DE458705C - Verfahren zur Herstellung von Detektorsteinen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von DetektorsteinenInfo
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- DE458705C DE458705C DEV19889D DEV0019889D DE458705C DE 458705 C DE458705 C DE 458705C DE V19889 D DEV19889 D DE V19889D DE V0019889 D DEV0019889 D DE V0019889D DE 458705 C DE458705 C DE 458705C
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/20—Electrodes characterised by their shapes, relative sizes or dispositions
- H10D64/23—Electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. sources, drains, anodes or cathodes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/52—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using comparison with reference sources, e.g. disappearing-filament pyrometer
- G01J5/56—Electrical features thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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Description
- Verfahren zur Herstellung von Detektorsteinen. Es ist bekannt, daß man Bleiglanz und andere Erze, sofern sie nicht schon als Detektorsteine von Natur aus wirksam sind, durch Zumischen gewisser Substanzen, wie z. B. Silbersulfid, Thalliumverbindungen, Verbindungen aus der Gruppe der Platinmetalle u. a., für den Empfang elektrischer Wellen wirksam gestalten kann. Durch Zusammenschmelzen von 86,6g Blei mit 13,49 Schwefel synthetisch hergestellter reiner Bleiglanz eignet sich, wie durch vielfache eigene Versuche festgestellt wurde, hierfür nicht; dagegen wurde gefunden, daß derselbe durch Zugabe radioaktiver Substanzen, vorzüglich des Urans und seiner Verbindungen, ausgezeichnete Empfänger für elektrische Schwingungen liefert. Als Herstellungsbeispiel für einen derartigen Detektor sei folgendes angeführt: man mischt 86,6g Blei mit 13,49 Schwefel und 2 g Uranoxyd sorgfältig durch Verreiben in einer Reibschale und läßt diese Mischung in einem Schamottetiegel, der in einen größeren, schwach glühenden, bedeckten Tiegel gestellt wird, unter Ausschaltung der Luftwirkung durchreagieren. Nach erfolgter Reaktion, die man am Aufflammen unter schwacher Rauchentwicklung erkennt, entfernt man die Heizquelle und läßt langsam abkühlen; auf diese Weise erhält man einen synthetischen Stein von vorzüglicher Kristallisation und Härte, der dem natürlichen Bleiglanz physikalisch durchaus gleicht und eine ausgezeichnete Wirkung als Detektorstein zeigt, beim härteren Aufsetzen der Kontaktnadel aber noch zu wenig empfindlich ist. Da beim Abbrennen des Reaktionsgemisches die schwarze Farbe des entwickelten Rauches auffiel, wurde angenommen, daß Zersetzungen eintreten. Es wurde deshalb bei einem neuen Versuch die Uranbeimischung in einer anderen Verbindung, z. B. als K..UOr, in gleicher Gewichtsmenge wie vorher das U03 angewandt. Beim Abbrennen dieser Mischung blieb die Entwicklung schwarzen Rauches aus, und es entstand ein Detektorstein von noch -besserer Wirkung, der auch bei schärferem Aufsetzen der Detektornadel guten Empfang gibt.
Claims (1)
- PATENTANSPRÜCHE 1. Verfahren zur Herstellung von Detektorsteinen, dadurch gekennzeichnet, daß man radioaktive Substanzen, wie z. B. Uran, Thorium, Radium u. a., oder deren Verbindungen oder Zerfallsprodukte mit reinem synthetischen Bleisulfid, Eisensulfid oder ähnlichen Detektorsubstanzen verschmilzt. a. Abänderung des Verfahrens zu i, dadurch gekennzeichnet, daß man als radioaktive Substanz Uran wählt in einer Verbindungsform, die gegen hohe Temperaturen verhältnismäßig beständig ist, wie z. B. lialiumuranat, Natriiunuranat, Thorianit u. a.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEV19889D DE458705C (de) | 1925-02-03 | 1925-02-04 | Verfahren zur Herstellung von Detektorsteinen |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEV0019889 | 1925-02-03 | ||
| DEV19889D DE458705C (de) | 1925-02-03 | 1925-02-04 | Verfahren zur Herstellung von Detektorsteinen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE458705C true DE458705C (de) | 1928-04-17 |
Family
ID=26001502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEV19889D Expired DE458705C (de) | 1925-02-03 | 1925-02-04 | Verfahren zur Herstellung von Detektorsteinen |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE458705C (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE955623C (de) * | 1952-12-25 | 1957-01-03 | Standard Elektrik Ag | Verfahren zur Herstellung eines sperrschichtfreien Kontaktes zwischen Grundplatte undHalbleiter bei Trockengleichrichtern |
| DE1188833B (de) * | 1952-04-12 | 1965-03-11 | Immanuel Broser Dr Ing | Verfahren zur Messung geringer Strahlenintensitaeten, insbesondere von Roentgen- und Gammastrahlen |
-
1925
- 1925-02-04 DE DEV19889D patent/DE458705C/de not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1188833B (de) * | 1952-04-12 | 1965-03-11 | Immanuel Broser Dr Ing | Verfahren zur Messung geringer Strahlenintensitaeten, insbesondere von Roentgen- und Gammastrahlen |
| DE955623C (de) * | 1952-12-25 | 1957-01-03 | Standard Elektrik Ag | Verfahren zur Herstellung eines sperrschichtfreien Kontaktes zwischen Grundplatte undHalbleiter bei Trockengleichrichtern |
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