DE4443611A1 - Gate-Anschlußsystem für einen unter Druck zusammengebauten Hochleistungs-Thyristor mit Gate-Mittelelektrode - Google Patents
Gate-Anschlußsystem für einen unter Druck zusammengebauten Hochleistungs-Thyristor mit Gate-MittelelektrodeInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 16
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 3
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229920013633 Fortron Polymers 0.000 description 1
- 239000004738 Fortron® Substances 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012671 ceramic insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
- H01L23/051—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
- H01L24/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01015—Phosphorus [P]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01027—Cobalt [Co]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01068—Erbium [Er]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen Hochleistungs-Thyristor,
der unter Druck zusammengebaut ist, und insbesondere auf ein
neuartiges federvorgespanntes Gate-Mittelelektroden-Leitungs
anschlußsystem für derartige Bauteile.
Unter Druckausübung zusammengebaute Gehäuse für Hochleistungs-
Halbleiterbauteile sind gut bekannt und umfassen allgemein zwei
aus massivem Kupfer bestehende Polstücke, die koaxial an den
gegenüberliegenden Enden eines Keramik-Stützzylinders befestigt
sind und in den Zylinder vorspringen. Ein Halbleiterplättchen,
in dem die erforderlichen P-N-Grenzschichten ausgebildet sind,
um einen Thyristor zu bilden, wird dann an seinem Platz zwischen
den gegenüberliegenden ebenen parallelen Innenoberflächen der
jeweiligen Polstücke befestigt. Dieses Halbleiterplättchen wird
üblicherweise als "Grenzschichtelement" bezeichnet. Das Grenz
schichtelement weist Hauptelektroden auf seinen gegenüberliegen
den Oberflächen auf, und diese stehen unter hohem Druck mit den
jeweiligen Polstücken in Eingriff, wenn sie unter Klemmdruck
gesetzt werden.
Die Gate- oder Steuerelektrode für den Thyristor befindet sich
üblicherweise am Mittelpunkt der Oberseite des Halbleiter
plättchens oder des Grenzschichtelementes. Daher muß eine
Gate-Leitung während des Zusammenbaus des Gehäuses an der Gate-
Mittelelektrode sowie an einem Gate-Anschußstift befestigt
werden, der sich durch den Keramik-Isolator erstreckt. Derartige
Gate-Leitungen können während des Zusammenbaus brechen oder
einen schlechten Kontakt mit der Mittelelektrode oder dem Stift
des Grenzschichtelementes ergeben. Der Zusammenbauvorgang ist
daher schwierig und die Gate-Verbindung ist unzuverlässig.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Hochleistungs-
Thyristor und eine Gate-Mittelelektroden-Leitungsanschlußsystem
der eingangs genannten Art zu schaffen, das bei einfachem
Zusammenbau einen zuverlässigen Kontakt ohne Gefahr eines
Bruches der Leitung ergibt.
Diese Aufgabe wird durch die im Patentanspruch 1 angegebenen
Merkmale gelöst.
Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung
ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Gemäß der Erfindung wird ein neuartiges federvorgespanntes
Kontaktsystem zur Herstellung eines Kontaktes mit der Gate-
Mittelelektrode eines Thyristor-Grenzschichtelementes ge
schaffen. Das Kontaktsystem ist vollständig in dem oberen
Polstück gehaltert und weist ein freies Kontaktende auf, das
mit dem inneren Ende eines Gateanschlußstiftes verbunden wird,
bevor die Polstücke und der Stützzylinder aneinander befestigt
werden.
Der Gate-Kontakt umfaßt einen Isolierzylinder, der in einer
Öffnung des oberen Polstückes befestigt ist. Ein Federstößel ist
beweglich in dem Zylinder befestigt, und eine Druckfeder drückt
den Stößel von dem Polstück fort und in Richtung auf das Grenz
schichtelement oder das Halbleiterplättchen. Der Leitungsdraht
erstreckt sich durch eine Öffnung entlang der Achse des Stößels
und endet an einem Ende in einer vergrößerten Kontaktscheibe,
die zwischen dem äußeren Ende des Stößels und der Gate-Mittel
elektrode auf dem Grenzschichtelement oder dem Halbleiter
plättchen zusammengedrückt wird. Die Gate-Leitung erstreckt sich
dann entlang eines Schlitzes in dem oberen Polstück und endet
in einem Anschlußstück, das leicht mit dem innenliegenden Ende
des Gate-Anschlußstiftes verbindbar ist, der sich durch die
Wand des Keramik-Isolators erstreckt.
Die neuartige Gate-Leitungsstruktur ist vollständig in dem
oberen Polstück gehaltert und ermöglicht einen einfachen
Zusammenbau der Polstücke, des Keramik-Isolators und des
Grenzschichtelementes oder Halbleiterplättchens in einer
zuverlässigen Weise, und sie stellt einen guten Kontakt mit
der Gate-Elektrode des Grenzschichtelementes sicher, wenn die
Polstücke zusammengebaut sind.
Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden
aus der folgenden Beschreibung der Erfindung ersichtlich, die
sich auf die beigefügten Zeichnungen bezieht.
In den Zeichnungen zeigen:
Fig. 1 eine Ansicht einer Ausführungsform eines typi
schen, unter Druck zusammengebauten Thyristors, der eine
Ausführungsform des neuartigen Gatekontaktes verwenden kann,
Fig. 2 eine Draufsicht auf das Bauteil nach Fig. 1,
Fig. 3 eine auseinandergezogene perspektivische Ansicht
des Bauteils nach den Fig. 1 und 2 unter Verwendung der Aus
führungsform der Gate-Leitungsanordnung, jedoch ohne daß sich
die Polstücke an ihrem Platz befinden,
Fig. 4 eine Seitenansicht des oberen Polstückes nach
den Fig. 1, 2 und 3,
Fig. 5 eine Draufsicht auf Fig. 4,
Fig. 6 eine Querschnittsansicht der Fig. 4 entlang der
Schnittlinie 6-6 in Fig. 4,
Fig. 7 eine Draufsicht auf das Isoliergehäuse der Gate-
Leitungsanordnung,
Fig. 8 eine Querschnittsansicht der Fig. 7 entlang der
Schnittlinie 8-8 in Fig. 7,
Fig. 9 die Gate-Leitung und ihren vergrößerten Kontakt
kopf für die Gate-Leitungsanordnung,
Fig. 10 die zusammengebaute Gate-Leitungsanordnung,
Fig. 11 eine vergrößerte Querschnittsansicht der Gate-
Leitungsanordnung nach dem Zusammenbau in dem unter Druck
zusammengebauten Gehäuse.
Wenn zunächst auf die Fig. 1 und 2 Bezug genommen wird, so ist
aus diesen Figuren einer Ausführungsform eines typischen unter
Druck zusammengebauten Leistungshalbleiterbauteils zu erkennen,
wobei dieses Bauteil ein oberes aus Kupfer bestehendes Polstück
20, ein unteres aus Kupfer bestehendes Polstück 21 (Fig. 1) und
einen Keramik-Isolator 22 (Fig. 1) aufweist, der die beiden
Polstücke 20 und 21 aufnimmt. Die oberen und unteren Oberflächen
der Polstücke 20 und 21 sind eben und parallel und sie sind
zwischen (nicht gezeigten) Gehäuse-Kühlkörpern befestigt, die
die Polstücke mit Hilfe üblicher Einrichtungen gegeneinander
pressen.
Das untere Polstück 21 weist einen Kupferflansch 19 (Fig. 11)
auf, über den es mit der Unterseite des Isolators 22 verbunden
ist. Die Oberseite des Isolators 22 weist einen Flansch 23
(Fig. 1, 2 und 11) auf. Das obere Polstück 20 weist einen
Befestigungsflansch 24 auf, der mit dem Flansch 23 verschweißt
wird, um das Halbleitergehäuse zusammenzubauen und um das Innere
des Gehäuses abzudichten. Ein Gate-Anschlußstift 25 erstreckt
sich durch den Keramik-Isolator (22) und kann mit der Gate-
Elektrode eines Grenzschichtelementes oder Halbleiterplättchens
verbunden werden, das im Inneren des Gehäuses angeordnet ist.
Der Gate-Anschlußstift 25 muß mit der Gate-Elektrode des Grenz
schichtelementes oder Halbleiterplättchens verbunden werden,
bevor das Gehäuse an den Flanschen 23 und 24 abgedichtet wird.
Der Gehäuseumriß nach den Fig. 1 und 2 ist typisch für eine
Anzahl von unterschiedlichen Gehäuseumrissen, die bei der vor
liegenden Erfindung verwendet werden können.
Die Fig. 3 zeigt eine auseinandergezogene perspektivische An
sicht des Gehäuses nach den Fig. 1, 2 und 11 (ohne die Pol
stücke) und zeigt die Verwendung eines Grenzschichtelementes
20 mit einer Gate-Mittelelektrode 31. Es sei bemerkt, daß das
Grenzschichtelement irgendeine Art von Halbleiterbauteil bilden
kann, daß es jedoch typischerweise ein Thyristor ist. Eine
Silberscheibe 32 (Fig. 3 und 11) ist oberhalb der oberen Haupt
elektrode des Grenzschichtelementes 31 (Fig. 11) angeordnet.
Die Scheibe 32 weist eine ausreichend große Öffnung 33 auf, um
einen Kontakt mit der Gate-Mittelelektrode des Grenzschicht
elementes 30 zu verhindern. Eine Molybdän-Scheibe 35 mit einer
Öffnung 36 ist oberhalb der Silberscheibe 32 angeordnet.
Ein aus geformtem Silikon bestehendes Lagefestlegungselement
40 für das Grenzschichtelement (Fig. 3 und 11) umschließt das
Grenzschichtelement 30, die Scheiben 32 und 35 und das untere
Ende des Polstückes 20, wie dies in Fig. 11 gezeigt ist, um
die Lage des Grenzschichtelementes bezüglich des Polstückes
20 und des Isolators 22 festzulegen und um das Grenzschicht
element an einer freien Bewegung in dem Gehäuse zu hindern.
Fig. 3 zeigt weiterhin die neuartige Gate-Leitungsanordnung 50,
die weiter unten ausführlicher beschrieben wird.
Wie dies in Fig. 11 gezeigt ist, steht die untere Oberfläche
des Grenzschichtelementes 30 (die metallisiert ist) mit der
ebenen oberen Oberfläche des Polstückes 21 in Kontakt.
Die Fig. 4, 5 und 6 zeigen die Art und Weise, wie das Polstück
50 vorbereitet wird, um die Gate-Kontaktanordnung 50 nach Fig. 3
zu verwenden. So wird ein Schlitz 51 maschinell längs des Innen
durchmessers des Polstückes 20 eingearbeitet, und eine ver
größerte Mittelöffnung 22 (Fig. 5 und 6) wird entlang der Achse
des Polstückes ausgebildet. Der Schlitz 51 ergibt einen Frei
raum für die Gate-Leitung, während die Öffnung 52 das Gate-
Federbaugruppengehäuse aufnimmt.
Entsprechend weist die Gate-Leitungsanordnung 50 gemäß Fig. 10
ein Gate-Lagefestlegungselement 60 (Fig. 7, 8 und 11) oder einen
Gate-Anordnungs-Gehäusezylinder auf, der aus irgendeinem geeig
neten geformten Isoliermaterial besteht, beispielsweise aus
einem Isoliermaterial, das unter der Handelsbezeichnung FORTRON
vertrieben wird. Das Gehäuse 50 weist eine Mittelöffnung 61 auf,
die zu einer kleineren oberen Öffnung 62 führt. Eine Kerbe 63
erstreckt sich entlang der radialen Oberseite des Gehäuses 60.
Ein aus keramischem Isoliermaterial bestehender Federstößel 70
ist in der Öffnung 61 verschiebbar beweglich (Fig. 1 und 11)
und er weist eine durchgehende axiale Öffnung 72 auf. Eine
Druckfeder 73 ist oberhalb des Stößels 70 zusammengedrückt. Die
Gate-Leitung 80 (Fig. 9), die aus versilbertem Kupfermaterial
bestehen kann, weist eine an ihrem Ende ausgebildete Kontakt
scheibe oder einen Kopf 81 auf. Der Durchmesser des Drahtes 80
über seine gesamte Länge kann ungefähr 0,4 mm betragen, während
der Durchmesser des Kopfes 81 ungefähr 1 mm betragen kann. Der
Draht 80 ist durch die Öffnung 71 geführt, bis der Kopf 81 auf
der Unterseite des Stößels 70 anliegt. Eine Isolierhülle 83
umgibt die Länge des Leitungsdrahtes 80, wie dies in den Fig.
10 und 11 gezeigt ist.
Das dem Kopfende 81 gegenüberliegende Ende des Leitungsdrahtes
80 nimmt ein geeignetes Anschlußstück auf, um einen Anschluß
des Leitungsdrahtes an dem innenliegenden Ende des Anschluß
stiftes 25 zu ermöglichen, wie dies in den Fig. 10 und 11 ge
zeigt ist. Entsprechend ist eine Hülse 90 (Fig. 10) auf das
Ende des Drahtes 80 aufgequetscht, und der Draht 80 wird dann
mit dem Inneren der Hülse 90 eines aufsteckbaren Anschluß
stückes 91 verlötet. Wie dies in Fig. 11 gezeigt ist, ergibt
das Anschlußstück eine Steckverbindung über dem innenliegenden
Ende des Anschlußstiftes 25. Es ist verständlich, daß die neu
artige Gate-Leitungsanordnung 50 einen einfachen und zuver
lässigen Zusammenbau der Gate-Leitung in einem unter Druck
zusammengebauten Gehäuse eines Halbleiterbauteils ermöglicht.
Entsprechend wird die Leitung 80 einfach in den Schlitz 51 des
Polstückes 20 gelegt, und das Gehäuse 60 wird in die Öffnung 52
in dem Polstück eingepreßt. Die Gate-Leitungsanordnung bildet
nunmehr eine vollständige Teilbaugruppe mit dem Polstück 20.
Das Anschlußstück 91 wird dann mit dem Anschlußstift 25 ver
bunden, und das Gehäuse kann vollständig zusammengebaut werden,
ohne daß zu befürchten ist, daß der Gate-Anschluß unterbrochen
wird. Sobald das Gehäuse zusammengebaut ist, wird der Kontakt
kopf 81 automatisch über die Feder 73 in Kontakt mit der Gate-
Mittelelektrode des Grenzschichtelementes 30 gedrückt.
Obwohl die vorliegende Erfindung unter Bezugnahme auf spezielle
Ausführungsformen beschrieben wurde, sind für den Fachmann viel
fältige Abänderungen und Modifikationen sowie andere Anwendungen
ohne weiteres ersichtlich.
Claims (4)
1. Gate-Anschlußsystem für ein unter Druck zusammengebautes
Halbleiterbauteil, wobei das Halbleiterbauteil zwei mit Abstand
voneinander angeordnete Polstücke, ein das erste und das zweite
Polstück umgebendes und diese voneinander isolierende Isolier
gehäuse, einen Gate-Anschlußstift, der sich durch das Isolier
gehäuse erstreckt, und ein dünnes ebenes Grenzschichtelement
oder Halbleiterplättchen umfaßt, das zwischen den Polstücken
festgelegt ist und über zumindestens einen erheblichen Teil der
vollen Oberflächenbereiche der Polstücke mit diesem in Druck
kontakt steht, wobei das Grenzschichtelement zumindestens
einen Gate-Elektrodenbereich auf zumindestens einer seiner
Oberflächen aufweist, der auf das erste Polstück gerichtet
ist, und wobei sich der Gate-Elektrodenbereich am Mittelpunkt
des Grenzschichtelementes befindet,
dadurch gekennzeichnet, daß das Gate-Anschlußssystem einen
langgestreckten Gate-Anschlußdraht (80) aufweist, der auf dem
ersten Polstück (20) befestigt ist, daß ein Drahtanschlußbe
reich (81) mit einem Ende des Drahtes verbunden ist und mit dem
Gate-Elektrodenbereich (31) ausgerichtet ist, daß eine Feder
vorspannungseinrichtung (60, 70, 73) mit dem ersten Polstück
(20) verbunden ist und mit dem Drahtanschlußbereich (81)
verbunden ist und den Drahtanschlußbereich in Kontakt mit dem
Gate-Elektrodenbereich (31) drückt, daß Anschlußeinrichtungen
an dem anderen Ende des Drahtes (80) vorgesehen sind, um einen
Anschluß an den Gate-Anschlußstift (25) auf der Innenseite des
Isoliergehäuses herzustellen, und daß das erste Polstück eine
zylindrische Ausnehmung (52) zur Aufnahme der Federvorspannungs
einrichtung aufweist, wobei die Bauteile des Gate-Anschluß
systems alle in dem ersten Polstück (20) befestigt sind.
2. Gate-Anschlußsystem nach Anspruch 1, bei dem das erste
Polstück (20) einen Schlitz (51) in seiner Oberfläche aufweist,
um den Gate-Anschlußdraht (80) unterhalb der Oberfläche des
ersten Polstückes (20) in dem Raum zwischen dem Gate-Anschluß
stift (25) und dem Gate-Anschlußbereich aufzunehmen.
3. Gate-Anschlußsystem nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet, daß die Federvorspanneinrichtungen einen
festen Isolierzylinder (60) mit einer Axialbohrung (61), einen
beweglichen Stößel (70) mit einer axial gerichteten Mittelöff
nung, der in der Axialbohrung (61) des Isolierzylinders (60)
angeordnet ist, und eine Druckfeder (73) umfassen, die zwischen
der Basis der Axialbohrung (61) und dem Stößel (70) angeordnet
ist, um den Stößel (70) in Richtung auf den Gate-Elektrodenbe
reich (31) des Grenzschichtelementes (30) zu drücken, daß der
Leitungsdraht sich durch die axial gerichtete Mittelöffnung in
dem Stößel (70) erstreckt, und daß der Drahtanschlußbereich (81)
an der unteren Oberfläche des Stößels (70) angeordnet ist, der
den Drahtanschlußbereich (81) in Richtung auf den Gate-Elektro
denbereich (31) drückt, wenn das System vollständig zusammen
gebaut ist.
4. System nach Anspruch 1, 2 oder 3, bei dem das erste
Polstück (20) und das dem ersten Polstück (20) benachbarte
Ende des Isoliergehäuses (22) jeweilige leitende kreisförmige
Flansche (23, 24) aufweisen, die miteinander verbunden sind,
um das Innere des Isoliergehäuses abzudichten.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/175,784 US5436473A (en) | 1993-12-30 | 1993-12-30 | Gate lead for center gate pressure assembled thyristor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4443611A1 true DE4443611A1 (de) | 1995-07-06 |
Family
ID=22641615
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19944443611 Withdrawn DE4443611A1 (de) | 1993-12-30 | 1994-12-07 | Gate-Anschlußsystem für einen unter Druck zusammengebauten Hochleistungs-Thyristor mit Gate-Mittelelektrode |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5436473A (de) |
JP (1) | JPH07221286A (de) |
DE (1) | DE4443611A1 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19627426A1 (de) * | 1996-07-08 | 1998-01-15 | Asea Brown Boveri | Lichtzündbarer Leistungshalbleiter sowie Verfahren zum Zusammenbauen eines solchen lichtzündbaren Leistungshalbleiters |
DE10041112A1 (de) * | 2000-08-22 | 2002-03-14 | Eupec Gmbh & Co Kg | Isolierelement |
EP1670056A2 (de) * | 2004-12-08 | 2006-06-14 | Semikron Elektronik GmbH & Co. KG Patentabteilung | Leistungshalbleitermodul mit Hilfsanschluss |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090103342A1 (en) * | 2007-10-17 | 2009-04-23 | Saul Lin | Silicon-controlled rectifier with a heat-dissipating structure |
WO2013038493A1 (ja) * | 2011-09-13 | 2013-03-21 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体モジュール |
RU2591744C2 (ru) * | 2014-12-08 | 2016-07-20 | Открытое акционерное общество "Электровыпрямитель" | Тиристор |
CN111933588B (zh) * | 2020-06-24 | 2022-04-29 | 株洲中车时代半导体有限公司 | 一种igct封装结构 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5829622B2 (ja) * | 1981-10-30 | 1983-06-23 | 三菱電機株式会社 | 制御電極端子付圧接形半導体装置の組立て方法 |
JP2755761B2 (ja) * | 1990-01-26 | 1998-05-25 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US5371386A (en) * | 1992-04-28 | 1994-12-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method of assembling the same |
-
1993
- 1993-12-30 US US08/175,784 patent/US5436473A/en not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-12-07 DE DE19944443611 patent/DE4443611A1/de not_active Withdrawn
- 1994-12-28 JP JP32772594A patent/JPH07221286A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19627426A1 (de) * | 1996-07-08 | 1998-01-15 | Asea Brown Boveri | Lichtzündbarer Leistungshalbleiter sowie Verfahren zum Zusammenbauen eines solchen lichtzündbaren Leistungshalbleiters |
DE10041112A1 (de) * | 2000-08-22 | 2002-03-14 | Eupec Gmbh & Co Kg | Isolierelement |
US6943418B2 (en) | 2000-08-22 | 2005-09-13 | Eupec Europaeische Gesellschaft Fuer Leistungshalbleiter Mbh & Co. Kg | Insulating element |
DE10041112B4 (de) * | 2000-08-22 | 2006-05-24 | eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG | Isolierelement |
EP1670056A2 (de) * | 2004-12-08 | 2006-06-14 | Semikron Elektronik GmbH & Co. KG Patentabteilung | Leistungshalbleitermodul mit Hilfsanschluss |
DE102004058946A1 (de) * | 2004-12-08 | 2006-06-14 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit Hilfsanschluss |
EP1670056A3 (de) * | 2004-12-08 | 2009-03-11 | Semikron Elektronik GmbH & Co. KG Patentabteilung | Leistungshalbleitermodul mit Hilfsanschluss |
DE102004058946B4 (de) * | 2004-12-08 | 2009-06-18 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit Hilfsanschluss |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5436473A (en) | 1995-07-25 |
JPH07221286A (ja) | 1995-08-18 |
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