JPH07221286A - 加圧組立半導体装置のためのゲート結合システム - Google Patents
加圧組立半導体装置のためのゲート結合システムInfo
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- JPH07221286A JPH07221286A JP32772594A JP32772594A JPH07221286A JP H07221286 A JPH07221286 A JP H07221286A JP 32772594 A JP32772594 A JP 32772594A JP 32772594 A JP32772594 A JP 32772594A JP H07221286 A JPH07221286 A JP H07221286A
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- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
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Abstract
(57)【要約】
【目的】加圧組立半導体装置のための信頼できるゲート
結合システムを提供する。 【構成】中心ゲートサイリスタのためのリードワイヤ
は、その主な全長にわたり絶縁される可撓性の長い伝導
性リードワイヤであり、その１端に接触ディスクを結合
する。リードワイヤはプランジャ内の中心開口をとおっ
てねじが切られ、プランジャは、ポールピースの中の中
心開口に受け入れられ、プランジャの底に対して設置さ
れる接触ディスクの中で終端となる。加圧ばねは、シリ
ンダの他端とプランジャとの間に設けられ、接触ディス
クを押して、半導体装置が組み立てられるときに、接合
の上でゲート電極と加圧下で接触させる。リードワイヤ
の上記の他端は、アッセンブリの絶縁ハウジングを通る
ゲートピンの内部側の端に容易に結合できる。
結合システムを提供する。 【構成】中心ゲートサイリスタのためのリードワイヤ
は、その主な全長にわたり絶縁される可撓性の長い伝導
性リードワイヤであり、その１端に接触ディスクを結合
する。リードワイヤはプランジャ内の中心開口をとおっ
てねじが切られ、プランジャは、ポールピースの中の中
心開口に受け入れられ、プランジャの底に対して設置さ
れる接触ディスクの中で終端となる。加圧ばねは、シリ
ンダの他端とプランジャとの間に設けられ、接触ディス
クを押して、半導体装置が組み立てられるときに、接合
の上でゲート電極と加圧下で接触させる。リードワイヤ
の上記の他端は、アッセンブリの絶縁ハウジングを通る
ゲートピンの内部側の端に容易に結合できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、大パワー加圧組立サイ
リスタ、より詳細には、そのような装置のための新規な
ばねバイアス中心ゲートリード構造に関する。
リスタ、より詳細には、そのような装置のための新規な
ばねバイアス中心ゲートリード構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】大パワー半導体ハウジングのための加圧
組立ハウジングはよく知られていて、一般に、支持セラ
ミックシリンダの対向する両端に同軸的に固定されシリ
ンダ内に突き出る１対の大きな銅ポールピースを備え
る。半導体ウエハーは、その中に、たとえばサイリスタ
を区画するために必要なＰ−Ｎ接合を備える。半導体ウ
エハーは、各ポールピースの平らで平行な対向する内部
表面の間に所定位置に固定される。このウエハーは、一
般に「接合」と呼ばれる。この接合は、その対向する表
面に主電極を有し、この２つの主電極は、締め付け圧力
の下におかれたとき、ポールピースとより高圧で係合す
る。
組立ハウジングはよく知られていて、一般に、支持セラ
ミックシリンダの対向する両端に同軸的に固定されシリ
ンダ内に突き出る１対の大きな銅ポールピースを備え
る。半導体ウエハーは、その中に、たとえばサイリスタ
を区画するために必要なＰ−Ｎ接合を備える。半導体ウ
エハーは、各ポールピースの平らで平行な対向する内部
表面の間に所定位置に固定される。このウエハーは、一
般に「接合」と呼ばれる。この接合は、その対向する表
面に主電極を有し、この２つの主電極は、締め付け圧力
の下におかれたとき、ポールピースとより高圧で係合す
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】サイリスタのためのゲ
ート電極すなわち制御電極は、一般に、ウエハーすなわ
ち接合の頂部の中心に位置する。したがって、ゲートリ
ードは、中心ゲート電極に固定され、ゲートピンに付着
されねばならない。ゲートピンは、ハウジングの組み立
て作業の間に、セラミック絶縁体を通っている。そのよ
うなゲートリードは、組み立て作業の間に切れることが
あり、または、中心接合電極またはハウジングとの接触
が悪くなることがある。したがって、組み立て作業は、
うんざりし、ゲート結合は信頼できない。
ート電極すなわち制御電極は、一般に、ウエハーすなわ
ち接合の頂部の中心に位置する。したがって、ゲートリ
ードは、中心ゲート電極に固定され、ゲートピンに付着
されねばならない。ゲートピンは、ハウジングの組み立
て作業の間に、セラミック絶縁体を通っている。そのよ
うなゲートリードは、組み立て作業の間に切れることが
あり、または、中心接合電極またはハウジングとの接触
が悪くなることがある。したがって、組み立て作業は、
うんざりし、ゲート結合は信頼できない。
【０００４】本発明の目的は、加圧組立半導体装置のた
めの信頼できるゲート結合システムを提供することであ
る。
めの信頼できるゲート結合システムを提供することであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明より、新規なばね
バイアス接触システムが、サイリスタ接合の中心ゲート
に接触するために提供される。本発明に係るゲート結合
システムは、加圧組立半導体装置のためのシステムであ
り、この加圧組立半導体装置は、間を隔てて配置される
１対の第１と第２のポールピースと、上記の第１と第２
のポールピースを取り囲み、相互に絶縁する絶縁アッセ
ンブリと、上記の絶縁アッセンブリを通るゲートピン
と、上記の第１と第２のポールピースの間に設けられ、
上記の第１と第２のポールピースの全表面の少なくとも
実質的な部分で上記の第１と第２のポールピースと圧力
下で接触する平らな接合部であって、上記の第１ポール
ピースに面する少なくとも１つの表面に、上記の接合の
中心に位置するゲート電極領域を備える接合部とからな
る。ここで、ゲート結合システムは、上記の第１ポール
ピースに取り付けられるゲートワイヤと、上記のゲート
ワイヤの１端に結合されるワイヤ結合部材と、上記の第
１ポールピースに固定され、上記のワイヤ結合部材を押
して上記の接合部のゲート電極面と接触させるばねバイ
アス手段と、上記の絶縁アッセンブリの内部で上記のゲ
ートピンに上記のゲートワイヤの他端を結合する結合手
段とからなる。ここに、上記の第１ポールピースは、上
記のばねバイアス手段を収容する円筒状凹部を備える。
好ましくは、上記の第１ポールピースは、上記のゲート
ピンと上記のゲート電極領域との間の空間で上記の第１
ポールピースの表面のすぐ下で上記のゲートワイヤを収
容するためのスロットを、上記の第１ポールピースの表
面の中に備える。好ましくは、上記のばねバイアス手段
は、固定した絶縁シリンダと、軸方向に中央開口を備
え、上記の絶縁シリンダ内で上記の中央開口が配置され
る可動性プランジャと、上記の接合の上記のゲート電極
領域の方に上記のプランジャを押すための、上記の絶縁
シリンダと上記のプランジャを収容する上記の軸方向の
中央開口の底の間に配置される加圧ばねからなる。上記
のゲートワイヤは、上記のプランジャ内の上記の中央開
口を通り、また、上記のワイヤ結合部材は、上記のプラ
ンジャの底面に配置され、上記のプランジャは、上記の
システムが十分に組み立てられたときに上記のゲート電
極領域の方に上記のワイヤ結合部材を押す。好ましく
は、上記の第１ポールピースと、上記の絶縁ハウジング
の上記の第１ポールピースに近い端部は、それぞれ電気
伝導性円状フランジを有し、上記の絶縁ハウジングの内
部を封じるようにともに結合される。
バイアス接触システムが、サイリスタ接合の中心ゲート
に接触するために提供される。本発明に係るゲート結合
システムは、加圧組立半導体装置のためのシステムであ
り、この加圧組立半導体装置は、間を隔てて配置される
１対の第１と第２のポールピースと、上記の第１と第２
のポールピースを取り囲み、相互に絶縁する絶縁アッセ
ンブリと、上記の絶縁アッセンブリを通るゲートピン
と、上記の第１と第２のポールピースの間に設けられ、
上記の第１と第２のポールピースの全表面の少なくとも
実質的な部分で上記の第１と第２のポールピースと圧力
下で接触する平らな接合部であって、上記の第１ポール
ピースに面する少なくとも１つの表面に、上記の接合の
中心に位置するゲート電極領域を備える接合部とからな
る。ここで、ゲート結合システムは、上記の第１ポール
ピースに取り付けられるゲートワイヤと、上記のゲート
ワイヤの１端に結合されるワイヤ結合部材と、上記の第
１ポールピースに固定され、上記のワイヤ結合部材を押
して上記の接合部のゲート電極面と接触させるばねバイ
アス手段と、上記の絶縁アッセンブリの内部で上記のゲ
ートピンに上記のゲートワイヤの他端を結合する結合手
段とからなる。ここに、上記の第１ポールピースは、上
記のばねバイアス手段を収容する円筒状凹部を備える。
好ましくは、上記の第１ポールピースは、上記のゲート
ピンと上記のゲート電極領域との間の空間で上記の第１
ポールピースの表面のすぐ下で上記のゲートワイヤを収
容するためのスロットを、上記の第１ポールピースの表
面の中に備える。好ましくは、上記のばねバイアス手段
は、固定した絶縁シリンダと、軸方向に中央開口を備
え、上記の絶縁シリンダ内で上記の中央開口が配置され
る可動性プランジャと、上記の接合の上記のゲート電極
領域の方に上記のプランジャを押すための、上記の絶縁
シリンダと上記のプランジャを収容する上記の軸方向の
中央開口の底の間に配置される加圧ばねからなる。上記
のゲートワイヤは、上記のプランジャ内の上記の中央開
口を通り、また、上記のワイヤ結合部材は、上記のプラ
ンジャの底面に配置され、上記のプランジャは、上記の
システムが十分に組み立てられたときに上記のゲート電
極領域の方に上記のワイヤ結合部材を押す。好ましく
は、上記の第１ポールピースと、上記の絶縁ハウジング
の上記の第１ポールピースに近い端部は、それぞれ電気
伝導性円状フランジを有し、上記の絶縁ハウジングの内
部を封じるようにともに結合される。
【０００６】
【作用】本発明に係るゲート結合システムにおいて、ゲ
ート結合用の部品は、すべて、第１のポールピースに取
り付けられ、可撓性の長い電気伝導性ゲートワイヤの自
由接触端は、両ポールピースと絶縁シリンダとが共に固
定されるときに、ゲートピンに結合される。中心ゲート
サイリスタのためのゲートリードは、リードワイヤの他
端に結合されるワイヤ結合部材（接触ディスク）を備え
る。リードワイヤは、その主要な長さにわたって絶縁さ
れる。リードワイヤは、プランジャ内の中心開口を通
り、第１ポールピースの中の中心開口に受け入れられ、
プランジャの底に対して位置するワイヤ結合部材で終端
となる。圧縮ばねは、シリンダの他端とプランジャとの
間で設置され、これにより、ワイヤ結合部材を押して、
半導体装置が組み立てられるときに、接合の上でゲート
電極と高圧下で接触させる。ゲートリードワイヤの上記
の他端は、ゲートピンの絶縁ハウジングの内部側の端に
容易に結合できる。好ましくは、第１ポールピースの表
面のすぐ下にスロットを設け、ゲートワイヤを収容す
る。また、好ましくは、上記のばねバイアス手段は、第
１ポールピースにおける開口内に固定される絶縁シリン
ダを備える。ばねプランジャは、シリンダ内に移動可能
に取り付けられ、圧縮ばねは、プランジャをポールピー
スから接合の方へ押す。リードワイヤは、プランジャの
軸の方に開口を通り、拡大したワイヤ結合部材（接触デ
ィスク）と１端で終端となり、ワイヤ結合部材は、プラ
ンジャの外側端と中心ゲート電極との間で接合上に押さ
れる。次に、ゲートワイヤは、第１ポールピースにおけ
るスロットにそって位置し、コネクタで終端となる。コ
ネクタは、セラミック絶縁体の壁を通るゲートピンの内
側端に容易に結合される。この新規なゲートリード構造
は、第１ポールピース内で十分に支持され、ポールピー
ス、セラミック絶縁体および接合の容易な組み立てを、
信頼性高く可能にし、ポールピースが組み立てられたと
き、接合のゲート電極に対するよい接触を確実にする。
ート結合用の部品は、すべて、第１のポールピースに取
り付けられ、可撓性の長い電気伝導性ゲートワイヤの自
由接触端は、両ポールピースと絶縁シリンダとが共に固
定されるときに、ゲートピンに結合される。中心ゲート
サイリスタのためのゲートリードは、リードワイヤの他
端に結合されるワイヤ結合部材（接触ディスク）を備え
る。リードワイヤは、その主要な長さにわたって絶縁さ
れる。リードワイヤは、プランジャ内の中心開口を通
り、第１ポールピースの中の中心開口に受け入れられ、
プランジャの底に対して位置するワイヤ結合部材で終端
となる。圧縮ばねは、シリンダの他端とプランジャとの
間で設置され、これにより、ワイヤ結合部材を押して、
半導体装置が組み立てられるときに、接合の上でゲート
電極と高圧下で接触させる。ゲートリードワイヤの上記
の他端は、ゲートピンの絶縁ハウジングの内部側の端に
容易に結合できる。好ましくは、第１ポールピースの表
面のすぐ下にスロットを設け、ゲートワイヤを収容す
る。また、好ましくは、上記のばねバイアス手段は、第
１ポールピースにおける開口内に固定される絶縁シリン
ダを備える。ばねプランジャは、シリンダ内に移動可能
に取り付けられ、圧縮ばねは、プランジャをポールピー
スから接合の方へ押す。リードワイヤは、プランジャの
軸の方に開口を通り、拡大したワイヤ結合部材（接触デ
ィスク）と１端で終端となり、ワイヤ結合部材は、プラ
ンジャの外側端と中心ゲート電極との間で接合上に押さ
れる。次に、ゲートワイヤは、第１ポールピースにおけ
るスロットにそって位置し、コネクタで終端となる。コ
ネクタは、セラミック絶縁体の壁を通るゲートピンの内
側端に容易に結合される。この新規なゲートリード構造
は、第１ポールピース内で十分に支持され、ポールピー
ス、セラミック絶縁体および接合の容易な組み立てを、
信頼性高く可能にし、ポールピースが組み立てられたと
き、接合のゲート電極に対するよい接触を確実にする。
【０００７】
【実施例】以下、図面を参照して本発明による実施例に
ついて説明する。まず、図１と図２は、典型的な加圧組
立パワートランジスタ装置の概略を示す。また、図１１
は、この装置の拡大した断面を示す。図１と図２におい
て、このパワートランジスタ装置は、上側銅ポールピー
ス２０、下側銅ポールピース２１および環状のセラミッ
ク絶縁体２２からなり、セラミック絶縁体２２は、２個
のポールピース２０、２１を内部に受け入れる（図１１
参照）。ポールピース２０、２１の頂部と底部の表面
は、平らで平行であり、加圧組立ハウジングのヒートシ
ンク（図示しない）の間に取り付けられる。このヒート
シンクは、通常の手段でポールピース２０、２１を相互
に向かって押す。
ついて説明する。まず、図１と図２は、典型的な加圧組
立パワートランジスタ装置の概略を示す。また、図１１
は、この装置の拡大した断面を示す。図１と図２におい
て、このパワートランジスタ装置は、上側銅ポールピー
ス２０、下側銅ポールピース２１および環状のセラミッ
ク絶縁体２２からなり、セラミック絶縁体２２は、２個
のポールピース２０、２１を内部に受け入れる（図１１
参照）。ポールピース２０、２１の頂部と底部の表面
は、平らで平行であり、加圧組立ハウジングのヒートシ
ンク（図示しない）の間に取り付けられる。このヒート
シンクは、通常の手段でポールピース２０、２１を相互
に向かって押す。
【０００８】下側ポールピース２１は、セラミック絶縁
体２２の底と結合する銅フランジ１９を側面部に備える
（図１１参照）。絶縁体２２の頂部は、フランジ２３
（図１、図２および図１１参照）を備える。上側ポール
ピース２０は、側面部に取り付けフランジ２４を備え、
このフランジ２４は、フランジ２３と溶接されて、パッ
ケージを組み立て、このパッケージの内部を封じる。ゲ
ートピン２５は、セラミック絶縁体２２外側から内側へ
通り抜ける。そして、ゲートピン２５の内側は、後で説
明するように、この加圧組立ハウジングの内部に設けら
れる接合３０のゲート電極に結合できる。このゲートピ
ン２５は、パッケージがフランジ２３、２４で封じられ
る前に、接合３０のゲート電極に接続されねばならな
い。図１と図２に示すハウジングの概略は、本発明を使
用出来る多数の異なったパッケージの概略において典型
的である。
体２２の底と結合する銅フランジ１９を側面部に備える
（図１１参照）。絶縁体２２の頂部は、フランジ２３
（図１、図２および図１１参照）を備える。上側ポール
ピース２０は、側面部に取り付けフランジ２４を備え、
このフランジ２４は、フランジ２３と溶接されて、パッ
ケージを組み立て、このパッケージの内部を封じる。ゲ
ートピン２５は、セラミック絶縁体２２外側から内側へ
通り抜ける。そして、ゲートピン２５の内側は、後で説
明するように、この加圧組立ハウジングの内部に設けら
れる接合３０のゲート電極に結合できる。このゲートピ
ン２５は、パッケージがフランジ２３、２４で封じられ
る前に、接合３０のゲート電極に接続されねばならな
い。図１と図２に示すハウジングの概略は、本発明を使
用出来る多数の異なったパッケージの概略において典型
的である。
【０００９】図３は、図１、図２および図１１のハウジ
ングの斜視分解図を示し（ポールピースを示していな
い）、中心ゲート電極３１を備えた接合３０の使用を示
す。この接合３０は、任意の半導体装置であってよい
が、典型的には、サイリスタである。銀ワッシャ３２
（図３、図１１参照）は、接合３１（図１１参照）の主
要上電極の上に配置される（図１１）。ワッシャ３２
は、十分大きい開口３３を有し、接合３０の中心ゲート
電極へ接触しない。さらに、開口３６を有するモリブデ
ンワッシャ３５が、銀ワッシャ３２の上に配置される。
ワッシャ３２、３５は、接触を確実にするために用いら
れる。成形したシリコーンの接合位置決め器４０（図３
参照）は、図１１に示すように、接合３０、ワッシャ３
２、３５および上側ポールピース２０の底の周囲を取り
囲み、上側ポールピース２０と絶縁体２２に対して接合
３０を位置決めし、ハウジング内で接合３０が自由に動
くのを防止する。また、図３は、後で詳細に説明する新
規なゲートアッセンブリ５０も示す。図１１に示すよう
に、接合３０の底面（配線のために金属化されている）
は、下側ポールピース２１の平らな上側表面と接触す
る。
ングの斜視分解図を示し（ポールピースを示していな
い）、中心ゲート電極３１を備えた接合３０の使用を示
す。この接合３０は、任意の半導体装置であってよい
が、典型的には、サイリスタである。銀ワッシャ３２
（図３、図１１参照）は、接合３１（図１１参照）の主
要上電極の上に配置される（図１１）。ワッシャ３２
は、十分大きい開口３３を有し、接合３０の中心ゲート
電極へ接触しない。さらに、開口３６を有するモリブデ
ンワッシャ３５が、銀ワッシャ３２の上に配置される。
ワッシャ３２、３５は、接触を確実にするために用いら
れる。成形したシリコーンの接合位置決め器４０（図３
参照）は、図１１に示すように、接合３０、ワッシャ３
２、３５および上側ポールピース２０の底の周囲を取り
囲み、上側ポールピース２０と絶縁体２２に対して接合
３０を位置決めし、ハウジング内で接合３０が自由に動
くのを防止する。また、図３は、後で詳細に説明する新
規なゲートアッセンブリ５０も示す。図１１に示すよう
に、接合３０の底面（配線のために金属化されている）
は、下側ポールピース２１の平らな上側表面と接触す
る。
【００１０】図４、図５および図６は、図３に示した新
規なゲート接触アッセンブリ５０を用いるためにどのよ
うな上側ポールピース２０が用いられるかを示す。ここ
に、図４は、上側ポールピース２０の断面図であり、図
５は、図４に示した上側ポールピース２０の上面図であ
り、図６は、図４の６−６線での断面図である。このゲ
ート接触アッセンブリ５０の接触システムは、すべて、
上側のポールピース２０内で固定され、接触システムの
自由接触端は、両ポールピース２０、２１と後述の位置
決め器（シリンダ）６０とが共に固定されるときにゲー
トピンの内部に結合される。このため、スロット５１
は、ポールピース２０の内側直径にわたって切削され、
そして、拡大した中心開口５２（図５および図６参照）
が、ポールピース２０の軸にそって形成される。スロッ
ト５１はゲートリードのための空間を可能にし、開口５
２は、後述のゲートばねアッセンブリハウジングを収容
する。また、図７は、ゲート位置決め器（ゲートアッセ
ンブリ絶縁ハウジング）６０の上面を示し、図８は、図
７の８−８線での断面を示す。ゲート位置決め器（また
は、ゲートアッセンブリハウジングシリンダ）６０は、
より小さな上側開口６２に通じる中心開口６１を備える
（図１１参照）。ノッチ６３は、ハウジング６０の頂部
に１つの半径方向に存在する。さらに、図１０は、内部
ゲートリードアッセンブリを示す。図１０に示すよう
に、ゲートリードアッセンブリ５０は、任意の適当な成
形用絶縁材料、たとえば商標ＦＯＲＴＲＯＮを有する絶
縁体、からなるゲート位置決め器６０を含む。
規なゲート接触アッセンブリ５０を用いるためにどのよ
うな上側ポールピース２０が用いられるかを示す。ここ
に、図４は、上側ポールピース２０の断面図であり、図
５は、図４に示した上側ポールピース２０の上面図であ
り、図６は、図４の６−６線での断面図である。このゲ
ート接触アッセンブリ５０の接触システムは、すべて、
上側のポールピース２０内で固定され、接触システムの
自由接触端は、両ポールピース２０、２１と後述の位置
決め器（シリンダ）６０とが共に固定されるときにゲー
トピンの内部に結合される。このため、スロット５１
は、ポールピース２０の内側直径にわたって切削され、
そして、拡大した中心開口５２（図５および図６参照）
が、ポールピース２０の軸にそって形成される。スロッ
ト５１はゲートリードのための空間を可能にし、開口５
２は、後述のゲートばねアッセンブリハウジングを収容
する。また、図７は、ゲート位置決め器（ゲートアッセ
ンブリ絶縁ハウジング）６０の上面を示し、図８は、図
７の８−８線での断面を示す。ゲート位置決め器（また
は、ゲートアッセンブリハウジングシリンダ）６０は、
より小さな上側開口６２に通じる中心開口６１を備える
（図１１参照）。ノッチ６３は、ハウジング６０の頂部
に１つの半径方向に存在する。さらに、図１０は、内部
ゲートリードアッセンブリを示す。図１０に示すよう
に、ゲートリードアッセンブリ５０は、任意の適当な成
形用絶縁材料、たとえば商標ＦＯＲＴＲＯＮを有する絶
縁体、からなるゲート位置決め器６０を含む。
【００１１】セラミック絶縁体ばねプランジャ７０は、
ゲート位置決め器６０の開口６１（図１および図１１参
照）内で摺動して移動可能であり、この開口６１を通る
軸方向開口７２を備える。圧縮ばね７３は、開口６１内
でプランジャ７０の上に位置し、プランジャ７０を押
す。図９に示すように、可撓性の長い電気伝導性ゲート
リード８０は、銀で被覆した銅であってもよいが、その
１端に、拡大した接触ディスクまたはヘッド８１が形成
される。たとえば、ワイヤ８０の直径は、その全長で約
０.４ｍｍであり、ヘッド８１の直径は、約１ｍｍであ
る。ワイヤ８０は、ヘッド８１がプランジャ７０の底の
上に位置するまで開口７２をとおってねじが切られる。
絶縁スリーブ８３は、図１０と図１１に示すように、リ
ードワイヤ８０を全長にわたって取り囲む。リードワイ
ヤ８０のヘッド８１側の端と反対側の端は、図１０と図
１１に示すように、ピン２５の内部側へのリードワイヤ
の結合を可能にする適当なコネクタを受け入れる。こう
して、スリーブ９０（図１０参照）は、ワイヤ８０の絶
縁スリーブ８３の１端に固定され、ワイヤ８０は、次
に、スライド・オン・コネクタ９１のスリーブ９０の内
部にはんだ付けされる。図１１に示すように、コネクタ
９１は、ピン２５の絶縁２２の内部の端と摺動結合をす
る。ゲート接触は、上ポールピース２０における開口内
に固定される絶縁シリンダを備える。ばねプランジャ７
０は、シリンダ６０内に移動可能に取り付けられ、リー
ドワイヤ８０は、プランジャの軸の方に開口６１を通
り、拡大した接触ディスク８１と１端で終端となり、接
触ディスク８１は、プランジャ７０の外側端と中心ゲー
ト電極との間で接合３０上に押される。次に、ゲートリ
ード８０は、上ポールピース２０におけるスロット５１
にそって位置し、コネクタ９１内で終端となる。コネク
タ９１は、セラミック絶縁体２２の壁を通るゲート２５
の内側端に容易に結合される。
ゲート位置決め器６０の開口６１（図１および図１１参
照）内で摺動して移動可能であり、この開口６１を通る
軸方向開口７２を備える。圧縮ばね７３は、開口６１内
でプランジャ７０の上に位置し、プランジャ７０を押
す。図９に示すように、可撓性の長い電気伝導性ゲート
リード８０は、銀で被覆した銅であってもよいが、その
１端に、拡大した接触ディスクまたはヘッド８１が形成
される。たとえば、ワイヤ８０の直径は、その全長で約
０.４ｍｍであり、ヘッド８１の直径は、約１ｍｍであ
る。ワイヤ８０は、ヘッド８１がプランジャ７０の底の
上に位置するまで開口７２をとおってねじが切られる。
絶縁スリーブ８３は、図１０と図１１に示すように、リ
ードワイヤ８０を全長にわたって取り囲む。リードワイ
ヤ８０のヘッド８１側の端と反対側の端は、図１０と図
１１に示すように、ピン２５の内部側へのリードワイヤ
の結合を可能にする適当なコネクタを受け入れる。こう
して、スリーブ９０（図１０参照）は、ワイヤ８０の絶
縁スリーブ８３の１端に固定され、ワイヤ８０は、次
に、スライド・オン・コネクタ９１のスリーブ９０の内
部にはんだ付けされる。図１１に示すように、コネクタ
９１は、ピン２５の絶縁２２の内部の端と摺動結合をす
る。ゲート接触は、上ポールピース２０における開口内
に固定される絶縁シリンダを備える。ばねプランジャ７
０は、シリンダ６０内に移動可能に取り付けられ、リー
ドワイヤ８０は、プランジャの軸の方に開口６１を通
り、拡大した接触ディスク８１と１端で終端となり、接
触ディスク８１は、プランジャ７０の外側端と中心ゲー
ト電極との間で接合３０上に押される。次に、ゲートリ
ード８０は、上ポールピース２０におけるスロット５１
にそって位置し、コネクタ９１内で終端となる。コネク
タ９１は、セラミック絶縁体２２の壁を通るゲート２５
の内側端に容易に結合される。
【００１２】理解されるように、この新規なゲートリー
ドアッセンブリ５０は、加圧組立パッケージまたはハウ
ジングの中でのゲートリードの簡単で信頼性の高いアッ
センブリを可能にする。こうして、リード８０は、ポー
ルピース２０のスロット５１の中に簡単に置かれ、ハウ
ジング６０は、ポールピースの中で開口５２の中に押さ
れる。こうして、ゲートリードアッセンブリは、ポール
ピース２０と部分的に組み立てられたことになる。次
に、コネクタ９１が、ピン２５に結合され、ハウジング
は、ゲート結合を失うおそれがなく、完全に組み立てで
きる。ハウジングが組み立てられると、接触ヘッド８１
は、ばね７３により押されて接合３０の中心ゲートと自
動的に接触する。
ドアッセンブリ５０は、加圧組立パッケージまたはハウ
ジングの中でのゲートリードの簡単で信頼性の高いアッ
センブリを可能にする。こうして、リード８０は、ポー
ルピース２０のスロット５１の中に簡単に置かれ、ハウ
ジング６０は、ポールピースの中で開口５２の中に押さ
れる。こうして、ゲートリードアッセンブリは、ポール
ピース２０と部分的に組み立てられたことになる。次
に、コネクタ９１が、ピン２５に結合され、ハウジング
は、ゲート結合を失うおそれがなく、完全に組み立てで
きる。ハウジングが組み立てられると、接触ヘッド８１
は、ばね７３により押されて接合３０の中心ゲートと自
動的に接触する。
【００１３】本発明は、その特定の実施例を用いて説明
されたけれども、他の変形や用途は、当業者にとって明
らかであろう。したがって、本発明は、ここでの特定の
開示により限定されず、特許請求の範囲によってのみ制
限される。
されたけれども、他の変形や用途は、当業者にとって明
らかであろう。したがって、本発明は、ここでの特定の
開示により限定されず、特許請求の範囲によってのみ制
限される。
【００１４】
【発明の効果】この新規なゲートリード構造は、第１ポ
ールピース内で十分に支持され、ポールピース、セラミ
ック絶縁体および接合の容易な組み立てを、信頼性高く
可能にし、ポールピースが組み立てられたとき、接合の
ゲート電極に対するよい接触を確実にする。
ールピース内で十分に支持され、ポールピース、セラミ
ック絶縁体および接合の容易な組み立てを、信頼性高く
可能にし、ポールピースが組み立てられたとき、接合の
ゲート電極に対するよい接触を確実にする。
【図１】 本発明の新規なゲート接触を使用できる典型
的な加圧組み立てサイリスタの正面図である。
的な加圧組み立てサイリスタの正面図である。
【図２】 図１の装置の上面図である。
【図３】 図１と図２に示した装置の斜視分解図であ
る。
る。
【図４】 図１、図２および図３に示した上側ポールピ
ースの側面図である。
ースの側面図である。
【図５】 図４の上面図である。
【図６】 図４の６−６線での断面図である。
【図７】 ゲートアッセンブリ絶縁ハウジングの上面図
である。
である。
【図８】 図７の８−８線での断面図である。
【図９】 ゲートリードと、ゲートアッセンブリのため
の拡大した接触ヘッドとを示す図である。
の拡大した接触ヘッドとを示す図である。
【図１０】 内部ゲートリードアッセンブリを示す図で
ある。
ある。
【図１１】 加圧組立ハウジングにおいて組み立てられ
るゲートリードアッセンブリの拡大断面図である。
るゲートリードアッセンブリの拡大断面図である。
２０、２１…ポールピース、 ２２…絶縁体ハウジン
グ、２５…ゲートピン、 ３０…接合部、 ５０…ゲー
トリードアッセンブリ、５１…スリット、 ６１…凹
部、 ７０…プランジャ、 ７２…開口、７３…ばね、
８０…リードワイヤ、 ８１…ワイヤ結合部材、９１
…コネクタ。
グ、２５…ゲートピン、 ３０…接合部、 ５０…ゲー
トリードアッセンブリ、５１…スリット、 ６１…凹
部、 ７０…プランジャ、 ７２…開口、７３…ばね、
８０…リードワイヤ、 ８１…ワイヤ結合部材、９１
…コネクタ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 クラウディオ・マルファット イタリア10070カファッセ、ビア・プロリ オ11番 (72)発明者 シルベストロ・フィミアーニ イタリア10078トリノ、ビア・ベリノ３ ／ア番
Claims (4)
- 【請求項１】 間を隔てて配置される１対の第１と第２
のポールピースと、 上記の第１と第２のポールピースを取り囲み、相互に絶
縁する絶縁アッセンブリと、 上記の絶縁アッセンブリを通るゲートピンと、 上記の第１と第２のポールピースの間に設けられ、上記
の第１と第２のポールピースの全表面の少なくとも実質
的な部分で上記の第１と第２のポールピースと圧力下で
接触する平らな接合部であって、上記の第１ポールピー
スに面する少なくとも１つの表面に、上記の接合部の中
心に位置するゲート電極領域を備える接合部とからなる
加圧組立半導体装置において、 上記の第１ポールピースに取り付けられるゲートワイヤ
と、 上記のゲートワイヤの１端に結合されるワイヤ結合部材
と、 上記の第１ポールピースに固定され、上記のワイヤ結合
部材を押して上記の接合部のゲート電極面と接触させる
ばねバイアス手段と、 上記の絶縁アッセンブリの内部で上記のゲートピンに上
記のゲートワイヤの他端を結合する結合手段とからな
り、 上記の第１ポールピースは、上記のばねバイアス手段を
収容する円筒状凹部を備えることを特徴とするゲート結
合システム。 - 【請求項２】 請求項１に記載したゲート結合システム
において、上記の第１ポールピースは、上記のゲートピ
ンと上記のゲート電極領域との間の空間で上記の第１ポ
ールピースの表面のすぐ下で上記のゲートワイヤを収容
するためのスロットを、上記の第１ポールピースの表面
の中に備えることを特徴とするゲート結合システム。 - 【請求項３】 請求項２に記載したゲート結合システム
において、上記のばねバイアス手段は、 固定した絶縁シリンダ、 軸方向に中央開口を備え、上記の絶縁シリンダ内で上記
の中央開口が配置される可動性のプランジャ、 上記の接合の上記のゲート電極領域の方に上記のプラン
ジャを押すための、上記の絶縁シリンダと上記のプラン
ジャを収容する上記の軸方向の中央開口の底の間に配置
される加圧ばねからなり、 上記のゲートワイヤは、上記のプランジャ内の上記の中
央開口を通り、 上記のワイヤ結合部材は、上記のプランジャの底面に配
置され、上記のプランジャは、上記のシステムが十分に
組み立てられたときに上記のゲート電極領域の方に上記
のワイヤ結合部材を押すことを特徴とするゲート結合シ
ステム。 - 【請求項４】 請求項１、２または３に記載したゲート
結合システムにおいて、上記の第１ポールピースと、上
記の絶縁ハウジングの上記の第１ポールピースに近い端
部は、それぞれ、上記の絶縁ハウジングの内部を封じる
ようにともに結合される電気伝導性の円状フランジを有
することを特徴とするゲート結合システム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/175,784 US5436473A (en) | 1993-12-30 | 1993-12-30 | Gate lead for center gate pressure assembled thyristor |
| US175784 | 1993-12-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07221286A true JPH07221286A (ja) | 1995-08-18 |
Family
ID=22641615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32772594A Pending JPH07221286A (ja) | 1993-12-30 | 1994-12-28 | 加圧組立半導体装置のためのゲート結合システム |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5436473A (ja) |
| JP (1) | JPH07221286A (ja) |
| DE (1) | DE4443611A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006165536A (ja) * | 2004-12-08 | 2006-06-22 | Semikron Elektronik Gmbh & Co Kg | 補助端子を備えたパワー半導体モジュール |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19627426A1 (de) * | 1996-07-08 | 1998-01-15 | Asea Brown Boveri | Lichtzündbarer Leistungshalbleiter sowie Verfahren zum Zusammenbauen eines solchen lichtzündbaren Leistungshalbleiters |
| DE10041112B4 (de) * | 2000-08-22 | 2006-05-24 | eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG | Isolierelement |
| US20090103342A1 (en) * | 2007-10-17 | 2009-04-23 | Saul Lin | Silicon-controlled rectifier with a heat-dissipating structure |
| JP5338980B2 (ja) * | 2011-09-13 | 2013-11-13 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体モジュール |
| RU2591744C2 (ru) * | 2014-12-08 | 2016-07-20 | Открытое акционерное общество "Электровыпрямитель" | Тиристор |
| CN111933588B (zh) * | 2020-06-24 | 2022-04-29 | 株洲中车时代半导体有限公司 | 一种igct封装结构 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5829622B2 (ja) * | 1981-10-30 | 1983-06-23 | 三菱電機株式会社 | 制御電極端子付圧接形半導体装置の組立て方法 |
| JP2755761B2 (ja) * | 1990-01-26 | 1998-05-25 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| US5371386A (en) * | 1992-04-28 | 1994-12-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method of assembling the same |
-
1993
- 1993-12-30 US US08/175,784 patent/US5436473A/en not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-12-07 DE DE19944443611 patent/DE4443611A1/de not_active Withdrawn
- 1994-12-28 JP JP32772594A patent/JPH07221286A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006165536A (ja) * | 2004-12-08 | 2006-06-22 | Semikron Elektronik Gmbh & Co Kg | 補助端子を備えたパワー半導体モジュール |
| JP4677328B2 (ja) * | 2004-12-08 | 2011-04-27 | ゼミクロン エレクトローニク ゲーエムベーハー ウント コンパニー カーゲー | 補助端子を備えたパワー半導体モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4443611A1 (de) | 1995-07-06 |
| US5436473A (en) | 1995-07-25 |
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