • Bei einem praktischen Ausführungsbeispiel liegt die untere Oberfläche der Lamelle neben ihrem mit der Dielektrikumschicht verbundenen Ende in Form einer Stufe vor, so daß sie den von der dielektrischen Oberfläche beabstandeten Abschnitt der Oberfläche definiert. Aufgrund des Vorliegens dieser Beabstandung ist die Potentialdifferenz, die an die Elektroden angelegt werden muß, um ein Entrollen der Lamelle zu verursachen, nicht lediglich die Differenz, die erforderlich ist, um die elastische Rückstellkraft der Lamelle in ihren aufgerollten Zustand zu überwinden. Nachdem die Lamelle über der Oberfläche des Dielektrikums entrollt ist, ist die Spannung, die erforderlich ist, um sie in diesem Zustand zu halten, dennoch im wesentlichen die Spannung, die erforderlich ist, um die elastische Rückstellkraft zu überwinden. Wenn beispielsweise das Entrollen der Lamelle auf dem Dielektrikum, was in den geschlossenen Zustand des Fensters übersetzt wird, gesteuert von dem Mikroverschluß, mit dem Anlegen einer vorbestimmten Spannung V erhalten wird, kann der Spannungswert, der erforderlich ist, um die Lamelle in den entrollten Zustand zu halten, möglicherweise viel kleiner sein, beispielsweise sogar weniger als V/2. Dank dieser Charakteristik ist es möglich, eine vereinfachte und effiziente Steuerung des Mikroverschlusses einzurichten. Tatsächlich gibt es einen Spannungswert (V), der zweifellos bewirkt, daß sich der Mikroverschluß in den geschlossenen Zustand bewegt. Es gibt auch einen anderen Wert (wie etwa V/2), der den Mikroverschluß zweifellos in dem Zustand hält, in dem er angetroffen wird. Wenn sich der Mikroverschluß in dem geschlossenen Zustand befindet, dann hält ihn die Spannung V/2 tatsächlich in diesem Zustand, der ausreichet, um die Rückstellkraft der Lamelle zu überwinden. Wenn sich der Mikroverschluß in dem offenen Zustand befindet, das heißt aufgerollt, dann hält ihn die Spannung V/2 in diesem Zustand, da sie nicht ausreicht, um zu bewirken, daß sich die Lamelle über der Dielektrikumschicht entrollt.
  • Dank der oben erwähnten Charakteristiken ist es möglich, die Matrix der Mikroverschlüsse auf vereinfachte Weise zu steuern. In der Praxis erfolgt das Scannen des Zustands des Mikroverschlusses in Spalten. Dies bedeutet, daß zu allen Zeiten eine spezifische Spalte, diejenige, in der der Zustand der Mikroverschlüsse gesteuert werden soll, mit einem Wechselspannungssignal 0-V versorgt wird, während die anderen Spalten ein Gleichspannungssignal V/2 erhalten, so daß die Mikroverschlüsse auf diesen verbleibenden Spalten zweifellos in dem Zustand verbleiben, in dem sie angetroffen werden. Nachdem die Spalte festgelegt worden ist, an der das Scannen durch Anlegen des Wechselspannungssignals 0-V erfolgt, wird der Zustand des auf dieser Spalte angeordneten Mikroverschlusses durch das der entsprechenden Reihe gesendete Signal bestimmt. Die Mikroverschlüsse der zugewiesenen Spalte, die sich auf Reihen befindet, zu denen ein Wechselspannungssignal 0-V gesendet wird, werden sich zweifellos in einen offenen Zustand bewegen oder offen bleiben, falls sie sich bereits in diesem Zustand befinden, da die an ihre Elektroden angelegte Potentialdifferenz gleich 0 ist. Die Mikroverschlüsse der zugewiesenen Spalte, die statt dessen auf Zeilen gefunden werden, denen ein Wechselstromsignal geliefert wird, das bezüglich des vorausgegangenen Signals um eine halbe Periode außer Phase ist, werden sich zweifellos in einen geschlossenen Zustand bewegen oder geschlossen bleiben, falls sie sich bereits in diesem Zustand befinden, da die an ihren Elektroden angelegte Potentialdifferenz gleich V ist. Nachdem der Zustand der Mikroverschlüsse auf einer ersten Spalte gesteuert worden ist, wiederholt das System diese Prozedur auf einer neuen Spalte, die in diesem Fall die einzige ist, der ein Wechselspannungssignal 0-V geliefert wird, da die verbleibenden Spalten ein Gleichspannungssignal V/2 erhalten. Schon wieder werden die auf der gescannten Spalte angeordneten Mikroverschlüsse je nachdem ob die Reihe, auf der sie sich befinden, ein Wechselspannungssignal 0-V oder ein Wechselspannungssignal, das im Vergleich zu dem vorausgegangenen Signal um eine halbe Periode außer Phase ist erhält, geöffnet oder geschlossen.
  • Das System ist deshalb in der Lage, ein einfaches und effizientes Scannen aller Mikroverschlüsse der Matrix durchzuführen. Jeder Mikroverschluß oder jede Gruppe von Mikroverschlüssen kann beispielsweise einem Pixel eines Displays oder eines anderen Betrachtungssystems entsprechen, das somit effizient gesteuert werden kann, um ein zu betrachtendes Bild zu erzeugen.
  • Weitere Charakteristiken und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen, die lediglich als nichtbeschränkendes Beispiel vorgelegt werden. Es zeigen:
  • 1 eine vergrößerte schematische Perspektivansicht einer bevorzugten Ausführungsform einer Matrix von Mikroverschlüssen gemäß der Erfindung,
  • 2 eine Ansicht im vergrößerten Maßstab eines Details von 1, mit dem Pfeil II bezeichnet,
  • 3 eine Schnittansicht in einem noch weiter vergrößerten Maßstab des von dem Pfeil III in 2 bezeichneten Details,
  • 4 ein Diagramm, das die Hystereseschleife jedes Mikroverschlusses darstellt,
  • 5 ein Diagramm, das das Grundprinzip darstellt, das von dem System eingesetzt wird, um die Matrix gemäß der Erfindung zu steuern, und
  • 6, 7 veranschaulichen zwei Typen von Spannungssignal, die der Matrix von Mikroverschlüssen gemäß der Erfindung zugeführt werden.
  • In 1 bezeichnet Zahl 1 insgesamt eine Matrix optischer Mikroverschlüsse gemäß der Erfindung. Die Figur zeigt nur einen Teil der Matrix, mit der beispielsweise ein Display eines beliebigen Typs realisiert werden kann, wie etwa ein Display für eine Armaturentafel eines Motorfahrzeugs, wobei jedes Pixel des Displays durch einen Mikroverschluß oder eine Gruppe von Mikroverschlüssen definiert ist. Wie man 3 entnehmen kann, umfaßt jeder der Mikroverschlüsse, insgesamt mit 2 angegeben, einen festen Träger einschließlich einem Substrat 3, das aus einem Blättchen aus Glas- oder Kunststoffmaterial besteht, für Licht transparent und einige wenige Millimeter oder Zentimeter dick. Eine Schicht 4 aus leitendem Material, das für Licht transparent ist (wie etwa ITO, d.h. Indium-Zinnoxid), die einige zig oder Hunderte von Nanometern dick ist, wird auf der Oberfläche des Substrats 3 durch Aufdampfung, Aufschleudern, Siebdruck oder Tauchen realisiert. Die leitende Schicht 4 wird danach mit einer Schicht 5 aus dielektrischem oder ferroelektrischem isolierendem Material, das für Licht transparent ist, isoliert, dessen Dicke von 0,1 Mikrometern bis einigen Dutzenden Mikrometern variieren kann. Diese Schicht kann man durch Siebdruck, Aufschleudern oder Tauchen erhalten.
  • Die Bezugszahl 6 bezeichnet den beweglichen Teil der Einrichtung, der aus einer wenige Mikrometer dicken dielektrischen Folie mit einer metallbeschichteten Schicht 6a auf ihrer der Dielektrikumschicht 5 zugewandten Seite besteht. Die Lamelle 6 ist an einem Ende der Dielektrikumschicht des festen Trägers fixiert, so daß der metallbeschichtete Teil mit dem Substrat in Kontakt steht. Die Folie 6 ist eine elastische Folie, die im unverformten Zustand aufgerollt ist, wie man in 1 erkennen kann. Die Abmessungen der Folie können entsprechend dem erforderlichen Typ von Mikroverschluß variieren. Durch Anlegen einer elektrischen Spannung zwischen der metallbeschichteten Schicht 6a der Lamelle 6 und der für Licht transparenten Elektrode 4 wird die Lamelle 6 auf der Oberfläche des Substrats 3 durch Elektrostatik entrollt, wodurch der Durchtritt von Lichtstrahlen verhindert wird (geschlossener Zustand des Mikroverschlusses).
  • Wie man aus 3 erkennen kann, weist die metallbeschichtete Oberfläche der Lamelle 6 eine Stufe 7 neben dem Ende 6b der Lamelle auf, das mit dem festen Träger verbunden ist, so daß die metallbeschichtete Oberfläche 6a des Abschnitts 6c der Lamelle neben dem Ende 6b der Dielektrikumschicht 5 zugewandt ist, von letzterer geringfügig beabstandet. Aufgrund dieser Charakteristik weist die elektrische Spannung, die zwischen den Elektroden 6a angelegt werden muß, um eine Haftung durch Elektrostatik der Lamelle 6 an der Oberfläche des Dielektrikums 5 zu erhalten, einen Wert V auf, der größer ist als der Wert, der erforderlich ist, um einfach die elastische Rückstellkraft der Lamelle zu überwinden, die die Lamelle in Richtung der aufgerollten Konfiguration zurückbringt. In 3 ist die entrollte Position des Abschnitts 6c über der Dielektrikumschicht mit einer gestrichelten Linie gezeigt. Aufgrund des durch die Stufe 7 verursachten Abstands wird wie bereits erwähnt dieser Zustand erhalten, indem ein Spannungswert V angelegt wird, der größer ist als der Wert, der erforderlich ist, um die elastische Rückstellkraft der Lamelle zu überwinden. Wenn sich die Lamelle erst einmal in dem entrollten Zustand über der Dielektrikumschicht 5 befindet, kann sie aus dem gleichen Grund an der Lamelle haftend gehalten werden, indem eine viel niedrigere Spannung angelegt wird als der Wert V, der erforderlich ist, um zu bewirken, daß sich der Mikroverschluß schließt, wie etwa ein Wert unter dem Wert V/2. Diese Situation ist in dem Diagramm von 4 dargestellt, das die Variation bei der Transmittanz durch den transparenten Träger zeigt, wenn die zwischen den Elektroden eines spezifischen Mikroverschlusses angelegte Spannung variiert wird. In dem Diagramm von 4 entspricht Punkt A dem Mikroverschluß in einem offenen Zustand. In diesem Zustand wird keine Spannung an die Elektroden des Mikroverschlusses angelegt, und die Lamelle 6 ist aufgerollt, so daß die Transmittanz durch den transparenten festen Träger ein Maximum ist. Wenn sich der Mikroverschluß in diesem Zustand befindet, wird er geschlossen, indem die Spannung auf einen Wert V gebracht wird (Punkt B des Diagramms). Wenn die Stufe 7 nicht vorgesehen wäre, würde das Schließen des Mikroverschlusses an einem Punkt BI erhalten werden, der auf einem viel niedrigeren Spannungswert liegt. Aufgrund der Stufe 7 jedoch schließt sich der Mikroverschluß erst bei Erreichen des Spannungswerts V, und deshalb fällt die Transmittanz plötzlich auf 0 ab (Punkt C im Diagramm). Selbst wenn an diesem Punkt der elektrische Spannungswert reduziert wird, bleibt die Lamelle haftend, bis sie den Punkt D entsprechend dem Spannungswert erreicht, der erforderlich ist, um die elastische Rückstellkraft der Lamelle zu überwinden. Unterhalb dieses Werts herrscht die elastische Rückstellkraft der Lamelle vor, so daß sich die Lamelle wieder aufrollt und die Transmittanz auf ein Maximum zurückkehrt (Punkt BI). Der Mikroverschluß führt dann eine Hystereseschleife durch, die ausgenutzt werden kann, um eine vereinfachte und effiziente Steuerung der Matrix zu realisieren. Für die oben dargelegten Werte wird sich tatsächlich durch Anlegen eines Spannungswerts V an die Elektroden des Mikroverschlusses der Mikroverschluß zweifellos schließen, wenn der Mikroverschluß zuvor offen war, oder er wird geschlossen bleiben, wenn er sich bereits in einem geschlossenen Zustand befunden hat. Durch Anlegen eines niedrigeren Spannungswerts, wie etwa eines Werts, der zweckmäßigkeitshalber gleich V/2 festgelegt wird, wird der Mikroverschluß statt dessen zweifellos in dem gleichen Zustand bleiben, das heißt, er wird offen bleiben, wenn er bereits offen ist (da die Spannung V/2 nicht ausreicht, um ihn zu schließen), oder geschlossen bleiben, wenn er sich bereits in einem geschlossenen Zustand befindet, da die Spannung V/2 in jedem Fall ausreicht, um die Lamelle entrollt zu halten.
  • Bei der bevorzugten Ausführungsform wird dies wie folgt erreicht. Lediglich als Beispiel zeigt 5 eine Matrix gemäß der Erfindung, die aus neun Mikroverschlüssen besteht, die in drei Reihen r1, r2, r3 und drei Spalten c1, c2, c3 angeordnet sind. 5 zeigt lediglich als Beispiel einen spezifischen Zustand der Matrix, bei dem sich einige Mikroverschlüsse in dem geschlossenen Zustand (schwarze Kreise) und einige Mikroverschlüsse in dem offenen Zustand (weiße Kreise) befinden.
  • Mit der Matrix gemäß der Erfindung sind Mittel 8 assoziiert (in 3 schematisch gezeigt), um eine Potentialdifferenz zwischen den beiden Elektroden jedes Mikroverschlusses anzulegen. Die Mittel 8 eignen sich, um die Situation der Matrix in 5 zu allen Zeiten durch Durchführen eines Scannens, beispielsweise gemäß der Spalte, zu steuern. Zu diesem Zweck liefern sie ein gemeinsames Spannungssignal an die erste Elektrode 4 aller in der gleichen Spalte c befindlicher Mikroverschlüsse, während sie auf die gleiche Weise ein gemeinsames Spannungssignal an die zweiten Elektroden 6a aller in der gleichen Reihe r befindlicher Mikroverschlüsse senden.
  • Immer noch im Hinblick auf die spezifische Ausführungsform gemäß der Erfindung wird ein Gleichspannungssignal gleich V/2 zu jeder Spalte geschickt (wobei V der in 4 gezeigte vorbestimmte Spannungswert ist, der erforderlich ist, um ein Schließen des Mikroverschlusses zu bewirken, wenn er sich in dem offenen Zustand befindet). Dieses Gleichspannungssignal V/2 wird zu der ersten Elektrode aller der Mikroverschlüsse einer gleichen Spalte geschickt, so lange der Zustand dieser Mikroverschlüsse nicht modifiziert werden muß. Wenn jedoch der Zustand eines oder mehrerer der Mikroverschlüsse in einer gleichen Spalte modifiziert werden muß, erhält die erste Elektrode 4 der in dieser Spalte liegenden Mikroverschlüsse ein zwischen den Werten 0 und V oszillierendes Rechteckwellenwechselspannungssignal von dem in 6 gezeigten Typ.
  • Zudem erhält die zweite Elektrode 6a der in einer gleichen Reihe befindlichen Mikroverschlüsse ein Rechteckwellenwechselspannungssignal, das immer dann zwischen 0 und V (6) variiert, wenn einer oder mehrere der Mikroverschlüsse in der Reihe in den offenen Zustand gebracht werden müssen, während das der Reihe gelieferte Signal ein Rechteckwellenwechselspannungssignal ist, das bezüglich des vorausgegangenen um eine halbe Periode außer Phase ist (7) wenn einer oder mehrere der Mikroverschlüsse in der Reihe in den geschlossenen Zustand gebracht werden müssen.
  • Wie bereits erwähnt erfolgt das Scannen der Matrix entsprechend der Spalte. Wenn beispielsweise die Regelung des Zustands der Mikroverschlüsse in der Spalte c1 begonnen werden soll, wird das auf dieser Spalte gelieferte Signal ein Rechteckwellenwechselspannungssignal sein, das von 0 bis V variabel ist (6), während die den Spalten c2 und c3 gelieferten Signale Gleichspannungssignale gleich V/2 sind. Wenn in dieser Phase der Mikroverschluß r1-c1 in den geschlossenen Zustand gebracht werden soll, wie gezeigt, würde es erforderlich sein, der Reihe r1 ein Wechselspannungssignal zu liefern, das um eine halbe Periode außer Phase ist (7), während den Reihen r2 und r3 ein Wechselspannungssignal 0-V geliefert wird (6), um die Mikroverschlüsse r2-c1 und r3-c1 zu öffnen. Tatsächlich erhält beim Mikroverschluß r1-c1 die Elektrode 4 ein Wechselspannungssignal 0-V ( 6), während der Elektrode 6a ein gleiches und entgegengesetztes Signal geschickt wird (7). Folglich wird eine Potentialdifferenz gleich V zwischen den beiden Elektroden des Mikroverschlusses r1-c1 hergestellt, so daß sich der Mikroverschluß schließt (falls er offen war) oder geschlossen bleibt, falls er bereits geschlossen war. Statt dessen erhalten die beiden Elektroden 4 und 6a bei den Mikroverschlüssen r2-c1 und r3-c1 das gleiche Wechselspannungssignal (6), so daß die Potentialdifferenz zwischen den Elektroden dieser Mikroverschlüsse 0 ist und sie sich deshalb öffnen (falls sie geschlossen waren) oder offen bleiben (wenn sie bereits offen waren).
  • Während der oben beschriebenen Phase bleiben schließlich die in den Spalten c2 und c3 befindlichen Mikroverschlüsse statt dessen in ihrer gegenwärtigen Situation. Tatsächlich ist bei Anlegen eines Gleichspannungssignals gleich V/2 an die Spalten die an die Elektroden jedes dieser Mikroverschlüsse angelegte Potentialdifferenz gleich V/2, und zwar sowohl wenn sich diese in einer Reihe befinden, die das Signal in 6 erhält, als auch wenn sie sich in einer Reihe befinden, die das Signal in 7 erhält. Die Spannung V/2 reicht aus, um diese Verschlüsse geschlossen zu halten, wenn sie geschlossen sind, während sie nicht ausreicht, um sie zu schließen, wenn sie offen sind. Deshalb bleibt jeder der Mikroverschlüsse der Spalte c2-c3 in dieser Phase in seinem gegenwärtigen Zustand.
  • Das Scannen erfolgt somit in der Spalte c2. In dieser Phase wird das auf der Spalte c2 gelieferte Signal ein zwischen 0 und V oszillierendes Rechteckwellenwechselspannungssignal (das Signal in 6), während das Gleichspannungssignal V/2 auf den Spalten c1 und c3 geliefert wird. Wenn die in 5 gezeigte Situation für die in der Spalte c3 befindlichen Mikroverschlüsse erreicht werden soll, erhalten die Reihen r1 und r3 jeweils das Signal in 6 und die Reihe r2 das Signal in 7. Analog erhält während des Scannens der dritten Spalte c3 nur diese Spalte das Signal in 6, während die anderen Spalten das Gleichspannungssignal gleich V/2 erhalten. In dieser Phase erhalten die Reihen r1 und r3 das um eine halbe Periode außer Phase liegende Wechselspannungssignal (7), während die Reihe r2 das in 6 gezeigte Rechteckwellenwechselspannungssignal erhält.
  • Abschließend ermöglicht die Anordnung der Stufe 7 auf jedem Mikroverschluß, einen Spannungswert V zu erhalten, der zweifellos das Schließen des Mikroverschlusses bewirkt, und einen niedrigeren Wert (der Zweckmäßigkeit halber hier gleich V/2 gewählt), der zweifellos den Mikroverschluß in dem gegenwärtigen Zustand hält. Es ist deshalb möglich, vereinfachte und effiziente Steuerungen des Zustands der Matrix gemäß dem oben beschriebenen Beispiel zu realisieren.

Claims (2)

  1. Verfahren zum Betätigen einer Matrix von elektrostatisch gesteuerten optischen Mikroverschlüssen (2), wobei die optischen Mikroverschlüsse (2) folgendes umfassen: ein Substrat (3), das aus einem Blättchen aus transparentem Material besteht, eine erste Elektrode (4), die aus einer Folie aus transparentem leitendem Material besteht, die auf einer Seite des das Substrat (3) bildenden Blättchens aufgebracht ist, eine ebenfalls transparente Dielektrikumschicht (5), die über der die erste Elektrode (4) bildenden Folie aufgebracht ist, und eine bewegliche Lamelle (6), die einen dünnen Film (6a) aus leitendem Material umfaßt, das eine zweite Elektrode bildet, wobei ein Ende mit der Dielektrikumschicht (5) verbunden ist und von einer Ruheposition, in der Licht durch das Substrat (3) hindurchtreten kann, in einen entrollten Zustand über der Dielektrikumschicht bewegt werden kann, in der der Durchtritt von Licht durch die elektrostatische Haftung verhindert wird, die verursacht wird durch Anlegen einer Potentialdifferenz zwischen der ersten Elektrode (4) und der zweiten Elektrode (6a), wobei ein Abschnitt der Lamelle (6c) unmittelbar neben ihrem Ende, das mit der Dielektrikumschicht (5) verbunden ist, eine der Dielektrikumschicht zugewandte Oberfläche aufweist, die davon beabstandet ist, sodaß, um ein Entrollen der Lamelle (6) auf der Dielektrikumschicht (5) zu verursachen, es erforderlich ist, eine Potentialdifferenz zwischen den beiden Elektroden (4, 6a) mit einem vorbestimmten Wert V über dem Wert anzulegen, der erforderlich ist, um die elastische Kraft der Lamelle zu überwinden, die die Lamelle in Richtung ihres Ruhezustands zieht, während es, um die Lamelle in diesem entrollten Zustand zu halten, ausreicht, eine Potentialdifferenz unterhalb des oben erwähnten vorbestimmten Wertes V anzulegen, wobei die mehreren Mikroverschlüsse in Reihen (r) und Spalten (c) angeordnet sind und wobei mit dieser Matrix Mittel assoziiert sind zum Anlegen einer elektrischen Spannung zwischen den Elektroden (4, 6a) aller Mikroverschlüsse (2) der Matrix, wobei sich die Mittel dafür eignen, ein gemeinsames Spannungssignal an eine erste Elektrode (6a) aller Mikroverschlüsse jeder Reihe (r) und ein gemeinsames Spannungssignal an die andere Elektrode (4) aller Mikroverschlüsse jeder Spalte (c) zu senden, wobei das Verfahren dadurch gekennzeichnet ist, daß: ein Gleichspannungssignal gleich V/2 zu jeder Spalte (c) solange gesendet wird, wie der Zustand der Verschlüsse der Spalte nicht modifiziert werden muß, und ein erstes Rechteckwellenwechselspannungssignal, das zwischen den Werten 0 und v oszilliert, zu jeder Spalte immer dann gesendet wird, wenn der Zustand mindestens eines der Mikroverschlüsse in der Spalte modifiziert werden muß, und ein zweites Rechteckwellenwechselspannungssignal, das zwischen den Werten 0 und V und in Phase mit dem ersten Signal oszilliert, immer dann zu jeder Zeile gesendet wird, wenn mindestens ein Mikroverschluß der Reihe in einen offenen Zustand überführt oder darin gehalten werden soll, und ein drittes Rechteckwellenwechselspannungssignal, das zwischen 0 und V oszilliert und um eine halbe Periode relativ zu dem ersten Signal außer Phase ist, immer dann zu jeder Reihe gesendet wird, wenn mindestens ein Mikroverschluß der Reihe in einen geschlossenen Zustand überführt oder darin gehalten werden soll.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die untere Oberfläche der Lamelle (6) neben ihrem mit der Dielektrikumschicht (5) verbundenen Ende in Gestalt einer Stufe (7) vorliegt, sodaß sie den oben erwähnten Oberflächenabschnitt definiert, der von der Oberfläche des Dielektrikums beabstandet ist.
DE60215067T 2001-03-16 2002-03-12 Optischer Mikroverschluss mit elektrostatischem Antrieb und Mikroverschlussmatrix mit vereinfachter Steuerung Expired - Lifetime DE60215067T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
ITTO010251 2001-03-16
IT2001TO000251A ITTO20010251A1 (it) 2001-03-16 2001-03-16 Micro-otturatore ottico a controllo elettrostatico, e matrice di micro-otturatori a controllo semplificato.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE60215067D1 DE60215067D1 (de) 2006-11-16
DE60215067T2 true DE60215067T2 (de) 2007-01-25

Family

ID=11458701

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE60215067T Expired - Lifetime DE60215067T2 (de) 2001-03-16 2002-03-12 Optischer Mikroverschluss mit elektrostatischem Antrieb und Mikroverschlussmatrix mit vereinfachter Steuerung

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP1241508B1 (de)
AT (1) ATE341776T1 (de)
DE (1) DE60215067T2 (de)
ES (1) ES2272591T3 (de)
IT (1) ITTO20010251A1 (de)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ITTO20011142A1 (it) * 2001-12-07 2003-06-09 C R F Societa Con Sortile Per ,,micro-specchio con micro-otturatore a controllo elettrostatico, matrice di micro-specchi e spettrofotometro infrarosso comprendente tale m
US8576469B2 (en) 2009-05-13 2013-11-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Light screening apparatus including roll-up actuators
KR20120068569A (ko) * 2010-12-17 2012-06-27 삼성전자주식회사 광 차폐 장치 및 이를 구비한 전자 기기
KR101878719B1 (ko) 2011-06-24 2018-07-16 삼성전자 주식회사 광 차폐 장치 및 그 제조 방법
WO2016049759A1 (en) * 2014-09-29 2016-04-07 Aero-Shade Technologies Canada, Inc. Light blocking microshutter

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5233459A (en) * 1991-03-06 1993-08-03 Massachusetts Institute Of Technology Electric display device
JPH1195693A (ja) * 1997-07-22 1999-04-09 Toshiba Corp 表示装置
US6239777B1 (en) * 1997-07-22 2001-05-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Display device
US6236491B1 (en) * 1999-05-27 2001-05-22 Mcnc Micromachined electrostatic actuator with air gap

Also Published As

Publication number Publication date
ITTO20010251A1 (it) 2002-09-16
DE60215067D1 (de) 2006-11-16
ITTO20010251A0 (it) 2001-03-16
ES2272591T3 (es) 2007-05-01
EP1241508A2 (de) 2002-09-18
ATE341776T1 (de) 2006-10-15
EP1241508B1 (de) 2006-10-04
EP1241508A3 (de) 2004-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2637703C2 (de) Elektrostatisch gesteuerte Bildwiedergabevorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE69521350T2 (de) Ablenkspiegelvorrichtung (DMD)
DE4100063C2 (de) Elektrographischer Drucker und damit durchzuführendes Druckverfahren
DE60203961T2 (de) Elektrostatisch gesteuerter optischer Mikroverschluss mit undurchsichtiger fester Elektrode
DE2508619C2 (de) Verfahren zum Treiben einer Flüssigkristall-Anzeigematrix
DE69102933T2 (de) Matrixadressierte Lichtmodulationsvorrichtung.
DE2402232C3 (de) Tintenstrahlschreiber
DE3213872C2 (de)
DE2257150A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum schlaglosen drucken mit fluessiger farbe
DE102009001310A1 (de) Anzeigedisplay mit einer Aktivmatrix von Elektrobenetzungszellen
DE69802214T2 (de) Piezoelektrische Anordnung, eine diese Anordnung benutzender Antrieb und Tintenstrahlaufzeichnungskopf
DE3317579A1 (de) Verfahren und einrichtung zur bilderzeugung
DE602004003778T2 (de) Spektrophotometer mit optischen Filtern und elektrostatischen Verschlüssen
DE60020414T2 (de) Lichtmodulationsvorrichtung, Ansteurungsverfahren davon, und flache Anzeigetafel
DE60215067T2 (de) Optischer Mikroverschluss mit elektrostatischem Antrieb und Mikroverschlussmatrix mit vereinfachter Steuerung
DE60201247T2 (de) Mikrospiegel mit elektrostatisch gesteuertem Mikroverschluss, Anordnung von Mikrospiegeln und Infrarot-Spektrophotometer mit dieser Anordnung
DE60217738T2 (de) Streufeldfilter für angesteuerte Anzeigen
DE2755489C2 (de) Elektrostatisches Druckverfahren
DE3019012C2 (de) Farbstrahldrucker
EP1837175A1 (de) Druckform sowie Druckwerk einer Druckmaschine
DE69127588T2 (de) Optisches Modulationselement und sein Herstellungsverfahren
EP0080667A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Verstellen einer Mehrzahl von Stellgliedern bei einer Druckmaschine
DE3826738A1 (de) Vorrichtung und verfahren zur betaetigung eines elektro-optischen lichtverschlusses
DE19709344A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Erzielen gleichmäßiger Druckergebnisse unter Verwendung schmaler Druckkopfsegmente bei digitalen Druckern
DE1812856A1 (de) Elektrographisches Wiedergabemittel

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition