DE60136330D1 - Leseschaltkreis und zugehöriges Verfahren für nichtflüchtigen Mehrpegel-Speicher - Google Patents

Leseschaltkreis und zugehöriges Verfahren für nichtflüchtigen Mehrpegel-Speicher

Info

Publication number
DE60136330D1
DE60136330D1 DE60136330T DE60136330T DE60136330D1 DE 60136330 D1 DE60136330 D1 DE 60136330D1 DE 60136330 T DE60136330 T DE 60136330T DE 60136330 T DE60136330 T DE 60136330T DE 60136330 D1 DE60136330 D1 DE 60136330D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
read circuit
level memory
associated method
volatile multi
volatile
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE60136330T
Other languages
English (en)
Inventor
Mauro Pagliato
Paolo Rolandi
Massimo Montanaro
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics SRL
Original Assignee
STMicroelectronics SRL
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by STMicroelectronics SRL filed Critical STMicroelectronics SRL
Application granted granted Critical
Publication of DE60136330D1 publication Critical patent/DE60136330D1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/56Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
    • G11C11/5621Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency using charge storage in a floating gate
    • G11C11/5642Sensing or reading circuits; Data output circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/56Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/56Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
    • G11C11/5621Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency using charge storage in a floating gate
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C2211/00Indexing scheme relating to digital stores characterized by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C2211/56Indexing scheme relating to G11C11/56 and sub-groups for features not covered by these groups
    • G11C2211/563Multilevel memory reading aspects
    • G11C2211/5632Multilevel reading using successive approximation
DE60136330T 2001-04-10 2001-04-10 Leseschaltkreis und zugehöriges Verfahren für nichtflüchtigen Mehrpegel-Speicher Expired - Lifetime DE60136330D1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP01830248A EP1249841B1 (de) 2001-04-10 2001-04-10 Leseschaltkreis und zugehöriges Verfahren für nichtflüchtigen Mehrpegel-Speicher

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE60136330D1 true DE60136330D1 (de) 2008-12-11

Family

ID=8184486

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE60136330T Expired - Lifetime DE60136330D1 (de) 2001-04-10 2001-04-10 Leseschaltkreis und zugehöriges Verfahren für nichtflüchtigen Mehrpegel-Speicher

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6657895B2 (de)
EP (1) EP1249841B1 (de)
DE (1) DE60136330D1 (de)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ITMI20030075A1 (it) * 2003-01-20 2004-07-21 Simicroelectronics S R L Amplificatore di rilevamneto parallelo con specchiamento della corrente da misurare su ogni ramo di riferimento.
ITVA20050001A1 (it) 2005-01-18 2006-07-19 St Microelectronics Srl Controllo delle tensioni durante operazioni di cancellazione e riprogrammazione di celle di matrice di un dispositivo di memoria.
US7733704B2 (en) 2005-12-29 2010-06-08 Sandisk Corporation Non-volatile memory with power-saving multi-pass sensing
US7859893B2 (en) * 2007-05-31 2010-12-28 Micron Technology, Inc. Phase change memory structure with multiple resistance states and methods of programming and sensing same
US8719670B1 (en) * 2008-05-07 2014-05-06 Sk Hynix Memory Solutions Inc. Coding architecture for multi-level NAND flash memory with stuck cells
FR3028351B1 (fr) * 2014-11-12 2018-01-19 Stmicroelectronics Sa Cellule integree multi-orientations, en particulier cellule d'entree/sortie d'un circuit integre
US9824769B2 (en) * 2015-07-16 2017-11-21 Texas Instruments Incorporated Fusible link cell with dual bit storage

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69521705D1 (de) * 1994-06-02 2001-08-16 Intel Corp Abtastverfahren für einen flash-speicher mit mehrstufigen zellen
EP0757355B1 (de) * 1995-07-31 2000-04-19 STMicroelectronics S.r.l. Gemischtes serielles paralleles dichotomisches Leseverfahren für nichtflüchtige Mehrpegel-Speicherzellen und Leseschaltung mit Verwendung eines solchen Verfahrens
KR100371022B1 (ko) * 1998-11-26 2003-07-16 주식회사 하이닉스반도체 다중비트 메모리셀의 데이터 센싱장치
IT1308857B1 (it) * 1999-10-29 2002-01-11 St Microelectronics Srl Metodo e circuito di lettura per una memoria non volatile.

Also Published As

Publication number Publication date
EP1249841B1 (de) 2008-10-29
US6657895B2 (en) 2003-12-02
EP1249841A1 (de) 2002-10-16
US20020186592A1 (en) 2002-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10194689T1 (de) Nichtflüchtiger Halbleiterspeicher und Verfahren zu dessen Herstellung
DE60111348D1 (de) Verfahren zum Auslesen eines nichtflüchtigen Halbleiterspeichers und nichtflüchtiger Halbleiterspeicher
DE602004015813D1 (de) Speichervorrichtung und verfahren zur löschung derselben
DE60301839D1 (de) Nichtflüchtiger Halbleiterspeicher und Verfahren zu dessen Betrieb
DE69904320T2 (de) On-chip schaltung und verfahren zur speicherschaltungs-prüfung
DE60041376D1 (de) Nichtflüchtige Halbleiter-Speichereinrichtung und Methode zur Datenlöschkontrolle
DE60142868D1 (de) Speichersystem und zugehöriges Programmierverfahren
DE60205817D1 (de) Verfahren zur Erfassung und Beseitigung des Memory-Effektes
DE60231928D1 (de) Testverfahren für Halbleiterspeicher
DE60303835D1 (de) Magnetischer Direktzugriffsspeicher sowie entsprechendes Leseverfahren
DE60143125D1 (de) Verfahren für doppelbitspeicherlöschprüfung
DE19983420T1 (de) Verfahren und Einrichtungen zum Aktualisieren eines nicht-flüchtigen Speichers
DE60324117D1 (de) Multibit Speicheranordnung und Verfahren zur Programmierung und zum Auslesen derselben
DE69811181D1 (de) Leseverfahren für ferroelektrischen 1T/1C-Speicher
DE60109887D1 (de) Einmalig programmierbare nichtflüchtige halbleiterspeicheranordnung und verfahren zu deren herstellung
GB0116054D0 (en) Nonvolatile semiconductor memory device and method for recording information
DE60212272D1 (de) Leseverstärkersteuerschaltung und -verfahren für nichtflüchtige Speicheranordnung
DE60125910D1 (de) Halbleiterspeicher und Auswahlverfahren für mehrere Wortleitungen
DE60214805D1 (de) Referenzgeneratorschaltung und -verfahren für nichtflüchtige Speicheranordnungen
DE60226141D1 (de) Fifo-speicher system und verfahren dafür
DE60323801D1 (de) Magnetische Speicheranordnung, Herstellungsverfahren und Schreib/Leseverfahren
DE50113114D1 (de) Magnetoresistiver Speicher und Verfahren zu seinem Auslesen
DE60207641D1 (de) Halbleiterspeicher, Informationsgerät und Verfahren zur Bestimmung von Speicherzugriffzeit des Halbleiterspeichers
DE60222891D1 (de) Nichtflüchtige Speicheranordnung und Selbstreparatur-Verfahren
DE50207435D1 (de) Verfahren zum beschreiben magnetoresistiver speicherzellen und mit diesem verfahren beschreibbarer magnetoresistiver speicher

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition