DE533485C - Elektrochemischer Gleichrichter mit selbsttaetiger Regenerierung des gleichrichtenden Kontaktes - Google Patents
Elektrochemischer Gleichrichter mit selbsttaetiger Regenerierung des gleichrichtenden KontaktesInfo
- Publication number
- DE533485C DE533485C DEA59201D DEA0059201D DE533485C DE 533485 C DE533485 C DE 533485C DE A59201 D DEA59201 D DE A59201D DE A0059201 D DEA0059201 D DE A0059201D DE 533485 C DE533485 C DE 533485C
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- rectifier
- anode
- silver
- cathode
- sulfur
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 title claims description 9
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 title claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 11
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- PGWMQVQLSMAHHO-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenesilver Chemical compound [Ag]=S PGWMQVQLSMAHHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims 1
- 239000012492 regenerant Substances 0.000 claims 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 2
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010425 asbestos Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000011491 glass wool Substances 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052895 riebeckite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- -1 sulfur metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005987 sulfurization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/24—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only semiconductor materials not provided for in groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/16—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture specially for use as rectifiers or detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
- H01L21/479—Application of electric currents or fields, e.g. for electroforming
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Cell Electrode Carriers And Collectors (AREA)
Description
- Elektrochemischer Gleichrichter mit selbsttätiger Regenerierung des gleichrichtenden Kontaktes Die Erfindung betrifft einen elektrochemischen Gleichrichter mit selbsttätiger Regenerierung des gleichrichtenden Kontaktes.
- Die bekannten Gleichrichter mit Oxyden und Schwefelmetallen haben keine lange Lebensdauer, da sie der Sitz einer großen Zahl von mikroskopischen Funken sind, die die sich berührenden Stoffe erwärmen und bei Anwesenheit von Wasserdampf eine Reduktion des Oxydes oder des Schwefels und damit einen schlechten Gleichrichtereffekt ergeben. Man kann diese Zersetzung durch Trocknen der umgebenden Luft oder durch Beschränkung ihres Wasserdampfgehaltes verzögern; diese Maßregel ist aber ungenügend, da der absorbierte Wasserdampf eine schädliche Wirkung ausüben kann.
- Damit der Zustand der sich berührenden Stoffe sich nicht ändert, kann man, wie es an sich bekannt ist, in dem Gleichrichter einen zusätzlichen chemischen Stoff anordnen, der die Zusammensetzung der Elektroden unter dem Einfluß der Funken sich nicht ändern läßt. Bekannt ist die Verwendung von Anoden aus Schwefelsilber und von Kathoden aus einem oxydierbaren Metall. Wenn man als Anode eine Verbindung von Schwefel mit Kupfer, Silber o. dgl. nimmt, muß man in der Nähe des Kupfers einen Stoff unterbringen, der in der Lage ist, die Berührungsfläche zu schwefeln. Die Verwendung von Schwefel würde angezeigt erscheinen, jedoch ist Schwefel wegen seiner Schmelzbarkeit ungeeignet, da er die Elektroden bald gegeneinander isolieren würde. Andererseits ist es notwendig, daß das isolierende Häutchen von Metalloxyd auf der Kathode dauernd erhalten bleibt. Dieses Problem für den Fall von Schwefel wird erfindungsgemäß durch Verwendung von konzentrierter Schwefelsäure gelöst.
- Wenn die Anode aus einer Verbindung von Metall und Phosphor besteht, erweist sich die Verwendung von Phosphorsäure als zweckmäßig.
- Es ist ferner wesentlich, daß die Berührung der Produkte so innig wie möglich erfolge. Wenn sie nun ihre chemische endgültige Verbindung angenommen haben, sind sie kaum mehr genügend geschmeidig, so daß ein stärkerer Druck, der im Falle von einer oder beiden weichen Elektroden zulässig wäre, in bezug auf die gute Erhaltung des Kontaktes schädlich ist. Gemäß der vorliegenden Erfindung wird die Kathode mit Silber umgeben, das, wenn es einmal geschwefelt ist, durch seine Porosität die Eindringung des Regenerierungsproduktes gestattet. Die Anode wird demgemäß zweckmäßig durch eine dünne :durchlochte Platte gebildet oder besser durch einen Silberdraht, der um die Kathode gewickelt ist. Dann wird die Anöde an der Oberfläche in Sulfid oder Sulfur umgewandelt, indem man sie in ein Schwefelbad eintaucht und erwärmt. Dieses wird mehrmals wiederholt, je nach der Dicke der Sulfidschicht, wobei die zweckmäßigste Schicht sich ergibt durch einen Kompromiß zwischen der Größe der maximalen Gegenspannung, die der Gleichrichter aushalten kann, und dem minimalen Jouleschen Verlust.
- Abb. i zeigt beispielsweise ein- Gleichrichterelement, und zwar zeigt sie links die Kathode 2, auf die die Anode i in Form eines Silberdrahtes gewickelt ist. Die rechte Seite dieser Abbildung zeigt in vergrößertem Maßstab im Schnitt die Schwefelschicht 3, die sich nach der Schwefelung gebildet hat, und die Oxydschicht q. der Kathode, die durch die Wirkung der Schwefelsäure erzeugt ist, mit der man die Wicklungen nach ihrer Schwefeleng imprägniert hat.
- Bei Verwendung von Schwefelsilber kann man wegen der Porosität dieser Verbindung die Kathode :2 (Abb. a) mit diesem Stoff in geschmolzenem Zustand überziehen und erhält auf diese Weise den Überzug 3. Die Zuführung des Stromes erfolgt entweder (Abb.2) durch einen aufgewickelten Silberdraht i oder (Abb. 3) durch ein Metallpulver 6, das den Vorteil hat, eine Reserve von Regenerationsflüssigkeit festzuhalten. Dieses .Pulver darf keine Ventilwirkung besitzen, weder mit dem Schwefelsilber noch mit der Wand des Metallgefäßes 5, durch die der Strom zugeführt wird, und aus diesem Grunde wird es ebenso wie die Wand des Metallgefäßes 5 aus Silber gebildet.
- Abb.3 zeigt die Zuführung des Stromes zu der Schwefelsilberanode 3 durch das Pulver 6, dem seinerseits dieser Strom durch die Innenwandung des Behälters 5 zugeführt wird.
- Wie oben erwähnt, muß man das Gleichrichterelement vor einer Berührung mit feuchter Luft schützen. Wenn die Menge der Regenerierungssäure gering ist oder wenn der verwendete Stoff kein Gas entwickelt, wird zweckmäßigerweise das Element sofort nach seiner Herstellung in ein Glasrohr eingeschlossen, wo man es auspumpt. Zwechmäßigerweise verwendet man eine Anordnung, die ähnlich der von elektrischen Glühlampen ist.
- Eine solche Anordnung zeigt Abb. q.. Das Gleichrichterelement 1, 2 ist an einem Glasfuß i befestigt, der an das Rohr 8 angeschmolzen ist, das entweder verschlossen wird, ohne vorher ausgepumpt zu -werden, oder besser vorher ausgepumpt -wind oder noch besser eine zusätzliche Füllung von einem das Wasser absorbierenden Stoff erhält, und zwar noch besser absorbierend als die verwendete Säure o. dgl.
- Wenn die verwendete Flüssigkeit teilweise durch den elektrischen Strom zersetzt ist und wenn die benutzte Menge beträchtlich ist, besteht die Gefahr, daß der Druck im Innern des Glasrohres zu hoch wird. Die Explosionsmöglichkeit kann man durch Verwendung von Metall an Stelle von Glas zwar verzögern, aber nicht ganz beseitigen.
- Diese Gefahr wird gemäß der weiteren Erfindung durch die Verwendung eines mechanischen Ventiles beseitigt.
- Vorsichtshalber -wird zuerst ein Metallrohr, das die Elektroden enthält, an -seiner Mündung durch eine plastische Masse verschlossen; die Elektroden werden unten im Rohr angebracht, entweder gemäß Abb..5 oder gemäß Abb. 6. Bei beiden Ausführungsformen tragen die Kathoden einen Sockel, der sich gegen den Boden der Röhre 5 unter Zwischenschaltung von Glimmerscheiben g und Metallscheiben io legt.
- Abb. 7 zeigt die Ausbildung von Abb. 5 mit einer Reserve i i von Regenerierungsflüssigkeit, die von einem von dieser Flüssigkeit unangreifbaren Stoff, wie Silicium oder Glaswolle, aufgesaugt ist.
- Nachdem die Elektroden so am Boden der Metallröhre 5 befestigt sind, wird oben ein Stopfen eingeführt, den man von der Flüssigkeitsreserve durch ein Glasrohr 12 (Abb. 8) trennt, das sich auf die Glimmerscheiben 13 legt. Oberhalb der oberen Scheibe befindet sich ein Asbestpfropfen 1q., der mit einem Firnis imprägniert ist. Die endgültige Abdichtung erfolgt durch einen Überzug von Gasteer 15 oder einem anderen plastischen Wachs.
- Dieser erste Schutz kann genügen, wenn die Gasentwicklung gering ist, etwa während der Periode des Aufladens ohne Arbeiten; wenn der Gleichrichter aber im Betrieb ist, wird der Stöpsel 15 herausgestoßen und kann nicht mehr das Rohr verschließen, und man muß in diesem Falle eine Anordnung vorsehen, die ein Austreten der entwickelten Gase gestattet und ein Eintreten von Wasserdampf verhindert.
- Die vorliegende Erfindung sieht für diesen Zweck ein zusätzliches mechanisches Ventil vor. Die Ventilklappe kann aus Kautschuk oder Gummi hergestellt werden. Die Verwendung von Kautschuk verbietet eine Temperaturerhöhung, so daß man für eine thermische Isolierung des Ventils Sorge tragen muß. Aus diesem Grunde wird das Ventil aus thermisch isolierendem Stoff hergestellt.
- Abb. g zeigt beispielsweise einen vollständigen Gleichrichter gemäß der vorliegenden Erfindung. Dieses Ausführungsbeispiel enthält das Gleichrichter-Element von Abb. 6 mit einem Verschluß gemäß Abb.8, wobei der Gleichrichter in einen Edisonsockel 16 eingesetzt ist, der mit Pech 17 abgedichtet ist. Der Anschluß des Gerätes erfolgt einerseits an der zentralen Klemme 18 des Sockels und andererseits an einem Schutzrohr ig. Dieses Rohr wird mit dem Pfropfen 2o vergossen, der in einem oben befindlichen Loch ein Gummiplättchen 2i enthält, das einen Kanal 22 abschließt, der in das Innere des Rohres i g mündet. Das Plättchen 2i wird gegen das Loch 22 durch eine Feder 23 angedrückt, die durch eine Schraube 24 in ihrer Spannung geregelt wird. In dem Pfropfen können noch radiale Auslaßkanäle zwischen der Außenwand und dem Hohlraum für die Feder 23 angeordnet werden; diese Kanäle sind nicht dargestellt.
- aturgemäß kann man innerhalb des mit dem Ventil versehenen Schutzrohres mehrere Gleichrichter-Elemente anordnen und diese im Innern des Rohres miteinander verbinden, wobei selbstverständlich Klemmen o. dgl. vorgesehen sein müssen, um das Gerät an die äußeren Stromklemmen anzuschließen.
Claims (7)
- PATENTANSPRÜCHE: i. Elektrochemischer Gleichrichter mit selbsttätiger Regenerierung des gleichrichtenden Kontaktes, dadurch -gekennzeichnet, daß die eine Elektrode aus oxydierbarem Metall, die andere aus einer dünnen Schicht aus festem, aber porösem Stoff besteht, die mit dem Regenerierungsstoff imprägniert ist.
- 2. Gleichrichter nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Reserve der Regenerierungsflüssigkeit in unmittelbarer Nähe der porösen Schicht, aber außerhalb des gleichrichtenden Kontaktes angeordnet ist.
- 3. Gleichrichter nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Anode aus Schwefelsilber, die Kathode aus oxydierbarem Metall und die Regenerierungsmasse aus konzentrierter Schwefelsäure besteht, die bei Erwärmung die Rückschwefelung der Anode und die Oxydation der Kathode gestattet. d..
- Verfahren zur Herstellung von Gleichrichter-Elektroden nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die ursprünglich aus Silber bestehende Anode auf die Kathode aufgebracht und dann durch geschmolzenen Schwefel geschwefelt wird.
- 5. Verfahren zur Herstellung von Gleichrichter-Elektroden nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Anode dadurch gebildet wird, daß ein Silberdraht in Spiralen um die Kathode gewikkelt und das Ganze in konzentrierte Schwefelsäure getaucht wird, worauf ein starker Strom hindurchgeschickt wird, der eine poröse Schwefel-Silber-Schicht bildet, die dann mit der Säure imprägniert wird, end daß die Reserve dieser Säure zwischen den Anoden-Spiralen festgehalten wird.
- 6. Verfahren zur Herstellung von Gleichrichter-Elektroden nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß man Schwefelsilber in geschmolzenem Zustand auf die Kathode aufbringt und dort erkalten läßt.
- 7. Gleichrichter nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß der Anode der Strom durch Metallpulver, zweckmäßig reines Silberpulver, zugeführt ist und daß diese pulverisierte Masse mit regenerierender Säure getränkt ist. B. Gleichrichter nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß das Gleichrichter-Element innerhalb eines hermetisch geschlossenen Glas- oder Metallgefäßes angeordnet ist. g. Gleichrichter nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Gefäß evakuiert ist. i o. Gleichrichter nach Anspruch i bis g, dadurch gekennzeichnet, daß er innerhalb einer zweckmäßig mit Edisongewinde versehenen Hülse angeordnet ist und einen thermisch isolierenden Pfropfen mit einem regelbaren mechanischen Rückschlagventil enthält. ii. Gleichrichter nach Anspruch i bis io, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Gleichrichter-Elemente in einem einzigen, mit einem einzigen Ventil versehenen Schutzrohr angeordnet sind.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR533485X | 1928-10-05 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE533485C true DE533485C (de) | 1931-09-15 |
Family
ID=8924954
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEA59201D Expired DE533485C (de) | 1928-10-05 | 1929-10-01 | Elektrochemischer Gleichrichter mit selbsttaetiger Regenerierung des gleichrichtenden Kontaktes |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE533485C (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1060050B (de) * | 1955-02-15 | 1959-06-25 | Ibm Deutschland | Vielfachelektrolytgleichrichter |
-
1929
- 1929-10-01 DE DEA59201D patent/DE533485C/de not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1060050B (de) * | 1955-02-15 | 1959-06-25 | Ibm Deutschland | Vielfachelektrolytgleichrichter |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2623592C2 (de) | Festelektrolyt-Kondensator und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE962347C (de) | Silber-Zink-Akkumulator mit alkalischem Elektrolyt | |
DE1943183B2 (de) | Geschlossener Sammler mit einem im Gasphasenbereich des Sammlers angeordneten Katalysatorkorper zur Vereinigung des im Sammler erzeugten Sauerstoffs und Wasser Stoffs | |
DE583836C (de) | Verfahren zur Herstellung einer AEquipotentialkathode | |
DE1596223B2 (de) | Gasdichter alkalischer kadmiumnickel- oder kadmium-silber-akkumulator, bei dem zwischen scheider und negativer elektrode eine elektrisch leitfaehige poroese schicht angeordnet ist | |
DE533485C (de) | Elektrochemischer Gleichrichter mit selbsttaetiger Regenerierung des gleichrichtenden Kontaktes | |
DE967714C (de) | Aus hauptsaechlich wenigstens einem der Metalle Tantal und Zirkon bestehender Getterstoff fuer elektrische Entladungsgefaesse | |
DE1496256A1 (de) | Akkumulator | |
DE602702C (de) | Galvanisches Element, insbesondere elektrischer Akkumulator | |
AT120323B (de) | Elektrochemischer Gleichrichter. | |
DE809219C (de) | Verfahren zur Herstellung der Oxydkathode einer elektrischen Entladungsroehre und nach diesem Verfahren hergestellte Entladungsroehre | |
DE924281C (de) | Elektrisches Dampfentladungsgefaess | |
DE1049980B (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit mindestens einer Nadelelektrode | |
DE803919C (de) | Verfahren zur Herstellung einer Kathode einer elektrischen Entladungsroehre | |
AT207415B (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleitergleichrichtern | |
DE709216C (de) | Verfahren zur Herstellung von Luftdepolarisationselementen | |
DE730247C (de) | Elektrolytische Stromerzeugung aus Brenngas und Luft in Brennstoffelementen mit gasdurchlaessigen Elektroden | |
AT263171B (de) | Verfahren zur Herstellung von elektrischen Kondensatoren mit einer Oxydschicht als Dielektrikum und einem Halbleiter als Gegenelektrode | |
DE932139C (de) | Verfahren zur direkten Umwandlung der chemischen Energie des Kohlenstoffs oder brennbarer Gase in elektrische Energie auf elektro-chemischem Wege | |
DE708895C (de) | Verfahren zur Herstellung eines elektrolytischen Kondensators, bei dem mindestens eine Elektrode ganz oder zum wesentlichen Teil aus gefrittetem oder gesintertem Material besteht, und nach diesem Verfahren hergestellter elektrolytischer Kondensator | |
AT121033B (de) | Verfahren zur Einführung der Zersetzungsprodukte des Glases in Gefäße. | |
DE390858C (de) | Vorrichtung zum AEndern des Vakuums in Roentgenroehren oder anderen elektrischen Entladungsroehren | |
DE907199C (de) | Elektrostatischer Kondensator mit einem Dielektrikum aus einem nichtleitenden Metallumsetzungsprodukt | |
AT165245B (de) | Elektrische Halbleiter | |
DE329073C (de) | Galvanisches Element mit Zinkelektrode als Gefaess |