DE4311298A1 - Druckerfassungs-Schaltung für einen Halbleiter-Drucksensor - Google Patents
Druckerfassungs-Schaltung für einen Halbleiter-DrucksensorInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Druckerfassungs-Schaltung
für einen Halbleiter-Drucksensor und insbesondere auf die Kom
pensation einer Temperatur-Abhängigkeit einer Nullpunkt-Aus
gangsspannung eines Drucksensors.
Fig. 10 der anliegenden Zeichnungen zeigt eine perspektivische
Seitenansicht des gesamten Aufbaus eines Halbleiter-Drucksen
sors, bei dem der piezoelektrische Effekt ausgenutzt wird. Ge
mäß Fig. 10 besitzt ein Halbleiter-Drucksensor 100 einen Sen
sorabschnitt, der in einem Gehäuse enthalten ist, das durch
eine Basis 101 und eine Kappe 102 gebildet ist. Ein Raum 103
im Gehäuse ist ein Vakuum bzw. evakuiert. Der Sensorabschnitt
104 besteht aus einer Glas-Basis 105 und einem an dieser
befestigten Halbleiter-Sensorchip 106 und ist an der Basis 101
befestigt. Der mittlere Abschnitt des Sensorchips 106 ist in
Gestalt einer dünnen Platte ausgebildet, wozu seine untere
Seite abrasiert bzw. abgetragen ist. Der zu erfassende Druck
wird zur Basis 101 und zur Glasbasis 105 übertragen und über
ein Druck-Einführloch 108, das durchgehend ist und durch deren
Mitte verläuft, in einen Raum 106a eingeführt, der zwischen
der Glasbasis 105 und dem Halbleiter-Sensorchip 106 ausgebil
det ist.
Der die Gestalt einer dünnen Platte besitzende Abschnitt in
der Mitte des Sensorchips 106 verformt sich in Abhängigkeit
von der Druckdifferenz zwischen den Räumen 106a und 103. Die
durch die Verformung des mittleren Abschnitts des Sensorchips
106 erzeugte Deformation wird durch eine Druckerfassungs-
Schaltung gemessen, die in diesem mittleren, nachstehend näher
beschriebenen Abschnitt ausgebildet ist und zum Berechnen des
Drucks dient. Ein Signal, das von der Druckerfassungs-Schal
tung abgegeben wird, wird zum äußeren Bereich des Gehäuses
über eine durchgehende Leitung 110 geführt, die sich bis zu
einem Draht 109 und die Basis 101 erstreckt bzw. durch letz
tere hindurchgeht.
Fig. 11 zeigt eine perspektivische schematische Ansicht der
Gestaltung einer oberen Oberfläche des Halbleiter-Sensorchips
106. Eine Brückenschaltung ist im mittleren Abschnitt 106b des
Sensorchips 106 ausgebildet und dient zum Erfassen des Drucks
unter Ausnutzung des piezoelektrischen Effekts. An einem peri
pheren Abschnitt 106c der Brückenschaltung ist eine Signalver
arbeitungsschaltung usw. ausgebildet. Diese Schaltungen sind
unter Einsatz von Applikationsverfahren wie etwa einer Verun
reinigungsdiffusion usw. auf dem Sensorchip hergestellt.
Fig. 12 zeigt eine herkömmliche Druckerfassungs-Schaltung, die
auf dem Halbleiter-Sensorchip 106 ausgebildet ist. Gemäß Fig. 12
bezeichnet das Bezugszeichen 1 eine Brückenschaltung, die
sich in Kontakt mit einer Druckerfassungs-Einrichtung befin
det, die in der Mitte des Sensorchips ausgebildet ist. Die
Brückenschaltung ist derart verschaltet, daß Dehnungsmeß-Wi
derstände bzw. Meßwiderstände 2A, 2B, 2C und 2D eine Wheat
stone-Brückenschaltung bilden. In der Praxis sind diese Meß
widerstände 2A, 2B, 2C und 2D gemäß der Darstellung in Fig. 11
so angeordnet, daß sie zusammen ein Rechteck bilden und sich
in derselben Richtung erstrecken. Die Bezugszeichen 3A, 3B, 3C
und 3D bezeichnen vier Anschlüsse der Brückenschaltung 1, wo
bei der Anschluß 3A der Verbindungspunkt zwischen den Meß
widerständen 2A und 2C ist, der Anschluß 3B den Verbindungs
punkt zwischen den Meßwiderständen 2A und 2B darstellt, der
Anschluß 3C der Verbindungspunkt zwischen den Meßwiderständen
2C und 2D ist und der Anschluß 3D den Verbindungspunkt zwi
schen den Meßwiderständen 2B und 2D darstellt. Der Anschluß 3A
ist mit einer Spannungsquelle 4 gekoppelt, während der An
schluß 3D mit Masse bzw. Erdpotential 5 gekoppelt ist. Das Be
zugszeichen 6 bezeichnet eine Signalverarbeitungsschaltung zum
Verstärken des elektrischen Potentials bzw. der elektrischen
Spannung, die zwischen den Anschlüssen 3B und 3C der Brücke 1
erzeugt wird, während das Bezugszeichen 7 einen Widerstand be
zeichnet, der zwischen die Anschlüsse 3B und 3D geschaltet ist
und einen niedrigen Temperatur-Koeffizienten für eine Tempera
tur-Kompensation besitzt.
Der Betrieb der vorstehend erwähnten Einrichtung wird im fol
genden beschrieben. Die Brückenschaltung 1 ist derart ausge
staltet, daß zwischen den Anschlüssen 3B und 3C eine Spannung
in Übereinstimmung mit einer Verformungs-Beanspruchung gebil
det wird, die aufgrund des angelegten Drucks erzeugt wird. Im
einzelnen verändern sich bei Einwirkung einer Verformungs-Be
anspruchung auf die Meßwiderstände 2A, 2B, 2C und 2D deren Wi
derstandswerte entsprechend. Da jedoch die Richtungen der Auf
nahme der Verformungs-Beanspruchung für aneinander angrenzende
Widerstände unterschiedlich sind, ergeben sich Unterschiede in
den Widerstandswerten. Hierbei würde sich bei manchen Wider
ständen der Widerstandswert vergrößern, während er bei anderen
absinken würde, so daß in der Brückenschaltung 1 eine Unsymme
trie hervorgerufen würde, durch die eine Spannung erzeugt
wird.
In der nachstehenden Gleichung
Vod = kf (1)
bezeichnet Vod die Differenzspannung zwischen den Anschlüssen
3B und 3C, f die Verformungs-Beanspruchung und k eine Propor
tionalitäts-Konstante. Wenn gemäß der Gleichung (1) die Ver
formungs-Beanspruchung Null ist, d. h. f = 0 gilt, ist auch
die Differenzspannung Vod = 0. In der Praxis ist jedoch Vod ≠
0. Wenn dies als Offset-Spannung Voffset der Ausgangsspannung
beim Nullpunkt angenommen ist, lädt sich die Gleichung (1) wie
folgt wiedergeben:
Vod = kf + Voffset (2)
Im allgemeinen wird eine Korrektur der Offset-Spannung Voffset
durch Anlegen einer entsprechenden geeigneten äußeren Korrek
turspannung an die Signalverarbeitungsschaltung 6 bewirkt. Die
Temperatur-Eigenschaften der Spannung Vod können durch Dif
ferenzierung der Gleichung (2) nach der Temperatur berechnet
werden.
δVod/λT = δkf/λT + δVoffset/δT (3)
Falls f = 0 gilt, lädt sich die Gleichung wie folgt wiederge
ben:
δVod/λT = δVoffset/λT (4)
Diese Gleichung repräsentiert die Temperatur-Abhängigkeit der
Nullpunkt-Ausgangsspannung, die im Fall der Brückenschaltung 1
zur Erfassung der Verformungs-Beanspruchung durch eine Unsym
metrie der Temperatur-Koeffizienten der Meßwiderstände 2A, 2B,
2C und 2D oder durch eine während des Zusammenbau-Vorgangs
hervorgerufene verbleibende Restbeanspruchung erzeugt wird. Im
allgemeinen kann die Temperatur-Abhängigkeit durch eine Glei
chung erster Ordnung bezüglich der Temperatur angenähert wer
den:
δVoffset/δT = α (5)
wobei α eine Proportionalitäts-Konstante bezeichnet. Die Be
ziehung zwischen der Nullpunkt-Ausgangsspannung Voffset und
der Temperatur T ist in Fig. 13 dargestellt. In Fig. 13 reprä
sentiert die horizontale Achse die Temperatur T, während auf
der vertikalen Achse die Nullpunkt-Ausgangsspannung Voffset
aufgetragen ist. Wenn angenommen ist, daß der zur Verfügung
stehende Temperaturbereich bei der Brückenschaltung 1 (Halb
leiter-Drucksensor) von T1 bis T2 reicht, ergibt sich die
nachstehende Gleichung:
α(T2-T1) = Vofdrift (6)
Daher sollte die Temperatur-Abhängigkeit der Nullpunkt-Aus
gangsspannung in Gleichung (6) kompensiert werden.
Wenn die Widerstandswerte der Widerstände 2A, 2B, 2C und 2D
jeweils durch RA, RB, RC und RD bezeichnet sind und die Span
nung der Spannungsquelle 4 durch Vr repräsentiert ist, lädt
sich das Potential V3B am Anschluß 3B wie folgt ausdrücken:
V3B = Vr x[RB/(RA+RB)] (7)
Weiterhin läßt sich das Potential V3C am Anschluß 3C wie folgt
ausdrücken:
V3C = Vr x[RD/(RC+RD)] (8)
Daher kann die Ausgangsspannung Vod der Brückenschaltung 1 wie
folgt ausgedrückt werden:
Vod = Vr x {RB/(RA + RB)-RD/(RC + RD)} (9)
Falls angenommen ist, daß die Temperatur-Koeffizienten der Wi
derstände 2A, 2B, 2C und 2D gleich und mit dem Symbol be
zeichnet sind und der Widerstandswert bei T = 0 Ro ist, ergibt
sich folgende Gleichung:
RA = RB = RC = RD = RO (γT + 1) (10)
Um Vofdrift zu korrigieren, ist der Widerstand 7 zwischen die
Anschlüsse 3B und 3D geschaltet. Wenn der Widerstand 7 paral
lel zum Widerstand RB gekoppelt ist, läßt sich die Gleichung
(9) wie folgt wiedergeben:
Vod = Vr [(RB//Rp)/{RA + (RB//Rp)}-1/2)] (11)
Hierbei bezeichnet das Symbol Rp den Widerstandswert des Wi
derstands 7. Wenn die Gleichung (10) in die Gleichung (11)
eingesetzt wird, ergibt sich:
Vod = -[Ro(γT + 1)/{2Ro(γT + 1) + 4Rp}] · Vr (12)
Wenn weiterhin Rp » RB gilt, ergibt sich:
Vod ≒ -[Ro (γT + 1)/4Rp] · Vr (13)
Die Größe der Veränderung Vcomp ergibt sich dann, wenn der Be
reich der Temperatur T von T1 bis T2 bereit, wie folgt:
Vcomp = (Roγ/4Rp) · Vr (T2-T1) (14)
Die sich aus der Gleichung (14) ergebende Größe Vcomp stellt
daher die korrigierende Größe von Vofdrift dar. Hierbei sollte
der Widerstandswert Rp des Widerstands 7 so festgelegt werden,
daß die folgende Gleichung erfüllt ist:
Vofdrift + Vcomp = 0 (15)
Der Wert Rp kann aus der folgenden Gleichung
Rp = (RoγVr/4Vofdrift) · (T2-T1) (16)
als einzelner Wert erhalten werden.
Wie vorstehend erwähnt, sollte der Widerstand 7 zur Korrektur
der Temperatur-Abhängigkeit der Nullpunkt-Ausgangsspannung
zwischen die Anschlüsse 3B und 3D eingefügt werden. Falls Vof
drift negativ sein sollte, sollte der Widerstand 7 zwischen
die Anschlüsse 3B und 3D oder zwischen die Anschlüsse 3A und
3B eingefügt werden.
Hierbei sollte aber der Tatsache Aufmerksamkeit geschenkt wer
den, daß eine solche Korrektur nur dann erhalten werden kann,
wenn der Temperatur-Koeffizient des Widerstands 7 Null oder
beträchtlich kleiner als der Temperatur-Koeffizient der Wider
stände 2A, 2B, 2C und 2D ist. Durch die Einfügung des Wider
stands 7 ergibt sich weiterhin eine entsprechende Veränderung
der Nullpunkt-Ausgangsspannung, was aber durch eine separate
Korrektur-Methode unabhängig korrigiert werden kann.
Da die herkömmliche Druckerfassungs-Schaltung für einen Halb
leiter-Drucksensor in der vorstehend beschriebenen Weise auf
gebaut ist, muß ein Widerstand mit einem recht niedrigen Tem
peratur-Koeffizienten zum Korrigieren der Temperatur-Abhängig
keit der Nullpunkt-Ausgangsspannung vorgesehen werden, was die
Integration der Schaltung ernsthaft behindert.
Es ist daher eine Aufgabe vorliegender Erfindung, eine Druck
erfassungs-Schaltung für einen Halbleiter-Drucksensor zu
schaffen, die zur Kompensation der Temperatur-Abhängigkeit
einer Null-Ausgangsspannung bzw. Nullpunkt-Ausgangsspannung
ohne Benutzung eines Widerstands mit kleinem Temperatur-Koef
fizienten imstande ist.
Im Hinblick auf die vorstehend genannte Aufgabe wird mit vor
liegender Erfinderung eine Druckerfassungs-Schaltung für einen
Halbleiter-Drucksensor geschaffen, die mit einer Schaltung zur
Korrektur der Temperatur-Abhängigkeit einer Nullpunkt-Aus
gangsspannung einer Druckerfassungs-Brückenschaltung in einer
Signalverarbeitungsschaltung ausgestattet ist.
Bei der erfindungsgemäßen Druckerfassungs-Schaltung für einen
Halbleiter-Drucksensor steuert ein Steuerabschnitt bzw. eine
Steuereinrichtung für differentiellen Vorspannstrom jeden Vor
spannstrom (die im normalen Betriebszustand eines Operations
verstärkers gleich groß sind) eines Paars von Transistoren
eines Differenz-Verstärkungsabschnitts einer Signalverarbei
tungsschaltung derart, daß absichtlich eine Unsymmetrie zur
Erzeugung einer Eingangs-Offsetspannung hervorgerufen wird.
Die Temperatur-Abhängigkeit der Nullpunkt-Ausgangsspannung der
Brückenschaltung wird unter Ausnutzung der Temperatur-Abhän
gigkeit der Eingangs-Offsetspannung korrigiert.
Der zu erzeugende Spannungswert der Eingangs-Offsetspannung
hängt von dem Unterschied des Vorspannstroms ab, der über
einen veränderbaren Widerstand oder einen Digital/Analog-Wand
ler usw. einstellbar ist, wie dies nachstehend bei der Be
schreibung der Ausführungsbeispiele erläutert wird.
Die vorstehenden und weitere Vorteile, Merkmale und zusätzli
che Zielsetzungen vorliegender Erfindung erschließen sich für
den Fachmann unter Bezugnahme auf die nachfolgende detaillierte
Beschreibung und die beigefügten Zeichnungen, in denen
ein die Grundzüge vorliegender Erfindung verkörperndes struk
turelles Ausführungsbeispiel zu Erläuterungszwecken darge
stellt ist. Es zeigen:
Fig. 1 ein Schaltbild, in dem ein Ausführungsbeispiel der
erfindungsgemäßen Druckerfassungs-Schaltung für
einen Halbleiter-Drucksensor schematisch darge
stellt ist,
Fig. 2 ein Schaltbild eines Ausführungsbeispiels der Si
gnalberarbeitungsschaltung gemäß Fig. 1,
Fig. 3 ein Schaltbild eines Ausführungsbeispiels wesentli
cher Teile der Signalverarbeitungsschaltung gemäß
Fig. 2,
Fig. 4 ein Schaltbild einer ersten Ausführungsform spezi
ell des in Fig. 3 gezeigten Steuerabschnitts für
differentielle Vorspannströme,
Fig. 5 ein Schaltbild einer zweiten Ausführungsform des in
Fig. 3 gezeigten Steuerabschnitts für differen
tielle Vorspannströme,
Fig. 6 ein Schaltbild einer dritten Ausführungsform des in
Fig. 3 gezeigten Steuerabschnitts für differen
tielle Vorspannströme,
Fig. 7 ein Schaltbild einer vierten Ausführungsform des in
Fig. 3 gezeigten Steuerabschnitts für differenti
elle Vorspannströme,
Fig. 8 ein Schaltbild einer fünften Ausführungsform des in
Fig. 3 gezeigten Steuerabschnitts für differen
tielle Vorspannströme,
Fig. 9 ein Schaltbild eines sechsten Ausführungsbeispiels
vorliegender Erfindung, das ein weiteres Beispiel
für wesentliche Teile der Signalverarbeitungsschal
tung gemäß Fig. 2 darstellt,
Fig. 10 eine perspektivische Seitenansicht eines Halblei
ter-Drucksensors eines solchen Typs,
Fig. 11 eine perspektivische Ansicht eines in Fig. 10 ge
zeigten Halbleiter-Sensorchips,
Fig. 12 ein schematisches Schaltbild einer Druckerfassungs-
Schaltung eines herkömmlichen Halbleiter-Drucksen
sors, und
Fig. 13 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen
der Nullpunkt-Ausgangsspannung und der Temperatur.
Im folgenden wird ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel vorlie
gender Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeich
nungen näher beschrieben.
Fig. 1 zeigt ein Schaltbild eines Ausführungsbeispiels einer
Druckerfassungs-Schaltung für einen Halbleiter-Drucksensor ge
mäß vorliegender Erfindung. In Fig. 1 sind diejenigen Kompo
nenten, die die gleichen sind wie diejenigen des herkömmlichen
Sensors gemäß Fig. 12 oder diesen entsprechen, mit denselben
Bezugszeichen bzw. -zahlen bezeichnet. Bei der Druckerfas
sungs-Schaltung gemäß Fig. 1 erfolgt die Korrektur der Tem
peratur-Abhängigkeit der Nullpunkt-Ausgangsspannung in der Si
gnalverarbeitungsschaltung 60, die eine Signalverarbeitungs
einrichtung darstellt. Folglich ist kein Widerstand mit nied
rigem Temperatur-Koeffizienten zur Korrektur der Temperatur-
Abhängigkeit vorgesehen. Die in Fig. 1 gezeigte Schaltung ist
durch ein Verfahren wie etwa ein Verunreinigungs-Diffusions
verfahren hergestellt, so daß es bei dem in Fig. 11 gezeigten
Halbleiter-Sensorchip eingesetzt werden kann.
Fig. 2 zeigt ein detailliertes Schaltbild der Signalverarbei
tungsschaltung 60 gemäß Fig. 1. In Fig. 2 bezeichnen die Be
zugszeichen 8 und 9 jeweils Operationsverstärker; die Bezugs
zeichen 10 und 11 Widerstände zum Bestimmen des Verstärkungs
faktors des Operationsverstärkers 8; die Bezugszeichen 12 und
13 Widerstände zum Bestimmen des Verstärkungsfaktors des
Operationsverstärkers 9; und das Bezugszeichen 14 eine
Referenzspannung für die Signalverarbeitungsschaltung 60.
Fig. 3 zeigt ein Schaltbild eines Eingangsabschnitts des
Operationsverstärkers 8. In Fig. 3 bezeichnet das Bezugs
zeichen 15 einen pnp-Transistor mit einer Basis, die mit einen
positiven Eingangsanschluß des Operationsverstärkers 8 ver
bunden ist; das Bezugszeichen 16 einen pnp-Transistor, dessen
Basis mit einem negativen Eingangsanschluß des Operationsver
stärkers 8 verbunden ist; das Bezugszeichen 17 einen npn-
Transistor, dessen Kollektor und Basis mit einem Kollektor des
pnp-Transistors 15 verbunden sind; das Bezugszeichen 18 einen
npn-Transistor, dessen Basis mit einer Basis und einem Kollek
tor des npn-Transistors 17 verbunden sind; 19 eine Stromquelle
zum Zuführen von Strom zu Emittern der pnp-Transistoren 15 und
16; das Bezugszeichen 20 einen Leistungsverstärker mit einem
Eingangsanschluß, der mit einem Kollektor des npn-Transistors
18 verbunden ist; das Bezugszeichen 21 eine Stromquelle zum
Abziehen des Stroms vom Kollektor des npn-Transistors 18; und
das Bezugszeichen 22 eine Stromquelle zum Abziehen eines
Stroms vom Kollektor des pnp-Transistors 16.
Die pnp-Transistoren 15 und 16, npn-Transistoren 17 und 18 und
die Stromquelle 19 bilden den Differenzverstärkungs-Abschnitt.
Der Leistungsverstärker 20 bildet zusammen mit dem Operations
verstärker 9 gemäß Fig. 2 einen Leistungsverstärker-Abschnitt.
Der Operationsverstärker 9 dient zur Bereitstellung oder Ver
stärkung einer Differenzspannung zwischen dem Anschluß 3B der
Brückenschaltung 1, die als eine Druckerfassungs-Einrichtung
dient, und dem Anschluß 3C der Brückenschaltung 1, wobei letz
tere Größe über den Operationsverstärker 8 erhalten wird, und
kann durch einen allgemeinen Verstärker gebildet sein, so daß
seine detaillierte Beschreibung entfallen kann. Die Spannungs
quellen 21 und 22 bilden einen Steuerabschnitt für einen dif
ferentiellen Vorspannstrom bzw. für differentielle Vor
spannströme.
Fig. 4 zeigt ein Schaltbild, in dem die Einzelheiten der
Stromquellen 21 und 22, die den Steuerabschnitt für differen
tielle Vorspannströme gemäß Fig. 3 bilden, in Einzelheiten ge
zeigt ist. In Fig. 4 bezeichnet das Bezugszeichen 23 einen
npn-Transistor mit einem Kollektor, der mit dem Kollektor des
pnp-Transistors 15 gekoppelt ist; das Bezugszeichen 24 einen
npn-Transistor mit einer Basis und einen Kollektor, die mit
der Basis des npn-Transistor 23 gekoppelt sind, während die
Emitter der npn-Transistoren 23 und 24 gemeinsam mit Massepo
tential 5 gekoppelt sind; und das Bezugszeichen 25 einen vari
ablen Widerstand, der über einen Anschluß mit der Basis und
dem Kollektor des npn-Transistors 24 gekoppelt ist.
Weiterhin bezeichnet das Bezugszeichen 26 einen npn-Transistor
mit einem Kollektor, der mit dem Kollektor des pnp-Transistors
16 gekoppelt ist; das Bezugszeichen 27 einen npn-Transistor
mit einer Basis und einem Kollektor, die mit der Basis des
npn-Transistors 26 gekoppelt sind, während die Emitter der
npn-Transistoren 26 und 27 gemeinsam mit Massepotential 5 ge
koppelt sind; das Bezugszeichen 28 einen variablen Widerstand,
der über einen Anschluß mit der Basis und dem Kollektor des
npn-Transistors 27 gekoppelt ist; und das Bezugszeichen 29
eine Spannungsquelle, mit der die anderen Anschlüsse der vari
ablen Widerstände 25 und 26 gekoppelt sind.
Die vorstehend beschriebenen Schaltungen werden nun in Einzel
heiten erläutert. Zunächst wird die Schaltung gemäß Fig. 2 be
schrieben. Wenn die Spannung der Spannungsquelle 14 und die
Ausgangsspannung des Operationsverstärkers 8 jeweils mit VRI
und Vol bezeichnet werden, ergibt sich folgende Gleichung:
Vo1 = V3C {1 + (R11/R10)}-VR1 · (R11/R10 (17)
Die Symbole R10 und R11 repräsentieren jeweils den Wider
standswert der Widerstände 10 und 11. Die Ausgangsspannung Vo
des Operationsverstärkers 9 läßt sich wie folgt ausdrücken:
Vo = V3B {1 + (R13/R12)}-Vol · (R13/R12) (18)
wobei R12 und R13 jeweils den Widerstandswert des Widerstands
12 bzw. 13 repräsentieren.
Falls die Gleichung (17) in die Gleichung (18) eingesetzt
wird, lädt sich der Wert Vo wie folgt ausdrücken:
Vo = (R13/R12) · (V3B-V3C) + V3B-[{(R11 · R13)/(R10 · R12)} · V3C] +
[{(R11 · R13)/R10 · R12)} · VR1] (19)
Falls R10 = R13 und R11 = R12 ist, ergibt sich
Vo = {1 + (R13/R12)} · (V3B-V3C) + VR1 (20)
DA V3B-V3C = Vod ist, gilt
Vo = {1 + (R13/R12)} · Vod + VR1 (21)
Somit wird die Ausgangsspannung Vod der Brückenschaltung mit
dem Faktor (1 + (R13/R12)) multipliziert, und es wird zwischen
den einander gegenüberliegenden geerdeten Anschlüssen die Aus
gangsspannung abgegeben, zu der VR1 hinzuaddiert ist. Somit
ist die Ausgangsspannung einseitig geerdet.
Wenn sich die Brückenschaltung 1 am Nullpunkt befindet, gilt
Vod = Voffset. Daher lädt sich die Ausgangsspannung zu diesem
Zeitpunkt wie folgt repräsentieren:
Vo = {1 + (R13/R12)}Voffset + VR1 (22)
Wenn Voffset = 0 gilt, lädt sich die Beziehung Vo = VR10 durch
Einstellung von VR1 wie folgt erhalten:
VR1 = VR10 - {1 + (R13/R12)}Voffset (23)
Im Falle des Auftretens bzw. Bereitstellens einer positiven
Offset-Spannung Vof im Operationsverstärker 8 würde sich die
Gleichung (20) wie folgt ergeben:
Vo = {1 + (R13/R12)}Vod-{1 + (R13/R12)}Vof + VR1 (24)
Falls die Gleichung (24) nach der Temperatur T differenziert
wird, ergibt sich
∂Vo/∂T = {1 + (R13/R12)} · {∂(Vod-Vof)/∂T} (25)
Da ∂Vo/∂T =∂Voffset/∂T = α beim Nullpunkt ist, ergibt sich
∂Vo/∂T = {1 + (R13/R12)} {α-(∂Vof/∂T)} (26)
Daher sollte der Wert α zur Korrektur der Temperaturabhängig
keit beim Nullpunkt wie folgt eingestellt werden:
α = ∂Vof/∂T (27)
Wenn beim Eingangsabschnitt des Operationsverstärkers 8 gemäß
Fig. 3 die Ströme der Stromquellen 21 und 22 auf Null einge
stellt werden, der Strom der Stromquelle 19 auf Io eingestellt
wird, der Emitterstrom des npn-Transistors 17 auf IE17 festge
legt wird und der Emitterstrom des npn-Transistors 18 auf IE18
eingestellt wird, ergibt sich die folgende Beziehung:
IE17 = IE18 = 1/2 · Io (28)
Hierbei ist der Emitterbereich der npn-Transistoren 17 und 18
jeweils gegenseitig gleich groß, und die Stromverstärkungsrate
ist ausreichend hoch. Falls daher die Emitterströme der pnp-
Transistoren 15 und 15 jeweils durch IE15 und IE16 repräsen
tiert werden, ergibt sich die folgende Gleichung:
IE15 = IE16 = 1/2 ·Io (29)
Die Emitter der pnp-Transistoren 15 und 16 sind miteinander
gekoppelt bzw. verbunden. Die Beziehung zwischen der Basis-
Emitter-Spannung BE und dem Emitterstrom IE eines Transistors
läßt sich allgemein wie folgt ausdrücken:
VBE = (KT/q) · log(IE/IS) (30)
wobei q die Elektronenladung, k die Bolzmann-Konstante und Is
den Sättigungsstrom des Transistors bezeichnen. Wenn die Glei
chung (30) auf die Transistoren 15 und 16 angewandt wird, er
gibt sich:
VBE15 = (kT/q) · log(IE15/IS15) (31)
VBE16 = (kT/q) · log(IE16/IS16) (32)
Hierbei repräsentiert VBE15 die Basis-Emitter-Spannung des
pnp-Transistors 15, VBE16 die Basis-Emitter-Spannung des pnp-
Transistors 16, IS15 und IS16 jeweils den Sättigungsstrom der
pnp-Transistoren 15 bzw. 16. Hierbei läßt sich die Offset-
Spannung Vof des Operationsverstärkers 8 wie folgt ausdrücken:
Vof = VBE16-VBE15 (33)
Aus den Gleichungen (31) und (32) lädt sich die folgende Be
ziehung gewinnen:
Vof = (kT/q) · log{(IS15/IS16) · (IE16/IE15)} (34)
Da IS15 = IS16 bei beiden Transistoren 15 und 16 jeweils iden
tisch zueinander sind, ergibt sich
Vof = (kT/q) · log(IE16/IE15) (35)
Aus der Gleichung (29) resultiert somit Vof = O, falls IE16 =
IE15 gilt.
Falls der Strom der Stromquelle 22 durch If repräsentiert ist,
gilt IE17 = IE18, da die npn-Transistoren 17 und 18 denselben
Emitterstrom führen. Auch die Emitterströme pnp-Transistoren
15 und 16 werden zu IE15 + IE16 = Io. Der Kollektorstrom IC15
des pnp-Transistors 15 ergibt sich zu IC15 = IE17. Der Kollek
tor-Strom IC16 des pnp-Transistors 16 wird zu IC16 = IC18 +
If. Aus der Beziehung IE15 = IC15, IE16 = IC16 lassen sich so
mit folgende Gleichungen herleiten:
IE15 = (1/2) · (Io-If) (36)
IE16 = (1/2) · (Io-If) (37)
Wenn die Gleichungen (36) und (37) in die Gleichung (35) ein
gesetzt werden, ergibt sich
Vof = (kT/q) · log{(Io + If)/(Io - If)} = (kT/q) · log [1 +{2If/(Io -
If)}] (38)
Da die Temperaturabhängigkeiten von Io und If einander in dem
Fall auslöschen, daß keine oder gleiche Abhängigkeit vorliegt,
ergibt sich
∂Vof/∂T = (k/q) · log [1 + {2If/Io - If)] (39)
Aus den Gleichungen (5) und (27) sollte der Wert If wie folgt
eingestellt werden:
α = (k/q) · log [1 +{2If/(Io - If)}] (40)
Hierbei gilt
α = Vofdrift/(T2 - T1) (41)
Wenn beispielsweise angenommen wird, daß Io = 10 µA, Votdrift =
5mV und T2-T1 = 130°C ist, ergibt sich If = 2,2 µA, während
sich bei Vofdrift = 10mv If zu 4,2 µA ergibt.
In Fig. 4 sind veränderbare Widerstände 25 und 28 zum Einstel
len des Werts If gezeigt. Um diese veränderbaren Widerstände
in der Praxis auf einem Halbleiter-Sensorchip auszubilden,
sind die Widerstände auf dem Chip zusammen mit den Operations
verstärkern 8 und 9 unter Einsatz eines aus NiCr usw. beste
henden dünnen Films ausgebildet, wonach der Widerstandswert
der Widerstände unter Einsatz eines Lasers usw. eingestellt
wird. Um den Wert auf If = 0 einzustellen, besteht eine Mög
lichkeit im Aufschneiden bzw. Unterbrechen der Widerstände 25
oder 28, so daß sie zu einer offenen Schaltung bzw. einem
unterbrochenen Kreis werden.
Falls das Potential der Spannungsquelle 29 durch Vcc und der
Widerstandswert des Widerstands 28 durch R28 repräsentiert
ist, gilt
If = (Vcc - VBE27)/R28 (43)
Hierbei repräsentiert VBE27 die Basis-Emitter-Spannung des
npn-Transistors 27. Wie aus Gleichung (43) ersichtlich ist,
hängt der Wert If von VBE27 ab, und der Wert R28 wird mit nur
einer Lösung bestimmt. Folglich löschen sich die Temperaturab
hängigkeiten gegenseitig aus, wenn der Strom Io der Strom
quelle 19 durch eine Schaltung erzeugt wird, die gleich ist
wie diejenige der Stromquellen 22 oder 21, wodurch ein kon
stanter Wert des Ausdrucks ∂Vof/∂T in der Gleichung (39) vor
gegeben wird.
Die Einstellung von If wird dadurch ausgeführt, daß er unter
Bezugnahme auf eine zuvor gemessene Vofdrift in der Brücken
schaltung 1 gemessen wird oder daß eine Offset-Spannung Vof
des Operationsverstärkers 8 gemessen wird (im Hinblick auf
Gleichung (38) hängt Vof von If ab).
Die Stromquelle 21 wird zur Bereitstellung von Temperaturei
genschaften eingesetzt, die entgegengesetzt sind zu denjenigen
der Stromquelle 22. Die Auswahl zwischen den Stromquellen 21
oder 22 für deren jeweiligen Einsatz wird auf der Basis der
Polarität der Temperatureigenschaften der Brückenschaltung be
stimmt.
Unter Bezugnahme auf Fig. 4 wurde beschrieben, daß die vari
ablen Widerstände 25 und 28 als Widerstände zum Einstellen von
If dargestellt sind, die auf dem Chip ausgebildet sind und
deren Widerstandswerte unter Einsatz eines Lasers usw. auf
einen gewünschten Wert eingestellt werden, wie vorstehend be
schrieben wurde.
In Fig. 5 ist ein zweites Ausführungsbeispiel gezeigt, bei dem
n-Sätze parallel angeordnet sind, wobei jeder Satz einen
Widerstand 25-1 und eine Sicherung 30-1, die aus Aluminium
(Al) hergestellt ist, aufweist. Der Widerstand 25 und die Si
cherung 30 jedes Satzes sind jeweils in Reihe geschaltet. Im
einzelnen sind Widerstände 25-1 bis 25-n und Sicherungen 30-1
bis 30-n vorhanden. In der gleichen Weise sind m-Sätze paral
lel angeordnet, wobei jeder Satz einen Widerstand 28-1 und
eine mit diesem in Reihe geschaltete Sicherung 31-1 aufweist,
so daß Widerstände 28-1 bis 28-m und Sicherungen 31-1 bis 31-m
vorhanden sind, wie dies gezeigt ist. Der Wert von If wird
durch Auftrennen der Sicherungen 30-1 bis 30-n und 31-1 bis
31-m durch eine Schweißeinrichtung wie etwa einen Laser einge
stellt, um den Widerstandswert zu wechseln. In diesem Fall
können die Widerstände 25-1 bis 25-n und 28-1 bis 28-m durch
Verunreinigungsdiffusion gebildet sein und ihre Widerstands
werte können jeweils gleich grob oder gegenseitig unterschied
lich sein. Weiterhin können n und m denselben Wert besitzen.
Bei diesem Ausführungsbeispiel wird der Wert Vofdrift der
Brückenschaltung 1 vorab gemessen und die Sicherungen 30-1 bis
30-n und 31-1 bis 31-m werden geschnitten bzw. derart unter
brochen, daß sich jeweilige Widerstandswerte in Übereinstim
mung mit Vofdrift ergeben. Um If auf Null einzustellen, soll
ten alle Sicherungen 30-1 bis 30-n und 31-1 bis 31-m unterbro
chen werden.
Fig. 6 zeigt ein drittes Ausführungsbeispiel vorliegender Er
findung. Bei diesem Ausführungsbeispiel sind seriell verbun
dene Widerstände 32-1 bis 32-n und 33-1 bis 33-m vorgesehen,
mit denen jeweils Zener-Dioden 34-1 bis 34-n und 35-1 bis 35-m
gekoppelt sind. Die Anode und die Kathode sind dahingehend ge
prüft, daß ein großer Stromfluß (typischerweise mehrere 10 mA
bis mehrere 100 mA) von der Kathode zur Anode hervorgerufen
werden kann, und der Wert von If kann durch Kurzschließen der
gewählten Zener-Diode eingestellt werden. Auch hier können n
und m denselben Wert haben.
Bei diesem Ausführungsbeispiel wird der Wert von Vofdrift der
Brückenschaltung 1 vorab gemessen und es wird eine geeignete
aus den Zener-Dioden 34-1 bis 34-n und 35-1 bis 35-m ausge
wählt und durch einen Stromfluß kurzgeschlossen. Da es bei
diesem Ausführungsbeispiel schwierig ist, If auf Null einzu
stellen, sollten die Kollektorströme der Transistoren 26 und
23 auf gleiche Größe eingestellt werden, um nominell denselben
Zustand zu schaffen wie wenn If Null wäre. Bei diesem Ausfüh
rungsbeispiel ist somit der Unterschied zwischen den Transi
storen 26 und 23 als der Wert If eingestellt.
Fig. 7 zeigt ein viertes Ausführungsbeispiel vorliegender Er
findung. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist ein nicht flüchti
ger Speicher 40 für die Ein/Aus-Steuerung von Widerständen 36-1
bis 36-n und 37-1 bis 37-m, von jeweils seriell mit den Wi
derständen verbundenen pnp-Transistoren 38-1 bis 38-n und 39-1
bis 39-m sowie von pnp-Transistoren 38-1 bis 38-n und 39-1 bis
39-m vorgesehen. Als nicht flüchtiger Speicher 40 kann ein EE-
PROM, ein Flash-EPROM, ein OTPROM oder ein Sicherungs-ROM
eingesetzt werden. Der nicht flüchtige Speicher 40 ist mit
einem Pufferspeicher 40a versehen. n und m können denselben
Wert besitzen.
Bei diesem Ausführungsbeispiel wird der Wert von Vofdrift der
Brückenschaltung 1 vorab gemessen und Daten werden im nicht
flüchtigen Speicher 40 derart gespeichert, daß der Wert If in
Übereinstimmung mit Vofdrift eingestellt ist und ein geeigne
ter aus den pnp-Transistoren 38-1 bis 38-n und 39-1 bis 39-m
eingeschaltet wird. Um If auf Null einzustellen, sollten alle
pnp-Transistoren 38-1 bis 38-n und 39-1 bis 39-m abgeschaltet
werden.
Fig. 8 zeigt ein fünftes Ausführungsbeispiel. Bei diesem Aus
führungsbeispiel sind ein Digital/Analog-Wandler 41 als ein
Stromausgang für absorbierenden Strom, Stromschalter 42 und 43
und ein nicht flüchtiger Speicher 40 vorhanden. Der durch den
Digital/Analog-Wandler 41 absorbierte Stromwert und die
Ein/Aus-Steuerung der Stromschalter 42 und 43 werden durch Si
gnale gesteuert, die vom nicht flüchtigen Speicher 40 über
eine Daten-Sammelleitung 44 und Datenleitungen 45 und 46 über
tragen werden.
Bei diesem Ausführungsbeispiel wird Vofdrift der Brückenschal
tung 1 vorab gemessen und Daten werden im nicht-flüchtigen
Speicher 40 derart gespeichert, daß der Ausgangsstrom If im
Digital/Analog-Wandler einen geeigneten Wert annimmt. Gleich
zeitig werden Daten in dem nicht flüchtigen Speicher 40 derart
gespeichert, daß die Stromschalter 42 und 43 in Abhängigkeit
von der Polarität von Vofdrift geeignet ausgewählt und einge
schaltet werden. Auf der Basis der Daten vom nicht flüchtigen
Speicher 40 werden der Digital/Analog-Wandler 41 und die
Stromschalter 42 und 43 gesteuert. Wenn in diesem Fall beide
Stromschalter 42 und 43 abgeschaltet sind, wird der Wert von
If zu Null.
Fig. 9 zeigt ein sechstes Ausführungsbeispiel. Während bei den
vorstehend diskutierten Ausführungsbeispielen pnp-Transistoren
15 und 16 im Eingangsabschnitt des Operationsverstärkers 8
eingesetzt wurden, wird eine Stromquelle 47 des absorbierenden
Typs (bzw. des Stromsenken-Typs) anstelle der Stromquelle 19
des Entladungstyps (bzw. des Stromquellentyps) eingesetzt. In
der gleichen Weise werden npn-Transistoren 48 und 49 anstelle
der pnp-Transistoren 15 und 16, pnp-Transistoren 50 und 51 an
stelle der npn-Transistoren 17 und 18 und Stromquellen 52 und
53 des Entladungs- bzw. Stromquellentyps anstelle der Strom
quellen 21 und 22 des Absorber- bzw. Stromsenken-Typs einge
setzt. Mit diesem Ausführungsbeispiel läßt sich dieselbe Wir
kung wie bei den vorstehend beschriebenen Ausführungsbei
spielen erzielen.
Wie vorstehend angegeben, wird gemäß vorliegender Erfindung
den Emitterströmen zweier Transistoren eines mit zwei Sätzen
von Transistoren arbeitenden Differenz-Verstärkers ein ab
sichtlicher Unterschied aufgeprägt, um die Temperatur-Ab
hängigkeit der Nullpunkt-Ausgangsspannung der als Druckerfas
sungsabschnitt dienenden Brückenschaltung dadurch zu kompen
sieren, daß die Temperaturabhängigkeit des Basis-Emitter-Span
nungsunterschieds der beiden Transistoren ausgenutzt wird. Als
Ergebnis läßt sich die Einrichtung einfach integrieren und
eine kostengünstige Druckerfassungsschaltung für einen Halb
leiter-Drucksensor, sowie ein Halbleiter-Drucksensor selbst
bereitstellen. Zusätzlich ist es möglich, eine genauere Tem
peraturkompensation zu erzielen, um einen Halbleiter-Drucksen
sor mit hoher Genauigkeit zu schaffen.
Es wird somit eine Druckerfassungsschaltung zur Kompensation
einer Temperatur-Abhängigkeit der Nullpunkt-Ausgangsspannung
eines Halbleiter-Drucksensors geschaffen. Eine Differenzver
stärker-Schaltung in einer Signalverarbeitungsschaltung des
Halbleiter-Drucksensors weist zwei Transistoren auf, deren
Emitter-Ströme gegenseitig unterschiedlich in Abhängigkeit von
der Temperatur-Abhängigkeit der Nullpunkt-Ausgangsspannung der
als Druckerfassungs-Abschnitt dienenden Brückenschaltung fest
gelegt werden. Als Ergebnis tritt ein Unterschied zwischen den
Basis-Emitter-Spannungen der beiden Transistoren auf. Die
Temperatur-Abhängigkeit der Null-Ausgangsspannung der
Brückenschaltung wird durch die Temperatur-Abhängigkeit der
Spannungsdifferenz kompensiert.
Claims (6)
1. Druckerfassungs-Schaltung mit einer Temperatur-Kompen
sationsfunktion, die auf einem Halbleiter-Sensorchip
(106) eines Halbleiter-Drucksensors (100) ausgebildet
ist und
eine Druckerfassungseinrichtung, die aus vier Meß widerständen (2A bis 2D) besteht, die in Form einer Brückenschaltung zum Erzeugen einer Spannungsdifferenz zwischen an einander diagonal gegenüberliegenden Posi tionen der Brückenschaltung angeordneten Anschlüssen (3B, 3C) in Abhängigkeit von einer empfangenen Spannung verschaltet sind, und
eine Signalverarbeitungseinrichtung (60) aufweist, die einen Differenzverstärkerabschnitt (15 bis 19; 47 bis 51), der ein Paar von Transistoren (15 bis 18; 48 bis 51) besitzt und mit einem Anschluß (3C) der Brücken schaltung gekoppelt ist; einen mit dem jeweiligen Kol lektor der beiden Transistoren gekoppelten Differenz- Vorspannstrom-Steuerabschnitt (21, 22; 52, 53) zum Ein stellen des Emitterstroms der beiden Transistoren des Differenzverstärkerabschnitts zur Erzeugung einer Span nungsdifferenz zwischen den Basis-Emitter-Spannungen der beiden Transistoren, um eine Eingangs-Offset-Span nung für den Differenzverstärkerabschnitt zu bilden; und einen Leistungsverstärkerabschnitt (9, 20) zum Ver stärken der durch die Druckerfassungseinrichtungen er zeugten und über den Differenzverstärkerabschnitt er haltenen Spannungsdifferenz enthält; wobei die Temperaturabhängigkeit der Nullpunkt-Aus gangsspannung der Druckerfassungseinrichtung durch die Temperaturabhängigkeit der im Differenzverstärkerab schnitt erzeugten Eingangs-Offset-Spannung kompensiert wird.
eine Druckerfassungseinrichtung, die aus vier Meß widerständen (2A bis 2D) besteht, die in Form einer Brückenschaltung zum Erzeugen einer Spannungsdifferenz zwischen an einander diagonal gegenüberliegenden Posi tionen der Brückenschaltung angeordneten Anschlüssen (3B, 3C) in Abhängigkeit von einer empfangenen Spannung verschaltet sind, und
eine Signalverarbeitungseinrichtung (60) aufweist, die einen Differenzverstärkerabschnitt (15 bis 19; 47 bis 51), der ein Paar von Transistoren (15 bis 18; 48 bis 51) besitzt und mit einem Anschluß (3C) der Brücken schaltung gekoppelt ist; einen mit dem jeweiligen Kol lektor der beiden Transistoren gekoppelten Differenz- Vorspannstrom-Steuerabschnitt (21, 22; 52, 53) zum Ein stellen des Emitterstroms der beiden Transistoren des Differenzverstärkerabschnitts zur Erzeugung einer Span nungsdifferenz zwischen den Basis-Emitter-Spannungen der beiden Transistoren, um eine Eingangs-Offset-Span nung für den Differenzverstärkerabschnitt zu bilden; und einen Leistungsverstärkerabschnitt (9, 20) zum Ver stärken der durch die Druckerfassungseinrichtungen er zeugten und über den Differenzverstärkerabschnitt er haltenen Spannungsdifferenz enthält; wobei die Temperaturabhängigkeit der Nullpunkt-Aus gangsspannung der Druckerfassungseinrichtung durch die Temperaturabhängigkeit der im Differenzverstärkerab schnitt erzeugten Eingangs-Offset-Spannung kompensiert wird.
2. Druckerfassungs-Schaltung nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß der Differenz-Vorspannstrom-Steuerab
schnitt durch zwei Stromquellen (21, 22; 52, 53) gebil
det ist, die jeweils mit den Kollektoren der beiden
Transistoren des Differenzverstärkerabschnitts gekop
pelt sind und von denen jede durch eine Schaltung zum
Einstellen des Emitterstroms mittels eines variablen
Widerstands (25, 28) gebildet ist.
3. Druckerfassungs-Schaltung nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß der Differenz-Vorspannstrom-Steuerab
schnitt durch zwei Stromquellen (21, 22; 52, 53) gebil
det ist, die jeweils mit den Kollektoren der beiden
Transistoren des Differenzverstärkerabschnitts gekop
pelt sind und von denen jede durch eine Schaltung (25-1
bis 25-n, 28-1 bis 28-m, 30-1 bis 30-n, 31-1 bis 31-m)
gebildet ist, die durch Anordnung und Parallelverschal
tung einer Mehrzahl von Reihenschaltungen aus Sicherun
gen (30-1 bis 30-n, 31-1 bis 31-m) und Widerständen
(25-1 bis 25-n, 28-1 bis 28-m) gebildet ist, wobei die
Sicherungen zur Veränderung des Widerstandswerts unter
brechbar sind.
4. Druckerfassungs-Schaltung nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß der Differenz-Vorspannstrom-Steuerab
schnitt durch zwei Stromquellen (21, 22; 52, 53) gebil
det ist, die jeweils mit den Kollektoren der beiden
Transistoren des Differenzverstärkerabschnitts gekop
pelt sind und von denen jede aus einer Schaltung zum
Verändern eines Widerstandswerts durch serielle Verbin
dung einer Vielzahl paralleler, jeweils aus einer Ze
ner-Diode (34-1 bis 34-n, 35-1 bis 35-m) und einem
Widerstand (32-1 bis 32-n, 33-1 bis 33-m) bestehender
Schaltungen und durch Kurzschließen der Zenerdiode oder
Zenerdioden besteht.
5. Druckerfassungs-Schaltung nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß der Differenz-Vorspannstrom-Steuerab
schnitt durch zwei Stromquellen gebildet ist, die je
weils mit den Kollektoren der beiden Transistoren des
Differenzverstärkerabschnitts gekoppelt sind und von
denen jede durch eine Schaltung, die aus einer Vielzahl
von parallel angeordneten Reihenschaltungen aus einem
Transistor (38-1 bis 38-n, 39-1 bis 39-m) und einem Wi
derstand (36-1 bis 36-n, 37-1 bis 37-m) besteht, und
eine Schaltung gebildet ist, die mit einem nicht flüch
tigen Speicher (40) für die Einschalt/Ausschalt-Steue
rung jedes Transistors versehen ist, wobei in dem nicht
flüchtigen Speicher (40) Daten in Übereinstimmung mit
der Temperaturabhängigkeit der Nullpunkt-Ausgangsspan
nung des Druckerfassungs-Abschnitts gespeichert sind.
6. Druckerfassungs-Schaltung nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß der Differenz-Vorspannstrom-Steuerab
schnitt durch einen Digital/Analog-Wandler (41) zum
Aufnehmen des Stroms, einen Stromschalter (42, 43) zum
selektiven Koppeln des Digital/Analog-Wandlers mit den
Kollektoren der beiden Transistoren des Differenzver
stärkerabschnitts, und einen nicht flüchtigen Speicher
(40) zum Steuern des Digital/Analog-Wandlers und des
Stromschalters gebildet ist, wobei im nicht flüchtigen
Speicher Daten in Abhängigkeit von der
Temperaturabhängigkeit der Nullpunkt-Ausgangsspannung
des Druckerfassungs-Abschnitts gespeichert sind.
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1993
- 1993-04-06 US US08/043,536 patent/US5408885A/en not_active Expired - Lifetime
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Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Non-Patent Citations (1)
Title |
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