DE462040T1 - Mos-transistor mit hoher schwellspannung. - Google Patents
Mos-transistor mit hoher schwellspannung.Info
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Claims (1)
- EPA 91.460028.3s.a. 0462OAPatentansprücheMOS-Transistor mit hoher Schwellspannung, der in einem Halbleitersubstrat (l) eines ersten Leitfähigkeitstyps oberflächliche Abfluß- und Quellenbereiche (31, 32) des zweiten Leitfähigkeitstyps mit hohem Dotierungsniveau aufweist, die durch eine dicke Oxidzone (33) getrennt sind, unter der, in dem Substrat, ein überdotierter Bereich (37) des ersten Leitfähigkeitstyps gebildet ist, dadurch gekennzeichnet, daß jeder der Abfluß- und Quellenenbereiche in einen in dem substrat gebildeten Hüllbereich (38) des zweiten Leitfähigkeitstyps mit geringem Dotierungsniveau eingefügt ist
und daß der obere Teil jedes der Hüllbereiche (38) unter der dicken Oxidzone (33) zwischen dem Abflußbereich (31) und dem Quellenbereich (32) einerseits und dem hochdotierten Bereich (37) andererseits einen Bereich (39) des zweiten Leitfähigkeitstyps mit mittlerem Dotierungsniveau umfaßt.Transistor nach Anspruch 1, der Teil eines integrierten Schaltkreises ist, welcher MOS-Transistoren (10) mit einem Kanal des zweiten Leitfähigkeitstyps und MOS-Transistoren (20) mit einem Kanal des ersten Leitfähigkeitstyps, die in in dem Substrat angeordneten Hüllbereichen gebildet sind, umfaßt, dadurch gekennzeichnet, daßdie Abfluß- und Quellenbereiche (31, 32) des Transistors mit der hohen Schwellspannung den Abfluß- und Quellenbereichen (11, 12) der Transistoren mit dem Kanal des zweiten Leitfähigkeitstyps entsprechen;
die Hüllbereiche (38) des Abflusses und der Quellen (38) des Transistors mit der hohen Schwellspannung den Hüllbereichen (18) der MOS-Transistoren mit dem Kanal des ersten Leitfähigkeitstyps entsprechen;der hochdotierte Bereich (37) des ersten Leitfähigkeitstyps Kanal-Sperrbereichen (17) der Transistoren mit dem Kanal des zweiten Leitfähigkeitstyps entspricht; unddie Bereiche (39) des zweiten Leitfähigkeitstyps mit mittlerem Dotierungsniveau Kanal-Sperrdotierungen (29) der komplementären Transistoren entsprechen.3. Verwendung eines Transistors der Ansprüche 1 oder 2 für den Eingang eines integrierten Schaltkreises, auf den geeignete hohe Gebrauchsspannungen ständig anwendbar sind.4. Verwendung eines Transistors nach Anspruch 1 oder 2 für den Ausgang eines integrierten Schaltkreises, der Betriebsspannungen auf seiner Steuerelektrode und/oder seinem Abfluß aushalten muß, die höher sind als die Versorgungsspannung des integrierten Schaltkreises.
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