DE4421319A1 - Niederinduktives Leistungshalbleitermodul - Google Patents
Niederinduktives LeistungshalbleitermodulInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Leistungs
halbleiterelektronik.
Sie geht aus von einem Leistungshalbleitermodul nach dem
Oberbegriff des ersten Anspruchs.
Ein solches Leistungshalbleitermodul wird bereits in der
Offenlegungsschrift DE 39 37 045 A1 beschrieben.
Ein Leistungshalbleitermodul umfaßt in der Regel mehrere
Halbleiterbauelemente, die zu einer logischen Funktions
einheit zusammengefaßt werden können. Beispiele sind
Gleichrichter, Einzelschalter mit antiparalleler Diode
oder Phasenbausteine. Module unterscheiden sich von den
heute im Hochleistungs-Halbleiterbereich üblichen Schei
benzellen im wesentlichen dadurch, daß Kühlung und Lei
stungsanschlüsse voneinander elektrisch isoliert sind.
Solche Module (Thyristor-, Transistor, IGBT-, MOSFET-,
Dioden-Module) sind heute im Leistungsbereich bis zu 1200
V und einige 100 A weit verbreitet und werden vor allem
in Industrieantrieben eingesetzt. Module für hohe Ströme
bestehen in der Regel aus einer Anzahl von Einzel-Bau
steinen, die im Modul parallelgeschaltet werden, oder es
werden gleich mehrere Module parallel geschaltet.
Gegenwärtig sind der Leistungsfähigkeit der Module im
Hinblick auf Stromtragfähigkeit und maximale Blockier
spannung durch folgende Probleme nach oben hin Grenzen
gesetzt:
- - Die parasitäre Induktivität des inneren Aufbaus ei nes Moduls erlaubt nicht, beliebig viele Bauelemente parallel zu schalten. Ein- und Ausschaltvorgänge würden zu unzulässigen Schwingungen führen. Zudem ist die Fläche der einzelnen Bauelemente, die man parallel schaltet, aus Gründen der Herstellungsko sten und Zuverlässigkeit nicht beliebig zu steigern.
- - Mit zunehmender Modul-Grundfläche steigen die Zuver lässigkeitsprobleme an, speziell im Hinblick auf die zu fordernde Festigkeit gegen Temperaturwechsel, da die mechanische Belastung mit zunehmender Baugröße und aufgrund der unterschiedlichen thermischen Aus dehnungskoeffizienten der eingesetzten Werkstoffe immer größer wird.
- - Für die für Bauelemente mit hoher Blockierfestigkeit geforderte Isolationsfestigkeit sind in der Regel die mit einem herkömmlichen Modul zu erzielenden Kriechwege zu gering.
- - Der thermische Widerstand eines konventionellen Mo duls ist im Vergleich zu einem Aufbau mit Scheiben zellen relativ hoch. Der Grund hierfür ist die Tren nung des thermischen und des elektrischen Kontaktes, was die Verwendung von Werkstoffen erfordert, die im Vergleich zu Metallen geringe thermische Leitfähig keit aufweisen und die die Kühlung nur eines der Hauptanschlüsse der Bauelement ermöglicht. In einer Scheibenzelle können beide Hauptelektroden gekühlt werden.
- - Ein Modul wird mit Schrauben (typisch an allen vier Ecken) auf eine Kühlplatte oder einen Kühlkörper ge schraubt. Für ein sehr großflächiges Modul kann da mit der sichere, thermisch gut leitende Kontakt in der Mitte der Grundfläche problematisch werden und sich während des Betriebes im Laufe der Zeit verän dern.
- - Die Hauptanschlüsse sind bei einem Modul nebeneinan der auf der Oberseite des Moduls angeordnet. Damit ist vorgegeben, daß für den Gleichspannungsan schluß eine Stromschleife und damit eine Induktivi tät entsteht.
In der eingangs erwähnten Offenlegungsschrift DE 39 37
045 von R. Bayerer et al wird deshalb versucht, die
Streuinduktivität zur verringern und eine Geometrie an
zugeben, welche für eine größere Zahl von Leistungstran
sistoren geeignet ist. Zu diesem Zweck bestehen die drei
Hauptanschlußleitungen aus breiten Bändern, die in ge
ringem Abstand zueinander angeordnet sind und aufgrund
ihrer geometrische Anordnung eine Anschlußbandleitung
bilden. Die vertikal zum Modulboden geführten Leitungen
erfordern eine relativ komplizierte Verbindungstechnik
und erschweren die ausreichende elektrische Isolation un
tereinander, insbesondere wenn die Induktivität gering
sein soll.
In der Offenlegungsschrift DE 41 03 486 A1 von H. J. Kro
koszinksi et al wird dagegen versucht, die Wärmeabfuhr
zu verbessern, indem ein Modul von beiden Seiten gekühlt
wird. Nachteilig ist jedoch daran, daß das Kühlmedium
auch die Gleichspannungsanschlüsse umspült und somit
elektrisch isolierend sein muß (z. B. deionisiertes Was
ser). Zudem bilden die Gleichspannungsanschlüsse auch
eine Leiterschleife.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es deshalb, ein
Leistungshalbleitermodul anzugeben, das für höchste Lei
stungen geeignet ist bei welchem die vorstehend genannten
Probleme gelöst werden.
Diese Aufgabe wird bei einem Leistungshalbleitermodul der
eingangs genannten Art durch die Merkmale des ersten An
spruchs gelöst.
Kern der Erfindung ist es also, daß auf beiden Seiten
eines Kühlkörpers Leistungshalbleiterbaugruppen vorgese
hen sind und daß diese durch ein niederinduktives Kon
taktblechpaket kontaktiert werden.
Ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel ist dadurch gekenn
zeichnet, daß die Leistungshalbleiterbaugruppen auf je
der Seite des Kühlkörpers eine Hälfte eines Halbbrücken
moduls bilden. Die Leistungshalbleiterbaugruppen umfassen
vorzugsweise ein Substrat, auf welches mindestens ein
Leistungshalbleiterschalter mit antiparalleler Diode auf
gebracht ist. Der Kühlkörper wird vorteilhafterweise von
einer Kühlflüssigkeit durchflossen, und die ganze Anord
nung wird in ein Schutzgehäuse integriert.
Weitere Ausführungsbeispiele ergeben sich aus den ent
sprechenden Unteransprüchen.
Der Vorteil des erfindungsgemäßen Aufbaus besteht insbe
sondere darin, daß das Modul eine ausreichende Kühlung
aufweist, denn auf beiden Seiten des Kühlkörpers sind
Baugruppen angebracht und die Baugruppen werden direkt
auf den Kühlkörper montiert. Damit entfällt gegenüber be
kannten Modulen der Wärmeübergang vom Modul zum Kühler.
Die Verwendung von Platten zur Kontaktierung, die zudem
auf der Gleichspannungsseite keine Umlenkung des Stromes
erfordern, ermöglicht es, die Induktivität minimal zu
halten. Damit kann auch innerhalb des Moduls bzw. der
Baugruppe eine große Anzahl kleinflächiger Bauelemente
problemlos parallelgeschaltet werden.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand von Ausführungsbei
spielen im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläu
tert.
Es zeigen:
Fig. 1 Die Schaltungsanordnung einer Halbbrücke;
Fig. 2 Ein erfindungsgemäßes Leistungshalbleitermodul
im Schnitt; und
Fig. 3 Eine Aufsicht auf eine Leistungshalbleiterbau
gruppe.
Die in den Zeichnungen verwendeten Bezugszeichen und de
ren Bedeutung sind in der Bezeichnungsliste zusammenge
faßt aufgelistet. Grundsätzlich sind in den Figuren
gleiche Teile mit gleichen Bezugszeichen versehen.
Eine der Hauptanwendungen von schaltbaren Hochleistungs-
Bauelementen sind Inverterschaltungen zur Erzeugung von
Wechselspannung aus einer Gleichspannung. Für diese An
wendung werden pro Phase jeweils zwei Schalter und dazu
gehörige Dioden benötigt. Diese sogenannte Halbbrücke
stellt den kleinsten logischen Baustein für eine Inver
terschaltung dar. Ein solche Halbbrücke ist in Fig. 1
dargestellt.
Für höchste Leistungen kann bis heute eine Halbbrücke nur
aus zwei Einzelschaltmodulen zusammengesetzt werden, da
die Integration der gesamte Funktion in nur ein Modul zu
einem sehr großflächigen Modul führen würde, was auf
grund der vorne erläuterten Begrenzungen nicht möglich
ist.
Gegenstand der Erfindung ist daher ein Halbbrückenmodul,
das für höchste Leistungen geeignet ist. Ein solches Mo
dul ist in Fig. 2 im Schnitt dargestellt. Es umfaßt
einen Kühlkörper (3), der von Kühlkanälen (7) durchzogen
ist und Anschlüsse (6) für ein Kühlmedium (z. B. Wasser
mit Frostschutz-Zusatz) aufweist. Auf beiden Seiten des
Kühlkörpers (3) sind Substrate (8) angebracht. Die Sub
strate (8) bestehen aus einem elektrisch isolierenden
aber dennoch gut wärmeleitfähigen Material wie z. B. Alu
miniumoxid, Aluminiumnitrid oder Beryliumoxid. Je nach
Material des Kühlkörpers werden diese Substrate entweder
aufgelötet (z. B. DCB Aluminiumoxidkeramik auf Kupfer)
oder aufgeklebt (z. B. Aluminiumnitridkeramik auf Alumi
nium). Auch andere Verbindungstechniken wie Plasmasprit
zen sind denkbar.
Jeweils auf der Oberseite der Substrat (8) werden bereits
vorher die einzelnen Bauelemente (z. B. IGBTs und Dioden)
montiert, miteinander verbunden und vorgetestet. Eine
Aufsicht auf ein solches bestücktes Substrat (8) ist in
Fig. 3 dargestellt.
Im einem realisierten Ausführungsbeispiel umfassen die
montierten Bauteile jedes Substrats die Funktion eines
Leistungshalbleiterschalters (10) mit antiparallel ge
schalteter Diode (11). Der Leistungshalbleiterschalter
(10) und die Diode (11) können ihrerseits aus mehreren
diskreten Bauelementen zusammengesetzt sein. Im allgemei
nen Fall bildet ein bestücktes Substrat (8) ein Lei
stungshalbleiterbaugruppe (2) mit im Prinzip beliebiger
Funktion.
Diese Leistungshalbleiterbaugruppen (2) werden nun mit
tels geeignet geformter, elektrisch leitender Kontaktble
che (4) kontaktiert. Die Bleche (4) bestehen vorzugsweise
aus dem gleichen oder einem bezüglich des thermischen
Ausdehnungskoeffizienten an den Kühlkörper (3) angepaßten
Werkstoff. Zwischen den einzelnen Blechen (4) sind
nicht dargestellte Isolierplatten eingelegt. Die Kontakt
bleche (4) und die Isolierplatten werden zu einem Stapel
verbunden (z. B. verklebt) und mit dem Kühlkörper (3) me
chanisch verbunden.
Diese Blechpakete dienen nun auf beiden Seiten der Kühl
körper (3) zur niederinduktiven Verbindung der einzelnen
Substrate (8). Die Substrate werden mit Hilfe von Bond-
oder Lötverbindungen (je nach Werkstoff der Bleche) an
das jeweilige Blechpaket angeschlossen.
Im aufgebauten Ausführungsbeispiel stellten die Substrate
(8) auf jeder Seite des Kühlkörpers (3) die erwähnte Ein
zelschaltereinheit dar. Demzufolge umfaßte jede Seite
des Kühlkörpers (3) eine "Viertelbrücke" und das gesamte
Modul (1) stellte eine Halbbrücke dar. Wie Fig. 1 zu
entnehmen ist, weist eine solche Halbbrücke einen Plusan
schluß (12), einen Minusanschluß (13) und einen Wech
selspannungsanschluß (14) auf. Die Schalter (10) werden
über einen Steueranschluß (15, 16) ein- und ausgeschal
tet. Zur Fehlerüberwachung kann außerdem je ein Meßan
schluß (17, 18) vorgesehen sein. Demzufolge umfaßt das
Kontaktblechpaket zur Kontaktierung eines solchen Halb
brückenmoduls (1) die entsprechende Anzahl Kontaktbleche
(4).
Vorzugsweise werden die Kontaktbleche (4) für die Haupt
anschlüsse (Plus-, Minus-, AC-Anschluß) wie Fig. 2 dar
gestellt angeordnet. Von der einen Seite werden die
Gleichspannungsanschlüsse (12 und 13) herangeführt, von
der anderen Seite der Wechselspannungsanschluß (14).
Dieser bildet gleichzeitig die Verbindung zwischen den
auf verschiedenen Seiten des Kühlkörpers (3) angeordneten
Viertelbrücken.
Auf den Substraten (8) sind zur Kontaktierung der Bauele
mente (10 und 11) mit den Kontaktblechen (4) entweder
Leiterbahnen (9) aufgebracht oder die Bauelemente werden
direkt mit den Kontaktblechen (4) verbunden. Im Falle des
realisierten Moduls wurde die Verbindung der Kathode der
Diode (11) mit dem einer Anode entsprechenden Anschluß
des Leistungshalbleiterschalters (10) direkt dadurch her
gestellt, daß die beiden Bauelemente mit ihren Untersei
ten auf das Substrat gelötet wurden.
Schließlich wird das so entstandene Modul (1) gegen Ein
wirkungen von außen geschützt, indem es mit einem Ge
häuse (5) versehen und z. B. mit einem Silikon-Gel vergos
sen wird.
Da die beiden Gleichspannungsanschlüsse (12, 13) nicht
wie bei herkömmlichen Modulen nebeneinander sondern über
einander liegen, entsteht keine Stromschleife und damit
keine zusätzliche Induktivität. Ist die Gleichspannungs
versorgung ebenfalls, wie es im übrigen dem heutigen
Stand der Technik entspricht, in Form übereinanderliegen
der Platten ausgeführt, so kann das Modul optimal mittels
Schraub-, bevorzugterweise aber Steckverbindungen, ange
schlossen werden. Das gezeigte Ausführungsbeispiel geht
von einer Steckverbindung auf der DC-Seite aus. Der Mit
telsteg aus isolierendem Material führt den Stecker (z. B.
keilförmig) und sorgt gleichzeitig für die Einhaltung der
notwendigen Kriechwege.
Ein solches Modul (1) erfüllt nun alle Forderungen, die
an eine Halbbrückenmodul oder allgemein an ein Leistungs
halbleitermodul höchster Leistung gestellt werden:
- - Ausreichende Kühlung: Dadurch, daß die Bauelemente elektrisch isoliert direkt auf einen Kühlkörper (3) montiert werden, entfällt gegenüber Modulen nach dem Stand der Technik der Wärmeübergang vom Modul zum Kühler. Der für das realisierte Modul berechnete und experimentell bestätigte Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Kühlmedium liegt etwa einen Faktor zwei unter dem Wert, der heute für konventionelle Module erzielbar ist. Dieser Wert ist damit auch ge ringer als derjenige kommerziell erhältlicher Schei benzellen.
- - Niederinduktiver Aufbau: Die Verwendung von Platten, die zudem auf der Gleichspannungsseite (dort ist die Induktivität kritisch) keine Umlenkung des Stro mes erfordern, ermöglicht es, die Induktivität mini mal zu halten. Damit kann auch problemlos eine An zahl kleinflächiger Bauelemente parallelgeschaltet werden.
- - Baugröße, thermische Wechselfestigkeit: Die Bestückung des Kühlkörpers von beiden Seiten erlaubt eine minimale Baugröße und eine optimale Ausnutzung der zur Verfügung gestellten Kühlfläche. Die Vermeidung großer Berührungsflächen (kleines Substrat, typi scherweise 10 cm²) sowie die sorgfältige Abstimmung der für Kühler, Verbindungstechnik und Plattenstapel verwendeten Werkstoffe sorgen dafür, daß die auf grund der unterschiedlichen thermischen Ausdehnungs koeffizienten auftretenden Kräfte minimal sind. Da durch wird eine ausgezeichnete Lastwechselfestigkeit erzielt.
- - Isolation, Kriechwege: Die vorgeschlagene Bauform ermöglicht es, entsprechend den gültigen Normen iso lierende Materialien in genügender Dicke und Abmes sung so einzubauen, daß stromführende Kontakte vom Kühlkörper und den Steuer- und Meßanschlüssen genü gend Abstand haben. Dies erfordert keinen Kompromiß zu den sonst vom Halbbrückenmodul geforderten Eigen schaften.
- - Mechanische und elektrische Verbindung zum Schalt kreis: Da der Kühler bereits in das Modul eingebaut ist, kann das Modul waagrecht oder senkrecht stehend eingebaut werden. Es muß nicht der vorgegebenen Geometrie einer Halte- und/oder Kühlplatte folgen. Vorteilhaft ist die mechanische Fixierung des Moduls in Führungsschienen, in die das Module aufgenommen wird und dann in einer Endposition einrastet.
Selbstverständlich ist der erläuterte Aufbau eines Lei
stungshalbleitermoduls nicht nur auf Halbbrücken-Schal
tungsanordnungen beschränkt, sondern wird auch mit Vor
teil für andere Funktionen verwendet.
Bezugszeichenliste
1 Leistungshalbleitermodul
2 Leistungshalbleiterbaugruppe
3 Kühlkörper
4 Kontaktblech
5 Gehäuse
6 Kühlflüssigkeitsanschluß
7 Kühlkanal
8 Substrat
9 Leiterbahn
10 Leistungshalbleiterschalter
11 Diode
12 Plusanschluß
13 Minusanschluß
14 Wechselspannungsanschluß
15, 16 Steueranschlüsse
17, 18 Meßanschlüsse
2 Leistungshalbleiterbaugruppe
3 Kühlkörper
4 Kontaktblech
5 Gehäuse
6 Kühlflüssigkeitsanschluß
7 Kühlkanal
8 Substrat
9 Leiterbahn
10 Leistungshalbleiterschalter
11 Diode
12 Plusanschluß
13 Minusanschluß
14 Wechselspannungsanschluß
15, 16 Steueranschlüsse
17, 18 Meßanschlüsse
Claims (10)
1. Leistungshalbleitermodul (1) mit mindestens einer
Leistungshalbleiterbaugruppe (2), welche mit ihrer
Unterseite auf einem Kühlkörper (3) befestigt ist,
dadurch gekennzeichnet, daß
- - auf beiden Seiten des Kühlkörpers (3) Lei stungshalbleiterbaugruppen (2) vorgesehen sind;
- - die Leistungshalbleiterbaugruppen (2) mit sich parallel zum Kühlkörper (3) erstreckenden, auf einander gestapelten, elektrisch leitenden Kon taktblechen (4) zusammenwirken.
2. Leistungshalbleitermodul (1) nach Anspruch 1, da
durch gekennzeichnet, daß die Leistungshalbleiter
baugruppen (2) mindestens einen Leistungshalbleiter
schalter (10), insbesondere einen IGBT, mit antipar
allel geschalteter Diode (11) umfassen, welche auf
ein Substrat (8) aus elektrisch isolierendem aber
gut wärmeleitenden Material, insbesondere aus Alumi
niumoxid, Aluminiumnitrid oder Beryliumoxid aufge
bracht sind.
3. Leistungshalbleitermodul (1) nach Anspruch 2, da
durch gekennzeichnet, daß die Anodenanschlüsse der
Dioden (11) der auf der einen Seite des Kühlkörpers
(3) angebrachten Leistungshalbleiterbaugruppen (2)
über ein entsprechendes Kontaktblech (4) mit dem
Plusanschluß (12) einer Gleichspannungsquelle, die
Kathodenanschlüsse der Dioden (11) der auf der ande
ren Seite des Kühlkörpers (3) angebrachten Lei
stungshalbleiterbaugruppen (2) über ein weiteres
Kontaktblech (4) mit dem Minusanschluß (13) der
Gleichspannungsquelle und die Kathoden- bzw. Anoden
anschlüsse der Dioden (11) der jeweils anderen Seite
über ein gemeinsames Kontaktblech (4) mit einem
Wechselspannungsanschluß (14) verbunden sind.
4. Leistungshalbleitermodul (1) nach Anspruch 3, da
durch gekennzeichnet, daß
- - auf dem Substrat (8) Leiterbahnen (9) für die Anschlüsse der Leistungshalbleiterschalter (10) und die Dioden (11) vorgesehen sind;
- - die Kathodenanschlüsse der Dioden (11) und die einer Anode entsprechenden Anschlüsse der Lei stungshalbleiterschalter (10) direkt auf das Substrat angebracht sind.
5. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 4, dadurch
gekennzeichnet, daß die übrigen Anschlüsse der Lei
stungshalbleiterschalter (10) und Dioden (11), insbe
sondere die Anodenanschlüsse der Dioden (11), Steu
eranschlüsse (15, 16), Meßanschlüsse (17, 18) sowie
die einer Kathode entsprechenden Anschlüsse der Lei
stungshalbleiterschalter (10), mit weiteren Leiter
bahnen (9) verbunden sind, welche Leiterbahnen (9)
ihrerseits mit entsprechenden Kontaktblechen (4) zu
sammenwirken.
6. Leistungshalbleitermodul (1) nach Anspruch 4, da
durch gekennzeichnet, daß die übrigen Anschlüsse
der Leistungshalbleiterschalter (10) und Dioden (11),
insbesondere die Anodenanschlüsse der Dioden (11),
Steueranschlüsse (15, 16), Meßanschlüsse (17, 18)
sowie die einer Kathode entsprechenden Anschlüsse
der Leistungshalbleiterschalter (10), direkt mit den
entsprechenden Kontaktblechen (4) zusammenwirken.
7. Leistungshalbleitermodul (1) nach einem der vorste
henden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der
Kühlkörper (3) von einer Kühlflüssigkeit durchflos
sen wird und entsprechende Kühlflüssigkeitsan
schlüsse (6) und Kühlkanäle (7) im Kühlkörper (3)
vorgesehen sind.
8. Leistungshalbleitermodul (1) nach einem der vorste
henden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die
Kontaktbleche (4) aus einem Werkstoff bestehen, des
sen thermischer Ausdehnungskoeffizient demjenigen
des Kühlkörpers (3) angepaßt ist.
9. Leistungshalbleitermodul (1) nach einem der vorste
henden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der
Kühlkörper (3) mit den Leistungshalbleiterbaugruppen
(2) und den Kontaktblechen (4) von einem Schutzge
häuse (5) umgeben ist, wobei die Kontaktbleche (4)
als Modulanschlüsse aus dem Gehäuse (5) hinausge
führt sind.
10. Leistungshalbleitermodul (1) nach einem der vorste
henden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zwi
schen den Kontaktblechen (4) Isolierplatten einge
legt sind.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4421319A DE4421319A1 (de) | 1994-06-17 | 1994-06-17 | Niederinduktives Leistungshalbleitermodul |
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EP95201442A EP0688053B1 (de) | 1994-06-17 | 1995-06-01 | Niederinduktives Leistungshalbleitermodul |
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CN95107021A CN1120737A (zh) | 1994-06-17 | 1995-06-16 | 低电感功率半导体模块 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4421319A DE4421319A1 (de) | 1994-06-17 | 1994-06-17 | Niederinduktives Leistungshalbleitermodul |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4421319A1 true DE4421319A1 (de) | 1995-12-21 |
Family
ID=6520891
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4421319A Withdrawn DE4421319A1 (de) | 1994-06-17 | 1994-06-17 | Niederinduktives Leistungshalbleitermodul |
DE59504782T Expired - Fee Related DE59504782D1 (de) | 1994-06-17 | 1995-06-01 | Niederinduktives Leistungshalbleitermodul |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE59504782T Expired - Fee Related DE59504782D1 (de) | 1994-06-17 | 1995-06-01 | Niederinduktives Leistungshalbleitermodul |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5574312A (de) |
EP (1) | EP0688053B1 (de) |
JP (1) | JPH088397A (de) |
CN (1) | CN1120737A (de) |
DE (2) | DE4421319A1 (de) |
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- 1995-06-01 DE DE59504782T patent/DE59504782D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-06-01 EP EP95201442A patent/EP0688053B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-06-07 JP JP7140776A patent/JPH088397A/ja active Pending
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: ASEA BROWN BOVERI AG, BADEN, CH |
|
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: LUECK, G., DIPL.-ING. DR.RER.NAT., PAT.-ANW., 7976 |
|
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |