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Die
vorliegende Erfindung betrifft Vorrichtungen zum Überwachen
der Emissionswellenlänge
eines Lasers.
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Handelsübliche WDM
("Wavelength Division Multiplex") Übertragungssysteme,
wie etwa "dichte" WDM (DWDM) Systeme
stellen durch Verwendung eines Kanalabstands von 100 bis 50 GHz
eine hohe Übertragungskapazität bereit.
Wellenlängenüberwachung
und -steuerung in Echtzeit sind somit notwendig, um die für die optische
Quelle erforderliche Wellenlängenstabilität sicherzustellen.
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Eine
Reihe von dazu geeigneten Anordnungen werden z.B. in der
US-A-5 781 572 offenbart, nach der
der Oberbegriff von Anspruch 1 gebildet wurde.
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Zusätzlich zu
einem Laser, der die Strahlung emittiert, deren Wellenlänge zu steuern
ist, weisen derartige Anordnungen mindestens eine wellenlängenselektive
Optikkomponente, eine Vorrichtung (wie etwa ein Peltier-Element) zum Steuern
einer Temperatur der Laserdiode sowie eine Treiberschaltung zum
Ansteuern des Peltier-Elements auf. Die Strahlung von dem Laser
(die aus dem Hauptstrahlungsbündel
des Lasers abgeleitet wird) wird über zwei Wege geteilt. Wellenlängenselektive
Optikkomponenten werden in mindestens einem der beiden Lichtwege
angeordnet. Diese Komponenten sind optische Filter mit Spektraleigenschaften,
deren Transmissionsgrad sich als Funktion der Wellenlänge kontinuierlich ändert. Strahlung,
die durch die optischen Filter geht, wird anhand von Photodetektoren
erfasst. Das derart erzeugte Signal wird verwendet, um das Peltier-Element
anzusteuern.
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Eine
in etwa ähnliche
Anordnung wird in der
EP-A-0
284 908 und der entsprechenden
US-A-4 815 081 offenbart.
Dort wird eine Anordnung zum Steuern oder Regulieren der Emissionswellenlänge und
der emittierten optischen Leistung eines Halbleiterlasers offenbart,
die zum Einsatz bei einer integrierten Optik angepasst ist. Bei
dieser Anordnung sind der Laser, die Filtervorrichtung und erste
und zweite Photodetektoren (in Form von Photodioden) auf einem gemeinsamen
Substrat integriert. Die integrierte Filtervorrichtung umfasst ein
oder mehrere Bragg-Gitter, einen optischen Richtungskoppler oder
ein Interferenzfilter, die in den Ausbreitungsrichtungen der Leitungsleistung
in Reihe geschaltet sind. Die optischen Leistungen, die zu der integrierten
Filtervorrichtung und zu den ersten und zweiten Photodioden geleitet werden,
werden in jedem Fall in einem optischen Wellenleiter geführt, der
auf dem Substrat in Form eines Bandwellenleiters integriert ist.
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In
der
US-A-6 094 446 wird
eine Anordnung offenbart, bei der das von einer Laserdiode emittierte Licht
auf ein optisches Interferenzfilter gerichtet ist. Das durch das
Filter gehende Licht und das davon reflektierte Licht werden von
jeweiligen Photodioden erfasst.
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Ähnlich wird
bei der Anordnung, die in der
US-A-6 134 253 offenbart wird, ein optisches
Filter bereitgestellt, um die Laserstrahlung zu empfangen und um
die ersten und zweiten gefilterten Strahlen jeweils zu senden und
zu reflektieren. Die Strahlen werden gemäß jeweiligen ersten und zweiten
Spektralfilterfunktionen gefiltert, die mindestens eine Kreuzungswellenlänge kreuzen.
Eine Veränderung des
Einfallswinkels der Laserstrahlung auf das optische Filter verändert die
Spektralfunktion desselben, wodurch die Betriebswellenlänge des
Lasers gewählt oder
verändert
wird.
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Um
eine kompakte wellenlängenstabilisierte Laserquelle
anzufertigen, müssen
eine Reihe von Problemen berücksichtigt
werden.
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Z.B.
müssen
die wellenlängenselektiven
Teile unter optimalen bzw. nahezu optimalen Bedingungen betrieben
werden, und sollten bevorzugt temperaturgesteuert sein, um eine
temperaturabhängige Abweichung
ihres Wellenlängen-Haltepunktes
zu vermeiden.
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Um
mehr Leistung zu sammeln, muss die zu erfassende Strahlung im Allgemeinen
kollimiert werden, um durch die Verwendung einer Linse, die möglicherweise
eine aktive Ausrichtung benötigt,
wie von K. Anderson in "IEEE
Electronic Component and Technology Conference", 1999, S. 197 bis 200, besprochen,
einen Strahl mit geringer Abweichung zu ergeben.
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Die
oben stehend erwähnten
Anforderungen können
jedoch zu Anordnungen führen,
die übermäßig kompliziert
und teuer anzufertigen sind.
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Aufgabe
der vorliegenden Erfindung ist es, ein verbessertes System bereitzustellen,
das die Nachteile der zuvor betrachteten Lösungen nach dem Stand der Technik überwindet,
das kompakt ist und sich dazu eignet, in demselben Gehäuse mit
einer Laseremissionsquelle zusammen untergebracht zu werden, indem
Kopplungs-, Platzbedarf- und Verlustleistungsprobleme gelöst werden,
und dabei auch ein Feedback an die Wellenlängensteuerung effizient über den
gesamten Betriebstemperaturbereich der Laserquelle erfolgen kann.
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Die
EP-A-0 325 152 offenbart
einen Wellenlängenmultiplexer,
der eine Materialscheibe aufweist, die eine Filterschicht aufweist,
auf die ein ankommender Lichtstrahl auftrifft, der in einen reflektierten Strahl
mit einer ersten Wellenlänge
und einen gebrochenen Strahl mit einer zweiten Wellenlänge aufgeteilt
werden soll.
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Gemäß der vorliegenden
Erfindung wird ein Lasersystem bereitgestellt, das einen Laser,
der eine Strahlungskeule um eine Hauptemissionsachse emittiert,
und eine Vorrichtung zur Überwachung
der Emissionswellenlänge
desselben aufweist, wobei die Vorrichtung eine Materialscheibe aufweist,
die erste und zweite gegenüberliegende
Oberflächen
aufweist, und ein wellenlängenselektives
Filter aufweist, das der Strahlung ausgesetzt ist, um ein Ausgangssignal
zu erzeugen, das für
die Wellenlänge
der Strahlung indikativ ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Scheibe
eine Halbleiterscheibe ist, dass die erste Oberfläche angeordnet
ist, um der Strahlung in einem Winkel zu der Hauptemissionsachse
derart ausgesetzt zu sein, dass ein Teil der Strahlung auf der ersten
Oberfläche
in Winkeln in der Nähe
des Brewster-Winkels für
die erste Oberfläche
auftrifft, um in die Halbeiterscheibe zu der zweiten Oberfläche hin
gebrochen zu werden, und dass das wellenlängenselektive Filter an der
zweiten Oberfläche
angeordnet ist.
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Anordnungen
gemäß der vorliegenden
Erfindung bestehen aus einem Wellenlängen-Überwachungssystem, das auf
einem wellenlängenselektiven
Element basiert (typischerweise einem Interferenzfilter) zum Erfassen
eines Fehlersignals und geeignet zur Verwendung in einem Steuerungssystem, das
eine Temperaturrückmeldung
verwendet. Das optische Filter wird auf eine Si-Scheibe abgeschieden, die auf einer
Silizium-Optikbank (SiOB) angeordnet ist. Die Si-Scheibe bzw. die
Platte ist bevorzugt keilförmig
und ist in einer senkrechten Position angeordnet, wobei der Strahl
aus der Laserquelle in einem hohen Einfallswinkel darauf auftritt.
Die Position/Ausrichtung der Scheibe wird derart bestimmt, dass
das optische Signal über
zwei Wege aufgeteilt wird, die von zwei Photodetektoren gesammelt
werden. Einer dieser Wege geht durch die Si-Scheibe und das optische
Filter.
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Der
hohe Brechungsindex des Si (und die Form der Scheibe) kollimierten
diesen Strahl, wodurch die Leistungsübertragung optimiert wird.
Daher wird der Einfallswinkel bestimmt, um die Übertragung an den Luft-Si-
und Si-Luft-Schnittstellen
zu maximieren, indem in einem Brewster-Winkel gearbeitet wird, wodurch
der Einfallswinkel auf dem Interferenzfilter nahezu konstant ist
und sehr nahe bei 0° (normaler Einfall)
liegt.
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Die
SiOB-Plattform ist vollständig
kompatibel mit modernen Herstellungsverfahren und ermöglicht dabei
eine effiziente Temperatursteuerung des optischen Filters und vereinfacht
den Einbau der optischen Elemente. Insbesondere ist die Anordnung
der Erfindung ganz und gar kompatibel mit dem passiven Ausrichtungsvorgang
der Optik-Halterung, wodurch es zu geringeren Kosten kommt.
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Die
Erfindung soll nun nur beispielhaft mit Bezug auf die beiliegenden
Zeichnungen beschrieben werden, wobei
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1 die
allgemeine Anlage und Anordnung einer erfindungsgemäßen Vorrichtung
zeigt,
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2 eine
schematische Seitenansicht der in 1 gezeigten
Anordnung zeigt,
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3 eine
typische Winkelverteilung der von einer Laserquelle wie einer Laserdiode
emittierten Leistung zeigt, und
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4 bis 6 verschiedene
Diagramme sind, die das snelliussche Gesetz für diverse Schnittstellen zwischen
einem ersten Medium und einem zweiten Medium mit unterschiedlichen
Brechungsindexen zeigen.
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Bei
der Anordnung von 1 und 2 wird eine
Laserquelle 10, wie etwa ein Halbleiterlaser, zusammen
mit einem ersten Photodetektor 11 und einem zweiten Photodetektor 12 gezeigt.
Typischerweise bestehen die Photodetektoren 11 und 12 aus Photodioden,
die angepasst sind, um mit der Laserquelle 10 auf einer
insgesamt mit 13 bezeichneten gemeinsamen Silizium-Optikbank
(SiOB) integriert zu werden.
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Die
Bezugszahl 14 bezeichnet eine Siliziumscheibe bzw. eine
Siliziumplatte, die ebenfalls auf der Optikbank bzw. Plattform 13 integriert
ist und mit ersten und zweiten gegenüberliegenden Oberflächen versehen
ist, die mit 141 bzw. 142 bezeichnet werden.
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Die
Oberflächen 141 und 142 liegen
auf Ebenen, die im Allgemeinen bezüglich der Hauptebene der Optikbank 13 orthogonal
sind. Mit anderen Worten befindet sich die Siliziumscheibe bzw.
die Siliziumplatte 14 in einer "vertikalen" Position bezüglich der Optik-Bank 13.
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Die
Oberflächen 141 und 142 können entweder
parallel zueinander sein oder bevorzugt zueinander gewinkelt sein,
um ein Dieder zu bilden. Somit weist die Scheibe bzw. die Platte 14 mit
den Oberflächen 141 und 142,
die in einem gegebenen Winkel in der sich von der Laserquelle 10 entfernenden
Richtung aufeinander zu laufen, insgesamt eine sich verjüngende (d.h.
keilartige) Form auf.
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Der
Winkel der sich verjüngenden
Form der Scheibe bzw. der Platte 14 (d.h. der Winkel des
Dieders, das von den Ebenen gebildet wird, auf denen sich die Oberflächen 141 und 142 befinden)
spielt eine Rolle bei der Festlegung der Ausbreitungseigenschaften
der Strahlung durch die Scheibe 14, wie nachstehend besser
beschrieben wird.
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Die
Oberflächen 141 und 142 befinden
sich vorgeschaltet bzw. nachgeschaltet voneinander, in der Ausbreitungsrichtung
der Strahlung, die von der Laserquelle 10 emittiert wird.
Mit anderen Worten trifft die von der Laserquelle 10 emittierte
Strahlung zunächst
auf die Oberfläche 141,
um sich dann durch die Scheibe 14 in Richtung auf die Oberfläche 142 auszubreiten.
Somit wird die erste Oberfläche 141 der
Scheibe 14 der Strahlung aus dem Laser 10 ausgesetzt,
wenn sich keine fokussierende Einrichtung auf dem Ausbreitungsweg
der Strahlung zwischen dem Laser 10 und der ersten Oberfläche 14 zwischengeschaltet
befindet.
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Eine
derartige Strahlung besteht im Wesentlichen aus "optischer" bzw. "Licht-" Strahlung mit der Bedeutung, die diesen
Begriffen derzeit in der Faser- und integrierten Optik zugewiesen
wird, nämlich
dass Strahlung zusätzlich
zum sichtbaren Licht auch Infrarot- und Ultraviolett-Strahlung aufweist.
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Die
betreffende Strahlung ist in einer Strahlungskeule enthalten, die
von der hinteren Facette 10b des Lasers 10 emittiert
wird, wobei ein Hauptstrahlungsbündel
von einer vorderen Oberfläche bzw.
-facette 10a des Lasers 10 emittiert wird. Der Fachmann
wird leicht verstehen, dass die Vorrichtung der Erfindung alternativ
angeordnet werden kann, um mit optischer Strahlung zu funktionieren, die
von dem Hauptstrahlungsbündel
des Lasers 10 abgeleitet wird (z.B. durch Abtrennen aus
dem Hauptstrahlungsbündel
mittels eines Strahlteilers bekannter Art).
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Ein
optisches wellenlängenempfindliches
Interferenzfilter 15 (auf bekannte Art und Weise, z.B. aus
der aktuellen Interferenzfilter-Glastechnologie) wird auf der Oberfläche 142 bereitgestellt,
um von der optischen Strahlung durchquert zu werden, die sich durch
die Scheibe oder die Platte 14 ausgebreitet hat.
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Betreiben
der Anordnung der Erfindung stellt im Wesentlichen die Strahlung
bereit, die aus der Laserquelle 10 emittiert wird und teilweise
auf die erste Photodiode 11 (durch das wellenlängenempfindliche Interferenzfilter 15 hindurch)
und teilweise auf die zweite Photodiode 12 (dies geschieht üblicherweise mittels
einer direkten Ausbreitung in Luft) gerichtet ist.
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Am
Ausgang der Photodiode 11, wird somit auf einer Leitung 110 ein
Signal erzeugt, das indikativ für
die Wellenlänge
der Strahlung ist, die von der Quelle 10 emittiert wird.
Am Ausgang der Photodiode 12 wird auf einer Leitung 120 ein
anderes Signal erzeugt, das indikativ für die optische Leistung ist,
die mit der von der Laserquelle 10 emittierten Strahlung assoziiert
ist.
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Die
Signale auf den Leitungen 110 und 120 sind somit
dazu geeignet, um verarbeitet zu werden, um ein Steuersignal zu
erzeugen, das auf einer Leitung 102 zu einem Temperaturkonditionierungselement,
wie ein Peltier-Element 102, angewendet wird, um die Temperatur
der Laserquelle 10 zu steuern, um sicherzustellen, dass
die Wellenlänge
derselben konstant gehalten wird.
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Die
besagte Verarbeitung wird auf bekannte Art und Weise in einer Steuereinheit
ausgeführt,
die allgemein mit CU bezeichnet ist. Sie kann entweder auf derselben
Plattform 13 wie die Vorrichtung der Erfindung integriert
sein oder auf einem Träger,
wie etwa einem in der Nähe
befindlichen Halbleiterchip, angeordnet sein. Dies alles erfolgt
nach bekannten Prinzipien und Kriterien, so dass hier keine ausführliche
Beschreibung notwendig ist.
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Es
versteht sich jedoch, dass das Einbauen der diversen Elemente der
Anordnung der Erfindung auf derselben Optikbank 13 vorteilhaft
ist, dadurch dass das Element 102 auch eine Temperatursteuerung
der Scheibe oder Platte 14 sicherstellen kann. Somit ermöglicht es
die Anordnung der Erfindung, die von der Laserquelle 10 emittierte
Wellenlänge 10 mit einem
Genauigkeitsgrad (in Form von GHz/°C thermischer Drift) zu stabilisieren,
der im Wesentlichen von der Temperaturstabilität des Interferenzfilters 15 vorgegeben
wird.
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Das
Diagramm von 3 zeigt eine typische Winkelverteilung
der optischen Leistungsdichte in der Hauptstrahlungskeule, die von
einer Laserquelle emittiert wird, wie etwa von der Quelle 10.
Eine derartige Verteilung kann im Wesentlichen einer Gauß'schen Verteilung
gleichgesetzt werden mit Werten, die für Winkel von weniger als –90° und mehr als
90° im Bezug
zur mittleren Hauptrichtung der Ausbreitung praktisch auf Null zurückgehen.
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Bei
der in 1 gezeigten Anordnung sind die Photodiode 12 und
die Scheibe 14 derart angeordnet, dass sie der Strahlung
ausgesetzt sind, die von der Laserquelle 10 emittiert wird,
und in jeweiligen Abschnitten ihrer Winkelverteilung enthalten sind.
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Typischerweise
wird die Position der Photodiode 12 derart gewählt, dass
sie sicherstellt, dass eine ausreichende Leistungsmenge gesammelt
wird, um eine richtige Messung der von der Laserquelle 10 emittierten
optischen Leistung zu ermöglichen.
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Dies
kann man erreichen, indem man z.B. eine Leistungsmenge von etwa
2 % einer derartigen Leistung verwendet.
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Bei
Versuchen, die von der Anmelderin ausgeführt wurden, wurde die wirksame
Oberfläche
der Photodiode 12 einer Strahlung in der Keule ausgesetzt,
die von einer Laserquelle 10 emittiert wurde und zwischen –6,8° und –22,3° lag (mit
Bezug auf die in 3 gezeigte Winkelleistungsdichteverteilung), wobei
die derart von der aktiven Oberfläche der Photodiode 12 gesammelte
Leistung ungefähr
2,4 % der von der Laserquelle 10 emittierten Leistung betrug.
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Im
Gegensatz dazu wird die Stellung und – treffender – die Orientierung
der Scheibe 14 derart gewählt, dass die von der Laserquelle 10 emittierte Strahlung
in Winkeln in der Nähe
des Brewster-Winkels für
die Schnittstelle zwischen Luft (z.B. dem Medium, durch das sich
die Strahlung zwischen der Quelle 10 und der Oberfläche 41 ausbreitet)
und Silizium (d.h. dem Material, welches die Scheibe oder Platte 14 aufweist)
auf die Oberfläche 141 auftrifft.
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Für den besonderen
Fall von Luft (deren Brechungsindex im Wesentlichen 1 ist)
und Silizium (mit einem Brechungsindex von 3,5) liegt der Wert eines derartigen
Winkels bei etwa 74° (insbesondere 74,0546
Grad).
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Die
Strahlung aus der Laserquelle 10, die auf die Oberfläche 141 in
Winkeln in der Nähe
des Brewster-Winkels auftrifft, bedeutet, dass eine derartige optische
Strahlung tatsächlich
von der Scheibe 14 "eingefangen" wird, und somit
dazu veranlasst wird, sich durch die Scheibe oder Platte 14 auf
die Oberfläche 142 hin
durch das Interferenzfilter 15 und auf die Photodiode 11 hin
auszubreiten.
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Die
Diagramme aus 4 bis 6 (snelliussche
Gesetz für
verschiedene Schnittstellen) geben die Beziehungen zwischen den
Winkeln (mit Bezug auf die zu der betreffenden Schnittstelle normale Richtung)
der ankommenden oder auftreffenden Strahlung (X-Achsen) und den
Winkeln (wiederum mit Bezug auf die zu der Schnittstelle senkrechten Richtung)
der übertragenen
Strahlung (Y-Achsen) an.
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Insbesondere
bezieht sich das Diagramm von 4 auf die
Schnittstelle zwischen Luft (Brechungsindex für die ankommende Strahlung
Ni = 1) und Silizium (Brechungsindex für die übertragene Strahlung Nt = 3,5).
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Das
Diagramm von 5 zeigt die Beziehung im Falle
einer Schnittstelle zwischen Glas (Ni = 1,9) und Silizium (Nt =
3,5).
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Schließlich zeigt
das Diagramm von 6 die Beziehung im Falle der
Schnittstelle zwischen Luft (Ni = 1) und Glas (Nt = 1,9). Es versteht
sich, dass die Diagramme von 4 bis 6 bei
Austauschen der X- und
Y-Achsen in einer komplementären Weise
gelten. Es versteht sich ebenfalls, dass Glas (Ni oder Nt = 1,9)
das Material ist, das derzeit verwendet wird, um wellenlängenselektive
Filter, wie das Filter 15, anzufertigen.
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Das
Diagramm von 4 zeigt, dass der Bereich der
Winkeländerung
(d.h. der Winkelaufweitung) der Strahlung, die von der Quelle 10 kommt
und auf die Oberfläche 141 auftrifft,
wesentlich reduziert wird, sobald diese Strahlung von der Scheibe 14 "eingefangen" wird und dazu gebracht
wird, sich durch diese zu verbreiten. Die Scheibe 14 führt somit
zu einer Art fokussierendem Effekt der Strahlung.
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Insbesondere
wurden von der Anmelderin Versuche durchgeführt unter Verwendung einer
ersten Scheibe 14 mit einem Verjüngungswinkel von 13° (d.h. einem Öffnungswinkel
der Keilform) sowie mit einer zweiten Scheibe 14 mit einem
Verjüngungswinkel
von 15°.
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Die
Scheibe 14 wurde derart angeordnet, dass die Oberfläche 141 Strahlung
in der Strahlungskeule sammeln mag, die von der Quelle 10 emittiert wird,
die in dem Winkelbereich zwischen –9,9° und 2,6° in dem Diagramm von 2 liegt.
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Eine
Orientierung der ersten Scheibe (13°-Verjüngung) mit dem Filter 15 (in
der Praxis Oberfläche 142)
in einem Winkel von 40° im
Verhältnis
zur Hauptachse der Strahlpropagation (0° im Diagramm von 2)
führte
zu Einfallswinkeln der Strahlung auf der Oberfläche 141 zwischen 69
und 52,1° (in
der Praxis 50°).
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Umgekehrt
führte
eine Anordnung der zweiten Scheibe 14 (15°-Verjüngung) mit
dem Filter 15 (Oberfläche 142)
in einem Winkel von 34° im
Bezug zur Hauptrichtung der Strahlpropagation (0° im Schema von 2)
zu Einfallswinkeln der Strahlung auf der Oberfläche 141 zwischen 73
(in der Praxis 75) und 61°.
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In
beiden Fällen
war die "Divergenz" des Strahlungsbündels, das
an der Oberfläche 142 auf das
Filter 15 traf, wesentlich geringer. Insbesondere lag in
dem ersten oben betrachteten Fall (Scheibe mit 13°-Verjüngung und
40°-Filterneigung)
der Einfallswinkel der Strahlung auf dem Filter 15 zwischen
0,77 und 0,4° (für Silizium)
und zwischen 2,7 und 1,4° (für Luft/Ausgangsstrahl).
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Im
zweiten betrachteten Fall (Scheibe mit 15°-Verjüngung und 34°-Filterneigung) lag
der Einfallswinkel der Strahlung auf dem Filter 15 zwischen 0,86
und 0,54° (wieder
für Silizium)
und zwischen 3,0 und 1,9° (für Luft/Ausgangsstrahl).
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Bei
den beiden betrachteten Fällen
betrug die Leistungsmenge an der Photodiode 11 1,84 bzw. 1,94
% Die betrachteten Anordnungen und Ergebnisse beziehen sich auf
die Strahlung, die von der Quelle 10 emittiert werden,
die in einer Richtung parallel zu den betrachteten Schnittstellen
polarisiert wird.
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Es
versteht sich ebenfalls, dass die Einfallswinkel auf dem Filter 15,
die vorstehend angegeben wurden, zusätzlich zu der Tatsache, dass
sie einen Variationsbereich aufweisen, der viel kleiner ist als der
Variationsbereich der Einfallswinkel der Strahlung auf die Oberfläche 141,
sich alle in unmittelbarer Nähe
von 0° befinden,
was bedeutet, dass die optische Strahlung auf das Filter 15 in
einer dazu im Wesentlichen orthogonalen Richtung auftrifft, d.h.
unter optimalen Betriebsbedingungen für ein derartiges Filter.
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Weitere
Versuche, die von der Anmelderin ausgeführt wurden, zeigen, dass die
Anordnung der Erfindung gegenüber
Toleranzen bei der jeweiligen Anordnung der Laserquelle 10 und
der Scheibe oder Platte 14 sehr unempfindlich ist. Dies
gilt sowohl für den
Abstand zwischen Laser 10 und Scheibe oder Platte 14 als
auch für Änderungen
des Winkels zwischen der Oberfläche 141 und
der Hauptausbreitungsrichtung der von der Laserquelle 10 emittierten Strahlung.
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Bei
einer besonders bevorzugten Ausführungsform
liegt der Abstand zwischen der Laserquelle 10 und der Photodiode 11 (wobei
die Platte oder die Scheibe 14 dazwischen angeordnet ist)
bei ungefähr
800 Mikrometern. Der Abstand zwischen der Laserquelle 10 und
der Photodiode 12 (ohne dazwischen gesetzte Elemente) beträgt ungefähr 700 Mikrometer.
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Natürlich können sich
bei gleich bleibendem Prinzip der Erfindung die Konstruktionseinzelheiten und
die Ausführungsformen
der Erfindung im Bezug zu dem, was nur beispielhaft beschrieben
und abgebildet wurde, stark verändern,
ohne den Umfang der vorliegenden Erfindung zu verlassen. Die Oberfläche 141 kann
z.B. derart ausgestaltet werden, dass sie leicht konvex ist, um
zu einer zusätzlichen
fokussierenden Wirkung auf die Strahlung zu führen, die sich durch die Scheibe
oder Platte 14 ausbreitet.
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Ebenso
kann jeder Bereich bzw. Vorrichtungswert, der hier angegeben wird,
erweitert oder geändert
werden, ohne die angestrebten Wirkungen zu verlieren, wie es für den Fachmann
für das
Verständnis
der vorliegenden Lehren hervorgehen wird.