DE60023464T2 - Verfahren zur Herstellung integrierter chemischer Mikroreaktoren aus Halbleitermaterial sowie integrierter Mikroreaktor - Google Patents

Verfahren zur Herstellung integrierter chemischer Mikroreaktoren aus Halbleitermaterial sowie integrierter Mikroreaktor Download PDF

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Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung integrierter chemischer Mikroreaktoren aus Halbleitermaterial.
  • Wie bekannt ist, umfasst die Behandlung von einigen Flüssigkeiten eine zunehmend präzise Temperatursteuerung, insbesondere wenn chemische oder biochemische Reaktionen einbezogen sind. Weiterhin ist es häufig notwendig, sehr kleine Mengen an Flüssigkeit zu verwenden, da die Flüssigkeit teuer oder nicht immer ohne weiteres erhältlich ist.
  • Dies ist beispielsweise der Fall beim DNA-Amplifikationsverfahren (Polymerase-Kettenreaktionsverfahren oder PCR-Verfahren), worin exakte Temperatursteuerung in den verschiedenen Phasen (es ist notwendig, wiederholt vorbestimmte thermische Zyklen durchzuführen), der Bedarf, thermische Gradienten in Reaktionsbereichen der Flüssigkeit so weit wie möglich zu vermeiden (um eine gleichmäßige Temperatur in diesen Bereichen zu haben) und ebenfalls die Menge der verwendeten Flüssigkeit, (die sehr teuer ist), von ausschlaggebender Bedeutung zum Erhalt guter Reaktionseffizienz oder sogar zum Erhalt der Reaktion an sich ist.
  • Andere Beispiele der Behandlung von Flüssigkeiten mit den oben angegebenen Charakteristika sind beispielsweise verknüpfte chemische und/oder pharmakologische Analysen, biologische Tests etc.
  • Zur Zeit sind verschiedene Techniken erhältlich, die eine thermische Steuerung von chemischen oder biochemischen Reagenzien ermöglichen. Eine erste Technik verwendet einen Reaktor, einschließlich einer Glas- oder Kunststoffbasis, auf der eine biologische Flüssigkeit durch eine Pipette abgeschieden wird. Die Basis bleibt auf einer heißen Platte, bezeichnet als "Thermofutter", das durch externe Instrumente gesteuert wird.
  • Ein weiterer bekannter Reaktor umfasst eine Heizvorrichtung, die durch geeignete Instrumente gesteuert wird und auf der eine zu untersuchende biologische Flüssigkeit abgeschieden wird. Die Heizvorrichtung wird von einer Basis getragen, die ebenfalls einen in unmittelbarer Nachbarschaft zu der Heizvorrichtung angeordneten Sensor trägt, und ist ebenfalls mit den Instrumenten zur Temperaturregulierung verbunden, um exakte Steuerung der Temperatur zu ermöglichen.
  • Beide Reaktortypen werden häufig von einem Schutzgehäuse umschlossen.
  • Ein üblicher Nachteil der bekannten Reaktoren liegt in der großen thermischen Masse des Systems; und folglich sind sie langsam und haben hohen Stromverbrauch. Beispielsweise im Falle des oben erwähnten PCR-Verfahrens sind Zeiten in einer Größenordnung von 6 bis 8 Stunden erforderlich.
  • Ein weiterer Nachteil bekannter Lösungen ist mit der Tatsache verbunden, dass bei vorgegebenen makroskopischen Dimensionen der Reaktoren, diese in der Lage sind, nur relativ große Flüssigkeitsvolumina zu behandeln (d.h. Minimalvolumen in der Größenordnung von ml).
  • Die oben bezeichneten Nachteile resultieren in sehr hohen Behandlungskosten (im Falle des zuvor erwähnten PCR-Verfahrens können sich die Kosten auf mehrere 100 Dollar belaufen); zusätzlich beschränken sie den Anwendungsbereich von bekannten Reaktoren allein auf Testlaboratorien.
  • Um die oben erwähnten Nachteile zu überwinden, wurden vom Ende der 80iger Jahre an miniaturisierte Vorrichtungen verringerter thermischer Masse entwickelt, die eine Reduktion in den erforderlichen Zeiten zur Vervollständigung des DNA-Amplifikationsverfahrens erlauben.
  • Die erste dieser Vorrichtung ist im Artikel von M. A. Northrup, M. T. Ching, R. M. White und R. T. Watson beschrieben, "DNA amplification with a microfabricated reaction chamber", Proc. 1993 IEEE Int. Conf. Solid-State Sens. Actuators, S. 924–926, 1993, und umfasst eine in einem Substrat aus mikrokristallinem Silicium durch anisotropes Ätzen gebildete Höhlung. Der Boden der Höhlung umfasst eine dünne Siliciumnitridmembran, auf deren äußerer Kante Heizvorrichtungen aus polykristallinem Silicium vorliegen. Der obere Teil der Höhlung ist mit einer Glasschicht versiegelt. Dank deren geringer thermischer Masse kann diese Struktur mit einer Geschwindigkeit von 15°C/s mit Zykluszeiten von 1 Minute aufgeheizt werden. Mit dieser Vorrichtung ist es möglich, für ein Flüssigkeitsvolumen von 50 μl 20 Amplifikationszyklen mit Dauern, die etwa viermal kürzer sind, als jene, die für herkömmliche Thermokreisläufe erforderlich sind und mit beträchtlich geringerem Stromverbrauch durchzuführen.
  • Jedoch ist das beschriebene Verfahren kostspielig (wie andere, die gängigerweise auf Bindung der zwei Siliciumsubstrate basieren, die zuvor einem anisotropen Ätzen in KOH, TMAH oder anderen chemischen Lösungen unterzogen wurden, verwendete), hat hohe kritische Mengenverhältnisse und niedrige Produktivität und ist alles in allem nicht mit den üblichen Herstellungsschritten, die in der Mikroelektronik verwendet werden, kompatibel.
  • Andere neuere Lösungen umfassen Bilden eines Halbleitermaterials innerhalb eines ersten Wafers, verdeckte Kanäle, verbunden mit der Oberfläche über Einlass- und Auslassöffnungen bzw. Gräben, und innerhalb eines zweiten Wafers aus Halbleitermaterial gebildete Reservoirs durch anisotropes Ätzen und Verbinden der zwei Wafer.
  • Auch diese Lösung ist jedoch nachteilig darin, dass das Verfahren kostspielig ist, kritisch ist, niedrige Produktivität aufweist und die Verwendung einer Glasfritte zum Zusammenbinden der zwei Wafer erfordert.
  • Das Ziel der vorliegenden Erfindung ist daher, ein Verfahren bereitzustellen, das die Integration von Reservoirs in einer einzelnen integrierten Vorrichtung, die den chemischen Mikroreaktor einschließt, ermöglicht.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung eines chemischen Mikroreaktors zur Verfügung gestellt sowie ein damit erhaltener chemischer Mikroreaktor, wie jeweils in Anspruch 1 und Anspruch 9 definiert.
  • Für ein besseres Verständnis der vorliegenden Erfindung werden nun zwei bevorzugte Ausführungsformen hiervon anhand der beigefügten Zeichnungen beschrieben, einfach als nicht-begrenzende Beispiele, worin:
  • die 1 bis 5 Querschnitte durch einen Wafer eines Halbleitermaterials in aufeinander folgenden Herstellungsschritten eines Mikroreaktors gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung zeigen,
  • 6 eine Draufsicht des Wafers von 5 zeigt,
  • die 7 und 8 Querschnitte ähnlich zu jenen von 1 bis 5 in den letzten Herstellungsschritten zeigen und
  • die 9 bis 12 Querschnitte durch einen Wafer eines Halbleitermaterials in aufeinander folgenden Herstellungsschritten eines Mikroreaktors gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung zeigen.
  • 1 zeigt einen Wafer 1, umfassend einen Halbleiterkörper 2, typischerweise monokristallines Silicium, das verdeckte Kanäle 3 enthält, die sich parallel zu einer Oberfläche 4 des Halbleiterkörpers 2 erstrecken. Bevorzugt, wie in der Draufsicht in 6 durch gestrichelte Linien angegeben, erstreckt sich eine Vielzahl von verdeckten Kanälen 3, parallel zueinander in kurzen Abständen. In diesem Fall können die verdeckten Kanäle 3 einen etwa kreisförmigen oder rechteckigen Querschnitt aufweisen und sind in einem Abstand von 50 μm voneinander mit einer Tiefe von 20 bis 30 μm unter der Oberfläche 4 angeordnet. Wenn die verdeckten Kanäle 3 einen rechteckigen Querschnittsbereich aufweisen, haben sie einen Bereich von 30 μm × 200 μm und eine Länge von 10 mm, und der gesamte eingenommene Bereich durch die verdeckten Kanäle 3 beträgt 50 mm2. Alternativ ist es möglich, einen einzelnen Kanal etwa 10 mm lang, etwa 5 mm breit und etwa 2 μm hoch aufzuweisen. In beiden Fällen wird ein Gesamtvolumen von 1 mm3 (1 μl) erhalten.
  • Eine erste isolierende Schicht 5, beispielsweise ein Siliciumdioxid, erstreckt sich oben auf der Oberfläche 4 des Halbleiterkörpers 2 und bringt ein polykristallines Silicium-Heizelement 10 unter. Bevorzugt erstreckt sich das Heizelement 10 im wesentlichen über den durch die verdeckten Kanäle 3 eingenommenen Bereich, aber nicht über die longitudinalen Enden der verdeckten Kanäle 3, wo Einlass- und Auslassöffnungen der Kanäle 3 gebildet werden, wie nachfolgend beschrieben.
  • Kontaktregionen 11, beispielsweise aus Aluminium, erstrecken sich durch Öffnungen der ersten isolierenden Schicht 5 und sind in elektrischem Kontakt mit zwei entgegengesetzten Enden des Heizelements 10, um einen Durchtritt von elektrischem Strom durch das Heizelement 10 zu ermöglichen und den darunter liegenden Bereich zu erhitzen.
  • Eine Abtastelektrode 12, gebildet durch eine Mehrfachschicht, beispielsweise aus Aluminium, Titan, Nickel und Gold, in einer per se bekannten Art und Weise und somit im Detail nicht beschrie ben, erstreckt sich auf der ersten isolierenden Schicht 5, bezüglich der verdeckten Kanäle 3 lateral angehoben.
  • Eine zweite isolierende Schicht 13, beispielsweise aus TEOS(Tetraethylorthosilikat)-oxid erstreckt sich auf der ersten isolierenden Schicht 5 und hat eine Öffnung, durch die die Abtastelektrode 12 hervortritt.
  • Der Wafer 1 von 1 wird beispielsweise wie unten beschrieben erhalten. Anfänglich werden die verdeckten Kanäle 3 gebildet, bevorzugt gemäß der Lehre der europäischen Patentanmeldungen 99 830 206.1 vom 9. April 1999 (EP-A-1043770, veröffentlicht am 11. Oktober 2000) und 00 830 098.0 vom 11. Februar 2000 (EP-A-1123739, veröffentlicht am 16. August 2001), eingereicht für den vorliegenden Anmelder. Anfänglich wird ein Substrat aus monokristallinem Silicium zeitlich in TMAH geätzt, um die Kanäle 3 zu bilden. Dann werden die Kanäle 3 bevorzugt mit einem Material beschichtet, das epitaxialen Wuchs inhibiert und man lässt eine monokristalline Epitaxialschicht oben auf dem Substrat und auf den Kanälen wachsen. Die Epitaxialschicht schließt oben die verdeckten Kanäle 3 und bildet zusammen mit dem Substrat den Halbleiterkörper 2, indem, wenn so vorgesehen, elektronische Steuerkomponenten an den Seiten der verdeckten Kanäle integriert sein können.
  • Daraufhin und infolge hiervon werden die nachfolgenden Schritte durchgeführt: Der Bodenabschnitt der ersten isolierenden Schicht 5 wird auf der Oberfläche 4 abgeschieden; eine polykristalline Siliciumschicht wird abgeschieden und definiert, um das Heizelement 10 zu bilden; der obere Abschnitt der ersten isolierenden Schicht 5 wird gebildet; Öffnungen werden in der ersten isolierenden Schicht 5 hergestellt; eine Aluminiumschicht wird abgeschieden und definiert, um die Kontaktregionen 11 und die Bodenregion der Abtastelektrode 12 zu bilden. Die zweite isolierende Schicht 13 wird abgeschieden und dann von dem Bereich, der der Abtastelektrode 12 entspricht, entfernt; und als nächstes werden die die Abtastelektrode 12 bildenden Aluminium-, Titan-, Nickel- und Goldregionen gebildet.
  • Daraufhin (2) wird eine Schutzschicht 15 gebildet. Zu diesem Zweck kann eine Schicht aus positiven Standardresist abgeschieden werden, beispielsweise umfassend drei Komponenten, gebildet durch ein NOVOLAK-Harz, ein photosensitives Material oder "PAV" (photoaktive Verbindung) und ein Lösungsmittel, wie ein Ethylmethylketon und Milchsäure, normalerweise in der Mikroelektronik für die Definition von integrierten Strukturen verwendet. Alternativ kann ein anderes kompatibles Material verwendet werden, das definiert werden kann und in der Lage ist, sowohl dem Ätzen des Siliciums des Halbleiterkörpers 2 und des noch auf der Schutzschicht 15 abzuscheidenden Materials zu widerstehen, wie ein TEOS-Oxid, in welchem Fall die Schutzschicht 15 sich mit der zweiten Schutzschicht 13 vermischt.
  • Als nächstes (3) wird die Schutzschicht 15 definiert, und wo die Schutzschicht 15 entfernt wurde, werden die zweite isolierende Schicht 13 und die erste isolierende Schicht 5 geätzt. In dieser Art und Weise werden eine Einlassöffnung 16a und eine Auslassöffnung 16b erhalten, die sich bis zur Oberfläche 4 des Halbleiterkörpers 2 erstrecken und im allgemeinen mit den longitudinalen Enden der Kanäle 3 ausgerichtet sind. Die Einlassöffnung 16a und die Auslassöffnung 16b haben bevorzugt eine Länge von etwa 5 mm (in einer Richtung senkrecht zur Ebene der Zeichnung) und eine Weite von etwa 60 μm.
  • Eine Resistschicht 18 wird dann abgeschieden (4), wobei in den Beispielen der Resist als negativ veranschaulicht ist und eine thermische Leitfähigkeit zwischen 0,1 und 1,4 W/m°K und einen thermischen Expansionskoeffizienten TEC ≤ 50 ppm/°K aufweist, so wie das Material bekannt unter dem Namen "SU8" (Shell Upon 8), hergestellt von SOTEC MICROSYSTEMS. Beispielsweise weist die Resistschicht 18 eine Dicke zwischen 300 μm und 1 mm, bevorzugt 500 μm, auf.
  • Daraufhin (5) wird die Resistschicht 18 definiert, um ein Einlassreservoir 19 und ein Auslassreservoir 20 zu bilden. Insbesondere, und wie in der Draufsicht von 6, worin die Kanäle 3 durch gestrichelte Linien dargestellt sind, gezeigt, wird das Auslassreservoir 20 als eine Erweiterung der Auslassöffnung 16b gebildet (und ist daher mit den Enden der Kanälen 3 nahe der Abtastelektrode 12 verbunden) und deckt die Abtastelektrode 12 nicht ab. Das Einlassreservoir 19 wird stattdessen gebildet als eine Erweiterung der Einlassöffnung 16a und wird somit mit den entgegengesetzten Enden der Kanäle 3 verbunden. Bevorzugt haben die Reservoirs 19, 20 eine Länge (in einer Richtung senkrecht zur Ebene von 5) von etwa 6 mm; das Einlassreservoir 19 hat eine Breite (in einer horizontalen Richtung in 5) zwischen 300 μm und 1,5 mm, bevorzugt etwa 1 mm, um ein Volumen von mindestens 1 mm3 aufzuweisen, und das Auslassreservoir 20 hat eine Breite zwischen 1 und 4 mm, bevorzugt etwa 2,5 mm.
  • Als nächstes (7) werden unter Verwendung einer Maskierungsschicht der Resistschicht 18 und der Schutzschicht 15 Zugangsöffnungen bzw. Gräben 21a und 21b im Halbleiterkörper 2 durch Durchführen eines Grabenätzens gebildet. Insbesondere erstrecken sich die Zugangsöffnungen bzw. -gräben 21a und 21b ausgerichtet zu den Einlass- und Auslassöffnungen 16a, 16b von der Oberfläche 4 soweit wie die Kanäle 3, um die Kanäle 3 miteinander parallel zu verbinden, genauso wie das Einlassreservoir 19 und das Auslassreservoir 20.
  • Schließlich wird der belichtete Abschnitt der Schutzschicht 15 entfernt, um die Abtastelektrode 12 wieder zu belichten (8) und der Wafer 1 wird in Würfel geschnitten, um eine Vielzahl von Mikroreaktoren zu erhalten.
  • Gemäß einer anderen Ausführungsform werden die Einlass- und Auslassreservoirs in einer photosensitiven Trockenresistschicht gebildet. In diesem Fall können die Zugangsöffnungen bzw. -gräben vor Aufbringen der photosensitiven Trockenresistschicht hergestellt werden.
  • Gemäß einer Anwendung dieser Ausführungsform, worin Teile, die jenen der ersten Ausführungsform entsprechen, mit denselben Bezugszeichen angegeben sind, beginnt das Verfahren mit einem Wafer 1, wie in 2 gezeigt, umfassend den Halbleiterkörper 2, in dem die verdeckten Kanäle 3 bereits gebildet wurden. Die erste isolierende Schicht 5, das Heizelement 10, die Kontaktregionen 11, die Abtastelektrode 12, die zweite isolierende Schicht 13 und die Schutzschicht 15 werden ebenfalls auf dem Halbleiterkörper 2 gebildet.
  • Daraufhin (9) werden unter Verwendung einer speziellen maskierenden Schicht (nicht gezeigt) die Schutzschicht 15, die zweite isolierende Schicht 13, die erste isolierende Schicht 5 und der Halbleiterkörper 2 geätzt, um Einlassöffnungen 27a und Auslassöffnungen 27b an den Enden der verdeckten Kanäle 3 zu bilden. In der Praxis entspricht die Einlassöffnung 27a von 9 der Öffnung 16a und der Öffnung bzw. dem Graben 21a von 7 und die Auslassöffnung 27b von 9 entspricht der Öffnung 16b und der Öffnung bzw. dem Graben 21b von 7. Wenn erforderlich, kann der Wafer 1 planarisiert werden.
  • Daraufhin (10) wird eine Resistschicht 28 aufgebracht. Hier ist die Resistschicht 28 aus einem photosensitiven Trockenresist hergestellt, von dem Typ, der gängigerweise für gedruckte Schaltungen verwendet wird, worin der photosensitive Trockenresist, zugeführt in Walzen verschiedener Größen und Dicken, auf die mit einer Kupferschicht beschichtete Basis aufgebracht und dann laminiert und thermokomprimiert wird. Gemäß der Erfindung wird bevorzugt eine photosensitive Trockenresistschicht eines gegenteiligen Typs, bezogen auf die Schutzschicht 15 (hier negativ) mit einer Dicke zwischen 500 μm und 1 mm verwendet, die hergestellt wird, um an dem Wafer 1 durch Lamination bei einer Temperatur von 105 bis 118°C zu haften und gemäß dem externen Profil des Wafers 1 geschnitten wird.
  • Die Resistschicht 28 wird dann belichtet (unter Verwendung einer speziellen Maske), entwickelt und geätzt, um das Einlassreservoir 19 und das Auslassreservoir 20 zu bilden und somit die in 11 gezeigte Struktur zu erhalten. Schließlich wird der unbedeckte Abschnitt der Schutzschicht 15 entfernt, um die Abtastelektrode 12 wieder zu belichten (12).
  • Die Vorteile des beschriebenen Verfahrens und der Vorrichtung sind die folgenden. Zunächst kann ein integrierter Mikroreaktor, gebildet in einem einzelnen Stück, erhalten werden, ohne Binden von zwei Wafern aus Silicium und/oder Glas. Das Verfahren umfasst Schritte, die in der Mikroelektronik üblich sind, mit entscheidend niedrigeren Kosten als die üblichen. Das Verfahren ist darüber hinaus weit weg von kritischen Aspekten, bietet hohe Produktivität und erfordert nicht die Verwendung von Materialien (wie einer "Glasfritte"), die im Hinblick auf ihre Deformierbarkeit schwierig sind.
  • Schließlich ist es klar, dass zahlreiche Variationen und Modifikationen beim Verfahren und dem beschriebenen und hier veranschaulichten Mikroreaktor durchgeführt werden können, die alle unter die Erfindung fallen, wie in den beigefügten Ansprüchen definiert. Beispielsweise können der Typ von verwendetem Resist zum Bilden der Resistschicht und der Schutzschicht sich von den hier beschriebenen unterscheiden. Beispielsweise kann die Schutzschicht 15 mit einem negativen anstelle eines positiven Resists oder einem anderen Schutzmaterial, das gegenüber dem Ätzen der Resistschicht und des Siliciums beständig ist und selektiv im Hinblick auf die zweite isolierende Schicht 13 entfernbar ist, hergestellt werden, und die Resistschicht kann mit einem positiven Resist anstelle eines negativen hergestellt werden. Anstelle einer Vielzahl von verdeckten Kanälen ist es möglich, einen einzelnen verdeckten Kanal geeigneter Dimensionen herzustellen, beispielsweise durch Einsetzen der in der zuvor erwähnten europäischen Patentanmeldung 99 830 206.1 beschriebenen Technik und zeitliches Ätzen des Siliciums des Halbleiterkörpers 2, der sich zwischen den verdeckten Kanälen 3 erstreckt, um eine einzelne Höhle mit einer gleichen Weite wie den Öffnungen bzw. Gräben 21a, 21b oder den Öffnungen 27a, 27b zu bilden. Zusätzlich kann in der zweiten Ausführungsform die Resistschicht 28 durch zwei Schichten ersetzt werden, wobei die untere Schicht für die obere die Funktion eines Trägers aufweist.

Claims (18)

  1. Integrierter Mikroreaktor, umfassend: einen Halbleitermaterialkörper (2) mit einer Oberfläche (4); mindestens einen verdeckten Kanal (3), der sich in dem Halbleiter-Materialkörper (2) mit einem Abstand von der Oberfläche (4) erstreckt und mit einem ersten und einem zweiten Ende (4a, 4b); mindestens einem ersten und zweiten Einschnitt bzw. Graben (21a, 21b; 27a, 27b), die sich von der Oberfläche (4) jeweils so weit wie das erste und zweite Ende des verdeckten Kanals (3) erstrecken und in Flüssigkeitsverbindung mit dem vergrabenen Kanal stehen, und eine Reservoirregion (18; 28) eines ersten Resists, der sich über die Oberfläche (4) erstreckt und ein erstes und ein zweites Reservoir (19, 20) definiert, die mit dem ersten und zweiten Einschnitt bzw. Graben (21a, 21b; 27a, 27b) verbunden sind.
  2. Integrierter Mikroreaktor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das erste und zweite Reservoir (19, 20) im Querschnitt größere Bereiche aufweisen als die ersten und zweiten Einschnitte bzw. Gräben (21a, 21b; 27a, 27b).
  3. Integrierter Mikroreaktor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite Reservoir (20) einen größeren Bereich aufweist als das erste Reservoir (19), und dadurch dass der integrierte Mikroreaktor eine Abtastelektrodenstruktur (12), die sich auf der Oberfläche (4) und im zweiten Reservoir (20) erstreckt, aufweist.
  4. Integrierter Mikroreaktor nach irgendeinem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass dieser mindestens ein Heizelement (10), angeordnet zwischen der Oberfläche (4) und der Reservoirregion (18; 28), oberhalb des verdeckten Kanals (3), umfasst.
  5. Integrierter Mikroreaktor nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass dieser eine Region isolierenden Materials (5, 13) aufweist, die sich zwischen der Oberfläche (4) und der Reservoirregion (18; 28) erstreckt und das Heizelement (10) umschließt.
  6. Integrierter Mikroreaktor nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass dieser eine Schutzregion (15) eines zweiten Resists, angeordnet zwischen der Region isolierenden Materials (5, 13) und der Reservoirregion (18) umfasst, und dadurch, dass einer der ersten und zweiten Resists vom negativen Typ ist und der andere vom ersten und zweiten Resist vom positiven Typ ist.
  7. Integrierter Mikroreaktor nach irgendeinem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Resist SU8 ist.
  8. Integrierter Mikroreaktor nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Resist ein photosensitiver Trockenresist darstellt.
  9. Verfahren zur Herstellung eines integrierten Mikroreaktors, gekennzeichnet durch die Schritte: Bilden eines Halbleitermaterialkörpers (2) mit einer Oberfläche (4) und mindestens einem verdeckten Kanal (3), der sich in einem Abstand von der Oberfläche (4) erstreckt und ein erstes und ein zweites Ende aufweist; Bilden mindestens eines ersten und eines zweiten Einschnitts bzw. Grabens (21a, 21b; 27a, 27b), die sich von der Oberfläche (4) so weit wie jeweils die ersten und zweiten Enden des verdeckten Kanals (3) erstrecken und mit dem verdeckten Kanal in Flüssigkeitskontakt stehen; und auf der Oberfläche (4) Bilden eines ersten und eines zweiten Reservoirs (19, 20), die jeweils mit den ersten und zweiten Einschnitten bzw. Gräben (21a, 21b; 27a, 27b) in einer Reservoirschicht (18; 28) eines ersten Resists verbunden sind.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Schritt des Bildens eines ersten und eines zweiten Reservoirs (19, 20) der Schritt des Bildens mindestens eines Heizelements (10), das eine isolierende Schicht (5) umschließt und sich auf der Oberfläche (4) über dem verdeckten Kanal (3) erstreckt, durchgeführt wird.
  11. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt des Bildens eines ersten und eines zweiten Reservoirs (19, 20) vor dem Schritt des Bildens eines ersten und eines zweiten Einschnitts bzw. Grabens (21a, 21b) durchgeführt wird.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Schritt des Bildens eines ersten und eines zweiten Reservoirs (19, 20) der folgende Schritt durchgeführt wird: Bilden einer Schutzschicht (15) auf der Oberfläche (4); und dadurch, dass nach dem Schritt des Bildens eines ersten und eines zweiten Reservoirs (19, 20) die folgenden Schritte durchgeführt werden: selektives Entfernen der Schutzschicht (15), so weit die Oberfläche (4) ist, über den Enden des verdeckten Kanals (3), um eine erste und eine zweite Öffnung (16a, 16b) zu bilden, und Einbringen der ersten und zweiten Einschnitte bzw. Gräben (21a, 21b) in einer ausgerichteten Art und Weise zu den ersten und zweiten Öffnungen (16a, 16b).
  13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Schutzschicht (15) einen zweiten Resist umfasst und dadurch dass einer der ersten und zweiten Resists vom Negativ-Typ ist und der andere des ersten und zweiten Resists vom positiven Typ ist.
  14. Verfahren nach irgendeinem der Ansprüche 9 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Resist SU8 ist.
  15. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt des Bildens eines ersten und eines zweiten Reservoirs (19, 20) nach dem Schritt des Bildens eines ersten und eines zweiten Einschnitts bzw. Grabens (27a, 27b) durchgeführt wird.
  16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Schritt des Bildens eines ersten und eines zweiten Reservoirs (19, 20) die nachfolgenden Schritte durchgeführt werden: Bilden einer Schutzschicht (15) auf der Oberfläche (4); selektives Entfernen der Schutzschicht (15), so weit die Oberfläche (4) ist, über den Enden des verdeckten Kanals (3), um eine erste und eine zweite Öffnung (27a, 27b) zu bilden und Einbringen der ersten und zweiten Einschnitte bzw. Gräben (27a, 27b) in einer ausgerichteten Art und Weise zu den ersten und zweiten Öffnungen.
  17. Verfahren nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Resist ein photosensitiver Trockenresist ist.
  18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt des Bildens eines ersten und eines zweiten Reservoirs (19, 20) die nachfolgenden Schritte umfasst: Aufbringen einer Reservoirschicht (28) durch Laminieren und Thermokomprimieren; und selektives Entfernen der Reservoirschicht (28).
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