DE602004004841T2 - Laminierte Struktur, Verfahren zur Herstellung derselben und Vielfach-Ultraschallwandlerfeld - Google Patents

Laminierte Struktur, Verfahren zur Herstellung derselben und Vielfach-Ultraschallwandlerfeld Download PDF

Info

Publication number
DE602004004841T2
DE602004004841T2 DE602004004841T DE602004004841T DE602004004841T2 DE 602004004841 T2 DE602004004841 T2 DE 602004004841T2 DE 602004004841 T DE602004004841 T DE 602004004841T DE 602004004841 T DE602004004841 T DE 602004004841T DE 602004004841 T2 DE602004004841 T2 DE 602004004841T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electrode
layer
laminated structure
electrode material
face
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE602004004841T
Other languages
English (en)
Other versions
DE602004004841D1 (de
Inventor
Takashi c/o Fuji Photo Film Co. Nakamura
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
Publication of DE602004004841D1 publication Critical patent/DE602004004841D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE602004004841T2 publication Critical patent/DE602004004841T2/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01Manufacture or treatment
    • H10N30/05Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes
    • H10N30/053Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes by integrally sintering piezoelectric or electrostrictive bodies and electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01Manufacture or treatment
    • H10N30/06Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H10N30/067Forming single-layered electrodes of multilayered piezoelectric or electrostrictive parts
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/50Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80Constructional details
    • H10N30/87Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H10N30/871Single-layered electrodes of multilayer piezoelectric or electrostrictive devices, e.g. internal electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80Constructional details
    • H10N30/87Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H10N30/877Conductive materials
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/42Piezoelectric device making
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49789Obtaining plural product pieces from unitary workpiece

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine laminierte Struktur nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 und ein Verfahren zum Fertigen der laminierten Struktur nach dem Oberbegriff des Anspruchs 10 sowie ein Verfahren zum Fertigen einer Mehrzahl solcher laminierter Strukturen gemäß Oberbegriff des Anspruchs 14. Derartige Strukturen können für die Ultraschalldiagnose, für die zerstörungsfreie Prüfung und dergleichen verwendet werden.
  • Beschreibung des Standes der Technik
  • Laminierte Strukturen, in denen jeweils Isolierschichten (Dielektrika) und Elektrodenschichten abwechselnd ausgebildet sind, werden nicht nur in laminierten Kondensatoren, sondern auch in zahlreichen anderen Einsatzgebieten verwendet, so zum Beispiel als piezoelektrische Pumpen, piezoelektrische Aktuatoren und in Ultraschallwandlern. In den vergangenen Jahren sind im Zuge der Entwicklung von Bauelementen und Anlagen für MEMS (mikro-elektromechanische Systeme) Elemente mit einer solchen laminierten Struktur durch Mikrofabrikation noch weiter entwickelt und noch dichter gepackt ausgebildet worden.
  • Bei der Mikrofabrikation eines Elements mit einander gegenüberstehenden Elektroden gilt: je kleiner die Fläche des Elements gemacht wird, desto geringer ist die Kapazität zwischen den Elektroden. Hierdurch entsteht das Problem der Entstehung der elektrischen Impedanz des Elements. Wenn dabei die elektrische Impedanz in einem piezoelektrischen Aktuator beispielsweise ansteigt, so läßt sich keine Impedanzanpassung zwischen dem piezoelektrischen Aktuator und einer Signalschaltung zum Treiben des Aktuators erreichen, und es wird schwierig, dem piezoelektrischen Aktuator Leistung zuzuführen, so daß die Leistungsfähigkeit des Aktuators schlechter wird. Andererseits wird bei einem Ultraschallwandler mit einem piezoelektrischen Element die Schwingungsintensität der Ultraschallwelle schwächer. Um also die Kapazität zwischen den Elektroden bei der Mikrofabrikation des Elements zu steigern, war es üblich, abwechselnd mehrere piezoelektrische Materialschichten und mehrere Elektrodenschichten zu stapeln. Dies deshalb, weil die Kapazität zwischen Elektroden des gesamten Elements dadurch gesteigert werden kann, daß man die mehreren gestapelten Schichten parallel schaltet.
  • Um in einer derartigen laminierten Struktur die mehreren Elektrodenschichten miteinander zu verbinden, werden von den Seitenflächen der Struktur her Zwischenverbindungen gebildet. 9 ist eine Schnittansicht, die der Erläuterung einer grundsätzlichen Verbindungsmethode für eine laminierte Struktur dient. Eine laminierte Struktur 100 enthält eine Mehrzahl piezoelektrischer Schichten 101, mehrere Schichten von Elektroden 102 und 103 sowie seitliche Elektroden 104 und 105. Die Elektrode 102 ist derart ausgebildet, daß ihr eines Ende sich zu einer Wandfläche der laminierten Struktur hin erstreckt, und die Elektrode 102 ist mit der Seitenelektrode 104 verbunden, jedoch gegenüber der Seitenelektrode 105 isoliert. Weiterhin ist die Elektrode 103 so ausgebildet, daß ihr eines Ende sich zu der anderen Wandfläche der laminierten Struktur hin erstreckt, und die Elektrode 103 ist mit der Seitenelektrode 105 verbunden, jedoch von der Seitenelektrode 104 isoliert. Durch Anlegen einer Potentialdifferenz zwischen die Seitenelektrode 104 und die Seitenelektrode 105 gelangt eine Spannung an die piezoelektrischen Materialschichten 101 zwischen den Elektroden 102 und 103, und demzufolge kommt es durch den piezoelektrischen Effekt zu einem Expandieren und Kontrahieren der piezoelektrischen Materialschichten 101.
  • Wie in 9 dargestellt ist, sind übrigens in den Elektroden 102 und 103 dort, wo keine Elektrode ausgebildet ist, Isolierzonen 106 vorhanden, um die Elektroden von der jeweils einen Seitenelektrode zu isolieren. Die Isolierzonen 106 dehnen sich nicht aus und werden auch nicht kontrahiert, wenn eine Spannung an die Struktur 100 gelegt wird. Hierdurch ergibt sich das Problem, daß sich in diesem Teil Spannung konzentriert und dieser Bereich leicht bricht.
  • Die japanische Patentanmeldungs-Veröffentlichung JP-P2002-118305A zeigt ein weiteres Verbindungsverfahren für die laminierte Struktur in Verbindung mit einem Mehrfachelektroden-Piezobauelement, bei dem ein piezoelektrisches oder ein elektrostriktives Material mit einer großen Anzahl von unabhängig gesteuerten Elektroden vorhanden ist und ein Teil oder die Gesamtheit einer elektronischen Schaltungsplatine mit dem piezoelektrischen/elektrostriktiven Werkstoff, an dem Elektroden für externe Anschlüsse ausgebildet sind, mit einem Isolierstoff überzogen ist, auf dessen Oberfläche ein Verbindungsmuster gebildet ist, wozu der Isolierstoff an den Elektroden für externe Anschlüsse beseitigt wurde, und eine gewünschte Verbindung zwischen den Elektroden und dem Verbindungsmuster geschaffen wurde. Allerdings ist die Ausbildung der Verbindung zu jedem der großen Anzahl laminierter Strukturen bei diesem Verfahren kompliziert, und insbesondere dann, wenn die Struktur in zweidimensionaler Weise als Feld angeordnet ist, läßt sich die Verbindung nur schwierig herstellen.
  • Eine laminierte Struktur gemäß Oberbegriff des Anspruchs 1 sowie ein Verfahren nach dem Oberbegriff des Anspruchs 10 und des Anspruchs 14 sind bekannt aus dem Patent Abstracts of Japan, Vol. 2003, Nr. 6, 3. Juni 2003 ( JP 2003 037308 A ).
  • Diese Schrift zeigt eine laminierte Struktur mit piezoelektrischen und elektrostriktiven Schichten und zwei oder mehr Werkstoffarten als interne Elektroden innen an der Oberfläche jeder der Schichten. Insoweit die vorliegende Erfindung mindestens eine dielektrische Schicht und mindestens eine erste und eine zweite elektrische Schicht vorsieht, wobei zwei Arten eines elektrischen Materials angeordnet sind, ähnelt der vorliegende Erfindungsgegenstand der Struktur nach der oben angegebenen JP-Schrift. Allerdings werden im Rahmen der Erfindung ein nicht oxidierbarer Werkstoff und ein oxidierbarer Werkstoff (oder ein nicht fluorierbarer bzw. ein fluorierbarer Werkstoff) als das erste bzw. das zweite Elektrodenmaterial verwendet.
  • OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung wurde im Hinblick auf die oben angesprochenen Probleme gemacht. Ein erstes Ziel der Erfindung ist die Schaffung einer laminierten Struktur mit weniger spannungsbedingten Brüchen der Isolierschichten. Außerdem ist ein zweites Ziel der Erfindung die Schaffung eines Fertigungsverfahrens für eine laminierte Struktur, mit dem eine solche Struktur in einfacher Weise hergestellt werden kann. Ein drittes Ziel der Erfindung ist die Schaffung eines Ultraschallwandler-Arrays unter Verwendung einer solchen laminierten Struktur.
  • Um die oben angesprochenen Probleme zu lösen, besitzt eine laminierte Struktur gemäß der Erfindung die Merkmale des Anspruchs 1.
  • Weiterhin weist das Ultraschallwandlerfeld gemäß der Erfindung die Merkmale des Anspruchs 9 auf.
  • Darüber hinaus handelt es sich bei dem Fertigungsverfahren gemäß einem Aspekt der Erfindung um ein Verfahren zum Fertigen einer laminierten Struktur mit den Merkmalen des Anspruchs 10.
  • Darüber hinaus ist ein Fertigungsverfahren gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung ein Verfahren zum Fertigen einer Mehrzahl laminierter Strukturen mit den Merkmalen des Anspruchs 14.
  • Erfindungsgemäß wird eine Elektrodenschicht gebildet durch Verwendung von zwei Materialarten, und gegenüber einer Seitenelektrode wird eine Elektrode durch Oxidieren oder Fluorieren einer Stirnfläche eines jener Materialien isoliert, so daß eine Zone einer piezoelektrischen Materialschicht, an der sich keine Elektrode befindet, auf ein Minimum reduziert werden kann. Im Ergebnis läßt sich in einfacher Weise eine laminierte Struktur herstellen, die weniger anfällig für spannungsbedingte Brüche der Isolierschicht ist.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine Schnittansicht einer laminierten Struktur nach einer ersten Ausführungsform der Erfindung;
  • 2A bis 2E sind Diagramme zum Erläutern eines Fertigungsverfahrens für die laminierte Struktur der ersten Ausführungsform der Erfindung;
  • 3A bis 3D sind Diagramme zum Erläutern eines Fertigungsverfahrens für die laminierte Struktur der ersten Ausführungsform der Erfindung;
  • 4 ist ein schematisches Diagramm des Aufbaus einer Schichtbildungsvorrichtung unter Einsatz des Aerosolniederschlagverfahrens;
  • 5 ist eine Schnittansicht einer laminierten Struktur nach der zweiten Ausführungsform der Erfindung;
  • 6A bis 6E sind Diagramme zum Erläutern des Fertigungsverfahrens für eine laminierte Struktur nach einer dritten Ausführungsform der Erfindung;
  • 7A und 7B sind Diagramme zum Erläutern eines Fertigungsverfahrens für eine laminierte Struktur nach der dritten Ausführungsform der Erfindung;
  • 8 ist eine perspektivische Ansicht eines Ultraschallwandlerfelds nach einer Ausführungsform der Erfindung; und
  • 9 ist ein Diagramm zum Erläutern eines Zwischenverbindungsverfahrens in einer herkömmlichen laminierten Struktur.
  • BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Im folgenden werden bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung im einzelnen unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. Gleiche Bauteile sind mit gleichen Bezugszeichen versehen, ihre Beschreibung entfällt.
  • 1 ist eine Schnittansicht einer laminierten Struktur nach der ersten Ausführungsform der Erfindung. Die laminierte Struktur 1 ist ein mikrosäulenförmiger Strukturkörper mit einer Bodenfläche, deren Seiten in der Größenordnung von 0,2 mm auf 1,0 mm bei einer Höhe in der Größenordnung von 1,0 mm liegen. Bei dieser Ausführungsform dient als Dielektrikum ein piezoelektrisches Material. Die laminierte Struktur 1 enthält eine Mehrzahl piezoelektrischer Materialschichten 10, eine Mehrzahl von Elektrodenschichten 20a und 20b, die zwei Arten von Elektrodenmaterialien enthalten, Seitenelektroden 31 und 32, die auf Seitenflächen 1a und 1b der laminierten Struktur 1 ausgebildet sind. Außerdem kann die laminierte Struktur 1 eine obere Elektrode 33 und eine untere Elektrode 34 enthalten, die mit der Seitenelektrode 31 bzw. 32 verbunden sind. Die Form der Bodenfläche der laminierten Struktur 1 ist nicht auf eine quadratische Form beschränkt, sie kann rechtwinklig oder anderweitig geformt sein. Außerdem sind die Zonen, in denen sich die Seitenelektroden befinden, nicht auf das Paar einander abgewandter Seitenflächen beschränkt, es können andere Zonen gewählt werden, falls sie elektrisch voneinander getrennt sind.
  • Die piezoelektrische Materialschicht 10 ist beispielsweise aus PZT (Pb-(Blei-)Zirkonat-Titanat) gebildet. Durch Anlegen einer Spannung an die piezoelektrische Materialschicht 10 über die Elektrodenschichten 20a und 20b dehnt sich die piezoelektrische Materialschicht 10 aus und zieht sich zusammen, bedingt durch den piezoelektrischen Effekt. Die laminierte Struktur unter Verwendung eines piezoelektrischen Materials wie PZT besitzt eine Isolierschicht (dielektrische Schicht) als piezoelektrische Pumpe, einen piezoelektrischen Aktuator, einen Ultraschallwandler zum Senden und Empfangen von Ultraschallwellen in einer Ultraschallsonde oder dergleichen. Außerdem kann eine solche laminierte Struktur die Fläche der einander gegenüberliegenden Elektroden vergrößern, verglichen mit einer Einzelschichtstruktur, und die elektrische Impedanz kann verringert werden. Deshalb kann die laminierte Struktur effizient abhängig von der angelegten Spannung arbeiten, verglichen mit einer Einzelschichtstruktur.
  • Jede der Elektrodenschichten 20a und 20b besitzt ein erstes Elektrodenmaterial 21 und ein zweites Elektrodenmaterial 22 als zwei unterschiedliche Arten von Elektrodenmaterialien.
  • In der Elektrodenschicht 20a ist das erste Elektrodenmaterial 21 derart angeordnet, daß seine Stirnfläche zu der Seitenfläche 1a hin freiliegt, und das zweite Elektrodenmaterial 22 ist so angeordnet, daß seine Stirnfläche zu der Seitenfläche 1b hin offen ist, die sich von der Seitenfläche 1a unterscheidet. Andererseits ist in der Elektrodenschicht 20b das erste Elektrodenmaterial 21 so angeordnet, daß seine Stirnfläche in der Seitenfläche 1b freiliegt, und das zweite Elektrodenmaterial 22 ist so angeordnet, daß seine Stirnfläche in der Seitenfläche 1a freiliegt. Außerdem sind in jeder der Elektrodenschichten 20a und 20b das erste Elektrodenmaterial 21 und das zweite Elektrodenmaterial 22 miteinander in Berührung stehend angeordnet. Solche Elektrodenschichten 20a und 20b sind abwechselnd mit der dazwischen liegenden piezoelektrischen Materialschicht 20 geschichtet.
  • Wie in 1 gezeigt ist, liegt die Stirnfläche des zweiten Elektrodenmaterials 22, die in jeder der Seitenflächen 1a und 1b freiliegt, oxidiert. Hierdurch ist die Elektrodenschicht 20a von der Seitenelektrode 31 auf der Seitenoberfläche 1b isoliert, und die Elektrodenschicht 20b ist gegenüber der auf der Seitenfläche 1a befindlichen Seitenelektrode 32 isoliert. Durch Ausbilden der internen Elektroden (der Elektrodenschichten 20a und 20b) der laminierten Struktur 1 in der oben beschriebenen Weise werden die gestapelten mehreren Schichten parallel geschaltet.
  • Ein als das erste Elektrodenmaterial 21 und das zweite Elektrodenmaterial 22 verwendetes Materials wird im folgenden erläutert. Bei dieser Ausführungsform wird, um einen vorbestimmten Teil der internen Elektrode zu isolieren, nur eines der verschiedenen beiden Arten von Elektrodenmaterialien oxidiert. Folglich werden als Elektrodenmaterial der internen Elektrode ein oxidierbares Material und ein unter entsprechenden Bedingungen oder Verarbeitungsbedingungen nicht oxidierbares Material in Kombination verwendet.
  • Weiterhin ist es im Hinblick auf solche elektrischen Eigenschaften erforderlich, ein Material auszuwählen, welches sich für das einzusetzende Fertigungsverfahren eignet. Wenn beispielsweise das Aerosolniederschlagungsverfahren (AD-Verfahren; aerosol deposition) für Material in Form von Sprühpulver zum Aufsprühen auf die Unterlagenschicht bei Herstellung einer piezoelektrischen Materialschicht 20 verwendet wird, so ist die Härte des Elektrodenmaterials von Bedeutung. Dies deshalb, weil dann, wenn ein Elektrodenmaterial mit geringer Härte verwendet wird, die Elektrodenschicht geschabt wird, wenn das Pulver aus dem piezoelektrischen Material aufgesprüht wird, während dann, wenn ein Elektrodenmaterial mit einer zu großen Härte verwendet wird, das Pulver des piezoelek trischen Werkstoffs möglicherweise in die Elektrodenschicht einschneidet und deshalb das piezoelektrische Material nicht niedergeschlagen werden kann. Als das erste Elektrodenmaterial 21, welches für das AD-Verfahren in Betracht kommt, kann ein Metall wie zum Beispiel Platin (Pt) oder Palladium (Pd) oder eine Legierung mit mindestens einem dieser Elemente verwendet werden, oder aber ein leitendes Oxid wie SRO (Strontium-Ruthenium-Oxid: SrRuO3). Als zweites Elektrodenmaterial 22, welches für das AD-Verfahren in Betracht kommt, lassen sich nennen: Metall wie zum Beispiel Nickel (Ni), Chrom (Cr), Titan (Ti) und Kobalt (Co) oder eine Legierung, die zumindest eines dieser Elemente enthält. Bei dieser Ausführungsform dient Platin (Pt) als erstes Elektrodenmaterial 21, Nickel (Ni) dient als zweites Elektrodenmaterial 22. Das AD-Verfahren wird weiter unten näher erläutert.
  • Als nächstes wird anhand der 2A bis 4 ein Fertigungsverfahren für eine laminierte Struktur nach einer ersten Ausführungsform der Erfindung erläutert. 2A bis 3D sind Diagramme zum Erläutern des Fertigungsverfahrens einer laminierten Struktur nach dieser Ausführungsform.
  • Als erstes wird nach 2A auf einem Substrat 50 eine piezoelektrische Materialschicht 60 gebildet. Bei dieser Ausführungsform wird zum Niederschlagen das Aerosolniederschlagverfahren (AD-Verfahren) zum Ausbilden eines Films durch Sprühen von Pulver eines Materials mit hoher Geschwindigkeit auf die darunter liegende Schicht verwendet. Das Aerosolniederschlagungsverfahren wird auch als Gasniederschlagungsverfahren, Sprühdruckverfahren oder Aufspritzverfahren bezeichnet.
  • 4 ist eine schematische Darstellung, die eine Filmherstellungsapparatur für das AD-Verfahren darstellt. Die Filmerzeugungsapparatur besitzt einen Aerosolbehälter 52, in welchem Pulver 51 eines Rohmaterials aufgenommen ist. Der Begriff Aerosol bezieht sich hier auf feine Partikel eines festen oder flüssigen Schwebestoffs in einem Gas. In dem Aerosolbehälter 52 sind ein Trägergas-Einleitteil 53, ein Aerosolausleitteil 54 und ein Schwingungsteil 55 vorhanden. Durch Einleiten eines Gases wie zum Beispiel Stickstoff (N2) aus dem Trägergas-Einleitteil 53 wird das Rohmaterialpulver innerhalb des Aerosolbehälters 52 hochgeblasen, um das Aerosol zu erzeugen. Gleichzeitig wird durch Erzeugen einer Schwingung am Aerosolbehälter 52 durch den Schwingungsteil 55 das Roh materialpulver gerührt, um in effizienter Weise das Aerosol herzustellen. Das erzeugte Aerosol wird über den Aerosolausleitteil 54 in eine Filmerzeugungskammer 56 eingebracht.
  • In der Filmerzeugungskammer 56 sind ein Auslaßrohr 57, eine Düse 58 und eine bewegliche Bühne 59 vorhanden. Das Auslaßrohr 57 ist mit einer Vakuumpumpe verbunden und zieht Luft aus dem Inneren der Filmerzeugungskammer 56 ab. Das in dem Aerosolbehälter 52 erzeugte und durch den Aerosolauslaßteil 54 in die Filmerzeugungskammer 56 geleitete Aerosol wird von der Düse 58 auf das Substrat 50 gesprüht. Hierdurch trifft das Rohmaterialpulver auf das Substrat 50 auf und wird dort niedergeschlagen. Dabei beträgt die Geschwindigkeit der aus der Düse auf das Substrat 50 aufgesprühten Aerosolpartikel größenordnungsmäßig 15 m/s bis 450 m/s. Bei dem AD-Verfahren liegt der Gedanke zugrunde, daß ein Film erzeugt wird durch chemische Reaktion (mechanisch-chemische Reaktion), welche zustande kommt durch die Energie, die entsteht, wenn auf hohe Geschwindigkeit beschleunigte Partikel mit hoher Energie auf das Substrat auftreffen. Das Substrat 50 ist auf der in dreidimensionaler Weise beweglichen Bühne 59 gelagert, wobei die relative Lage zwischen dem Substrat 50 und der Düse 58 durch Steuern der beweglichen Bühne 59 eingestellt wird. Indem als Rohmaterial beispielsweise monokristallines PZT-Pulver mit einem durchschnittlichen Partikeldurchmesser von 0,3 μm verwendet wird und die Filmerzeugungsapparatur nach 4 verwendet wird, wird auf dem Substrat 50 die in 2A dargestellte piezoelektrische Materialschicht gebildet.
  • Dann wird nach 2B eine Elektrodenschicht 61 gebildet durch abwechselndes Niederschlagen der ersten Elektrodenmaterialien (Pt-Elektrode) 21 und der zweiten Elektrodenmaterialien (Ni-Elektrode) 22 in Form von Streifen. Dabei werden die Ni-Elektroden 22 auf der Seite der Seitenfläche 60a der piezoelektrischen Materialschicht 60 niedergeschlagen, und die Pt-Elektroden 21 werden auf der zu der Seitenfläche 60b gehörigen Seite niedergeschlagen. Die Elektrodenschicht 61 kann mit Hilfe eines Filmerzeugungsverfahrens wie beispielsweise Sputtern oder Aufdampfen oder aber mit Hilfe eines Photolithographieverfahrens ausgebildet werden. Alternativ läßt sich die Elektrodenschicht 61 nach dem AD-Verfahren herstellen.
  • Dann wird gemäß 2C die piezoelektrische Materialschicht 60 nach dem AD-Verfahren auf der Elektrodenschicht 61 gebildet.
  • Als nächstes wird gemäß 2D eine Elektrodenschicht 62 gebildet durch abwechselndes Niederschlagen der ersten Elektrodenmaterialien (Pt-Elektrode) 21 und der zweiten Elektrodenmaterialien (Ni-Elektrode) 22 in Form von Streifen. Um dabei die Lagebeziehung so umzukehren, daß die beiden Arten von Elektroden in der Elektrodenschicht 61 umgekehrt wird, werden die Pt-Elektroden 21 auf der Seite der Seitenfläche 60a der piezoelektrischen Materialschicht 60 niedergeschlagen, und die Ni-Elektroden 22 werden auf der zu der Seitenfläche 60b gehörigen Seite niedergeschlagen. Das Fertigungsverfahren für die Elektrodenschicht 62 ist das gleiche wie das für die Elektrodenschicht 61.
  • Die Dicke der Elektrodenschicht 61 und der Elektrodenschicht 62 wird hier vorzugsweise auf nicht weniger als 200 nm eingestellt, vorzugsweise nicht weniger als 300 nm. Der Grund hierfür ist folgender: auf der Elektrodenschicht wird die piezoelektrische Materialschicht 60 nach dem AD-Verfahren gebildet. Bei dem AD-Verfahren kommt ein Phänomen zum Tragen, wonach das Pulver des niedergeschlagenen Materials in die Elektrodenschicht als Unterschicht einschneidet (bezeichnet wird dieses Phänomen als „Verankerung"). Die Dicke der Ankerschicht (der Schicht, in die das Pulver einschneidet), die durch die Verankerung entsteht, liegt normalerweise in der Größenordnung von 10 nm bis 300 nm, was von dem Material der darunter befindlichen Schicht (Elektrodenschicht), der Pulvergeschwindigkeit variiert. Um also die Verankerung so einzustellen, daß die Elektrodenschicht in enger Berührung mit der piezoelektrischen Materialschicht steht, und um zuzulassen, daß die Elektrodenschicht nach wie vor als Elektrode arbeitet, muß die Elektrodenschicht eine Dicke von mindestens 200 nm besitzen. Bei dieser Ausführungsform sind die Dicken der Elektrodenschichten 61 und 62 auf etwa 300 nm eingestellt.
  • Die Schritte der 2A bis 2D werden mehrmals wiederholt, um dadurch eine in 2E dargestellte laminierte Struktur 70 zu bilden.
  • Als nächstes wird gemäß 3A die laminierte Struktur 70 aufgeteilt, indem sie zu Würfeln geschnitten wird. Alternativ läßt sie sich mit Hilfe des Sandstrahlverfahrens auf teilen. Darüber hinaus werden die aufgeteilten laminierten Strukturen in einer Sauerstoffatmosphäre oder in Luft bei etwa 500°C bis 1.000°C einer Wärmebehandlung unterzogen. Dadurch wird die Korngröße des in der piezoelektrischen Materialschicht 60 enthaltenen PZT-Kristalls vergrößert, und nach 3B wird die Stirnfläche der in der Seitenfläche freiliegenden Ni-Elektrode 22 oxidiert, so daß ein Oxidfilm 23 entsteht.
  • Dann werden an der wärmebehandelten laminierten Struktur Seitenelektroden 63 und 64 gebildet. Die Seitenelektroden 63 und 64 werden ähnlich wie die Seitenfläche der obersten piezoelektrischen Materialschicht 60 und di Seitenfläche der untersten piezoelektrischen Materialschicht 60 nach einem Niederschlagungs- oder Sputter-Verfahren gebildet, nachdem vorab der zu isolierende Teil maskiert wurde. Alternativ können sie nach dem Photo-CVD-Verfahren gebildet werden. Außerdem können die Seitenelektroden durch Eintauchen der laminierten Struktur in ein galvanisches Bad gebildet werden. Hierdurch wird gemäß 3C eine säulenförmige laminierte Struktur erstellt. Gleichzeitig kann die obere Elektrode 33 gemäß 1 ausgebildet werden. Darüber hinaus kann die säulenförmige laminierte Struktur entlang einer Richtung rechtwinklig zu den seitlichen Elektroden aufgeteilt werden. Hierdurch entsteht eine laminierte Struktur, wie sie in 3D gezeigt ist. Darüber hinaus kann das Substrat 50 von den laminierten Strukturen entfernt werden, und man kann an der unabhängigen laminierten Struktur die untere Elektrode 34 ausbilden.
  • Bei der in 2A dargestellten Ausführungsform wird die piezoelektrische Materialschicht direkt auf dem Substrat 50 gebildet, allerdings können vorab eine vorbestimmte Verbindung und mehrere Elektroden an dem Substrat 50 angebracht werden, und darauf kann darin die piezoelektrische Materialschicht gebildet werden. In diesem Fall wird die laminierte Struktur 70 abhängig von der Elektrodenanordnung, die vorab auf dem Substrat 50 gebildet wurde, aufgeteilt. Hierdurch kann das Substrat 50 als Verbindungsplatine unverändert verwendet werden, so daß mögliche Schwierigkeiten beim Entfernen des Substrats und beim Ersetzen der Elemente der laminierten Struktur vermieden werden können.
  • Bei der beschriebenen Ausführungsform wurde der Fall erläutert, daß die laminierte Struktur 70 aufgetrennt wird, um mehrere laminierte Strukturen zu erhalten, allerdings kann die Struktur 70 auch als Einzelelement ohne Auftrennung hergestellt werden (als laminierte Struktur 1 nach 1). In diesem Fall ist es in den 2B und 2D nicht notwendig, abwechselnd streifenförmige zwei Arten von Elektrodenmaterialien vorzusehen, die Materialien können einfach so angeordnet werden, daß die beiden Arten von Elektrodenmaterialien zu unterschiedlichen Seitenflächen hin exponiert sind. Dann kann die in der Seitenfläche exponierte Stirnfläche des einen Elektrodenmaterials (Ni) oxidiert werden, um die Isolierschicht 23 zu bilden, anschließend können je nach Bedarf eine Seitenelektrode und dergleichen vorgesehen werden.
  • Wie oben beschrieben wurde, ist bei jener Ausführungsform die interne Elektrode der laminierten Struktur gebildet durch zwei Arten von Werkstoffen, getrennt gegenüber der einen Seitenelektrode durch Oxidieren der Stirnfläche eines dieser Werkstoffe. Deshalb wird die Zone, in der sich innerhalb der piezoelektrischen Materialschicht Spannung konzentriert, auf ein Minimum verkleinert, so daß sich die Gefahr eines Bruchs der laminierten Struktur verringern läßt. Da außerdem die Isolierschicht der internen Elektrode in dem Wärmebehandlungsschritt für die piezoelektrische Materialschicht ausgebildet wird, läßt sich selbst bei Fertigung umfangreicher Mengen von Mikroelementen der Kostenaufwand für die Fertigung in einfacher Weise gering halten. Außerdem läßt sich mit Hilfe des AD-Verfahrens bei der Ausbildung der piezoelektrischen Materialschicht in einfacher Weise eine feldförmige laminierte Struktur ausbilden, in der mehrere laminierte Strukturelemente zweidimensional angeordnet sind.
  • Im folgenden wird eine laminierte Struktur nach der zweiten Ausführungsform der Erfindung erläutert. 5 ist eine Schnittansicht, die die laminierte Struktur dieser Ausführungsform veranschaulicht. Bei der zweiten Ausführungsform dient das piezoelektrische Material auch als Dielektrikum. Die laminierte Struktur 2 enthält eine zwischen der piezoelektrischen Materialschicht 10 und der Elektrodenschicht 20a oder 20b ausgebildete Klebeschicht 40. Der übrige Aufbau ist der gleiche wie bei der ersten Ausführungsform der Erfindung.
  • Die Elektrodenschicht, die mit der piezoelektrischen Materialschicht in Berührung steht, läßt sich von dieser leicht ablösen aufgrund der Oxidation mit Sauerstoff, der entsteht, wenn die piezoelektrische Materialschicht wärmebehandelt wird, oder aufgrund der Dif ferenz zwischen den Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen der piezoelektrischen Materialschicht und der Elektrodenschicht. Insbesondere dann, wenn durch Sputtern, durch Aufdampfen oder dergleichen eine Dünnschicht gebildet wird, so besteht wenig Haftung bezüglich der darunter befindlichen Schicht, so daß das erwähnte Problem besonders stark in Erscheinung tritt. Aus diesem Grund ist bei dieser Ausführungsform, um das Haften zwischen der piezoelektrischen Materialschicht 10 und der Elektrodenschicht 20a oder 20b zu verbessern, eine Materialschicht mit hohem Haftvermögen bezüglich beider Schichten zwischen diesen Schichten vorhanden. Als Haftschicht 40 kann eine Schicht aus Titan (Ti) oder Titanoxid (TiO2) verwendet werden, wobei in dieser Ausführungsform eine Titanoxidschicht mit einer Dicke in der Größenordnung von 50 nm verwendet wird. Titanoxid besitzt ein starkes Haftvermögen bezüglich PZT und Platin, und da es außerdem vorab oxidiert wurde, kommt es niemals zu einer Denaturierung, auch wenn Sauerstoff von der darunterliegenden Schicht eintritt, das heißt aus der piezoelektrischen Materialschicht, so daß das Haftvermögen bleibt. Wenn die Haftschicht 40 vorhanden ist, kann vor der Ausbildung der Elektrodenschichten 61 und 62 nach 2B oder 2D eine Dünnschicht aus Titan oder Titanoxid auf der piezoelektrischen Materialschicht 60 mit einem geeigneten Verfahren, beispielsweise durch Sputtern, gebildet werden.
  • Im übrigen befindet sich zwischen der Unterlagenschicht der Elektrode 20a oder 20b und der oberen Schicht der piezoelektrischen Materialschicht bei dieser Ausführungsform keine Haftschicht. Dies deshalb, weil, wenn die piezoelektrische Materialschicht nach dem AD-Verfahren hergestellt wird, eine große Haftfestigkeit zwischen jenen Schichten durch die Verankerung zustande kommt, was bedeutet, daß das Pulver des piezoelektrischen Materials sich in die Elektrodenschicht der Unterlagenschicht einschneidet.
  • Im folgenden wird eine laminierte Struktur der dritten Ausführungsform der Erfindung beschrieben. Bei dem oben beschriebenen Fertigungsverfahren für die laminierte Struktur der ersten Ausführungsform sind, wenn die Elektroden 20a und 20b nach 1 oder 5 ausgebildet werden, das erste Elektrodenmaterial 21 und das zweite Elektrodenmaterial 22 in Streifenform auf der piezoelektrischen Materialschicht vorhanden, so daß zwei Arten von Elektrodenmaterialien sich in der Breite einer laminierten Struktur 1 oder 2 anbringen lassen. Andererseits werden bei der dritten Ausführungsform diese Elektrodenmaterialien so ausgebildet, daß die Breiten des ersten Elektrodenmaterials 21 und des zweiten Elektrodenmaterials 22 im wesentlichen gleich sind der Breite eine laminierten Struktur. Der übrige Aufbau ist der gleiche wie bei der ersten und der zweiten Ausführungsform der Erfindung.
  • 6A bis 7B sind Diagramme zum Erläutern eines Fertigungsverfahrens für eine laminierte Struktur nach einer dritten Ausführungsform der Erfindung. Zunächst wird nach 6A ebenso wie bei dem Fertigungsverfahren der laminierten Struktur der ersten Ausführungsform nach der Ausbildung der piezoelektrischen Materialschicht 60 auf dem Substrat 50 eine Elektrodenschicht 71 durch abwechselndes Niederschlagen der ersten Elektrodenmaterialien (zum Beispiel Platin) 21 und zweiten Elektrodenmaterialien (zum Beispiel Nickel) 22 auf der piezoelektrischen Materialschicht 60 derart, daß ihre Breite im wesentlichen der Breite der laminierten Struktur 1 oder 2 (1 oder 5) gleichen, eine Elektrodenschicht 71 gebildet, die in 6B gezeigt ist. Dabei stehen das erste Elektrodenmaterial 21 und das zweite Elektrodenmaterial 22 miteinander an ihren Stirnflächen in Berührung. Insbesondere wird die Elektrodenschicht 71 gebildet durch Aufbringen der ersten Elektrodenmaterialien 21 nach dem Photolithographieverfahren unter Verwendung einer Maske, in der schlitzförmige Öffnungen in etwa gleichen Abständen und mit etwa gleichen Breiten wie die Breite der laminierten Struktur 1 ausgebildet sind, bzw. mit Hilfe eines Filmerzeugungsverfahrens wie dem Sputtern oder dem Niederschlagen unter Vakuum. Nach dem Verschieben der Maske über eine Strecke, die im wesentlichen der Breite der laminierten Struktur 1 entspricht, erfolgt in ähnlicher Weise das Anordnen der zweiten Elektrodenmaterialien 22 mittels Photolithographieverfahren bzw. Schichterzeugungsverfahren. An beiden Enden der laminierten Struktur gemäß 6B kann die Breite des ersten Elektrodenmaterials 21 und des zweiten Elektrodenmaterials 22 kleiner sein als die Breite der laminierten Struktur 1.
  • Als nächstes wird nach dem AD-Verfahren gemäß 6C auf der Elektrodenschicht 71 die piezoelektrische Materialschicht 60 gebildet.
  • Dann wird nach 6D eine Elektrodenschicht 72 durch abwechselndes Niederschlagen der ersten Elektrodenmaterialien 21 und der zweiten Elektrodenmaterialien 22 auf der piezoelektrischen Materialschicht 60 derart gebildet, daß die jeweilige Breite im wesentlichen der Breite der laminierten Struktur 1 oder 2 entspricht. Dabei wird die Lagebe ziehung zwischen den ersten Elektrodenmaterialien und den zweiten Elektrodenmaterialien 22 umgekehrt gegenüber der Lagebeziehung dieser Materialien innerhalb der Elektrodenschicht 71. Die Verfahren zum Ausbilden der Elektrodenmaterialien 21 und 22 sind die gleichen wie die für die Elektrodenschicht 71.
  • Außerdem werden die Schritte nach den 6A und 6D mehrmals wiederholt, wodurch die in 6E gezeigte laminierte Struktur 73 gebildet wird.
  • Sodann wird nach 7A in der laminierten Struktur 73 der im wesentlichen mittlere Bereich des ersten Elektrodenmaterials 21 und der etwa mittlere Bereich des zweiten Elektrodenmaterials 22 (dicke Linien in der Zeichnung) aufgetrennt. Hierdurch entstehen gemäß 7B mehrere laminierte Strukturen 1 in Form eines Feldes oder Arrays mit den Elektrodenschichten 71 und 72, die jeweils das erste Elektrodenmaterial 21 und das zweite Elektrodenmaterial 22 enthalten. Die nachfolgenden Schritte sind die gleichen wie bei der ersten Ausführungsform.
  • Durch Ausbilden der laminierten Struktur 73 in der oben beschriebenen Weise bestehen die Anforderungen an die Ausrichtgenauigkeit der Elektrodenmaterialien zwischen der Elektrodenschicht 71 und der Elektrodenschicht 72 bei der Ausbildung der ersten und der zweiten Elektrodenmaterialien 21 und 22 gering, und die Stirnflächen der jeweiligen Elektrodenmaterialien 21 und 22 können in zuverlässiger Weise an den Seitenflächen der laminierten Struktur 1 in exakter Lagebeziehung exponiert werden. Im übrigen werden bei dieser Ausführungsform die etwa mittigen Bereiche der ersten Elektrodenmaterialien 21 und der zweiten Elektrodenmaterialien 22 in die laminierte Struktur 73 geschnitten, allerdings ist die Lage für den Schnitt nicht hierauf beschränkt, es kann jede andere Position gewählt werden, ausgenommen der Nahbereich der Grenze des ersten Elektrodenmaterials 21 zu dem zweiten Elektrodenmaterial 22.
  • Nach der Ausbildung der laminierten Struktur 73 nach 7A kann die laminierte Struktur 73 unter Anordnung einer Maske auf der Struktur 73 und mit Hilfe des Sandstrahlverfahrens, welches von oben her an der Struktur 73 ansetzt, geschnitten werden. In diesem Fall wird die Maske in einer Zone angeordnet, die sowohl das erste als auch das zweite Elektrodenmaterial 21 und 22 enthält. Bei diesem Verfahren kann beispielsweise ein laminiertes Strukturfeld gebildet werden, bei dem jede laminierte Struktur zylindri sche Form hat, oder man kann ein Feld aus laminierten Strukturen bilden, bei dem mehrere Strukturen beliebig angeordnet sind.
  • Wie oben beschrieben wurde, wird bei dem Verfahren zum Fertigen einer laminierten Struktur nach der dritten Ausführungsform dann, wenn interne Elektroden der laminierten Struktur 73 mit zwei Materialarten gebildet werden, eine laminierte Struktur hergestellt durch Anordnen der jeweiligen Elektrodenmaterialien derart, daß ihre Breiten etwa so groß sind wie die Breite der laminierten Struktur, um nach der Bildung der laminierten Struktur einen Schnitt etwa in den Mittelbereichen der Elektrodenmaterialien auszuführen. Wenn daher die Elektroden durch zwei verschiedene Materialarten gebildet werden, kommt es nicht so sehr auf die Positionsgenauigkeit der Lagebeziehung zwischen den verschiedenen Elektrodenschichten an, und die beiden Arten von Elektrodenmaterialien können in zuverlässiger Weise auf den Seitenflächen mit exakter Lagebeziehung in den einzelnen Strukturen nach dem Schneidvorgang exponiert sein. Wenn außerdem die laminierte Struktur 73 unter Verwendung einer Maske durch Sandstrahlen erzeugt wird, lassen sich laminierte Strukturen gewünschter Formen (zum Beispiel in zylindrischer Form) oder gewünschter Anordnung (zum Beispiel in konzentrischer Anordnung) abhängig von der Form der Maske fertigen.
  • Bei den oben beschriebenen ersten bis dritten Ausführungsformen der Erfindung wird die piezoelektrische Materialschicht durch das AD-Verfahren gebildet, allerdings kann als piezoelektrische Materialschicht ein in Plättchenform hergestelltes PZT-Plättchenmaterial eingesetzt werden. Um dabei das Haften zwischen dem PZT-Plättchenmaterial und der Elektrodenschicht zu verbessern, wird vorzugsweise eine Klebstoffschicht nicht nur in der oberen Schicht des PZT-Plättchenmaterials vorgesehen, sondern auch in dessen unterer Schicht. Da es in diesem Fall überflüssig wird, die Verankerung durch das AD-Verfahren zu berücksichtigen, müssen die Arten der verwendeten Metalle für das erste und das zweite Elektrodenmaterial nicht im Hinblick auf die Materialhärte ausgewählt werden, sondern sie können gewählt werden im Hinblick auf elektrische Eigenschaften wie zum Beispiel leichtes Oxidieren.
  • Bei der ersten bis dritten Ausführungsform der Erfindung ist die Isolierschicht auf der Stirnfläche der internen Elektrode durch Oxidieren des zweiten Elektrodenmaterials ge bildet, allerdings kann der Film auch durch Fluorieren des zweiten Elektrodenmaterials gebildet werden. Insbesondere wird beispielsweise Nickel als zweites Elektrodenmaterial gebildet, und durch Fluorieren der Stirnfläche wird Nickelfluorid (NiF2) gebildet. Zum Fluorieren von Nickel wird beispielsweise mit Hilfe von Salzsäure Nickelchlorid gebildet und dann bei 150°C der Wirkung von Fluor ausgesetzt.
  • Außerdem wird bei der ersten bis dritten Ausführungsform der Erfindung ein piezoelektrisches Material für die dielektrische Schicht verwendet. Allerdings kann auch ein anderes dielektrisches Material verwendet werden. Verwendet man beispielsweise Bariumtitanat (TiBaO3) als Ferroelektrikum, so läßt sich ein mehrlagiger Kondensator herstellen. In diesem Fall kann durch Anwenden der oben beschriebenen Ausführungsformen auf den mehrlagigen Kondensator dessen elektrische Kapazität gesteigert werden, weil die Zone, in der keine Elektrode in der dielektrischen Schicht vorhanden ist, verkleinert werden kann. Durch Anwenden des Fertigungsverfahrens nach den oben beschriebenen Ausführungsformen läßt sich außerdem ein Kondensator mit einer Schichtstruktur in einfacher Weise herstellen.
  • 8 ist eine perspektivische Ansicht eines Ultraschallwandlerfelds nach einer Ausführungsform der Erfindung. Dieses Ultraschallwandlerfeld enthält eine Mehrzahl von laminierten Strukturen 1 nach 1, eine Verbindungsplatine 80 und eine gemeinsame Elektrode 90. Die mehreren laminierten Strukturen 1 sind in Form einer zweidimensionalen Matrix auf der Verbindungsplatine 80 angeordnet.
  • Auf der Verbindungsplatine 80 sind mehrere Elektroden entsprechend der Anordnung der mehreren laminierten Strukturen 1 ausgebildet. Von den Strukturen 1 werden Ultraschallwellen erzeugt, indem Spannungen an die laminierten Strukturen 1 über die mehreren Elektroden und die gemeinsame Elektrode 90 angelegt werden. Dabei kann durch Treiben jeder der laminierten Strukturen 1 mit einer vorbestimmten zeitlichen Verzögerung ein Ultraschallstrahl erzeugt werden, der in einer gewünschten Richtung und Tiefe fokussiert ist.
  • Die Anordnung der mehreren laminierten Strukturen ist hier nicht auf die zweidimensionale Matrixform beschränkt. Beispielsweise kann von einem eindimensionalen Feld oder Array, von einem zweidimensionalen Array, bei dem mehrere eindimensionale Felder parallel zueinander angeordnet sind (auch als „1,5-dimensionales Array" bezeichnet), eine Anordnung mit konzentrischer Form oder eine Anordnung auf Zufallsbasis ausgestaltet werden. Anstelle der mehreren laminierten Strukturen 1 können auch mehrere laminierte Strukturen 2 nach 5 verwendet werden. Durch Vorsehen einer akustischen Anpassungsschicht, einer Gegenschicht und dergleichen an einem solchen Ultraschallwandlerfeld läßt sich außerdem eine Ultraschallsonde fertigen, die bei der Ultraschalldiagnose zum Einsatz gelangt.

Claims (21)

  1. Laminierte Struktur (1, 2), umfassend mindestens eine erste Elektrodenschicht (20a), eine dielektrische Schicht (10) und eine zweite Elektrodenschicht (20b), wobei die erste Elektrodenschicht (20a), die dielektrische Schicht (10) und die zweite Elektrodenschicht (20b) in dieser Reihenfolge gestapelt sind; wobei die erste Elektrodenschicht (20a) ein erstes Elektrodenmaterial (21) enthält, welches derart angeordnet ist, daß eine Stirnfläche von ihm in einer ersten Seitenzone (1a) der laminierten Struktur (1, 2) freiliegt, und ein zweites Elektrodenmaterial (22) enthält, auf dessen Stirnfläche eine Isolierschicht in einer zweiten Seitenzone (1b), die verschieden ist von der ersten Seitenzone der laminierten Struktur (1, 2) ausgebildet ist; und die zweite Elektrodenschicht (20b) das erste Elektrodenmaterial (21) enthält, welches derart angeordnet ist, daß eine Stirnfläche von ihm in der zweiten Seitenzone (1b) der laminierten Struktur (1, 2) freiliegt, und das zweite Elektrodenmaterial (22) eine Isolierschicht aufweist, die auf einer Stirnfläche von ihm in der ersten Seitenzone (1a) der laminierten Struktur (1, 2) gebildet ist, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Elektrodenmaterial nicht oxidierbar ist, während das zweite Elektrodenmaterial unter gleichen Verarbeitungsbedingungen oxidierbar ist, oder das erste Elektrodenmaterial nicht fluorierbar ist, während das zweite Elektrodenmaterial unter gleichen Bearbeitungsbedingungen fluorierbar ist.
  2. Struktur nach Anspruch 1, bei der die Isolierschicht eine oxidierte Stirnfläche des zweiten Elektrodenmaterials (22) ist, die in jeder von der ersten und der zweiten Seitenzone (1a, 1b) der laminierten Struktur (1, 2) freiliegt.
  3. Struktur nach Anspruch 1, bei der die Isolierschicht eine fluorierte Stirnfläche des zweiten Elektrodenmaterials (22) ist, die in jeder von der ersten und der zweiten Seitenzone (1a, 1b) der laminierten Struktur (1, 2) freiliegt.
  4. Struktur nach einem der Ansprüche 1 bis 3, weiterhin umfassend eine Titanoxidschicht und eine Titanschicht (40) zwischen der dielektrischen Schicht (10) und der ersten oder der zweiten Elektrodenschicht (20a, 20b).
  5. Struktur nach einem der Ansprüche 1 bis 4, weiterhin umfassend mindestens eine Seitenelektrode 131, 32), die an der ersten Seitenzone und/oder der zweiten Seitenzone der laminierten Struktur (1, 2) gebildet ist.
  6. Struktur nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei der die dielektrische Schicht (10) eine piezoelektrische Materialschicht aus piezoelektrischem Material enthält.
  7. Struktur nach Anspruch 6, bei der die piezoelektrische Materialschicht durch Sprühen und Niederschlagen von Pulver des piezoelektrischen Materials gebildet ist.
  8. Struktur nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei der: das erste Elektrodenmaterial mindestens einen der Stoffe Platin, Palladium und Strontium-Ruthenium-Oxid enthält; und das zweite Elektrodenmaterial mindestens einen der Stoffe Nickel, Cobalt, Chrom und Titan enthält.
  9. Ultraschallwandlerfeld, umfassend: eine Zwischenverbindungsplatte; und eine Mehrzahl laminierter Strukturen, die auf der Zwischenverbindungsplatte angeordnet sind, wobei jede der mehreren laminierten Strukturen die laminierte Struktur nach einem der Ansprüche 1 bis 8 enthält.
  10. Verfahren zum Fertigen einer laminierten Struktur (1, 2), in der mindestens eine erste Elektrodenschicht (20a), eine dielektrische Schicht (10) und eine zweite Elektrodenschicht (20b) in dieser Reihenfolge gestapelt sind, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: (a) Ausbilden einer dielektrischen Schicht (60); (b) Bilden einer ersten Elektrodenschicht (61, 71) als obere Schicht der dielektrischen Schicht (60), die im Schritt (a) gebildet wurde, in dem ein erstes Elektrodenmaterial (21) derart niedergeschlagen wird, daß eine Stirnfläche von ihr in einer ersten Seitenzone der laminierten Struktur freiliegt, und ein zweites Elektrodenmaterial (22) derart niedergeschlagen wird, daß eine Stirnfläche davon in einer zweiten Seitenzone, die von der ersten Seitenzone der laminierten Struktur (1, 2) verschieden ist, freiliegt; (c) Ausbilden einer dielektrischen Schicht (60) als obere Schicht der ersten Elektrodenschicht (61, 71), die im Schritt (b) gebildet wurde; (d) Ausbilden einer zweiten Elektrodenschicht (62, 72) als obere Schicht der im Schritt (c) ausgebildeten dielektrischen Schicht (60) durch Niederschlagen eines ersten Elektrodenmaterials (21) derart, daß eine Stirnfläche davon in einer zweiten Zone der laminierten Struktur freiliegt, und Niederschlagen des zweiten Elek trodenmaterials (22) derart, daß eine Stirnfläche von ihm in der ersten Zone der laminierten Struktur (1, 2) freiliegt; und (e) Ausbilden einer Isolierschicht (23) an der Stirnfläche des zweiten Elektrodenmaterials (22), die in jeder von der ersten und der zweiten Seitenzone der laminierten Struktur (1, 2) freiliegt, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Elektrodenmaterial nicht oxidierbar ist, während das zweite Elektrodenmaterial unter gleichen Verarbeitungsbedingungen oxidierbar ist, oder daß das erste Elektrodenmaterial nicht fluorierbar ist, während das zweite Elektrodenmaterial unter gleichen Verarbeitungsbedingungen fluorierbar ist.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, bei dem der Schritt (e) das Bilden der Isolierschicht (23) durch Oxidieren der Stirnfläche des in der ersten und der zweiten Seitenzone der laminierten Struktur (1, 2) freiliegenden zweiten Elektrodenmaterials (22) beinhaltet.
  12. Verfahren nach Anspruch 10, bei dem der Schritt (e) das Bilden der Isolierschicht (23) durch Fluorieren der Stirnfläche des in der ersten und der zweiten Seitenzone der laminierten Struktur (1, 2) freiliegenden zweiten Elektrodenmaterials (22) beinhaltet.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, weiterhin umfassend den Schritt des Bildens mindestens einer Seitenelektrode (31, 32) an der ersten Seitenzone und/oder der zweiten Seitenzone der laminierten Struktur (1, 2).
  14. Verfahren zum Fertigen einer Mehrzahl laminierter Strukturen, in denen mindestens eine erste Elektrodenschicht (20a), eine dielektrische Schicht (10) und eine zweite Elektrodenschicht (20b) in dieser Reihenfolge gestapelt sind, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: (a) Bilden einer dielektrischen Schicht (60); (b) Bilden einer ersten Elektrodenschicht (61, 71) als obere Schicht der im Schritt (a) gebildeten dielektrischen Schicht (60) durch abwechselndes Niederschlagen erster Elektrodenmaterialien (21) und zweiter, von den ersten Elektrodenmaterialien verschiedener Elektrodenmaterialien (22); (c) Ausbilden einer dielektrischen Schicht (60) als obere Schicht von der im Schritt (b) gebildeten ersten Elektrodenschicht (61, 71); (d) Bilden einer zweiten Elektrodenschicht (62, 72) als eine obere Schicht der im Schritt (c) gebildeten dielektrischen Schicht (60) durch abwechselndes Niederschlagen der ersten Elektrodenmaterialien (21) und der zweiten Elektrodenmaterialien (22) in umgekehrter Lagebeziehung in der ersten Elektrodenschicht (61, 71); (e) Schneiden der in den Schritten (a) bis (d) gebildeten laminierten Struktur (70, 73) in Stapelrichtung, um die laminierte Struktur aufzuteilen in eine Mehrzahl von laminierten Strukturen derart, daß in bezug auf jede der abgeteilten mehreren laminierten Strukturen eine Stirnfläche des ersten Elektrodenmaterials (21) in der ersten Elektrodenschicht (61, 71) und eine Stirnfläche des zweiten Elektrodenmaterials (22) in der zweiten Elektrodenschicht (62, 72) in einer ersten Seitenzone freiliegen, und eine Stirnfläche des zweiten Elektrodenmaterials (22) in der ersten Elektrodenschicht (61, 71) und eine Stirnfläche des ersten Elektrodenmaterials (21) in der zweiten Elektrodenschicht (62, 72) in einer zweiten, von der ersten Seitenzone verschiedenen Seitenzone freiliegen; und (f) Ausbilden einer Isolierschicht (23) an der Stirnfläche des zweiten Elektrodenmaterials (22), welches in jeder von der ersten und der zweiten Seitenzone bezüglich jeder der abgeteilten mehreren laminierten Strukturen freiliegt, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Elektrodenmaterial nicht oxidierbar ist, während das zweite Elektrodenmaterial unter gleichen Verarbeitungsbedingungen oxidierbar ist, oder daß das erste Elektrodenmaterial nicht fluorierbar ist, während das zweite Elektrodenmaterial unter gleichen Verarbeitungsbedingungen fluorierbar ist.
  15. Verfahren nach Anspruch 14, wobei der Schritt (f) das Bilden der Isolierschicht (23) durch Oxidieren der Stirnfläche des in der ersten und der zweiten Seitenzone der laminierten Struktur (1, 2) freiliegenden zweiten Elektrodenmaterials (22) beinhaltet.
  16. Verfahren nach Anspruch 14, bei dem der Schritt (f) das Bilden der Isolierschicht (23) durch Fluorieren der Stirnfläche des in der ersten und der zweiten Seitenzone der laminierten Struktur (1, 2) freiliegenden zweiten Elektrodenmaterials (22) beinhaltet.
  17. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 16, weiterhin umfassend den Schritt des Bildens mindestens einer Seitenelektrode (31, 32) an der ersten Seitenzone und/oder der zweiten Seitenzone der laminierten Struktur (1, 2).
  18. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 17, bei dem der Schritt (a) die Ausbildung einer piezoelektrischen Materialschicht aus piezoelektrischem Material beinhaltet.
  19. Verfahren nach Anspruch 18, bei dem der Schritt (a) die Ausbildung der piezoelektrischen Materialschicht durch Aufsprühen und Niederschlagen von Pulver des piezoelektrischen Materials beinhaltet.
  20. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 19, bei dem: der Schritt (b) und/oder der Schritt (d) das Niederschlagen des ersten Elektrodenmaterials beinhaltet/beinhalten, welche mindestens einen der Stoffe Platin, Palladium und Strontium-Ruthenium-Oxid enthält; und der Schritt (b) und/oder der Schritt (d) das Niederschlagen des zweiten Elektrodenmaterials beinhaltet/beinhalten, welches mindestens einen der Stoffe Nickel, Cobalt, Chrom und Titan enthält.
  21. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 20, weiterhin umfassend den Schritt oder die Schritte des Ausbildens einer Titanoxidschicht und/oder einer Titanschicht auf der dielektrischen Schicht vor dem Schritt (b) und/oder (d).
DE602004004841T 2003-08-29 2004-08-26 Laminierte Struktur, Verfahren zur Herstellung derselben und Vielfach-Ultraschallwandlerfeld Active DE602004004841T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003307663 2003-08-29
JP2003307663 2003-08-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE602004004841D1 DE602004004841D1 (de) 2007-04-05
DE602004004841T2 true DE602004004841T2 (de) 2007-11-08

Family

ID=34101262

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE602004004841T Active DE602004004841T2 (de) 2003-08-29 2004-08-26 Laminierte Struktur, Verfahren zur Herstellung derselben und Vielfach-Ultraschallwandlerfeld

Country Status (3)

Country Link
US (2) US7087970B2 (de)
EP (1) EP1511092B1 (de)
DE (1) DE602004004841T2 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012110556A1 (de) * 2012-11-05 2014-05-08 Epcos Ag Vielschichtbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102013111121A1 (de) * 2013-08-27 2015-03-05 Epcos Ag Verfahren zur Herstellung von keramischen Vielschichtbauelementen

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4729260B2 (ja) * 2004-02-18 2011-07-20 富士フイルム株式会社 積層構造体及びその製造方法
US20070222339A1 (en) * 2004-04-20 2007-09-27 Mark Lukacs Arrayed ultrasonic transducer
CN1998095B (zh) * 2004-04-20 2010-11-03 视声公司 阵列式超声换能器
US7589456B2 (en) * 2005-06-14 2009-09-15 Siemens Medical Solutions Usa, Inc. Digital capacitive membrane transducer
EP1942532B1 (de) * 2005-09-29 2015-03-18 Kyocera Corporation Laminiertes piezoelektrisches element und einspritzvorrichtung damit
ES2402741T3 (es) 2005-11-02 2013-05-08 Visualsonics, Inc. Conformador de haces de transmisión digital para un sistema transductor de ultrasonidos con distribución
DE102006003845B3 (de) * 2006-01-26 2007-07-12 Siemens Ag Piezoakustischer Dünnfilmresonator mit dielektrischer Zwischenschicht aus Titandioxid, Verfahren zum Herstellen des Dünnfilmresonators und Verwendung des Dünnfilmresonators
DE102007008266A1 (de) 2007-02-20 2008-08-21 Siemens Ag Piezoaktor und Verfahren zum Herstellen eines Piezoaktors
US7777397B2 (en) * 2007-03-12 2010-08-17 3M Innovative Properties Company Multilayer conductive elements
JP5602626B2 (ja) 2007-06-29 2014-10-08 アーティフィシャル マッスル,インク. 感覚性フィードバック用途のための電気活性ポリマートランスデューサー
JP5451636B2 (ja) * 2007-12-31 2014-03-26 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 縁ポートを有する医療用手当て用品及び使用方法
US7804742B2 (en) * 2008-01-29 2010-09-28 Hyde Park Electronics Llc Ultrasonic transducer for a proximity sensor
US8456957B2 (en) * 2008-01-29 2013-06-04 Schneider Electric USA, Inc. Ultrasonic transducer for a proximity sensor
US9173047B2 (en) 2008-09-18 2015-10-27 Fujifilm Sonosite, Inc. Methods for manufacturing ultrasound transducers and other components
US9184369B2 (en) 2008-09-18 2015-11-10 Fujifilm Sonosite, Inc. Methods for manufacturing ultrasound transducers and other components
EP3576137A1 (de) * 2008-09-18 2019-12-04 FUJIFILM SonoSite, Inc. Ultraschallwandler
EP2239793A1 (de) 2009-04-11 2010-10-13 Bayer MaterialScience AG Elektrisch schaltbarer Polymerfilmaufbau und dessen Verwendung
US9168180B2 (en) * 2009-06-16 2015-10-27 3M Innovative Properties Company Conformable medical dressing with self supporting substrate
CA2828809A1 (en) 2011-03-01 2012-09-07 Francois EGRON Automated manufacturing processes for producing deformable polymer devices and films
CN103703404A (zh) 2011-03-22 2014-04-02 拜耳知识产权有限责任公司 电活化聚合物致动器双凸透镜系统
US9876160B2 (en) 2012-03-21 2018-01-23 Parker-Hannifin Corporation Roll-to-roll manufacturing processes for producing self-healing electroactive polymer devices
US9761790B2 (en) 2012-06-18 2017-09-12 Parker-Hannifin Corporation Stretch frame for stretching process
DE102012105318A1 (de) * 2012-06-19 2013-12-19 Epcos Ag Verfahren zur Herstellung eines keramischen Bauelements und ein keramisches Bauelement
WO2014028819A1 (en) * 2012-08-16 2014-02-20 Bayer Intellectual Property Gmbh Machine and methods for making rolled dielectric elastomer transducers
US9590193B2 (en) 2012-10-24 2017-03-07 Parker-Hannifin Corporation Polymer diode
US9364863B2 (en) * 2013-01-23 2016-06-14 Siemens Medical Solutions Usa, Inc. Method for forming an ultrasound transducer array
US9119289B2 (en) 2013-02-25 2015-08-25 3M Innovative Properties Company Film constructions for interdigitated electrodes with bus bars and methods of making same
JP5993330B2 (ja) * 2013-03-18 2016-09-14 オリンパス株式会社 積層型超音波振動デバイス、積層型超音波振動デバイスの製造方法および超音波医療装置
WO2016027614A1 (ja) * 2014-08-18 2016-02-25 株式会社村田製作所 圧電素子及び曲げ検出センサ
CN104915637B (zh) * 2015-04-22 2019-06-14 业成科技(成都)有限公司 指纹识别模组的制作方法
DE102015213714B4 (de) * 2015-07-21 2020-11-19 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Mikromechanisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines piezoelektrischen mikromechanischen Bauteils

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5173162A (en) * 1989-07-05 1992-12-22 Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. Multi-layered electrostrictive effect element
DE4201937C2 (de) * 1991-01-25 1997-05-22 Murata Manufacturing Co Piezoelektrisches laminiertes Stellglied
US5329496A (en) * 1992-10-16 1994-07-12 Duke University Two-dimensional array ultrasonic transducers
JPH05343440A (ja) 1992-06-09 1993-12-24 Mitsubishi Electric Corp 電荷転送素子およびその製造方法
EP0661636B1 (de) 1993-12-29 1998-09-23 STMicroelectronics S.r.l. Integrierte Programmierschaltung für eine elektrisch programmierbare Halbleiterspeicheranordnung mit Redundanz
US6172591B1 (en) * 1998-03-05 2001-01-09 Bourns, Inc. Multilayer conductive polymer device and method of manufacturing same
JP3506016B2 (ja) * 1998-09-10 2004-03-15 セイコーエプソン株式会社 金属の酸化方法
JP3679957B2 (ja) * 1999-10-01 2005-08-03 株式会社東芝 超音波プローブとその製造方法
JP4467755B2 (ja) 2000-10-11 2010-05-26 日本放送協会 多電極圧電デバイス配線方法及び多電極圧電装置
JP2002203998A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Denso Corp 圧電体素子及びその製造方法
JP2003037308A (ja) * 2001-07-25 2003-02-07 Nec Tokin Corp 積層型圧電アレイデバイス

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012110556A1 (de) * 2012-11-05 2014-05-08 Epcos Ag Vielschichtbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102012110556B4 (de) * 2012-11-05 2014-07-03 Epcos Ag Vielschichtbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102013111121A1 (de) * 2013-08-27 2015-03-05 Epcos Ag Verfahren zur Herstellung von keramischen Vielschichtbauelementen
JP2016534566A (ja) * 2013-08-27 2016-11-04 エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag セラミック多層デバイスを製造するための方法
DE102013111121B4 (de) * 2013-08-27 2020-03-26 Tdk Electronics Ag Verfahren zur Herstellung von keramischen Vielschichtbauelementen
US10686120B2 (en) 2013-08-27 2020-06-16 Epcos Ag Method for producing ceramic multi-layer components

Also Published As

Publication number Publication date
US20060186493A1 (en) 2006-08-24
US20050046030A1 (en) 2005-03-03
DE602004004841D1 (de) 2007-04-05
US7087970B2 (en) 2006-08-08
EP1511092B1 (de) 2007-02-21
US7454820B2 (en) 2008-11-25
EP1511092A1 (de) 2005-03-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE602004004841T2 (de) Laminierte Struktur, Verfahren zur Herstellung derselben und Vielfach-Ultraschallwandlerfeld
DE60214612T2 (de) Piezoelektrische Struktur, Flüssigkeitsstrahlkopf und Verfahren zur Herstellung
DE4202650C2 (de) Piezoelektrische bimorphe Einrichtung und Verfahren zum Treiben einer piezoelektrischen bimorphen Einrichtung
DE112013003809B4 (de) Piezoelektrische Vorrichtung, Piezoelektrisches Stellglied, Festplattenlaufwerk, Tintenstrahldrucker-Einrichtung und Piezoelektrischer Sensor
EP2232600B1 (de) Piezoelektrisches vielschichtbauelement
DE19859498C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Mikroaktuators für einen Tintenstrahlkopf
DE60035932T2 (de) Piezoelektrisches/elektrostriktives Bauelement und dessen Herstellungsverfahren
DE102004054293A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines mehrschichtigen keramischen akustischen Wandlers
DE10230117B4 (de) Piezoelektrisches Mehrschichtbauelement und Verfahren zum Herstellen desselben und Verwendung desselben in einem piezoelektrischen Betätigungsglied
EP0958620A1 (de) Piezoaktor mit neuartiger kontaktierung und herstellverfahren
DE4107158A1 (de) Laminarer piezoelektrischer/elektrostriktiver treiber mit longitudinaleffekt und druckaktuator mit diesem treiber
EP1597780A1 (de) Elektrisches vielschichtbauelement und schichtstapel
WO2006103154A1 (de) Monolithisches piezoelektrisches bauteil mit mechanischer entkopplungsschicht, verfahren zum herstellen des bauteils und verwendung des bauteils
WO2008092740A2 (de) Piezokeramischer vielschichtaktor und verfahren zu seiner herstellung
EP2245679A1 (de) Piezoelektrisches vielschichtbauelement
DE102006023165A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines akustischen Spiegels aus alternierend angeordneten Schichten hoher und niedriger akustischer Impedanz
DE60315286T2 (de) Gruppe von membran-ultraschallwandlern
DE4435914C2 (de) Piezoelektrischer Antrieb für einen Tintenstrahlaufzeichnungskopf und Verfahren zu dessen Herstellung
EP2144715A1 (de) Ultraschallwandler-array für anwendungen in gasförmigen medien
DE10047942B4 (de) Sensorarray, Verfahren zum Herstellen eines Sensorarrays und Verwendung eines Sensorarrays
EP2526574B1 (de) Verfahren zur herstellung eines piezoelektrischen vielschichtbauelements
DE19959169C2 (de) Mikroaktuator sowie Verfahren zu dessen Herstellung
EP2201619B1 (de) Piezoelektrisches vielschichtbauelement
EP1132973A1 (de) Metall-Isolator-Metall-Kondensator und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102004006156B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines mikrokapazitiven Ultraschall-Wandlers

Legal Events

Date Code Title Description
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: FUJIFILM CORP., TOKIO/TOKYO, JP

8364 No opposition during term of opposition