JP2002344078A - レーザーの放射波長を監視するための装置 - Google Patents
レーザーの放射波長を監視するための装置Info
- Publication number
- JP2002344078A JP2002344078A JP2002129643A JP2002129643A JP2002344078A JP 2002344078 A JP2002344078 A JP 2002344078A JP 2002129643 A JP2002129643 A JP 2002129643A JP 2002129643 A JP2002129643 A JP 2002129643A JP 2002344078 A JP2002344078 A JP 2002344078A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- slice
- wavelength
- laser
- angle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 89
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 21
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 abstract description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 36
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 101100321669 Fagopyrum esculentum FA02 gene Proteins 0.000 description 1
- 241000405217 Viola <butterfly> Species 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/0687—Stabilising the frequency of the laser
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J9/00—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J9/00—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength
- G01J9/02—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength by interferometric methods
- G01J9/0246—Measuring optical wavelength
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
置は、第一及び第二の対向する面(141、142)を有する半
導体スライス又はスラフ゛(14)を含む。半導体スライス(14)は、前
記放射線の一部が、前記第一の面(141)に対してフ゛ルースター
角に近い角度で前記第一の面(141)へと入射するような
角度で放射線にされされる。従って、放射線は前記半導
体スライス(14)中へと屈折し、前記半導体スライス(14)の第二の
面(142)の方へ伝搬される。波長選択フィルタ(15)
は、関連する光検出器(11)を有する前記第二の面(142)
に配置され、光検出器(11)は、放射線の波長を表す信号
(110)を生成する。
Description
を監視するための装置に関する。
WDM)システムのような市販のWDM(Wavelength D
ivision Multiplex)伝送システムは、100〜50G
Hzのチャネル間隔を用いることにより大容量伝送を提
供する。従って、光源に要求される波長の安定性を保証
するために、波長をリアルタイムで監視して制御するこ
とが必要である。
り、その1つは、例えば米国特許第5,781,572
号に開示され、本願請求項1の前文の部分はこれに基づ
いて構築されている。
ザーに加えて、このような構成は少なくとも1つの波長
選択光学部品と、レーザーダイオードの温度を制御する
ための装置(ペルチエ素子など)と、並びにペルチエ素
子を駆動するための駆動回路を含む。レーザーからの放
射線(レーザーの主放射ビームから得られる)は、2つ
の光路に分割される。波長選択光学部品は、2つの光路
のうちの少なくとも一方に配置される。これらの部品
は、透過率を波長の関数として連続的に変化させるスペ
クトル特性を有する光フィルタである。光フィルタを通
過した放射線は、光検出器により検出される。このよう
に生成された信号はペルチエ素子の駆動に用いられる。
84,908号及びこれに対応する米国特許第4,81
5,081号に開示されている。この特許では、半導体
レーザーの放射波長及び放射される光パワーを制御又は
調整するための、集積光学の実施に適した構成が開示さ
れている。この構成においては、レーザー、フィルタ装
置、及び第一と第二の光検出器(フォトダイオードの形
態をなす)が共通の基板上で集積化されている。集積化
されたフィルタ装置は、1つ以上のブラググレーティン
グと、伝導パワー(conductor power)の伝搬方向に直
列に配置された光方向性結合器又は干渉フィルタとから
なる。集積化フィルタ装置へ、及び第一及び第二のフォ
トダイオードへと伝えられる光パワーは、ストリップ導
波路の形態で基板上に集積化された光導波路の各々によ
って導かれる。
ーザーダイオードにより放射された光を光干渉フィルタ
へ方向付ける構成が開示されている。フィルタを通過す
る光及びフィルタから反射された光は、それぞれのフォ
トダイオードにより検出される。
に開示された構成においても、レーザーの放射線を受光
し、それぞれ第一と第二のフィルタリングされた光線を
透過及び反射するための光フィルタが設けられている。
光線は、それぞれの第一及び第二のスペクトルフィルタ
関数に従ってフィルタリングされ、これらのフィルタ関
数は、少なくとも1つの交差波長で交差している。光フ
ィルタへのレーザー放射線の入射角を変化させると、そ
のスペクトル関数も変化し、かくしてレーザーの動作波
長が選択される、又は変化されることになる。
州特許第0,818,859号(米国特許第5,82
5,792号)に開示されている。
ためには、複数の問題を考慮しなければならない。
近い条件下で動作されなければならず、好適には、温度
による波長ロックポイントのドリフトを回避するために
温度が制御されなければならない。
されるべき放射線が広がりの小さい光線を生じるために
レンズを用いることにより概して平行化されることが必
要であり、場合によっては、K.Andersonが開示した(I
EEE Electronic Component and Technology Conferenc
e、1999,p.197-200)ような能動的アライメントを必
要とする。
は、構成が余りにも複雑となり、製造コストも高くなる
という結果になる。
の問題、スペースの問題及び電力損失の問題を克服する
と共にレーザー光源の動作温度範囲全体にわたって効果
的に行われる波長制御に対するフィードバックを可能に
することにより、上記で考察された従来技術の解決策の
欠点を克服した、小型でレーザー光源と同じパッケージ
内に一緒に実装されるように適合された改良システムを
提供することである。
題は請求項に記載の更なる特徴を有する装置により達成
される。
バックを用いたコントロールシステムでの使用に適合し
た波長監視システムからなり、この波長監視システムは
エラー信号を検出するための波長選択素子(代表的には
干渉フィルタ)を核としている。光フィルタは、シリコ
ンオプチカルベンチ(Silicon Optical Bench:SiO
B)上に配置されたSiスライス上に置かれる(deposi
ted)。Siスライス又はスラブは、好適にはくさび形
の形状を有し、大きい入射角で当たるレーザー光源から
の光線と垂直な位置に配置される。スライスの位置/配
向は光信号を2つの光路へと分割するように決定され、
これらの2つの光路は2つの光検出器により集光され
る。これらの光路のうちの一方がSiスライス及び光フ
ィルタを通過する。
により、この光線は平行化され、かくしてパワー伝達が
最適化される。従って、入射角は、空気・Si界面及び
Si・空気界面における透過を最大に(ブルースター角
においてそうなる)するように決定され、これにより干
渉フィルタに対する入射角は、ほぼ一定であり、0°
(直角入射)にごく近いものとなる。
ロセスに完全に適合すると共に、光フィルタの効率的な
温度制御を可能にし、光学素子の実装を容易にする。具
体的には、本発明の構成は、光学マウントの受動的なア
ライメントプロセスと完全に適合し、このことは低コス
ト化を意味する。
なる例示のために説明される。
導体レーザー等のレーザー光源10が、第一の光検出器
11及び第二の光検出器12と共に示される。光検出器
11及び12は代表的には、全体的に符号13で示され
る共通のシリコンオプチカルベンチ(SiOB)上に、
レーザー光源10と共に集積化されるように適合したフ
ォトダイオードにより構成される。
ットフォーム13上に集積化されたシリコンスライス又
はスラブを指しており、スライスにはそれぞれ、符号1
41及び142で示される第一及び第二の対向する面が
設けられている。
13の平面に対してほぼ直角である平面に位置する。言
い替えれば、シリコンスライス又はスラブ14はオプチ
カルベンチ13に対して「垂直」な位置にある。
形(dihedron)を形成するために、互いに対して平行で
あっても良いが、互いに対してある角度を有する方が好
ましい。従って、面141及び142はレーザー光源1
0から離れる方向に所定の角度で互いの方へ近寄ってお
り、スライス又はスラブ14は全体として先細りの形状
(すなわち、くさび形)である。
度(すなわち、面141及び142が配置される平面に
より画定される二面角)は、以下に詳細に説明されるよ
うに、スライス14を通る放射線の伝搬特性を規定する
役割を果たす。
光源10から発せられた放射線の伝搬方向において、互
いに対して上流及び下流に配置される。言い換えれば、
レーザー光源10から発せられた放射線は、始めに面1
41へと入射し、スライス14の中を通って面142の
方へ伝搬する。従って、スライス14の第一の面141
は、レーザー10と第一の面141との間の放射線の伝
搬経路中に何等の集束手段も介在しない状態で、レーザ
ー10からの放射線にさらされる。
イバ及び集積光学の分野において定義される意味での
「光学的」放射又は「光」放射から構成され、換言すれ
ば、放射は可視光に加えて赤外線及び紫外線放射も含ん
でいる。
から放射される放射線ローブ中に含まれており、主要放
射ビームはレーザー10の前面またはファセット10a
から放射されている。代案として、当業者には明らかで
あるように、本発明の装置は、レーザー10の主要放射
ビームから得られた光学的放射に作用するように構成さ
れてもよい(例えば、既知の種類のビームスプリッタを
用いて主要放射ビームから分割することによって)。
って伝搬することによって通過させられるために、面1
42上には波長感応型の光干渉フィルタ15が(既知の
態様で、例えば現在の干渉フィルタガラス技術により)
設けられる。
0から発せられた放射線の一部を(波長感応型の干渉フ
ィルタ15を介して)第一のフォトダイオード11へと
向け、また一部を(通常は空気中を通る直接伝搬によ
り)第二のフォトダイオード12へと向けるように作用
する。
110に、光源10により発せられた放射線の波長を示
す信号が生成される。フォトダイオード12の出力にお
いて、線120に、レーザー光源10により発せられた
放射線に関連する光パワーを示すもう1つの信号が生成
される。
ルチエ素子101等の温度調整素子へ線102で印加さ
れるべき制御信号を生成するように処理されるように適
合され、レーザー光源10の温度を制御し、その波長が
確実に一定に保たれるようにする。
御ユニットにおいて、既知の態様で実施される。CU
は、本発明の装置の同じプラットフォーム13上に一体
化されても、或いは近くに配置される半導体チップ等の
支持体に配置されても良い。上述した処理は全て、既知
の原理及び基準に従って行われ、従ってその詳細説明は
省略する。
の構成の様々な構成要素を同じオプチカルベンチ13上
に取り付けることは、素子101がスライス又はスラブ
14の温度制御も確実にできるという点で、有利であ
る。従って、本発明の構成は、基本的に干渉フィルタ1
5の温度安定性によって左右されるレーザー光源10に
より発せられた放射線の波長をある程度の精度(GHz
/℃の熱ドリフト)でもって安定化させることができ
る。
ー光源により発せられた放射線のメインローブにおける
光パワー密度の代表的な角度分布を示す。基本的にこの
ような分布は、主中心伝搬方向に対して−90°よりも
小さく、90°よりも大きい角度において、実質的にゼ
ロへと降下する値を持つガウス分布と同等とみなされ得
る。
ード12及びスライス14がレーザー光源10から発せ
られた放射線にさらされるように、及びその角度分布の
それぞれの部分に入れられるように配置される。
レーザー光源10により放射された光パワーの正確な測
定を可能にするために、十分な量のパワーを確実に集め
られるように選択される。
ワー量を用いることにより達成され得る。
トダイオード12の活性面がレーザー光源10により発
せられたローブの放射線にさらされ、(図3に示された
パワー密度の角度分布を参照することにより)−6.8
°から−22.3°の範囲中に含まれるようにしたが、
この場合フォトダイオード12の活性面により集められ
たパワーは、レーザー光源10により放射されたパワー
の約2.4%であった。
その配向)は、レーザー光源10から発せられた放射線
が空気(例えば光源10と面141との間で放射線を伝
える媒体)とシリコン(スライス又はスラブ14を構成
する材料)との界面に対してほぼブルースター角で面1
41に入射するように選択された。
(屈折率は3.5)の特定例において、このような角度
の値は約74°(より正確には74.0546°)であ
る。
へとブルースター角付近の角度で入射するということ
は、このような光学的放射が実際にスライス14により
「捕捉」され、ひいてはスライス又はスラブ14を通っ
て面142の方へ伝搬され、干渉フィルタ15を通って
フォトダイオード11の方へ伝搬されるということを意
味する。
スネルの法則)は、入ってくる又は入射する放射線の角
度(考察される界面に対する直交方向を基準とした角
度:x軸)と透過される放射線の角度(同様に考察され
る界面に対する直交方向を基準とした角度:y軸)との
関係を示す。
する放射線に対する屈折率:Ni=1)とシリコン(透
過した放射線に対する屈折率:Nt=3.5)の界面に
関する。
とシリコン(Nt=3.5)の界面の場合における関係
を示す。
1)とガラス(Nt=1.9)の界面の場合における関
係を示す。
は、x軸及びy軸を交換することにより相補的な態様で
適用することもできる。更に、理解されるように、ガラ
ス(Ni又はNt=1.9)は、フィルタ15のような
波長選択フィルタの製造に現在使用されている材料であ
る。
と入射する放射線がスライス14により「捕捉」され、
これを通じて伝播されれば、その放射線の角度のばらつ
き範囲(すなわち、角度的な広がり)が大幅に低減され
ることを示している。従って、スライス14は、一種の
放射線集束効果を生じる。
ー角(すなわち、くさび形状の開き角度(opening angl
e))を持つ第一のスライス14と、15°のテーパー
角を持つ第二のスライス14とを使用することによりテ
ストを実施した。
1が光源10により放射されるローブ中の−9.9°〜
2.6°の角度範囲に含まれる放射線を集光できるよう
に配置された。
る第一のスライス(テーパー角13°)を、光線の伝搬
方向の主軸(図2においては0°)に対して40°の角
度で向けた場合、面141への放射線の入射角度は69
°〜52.1°の範囲(実際には50°)となった。
第二のスライス14(テーパー角15°)を、光線の伝
搬方向の主軸(図2では0°)に対して34°の角度で
向けた場合、面141への放射線の入射角度は73°〜
61°の範囲(実際には75°)となった。
フィルタ15へと入射する放射線の「広がり」は、大幅
に小さかった。
(テーパー角が13°でフィルタの傾斜が40°のスラ
イス)においては、放射線のフィルタ15への入射角は
0.77°〜0.4°(シリコンを基準として)及び
2.7°〜1.4°(空気/出力ビームを基準として)
であった。
ルタの傾斜が34°のスライス)においては、放射線の
フィルタ15への入射角は0.86°〜0.54°(シ
リコンを基準として)及び3.0°〜1.9°(空気/
出力ビームを基準として)であった。
ダイオード11のパワー量はそれぞれ1.84%及び
1.94%であった。考察された構成及び結果は、光源
10により発せられた放射線を、考察された界面に対し
て平行な方向に偏光させる場合に関連する。
ィルタ15への入射角は、面141への放射線の入射角
のばらつき範囲よりも大幅に小さいばらつき範囲を持っ
ていることに加えて、全て0°に近い。これは、光学的
放射がこのようなフィルタの最適動作条件である、実質
的に直交する方向でフィルタ15に入射していることを
意味する。
は、本発明の構成がレーザー光源10及びスライス又は
スラブ14のそれぞれの構成における任意の許容誤差に
対して極めて影響を受けないことが示された。これは、
レーザー10とスライス又はスラブ14との間の距離、
及び面141とレーザー光源10により放射された放射
線の主要伝搬方向との間の角度におけるばらつきの両方
に当てはまる。
光源10とフォトダイオード11との間(これらの間に
はスラブ又はスライス14が配置されている)の距離
は、約800μmである。レーザー光源10とフォトダ
イオード12との間(これらの間には何も介在しない)
の距離は、約700μmである。
ある限り、本発明の構造及び実施形態の細部は、本発明
の範囲から逸脱することなく、単なる例示のために説明
及び図示された実施形態に対して大幅に変更できる。例
えば、スライス又はスラブ14の中を通って伝搬される
放射線に対して更に集束する作用を生じるために、わず
かに凸面となるように面141を構成してもよい。
は明らかなように、本明細書に開示したいずれの値範囲
または素子値も、要求される効果を失うことなく拡張又
は変更することができる。
の組み合わせからなる例示的な実施形態を示す。 1.主放射軸を中心とする放射線のローブを発するレー
ザー(10)の放射波長を監視するための装置であって、
前記放射線にさらされて、前記放射線の波長を表す出力
信号(110)を生成(11)する波長選択フィルタ(15)
を含む、装置において、第一及び第二の対向する面(14
1、142)を有する半導体スライス(14)を含み、前記放
射線の一部が、前記第一の面(141)に対してブルース
ター角に近い角度で前記第一の面(141)へと入射し、
前記半導体スライス(14)中へと屈折して前記第二の面
(142)に向かうように、前記第一の面(141)が前記主
放射軸に対してある角度で前記放射線にさらされるよう
に適合され、前記波長選択フィルタ(15)が前記第二の
面(142)に配置されていることを特徴とする装置。 2.前記第一及び第二の対向する面(141、142)が、互
いに対して平行であることを特徴とする、上記1に記載
の装置。 3.前記第一及び第二の対向する面(141、142)が、互
いに対してある角度を持っており、これにより前記半導
体スライス(14)が概して先細りの、個々の開き角度を
持つくさび様の形状を有することを特徴とする、上記1
に記載の装置。 4.前記放射線の一部が前記第二の面(142)に対して
実質的に直交する方向に屈折されるように、前記半導体
スライス(14)が前記主放射軸に対して配置されるよう
に適合されていることを特徴とする、上記2又は3に記
載の装置。 5.前記開き角度は、前記放射線の一部が前記第二の面
(142)に対して実質的に直交する方向に屈折されるよ
うに選択されることを特徴とする、上記3に記載の装
置。 6.前記半導体スライス(14)の前記第一の面(141)
が、前記レーザー(10)と前記第一の面(141)との間
の前記放射線の伝搬経路中に何等の集束手段も介在しな
い状態で前記レーザー(10)からの放射にさらされるよ
うに適合されていることを特徴とする、上記1〜5のい
ずれかに記載の装置。 7.前記スライス(14)の半導体材料の屈折率が、1よ
りも大きいことを特徴とする、上記1〜6のいずれかに
記載の装置。 8.前記スライス(14)の半導体材料の屈折率が、約
3.5であることを特徴とする、上記7に記載の装置。 9.前記スライス(14)の半導体材料がシリコンである
ことを特徴とする、上記1に記載の装置。 10.前記半導体スライス(14)は、前記放射線が前記
第一の面(141)へ50°〜75°の角度で入射するよ
うに前記第一の面(141)と共に配置されていることを
特徴とする、上記1〜9のいずれかに記載の装置。 11.前記放射線が、前記レーザー(10)と前記第一の
面(141)との間において、約1程度の屈折率を有する
媒体中に伝搬されることを特徴とする、上記1〜10の
いずれかに記載の装置。 12.前記放射線が、前記レーザー(10)と前記第一の
面(141)との間において、空気中に伝搬されることを
特徴とする、上記1〜11のいずれかに記載の装置。 13.前記くさび形状の半導体スライス(14)の前記開
き角度が、13°〜15°程度であることを特徴とす
る、上記3に記載の装置。 14.前記ローブ中の前記放射線が所定の方向に偏光さ
れており、前記半導体スライス(14)の前記第一の面
(141)が前記所定の方向に伸びていることを特徴とす
る、上記1〜13のいずれかに記載の装置。 15.前記ローブの放射線が、前記レーザー(10)の背
面のファセットから生成されることを特徴とする、上記
1に記載の装置。 16.入射する前記放射線の強度を表す更なる信号を生
成するように適合された感光素子(12)を含み、前記半
導体スライス(14)の前記第一の面(141)及び前記感
光素子(12)が、前記ローブの角度的に隣接した領域中
で前記放射線にさらされるように適合されることによ
り、前記ローブの放射線の一部が前記半導体スライス
(14)へと入射し、また一部が前記感光素子(12)へと
入射することを特徴とする、上記1〜15のいずれかに
記載の装置。 17.前記波長選択フィルタ(15)が、それと共に関連
し、前記放射線の波長を表す前記出力信号を生成するよ
うに適合された個々の感光素子(11)を有することを特
徴とする、上記1〜16のいずれかに記載の装置。 18.前記感光素子(12)及び前記個々の感光素子(1
1)の出力信号に基づき、前記レーザー(10)の波長を
温度的に安定させるために制御される(CU)ように適
合された温度調節素子(101)を更に含むことを特徴と
する、上記16又は17に記載の装置。 19.前記半導体スライス(14)が前記温度調節素子
(101)の作用を受け、これにより前記レーザー(10)
の温度安定性が、主に前記半導体スライス(14)の温度
安定性により決定されることを特徴とする、上記18に
記載の装置。 20.前記温度調整素子がペルチエ素子(101)である
ことを特徴とする、上記18又は19に記載の装置。 21.共通のプラットフォーム(13)上で前記レーザー
(10)と一体化された構成を持つことを特徴とする、上
記1〜20のいずれかに記載の装置。 22.前記共通のプラットフォーム(13)がシリコンオ
プチカルベンチ(SiOB)のようなオプチカルベンチ
であることを特徴とする、上記21に記載の装置。
問題及び電力損失の問題を克服した波長監視監視システ
ムが提供される。また、小型でレーザー光源と同じパッ
ケージ中に一緒に実装されるように適合された波長監視
システムが提供される。さらに、本発明の構成は、光学
マウントの受動的なアライメントプロセスと完全に適合
するので、低コストを可能にする。
を示す図である。
せられたパワーの代表的な角度分布を示すグラフであ
る。
との間の様々な界面についてスネルの法則を示すグラフ
である。
との間の様々な界面についてスネルの法則を示すグラフ
である。
との間の様々な界面についてスネルの法則を示すグラフ
である。
Claims (1)
- 【請求項1】主放射軸を中心とする放射線のローブを発
するレーザー(10)の放射波長を監視するための装置で
あって、前記放射線にさらされて、前記放射線の波長を
表す出力信号(110)を生成(11)する波長選択フィル
タ(15)を含む、装置において、 第一及び第二の対向する面(141、142)を有する半導体
スライス(14)を含み、前記放射線の一部が、前記第一
の面(141)に対してブルースター角に近い角度で前記
第一の面(141)へと入射し、前記半導体スライス(1
4)中へと屈折して前記第二の面(142)に向かうよう
に、前記第一の面(141)が前記主放射軸に対してある
角度で前記放射線にさらされるように適合され、前記波
長選択フィルタ(15)が前記第二の面(142)に配置さ
れていることを特徴とする装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP01304026A EP1255097B1 (en) | 2001-05-02 | 2001-05-02 | A device for monitoring the emission wavelength of a laser |
EP01304026.6 | 2001-05-02 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002344078A true JP2002344078A (ja) | 2002-11-29 |
JP2002344078A5 JP2002344078A5 (ja) | 2005-09-29 |
JP4255646B2 JP4255646B2 (ja) | 2009-04-15 |
Family
ID=8181942
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002129643A Expired - Fee Related JP4255646B2 (ja) | 2001-05-02 | 2002-05-01 | レーザーの放射波長を監視するための装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6574253B2 (ja) |
EP (1) | EP1255097B1 (ja) |
JP (1) | JP4255646B2 (ja) |
DE (1) | DE60130193T2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114459618A (zh) * | 2021-12-10 | 2022-05-10 | 江苏师范大学 | 用于测量激光的斐索干涉波长计、光学设备 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1389812A1 (en) * | 2002-08-13 | 2004-02-18 | Agilent Technologies Inc | A mounting arrangement for high frequency electro-optical components |
US7817702B2 (en) | 2003-03-19 | 2010-10-19 | Binoptics Corporation | High SMSR unidirectional etched lasers and low back-reflection photonic device |
WO2010023442A2 (en) * | 2008-08-26 | 2010-03-04 | The University Court Of The University Of Glasgow | Uses of electromagnetic interference patterns |
US9160452B2 (en) * | 2012-12-29 | 2015-10-13 | Zephyr Photonics Inc. | Apparatus for modular implementation of multi-function active optical cables |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4081760A (en) * | 1976-06-03 | 1978-03-28 | Coherent, Inc. | Etalon laser mode selector |
DE3885134D1 (de) * | 1987-03-30 | 1993-12-02 | Siemens Ag | Anordnung zur Steuerung oder Regelung einer Emissionswellenlänge und emittierten Leistung eines Halbleiterlasers. |
JP3681447B2 (ja) * | 1995-10-25 | 2005-08-10 | 富士通株式会社 | 光波長安定化システム |
US5825792A (en) * | 1996-07-11 | 1998-10-20 | Northern Telecom Limited | Wavelength monitoring and control assembly for WDM optical transmission systems |
JP2989775B2 (ja) * | 1997-01-21 | 1999-12-13 | サンテック株式会社 | レーザ光源の波長安定化装置 |
US6134253A (en) * | 1998-02-19 | 2000-10-17 | Jds Uniphase Corporation | Method and apparatus for monitoring and control of laser emission wavelength |
FR2788605B1 (fr) * | 1999-01-20 | 2002-07-19 | Matra Marconi Space France | Separateur spectral et lidar doppler a detection directe en faisant application |
-
2001
- 2001-05-02 DE DE60130193T patent/DE60130193T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-05-02 EP EP01304026A patent/EP1255097B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-03-11 US US10/095,236 patent/US6574253B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-05-01 JP JP2002129643A patent/JP4255646B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114459618A (zh) * | 2021-12-10 | 2022-05-10 | 江苏师范大学 | 用于测量激光的斐索干涉波长计、光学设备 |
CN114459618B (zh) * | 2021-12-10 | 2023-07-18 | 江苏师范大学 | 用于测量激光的斐索干涉波长计、光学设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20020163943A1 (en) | 2002-11-07 |
DE60130193T2 (de) | 2008-05-15 |
JP4255646B2 (ja) | 2009-04-15 |
EP1255097A1 (en) | 2002-11-06 |
DE60130193D1 (de) | 2007-10-11 |
US6574253B2 (en) | 2003-06-03 |
EP1255097B1 (en) | 2007-08-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN112673274B (zh) | Lidar输出信号的导引中的相位控制 | |
JP4789619B2 (ja) | 光学装置および光学装置を組み込んだ光学アセンブリ | |
US7349602B2 (en) | Wavelength division multiplexer architecture | |
US20080069497A1 (en) | Optical waveguide tap monitor | |
US9612402B2 (en) | Integrated sub-wavelength grating system | |
US20100092128A1 (en) | Optical Transceiver module | |
CN112771793A (zh) | 用于硅光子插入器的cwdm复用器/解复用器设计的方法和系统 | |
JPH02261236A (ja) | 複数の波長の光のストレート受信装置 | |
JP2000353856A (ja) | 半導体レーザモジュ−ル | |
JP2002107580A (ja) | 光学装置 | |
JP3993409B2 (ja) | 光モジュール及びその製造方法 | |
US6512618B1 (en) | Broadcast optical communication system employing waveguide having grating normal to sources and detectors | |
US6999661B2 (en) | Configuration for coupling optical signals of at least one optical data channel into and/or out of an optical waveguide | |
JP4255646B2 (ja) | レーザーの放射波長を監視するための装置 | |
US7277611B1 (en) | Optical interconnect platform including Bragg diffractive gratings in a bulk material | |
JP2002016318A (ja) | 波長ロッカーモジュール | |
US6934086B2 (en) | Optical component and compact wavelength locking arrangement including such a component | |
JP4678666B2 (ja) | 波長安定化機構を備えた光伝送装置 | |
US20060062259A1 (en) | Optical wavelength control system and related method of assembly | |
JPS63244003A (ja) | 合分波器 | |
JP2004240215A (ja) | 光通信デバイスおよび光通信システム | |
EP1315259A1 (en) | Optical apparatus and method therefor | |
JP6822319B2 (ja) | 波長多重光送信モジュール | |
US7139447B1 (en) | Angular dispersion amplification method and apparatus for optical demultiplexing | |
JPH11305054A (ja) | 光導波路型信号光モニタデバイス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050425 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050425 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20070320 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090127 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090128 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120206 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120206 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130206 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130206 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140206 Year of fee payment: 5 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |