DE60015622T2

DE60015622T2 - Trockenflachdruckplatte-Vorstufe sowie Verfahren zu ihrer Herstellung

Info

Publication number: DE60015622T2
Application number: DE60015622T
Authority: DE
Inventors: Toshifumi Yoshida-cho Inno; Tsumoru Yoshida-cho Hirano
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Corp
Priority date: 1999-02-18
Filing date: 2000-02-04
Publication date: 2005-11-10
Anticipated expiration: 2020-02-05
Also published as: EP1029666B1; EP1029666A1; US6340526B1; ATE281933T1; JP2000238449A; DE60015622D1

Description

Hintergrund der Erfindung Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Plattenvorstufe für den Flachdruck zur Herstellung einer Platte für den wasserlosen Flachdruck und auf ein Herstellungsverfahren derselbigen und insbesondere auf eine Plattenvorstufe für den wasserlosen Flachdruck, auf dem das Aufzeichnen im Wärmemodus unter Verwendung von Laserlicht möglich ist, und welche hervorragende Kratzfestigkeit, Lösungsmittelbeständigkeit und Bildreproduzierbarkeit besitzt, und auf ein Herstellungsverfahren derselbigen.
Beschreibung verwandter Techniken
In konventionellen Druckverfahren, die Feuchtwasser benötigen, ist es schwierig, das empfindliche Gleichgewicht zwischen dem Feuchtwasser und der Tinte zu kontrollieren. Konsequenterweise kann die Tinte emulgieren oder mit dem Feuchtwasser vermischt werden, was eine geringere Farbdichte und Anfärben des Hintergrunds verursacht, was zu Papierverlust führt.
Im Gegensatz dazu haben Platten für den wasserlosen Flachdruck zahlreiche Vorteile, da sie kein Feuchtwasser benötigen. Verschiedene Typen von Platten für den wasserlosen Flachdruck, die das Durchführen von Flachdruck ohne Verwendung von Feuchtwasser ermöglichen, werden zum Beispiel in der Veröffentlichung der japanischen Patentanmeldungen (JP-B) Nr. 44-23042, 46-16044, 54-26923, 56-14976, 56-23150 und 61-54222 und den offengelegten japanischen Patentanmeldungen (JP-A) Nr. 58-215411, 2-16561 und 2-236550 vorgeschlagen.
Unter den obigen Platten für den wasserlosen Flachdruck sind mehrere, die eine extrem gute Leistungscharakteristik besitzen, offenbart. Diese Platten für den wasserlosen Flachdruck umfassen ein Substrat, auf dem eine Grundschicht, eine photopolymere Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht und eine Siliconkautschukschicht in dieser Reihenfolge angeordnet sind. Teile der photopolymeren Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht, die von einem Belichtungslicht belichtet werden, durchmachen polymeres Härten, und die Stärke der Adhäsion derselben mit der Siliconkautschukschicht wird verstärkt. Während des Entwickelns werden nur die unbelichteten Teile der Siliconkautschukschicht abgelöst, um die Tinte aufzunehmen und somit ein Bild zu formen.
Aufgrund der schnellen Fortschritte von Ausgabesystemen wie Druckvorstufen, Bildsetzmaschinen und Laserdruckern sind jedoch in den letzten Jahren Verfahren zur Bereitstellung von Druckplatten vorgeschlagen worden, die neue Plattenherstellungsverfahren wie Computer-zu-Platte- und Computer-zu-Zylinder-Verfahren verwenden, in denen Druckbilder in digitale Daten umgewandelt werden. Daher sind neue Arten von Druckmaterialien zur Verwendung in diesen Drucksystemen begehrt, und die Entwicklung derselben schreitet stetig voran.
Jedoch bezieht sich die Mehrzahl dieser Technologien auf konventionelle Platten für den Flachdruck, welche unter Verwendung von Feuchtwasser drucken, und derzeit ist nahezu nichts über solche Technologien für Platten für den wasserlosen Flachdruck bekannt.
Die Plattenvorstufen für den wasserlosen Flachdruck, die zum Beispiel in dem Patent der Vereinigten Staaten 5,353,705, der internationalen Veröffentlichung (WO) Nr. 9401280 und der offengelegten japanischen Patentanmeldung (JP-A) Nr. 9-131978 offenbart sind, sind Beispiele für Platten für den wasserlosen Flachdruck, die mittels Laserbeschriftung gebildet werden können. Jedoch ist die Geradlinigkeit feiner Linien und die Kreisförmigkeit von Punkten in einem Druckbild sehr schlecht und nicht zufriedenstellend, da das Entfernen der tinteabstoßenden Siliconkautschukschicht in diesen Technologien von der Ablösung der Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht mittels Laserbelichtung abhängt; daher wurde in großem Umfang nach einer Verbesserung gesucht. Darüber hinaus, da die Adhäsion zwischen der Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht und der Siliconkautschukschicht sowie die Beständigkeit der Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht gegenüber Lösungsmitteln beide schlecht sind, treten in der konventionellen Technologie während der Handhabung der Druckplatte, wenn die Oberfläche der Platte mit Lösungsmittel gewaschen wird oder während des Druckprozesses, Probleme auf, da die Druckplatte dazu neigt, leicht zu verkratzen, was es ermöglicht, daß die Tinte dick in den Kratzern abgelagert wird und somit Nicht-Bildbereiche anfärbt. Um Kratzer zu vermeiden, ist das Zufügen eines Silankopplungsreagenz zu der Siliconkautschukschicht offenbart worden. Jedoch ist das Zufügen des Silankopplungsreagenzes ungenügend zum Verstärken der Adhäsion zwischen der Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht und der Siliconkautschukschicht, und die Verbesserung der Kratzfestigkeit ist auch minimal.
US 5,786,125 bezieht sich auf lichtempfindliche lithographische Druckplatten, die kein Feuchtwasser benötigen. Gemäß der Lehre dieses Dokuments wird ein Bild aufgrund der Reaktion zwischen einer Resolkomponente und einer Novolakkomponente in der Gegenwart einer Säure, die mittels Laserbelichtung gebildet wird, geformt.
EP 0 914 942 (Stand der Technik im Sinn von Art. 54(3) EPÜ) bezieht sich auf eine direkt bebilderbare Plattenvorstufe für den wasserlosen Flachdruck, worin die wärmeempfindliche Schicht eine vernetzte oder nichtvernetzte Struktur haben kann. Bezüglich des zweiten Falles wird angegeben, daß das Bild durch eine veränderte Lösungsmittelbeständigkeit an der Grenzfläche zwischen der Siliconkautschukschicht und der wärmeempfindlichen Schicht aufgrund einer Eliminierungsreaktion, die von der Wärme, die von der Laserbelichtung verursacht wird, induziert wird, gebildet wird.
Zusammenfassung der Erfindung
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, eine Plattenvorstufe für den wasserlosen Flachdruck bereitzustellen, die laserbeschreibbar ist und hervorragende Kratzfestigkeit, Lösungsmittelbeständigkeit und Bildreproduzierbarkeit besitzt.
Als Ergebnis intensiver Forschung haben die Erfinder entdeckt, daß die Aufgabe der vorliegenden Erfindung gelöst werden kann, indem in der folgenden Reihenfolge auf einem Substrat überlagert werden:
eine Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht, die im wesentlichen besteht aus:

(a) einer Verbindung zum Umwandeln von Laserlicht in Wärme,
(b) einem Reaktionsprodukt einer metallischen Chelatverbindung und einer aktiven Wasserstoff enthaltenden Verbindung,
(c) gegebenenfalls einem Bindemittel,
(d) gegebenenfalls Additiven, ausgewählt aus (d1) Additiven, die die Laseraufzeichnungsempfindlichkeit verbessern, indem sie sich beim Erwärmen unter Gasbildung zersetzen, (d2) Dispergiermitteln, (d3) Additiven, welche die Adhäsion zwischen der Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht und einer benachbarten Schicht verbessern und (d4) Tensiden,
(e) gegebenenfalls multifunktionellen Vernetzungsmitteln,

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auch auf ein Verfahren zur Herstellung einer Plattenvorstufe für den wasserlosen Flachdruck, worin eine Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht durch Beschichten eines Substrats mit einer ersten Beschichtungslösung, die im wesentlichen besteht aus:

(a) einer Verbindung zum Umwandeln von Laserlicht in Wärme,
(b1) einer metallischen Chelatverbindung,
(b2) einer aktiven Wasserstoff enthaltenden Verbindung,
(c) gegebenenfalls einem Bindemittel,
(d) gegebenenfalls Additiven, ausgewählt unter (d1) Additiven, die die Laseraufzeichnungsempfindlichkeit verbessern, indem sie sich beim Erwärmen unter Gasbildung zersetzen, (d2) Dispergiermitteln, (d3) Additiven, welche die Adhäsion zwischen der Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht und einer benachbarten Schicht verbessern, und (d4) Tensiden,
(e) gegebenenfalls multifunktionellen Vernetzungsmitteln, und
(f) einem Lösungsmittel,

In der vorliegenden Erfindung reagiert die metallische Chelatverbindung während des Beschichtens und Trocknens der Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht mit der aktiven Wasserstoff enthaltenden Verbindung. Wenn die metallische Chelatverbindung mit Wasser reagiert, schreiten Hydrolyse und Kondensationsreaktionen voran; wenn die metallische Chelatverbindung mit einem Polymer, das aktiven Wasserstoff im Molekül enthält, reagiert, wird eine vernetzte Struktur gebildet. Als ein Ergebnis hiervon wird die Beständigkeit der Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht gegenüber Lösungsmitteln aufgrund der chemischen Bindung und der physikalischen Verzahnung der Polymermoleküle verbessert. Darüber hinaus wird die Adhäsion zwischen der Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht und der Siliconschicht verstärkt, wenn die Siliconschicht aufgetragen und getrocknet wird, was die Kratzfestigkeit verbessert. Der Grund für die Verstärkung der Adhäsion zwischen der Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht und der Siliconschicht ist bisher unklar, jedoch wird angenommen, daß dies durch die Bildung einer kovalenten Bindung oder durch die Bildung einer extrem starken Wechselwirkung zwischen dem Rückstand des Reaktionsprodukts der metallischen Chelatverbindung, die in der Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht enthalten ist, und dem Siliconvernetzungsreagenz, das in der Siliconschicht enthalten ist, verursacht wird.
Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
Die vorliegende Erfindung wird unten im Detail beschrieben.
Die vorliegende Erfindung ist eine Plattenvorstufe für den wasserlosen Flachdruck, die ein Substrat umfaßt, auf dem in der folgenden Reihenfolge eine Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht, die eine Verbindung zum Umwandeln von Laserlicht in Wärme enthält, und eine Siliconkautschukschicht überlagert sind.
Die Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht, die in der vorliegenden Erfindung verwendet wird, ist eine Schicht, die die Funktion des Umwandelns von Laserlicht, das zum Beschriften verwendet wird, in Wärme (Licht-in-Wärme-Umwandlung) hat, und die mittels eines Beschichtungsverfahrens gebildet wird. Die Beschichtungslösung der Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht, die in der vorliegenden Erfindung verwendet wird, enthält wenigstens: (1) eine metallische Chelatverbindung und (2) ein Licht-in-Wärme-Umwandlungsmittel; und enthält vorzugsweise weiterhin: (3) ein Polymer, das aktiven Wasserstoff im Molekül enthält.
Die metallische Chelatverbindung (1), die in der vorliegenden Erfindung verwendet wird, ist eine Verbindung, in der ein Chelatbildner mit zwei oder mehr Donorgruppen, die in der Lage sind zu einem Metall zu koordinieren, zu dem Metall koordiniert ist, und welche eine oder mehr zyklische Strukturen besitzt.
Beispiele der Donorgruppe, wenn das Donoratom Sauerstoff ist, beinhalten -OH, -COOH, >C=O, -O-, -COOR (worin R eine aliphatische Gruppe oder eine aromatische Kohlenwasserstoffgruppe repräsentiert), -N=O, -NO₂, >N→O, -SO₃H, -PO₃H₂ und ähnliche; Beispiele, wenn das Donoratom Stickstoff ist, beinhalten -NH₂, >NH, >N-, -N=N-, =N-OH, -NO₂, -N=O, >C=N-, >C=NH und ähnliche; und Beispiele, wenn das Donoratom Schwefel ist, beinhalten -SH, -S-, >C=S, -CO-SH, -CS-OH, -CS-SH, -SCN und ähnliche.
Beispiele des Chelatbildners beinhalten: β-Diketon-Typen 2,4-Pentandion (Acetylaceton), 2,4-Heptandion und ähnliche; Ketoester-Typ Methylacetoacetat, Ethylacetoacetat, Butylacetoacetat und ähnliche; Hydroxycarbonsäuren oder Ester davon, Salze von Milchsäure, Methyllactat, Ethyllactat, Ammoniumlactat, Salicylsäure, Methylsalicylat, Ethylsalicylat, Phenylsalicylat, Hydroxybernsteinsäure, Ethylmalat, Weinsäure, Methyltartrat, Ethyltartrat und ähnliche; Ketoalkohol-Typen 4-Hydroxy-4-methyl-2-pentanon, 4-Hydroxy-2-pentanon, 4-Hydroxy-2-heptanon, 4-Hydroxy-4-methyl-2-heptanon und ähnliche; Aminoalkohol-Typen Monoethanolamin, Diethanolamin, Triethanolamin, N-Methylmonoethanolamin, N-Ethyl-monoethanolamin, N,N-Dimethylmonoethanolamin, N,N-Diethyl-monoethanolamin und ähnliche; enolische Verbindungen mit aktivem Wasserstoff vom Typ Diethylmalonat, Methylolmelamin, Methylolurea, Methylolacrylamid und ähnliche.
Beispiele des Metalls beinhalten Al, Ba, Bi, Cd, Ca, Ce, Cr, Co, Cu, Dy, Er, Gd, Hf, Ho, In, Ir, Fe, La, Pb, Li, Lu, Mg, Mn, Mo, Nd, Ni, Pd, Pt, K, Pr, Rh, Ru, Rb, Sm, Sc, Ag, Na, Sr, Ta, Tb, Tl, Th, Tm, Sn, Ti, V, Yb, Y, Zn, Zr und ähnliche, und Al, Ti und Zr sind besonders bevorzugt.
Spezielle Beispiele der Chelatbildner von Al, Ti und Zr beinhalten Titan-allylacetoacetat-triisopropoxid, Titanbis(triethanolamin)diisopropoxid, Titanbis(triethanolamin)di-n-butoxid, Titan-diisopropoxid-bis-(2,4-pentadionat), Titan-di-n-butoxid-bis-(2,4-pentadionat), Titan-diisopropoxid-bis-(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptandionat), Titan-diisopropoxid-bis-(ethylacetoacetat), Titan-di-n-butoxid-bis-(ethylacetoacetat), Titan-ethylacetoacetat-tri-n-butoxid, Titan-methacryloxy-ethylacetat-triisopropoxid, Titanoxid-bis-(2,4-pentadionat), Titantetra(2-ethyl-3-hydroxy-hexyloxid), Dihydroxybis(lactat)titan, (Ethylenglycolat)Titanbis(dioktylphosphat), Aluminium-s-butoxid-bis(ethylacetoacetat), Aluminium-di-s-butoxid-ethylacetoacetat, Aluminium-diisopropoxid-ethylacetoacetat, Aluminium-tris(hexafluorpentandionat), Aluminium-tris(2,4-pentandionat), Aluminium-9-oktadecenyl-acetoacetat-diisopropoxid, Aluminiumtris(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptandionat), Aluminium-tris(ethylacetoacetat), Zirkonium-di-n-butoxid-bis(2,4-pentandionat), Zirkonium-tetrakis(hexafluorpentandionat), Zirkonium-tetrakis(trifluorpentandionat), Zirkonium-methacryloxy-ethylacetoacetat-tri-n-propoxid, Zirkonium-tetrakis(2,4-pentandionat), Zirkonium-tetrakis(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptandionat), Triglycolat-zirkonsäure, Trilactat-zirkonsäure und ähnliche. Unter diesen sind Titan-diisopropoxid-bis(2,4-pentadionat), Titan-diisopropoxid-bis(ethylacetoacetat), Aluminium-tris(2,4-pentandionat), Aluminium-s-butoxid-bis(ethylacetoacetat), Zirkonium-tetrakis(2,4-pentadionat), Zirkonium-di-n-butoxid-bis(2,4-pentadionat) und ähnliche bevorzugt.
Weil die Reaktivität der Hydrolyse oder Esterumwandlungsreaktion metallischer Chelatverbindungen wie dieser im Vergleich mit den korrespondierenden metallischen Alkoxiden gering ist, sind sie vom Standpunkt der Handhabung und Lagerung vorteilhaft. Ihre Verwendung ist besonders vorteilhaft angesichts der Lagerbeständigkeit der Beschichtungslösung der Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht, die in der vorliegenden Erfindung verwendet wird.
Die metallische Chelatverbindung, die in der vorliegenden Erfindung verwendet wird, kann alleine oder in Kombination von zwei oder mehreren Arten verwendet werden. Die Menge der verwendeten metallischen Chelatverbindung beträgt 1 bis 50 Gew.% des Gesamtgewichts der festen Bestandteile der Beschichtungslösung der Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht, und ist bevorzugt 6 bis 45 Gew.% und stärker bevorzugt 10 bis 40 Gew.%. Wenn die Menge der verwendeten metallischen Chelatkomponente weniger als 1 Gew.% ist, ist die Lösungsmittelbeständigkeit der Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht und die Adhäsion derselben mit der Siliconschicht ungenügend. Wenn die Menge der verwendeten metallischen Verbindung mehr als 50 Gew.% ist, härtet die Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht, und die Kratzfestigkeit und Druckhaltbarkeit neigen dazu, sich zu verschlechtern.
Anorganische Pigmente, organische Pigmente, organische Farbstoffe, Metalle oder Metalloxide können als Verbindung (2) zur Umwandlung von Laserlicht in Wärme (Licht-in-Wärme-Umwandlungsmittel), die in der vorliegenden Erfindung verwendet werden, verwendet werden. Beispiele des anorganischen Pigments beinhalten verschiedene Ruße, wie sauren Ruß, basischen Ruß, neutralen Ruß und Ruß, dessen Oberfläche modifiziert oder beschichtet ist, um die Dispergierbarkeit zu erhöhen. Verschiedene Nigrocine können als das organische Pigment verwendet werden. Darüber hinaus kann jede der vielfältigen Verbindungen, die in den unten genannten Veröffentlichungen offenbart sind, als organischer Farbstoff verwendet werden, namentlich solche, die in "Infrared Sensitizing Dyes" von Matsuoka (Plenum Press, New York, 1990), in den Patenten der Vereinigten Staaten mit den Nummern 4,833,124, 4,772,583, 4,942,141, 4,948,776, 4,948,777, 4,948,778, 4,950,639, 4,912,083, 4,952,552, 5,023,229 und in der offengelegten europäischen Anmeldung (EP) 321 923 offenbart sind. Als das Metall oder Metalloxid können Aluminium, Indiumzinnoxid, Wolframoxid, Magnesiumoxid, Titanoxid und ähnliche verwendet werden. Zusätzlich zu diesen können leitende Polymere, wie Polypyrrole oder Polyanilin, verwendet werden.
Die verwendete Menge der Verbindung zum Umwandeln von Laserlicht in Wärme beträgt zwischen 5–50 Gew.% des Gesamtgewichts der festen Bestandteile der Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht, bevorzugt 8–45 Gew.% und stärker bevorzugt 10–40 Gew.%.
Ein Polymer mit der Fähigkeit, einen Film zu bilden (ein Bindemittel), kann in der Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht verwendet werden. Beispiele des Polymers, das in der Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht verwendet werden kann, beinhalten: Homopolymere und Copolymere von Acrylaten oder Methacrylaten wie Polymethylmethacrylat und Polybutylmethacrylat, Homopolymere und Copolymere von Styrolbasierenden Monomeren wie Polystyrol und α-Methylstyrol, verschiedene synthetische Kautschuke wie Isopren und Styrol-Butadien, Homopolymere und Copolymere von Vinylestern wie Polyvinylacetat und Vinylacetat-Vinylchlorid, verschiedene Kondensationspolymere wie Polyester und Polycarbonat, und Polymere, welche aktiven Wasserstoff im Molekül besitzen. Unter diesen sind Polymere, die aktiven Wasserstoff im Molekül besitzen, bevorzugt.
Das in der vorliegenden Erfindung verwendete Polymer (3), das aktiven Wasserstoff im Molekül besitzt, ist ein Polymer, das in dem Molekül eine strukturelle Einheit mit aktivem Wasserstoff hat, wie -OH, -SH, -NH₂, -NH-, -CO-NH₂, -CO-NH-, -OCO-NH-, -NH-CO-NH-, -CO-OH, -CS-OH, -CO-SH, -CS-SH, -SO₃H, -PO₃H₂, -SO₂-NH₂, -SO₂-NH- und -CO-CH₂-CO-. Beispiele von Polymeren, die diese Art von struktureller Einheit im Molekül besitzen, beinhalten: Homopolymere oder Copolymere von Monomeren, die eine Carboxylgruppe enthalten, wie Acrylsäure und Methacrylsäure, Homopolymere oder Copolymere von Acrylaten oder Methacrylaten, die eine Hydroxylgruppe enthalten, wie Hydroxyethylmethacrylat und 2-Hydroxypropylacrylat, Homopolymere oder Copolymere von N-Alkyl-acrylamiden und Acrylamiden, Homopolymere oder Copolymere von Reaktionsprodukten von Aminen mit Glycidylacrylat, Glycidylmethacrylat oder Allylglycidyl, Homopolymere oder Copolymere von ethylenisch ungesättigten Monomeren, die aktiven Wasserstoff enthalten, wie Homopolymere oder Copolymere von p-Hydroxystyrol und Vinylalkohol (andere ethylenisch ungesättigte Monomere, die aktiven Wasserstoff enthalten, oder ethylenisch ungesättigte Monomere, die keinen aktiven Wasserstoff enthalten, können als copolymerische Monomerkomponente verwendet werden), und Kondensationsprodukte, die eine strukturelle Einheit, die aktiven Wasserstoff in der Hauptkette hat, besitzen, wie Polyurethanharze, Polyureaharze, Polyamidharze (Nylonharze), Epoxyharze, Polyalkyleniminharze, Novolakharze und Cellulosederivate.
Diese bindenden Polymere können allein oder in Kombination von zwei oder mehreren verwendet werden. Die Menge des verwendeten Bindemittels ist zwischen 20 bis 90 Gew.%, vorzugsweise 25 bis 80 Gew.% und stärker bevorzugt 30 bis 75 Gew.%, des Gesamtgewichts der festen Bestandteile der Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht.
Die verwendete Menge des Polymers, das aktiven Wasserstoff im Molekül besitzt, ist bevorzugt 50 bis 100 Gew.%, stärker bevorzugt 70 bis 100 Gew.% und weiterhin stärker bevorzugt 90 bis 100 Gew.% des Bindemittels.
Andere Bestandteile
Andere Additive werden wegen vielfältiger Gründe, wie zur Verbesserung der Laseraufzeichnungsempfindlichkeit der Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht, zur Verbesserung der Dispergierbarkeit der Dispersion in der Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht und zur Verbesserung der Adhäsion zwischen der Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht und einer benachbarten Schicht, wie dem Substrat oder der Grundschicht, zugefügt. Zum Beispiel können bekannte Verbindungen, die sich bei Erwärmung unter Gasbildung zersetzen, zugefügt werden, um die Laseraufzeichnungsempfindlichkeit zu verbessern. In diesem Fall wird die Laseraufzeichnungsempfindlichkeit aufgrund der raschen Ausdehnung des Volumens der Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht verbessert. Beispiele dieser Additive beinhalten Azidodicarbonamid, Sulfonylhydrazin und Dinitrosopentamethylentetramin.
Es ist auch möglich, eine unterschiedliche vernetzende Struktur durch Verwendung einer Kombination von bekannten multifunktionalen vernetzenden Reagenzien, wie eine multifunktionale Isocyanatverbindung, eine multifunktionale Epoxyverbindung und eine multifunktionale Methylolverbindung, einzuführen.
Wenn ein Pigment wie Ruß als Licht-in-Wärme-Umwandlungsmittel verwendet wird, kann der Grad der Dispersion des Pigments die Laseraufzeichnungsempfindlichkeit beeinflussen; daher werden vielfältige Dispersionsmittel als Additive verwendet.
Zusätzlich zu diesen können vielfältige andere Additive, falls benötigt, zugesetzt werden, wie Tenside, um die Beschichtbarkeit zu erhöhen.
Die Bestandteile der in der vorliegenden Erfindung verwendeten obigen Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht können entweder in einem geeigneten Lösungsmittel oder einer Mischung von geeigneten Lösungsmitteln, wie 2-Methoxyethanol, 2-Methoxyethylacetat, Propylenglycolmethylethylacetat, Methyllactat, Ethyllactat, Propylenglycolmonomethylether, Ethanol, Isopropanol, Methylethylketon, N,N-Dimethylformamid, N,N-Dimethylacetamid, Tetrahydrofuran und Dioxan, gelöst werden und auf einem Substrat beschichtet und getrocknet werden. Die bevorzugte Trocknungstemperatur hängt von dem Lösungsmittel und der metallischen Chelatverbindung, die verwendet werden, ab, jedoch ist eine Trocknungstemperatur von über 100°C bevorzugt.
Das Gewicht der Beschichtung nach dem Trocknen sollte im Bereich von 0,05 bis 10 g/m² sein, und ein bevorzugter Bereich ist von 0,1 bis 5 g/m². Wenn die Dicke der Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht zu dick ist, dann ist die Laseraufzeichnungsempfindlichkeit vermindert.
Eine in der vorliegenden Erfindung verwendete vernetzte Siliconkautschukschicht wird bevorzugt durch Härten von kondensatartigen Siliconen unter Verwendung eines vernetzenden Mittels oder mittels Additionspolymerisation eines additionsartigen Silicons unter Verwendung eines Katalysators gebildet. Wenn ein kondensatartiges Silicon verwendet wird, ist es bevorzugt, daß die Zusammensetzung wie folgt ist: Zu (a) 100 Gew.Teilen eines Diorganopolysiloxans sollten (b) 3 bis 70 Gew.Teile eines kondensatartigen Vernetzungsmittels und (c) 0,01 bis 40 Gew.Teile eines Katalysators zugefügt werden.
Das Diorganopolysiloxan der obigen Verbindung (a) ist ein Polymer mit einer wiederholenden Einheit wie in der unten gezeigten allgemeinen Formel, worin R1 und R2 eine Alkylgruppe mit 1 bis 10 Kohlenstoffatomen, eine Alkenylgruppe (vorzugsweise eine Vinylgruppe) mit 2 bis 10 Kohlenstoffatomen oder eine Arylgruppe mit 6 bis 20 Kohlenstoffatomen sind. Diese Gruppen können eine geeignete substituierende Gruppe haben. Im allgemeinen ist es bevorzugt, daß 60 % oder mehr von R1 und R2 von einer Methylgruppe, einer Vinylhalogenidgruppe oder einer Phenylhalogenidgruppe umfaßt werden.
Es ist bevorzugt, daß ein Diorganopolysiloxan, das eine Hydroxylgruppe in beiden Endgruppen besitzt, als das Diorganopolysiloxan verwendet wird.
Das numerische Durchschnittsgewicht ("number-average molecular weight") der obigen Verbindung (a) ist bevorzugt 3.000-100.000 und stärker bevorzugt 10.000-70.000.
Jedes vernetzende Reagenz kann für Verbindung (b) verwendet werden, unter der Voraussetzung, daß es vom Kondensattyp ist, jedoch ist eines wie das von der folgenden allgemeinen Formel repräsentierte bevorzugt.
In der obigen Formel ist m+n = 4 und n ist 2 oder mehr.
In der obigen Formel ist R¹ das gleiche wie das oben beschriebene R¹ und X repräsentiert ein Halogenatom wie Cl, Br oder I, ein Wasserstoffatom oder eine Hydroxylgruppe, oder eine organische Substitutionsgruppe wie die unten gezeigte:
worin R³ eine Alkylgruppe mit 1 bis 10 Kohlenstoffatomen oder eine Arylgruppe mit 6 bis 20 Kohlenstoffatomen repräsentiert, und R⁴ und R⁵ eine Alkylgruppe mit 1 bis 10 Kohlenstoffatomen repräsentieren.
Bekannte Katalysatoren wie Metallcarboxylate von Zinn, Zink, Blei, Calcium und Mangan (z.B. Zinndibutyllaurat, Bleioctylat, Bleinaphthenat und ähnliche) oder Chlorplatinsäure können als Komponente (c) verwendet werden.
Wenn Silicon vom Additionstyp verwendet wird, ist es bevorzugt, daß die Zusammensetzung wie folgt ist: Zu (d) 100 Gew.Teilen Diorganopolysiloxan, das eine additionsreaktive funktionelle Gruppe besitzt, sollten (e) 0,1 bis 10 Gew.Teile von Organowasserstoffpolysiloxan und (f) 0,00001 bis 1 Gew.Teil Additionskatalysator zugefügt werden.
Der obige Bestandteil (d) Diorganopolysiloxan, das eine additionsreaktive funktionelle Gruppe besitzt, ist ein Organopolysiloxan, welches im Molekül wenigstens zwei direkt an das Siliziumatom gebundene Alkenylgruppen (vorzugsweise Vinylgruppen) mit 2 bis 10 Kohlenstoffatomen hat, und die Alkenylgruppen können an den Endgruppen oder in der Mitte des Moleküls sein. Andere organische Gruppen als eine Alkenylgruppe beinhalten eine substituierte oder unsubstituierte Alkylgruppe mit 1 bis 10 Kohlenstoffatomen oder eine Arylgruppe mit 6 bis 20 Kohlenstoffatomen. Verbindung (d) kann gegebenenfalls eine kleine Menge einer Hydroxylgruppe enthalten. Das numerische durchschnittliche Molekulargewicht ("number-average molecular weight") der Verbindung (d) ist vorzugsweise von 3.000-100.000 und mehr bevorzugt von 10.000-70.000.
Beispiele der Verbindung (e) beinhalten Polydimethylsiloxan, welches eine Hydroxylgruppe an beiden Endgruppen besitzt, α,ω-Dimethylpolysiloxan, Copolymere von Dimethylsiloxan-Methylsiloxan, welches eine Methylgruppe an beiden Endgruppen besitzt, ringförmiges Polymethylsiloxan, Polymethylsiloxan, das eine Trimethylsilylgruppe an beiden Endgruppen hat, und Copolymere von Methylsiloxan-Dimethylsiloxan, das eine Trimethylsilylgruppe an beiden Endgruppen hat.
Verbindung (f) kann gegebenenfalls aus bekannten Katalysatoren ausgewählt werden, jedoch sind Platinbasierende Verbindungen besonders wünschenswert, und Beispiele davon beinhalten Platin, Platinchlorid, Chlorplatinsäure, Platin, welches zu Olefin koordiniert ist, und ähnliche.
Es ist auch möglich, ein Reagenz zur Kontrolle der Vernetzung, wie ein Organopolysiloxan, welches eine Vinylgruppe enthält, wie Tetracyclo(methylvinyl)siloxan, einen Alkohol, der eine Kohlenstoff-Kohlenstoff-Dreifachbindung besitzt, Aceton, Methylethylketon, Methanol, Ethanol, Propylenglycolmonomethylether und ähnliche zuzufügen, um die Härtungsgeschwindigkeit in den Zusammensetzungen zu kontrollieren.
Es sollte angemerkt werden, daß, falls notwendig, Adhäsionshilfen und Mittel zur Initiierung der Photopolymerisation, wie feine Pulver von anorganischen Substanzen wie Silica, Calciumcarbonat, Titanoxid, Silankopplungsmittel, Titanat-basierende Kopplungsmittel und Aluminium-basierende Kopplungsmittel, zu der Siliconkautschukschicht zugefügt werden können.
Die Zusammensetzung der obigen Siliconkautschukschicht, die in der vorliegenden Erfindung verwendet wird, kann auch durch Lösen in einem einzigen geeigneten Lösungsmittel, wie einem Petroleumlösungsmittel, Isopar E, Isopar G, Isopar H (hergestellt von Esso Chemicals), Hexan, Heptan, Toluol, Xylol und ähnlichen, oder in einer Mischung einer geeigneten Kombination dieser Lösungsmittel zubereitet werden und dann auf ein Substrat aufgetragen, getrocknet und gehärtet werden.
Wenn das Gewicht der Beschichtung der Siliconkautschukschicht, die in der vorliegenden Erfindung verwendet wird, zu gering ist, wird die Tintenabstoßung vermindert und Kratzer werden leicht gebildet. Wenn das Gewicht der Beschichtung der Siliconkautschukschicht zu groß ist, verschlechtert sich die Entwicklungsfähigkeit. Daher ist das bevorzugte Gewicht der Beschichtung von 0,5 bis 5 g/m² und stärker bevorzugt von 1 bis 3 g/m².
In der hier beschriebenen Platte für den wasserlosen Flachdruck können ferner vielfältige Siliconkautschukschichten über die Siliconkautschukschicht beschichtet werden. Darüber hinaus kann ein transparenter Film, z.B. Polyethylen, Polypropylen, Polyvinylchlorid, Polyvinylidenchlorid, Polyvinylalkohol, Polyethylenterephthalat, Cellophan und ähnliche, darauf laminiert werden oder ein Polymerüberzug kann darauf aufgetragen werden, um die Oberfläche der Siliconkautschukschicht zu schützen. Diese Filme werden von der Siliconkautschukschicht abgelöst, wenn die Druckplatte verwendet werden soll. Es sollte erwähnt werden, daß diese Filme auch über die Schicht gezogen werden können oder daß alternativ ein Mattierungsvorgang ("matting process") auf der Oberfläche ausgeführt werden kann, jedoch ist es in der vorliegenden Erfindung bevorzugt, wenn die verwendete Oberfläche keinem Mattierungsvorgang unterworfen wurde.
Das in der vorliegenden Erfindung verwendete Substrat sollte ausreichende Flexibilität besitzen, so daß es in einer normalen Druckmaschine eingesetzt werden kann, wobei es jedoch zur gleichen Zeit in der Lage sein sollte, der während des Druckens angewandten Belastung zu widerstehen. Dementsprechend beinhalten typische Substrate beschichtetes Papier, metallische Platten wie Aluminium, Kunststoffilme wie Polyethylenterephthalat, Kautschuke oder ein Gemisch von diesen. Bevorzugte Beispiele von diesen beinhalten Aluminium und Aluminium enthaltende Legierungen (z.B. Legierungen von Aluminium und Metallen wie Silizium, Kupfer, Mangan, Magnesium, Chrom, Zink, Blei, Bismuth und Nickel), sowie auch Kunststoffilme.
Die Dicke des Substrats ist vorzugsweise von 25 μm bis 3 mm und stärker bevorzugt von 75 μm bis 500 μm. In Abhängigkeit von der Art des verwendeten Substrats und den Druckbedingungen ist die optimale Dicke jedoch unterschiedlich. Allgemein ist ein Substrat, dessen Dicke von 100 μm bis 300 μm beträgt, am stärksten bevorzugt.
Um die Adhäsion zwischen dem Substrat und der Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht zu verbessern oder die Druckeigenschaften zu verbessern oder die Empfindlichkeit zu erhöhen, kann in der vorliegenden Erfindung eine Oberflächenbehandlung, wie eine Coronabehandlung oder ähnliches, an dem Substrat ausgeführt werden, oder alternativ kann eine Grundschicht zwischen dem Substrat und der Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht vorgesehen werden. Beispiele der Grundschicht, die in der vorliegenden Erfindung verwendet werden können, beinhalten: solche, die durch Belichten und dann Härten verschiedener lichtempfindlicher Polymere vor der Bildung einer lichtempfindlichen Harzschicht darauf erhalten werden, wie in JP-A 60-22903 offenbart; solche, die durch Warmhärten der Epoxyharze, die in JP-A 62-50760 offenbart sind, erhalten werden; solche, die durch Formen der Gelatinen, die in JP-A 63-133151 offenbart sind, in einen harten Film erhalten werden; solche, die ein Silankopplungsmittel und Urethanharz, was in JP-A 3-200965 offenbart ist, verwenden; und solche, die die Urethanharze, die in JP-A 3-273248 offenbart sind, verwenden. Zusätzlich zu diesen sind Gelatine oder Kasein, die in einen harten Film geformt sind, auch wirksam.
Um die Grundschicht weich zu machen, können der Grundschicht ein Polymer wie in Polyurethan mit einer Glasübergangstemperatur von Zimmertemperatur oder weniger, Polyamid, Styrol/Butadien-Kautschuk, carboxylmodifizierter Styrol/Butadien-Kautschuk, Acrylonitril/Butadien-Kautschuk, carboxylmodifizierter Acrylonitril/Butadien-Kautschuk, Polyisopren, Acrylatkautschuk, Polyethylen, Polyethylenchlorid, Polypropylenchlorid oder ähnliche zugefügt werden. Die zugefügte Menge ist nicht vorgeschrieben und unter der Voraussetzung, daß eine Filmschicht gebildet werden kann, kann die Grundschicht allein aus Additiven gebildet werden.
Es ist auch möglich in Übereinstimmung mit den obigen Zielsetzungen, der obigen Grundschicht weitere Additive, wie Farbstoffe, pH-Indikatoren, Ausdruckmittel, Photopolymerisationsstarter, Adhäsionshilfen (z.B. polymerische Monomere, Diazoharze und Silankopplungsmittel), Pigmente, Silicapulver und Titanoxidpulver, zuzufügen. Darüber hinaus können sie nach dem Beschichten durch Belichtung gehärtet werden.
Im allgemeinen ist das bevorzugte Gewicht der getrockneten Grundschichtbeschichtung im Bereich von 0,1 bis 10 g/m², stärker bevorzugt von 0,3 bis 8 g/m² und weiterhin stärker bevorzugt von 0,5 bis 5 g/m².
In der vorliegenden Erfindung wird die zur Aufnahme verwendete Energie des Laserlichts in der Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht der Plattenvorstufe für den wasserlosen Flachdruck gemäß der vorliegenden Erfindung absorbiert und in Wärmeenergie umgewandelt. Dieses verursacht Verbrennung, Verschmelzung, Zersetzung, Verdampfung, Explosion usw. in einem Teil oder in der Gesamtheit der Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht, und als ein Ergebnis vermindert sich die Adhäsion zwischen der Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht und der Siliconkautschukschicht. Zur Belichtung der Plattenvorstufe für den wasserlosen Flachdruck der vorliegenden Erfindung wird Laserlicht verwendet. Die Art des Lasers ist nicht besonders beschränkt, vorausgesetzt, daß er die zum ausreichenden Vermindern der Adhäsion notwendige Menge an Belichtung zur Verfügung stellen kann, so daß die Siliconkautschukschicht abgelöst und entfernt werden kann, und Gaslaser wie Ar-Laser und Kohlendioxidlaser, feste Laser wie YAG-Laser und Halbleiterlaser können verwendet werden. Ein Laser der Klasse von 50 mW oder mehr konstanter Leistung ist notwendig, und aus praktischen Gründen, wie der Wartungsfähigkeit und der Kosten, wird vorzugsweise ein Halbleiterlaser oder ein Halbleiter-Anregungsfeststoff-Laser (wie ein YAG-Laser) verwendet. Die Aufnahmewellenlänge dieser Laser ist im Bereich der infraroten Wellenlängen, und eine oszillierende Wellenlänge von zwischen 800 nm bis 1.100 nm wird oft verwendet. Es ist auch möglich, die Belichtung unter Verwendung einer Bebilderungsvorrichtung, die in JP-A 6-186750 beschrieben ist, auszuführen. Wenn ein Film zum Schutz der Oberfläche der Siliconkautschukschicht vorgesehen ist und der Film transparent für das verwendete Laserlicht ist, kann die Oberfläche der Siliconkautschukschicht entweder mit dem vorhandenen Film belichtet werden, oder die Oberfläche der Siliconkautschukschicht kann belichtet werden nachdem der Film abgelöst worden ist.
Die Plattenvorstufe für den wasserlosen Flachdruck der vorliegenden Erfindung, die gemäß dem obigen Verfahren belichtet wurde, durchmacht eine Entwicklungsbehandlung, falls nötig, durch Reiben oder Ablösen. Diese Behandlung entfernt die tintenabstoßende Schicht der Bildbereiche und ändert sie in tintenempfängliche Abschnitte. Eine Reibungsentwicklungsbehandlung wird ausgeführt, indem die Plattenoberfläche mit reibenden Einheiten, wie einem Entwicklungskissen oder einer Entwicklungsbürste, in entweder der Anwesenheit oder Abwesenheit einer Behandlungslösung gerieben wird. Bekannte Behandlungslösungen für Platten für den wasserlosen Flachdruck können als Behandlungslösungen in der vorliegenden Erfindung verwendet werden. Zum Beispiel können Kohlenwasserstoffe, polare Lösungsmittel, Wasser (Leitungswasser, reines Wasser, destilliertes Wasser) und ähnliche oder Kombinationen von diesen verwendet werden, jedoch ist Wasser oder ein Lösungsmittel, welches Wasser als Hauptbestandteil hat, angesichts seiner Sicherheit und Feuerbeständigkeit bevorzugt. Wenn ein Lösungsmittel, das Wasser als Hauptbestandteil hat, verwendet wird, ist es wünschenswert, daß die Konzentration des organischen Lösungsmittels geringer als 40 Gew.% ist.
Verwendbare Kohlenwasserstoffe beinhalten aliphatische Kohlenwasserstoffe (z.B. Hexan, Heptan, "Isopar E, G, H" (hergestellt von Esso Chemicals Ltd.), Benzin, Kerosin und ähnliche), aromatische Kohlenwasserstoffe (z.B. Toluol, Xylol und ähnliche), Kohlenwasserstoffhalogenide (z.B. Trichlen) und ähnliche. Beispiele des polaren Lösungsmittels beinhalten Alkohole (z.B. Methanol, Ethanol, Propanol, Isopropanol, Benzylalkohol, Ethylenglycolmonomethylether, 2-Ethoxyethanol, Diethylenglycolmonoethylether, Diethylenglycolmonohexylether, Triethylenglycolmonomethylether, Propylenglycolmonoethylether, Dipropylenglycolmonomethylether, Polyethylenglycolmonomethylether, Polypropylenglycol, Tetraethylenglycol und ähnliche), Ketone (z.B. Aceton, Methylethylketon und ähnliche), Ester (z.B. Ethylacetat, Methyllactat, Butyllactat, Propylenglycolmonomethyletheracetat, Diethylenglycolacetat, Diethylphthalat und ähnliche), Triethylphosphat, Tricresylphosphat und ähnliche. Die Behandlungslösung kann zusätzlich zu den obigen organischen Lösungen Wasser und ähnlichen, Tenside und ähnliche und Laugensalze (z.B. Natriumcarbonat, Diethanolamin, Natriumhydroxid und ähnliche) und ähnliche enthalten.
Die Temperatur der Behandlungslösung ist nicht vorgeschrieben, jedoch ist eine Temperatur zwischen 10 und 50°C bevorzugt.
Die obige Reibungsentwicklungsbehandlung sowie die Waschbehandlung und die Trocknungsbehandlung, welche folgen, können in einer automatischen Anlage ausgeführt werden. Eine bevorzugte automatische Anlage ist in JP-A 2-220061 beschrieben.
Die Ablösungsentwicklungsbehandlung wird zum Beispiel ausgeführt, indem eine Ablösebogen, der eine Haftschicht besitzt, an die Oberfläche der Siliconkautschukschicht gehaftet wird, und dann die Haftschicht abgelöst wird. Ein bekanntes flexibles Substrat, welches darauf mit einer Haftschicht ausgestattet ist, die in der Lage ist, eng an der Oberfläche der Siliconkautschukschicht zu haften, kann als der Ablösebogen verwendet werden. Kommerziell erhältliche Silicon-basierende druckempfindliche Haftmittel, wie TSR1510, TSR1511, TSR1515, TSR1520 (hergestellt von Toshiba Silicone) und SH4280, SD4560, SD4570, SD4580 und ähnliche (hergestellt von Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd.) können für die Haftschicht verwendet werden.
Die Dicke der Haftschicht ist vorzugsweise zwischen 1 μm und 200 μm, stärker bevorzugt 5 μm bis 100 μm und noch stärker bevorzugt 10 μm bis 50 μm.
Kommerziell erhältliche flexible Substrate, die darauf eine zubereitete Haftschicht besitzen, die in der Lage ist, an der Oberfläche einer Siliconkautschukschicht zu haften, können als Ablösebogen verwendet werden. Beispiele dieser beinhalten Nr. 336, Nr. 365PC und Nr. 360UL (hergestellt von Nitto Denko Corp.), Scotch Tape #851A, Scotch Tape #5413, Scotch Tape #9396 und Scotch Tape #5490 (hergestellt von Sumitomo 3M Ltd.), Sony Bond Tape T4080 (hergestellt von Sony Chemicals), Tesafilm #4428, Tesafilm #4350-1, Tesafilm #4142, Tesafilm #4331 und Tesafilm #4310 (hergestellt von Beiersdorf), P-336, P-337, P-904 und P-904HD (hergestellt von Permacel) und ähnliche.
Darüber hinaus, wenn die Druckplatten gestapelt und gelagert werden nachdem die Entwicklungsbehandlung wie die oben beschriebene vollendet wurde, ist es bevorzugt, daß Schutzlagen zwischen den Platten zwischengelagert werden, um jede Druckplatte zu schützen.
Beispiele
Die vorliegende Erfindung wird nun unter Verwendung von Beispielen detaillierter erklärt werden. Es sollte beachtet werden, daß die vorliegende Erfindung von den unten gegebenen Beispielen nicht beschränkt wird.
Beispiele 1 bis 8
Substrat
Eine Beschichtungslösung, die die unten angegebene Zusammensetzung hat, wurde auf ein Polyethylenterephthalatsubstrat, das eine Dicke von 175 μm hat, aufgetragen und für 1 Minute auf 100°C erwärmt. Es wurde dann getrocknet, um eine Grundschicht, die eine trockene Dicke von 0,2 μm hat, zu bilden.
Zubereitung der Rußdispersion
Die unten angegebene gemischte Lösung wurde unter Verwendung eines Farbenmischers für 30 Minuten dispergiert, dann mittels Filtern von den Glaskügelchen getrennt, um eine Rußdispersion zuzubereiten.
Bildung der Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht
Die unten angegebene Beschichtungslösung wurde auf das obige Polyethylenterephthalat, welches darauf mit einer Unterbeschichtung aus Polyethylenchlorid beschichtet ist, aufgetragen und für 1 Minuten auf 110°C erwärmt. Es wurde dann getrocknet, um eine Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht, die eine trockene Dicke von 1 μm hat, zu bilden.
Tabelle 1
Bildung der Siliconkautschukschicht
Die unten angegebene Lösung wurde auf die obige Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht aufgetragen und für 1 Minute auf 110°C erwärmt. Es wurde dann getrocknet, um eine Siliconkautschukschicht vom Additionstyp, die eine trockene Dicke von 2 μm hat, zu bilden.
Polyethylenterephthalat wurde auf die Oberfläche der Siliconkautschukschicht, die wie oben beschrieben gebildet wurde, mit einer Dicke von 6 μm laminiert.
Nachdem der so erhaltene Überzugsfilm der Plattenvorstufe für den wasserlosen Flachdruck der vorliegenden Erfindung abgelöst wurde, wurde ein Halbleiter-Anregungs-YAG-Laser mit einer Wellenlänge von 1.064 nm und einem Strahldurchmesser von 100 μm (1/e²) verwendet, um eine durchgehende Linie zu schreiben. Die Aufnahmeenergie wurde auf 0,75 J/cm² eingestellt. Die Plattenoberfläche wurde dann unter Verwendung eines Entwicklungskissens abgerieben, welches eine Entwicklungslösung 1, die die unten angegebene Zusammensetzung hat, enthielt, und der Siliconkautschuk auf den laserbelichteten Bereichen wurde entfernt. Im Gegensatz dazu wurde der Siliconkautschuk auf den nichtlaserbelichteten Abschnitten nicht entfernt, aber verblieb auf der Oberfläche der Platte für den wasserlosen Flachdruck und bildete ein Siliconbild mit scharfen Kanten.
Behandlungslösung 1
Ein Halbleiterlaser mit einer Wellenlänge von 825 nm und einem Strahldurchmesser von 10 μm (1/e²) wurde verwendet, um auf die Oberfläche der Plattenvorstufe für den wasserlosen Flachdruck mit einer Energie von 110 mW und einer Hauptabtastungsgeschwindigkeit von 6 m/s zu schreiben. Entwicklungsbehandlung wurde dann auf die gleiche Weise wie oben beschrieben durchgeführt. Eine Platte für den wasserlosen Flachdruck mit einem scharfkantigen Siliconbild einer Auflösung von 8 μm wurde gebildet. Unter diesen Aufnahmebedingungen wurde ein Punkt-Flächen-Verhältnis von 2 % zu 98 % auf der Platte gebildet, wenn das Aufnehmen mit 200 Linien pro Inch ausgeführt wurde. Der Nicht-Bildbereich der so erhaltenen Platte für den wasserlosen Flachdruck wurde mit einer Saphirnadel eines HEIDON (Oberflächentester, hergestellt von Shinto Chemicals), die eine Breite von 0,25 mm hat, unter einer Belastung von 100 g gekratzt, und die Kratzbeständigkeit der Siliconkautschukschicht wurde bewertet. Wenn die so geformte Platte für den wasserlosen Flachdruck in einem Drucker verwendet wurde, wurden 10.000 Drucke von herausragender Qualität, die keine Fehler hatten, erhalten. Anschließend, nachdem die Oberfläche der Platte für den wasserlosen Flachdruck mit einem Wischtuch, welches eine Waschlösung 1 mit der unten angegebenen Zusammensetzung enthielt, abgewischt worden war, wurde der Druck von weiteren 10.000 Drucken von herausragender Qualität, die keine Fehler hatten, ausgeführt.
Waschlösung 1
Vergleichsbeispiel 1
Eine Plattenvorstufe für den wasserlosen Flachdruck wurde in derselben Art wie in Beispiel 1 gebildet, außer daß die metallische Chelatverbindung nicht zugefügt wurde. Anschließend wurde, auch in derselben Art wie in Beispiel 1, das Beschreiben unter Verwendung eines Halbleiter-Anregungs-YAG-Lasers und eines Halbleiterlasers ausgeführt, und dann wurde die gleiche Entwicklungsbehandlung ausgeführt. Jedoch waren die Kanten des als Aufnahmebild geformten Siliconbildes undeutlich, und während des Druckens des Aufnahmebildes begann das Silicon um die Kantenabschnitte sich abzulösen, als das Drucken fortschritt. Dies führte zu vielfältigen Nachteilen, wie einer Vergrößerung der Bildfläche. Darüber hinaus war das gebildete Punkt-Flächen-Verhältnis nur 4 % zu 96 %, wenn das Aufnehmen mit 200 Linien pro Inch ausgeführt wurde, und eine Franse wurde in der Punktkonfiguration belassen. Die Kratzbeständigkeit wurde in der gleichen Art wie in Beispiel 1 bewertet und die Ergebnisse zeigen, daß Tinte dick in den Bereichen, die während des Druckens verkratzt wurden, abgelagert war und Anfärben verursacht hat. Die Lösungsmittelbeständigkeit wurde auch in derselben Art wie in Beispiel 1 bewertet und die Ergebnisse zeigen, daß die Siliconschicht der Nicht-Bildbereiche teilweise heruntergefallen waren und daß Tinte dick in diesen Bereichen abgelagert worden war, was Anfärben verursachte.
Beispiel 9
Eine Plattenvorstufe für den wasserlosen Flachdruck wurde in exakt derselben Weise wie in Beispiel 1 geformt, außer daß eine Siliconkautschukschicht vom Kondensattyp unter Verwendung der unten angegebenen Beschichtungslösung gebildet wurde.
Zusammensetzung der Beschichtungslösung der Siliconkautschukschicht
Anschließend, nachdem das Beschreiben unter Verwendung eines Halbleiter-Anregungs-YAG-Lasers und eines Haltleiterlasers in genau der gleichen Weise wie in Beispiel 1 ausgeführt worden war, wurde die Entwicklungsbehandlung auch in der gleichen Weise wie in Beispiel 1 ausgeführt. Als ein Ergebnis wurde eine Platte für den wasserlosen Flachdruck mit einem Siliconbild mit scharfen Kanten in der gleichen Weise wie in Beispiel 1 geformt. Darüber hinaus wurde unter denselben Aufnahmebedingungen wie in Beispiel 1 ein Punkt-Flächen-Verhältnis von 2 % zu 98 % auf der Platte gebildet, wenn das Aufnehmen mit 200 Linien pro Inch ausgeführt wurde. Die Nicht-Bildbereiche der so erhaltenen Platte für den wasserlosen Flachdruck wurden mit einer Saphirnadel eines HEIDON (Oberflächentester, hergestellt von Shinto Chemicals), die eine Breite von 0,25 mm hat, unter einer Belastung von 100 g zerkratzt, und die Kratzbeständigkeit der Siliconkautschukschicht wurde bewertet. Wenn die so gebildete Platte für den wasserlosen Flachdruck in einem Drucker verwendet wurde, wurden 10.000 Drucke von herausragender Qualität ohne Fehler erhalten. Anschließend wurde der Druck von weiteren 10.000 Drucken von herausragender Qualität ohne Fehler ausgeführt, nachdem die Oberfläche der Platte für den wasserlosen Flachdruck mit einem Putzlappen, der die Waschlösung 1 mit der oben angegebenen Zusammensetzung enthielt, abgewischt worden war.
Vergleichsbeispiel 2
Eine Platte für den wasserlosen Flachdruck wurde in genau der gleichen Weise wie in Beispiel 9 gebildet, außer daß die metallische Chelatverbindung nicht zugefügt wurde. Anschließend, nachdem das Beschreiben unter Verwendung eines Halbleiter-Anregungs-YAG-Lasers und eines Halbleiterlasers in genau der gleichen Weise wie in Beispiel 9 ausgeführt wurde, wurde die Entwicklungsbehandlung auch in genau der gleichen Weise wie in Beispiel 9 ausgeführt. Jedoch waren die Kanten des als Aufnahmebild. gebildeten Siliconbildes undeutlich, und während des Druckens des Aufnahmebildes begann das Silicon um die Kantenbereiche sich abzulösen, als das Drucken fortschritt. Dies führte zu vielfältigen Nachteilen, wie einer Vergrößerung der Bildfläche. Darüber hinaus war das gebildete Punkt-Flächen-Verhältnis nur 4 % zu 96 %, wenn die Aufnahme mit 200 Linien pro Inch ausgeführt wurde, und eine Franse wurde in der Punktkonfiguration belassen. Die Kratzbeständigkeit wurde in derselben Weise wie in Beispiel 9 bewertet und die Ergebnisse zeigten, daß Tinte dick in den Bereichen, die während des Druckens zerkratzt wurden, abgelagert worden war, was Anfärben verursachte. Die Lösungsmittelbeständigkeit wurde auch in der gleichen Weise wie in Beispiel 9 bewertet und die Ergebnisse zeigten, daß die Siliconschicht der Nicht-Bildbereiche teilweise abgefallen war und daß Tinte dick in solchen Bereichen während des Druckens abgelagert worden war, was Anfärben verursachte.
Beispiele 10 bis 15
Eine Plattenvorstufe für den wasserlosen Flachdruck wurde in genau der gleichen Weise wie in Beispiel 1 gebildet, außer daß die Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht unter Verwendung der unten angegebenen Beschichtungslösung gebildet wurde.
Zusammensetzung einer Beschichtungslösung für die Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht
Tabelle 2
Nachdem der Überzugsfilm von der so erhaltenen Plattenvorstufe für den wasserlosen Flachdruck der vorliegenden Erfindung abgelöst worden war, wurde eine durchgehende Linie darauf unter Verwendung eines Halbleiter-Anregungs-YAG-Lasers mit einer Wellenlänge von 1.064 nm und einem Strahldurchmesser von 100 μm (1/e²) darauf aufgenommen. Die Aufnahmeenergie wurde auf 0,75 J/cm² eingestellt. Anschließend wurde die Plattenoberfläche mit einem Entwicklungskissen, welches die Entwicklungslösung 2, die die unten angegebene Zusammensetzung hat, enthielt, gerieben, und die Siliconkautschukschicht der laserbelichteten Bereiche wurden somit entfernt. Im Gegensatz wurde die Siliconkautschukschicht der nicht-laserbelichteten Bereiche nicht entfernt und blieb auf der Oberfläche der wasserlosen Platte und bildete ein Siliconbild mit scharf definierten Kanten.
Behandlungslösung 2
Nachdem das Schreiben auf der Plattenoberfläche der Plattenvorstufe für den wasserlosen Flachdruck unter Verwendung eines Halbleiterlasers mit einer Wellenlänge von 825 nm und einem Strahldurchmesser von 10 μm (1/e²) und bei einer Hauptabtastgeschwindigkeit von 6 m/s und einer Leistung von 110 mW ausgeführt worden war, wurde die Entwickelung wie oben beschrieben ausgeführt. Eine Platte für den wasserlosen Flachdruck mit einem Siliconbild, das scharf definierte Kanten mit einer Auflösung von 8 μm hatte, wurde gebildet. Unter diesen Aufnahmebedingungen wurde ein Punkt-Flächen-Verhältnis von 2 % zu 98 % auf der Platte gebildet, wenn das Aufnehmen mit 200 Linien pro Inch ausgeführt wurde. Die Nicht-Bildbereiche der so erhaltenen Platte für den wasserlosen Flachdruck wurden mit der Saphirnadel eines HEIDON (Oberflächentester, hergestellt von Shinto Chemicals), die eine Breite von 0,25 mm hat, mit einer Belastung von 100 g gekratzt, und die Kratzbeständigkeit der Siliconkautschukschicht wurde bewertet. Wenn die so gebildete Platte für den wasserlosen Flachdruck in einem Drucker verwendet wurde, wurden 10.000 Drucke mit herausragender Qualität ohne Fehler erhalten. Nachdem die Oberfläche der Platte für den wasserlosen Flachdruck mit einem Wischlappen, der PC-2 (Plattenoberflächenwaschlösung, hergestellt von Toray) enthielt, abgewischt worden war, wurde anschließend das Drucken von weiteren 10.000 Drucken von herausragender Qualität ohne Fehler ausgeführt.
Vergleichsbeispiele 3 bis 8
Plattenvorstufen für den wasserlosen Flachdruck wurden in genau der gleichen Weise wie in Beispielen 10 bis 15 gebildet, außer daß die metallische Chelatverbindung nicht zugefügt wurde. Anschließend wurde das Beschreiben unter Verwendung eines Halbleiter-Anregungs-YAG-Lasers und eines Halbleiterlasers in genau der gleichen Weise wie in Beispiel 10 ausgeführt, und dann wurde die gleiche Entwicklungsbehandlung durchgeführt. Jedoch waren die Kanten des als Aufnahmebild geformten Siliconbildes unscharf, und während des Druckens des Aufnahmebildes begann sich das Silicon um die Kantenbereiche abzulösen, als das Drucken fortschritt. Dies führte zu vielfältigen Nachteilen, wie der Vergrößerung der Bildfläche. Darüber hinaus war das gebildete Punkt-Flächen-Verhältnis nur 4 % zu 96 %, wenn das Aufnehmen mit 200 Linien pro Inch ausgeführt wurde, und eine Franse wurde in der Punktkonfiguration belassen. Die Kratzfestigkeit wurde in derselben Weise wie in Beispiel 10 bewertet und die Ergebnisse zeigten, daß Tinte dick in den Bereichen, die während des Druckens zerkratzt worden waren, abgelagert worden war und Anfärben verursacht hatte. Die Lösungsmittelbeständigkeit wurde auch in derselben Weise wie in Beispiel 10 bewertet und die Ergebnisse zeigten, daß die Siliconschicht der Nicht-Bildbereiche teilweise abgefallen war und daß Tinte dick in diesen Bereichen während des Druckens abgelagert worden war, was Anfärben verursacht.

Claims

Plattenvorstufe für den wasserlosen Flachdruck, welche in der folgenden Reihenfolge umfaßt: ein Substrat, auf dem eine Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht, die im wesentlichen besteht aus: (a) einer Verbindung zum Umwandeln von Laserlicht in Wärme, (b) einem Reaktionsprodukt einer metallischen Chelatverbindung und einer aktiven Wasserstoff enthaltenden Verbindung, (c) gegebenenfalls einem Bindemittel, (d) gegebenenfalls Additiven, ausgewählt unter (d1) Additiven, welche die Laseraufzeichnungsempfindlichkeit verbessern, indem sie sich beim Erwärmen unter Gasbildung zersetzen, (d2) Dispergiermitteln, (d3) Additiven, welche die Adhäsion zwischen der Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht und einer benachbarten Schicht verbessern, und (d4) Tensiden; (e) gegebenenfalls multifunktionellen Vernetzungsmitteln, und eine Siliconkautschukschicht aufgebracht sind, worin bei der Laserbelichtung die Verbindung, welche Laserlicht in Wärme in der Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht umwandelt, Verbrennung, Verschmelzung, Zersetzung, Verdampfung oder Explosion in den belichteten Bereichen der Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht verursacht, wodurch sich die Adhäsion zwischen der Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht und der Siliconkautschukschicht verschlechtert.
Plattenvorstufe für den wasserlosen Flachdruck gemäß Anspruch 1, worin die Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht ein Bindemittel enthält.
Plattenvorstufe für den wasserlosen Flachdruck gemäß Anspruch 1 oder 2, worin eine Grundierungsschicht zwischen dem Substrat und der Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht enthalten ist.
Plattenvorstufe für den wasserlosen Flachdruck gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, worin das Gewicht der Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht 0,05 bis 10 g/m2 beträgt.
Plattenvorstufe für den wasserlosen Flachdruck gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, worin die metallische Chelatverbindung eine Zirkoniumchelatverbindung ist.
Plattenvorstufe für den wasserlosen Flachdruck gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, worin die aktiven Wasserstoff enthaltende Verbindung ein Polymer ist, das im Molekül eine Struktureinheit aufweist, die aus der Gruppe bestehend aus -NH-, -CO-NH-, -OCO-NH-, -NH-CO-NH-, -SO₃H, -PO₃H₂, -SO₂-NH- und -CO-CH₂-COausgewählt wird.
Verfahren zur Herstellung einer Plattenvorstufe für den wasserlosen Flachdruck, worin eine Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht durch Beschichten eines Substrats mit einer ersten Beschichtungslösung, die im wesentlichen besteht aus: (a) einer Verbindung zum Umwandeln von Laserlicht in Wärme, (b1) einer metallischen Chelatverbindung, (b2) einer aktiven Wasserstoff enthaltenden Verbindung, (c) gegebenenfalls einem Bindemittel, (d) gegebenenfalls Additiven, ausgewählt unter (d1) Additiven, welche die Laseraufzeichnungsempfindlichkeit verbessern, indem sie sich beim Erwärmen unter Gasbildung zersetzen, (d2) Dispergiermitteln, (d3) Additiven, welche die Adhäsion zwischen der Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht und einer benachbarten Schicht verbessern, und (d4) Tensiden; (e) gegebenenfalls multifunktionellen Vernetzungsmitteln, und (f) einem Lösungsmittel, und sich anschließendes Trocknen; und durch Auftragen einer zweiten Beschichtungslösung auf die Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht eine Silikonkautschukschicht gebildet wird; worin bei der Laserbelichtung die Verbindung, welche Laserlicht in Wärme in der Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht umwandelt, Verbrennung, Verschmelzung, Zersetzung, Verdampfung oder Explosion in den belichteten Bereichen der Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht verursacht, wodurch sich die Adhäsion zwischen der Licht-in-Wärme-Umwandlungsschicht und der Siliconkautschukschicht verschlechtert.
Verfahren zur Herstellung einer Plattenvorstufe für den wasserlosen Flachdruck gemäß Anspruch 7, worin die erste Beschichtungslösung ein Bindemittel enthält.
Verfahren zur Herstellung einer Plattenvorstufe für den wasserlosen Flachdruck gemäß einem der Ansprüche 7 und 8, worin der Gehalt an metallischer Chelatverbindung, bezogen auf das Gesamtgewicht der festen Komponenten der ersten Beschichtungslösung, 1 bis 50 Gew.% beträgt.
Verfahren zur Herstellung einer Plattenvorstufe für den wasserlosen Flachdruck gemäß einem der Ansprüche 7 und 9, worin der Gehalt an Verbindung zum Umwandeln von Laserlicht in Wärme, bezogen auf das Gesamtgewicht der festen Komponenten der ersten Beschichtungslösung, 5 bis 50 Gew.% beträgt.
Verfahren zur Herstellung einer Plattenvorstufe für den wasserlosen Flachdruck gemäß Anspruch 7, worin der Gehalt an Bindemittel, bezogen auf das Gesamtgewicht der festen Komponenten der ersten Beschichtungslösung, 20 bis 90 Gew.% beträgt.
Verfahren zur Herstellung einer Plattenvorstufe für den wasserlosen Flachdruck gemäß einem der Ansprüche 7 bis 11, worin die metallische Chelatverbindung aus einer Gruppe ausgewählt wird, die aus Titandiisopropoxidbis(2,4-pentadionat), Titandiisopropoxidbis(ethylacetoacetat), Aluminiumtris(2,4-pentadionat), Aluminium-s-butoxidbis(ethylacetoacetat), Zirkoniumtetrakis(2,4-pentadionat) und Zirkonium-di-n-butoxidbis(2,4-pentadionat) besteht.
Verfahren zur Herstellung einer Plattenvorstufe für den wasserlosen Flachdruck gemäß Anspruch 8, worin das Bindemittel aus einer Gruppe ausgewählt wird, die aus Hydroxyethylmethacrylat/Methylmethacrylat-Copolymer, Ethylcellulose, Polyurethan, Phenol-Novolak, Poly(p-hydroxystyrol), Polyacrylat/Methacrylsäure-Terpolymer, besteht.
Verfahren zur Herstellung einer Plattenvorstufe für den wasserlosen Flachdruck gemäß einem der Ansprüche 7 bis 13, worin das Silicon ein Silicon vom Kondensattyp oder Additionstyp ist.
Verfahren zur Herstellung einer Plattenvorstufe für den wasserlosen Flachdruck gemäß einem der Ansprüche 7 bis 11, 13 und 14, worin die metallische Chelatverbindung eine Zirkoniumchelatverbindung ist.
Verfahren zur Herstellung einer Plattenvorstufe für den wasserlosen Flachdruck gemäß einem der Ansprüche 7 bis 15, worin die aktiven Wasserstoff enthaltende Verbindung ein Polymer ist, das im Molekül eine Struktureinheit, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus -NH-, -CO-NH-, -OCO-NH-, -NH-CO-NH-, -SO₃H, -PO₃H₂, -SO₂-NH- und -CO-CH₂-CO-, aufweist.