DE4433025A1 - Verfahren zur Herstellung einer Verbindung zweier Keramikteile bzw. eines Metall- und eines Keramikteils - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer Verbindung zweier Keramikteile bzw. eines Metall- und eines KeramikteilsInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer
vakuumdichten Verbindung zweier Keramikteile bzw. eines Me
tall- und eines Keramikteils einer Elektronenröhre gemäß der
Patentanmeldung P 43 08 361.7-33.
Verbindungen zwischen zwei Keramikteilen bzw. einem Keramik-
und einem Metallteil werden in der Regel durch Hart- oder Ak
tivmetallöten (siehe DE-Buch: Technische Röhren, ed. Jork
Bretting, Heidelberg 1991, S. 126-136, und DE-Buch: Handbuch
der Vakuumelektronik ed. J. Eichmeier und H. Heynisch, Mün
chen 1989, S. 20-24) hergestellt, wobei in beiden Fällen eine
Metallisierung der Keramikteile im Bereich der Verbindungs
stelle erforderlich ist. Als Lote werden verschiedene Metalle
bzw. ihre Legierungen verwendet. Die Metallisierung und die
Lötung mittels Metallot stellen immer eine Beeinflussung der
in der Regel bezweckten elektrischen Isolation dar und müssen
daher prinzipiell konstruktiv berücksichtigt werden.
Bei einem Aktivmetallötverfahren, bei dem die Keramik mit
TiH₂ metallisiert wird und ein silberhaltiges Aktivlot ver
wendet wird, besteht die Gefahr, daß während des Lötvorganges
eine Bedampfung des Keramikteiles bzw. der Keramikteile mit
Silber erfolgt. Selbst wenn erheblicher verfahrenstechnischer
Aufwand betrieben wird, ist eine Verringerung der Länge der
theoretisch möglichen Isolierstrecke nicht vermeidbar, wobei
die Verringerung der Länge der Isolierstrecke in der Größen
ordnung von bis zu einigen Millimetern liegen kann. Es kommt
hinzu, daß die Ränder der an den Keramikteilen vorgesehenen
Metallisierungen und beim Löten entstehende sehr dünne Lot
ausläufer hochspannungstechnisch extreme Spitzen darstellen,
die für die elektrische Spannungsfestigkeit nachteilig sind.
Herkömmliche Glaslote haben den Nachteil einer im Hinblick
auf die Wärmebehandlung von Elektronenröhren zu geringen
thermischen und mechanischen Stabilität. Es besteht also z. B.
die Gefahr, daß die velöteten Bauteile während der Wärmebe
handlung ihre Lage relativ zueinander nicht beibehalten, da
das Glaslot erweicht.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der
eingangs genannten Art so auszubilden, daß eine Verringerung
der im Bereich der Verbindungsstelle vorliegenden Isolier
strecke und nachteilige Auswirkungen des Vorhandenseins einer
Verbindungsstelle auf die elektrische Spannungsfestigkeit zu
mindest vermindert sind und außerdem die Gefahr von Instabi
litäten der Verbindung bei einer im Anschluß an die Herstel
lung der Verbindung erfolgenden Wärmebehandlung vermindert
ist.
Nach der Erfindung wird diese Aufgabe durch die Merkmale des
Patentanspruches 1 gelöst.
Im Falle des erfindungsgemäßen Verfahrens ist also die auf
wendige Metallisierung des Keramikteils bzw. der Keramikteile
im Bereich der Verbindungsstelle und die Verwendung metalli
scher Lote nicht mehr notwendig. Durch die Vermeidung metal
lischer Lote kann eine Bedampfung des Keramikteils bzw. der
Keramikteile mit einem elektrisch leitenden Material im Be
reich der Verbindungsstelle nicht mehr auftreten. Ebenso kön
nen die eingangs erwähnten, störenden elektrisch leitenden
Lotausläufer nicht auftreten. Es werden also eine verbesserte
Isolierwirkung und eine verbesserte elektrische Spannungsfe
stigkeit erreicht. Unter Umständen können ohne Verringerung
der Isolierwirkung sogar kleinere Abmessungen des Keramik
teils bzw. der Keramikteile realisiert werden. Mittels des
erfindungsgemäßen Verfahrens können aufgrund der Verwendung
eines anorganischen, nichtmetallischen Lotes, das ebenso wie
Keramik ein Isolator ist, aus Keramikbauteilen größere Bau
gruppen zusammengefügt werden, ohne daß die erzielbare Isola
tionswirkung beeinträchtigt wird. Wesentlich ist außerdem,
daß bei nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten
Verbindungen die Rißausbreitungsenergien in den Oberflächen
spannungszentren der Keramikteile bzw. des Keramikteiles hö
her als im Falle herkömmlicher Verbindungen ist, so daß in
Bereichen gefährlicher Oberflächenspannungskonzentrationen
eine erhöhte Festigkeit erreicht wird. Als weiterer Vorteil
des erfindungsgemäßen Verfahrens ist zu nennen, daß die Nei
gung von anorganischen, nichtmetallischen Loten, im Hochva
kuum Gase abzugeben, wesentlich geringer als die von Metallen
ist. Die Gefahr, daß die Qualität des in der Elektronenröhre
vorhandenen Vakuums durch die Verbindung beeinträchtigt wird,
ist also wesentlich geringer als bei nach herkömmlichen Ver
fahren hergestellten Verbindungen. Durch die Verwendung eines
kristallisierenden Glaslotes wird eine gute Benetzung der zu
verbindenden Teile im Bereich der Verbindungsstelle erreicht.
Eine gute Benetzung der zu verbindenden Teile mit dem Lot ist
eine wichtige Voraussetzung für eine vakuumdichte Verbindung.
Es kommt hinzu, daß im Falle des erfindungsgemäßen Verfahrens
bei der weiteren Wärmebehandlung Instabilitäten im Bereich
der Verbindung nicht zu befürchten sind, sofern bei der wei
teren Wärmebehandlung der Elektronenröhre maximal auftreten
den Temperaturen nicht jenseits des Kristallisationsbereiches
des verwendeten Glaslotes liegen. Während des Lötvorganges
verliert nämlich das Glaslot seine ursprünglichen Glas Eigenschaften,
die bei der Wärmebehandlung zu den angeführten
Schwierigkeiten führen können. Es findet vielmehr ein Umwand
lungsprozeß in dem Sinne statt, daß die Verbindung während
des Lötvorganges thermisch insoweit irreversibel wird, als
ein bei weit unterhalb der für die Herstellung der Verbindung
notwendigen Temperatur liegender (teilplastischer) Fließbe
reich wie bei herkömmlichen Glasloten nicht mehr vorhanden
ist. Vielmehr tritt an die Stelle des Bereiches teilplasti
schen Zustandes sozusagen ein Erweichungspunkt. Die Verände
rungen der Eigenschaften des kristallisierenden Glaslotes
beim Löten werden durch einen allmählichen Übergang vom gla
sigen in den kristallinen Zustand während des Lötvorganges
erreicht. Der glasige Zustand ist während der Verlötung nur
ein Übergangsstadium. Für die Beurteilung der Eignung des Lo
tes sind also nicht die physikalischen Eigenschaften der gla
sigen Phase maßgebend, sondern die der resultierenden
(überwiegend) kristallinen Phase. Zwischen beiden Phasen be
stehen erhebliche Unterschiede im Ausdehnungsverlauf, in der
Erweichungstemperatur und in der hinsichtlich der weiteren
Wärmebehandlung wesentlichen mechanischen und thermischen Fe
stigkeit. Erwähnenswert ist noch, daß im Falle einer nach dem
erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Verbindung die Ab
kühlung im Anschluß an die Lötung mit wesentlich höheren Ab
kühlgeschwindigkeiten als bei herkömmlichen Verfahren erfol
gen kann.
Im Interesse einer guten Benetzung der zu verbindenden Teile
mit dem Glaslot ist es von Vorteil, wenn die Erwärmung auf
eine Temperatur erfolgt, die innerhalb des Kristallisations
bereiches bzw. in dem Bereich zwischen viskosem Fließen und
Kristallisation des Glaslotes liegt.
Die weiterführende Aufgabe, das Verfahren der eingangs ge
nannten Art dahingehend zu verbessern, daß die Gefahr der
Rißbildung im Bereich der Verbindungsstelle vermindert ist,
wird durch die Merkmale des Patentanspruchs 4 gelöst. Dabei
wird durch das erfindungsgemäße Verfahren nicht nur die Ge
fahr der Rißbildung im Anschluß an die Herstellung der Ver
bindung vermindert; vielmehr werden auch bereits vor der Ver
bindung im Bereich des Keramikteils bzw. der Keramikteile
vorliegende fertigungsbedingte Risse und Poren im Schmelzfluß
des kristallisierenden Lotes ausgefüllt, was zu einer weite
ren Erhöhung der Rißausbreitungsenergien in den Oberflächen
spannungszentren führt und im Sinne einer Unterdrückung der
Rißausbreitung wirkt. Besonders gute Ergebnisse werden er
zielt, wenn die Erwärmung mit einer Aufheizgeschwindigkeit
zwischen 4 und 12°C/min und die Abkühlung mit einer Abkühl
geschwindigkeit zwischen 4 und 20°C/min erfolgt. Um dem
Glaslot ausreichend Zeit zur Änderung seiner Eigenschaften zu
geben, ist es von Vorteil, wenn nach der Erwärmung auf eine
oberhalb des Transformationsbereiches und/oder auf eine in
nerhalb des Kristallisationsbereiches bzw. im Bereich zwi
schen viskosem Fließen und Kristallisation des Glaslotes lie
gende Temperatur die Temperatur für eine Haltezeit von vor
zugsweise 10 bis 25 Minuten konstant gehalten wird.
Die Verwendung von kristallisierendem Glaslot ist in der
DE 25 47 084 A1 im Zusammenhang mit der Verbindung von zwei
Glasteilen einer Elektronenröhre beschrieben. In der
US 3 250 638 ist ebenfalls die Verwendung eines kristallisie
renden Glaslotes beschrieben, und zwar zur Verbindung zweier
Teile einer Elektronenröhre, von denen eines aus Glas be
steht. Weiter ist in der DE 21 63 723 B2 die Verwendung eines
kristallisierenden Glaslotes zur hermetisch dichten Verbin
dung zweier Keramikteile beschrieben, bei denen es sich je
doch nicht um Teile einer Elektronenröhre handelt. Die Ver
wendung von Glaslot zur Verbindung zweier Keramikteile oder
eines Metall- und eines Keramikteiles einer Elektronenröhre
ist zwar in dem bereits erwähnten DE-Buch "Handbuch der Vaku
umelektronik", Seite 23, beschrieben, jedoch handelt es sich
bei dem Glaslot nicht um ein kristallisierendes Glaslot.
Im Hinblick darauf, daß die beim Ausheizen von Elektronenröh
ren auftretenden Temperaturen durchaus in der Größenordnung
von 700°C liegen können, ist gemäß einer Ausführungsform der
Erfindung vorgesehen, daß der Kristallisationsbereich des
Glaslotes oberhalb von 750°C liegt, so daß keine Gefährdung
der Stabilität der Verbindung beim Aufheizen gegeben ist. Als
besonders geeignet für die genannte Temperatur hat sich als
Glaslot ein Glas des Systems ZnO-B₂O₃-PbO erwiesen. Wenn die
ses Glas außerdem V₂O₅ enthält, ist es zur Verbindung eines
Keramik- und eines Metallteils besonders geeignet, da das Lot
dann das Metallteil besser benetzt. Ein geeignetes Glas ist
unter der Bezeichnung P 393 erhältlich.
Im Falle der Verwendung von Glaslot P 393 sollte die Erwär
mung bis zu einer Temperatur von 600°c mit einer Aufheizge
schwindigkeit von 12°C/min erfolgen. Im Anschluß an eine
Haltezeit von 15 Minuten sollte die weitere Erwärmung bis zu
einer Temperatur von wenig über 800°C mit einer Aufheizge
schwindigkeit von 5°C/min erfolgen. Hieran sollte sich eine
weitere Haltezeit von 15 Minuten anschließen. Die Abkühlung
kann zunächst mit einer Abkühlgeschwindigkeit von 20°C/min
auf eine Temperatur von etwa 600°C erfolgen. Die weitere Ab
kühlung sollte mit einer Abkühlgeschwindigkeit von 6°C/min
erfolgen.
Um eine verbesserte Benetzung zu erreichen, sieht eine beson
ders bevorzugte Variante der Erfindung vor, daß das Metall
teil wenigstens im Bereich der Verbindungsstelle vor der Her
stellung der Verbindung oxidiert wird. Dies bedeutet, daß die
Metalloberfläche mit einer festhaftenden Oxidschicht versehen
wird. Es hat sich gezeigt, daß diese Oxidschicht eine verbes
serte Bindung mit dem anorganischen, nichtmetallischen Lot
bewirkt, da das Metalloxid in dem Lot teilweise in Lösung
geht. Um sicherzustellen, daß die durch die Voroxidation zu
standegekommene Oxidschicht auch bei der Erwärmung erhalten
bleibt, sieht eine Variante der Erfindung vor, daß die Erwär
mung unter Vakuum oder in einer Schutzgasatmosphäre, vorzugs
weise Stickstoff oder Argon, vorgenommen wird. Für den Fall,
daß die durch die Voroxidierung entstandene Oxidschicht die
Funktion der Elektronenröhre stört, ist gemäß einer Ausfüh
rungsform vorgesehen, daß die Oxidschicht des Metallteils
nach erfolgter Verbindung außerhalb der Verbindungsstelle
durch eine reduzierende thermische und/oder chemische Behand
lung entfernt wird.
Eine bevorzugte Variante der Erfindung sieht vor, daß das Me
tallteil aus einer zumindest Eisen, Nickel und Kobalt enthal
tenden Legierung gebildet ist. Als besonders geeignet hat
sich eine Legierung erwiesen, die 49% Eisen, 28% Nickel und
23% Kobalt enthält (Angaben in Gewichtsprozenten). Diese Le
gierung ist auch unter der Bezeichnung Nicosil 71 bekannt und
zeigt aufgrund ihrer Lage im Dreistoffdiagramm im Temperatur
bereich zwischen der Schmelztemperatur (ca. 1.400°C) und dem
absoluten Nullpunkt keine strukturellen Umwandlungen. Diese
Legierung findet bei der Fertigung hochbeanspruchter vaku
umdichter elektronischer Bauelemente als sogenannte Ein
schmelzlegierung Verwendung. Da Nicosil 71 bei erhöhter Tem
peratur sehr empfindlich auf Sauerstoff reagiert, ist es an
gebracht, die Erwärmung grundsätzlich in einer Schutzgasatmo
sphäre oder unter Vakuum vorzunehmen.
Eine weitere bevorzugte Variante der Erfindung sieht vor, daß
wenigstens eines der zu verbindenden Teile aus Aluminiumoxid
keramik gebildet ist. Hier ist insbesondere eine Aluminium
oxidkeramik der DIN-Klasse KER 708 geeignet. Sie besteht zu
92% aus Al₂O₃ und zeichnet sich durch eine maximale Arbeits
temperatur von 1.700 °C, geringe dielektrische Verluste und
gute Isolationseigenschaften aus.
Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung handelt es sich bei
den zu verbindenden Teilen um Bestandteile der Vakuumhülle
einer Elektronenröhre, insbesondere einer Röntgenröhre. In
diesem Falle kommen die Vorteile des Verfahrens in besonderem
Maße zum Tragen, da hier an die Vakuumdichtigkeit, die Iso
lierwirkung und Hochspannungsfestigkeit sowie die geringe
Gasabgabe besondere Ansprüche gestellt werden. Das erfin
dungsgemäße Verfahren ist für die Herstellung von Röntgenröh
ren auch deshalb besonders geeignet, weil die entsprechend
hergestellten Verbindungen eine hohe mechanische Festigkeit
sowie eine hohe Temperatur- und Temperaturwechselbeständig
keit aufweisen. Dabei ist das erfindungsgemäße Verfahren ins
besondere für solche Fälle geeignet, bei denen die zu verbin
denden Teile eine elektrische Leiterdurchführung und ein
diese in einer Bohrung aufnehmender elektrischer Isolator
sind.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Figuren der beige
fügten Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 den Ausdehnungs-Temperatur-Verlauf von für das er
findungsgemäße Verfahren besonders geeigneten Werk
stoffen,
Fig. 2 den Spannungs-Temperatur-Verlauf im Bereich der Ver
bindungsstelle für zwei unterschiedliche Füge
temperaturen,
Fig. 3 den Temperatur-Zeit-Verlauf bei der Erwärmung der zu
verbindenden Teile und des Lotes, und
Fig. 4 in teilweise geschnittener, schematischer Darstellung
einen Bereich der Vakuumhülle einer Röntgenröhre, der
nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte
Verbindungen aufweist.
In Fig. 1 ist der Ausdehnungs-Temperatur-Verlauf von für das
erfindungsgemäße Verfahren besonders geeigneten Werkstoffen,
nämlich der metallischen Legierung Nicosil 71, einer Alumini
umoxidkeramik und des Glaslots P 393 dargestellt. Wie die
Fig. 1 zeigt, in der der Quotient der Längenänderung Δ1 und
der Länge 1 über der Temperatur T aufgetragen ist, liegt eine
relativ gute Anpassung des Ausdehnungs-Temperatur-Verlaufes
der an der Verbindung beteiligten Werkstoffe vor. Bei der
Verbindung zweier aus Aluminiumoxidkeramik bestehender Bau
teile sind keine besonderen Probleme zu erwarten.
Bei dem Glaslot P 393 handelt es sich um ein Glas des Systems
ZnO-B₂O₃-PbO. Es enthält 51% ZnO, 35% B₂0₃, 5% SiO₂ und 1,2%
V₂O₅ (Angaben in Gewichtsprozenten).
Für die Verbindung eines Bauteiles aus Nicosil 71 und eines
Bauteiles aus Aluminiumoxidkeramik ist wesentlich, daß das
Glaslot P 393 im Temperaturbereich zwischen 100 und 300°c
einen Temperaturausdehnungskoeffizienten von 70×10-7 K-1 und
eine Transformationstemperatur von ca. 544°C aufweist. Der
Knickpunkt des Ausdehnungs-Temperaturverlaufes von Nicosil 71
liegt bei 510°C und damit nur wenig unterhalb der Transfor
mationstemperatur des Glaslotes. Unter diesen Bedingungen
steht die Zwischenschicht aus Glaslot unter Druckspannungen,
die unterhalb der Bruchspannung der Verbindung liegen. In
Fig. 2 sind für Löttemperaturen von 600 und 800°C die in der
Zwischenschicht zu erwartenden Spannungen a über der Tempera
tur T qualitativ dargestellt. Es wird deutlich, daß für eine
Löttemperatur von 800°C Druckspannungen zu erwarten sind,
während für eine Löttemperatur von 600°C vergleichsweise ge
ringe Spannungen in der Zwischenschicht auftreten, bei denen
es sich jedoch unterhalb von etwa 450°C um Zugspannungen
handelt. Da die Druckfestigkeit des Glaslotes P 393 etwa 10
mal größer als die Zugfestigkeit ist, empfiehlt es sich, eine
Löttemperatur zu wählen, die zu Druckspannungen in der Zwi
schenschicht führt.
In Fig. 3 ist der aufgrund von Versuchen ermittelte Verlauf
der Temperatur T über der Zeit t für den Lötvorgang darge
stellt, der sich für die Verbindung eines Teiles aus Alumini
umoxidkeramik mit einem Teil aus Nicosil 71 mittels des Glas
lotes P 393 als besonders günstig herausgestellt hat, aber
auch für die Verbindung zweier Teile aus Aluminiumoxidkeramik
geeignet ist. Demnach erfolgt zunächst eine Erwärmung mit ei
ner Aufheizgeschwindigkeit von 12°C/min bis auf eine Tempe
ratur von etwa 600°C. Diese Temperatur, die oberhalb des
Transformationsbereiches (Tgon=525°C, Tgend=562°C) des
Glaslotes P 393 liegt, wird für etwa 15 Minuten gehalten. An
schließend erfolgt eine weitere Erwärmung mit einer Aufheiz
geschwindigkeit von etwa 5°C/min auf die Löttemperatur
(Maximaltemperatur) von etwas oberhalb 800°C. Die Löttempe
ratur wird für ebenfalls etwa 15 Minuten gehalten. Anschlie
ßend führt eine relativ rasche Abkühlung mit einer Abkühlge
schwindigkeit von 20°C/min auf eine Temperatur von etwa
600°C. Anschließend erfolgt die weitere Abkühlung mit einer
Abkühlgeschwindigkeit von 6°C/min. Die bei dem Lötvorgang
auftretende Maximaltemperatur liegt in demjenigen Bereich,
der für das Glaslot P 393 den Übergang vom Kristallisations
bereich (Tkon = 745 °C, Tkend = 830 °C) in den Schmelzbereich
darstellt. Diejenige Temperatur, die bei der Erwärmung für
einige Zeit gehalten wird bzw. bei der die Abkühlgeschwindig
keit verringert wird, liegt im Transformationsbereich des
Glaslotes. Während des Lötens sollten die zu verlötenden
Teile mit einem geringen Fügedruck aneinandergepreßt sein.
Das Glaslot P 393 beginnt übrigens bei 918°C zu schmelzen.
Bei Löten unter Schutzgas ist der Druck der Schutzgasatmo
sphäre für die Qualität der Lötung eine wesentliche Einfluß
größe. Es hat sich herausgestellt, daß ein gegenüber dem Um
gebungsdruck leicht erhöhter Druck von Vorteil ist. Ebenso
ist die Qualität der auf dem Bauteil aus Nikosil 71 vorhande
nen Oxidschicht von Bedeutung für die Qualität der Lötung.
Eine Unteroxidation, die zu einer zu dünnen Oxid-Glas-Grenz
fläche führt, ist nämlich ebenso zu vermeiden wie eine
Überoxidation, die zu Porosität in der Metalloxidzone und
Blasenbildung im Glaslot führen kann. Es wurde festgestellt,
daß die erforderliche Voroxidation von Nicosil 71 bei 520°C
im Durchlaufofen realisiert werden kann, wobei die Abkühlge
schwindigkeit 60°C/min betragen sollte. Die Verweildauer der
Teile aus Nicosil 71 in dem Durchlaufofen ist so zu wählen,
daß sich eine Gewichtszunahme von 0,1 bis 0,2 mg/cm2 ergibt.
Bei der Oxidschicht handelt es sich übrigens im wesentlichen
um Fe₃O₄.
Es versteht sich, daß der in Fig. 3 gezeigte Temperatur-Zeit-
Verlauf des Lötvorganges, der an die in Fig. 4 gezeigte Bau
gruppe angepaßt ist, hinsichtlich der Aufheiz- und Abkühlge
schwindigkeit sowie der Haltezeiten an den jeweiligen Anwen
dungsfall angepaßt werden muß. Es hat sich gezeigt, daß die
Aufheizgeschwindigkeiten zwischen 4 und 12°C/min, Abkühlge
schwindigkeiten zwischen 4 und 20 °C/min sowie Haltezeiten
von 10 bis 25 Minuten günstig sind.
In Fig. 4 ist eine einen Bereich der Vakuumhülle einer Rönt
genröhre bildende Baugruppe dargestellt, die einen zylinder
rohrförmigen Gehäuseabschnitt 1 aus Aluminiumoxidkeramik der
DIN-Klasse 708 und einen aus dem gleichen Material gebildeten
kreisscheibenförmigen Isolator 2 aufweist. Der Gehäuseab
schnitt 1 und der Isolator 2 sind mittels des Glaslotes P 393
verlötet. Die durch den Lötvorgang gebildete Zwischenschicht
aus dem Glaslot P 393 ist in Fig. 4 übertrieben dick darge
stellt und mit 3 bezeichnet. Der Isolator 2 weist zylindri
sche Bohrungen auf, in die bolzenförmige, aus Nicosil 71 ge
bildete Stromdurchführungen 4, z. B. für den Kathodenheiz
strom, eingesetzt sind, die mittels des Glaslotes P 393 mit
dem Isolator 2 verlötet sind. Die bei dem Lötvorgang entste
henden, übertrieben dick dargestellten Zwischenschichten aus
dem Glaslot P 393 sind in Fig. 4 mit 5 bezeichnet.
Vor der Lötung wird das Glaslot P 393 zwischen dem Gehäuseab
schnitt 1 und dem Isolator 2 in Form eines Lotringes einge
legt, dessen mittlerer Durchmesser in etwa dem des Gehäuseab
schnittes 1 entspricht. Das zur Verbindung der Stromdurchfüh
rungen 4 und des Isolators 2 dienende Glaslot P 393 wird in
Form eine Paste auf die Bohrungswandungen des Isolators 2
aufgebracht. Zur Herstellung dieser Paste wird das Glaslot
gepulvert und mit destilliertem Wasser versetzt. Die maximale
Korngröße des Glaslotes sollte dabei 45 um nicht wesentlich
überschreiten. Grundsätzlich besteht aber auch die Möglich
keit, das Glaslot in pulverisierter Form zwischen die zu ver
lötenden Flächen zu bringen.
Die Stromdurchführungen 4 wurden vor dem Lötvorgang oxidiert,
und zwar derart, daß sie eine Gewichtszunahme von 0,1 bis
0,2 mg/cm2 aufweisen.
Die Lötung kann unter Vakuum oder in einer Schutzgasatmosphä
re erfolgen, und zwar gemäß dem in Fig. 3 dargestellten Tem
peratur-Zeit-Verlauf. Bei Verwendung einer Schutzgasatmosphä
re sollte der Druck etwas oberhalb des Umgebungsdruckes lie
gen.
Im Zusammenhang mit dem beschriebenen Ausführungsbeispiel
werden bestimmte Werkstoffe für die Keramikteile, die Metall
teile und das Glaslot genannt. Andere Werkstoffe sind mög
lich, wobei jedoch wesentlich ist, daß es sich bei dem Lot um
ein anorganisches, nichtmetallisches Material handelt.
Das beschriebene Ausführungsbeispiel betrifft die Verbindung
von Teilen der Vakuumhülle einer Röntgenröhre. Das erfin
dungsgemäße Verfahren kann jedoch auch im Zusammenhang mit
anderen Elektronenröhren Verwendung finden.
Claims (28)
1. Verfahren nach Patentanmeldung P 43 08 361.7-33 zur Her
stellung einer vakuumdichten Verbindung zweier Keramikteile
(1 und 2) bzw. eines Metall- und eines Keramikteils (2 und 4)
einer Elektronenröhre, aufweisend die Verfahrensschritte, daß
zwischen die beiden zu verbindenden Teile (1 und 2, 2 und 4)
ein anorganisches, nichtmetallisches, kristallisierendes
Glaslot gebracht wird, dessen Kristallisationsbereich ober
halb der bei der Fertigung der Elektronenröhre im Anschluß an
die Herstellung der Verbindung im Bereich der Verbindung auf
tretenden Temperatur liegt, und die zu verbindenden Teile (1
und 2, 2 und 4) einschließlich des Glaslotes zumindest im Be
reich der Verbindungsstelle auf eine solche Temperatur er
wärmt werden, daß sich eine die Teile (1 und 2, 2 und 4) ver
bindende Zwischenschicht (3, 5) zumindest teilweise kristal
lisierten Glaslotes ausbildet.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Erwärmung des Glaslotes
auf eine Temperatur erfolgt, die innerhalb des Kristallisati
onsbereiches des Glaslotes liegt.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Erwärmung auf eine Tem
peratur erfolgt, die im Bereich zwischen viskosem Fließen und
Kristallisation des Glaslotes liegt.
4. Verfahren nach Patentanmeldung P 43 08 361.7-33 zur Her
stellung einer vakuumdichten Verbindung zweier Keramikteile
(1 und 2) bzw. eines Metall- und eines Keramikteils (2 und 4)
einer Elektronenröhre, aufweisend die Verfahrensschritte, daß
zwischen die beiden zu verbindenden Teile (1 und 2, 2 und 4)
ein anorganisches nichtmetallisches, kristallisierendes Glas
lot gebracht wird, dessen Kristallisationsbereich oberhalb
der bei der Fertigung der Elektronenröhre im Anschluß an die
Herstellung der Verbindung im Bereich der Verbindung auftre
tenden Temperatur liegt, und die zu verbindenden Teile (1 und
2, 2 und 4) einschließlich des Glaslotes zumindest im Bereich
der Verbindungsstelle auf eine im Bereich zwischen viskosem
Fließen und Kristallisation des Glaslotes liegende Temperatur
erwärmt und anschließend abgekühlt werden, derart daß sich
eine die Teile (1 und 2, 2 und 4) verbindende Zwischenschicht
(3, 5) des Glaslotes ausbildet und die Rißausbreitungsener
gien in den Oberflächenspannungszentren der Keramikteile (1
und 2) bzw. des Keramikteiles (2) erhöht werden.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Erwärmung mit einer Auf
heizgeschwindigkeit zwischen 4 und 12°C/min erfolgt.
6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch
gekennzeichnet, daß die Abkühlung mit einer
Abkühlgeschwindigkeit zwischen 4 und 20 °C/min erfolgt.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 6, da
durch gekennzeichnet, daß nach der
Erwärmung auf eine oberhalb des Transformationsbereiches
und/oder nach der Erwärmung auf eine innerhalb des Kristalli
sationsbereiches bzw. im Bereich zwischen viskosem Fließen
und Kristallisation des Glaslotes liegende Temperatur die
Temperatur für eine Haltezeit wenigstens im wesentlichen kon
stant gehalten wird.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Haltezeit 10 bis 25 Mi
nuten beträgt.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, da
durch gekennzeichnet, daß der
Kristallisationsbereich des Glaslotes oberhalb von 750°C
liegt.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, da
durch gekennzeichnet, daß als Glas
lot ein Glas des Systems ZnO-B₂O₃-PbO verwendet wird.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch ge
kennzeichnet, daß das Glas außerdem V₂O₅ ent
hält.
12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch ge
kennzeichnet, daß als Glaslot Glaslot P 393
verwendet wird.
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Erwärmung bis zu einer
Temperatur von 600°C mit einer Aufheizgeschwindigkeit von 12
°C/min erfolgt.
14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch ge
kennzeichnet, daß im Anschluß an die Erwärmung
auf 600°C die Temperatur für eine Haltezeit von 15 Minuten
konstant gehalten wird.
15. Verfahren nach Anspruch 13 oder 14, dadurch
gekennzeichnet, daß die weitere Erwärmung
bis zu einer Temperatur von wenig über 800°C mit einer Auf
heizgeschwindigkeit von 5°C/min erfolgt.
16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch ge
kennzeichnet, daß im Anschluß an die Erwärmung
auf eine Temperatur von wenig über 800°C die Temperatur für
eine Haltezeit von 15 Minuten konstant gehalten wird.
17. Verfahren nach Anspruch 15 oder 16, dadurch
gekennzeichnet, daß im Anschluß an die Er
wärmung auf eine Temperatur von wenig über 800°C die Abküh
lung mit einer Abkühlgeschwindigkeit von 20°C/min erfolgt.
18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch ge
kennzeichnet, daß im Anschluß an die Erwärmung
die Abkühlung auf eine Temperatur von etwa 600°C erfolgt.
19. Verfahren nach Anspruch 17 oder 18, dadurch
gekennzeichnet, daß die weitere Abkühlung
mit einer Abkühlgeschwindigkeit von 6°C/min erfolgt.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 19, da
durch gekennzeichnet, daß das
Metallteil (4) wenigstens im Bereich der Verbindungsstelle
vor der Herstellung der Verbindung oxidiert wird.
21. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 20, da
durch gekennzeichnet, daß die Er
wärmung unter Vakuum oder in einer Schutzgasatmosphäre vor
genommen wird.
22. Verfahren nach Anspruch 20 oder 21, dadurch
gekennzeichnet, daß die Oxidschicht des
Metallteiles (4) nach erfolgter Verbindung außerhalb der Ver
bindungsstelle durch eine reduzierende thermische und/oder
chemische Behandlung entfernt wird.
23. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 22, da
durch gekennzeichnet, daß das
Metallteil (4) aus einer zumindest Eisen, Nickel und Kobalt
enthaltenden Legierung gebildet ist.
24. Verfahren nach Anspruch 23, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Legierung 49% Eisen, 28%
Nickel und 23% Kobalt enthält.
25. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 24, da
durch gekennzeichnet, daß wenig
stens eines der zu verbindenden Teile (1, 2) aus Aluminium
oxidkeramik gebildet ist.
26. Verfahren nach Anspruch 25, dadurch ge
kennzeichnet, daß als Aluminiumoxidkeramik
eine Keramik der DIN-Klasse KER 708 vorgesehen ist.
27. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 26, da
durch gekennzeichnet, daß die zu
verbindenden Teile (1 und 2, 2 und 4) Bestandteile der Vaku
umhülle einer Röntgenröhre sind.
28. Verfahren nach Anspruch 27, dadurch ge
kennzeichnet, daß die zu verbindenden Teile
eine elektrische Leiterdurchführung (4) und ein diese in ei
ner Bohrung aufnehmender elektrischer Isolator (2) sind.
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