DE4301420A1 - Contact arrangement for wafer prober - has silicon base body with silicon tongues carrying metallised silicon contacting elements - Google Patents
Contact arrangement for wafer prober - has silicon base body with silicon tongues carrying metallised silicon contacting elementsInfo
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Description
Die Funktionsweise von Bauelementen der Mikroelektronik wird
üblicherweise in rechnergesteuerten Testautomaten durch Ana
lyse der an den Bauelementausgängen abgegriffenen Signale
überprüft. Da diese Tests im allgemeinen keine Rückschlüsse
auf die jeweilige Fehlerursache oder den Fehlerort zulassen,
ist man häufig gezwungen, zusätzliche Messungen an Leiterbah
nen im Innern des Bauelements durchzuführen. Hierbei kommen
insbesondere die aus (1) bekannten Meßverfahren zur Anwen
dung, bei denen eine Elektronensonde auf einer Leiterbahn po
sitioniert bzw. über die Bauelementoberfläche abgelenkt und
synchron mit dem Bauelementtakt eingetastet wird.
Um Funktionstest in Prüfautomaten und Elektronenstrahlmeßge
raten durchführen zu können, muß man den Prüfling mit geeig
neten Testsignalen ansteuern. Die elektrische Verbindung zwi
schen dem jeweiligen Testsystem und dem Prüfling wird hierbei
durch einen sogenannten Kontaktadapter hergestellt, der der
Geometrie des Prüflings, der Art der Testsignale in Bezug auf
den geforderten Strom-, Spannungs- und Frequenzbereich und
den durch den Tester selbst vorgegebenen geometrischen Ver
hältnissen angepaßt sein muß. Diesen Adapter kann man daher
meist nicht käuflich erwerben, sondern muß ihn individuell
entwerfen und anfertigen. Ähnliche Probleme treten auf bei
der Kontaktierung von Leiterplatten und Mikroverdrahtungen,
deren elektrische Eigenschaften in einem entsprechenden Test
system überprüft werden sollen.
Bisher werden Kontaktadapter aus federnden, auf einer Grund
platte montierten Metallnadeln, aus federnd in Hülsen gela
gerten Kontaktstiften oder aus geätzten und anschließend ge
bogenen Kammstrukturen aufgebaut. Bei diesen Adaptern berei
tet die Kontaktierung großflächiger Prüflinge mit einer Viel
zahl von Kontaktstellen besondere Schwierigkeiten, da sich
die Metallnadeln und Kontaktstifte nur schwer gleichmäßig und
mit derselben Andruckkraft aufsetzen lassen. Diese Probleme
verschärfen sich noch, wenn man den Adapter zur Kontaktierung
eines in der Probenkammer eines Elektronenstrahlmeßgeräts
angeordneten Prüflings verwenden will.
Ziel der Erfindung ist die Schaffung einer einfach aufgebau
ten und kostengünstig herzustellenden Kontaktierungsvorrich
tung. Die Kontaktierungsvorrichtung soll insbesondere auch in
der Probenkammer eines modernen Elektronenstrahlmeßgeräts
verwendet werden können, wo für die aus dem Kontaktadapter
und dem Prüfling bestehende Einheit nur sehr wenig Raum zur
Verfügung steht. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ei
ne Kontaktierungsvorrichtung nach Patentanspruch 1 gelöst.
Die erfindungsgemäße Kontaktierungsvorrichtung besitzt die
folgenden Vorteile:
- 1) An die Stelle der aufwendigen und damit teuren mechani schen Fertigung treten die aus der Halbleitertechnologie bekannten Verfahren der Mikromechanik.
- 2) Alle Kontaktierungselemente liegen auch ohne aufwendige Justiermaßnahmen exakt in derselben Ebene.
- 3) Durch Aufbringen von Metallisierungen und isolierenden Schichten können Hochfrequenzleitungen über federnde Zun gen bis zu den Kontaktierungselementen in Koplanar- oder Streifenleitertechnik ausgeführt werden.
- 4) Die die Kontaktierungselemente tragenden Siliziumzungen besitzen elastische Eigenschaften, die denen von Metallen deutlich überlegen sind. Dies erleichtert die Handhabung des Adapters erheblich.
- 5) Die Kontaktierungsvorrichtung besitzt einen extrem flachen Aufbau. Sie kann daher auch in der Probenkammer eines Elektronenstrahlmeßgeräts verwendet werden, wo nur ein enger Spalt für die Anordnung des Adapters zur Verfügung steht.
Die abhängigen Ansprüche betreffen vorteilhafte Weiterbildun
gen der im folgenden anhand der Zeichnung erläuterten Erfin
dung. Hierbei zeigt Fig. 1 den schematischen Aufbau der Kon
taktierungsvorrichtung.
Bei der in Fig. 1 dargestellten Kontaktierungsvorrichtung han
delt es sich um einen sogenannten Wafer-Prober für den bei
spielsweise aus (1) bekannten Elektronenstrahltester. In die
sem Gerät steht nur ein enger Spalt für die Anordnung des
Probers zur Verfügung, da die Probenkammer ein sehr kleines
Volumen aufweist und der Prüfling aus elektronenoptischen
Gründen unmittelbar unterhalb der mit einem Detektorsystem und
einer Absaugelektrode ausgestatteten Objektivlinse gehaltert
werden muß. Der Wafer-Prober besitzt daher einen extrem fla
chen Aufbau und Übergänge 1 auf Koaxialleitungen 2, die leicht
zugänglich außerhalb des der Kontaktierung dienenden zentralen
Proberbereichs liegen. Die Koaxialleitungen 2 werden über die
in der Wand der Probenkammer vorhandenen Vakuumdurchführungen
nach außen geführt und mit geeigneten Testsignalen beauf
schlagt. Der nur etwa 1 mm dicke und eine quadratische oder
rechteckige Ausnehmung 3 aufweisende Grundkörper 4 des Wafer-
Probers besteht vorzugsweise aus Silizium, dessen Oberfläche
mit einer Passivierungsschicht versehen ist. Als Kontaktie
rungselemente dienen metallisierte Siliziumzapfen 5, die man
insbesondere durch Anwendung des aus (2) bekannten CVD-Verfah
rens (CVD: = Chemical Vapor Deposition) am Ende der überhän
genden Siliziumzungen 6 aufbaut. Die Dicke dieser federnden
Zungen 6 beträgt nur etwa 5 bis 15 um. Sie werden ebenso wie
die zentrale Ausnehmung 3 mit Hilfe der in (3) beschriebenen
Verfahren der Mikromechanik erzeugt.
Neben den Kontaktierungselementen 5 tragen die Siliziumzungen
6 auch die Signalzuführungen 7, die als einfache Metallisie
rungen oder bei Hochfrequenzuntersuchungen auch als Koplanar-
oder Streifenleiter ausgebildet sein können. Der Wafer-Prober
ist in dem gezeigten Ausführungsbeispiel mit abgeflachten Sei
tenteilen 8 ausgestattet, die an dem plattenförmigen Grund
körper 4 befestigt sind und vorzugsweise aus Keramik bestehen.
Diese Seitenteile 8 enthalten die in bekannter Weise ausgebil
deten Koax-Übergänge 1. Für eine elektrisch leitende Verbin
dung zwischen den auf dem Grundkörper 4 und den Seitenteilen 8
vorhandenen Signalzuführungen 7 sorgen flache Bondverbindungen
9 aus Gold. Die keramischen Seitenteile 8 können auch ent
fallen, wenn man den Grundkörper 4 selbst seitlich abflacht.
Die Erfindung ist selbstverständlich nicht auf die beschrie
benen Ausführungsbeispiele beschränkt. So kann ohne weiteres
von der in der Zeichnung dargestellten quadratischen Anordnung
der Kontaktierungselemente 5 abgewichen werden. Auch müssen
die Siliziumzungen 6 nicht notwendigerweise alle dieselbe
Länge besitzen. Ihre Anzahl und Anordnung ist vielmehr den je
weiligen Gegebenheiten anzupassen. Dies bereitet keine Schwie
rigkeiten, da die Verfahren der Mikromechanik eine große Fle
xibilität in der Fertigung des Adapters gewährleisten.
(1) Microelectronic Engineering 4 (1986), S. 77-106
(2) Physikalische Blätter 39 (1983) Nr. 9, S. 319-320
(3) Microelectronic Engineering 3 (1985) S. 221-234.
Claims (9)
1. Kontaktierungsvorrichtung
gekennzeichnet durch,
- - einen eine zentrale Ausnehmung (3) aufweisenden Grundkörper (4) und,
- - mehrere überhängende Zungen (6), die jeweils ein Kontaktie rungselement (5) und elektrisch leitende Verbindungen (7) zu einem dem Kontaktierungselement (5) zugeordneten äußeren Anschlußelement (1) tragen.
2. Kontaktierungsvorrichtung nach Anspruch 1,
gekennzeichnet durch,
einen plattenförmigen Grundkörper (4).
3. Kontaktierungsvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Grundkörper (4) und die überhängenden Zungen (6) aus
Silizium bestehen.
4. Kontaktierungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Silizium mit einer Passivierungsschicht versehen ist.
5. Kontaktierungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
gekennzeichnet durch,
nadelförmige Kontaktierungselemente (5).
6. Kontaktierungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Kontaktierungselemente (5) aus metallisiertem Silizium
bestehen.
7. Kontaktierungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Grundkörper (4) seitlich abgeschrägt ist.
8. Kontaktierungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7,
dadurch gekennzeichnet,
daß am Grundkörper (4) abgeschrägte Seitenteile (8) befestigt
sind und daß die Seitenteile (8) die äußeren Anschlußelemente
(1) enthalten.
9. Kontaktierungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8,
dadurch gekennzeichnet,
daß die elektrisch leitenden Verbindungen (7) als Koplanar-
oder Streifenleiter ausgeführt sind.
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
DE19934301420 DE4301420C2 (de) | 1993-01-20 | 1993-01-20 | Kontaktierungsvorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19934301420 DE4301420C2 (de) | 1993-01-20 | 1993-01-20 | Kontaktierungsvorrichtung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4301420A1 true DE4301420A1 (en) | 1993-06-24 |
DE4301420C2 DE4301420C2 (de) | 2002-04-25 |
Family
ID=6478564
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4301420C2 (de) |
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DE10001117A1 (de) * | 2000-01-13 | 2001-07-26 | Infineon Technologies Ag | Testvorrichtung für ein Halbleiterbauelement |
WO2020257190A1 (en) * | 2019-06-17 | 2020-12-24 | Xallent Llc | Mems probe card with angled probes |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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DD288235A5 (de) * | 1989-09-27 | 1991-03-21 | Ingenieurhochhschule Mittweida,Direkt. Forsch. U. Ib,De | Vorrichtung zum wafertest unter hochfrequenzbedingungen |
-
1993
- 1993-01-20 DE DE19934301420 patent/DE4301420C2/de not_active Expired - Fee Related
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WO2020257190A1 (en) * | 2019-06-17 | 2020-12-24 | Xallent Llc | Mems probe card with angled probes |
US12085589B2 (en) | 2019-06-17 | 2024-09-10 | Xallent Inc. | Fine pitch probe card |
Also Published As
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---|---|
DE4301420C2 (de) | 2002-04-25 |
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Owner name: ICT INTEGRATED CIRCUIT TESTING GESELLSCHAFT FUER H |
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8128 | New person/name/address of the agent |
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Owner name: ADVANTEST CORP., TOKIO/TOKYO, JP |
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8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
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