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Die
vorliegende Erfindung betrifft ein elektrisches Filter und genauer
gesagt ein elektromechanisches Bandpaßfilter.
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Sie
findet ihre Anwendung insbesondere im Bereich der Filterung für schnurlose
Fernsprechanlagen, wie zum Beispiel das mobile Telefonwesen und die
elektronischen Agenda.
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Sie
findet auch im Multimedienbereich ihre Anwendung, wo tragbare Fernsprechmittel
benutzt werden.
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Sie
findet Anwendungen auch in den Vorrichtungen, die die Wahl von Hochfrequenzsignalen
erfordern, wie zum Beispiel die Chipkarten.
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FRÜHERER TECHNISCHER STAND
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Heutzutage
müssen
sich die Fernsprechdienste einer ständig wachsenden Anzahl von
Benutzern stellen. Angesichts der Begrenzungen bei der Zuweisung
von Frequenzbändern
impliziert dies größere Anforderungen
an die Dienstleister hinsichtlich der Benutzung ihrer Bandbreite.
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Die
mit den Bandbreiten verbundenen Spezifikationen wirken sich auf
die Auflagen der Filtervorrichtungen aus, die selektiv sein müssen. Man
gelangt also dazu, den Qualitätskoeffizienten
der Filter zu verbessern und dabei gleichzeitig die Auflagen bezüglich des
Platzbedarfs zu berücksichtigen,
wobei diese Auflagen von erster Wichtigkeit für die mobilen Fernsprechgeräte sind,
wie zum Beispiel Handys und Organizers.
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Gegenwärtig wird
im Bereich des mobilen Fernsprechwesens die Filterfunktion durch
Bodenwellenfilter ausgeführt.
Sie sind aus Quarz und weisen gute Merkmale auf mit Ausnahme desjenigen des
Platzbedarfs, der Masse und der Verluste durch Einsetzen in einen
elektronischen Schaltkreis.
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Der
Platzbedarf, die Masse und die Verluste durch Einsetzen können verringert
werden, wenn elektromechanische Filter oder genauer gesagt angesichts
ihrer Größe mikroelektromechanische
Filter eingesetzt werden, die mit Techniken ausgeführt werden,
die die gleichen wie diejenigen sind, die bei der Herstellung von
mikroelektronischen Schaltkreisen eingesetzt werden, wobei somit
die Nachteile der Hybridkreise ausgeschaltet werden.
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Solche
Filter sind zum Beispiel aus dem Artikel „Q-Enhancement of Microelectromechanical
Filters via Low-Velocity
Spring Coupling" von
K. Wang et al., IEEE Ultrasonics Symposium 05.10.1997, S. 323–327 bekannt.
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Demgegenüber können mit
den aktuellen Konzeptionen dieser mikroelektromechanischen Filter
keine Frequenzen über
400 MHz erreicht werden und noch weniger die Frequenzbänder, die
von den Fernsprechdiensten benutzt werden, denn diese Bänder liegen
nahe an 1 GHz oder höher.
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DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
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Diese
Erfindung hat zum Ziel, diesen Nachteil zu beheben, indem ein elektromechanisches
Filter vorgeschlagen wird, das eine Resonanzstruktur geeigneter
Konzeption und genauer gesagt eine Resonanz-Nanostruktur benutzt.
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Außerdem können die
Herstellungskosten eines erfindungsgemäßen Filters durch den Einsatz von
Techniken mit kollektiver Bearbeitung gering sein.
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Ein
erfindungsgemäßes Filter
weist gegenüber
den oben erwähnten
Bodenwellenfiltern den Vorteil auf, daß es leichter in eine elektronische
Schaltung eingesetzt werden kann, denn bei der Herstellung dieses
Filters wird die gleiche Technik eingesetzt, wie bei der Herstellung
eines solchen Schaltkreises, und sie erfordert keine Hybridisierungsphase.
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Die
vorliegende Erfindung hat präzise
ausgedrückt
ein elektromechanisches Filter, das dadurch gekennzeichnet ist,
daß es
folgende Teile umfaßt:
- – Ein
Substrat;
- – Mindestens
eine Mikrospitze („microtip"), die auf dem Substrat
gebildet ist, und deren Gipfel durch eine Nanostruktur in Form eines
Trägers
verlängert
wird, der sich nach der Achse der Mikrospitze erstreckt, wobei diese
Mikrospitze und die Nanostruktur zumindest oberflächlich elektrisch
leitfähig sind,
wobei die Nanostruktur einen elektromechanischen Resonator bildet;
- – Eine
elektrisch isolierende Schicht, die auf dem Substrat gebildet ist
und eine Austiefung umfaßt, in
der sich die Mikrospitze befindet, und deutlich in Höhe des Gipfels
dieser Mikrospitze eine Bohrung, die die Austiefung verlängert, und
deren Kante diesen Gipfel umgibt;
- – Mindestens
eine Eingangselektrode und mindestens eine Ausgangselektrode, die
auf der Isolierschicht gebildet sind und deutlich zur Kante der Bohrung
führen,
und zwar zu beiden Seiten der Achse der Mikrospitze, wobei die Eingangselektrode
dazu vorgesehen ist, ein zu filterndes elektrisches Signal zu erhalten,
und die Ausgangselektrode dazu vorgesehen ist, ein gefiltertes elektrisches
Signal zu liefern, wobei eine Koppelung zwischen diesen Elektroden
und der Nanostruktur geschaffen wird, wobei diese Koppelung ermöglicht,
den elektromechanischen Resonator in Resonanz zu versetzen.
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Die
Mikrospitze und die Nanostruktur sind bevorzugterweise metallisiert
(so daß sie
elektrisch leitfähig
werden).
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Bei
einem besonderen Ausführungsmodus des
erfindungsgegenständlichen
Filters ist die Mikrospitze zwei Ausgangselektroden zugeordnet,
von denen eine mit der Eingangselektrode elektrisch verbunden ist.
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Bei
einem besonderen Ausführungsmodus der
Erfindung sind die Mikrospitze und die Nanostruktur mit einer Schicht
aus einem magnetischen Metall überzogen,
das geeignet ist, ein magnetisches Feld deutlich parallel zur Achse
der Mikrospitze zu erzeugen.
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Bei
einem ersten besonderen Ausführungsmodus
des erfindungsgegenständlichen
Filters umfaßt
dieses Filter mehrere Mikrospitzen, die mit Eingangselektroden beziehungsweise
Ausgangselektroden und Nanostrukturen versehen sind, die elektromechanische
Resonatoren mit einer gleichen Resonanzfrequenz bilden, wobei die
Eingangselektroden untereinander elektrisch verbunden sind und die Ausgangselektroden
auch untereinander elektrisch verbunden sind.
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Bei
einem zweiten besonderen Ausführungsmodus
umfaßt
dieses Filter mehrere Mikrospitzen, die mit Eingangselektroden,
Ausgangselektroden und Nanostrukturen versehen sind, die elektromechanische
Resonatoren bilden, wobei diese Mikrospitzen auf eine Vielzahl von
Gruppen verteilt sind, wobei die mit den Mikrospitzen einer gleichen
Gruppe verbundenen elektromechanischen Resonatoren die gleiche Resonanzfrequenz
haben, wobei die Eingangselektroden untereinander elektrisch verbunden sind
und die mit den Mikrospitzen einer gleichen Gruppe verbundenen Ausgangselektroden
untereinander elektrisch verbunden sind.
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Bei
einem besonderen Ausführungsmodus der
Erfindung ist jeder elektromechanische Resonator in einem Raum,
in dem vorher eine Luftleere geschaffen wurde („Vakuum").
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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Diese
Erfindung wird beim Lesen der Beschreibung von nachfolgenden Ausführungsbeispielen
besser verstanden werden, die reinen Anhaltswert haben und keineswegs
beschränkend
sind, und bei der auf die Zeichnungen im Anhang mit folgenden Darstellungen
verwiesen wird:
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Die 1 ist
eine schematische Schnittansicht eines besonderen Ausführungsmodus
des erfindungsgegenständlichen
Filters, das nur eine Mikrospitze umfaßt;
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Die 2 ist
eine schematische Draufsicht des Filters der 1, in dem
eine Eingangselektrode und eine Ausgangselektrode eingesetzt wird;
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Die 3 ist
eine schematische Draufsicht eines anderen erfindungsgemäßen Filters,
in dem zwei Eingangselektroden und eine Ausgangselektrode eingesetzt
werden;
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Die 4 ist
eine schematische Draufsicht eines anderen erfindungsgemäßen Filters,
in dem eine Eingangselektrode und zwei Ausgangselektroden eingesetzt
werden;
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Die 5 ist
eine schematische Schnittansicht eines anderen erfindungsgemäßen Filters,
das mehrere Mikrospitzen umfaßt;
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Die 6 ist
eine schematische Draufsicht eines erfindungsgemäßen Filters, wobei dieses Filter eine
Gruppe Elementarfilter umfaßt
(Filter mit einer einzigen Mikrospitze), deren elektromechanische Resonatoren
alle die gleiche Resonanzfrequenz haben;
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Die 7 ist
eine schematische Draufsicht eines anderen erfindungsgemäßen Filters,
wobei dieses Filter mehrere Gruppen Elementarfilter umfaßt, wobei
die elektromechanischen Resonatoren einer gleichen Gruppe die gleiche
Resonanzfrequenz haben;
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Die 8 ist
eine schematische und teilweise Draufsicht einer Ausführungsvariante
der Filter der 6 und 7.
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AUSFÜHRLICHE DARSTELLUNG VON BESONDEREN
AUSFÜHRUNGSMODI
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Ein
erfindungsgemäßes Elementarfilter
ist ein Bandpaßfilter,
das einen elektromechanische Resonator umfaßt (einen Nanoresonator angesichts seiner
Größe, zu dem
weiter unten Beispiele gegeben werden). Es ist auf die Technik der
Mikrosysteme gegründet.
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Mit
diesem Elementarfilter kann ein elektrisches Signal gefiltert werden,
dessen Frequenz über 400
MHz beträgt:
Das Band der Frequenzen dieses Elementarbandpaßfilters ist auf eine Frequenz
f über 400
MHz zentriert, und die 1 GHz und sogar mehr erreichen kann; Außerdem ist
dieses Band schmal: Seine Breite kann 100 kHz nicht überschreiten.
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Die 1 ist
eine schematische Schnittansicht eines erfindungsgemäßen Filters.
Es handelt sich um ein Elementarfilter, das einen einzigen elektromechanischen
Resonator umfaßt.
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Genauer
ausgedrückt
ist das Elementarfilter der 1 auf einem
Substrat 2 gebildet und umfaßt eine deutlich kegelförmige Mikrospitze 4,
die auf diesem Substrat 2 gebildet ist. Die Achse dieser
Mikrospitze wird mit X bezeichnet. Der Gipfel dieser Mikrospitze
wird durch eine Nanostruktur 6 in Form eines Trägers verlängert, der
nachfolgend mit „Nanoträger" bezeichnet wird,
und der sich nach der Achse X erstreckt.
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Auf
der 1 stehen die Bezugszeichen h, l und d für die Höhe der Mikrospitze
beziehungsweise die Länge
des Nanoträgers 6 und
für dessen
Durchmesser.
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Das
Elementarfilter der 1 umfaßt auch eine Metallschicht 8 an
einem beliebigen Potential V, die sich auf dem Substrat 2 erstreckt
und die Mikrospitze 4 sowie den Nanoträger 6 abdeckt, mit
dem diese Mikrospitze versehen ist. Außerdem ist auf dieser Metallschicht 8 eine
elektrisch isolierende Schicht 10 gebildet.
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In
dieser isolierenden Schicht 10 ist eine Austiefung 12 gebildet,
die die Mikrospitze 4 enthält, wie auf der 1 zu
sehen ist. Außerdem
enthält
diese isolierende Schicht 10 eine Bohrung 14,
die die Austiefung 12 verlängert, und deren Achse die
Achse X ist.
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Diese
Bohrung 14 umgibt den Gipfel der Mikrospitze. Man sieht,
daß der
Nanoträger 6 aus
der isolierenden Schicht 10 hervorsteht.
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Es
wird präzisiert,
daß die
Herstellung einer mit einem solchen Nanoträger versehenen Mikrospitze
für den
Einsatz im Bereich der Nahfeldmikroskopie beherrscht wird.
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Unter
Bezugnahme auf die 2, die eine schematische Draufsicht
der 1 ist, sieht man, daß das Elementarfilter auch
eine Eingangselektrode 16 und eine Ausgangselektrode 18 umfaßt, die
deutliche ausgerichtet sind, und deren jeweilige beide Enden genau
entgegengesetzt auf der Kante der Bohrung 14 sind.
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Auf
der 2 ist zu sehen, daß das Elementarfilter Bestandteil
eines elektronischen Schaltkreises ist, um ein in diesem Schaltkreis
entstandenes oder erhaltenes elektrisches Signal zu filtern.
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Genauer
gesagt verbindet dieses Elementarfilter einen ersten Teil 20 des
Schaltkreises mit einem zweiten Teil 22 des letzteren.
Diese beiden Teile dieses Schaltkreises sind auf dem gleichen Substrat 2 gebildet
wie das Elementarfilter, und zwar durch Techniken der Mikroelektronik,
die auch für
die Herstellung dieses Filters eingesetzt werden, wie weiter unten
zu sehen sein wird.
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Zum
Beispiel ist der erste Teil 20 des elektronischen Schaltkreises
eine Antenne eines Mobiltelefons und gibt ein elektrisches Signal
Se, oder Eingangssignal ab, das gefiltert werden soll. Der zweite Teil 22 des
Schaltkreises umfaßt
Mittel zur Verstärkung
und Verarbeitung des gefilterten Signals Ss oder Ausgangssignals.
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Das
Eingangssignal Se erregt den Nanoresonator, der aus dem metallisierten
Nanoträger
gebildet wird, der dieses Signal Se filtert, damit nur die Komponenten
des Signals Se durchgelassen werden, deren Frequenzen innerhalb
der Bandbreite des Elementarfilters liegen.
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Diese
Bandbreite hängt
von den geometrischen Merkmalen und den Werkstoffen ab, aus denen
die Mikrospitze und der metallisierte Nanoträger bestehen.
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Rein
als Anhaltswert und keineswegs begrenzend bestehen das Substrat 2 und
die Mikrospitze 4 sowie der zugehörige Nanoträger 6 aus Silizium; Die
Schicht 8 der Metallisierung der Mikrospitze und des Nanoträgers ist
aus Gold oder aus Wolfram, die Eingangselektrode 16 und
die Ausgangselektrode 18 sind ebenfalls aus Gold oder aus
Wolfram; Die isolierende Schicht 10 ist aus Kieselerde
oder aus Siliziumnitrid oder aus einem elektrisch isolierenden Polymer;
Das Verhältnis
h/l beträgt
circa 10, und der Durchmesser d beträgt circa l/10 mit h von 1 Mikrometer
bis 4 Mikrometer.
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Der
Ausführungsmodus
des Elementarfilters, das auf der 3 als schematische
Draufsicht dargestellt ist, unterscheidet sich von demjenigen der 2 durch
die Tatsache, daß er
zwei Eingangselektroden 24 und 26 anstelle einer
einzigen umfaßt.
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Wie
zu sehen ist, haben diese beiden Eingangselektroden Enden deutlich
auf der Kante der Bohrung 14 auf deren einen Seite, während die
Ausgangselektrode 18 ein Ende an der Kante dieser Bohrung 14 hat,
deutlich entgegengesetzt von den jeweiligen Enden der Eingangselektroden 24 und 26.
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Die
letzteren erhalten beide das Signal Se, das gefiltert werden soll,
und sie bilden somit eine stärkere
Erregungsquelle für
den Nanoresonator als im Fall der 2, wo eine
einzige Eingangselektrode vorgesehen ist.
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Das
erfindungsgemäße Elementarfilter,
von dem die 4 eine schematische Draufsicht
darstellt, unterscheidet sich von demjenigen der 2 durch
die Tatsache, daß es
zwei Ausgangselektroden 28 und 30 anstelle einer
einzigen umfaßt.
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Die
jeweiligen Enden dieser beiden Ausgangselektroden befinden sich
auch an der Kante der Bohrung 14 und deutlich entgegengesetzt
vom Ende der Eingangselektrode 16, die sich ebenfalls auf
der Kante befindet, wie auf der 4 zu sehen
ist.
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Eine
dieser Ausgangselektroden 28 nimmt einen Teil des gefilterten
Signals Ss auf und führt
es wie vorher dem Verstärkungs-
und Verarbeitungskreis 22 zu, während die andere Ausgangselektrode 30 einen
Teil dieses gefilterten Signals Ss für eine Regelung des Filters
in geschlossener Schleife aufnimmt: Wie zu sehen ist, bildet diese
andere Ausgangselektrode 30 deutlich eine Schleife, die
mit der Eingangselektrode 16 verbunden ist.
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Diese
Regelung in geschlossener Schleife ermöglicht, die Steuerung des Filters
zu verbessern.
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Bei
einem besonderen nicht dargestellten Ausführungsmodus werden auch zwei
Ausgangselektroden benutzt, es gibt aber keine Regelung in geschlossener
Schleife: Diese zwei Elektroden sind beide mit einem Verstärkungs-
und Verarbeitungskreis des Ausgangssignals Ss verbunden.
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Zur
Erhöhung
des am Ausgang eines erfindungsgemäßen Bandpaßfilters verfügbaren Stroms ist
es vorzuziehen, daß dieses
Filter mehrere Elementarfilter umfaßt (die jeweils einen einzigen
Nanoresonator umfassen).
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Dies
wird auf der 5 dargestellt, die eine schematische
Schnittansicht eines erfindungsgemäßen Filters zeigt.
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Dieses
Filter umfaßt
auf dem Substrat 2 mehrere Makrospitzen 4 mit
jeweils darüberstehenden
Nanoträgern 6.
Diese Mikrospitzen und die entsprechenden Nanoträger sind auch mit der leitfähigen Schicht 8 metallisiert,
die sich auf dem Substrat 2 erstreckt, und die ein beliebiges
Potential V hat.
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Bei
einer Variante haben nicht alle Mikrospitzen das gleiche Potential:
Sie sind individuell gepolt oder in Gruppen verteilt, wobei die
Mikrospitzen einer gleichen Gruppe das gleiche Potential haben.
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Unter
Rückkehr
zur 5 ist jede Mikrospitze 4 in einer Austiefung
untergebracht, die in einer elektrisch isolierenden Schicht 10 gebildet
ist, die sich auf dem Substrat 2 über der Schicht 8 erstreckt, und
die Bohrungen 14 der isolierenden Schicht 10 sind
zu sehen, aus denen die Nanoträger 6 hervorstehen.
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Auf
der 5 sind drei Mikrospitzen 4 zu sehen,
in der Praxis ist es aber möglich,
auf diesem Substrat 2 mehrere Hundert Mikrospitzen und
also mehrere Hundert Elementarfilter zu bilden.
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Man
sieht auf der 5 eine Eingangselektrode 16 und
eine Ausgangselektrode 18 zu beiden Seiten jeder Mikrospitze.
Diese Elektroden sind senkrecht zur Ebene der 5 verlängert.
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Zur
Verbesserung der Funktion eines erfindungsgemäßen Filters und insbesondere
des Filters der 5 kann ein dichter Deckel 32 vorgesehen werden,
der dieses Filter umschließt.
Die (nicht dargestellte) Kante dieses Deckels ist auf der Kante
des Substrats 2 hermetisch versiegelt, auf dem dieses Filter
und die zugehörigen
elektronischen Schaltkreise gebildet worden waren. Ferner wird im
Raum 34 ein Vakuum geschaffen, der sich zwischen dem Deckel
und dem Substrat befindet. Nachfolgend wird die Herstellung eines
erfindungsgemäßen Filters
beschrieben.
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Es
wird mit der Bildung der Mikrospitze oder in der Praxis der Mikrospitzen
auf dem Substrat begonnen. Dann werden die Nanoträger gebildet.
Für die
Herstellung der Mikrospitzen wird zum Beispiel auf das nachstehende
Dokument verwiesen: Rakhshanderoo, M. R. und Pang, S. W., J. Vac.
Sci Technol. B 15(6) 2777 (1997).
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Diese
von der elektrisch isolierenden Schicht umgebenen Mikrospitzen,
sind von der Art derjenigen, die in den Feldemissionskathoden eingesetzt werden.
Bei dieser Erfindung macht die Erzielung der Nanoresonatoren jedoch
die Verdünnung
der jeweiligen Enden der Mikrospitzen für die Bildung der Nanoträger erforderlich.
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Nach
der Bildung der mit den entsprechenden Nanoträgern versehenen Mikrospitzen
werden diese Mikrospitzen und die Nanoträger metallisiert, und dann
wird auf dem somit metallisierten Substrat 2 die elektrisch
isolierende Schicht 10 oder die Opferschicht gebildet.
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Letztere
wird so geätzt,
daß die
Austiefungen und Bohrungen 14 an den einzelnen Mikrospitzen
erzielt werden.
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Zum
Beispiel in dem Fall, in dem die Opferschicht 12 aus Kieselerde
besteht, wird für
die Bildung dieser Austiefungen und Bohrungen eine ionische reaktive Ätzung durchgeführt.
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Dann
werden auf der somit geätzten
Schicht 12 die Elektroden 16 und 18 gebildet.
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Die 6 ist
eine schematische Draufsicht eines anderen erfindungsgemäßen Filters,
das viele identische Elementarfilter 36 und also viele
elektromechanische Elmentar-Nanoresonatoren umfaßt.
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Im
Beispiel der 6 haben alle diese Nanoresonatoren
die gleiche Resonanzfrequenz. Außerdem sind auf der 6 diverse
elektrisch leitenden Pfade 38 und 40 zu sehen,
die auf der Oberfläche
der isolierenden Schicht des Filters gebildet sind, um die einzelnen
dieses Filter bildenden Elementarfilter 36 zu verbinden.
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Es
ist zu sehen, daß das
Filter der 6 mehrere Reihen Elementarfilter
umfaßt
und in jeder Reihe sind alle Eingangselektroden 16 vermittels
eines leitenden Pfads 38 oder eines Eingangsleitpfads untereinander
verbunden.
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Ebenso
sind in jeder Reihe alle Ausgangselektroden vermittels eines anderen
leitenden Pfads 40 oder eines Ausgangsleitpfads untereinander
verbunden.
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Die
Eingangsleitpfade 38 sind untereinander sowie mit einem
leitenden Pfad 42 verbunden, der selbst mit einem Teil 44 eines
elektronischen Schaltkreises verbunden ist, der das elektrische
Signal Se abgeben soll, das gefiltert werden soll.
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Ebenso
sind die Ausgangsleitpfade 40 untereinander sowie mit einem
leitenden Pfad 46 verbunden, der selbst mit einem anderen
Teil 48 des elektronischen Schaltkreises verbunden ist,
der das gefilterte Signal Ss verstärken und verarbeiten soll.
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Die 7 ist
eine schematische Draufsicht eines anderen erfindungsgemäßen Filters,
das n Gruppen G1 bis Gn Elementarfilter mit n ≥ 2 umfaßt.
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Die
Nanoresonatoren jeder Gruppe haben alle die gleiche Resonanzfrequenz:
Die Nanoresonatoren der ersten Gruppe G1 haben somit eine gleiche Resonanzfrequenz
F1 und so weiter, und die n-te Gruppe Gn hat eine Resonanzfrequenz
Fn.
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Diese
Resonanzfrequenzen F1 bis Fn sind unterschiedlich.
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Im
Beispiel der 7 hat jede Gruppe die Konfiguration
aller Elementarfilter der 6.
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In
diesem Beispiel der 7 wird also in jeder Gruppe
die gleiche Anordnung mit leitenden Pfaden wie im Fall der 6 vorgefunden.
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Es
wird präzisiert,
daß die
Eingangsleitpfade 38 alle untereinander verbunden sind,
so daß sie
alle das elektrische Eingangssignal Se empfangen, das gefiltert
werden soll.
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Die
Ausgangsleitpfade 40 einer gleichen Gruppe sind untereinander
verbunden, um ein Ausgangssignal abzugeben: Die Gruppen G1 bis Gn
geben die Signale S1 bis Sn ab.
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Jede
Gruppe Elementarfilter bildet ein Bandpaßfilter, das nur Signale durchläßt, deren
Frequenzen auf einem vorbestimmten Frequenzband liegen, das für die erste
Gruppe G1 auf die Frequenz F1 zentriert ist und für die n-te
Gruppe Gn auf die Frequenz Fn.
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Dann
kann jedes Ausgangssignal durch einen elektronischen Schaltkreis
verarbeitet werden, der auf dem Substrat gebildet werden kann, auf
dem das Filter der 7 gebildet ist. Der elektronische Schaltkreis,
der das zu filternde Signal abgibt, kann auch auf diesem Substrat
gebildet werden.
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Für die Filter
der 6 und 7 kann eine Regelung in geschlossener
Schleife vorgesehen werden. Wie auf der 8 zu sehen
ist, reicht es dafür
aus, daß jedes
Elementarfilter 36 zwei Ausgangselektroden 28 und 30 anstelle
einer einzigen besitzt, wobei die Ausgangselektrode 28 mit
dem Ausgangspfad 40 verbunden ist, während die andere Ausgangselektrode 30 eine
Schleife bildet, um mit dem Eingangspfad 38 (und also mit
der Eingangselektrode 16) verbunden zu werden.
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Bei
einem besonderen Ausführungsmodus der
Erfindung wird das Metallisieren der Mikrospitzen und der zugehörigen Nanoträger vermittels
einer Schicht 9 aus einem magnetischen Metall (5) durchgeführt, zum
Beispiel die Eisen-Nickel-Legierung.
In diesem Fall wird bei der Herstellung des Filters das dieses Filter
tragende Substrat in ein starkes Magnetfeld plaziert, damit die
Metallisierungsschicht 9 magnetisiert wird.
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Bei
diesem besonderen Ausführungsmodus braucht
diese Metallisierungsschicht 9 nicht gepolt zu werden.
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Es
wird präzisiert,
daß das
von der somit magnetisierten Metallisierungsschicht 9 erzeugte
Magnetfeld H (5) deutlich senkrecht zur Ebene
des Substrats 2 steht, wie auf der 5 zu sehen
ist.
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Es
wird auf folgendes Dokument verwiesen: Géradin, M., Rixen, D., Théorie des
vibrations, éditions
Masson (1993).
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Es
ist nach diesem Dokument möglich
die Resonanzfrequenz F einer Nanostruktur in Form eines Trägers analytisch
zu berechnen, die im Vakuum erregt wird, das heißt unter Vernachlässigung
der durch die Luft bedingten Dämpfung,
was einem im Vakuum verkapselten Nanoresonator entspricht.
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Dieser
Resonanzfrequenz kann zum Beispiel im Fall (A) berechnet werden,
in dem die Nanostruktur in Form eines Trägers eine Länge 1 von 100 Nanometer hat
und einen Durchmesser d von 30 Nanometer, oder im Fall (B), wo diese Länge 100
Nanometer beträgt
und der Durchmesser 30 Nanometer entspricht.
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Nachstehend
die Gleichung, mit der die Resonanzfrequenz berechnet werden kann:
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Bei
dieser Gleichung stellt E das Young Modul dar, das in Pa ausgedrückt wird,
M stellt die Masse pro Längeneinheit
in kg/m ausgedrückt
dar, und I ist das Quadratmoment der Nanospitze in m4 ausgedrückt dar.
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In
den beiden obigen Fällen
bei einem Nanoträger
aus Silizium ist E gleich 1,9 × 1011 Pa, M ist 1,626 × 10–12 kg/m
und l ist gleich 3,976 × 10–32 m4.
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Der
Koeffizient μ hängt vom
Schwingungsmodus ab. Im Fall des ersten Schwingungsmodus, der ein
Biegemodus ist, ist μ gleich
1,875.
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Im
Fall (A) ist die Resonanzfrequenz gleich 1,206 × 10–13 Hz,
und im Fall (B) ist diese Frequenz gleich 4,238 × 108 Hz.
Es wird festgestellt, daß im
ungünstigsten
Fall und beim ersten Schwingungsmodus die Resonanzfrequenz über 4100
MHz liegt und also über
derjenigen, die mit dem früheren
technischen Stand erreicht wurde.
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Bei
diesen angeführten
Beispielen der Erfindung wurden die Mikrospitzen und die Nanoträger elektrisch
leitend gemacht, indem auf dem Substrat die Mikrospitzen und die
Nanoträger
mit einer Metallisierungsschicht gebildet wurden Der Rahmen der Erfindung
würde nicht
verlassen, wenn leitende Mikrospitzen gebildet würden, indem zum Beispiel das Silizium
auf einem Substrat stark gedopt würde, das durch eine isolierende
Oxidschicht isolierend gemacht wurde (was beherrscht wird, und insbesondere
bei der Herstellung von Schirmen mit Mikrospitzen), und indem dann
die Nanoträger
auf dem Gipfel der Mikrospitzen durch eine Technik mit reaktiver
ionischer Ätztechnik
gebildet würden.
Dann ist es nicht mehr notwendig, die Mikrospitzen und die Nanoträger zu metallisieren.