DE462040T1 - Mos-transistor mit hoher schwellspannung. - Google Patents

Mos-transistor mit hoher schwellspannung.

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DE462040T1 DE199191460028T DE91460028T DE462040T1 DE 462040 T1 DE462040 T1 DE 462040T1 DE 199191460028 T DE199191460028 T DE 199191460028T DE 91460028 T DE91460028 T DE 91460028T DE 462040 T1 DE462040 T1 DE 462040T1
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Claims (1)

  1. EPA 91.460028.3
    s.a. 0462OA
    Patentansprüche
    MOS-Transistor mit hoher Schwellspannung, der in einem Halbleitersubstrat (l) eines ersten Leitfähigkeitstyps oberflächliche Abfluß- und Quellenbereiche (31, 32) des zweiten Leitfähigkeitstyps mit hohem Dotierungsniveau aufweist, die durch eine dicke Oxidzone (33) getrennt sind, unter der, in dem Substrat, ein überdotierter Bereich (37) des ersten Leitfähigkeitstyps gebildet ist, dadurch gekennzeichnet, daß jeder der Abfluß- und Quellenenbereiche in einen in dem substrat gebildeten Hüllbereich (38) des zweiten Leitfähigkeitstyps mit geringem Dotierungsniveau eingefügt ist
    und daß der obere Teil jedes der Hüllbereiche (38) unter der dicken Oxidzone (33) zwischen dem Abflußbereich (31) und dem Quellenbereich (32) einerseits und dem hochdotierten Bereich (37) andererseits einen Bereich (39) des zweiten Leitfähigkeitstyps mit mittlerem Dotierungsniveau umfaßt.
    Transistor nach Anspruch 1, der Teil eines integrierten Schaltkreises ist, welcher MOS-Transistoren (10) mit einem Kanal des zweiten Leitfähigkeitstyps und MOS-Transistoren (20) mit einem Kanal des ersten Leitfähigkeitstyps, die in in dem Substrat angeordneten Hüllbereichen gebildet sind, umfaßt, dadurch gekennzeichnet, daß
    die Abfluß- und Quellenbereiche (31, 32) des Transistors mit der hohen Schwellspannung den Abfluß- und Quellenbereichen (11, 12) der Transistoren mit dem Kanal des zweiten Leitfähigkeitstyps entsprechen;
    die Hüllbereiche (38) des Abflusses und der Quellen (38) des Transistors mit der hohen Schwellspannung den Hüllbereichen (18) der MOS-Transistoren mit dem Kanal des ersten Leitfähigkeitstyps entsprechen;
    der hochdotierte Bereich (37) des ersten Leitfähigkeitstyps Kanal-Sperrbereichen (17) der Transistoren mit dem Kanal des zweiten Leitfähigkeitstyps entspricht; und
    die Bereiche (39) des zweiten Leitfähigkeitstyps mit mittlerem Dotierungsniveau Kanal-Sperrdotierungen (29) der komplementären Transistoren entsprechen.
    3. Verwendung eines Transistors der Ansprüche 1 oder 2 für den Eingang eines integrierten Schaltkreises, auf den geeignete hohe Gebrauchsspannungen ständig anwendbar sind.
    4. Verwendung eines Transistors nach Anspruch 1 oder 2 für den Ausgang eines integrierten Schaltkreises, der Betriebsspannungen auf seiner Steuerelektrode und/oder seinem Abfluß aushalten muß, die höher sind als die Versorgungsspannung des integrierten Schaltkreises.
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FR9006408A FR2662303A1 (fr) 1990-05-17 1990-05-17 Transistor mos a tension de seuil elevee.

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FR2662303A1 (fr) 1991-11-22

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