DE4425351A1 - Verfahren zur Herstellung eines hochschmelzenden Metallsilicids in einem Halbleiterbauelement - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines hochschmelzenden Metallsilicids, d. h. eines Silicids mit einem hochschmelzenden Metall als Metallkomponente, in einem Halbleiterbauelement.

Elektrische Verbindungen mit geringem Widerstand stellen im allgemeinen kritische Komponenten bei der Herstellung dicht­ gepackter Halbleiterbauelemente mit hoher Leistungsfähigkeit dar. In jüngerer Zeit sind einige Lösungsmöglichkeiten aufge­ kommen, um den Verbindungswiderstand unter den üblicherweise für Polysilicium geltenden Bereich von 15Ω/ bis 30Ω/ zu reduzieren. Eine davon besteht in einem Verfahren, bei dem das Verbindungsmaterial durch Aluminium, das einen geringen Widerstand besitzt, ersetzt wird. Aufgrund der niedrigen Schmelztemperatur und der niedrigen eutektischen Temperatur von Aluminium müssen jedoch dann alle nachfolgenden Prozesse unterhalb von 500°C gehalten werden. Da einige der Gatebil­ dung nachfolgende Prozesse (z. B. Ausheilen des Source/Drain- Implantats, Oxidationsprozesse sowie Glasschmelz- und Glas­ aufschmelzprozesse) bei Temperaturen oberhalb von 500°C aus­ geführt werden müssen, ist Aluminium jedoch häufig kein ge­ eignetes Alternativmaterial zur Verwendung als Verbindungsma­ terial.

Bei einem anderen Verfahren zur Reduzierung des Widerstands einer elektrischen Verbindung wird das Polysilicium durch ein hochschmelzendes Metall, z. B. W, Ta, Ti oder Mo, oder ein hochschmelzendes Metallsilicid, z. B. WSi₂, TiSi₂, MoSi₂ oder TaSi₂, ersetzt. Das Polysilicium kann auch durch eine Mehr­ schichtstruktur ersetzt werden, die aus einer dotierten Poly­ siliciumschicht und einem daraufliegenden Material mit ge­ ringem Widerstand, z. B. einem hochschmelzenden Metallsilicid, besteht. Die Mehrschichtstruktur ist als sogenannte Poly­ cidstruktur bekannt.

Im allgemeinen besitzen die hochschmelzenden Metalle hohe Schmelzpunkte, ihre Oxide sind jedoch typischerweise nur von geringer Qualität und in einigen Fällen sogar leicht flüch­ tig, z. B. Molybdän- und Wolframoxide. Außerdem kann es schwierig sein, konsistente Schwellenspannungen in MOS- Transistoren zu erzielen, bei denen ein hochschmelzendes Me­ tall für die Gateelektrode verwendet wird, und zwar aufgrund der Störstellen in ihren Sourcegebieten. Die Verwendung eines hochschmelzenden Metallsilicids allein als Gate- und elektri­ sche Verbindungsschicht leidet an ähnlichen Schwierigkeiten wie sie in Verbindung mit der Verwendung allein eines hoch­ schmelzenden Metalls festgestellt werden. Die Polycidstruktur wurde daher bezüglich der Gate- und elektrischen Verbindungs­ schicht für den Ersatz des Polysilicium vorherrschend, da sie nicht zu derartigen Problemen Anlaß gibt.

Fig. 1A und 1B zeigen Querschnitte zur Veranschaulichung ei­ nes Schritts zur Erzeugung der Gate- und elektrischen Verbin­ dungsschicht mittels herkömmlicher Technologie.

Bezugnehmend auf Fig. 1A wird nach dem Aufbringen einer Gate­ isolationsschicht (11) auf ein Halbleitersubstrat (10) eine Polysiliciumschicht auf dieser Gateisolationsschicht (11) ge­ bildet. Die Polysiliciumschicht wird anschließend zur Erzeu­ gung einer störstellendotierten Polysiliciumschicht (12) mit­ tels eines Dotierprozesses bei 950°C unter Verwendung einer POCl₃-Quelle mit Störstellen dotiert. Der Dotierprozeß er­ folgt zu dem Zweck, den Widerstand der Polysiliciumschicht zu verringern. Anschließend wird auf die störstellendotierte Po­ lysiliciumschicht (12) eine hochschmelzende Metallschicht (13), z. B. aus W, Ta, Ti oder Mo, aufgebracht.

Bezugnehmend auf Fig. 1B wird dann durch eine Festkörperreak­ tion der störstellendotierten Polysiliciumschicht (12) mit der hochschmelzenden Metallschicht (13) durch einen Temper­ prozeß ein Silicid (14) erzeugt. Das Siliciderzeugungsverfah­ ren durch die Festkörperreaktion weist jedoch folgende Schwierigkeiten auf.

Erstens besitzt die Oberfläche der Polysiliciumschicht, wie in Fig. 1A dargestellt, eine grobe und unebene Topografie, wenn die Polysiliciumschicht bei hohen Temperaturen, z. B. 950°C, dotiert wird. Entsprechend ist auch die Oberfläche des durch den Temperprozeß der hochschmelzenden Metallschicht (13) und des störstellendotierten Polysiliciums (12) gebilde­ ten Silicids von ähnlich grober und unebener Topografie, wie in Fig. 1B dargestellt ist. Aufgrund der Silicidoberfläche mit grober und unebener Topografie kann in einem nachfolgen­ den thermischen Prozeß bei hoher Temperatur ein Halbleiter­ bauelement entstehen, das eine elektrische Verbindungsschicht mit hohem Widerstand besitzt. Als Ergebnis hiervon verringert sich die Betriebsgeschwindigkeit des Halbleiterbauelementes, und die Zuverlässigkeit desselben kann sich durch Kurzschlüs­ se des Silicids verschlechtern.

Zweitens erfolgt die Festkörperreaktion, da in die Polysili­ ciumschicht eindotierte Phosphoratome das Wandern von Sili­ ciumatomen der Polysiliciumschicht aus der Polysilicium­ schicht in die hochschmelzende Metallschicht behindern, ent­ sprechend der Verteilung des Phosphors ungleichmäßig, was aufgrund der Unebenheit der Silicidgrenzfläche eine hohe Grenzflächenenergie zwischen der Polysiliciumschicht und dem Silicid hervorruft. Dementsprechend tritt zur Reduzierung der hohen Grenzflächenenergie während des Temperprozesses eine Silicidagglomeration auf, welche die thermische Stabilität des Silicids herabsetzt.

Der Erfindung liegt als technisches Problem die Bereitstel­ lung eines Verfahrens zur Herstellung eines hochschmelzenden Metallsilicids mit möglichst ebener Oberfläche und/oder hoher thermischer Stabilität in einem Halbleiterbauelement zugrun­ de.

Dieses Problem wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 oder des Patentanspruchs 3 gelöst. Bei dem Verfahren nach Anspruch 1 wird die durch einen in-situ Do­ tierprozeß störstellendotierte amorphe Siliciumschicht mit ebener Oberfläche als untenliegende Siliciumschicht zur Reak­ tion mit dem darüberliegenden hochschmelzenden Metall verwen­ det. Die Oberfläche des entstehenden hochschmelzenden Metall­ silicids ist daher eben und gleichmäßig. Alternativ wird die untenliegende Siliciumschicht gemäß Anspruch 3 als Doppel­ schichtstruktur mit der unteren störstellendotierten Sili­ ciumschicht und der oberen undotierten Siliciumschicht gebil­ det, um dann mit der hochschmelzenden Metallschicht zu rea­ gieren. Dadurch wird eine auf der Anwesenheit von Störstellen beruhende Silicidagglomeration verringert, so daß ein ther­ misch stabiles hochschmelzendes Metallsilicid mit ebener To­ pografie erhalten wird.

In Weiterbildung des Verfahrens wird gemäß Anspruch 2 nach dem Aufbringen der Isolationsschicht und vor dem Aufbringen der störstellendotierten amorphen Siliciumschicht ein Schritt zur Bildung einer störstellendotierten Polysiliciumschicht durch Dotierung mit Störstellen, z. B. POCl₃, durchgeführt. Mit anderen Worten wird die untenliegende Siliciumschicht als Doppelschichtstruktur gebildet, bestehend aus einer störstel­ lendotierten Polysiliciumschicht und einer durch einen in- situ Dotierprozeß störstellendotierten amorphen Silicium­ schicht. Auf diese Weise wird die Isolationsschicht durch die untere Polysiliciumschicht der Doppelschichtstruktur vor ei­ ner Verschlechterung ihrer Eigenschaften geschützt.

In weiterer Ausgestaltung des Verfahrens von Anspruch 3 kann die erste Siliciumschicht eine störstellendotierte Polysili­ ciumschicht, die durch Eindotieren von Störstellen, z. B. Phosphor, bei einer hohen Temperatur, z. B. 950°C, gebildet wird, oder eine durch einen in-situ Dotierprozeß gebildete, störstellendotierte amorphe Siliciumschicht sein. Analog kann die zweite Siliciumschicht eine Polysiliciumschicht oder eine amorphe Siliciumschicht sein, die jeweils undotiert bleibt und deren Siliciumatome während des Silicidbildungsprozesses mit dem hochschmelzenden Metall reagieren können.

Eine bevorzugte, nachfolgend beschriebene Ausführungsform der Erfindung sowie zu deren besserem Verständnis das obenerwähn­ te herkömmliche Ausführungsbeispiel sind in den Zeichnungen dargestellt. Hierbei zeigen:

Fig. 1A und 1B Querschnitte durch ein Halbleiterbauelement zur Veranschaulichung eines Schrittes zur Bildung einer Gate- und elektrischen Ver­ bindungsschicht nach herkömmlicher Technolo­ gie,

Fig. 2A und 2B rasterelektronenmikroskopische Aufnahmen der Oberfläche einer störstellendotierten Siliciumschicht bzw. eines hochschmelzenden Metallsilicids, jeweils hergestellt durch die herkömmliche Technologie,

Fig. 3A und 3B rasterelektronenmikroskopische Aufnahmen der Oberfläche der störstellendotierten Si­ liciumschicht bzw. eines hochschmelzenden Metallsilicids, wie sie durch die vorlie­ gende Erfindung erzielt werden,

Fig. 4 ein Schaubild zur Veranschaulichung der Wi­ derstandsänderung von auf einer störstel­ lendotierten Polysiliciumschicht bzw. einer undotierten Polysiliciumschicht gebildetem Titansilicid (TiSi₂) in Abhängigkeit von der Temperzeit und

Fig. 5A bis 5C Querschnitte durch ein Halbleiterbauelement zur Veranschaulichung von Schritten eines erfindungsgemäßen Verfahrensbeispiels zur Herstellung eines hochschmelzenden Metall­ silicids.

Zunächst werden die Bedingungen für die untenliegende Sili­ ciumschicht wie folgt geändert, um die Schwierigkeiten der herkömmlichen Technologie hinsichtlich unbefriedigender Mor­ phologie des Silicids aufgrund von Oberflächenunebenheit und unbefriedigender thermischer Stabilität des Silicids zu behe­ ben.

Als eine erste Maßnahme wird aus der Erkenntnis heraus, daß die unbefriedigende Morphologie des Silicids aus der unebenen Oberfläche einer störstellendotierten Polysiliciumschicht re­ sultiert, anstelle der Polysiliciumschicht eine amorphe Sili­ ciumschicht aufgebracht. Außerdem wird der Störstellendo­ tierprozeß für die amorphe Siliciumschicht in einen in-situ Dotierprozeß geändert. Die amorphe Siliciumschicht weist eine ebene Oberfläche auf. Der obenerwähnte in-situ Dotierprozeß ist ein Verfahren, bei dem eine Siliciumabscheidung und ein Störstellendotierprozeß gleichzeitig in einem Diffusionsofen durchgeführt werden. Da die Prozeßtemperatur des in-situ Do­ tierprozesses geringer ist als diejenige der herkömmlichen Technologie, bei der POCl₃ bei einer hohen Temperatur verwen­ det wird, tritt nicht die unebene Oberfläche der Silicium­ schicht auf. Als Fremdatomquelle wird hierbei Phosphorgas verwendet. Da die Oberfläche der Polysiliciumschicht vor der Anwendung des Störstellendotierprozesses ungeeigneterweise nicht eben ist, wird die Polysiliciumschicht durch die amor­ phe Siliciumschicht ersetzt.

Als eine zweite Maßnahme wird aufgrund der Erkenntnis, daß die thermische Instabilität aufgrund der Silicidagglomeration aus einer ungleichmäßigen Störstellenverteilung in der Poly­ siliciumschicht resultiert, eine undotierte Siliciumschicht anstelle einer störstellendotierten Siliciumschicht verwen­ det.

Fig. 2A zeigt eine rasterelektronenmikroskopische Aufnahme der Oberfläche von störstellendotiertem Silicium, und Fig. 2B zeigt eine rasterelektronenmikroskopische Aufnahme eines hochschmelzenden Metallsilicids, wobei beide Schichten durch die konventionelle Technologie hergestellt wurden. Dagegen zeigt Fig. 3A eine rasterelektronenmikroskopische Aufnahme der Oberfläche von störstellendotiertem Silicium sowie Fig. 3B eine rasterelektronenmikroskopische Aufnahme eines hoch­ schmelzenden Metallsilicids, wie sie durch die vorliegende Erfindung hergestellt wurden. Bezugnehmend auf die Fig. 2A und 2B ist zu erkennen, daß die Oberfläche der störstellendo­ tierten Polysiliciumschicht, die durch die herkömmliche Tech­ nologie unter Verwendung von POCl₃ bei hohen Temperaturen ge­ bildet wird, uneben ist. Ebenso ist die Oberfläche des Sili­ cids, welches durch Reaktion eines hochschmelzenden Metalls mit dem Polysilicium erzeugt wird, uneben. Bezugnehmend auf Fig. 3A und 3B ist im Gegensatz dazu zu erkennen, daß die Oberfläche der störstellendotierten amorphen Siliciumschicht, die gemäß der vorliegenden Erfindung durch einen in-situ Do­ tierprozeß gebildet ist, sehr eben ist. Ebenso ist die Ober­ fläche des Silicids, welches durch Reaktion eines hochschmel­ zenden Metalls mit Polysilicium gebildet ist, sehr eben und gleichmäßig. Aus diesem Grund kann die Morphologie des Sili­ cids, das durch Reaktion des hochschmelzenden Metalls mit Po­ lysilicium gebildet wird, verbessert werden, wenn eine unten­ liegende störstellendotierte Siliciumschicht mit einer ebenen Oberfläche, wie z. B. eine durch einen in-situ Dotierprozeß aufgebrachte, störstellendotierte amorphe Siliciumschicht, gebildet wird, die eine ebene Oberfläche besitzt.

Fig. 4 zeigt in einem Schaubild die Widerstandsänderung von auf der störstellendotierten Polysiliciumschicht bzw. einer undotierten Polysiliciumschicht erzeugtem Titansilicid (TiSi₂) in Abhängigkeit von der Temperzeit. Detaillierter werden dabei zunächst eine Gateisolationsschicht und eine Po­ lysiliciumschicht nacheinander auf ein Halbleitersubstrat aufgebracht. Dann wird eine erste Probe "A" hergestellt, in­ dem die Polysiliciumschicht zur Bildung einer störstellendo­ tierten Polysiliciumschicht mit Fremdatomen dotiert wird, während eine zweite Probe "B" dadurch hergestellt wird, daß die Polysiliciumschicht nicht fremdatomdotiert wird und damit eine undotierte Polysiliciumschicht bildet. Der Dotierprozeß für die erste Probe "A" wird unter Verwendung von POCl₃-Gas derart durchgeführt, daß ein Widerstand von 12Ω/ erhalten wird. Danach wird auf der störstellendotierten Polysilicium­ schicht und auf der undotierten Polysiliciumschicht jeweils ein hochschmelzendes Metall (Ti) abgeschieden. Anschließend wird durch Festkörperreaktion der Polysiliciumschicht mit dem hochschmelzenden Metall über einen Temperprozeß ein Silicid erzeugt. Dann wird zeitabhängig ein Temperprozeß bei 850°C durchgeführt. Es ist zu erkennen, daß der Widerstand des Ti­ tansilicids (TiSi₂), das auf dem störstellendotierten Polysi­ licium (erste Probe "A") gebildet wird, rasch mit steigender Temperzeit anwächst. Im Gegensatz dazu verändert sich der Wi­ derstand des auf dem undotierten Polysilicium gebildeten Ti­ tansilicids (zweite Probe "B") mit der Temperzeit nicht we­ sentlich. Dabei ist in Fig. 4 die Temperzeit auf der x-Achse in Minuten und auf der y-Achse ein Widerstandsverhältnis auf­ getragen, wobei R der Widerstand sofort nach dem Temperpro­ zeß und Ro der anfängliche Widerstand vor dem Temperprozeß ist.

Dementsprechend ist die thermische Stabilität, die mit dem Widerstand zusammenhängt, für die zweite Probe "B" höher als für die erste Probe "A". Dieses Ergebnis wird als Fehlen der störstelleninduzierten Silicidagglomeration sowie als gleich­ mäßig gebildetes Titansilicid (TiSi₂) angesehen. Die vorlie­ gende Erfindung ermöglicht folglich die Verwendung einer un­ tenliegenden Siliciumschicht in Form einer Doppel­ schichtstruktur mit der störstellendotierten Siliciumschicht und der undotierten Siliciumschicht, um mit einer hochschmel­ zenden Metallschicht zu reagieren. Demgemäß wird die stör­ stelleninduzierte Silicidagglomeration reduziert, wodurch sich ein thermisch stabiles, hochschmelzendes Metallsilicid erhalten läßt.

Anhand der Fig. 5A bis 5C wird nachfolgend ein erfindungsge­ mäßes Verfahrensbeispiel näher erläutert.

Bezugnehmend auf Fig. 5A wird nach Aufbringen einer Gateiso­ lationsschicht (41) auf ein Halbleitersubstrat (40) eine störstellendotierte amorphe Siliciumschicht (42) unter Ver­ wendung eines in-situ Dotierprozesses auf der Gateisolations­ schicht (41) in einer Dicke zwischen 100 nm bis 150 nm aufge­ bracht. In dem in-situ Dotierprozeß wird die Siliciumschicht aufgebracht und gleichzeitig in einem Ofen einem Fremdatomgas ausgesetzt und somit dotiert. Das Fremdatomgas des Dotierpro­ zesses ist dabei Phosphor. Dann wird auf der störstellendo­ tierten amorphen Siliciumschicht (42) eine undotierte Silici­ umschicht (43) mit einer Dicke zwischen 100 nm und 150 nm ge­ bildet. Das undotierte Silicium kann amorphes Silicium oder Polysilicium sein. Anschließend wird ein auf der undotierten Siliciumschicht (43) befindliches (nicht gezeigtes) natürli­ ches Oxid durch ein RF(Hochfrequenz)-Verfahren oder ein sanf­ tes ECR (Elektronzyklotronresonanz)-Ätzverfahren entfernt.

Bezugnehmend auf Fig. 5B wird anschließend auf die undotierte Siliciumschicht (43) eine hochschmelzende Metallschicht (44), z. B. aus W, Ta, Ti oder Mo, in einer Dicke zwischen 30 nm und 50 nm aufgebracht. Bezugnehmend auf Fig. 5C wird dann über ei­ nen Temperprozeß durch Festkörperreaktion der undotierten Si­ liciumschicht und des hochschmelzenden Metalls ein hoch­ schmelzendes Metallsilicid (45) erzeugt. Der Temperprozeß wird bei einer Temperatur zwischen 700°C und 900°C unter ei­ ner Argon- oder Stickstoffatmosphäre für 30 Sekunden unter Verwendung von RTA (Kurzzeittemperung) oder bei 550°C bis 750°C unter einer Stickstoffatmosphäre für 30 Minuten in ei­ nem Ofen durchgeführt. Bei diesem Vorgang wird die undotierte Siliciumschicht (43) vollständig verbraucht. Selbst wenn ein Teil der undotierten Siliciumschicht (43) auf der störstel­ lendotierten amorphen Siliciumschicht (42) verbleibt, hat dies keine nachteiligen Wirkungen in dem Halbleiterbauelement zur Folge, da die amorphe Siliciumschicht durch Diffusion der Fremdatome der störstellendotierten Siliciumschicht (42) in eine elektrisch leitfähige Schicht umgewandelt wird.

Wenn hierbei als hochschmelzendes Metall z. B. Titan verwendet und unter einer Stickstoffatmosphäre getempert wird, bildet sich auf der Oberfläche des Silicids TiN. Das TiN wird mit­ tels einer Lösung von H₂SO₄:H₂O₂ entfernt. Das Verhältnis von H₂SO₄ zu H₂O₂ beträgt dabei 1 : 3.

Das oben beschriebene Beispiel erläutert ein solches, bei der eine untenliegende Siliciumschicht benutzt wird, die eine Doppelschichtstruktur mit einer störstellendotierten amorphen Siliciumschicht und einer undotierten Siliciumschicht auf­ weist. Die untenliegende Siliciumschicht kann neben dieser Doppelschichtstruktur aus störstellendotierter amorpher Sili­ ciumschicht und undotierter Siliciumschicht auch aus einer einlagigen, störstellendotierten amorphen Siliciumschicht, einer Doppelschicht aus störstellendotierter Polysilicium­ schicht und störstellendotierter amorpher Siliciumschicht oder einer Doppelschicht aus störstellendotierter Polysilici­ umschicht und undotierter Siliciumschicht bestehen. Das stör­ stellendotierte amorphe Silicium wird dabei jeweils durch ei­ nen in-situ Dotierprozeß und das störstellendotierte Polysi­ licium jeweils durch einen Dotierprozeß bei hoher Temperatur unter Verwendung von POCl₃-Gas gebildet, und die undotierte Siliciumschicht kann undotiertes Polysilicium oder eine undo­ tierte amorphe Siliciumschicht sein.

In einer Ausführungsform der Erfindung wird folglich durch einen in-situ Dotierprozeß eine störstellendotierte amorphe Siliciumschicht mit ebener Oberfläche als eine untenliegende Siliciumschicht erzeugt, die zur Reaktion mit dem hochschmel­ zenden Metall verwendet wird. Auf diese Weise läßt sich ein hochschmelzendes Metallsilicid mit ebener Silicidoberfläche erzielen. Alternativ wird erfindungsgemäß eine untenliegende Siliciumschicht in Form einer Doppelschichtstruktur bestehend aus einer störstellendotierten Siliciumschicht und einer undotierten Siliciumschicht gebildet, um mit einer hoch­ schmelzenden Metallschicht zu reagieren. Durch die Erfindung wird die störstellenbedingte Silicidagglomeration reduziert, so daß ein thermisch stabiles, hochschmelzendes Metallsilicid erhalten wird. Es versteht sich, daß der Fachmann verschiede­ ne Modifikationen der oben beschriebenen Beispiele im Umfang der Erfindung, wie er durch die beigefügten Ansprüche festge­ legt ist, vorzunehmen vermag.

Claims (7)

1. Verfahren zur Herstellung eines hochschmelzenden Metall­ silicids über einer Isolationsschicht auf einem Halbleiter­ substrat eines Halbleiterbauelementes, gekennzeichnet durch folgende Schritte:

• - Aufbringen einer störstellendotierten amorphen Sili­ ciumschicht auf die Isolationsschicht unter Verwendung eines in-situ Dotierprozesses,
• - Aufbringen einer hochschmelzenden Metallschicht auf die störstellendotierte amorphe Siliciumschicht und
• - Erzeugen eines hochschmelzenden Metallsilicids durch Reaktion der störstellendotierten amorphen Silicium­ schicht mit der hochschmelzenden Metallschicht.

2. Verfahren nach Anspruch 1, weiter gekennzeichnet durch Aufbringen einer störstellendotierten Polysiliciumschicht mittels Fremdatomdotierung vor dem Aufbringen der störstel­ lendotierten amorphen Siliciumschicht.

3. Verfahren zur Herstellung eines hochschmelzenden Metall­ silicids über einer Isolationsschicht (41) auf einem Halblei­ tersubstrat (40) eines Halbleiterbauelementes, gekennzeichnet durch folgende Schritte:

• - Aufbringen einer störstellendotierten, ersten Silicium­ schicht (42) auf die Isolationsschicht (41),
• - Aufbringen einer undotierten, zweiten Siliciumschicht (43) auf die störstellendotierte, erste Silicium­ schicht,
• - Aufbringen einer hochschmelzenden Metallschicht (44) auf die zweite Siliciumschicht und
• - Erzeugen eines hochschmelzenden Metallsilicids durch Reaktion der zweiten Siliciumschicht mit der hoch­ schmelzenden Metallschicht.

4. Verfahren nach Anspruch 3, weiter dadurch gekennzeichnet, daß das Aufbringen der störstellendotierten, ersten Silicium­ schicht (42) folgende Schritte beinhaltet:

• - Aufbringen von Polysilicium auf die Isolationsschicht zur Bildung einer Polysiliciumschicht und
• - Eindotieren von Fremdatomen in die Polysiliciumschicht.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, weiter da­ durch gekennzeichnet, daß die hochschmelzende Metallschicht aus wenigstens einem der Elemente Ti, Co, W oder Ta besteht.

6. Verfahren nach Anspruch 3 oder 5, weiter dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Aufbringen der störstellendotierten, ersten Siliciumschicht (42) mittels Abscheiden von amorphem Silicium auf der Isolationsschicht (41) und gleichzeitigem Dotieren des amorphen Siliciums erfolgt.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 6, weiter da­ durch gekennzeichnet, daß die undotierte, zweite Silicium­ schicht eine Polysiliciumschicht oder eine amorphe Silicium­ schicht ist.