DE4231162A1 - Verfahren und Vorrichtung zur Regelung der Schmelzenhöhe während des Ziehens von Einkristallen - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zur Regelung der Schmelzenhöhe während des Ziehens von EinkristallenInfo
- Publication number
- DE4231162A1 DE4231162A1 DE4231162A DE4231162A DE4231162A1 DE 4231162 A1 DE4231162 A1 DE 4231162A1 DE 4231162 A DE4231162 A DE 4231162A DE 4231162 A DE4231162 A DE 4231162A DE 4231162 A1 DE4231162 A1 DE 4231162A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- melt
- reference mark
- reflection
- mechanical reference
- melt surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
- C30B15/22—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
- C30B15/26—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal using television detectors; using photo or X-ray detectors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/14—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring distance or clearance between spaced objects or spaced apertures
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1004—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1032—Seed pulling
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1032—Seed pulling
- Y10T117/1068—Seed pulling including heating or cooling details [e.g., shield configuration]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung
zur Regelung der Schmelzenhöhe während des Ziehens eines
Einkristalls aus einer Schmelze nach dem Czochralski-Verfah
ren.
Bei der Kristallzucht nach dem Czorchralski-Verfahren wächst
ein stabförmiger Einkristall aus einem Impfling heran. Der
einkristalline Impfling wird mit einer in einem Tiegel
befindlichen Schmelze in Kontakt gebracht und langsam axial
von der Schmelzenoberfläche weggezogen. An der Grenzfläche
zwischen dem Einkristall und der Schmelze kristallisiert
dabei laufend schmelzflüssiges Material aus und vergrößert
das Volumen des Einkristalls. Der Ziehvorgang wird in der
Regel abgebrochen, wenn der Vorrat an schmelzflüssigem Mate
rial aufgebraucht oder eine vorgegebene Kristallgröße
erreicht ist. Der Erfolg der Kristallzucht hängt insbesonde
re von der Kontrolle der Temperatur und der Stoffströme in
der Schmelze und im Gasraum über der Schmelze ab. Da die
Schmelzenhöhe, also das Niveau der Schmelzenoberfläche bezo
gen auf ein existierendes oder ein gedachtes Referenzniveau,
einen entscheidenden Einfluß darauf hat, verdient ihre Rege
lung besondere Aufmerksamkeit. Die genaue Kenntnis der
Schmelzenhöhe ist gemäß der Patentschrift US 4,915,775 auch
deshalb notwendig, um den Kristalldurchmesser möglichst
genau einstellen zu können. Es ist deshalb erwünscht, mög
lichst während des gesamten Ziehvorganges die Schmelzenhöhe
zu kontrollieren und gegebenenfalls zu verändern. Normaler
weise wird die Schmelzenhöhe, die mit dem Verbrauch an flüs
sigem Material sinken würde, durch ein axiales Anheben des
Tiegels konstant gehalten, damit die relative Lage der seit
lich vom Tiegel angebrachten Heizelemente zur Schmelzenober
fläche erhalten bleibt. Mit dem Nachchargieren von festem
oder geschmolzenem Material in den Tiegel ist die Schmelzen
höhe ebenfalls beeinflußbar. Diese Verfahrensvariante hat
den Vorteil, daß mehrere Kristalle nahezu kontinuierlich ge
zogen werden können. Die Schmelzenhöhe wird in der genannten
Patentschrift dadurch ermittelt, daß die Zeit gemessen wird,
die benötigt wird, den Impfkristall von einer Referenzposi
tion bis zum Kontakt mit der Schmelzenoberfläche abzusenken.
Ein Nachteil dieser Methode ist, daß die Schmelzenhöhe nur
einmal vor dem Ziehen des Kristalls und nicht kontinuierlich
gemessen werden kann. In der Patentschrift US 4,454,096 wird
zur Messung der Schmelzenhöhe ein Lichtstrahl auf die
Schmelzenoberfläche gerichtet und das von der Oberfläche
reflektierte Licht von einem Sensor registriert. Die Metho
de, mit der in der genannten Patentschrift die Schmelzenhöhe
von geschmolzenem Material in einem Vorratstiegel bestimmt
wird, ist jedoch nur schwierig in einem Ziehtiegel durchzu
führen, weil der Einkristall den Strahlengang behindert. Die
Situation wird noch problematischer, wenn ein Ziehverfahren,
wie es beispielsweise in der Patentschrift US 4,330,362
beschrieben ist, praktiziert wird: Liegt über dem Tiegel,
aus dem heraus der Kristall gezogen wird, partiell oder
nahezu vollständig eine Abdeckung, ist eine Anordnung von
auf die Schmelzenoberfläche einstrahlender Lichtquelle und
das reflektierte Licht registrierendem Sensor nahezu unmög
lich.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung bestand deshalb
darin, ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Regelung der
Schmelzenhöhe in einem Tiegel während des Ziehens eines Ein
kristalls aus einer Schmelze nach dem Czochralski-Verfahren
aufzuzeigen, wonach die Schmelzenhöhe mit einfachen Mitteln
kontinuierlich und mit einer hohen Genauigkeit ermittelt und
geregelt werden kann, ohne daß die genannten Probleme auf
treten.
Die Aufgabe wird durch ein Verfahren der genannten Gattung
gelöst, das dadurch gekennzeichnet ist, daß
- a) über der Schmelze mindestens eine mechanische Referenz marke so angebracht wird, daß sie eine Reflexion auf der Schmelzenoberfläche verursacht;
- b) ein Bild von einem, die Reflexion mindestens teilweise beinhaltenden Untersuchungsbereich auf der Schmelzenober fläche aufgenommen wird;
- c) mit Hilfe des aufgenommenen Bilds der Abstand der mecha nischen Referenzmarke zur Schmelzenoberfläche ermittelt und ein diesem Abstand proportionales Ist-Signal erzeugt wird;
- d) das Ist-Signal mit einem vorgegebenen Soll-Signal vergli chen wird und bei einem festgestellten Unterschied ein Stell-Signal zur Änderung der Schmelzenhöhe erzeugt wird.
Ferner wird die Aufgabe durch eine Vorrichtung zur Durchfüh
rung des Verfahrens mit den im kennzeichnenden Teil des auf
die Vorrichtung gerichteten Anspruchs genannten Merkmalen
gelöst.
Das Verfahren nutzt die Entdeckung, daß Gegenstände so über
dem Tiegel angebracht werden können, daß sie auf der
Schmelzenoberfläche eine Reflexion verursachen. Zwischen der
Geometrie der Reflexion und der Geometrie des Gegenstandes
besteht gemäß den Regeln der geometrischen Optik ein linea
rer Zusammenhang. Es ist daher möglich, aus der Beobachtung
der Reflexion den Abstand des Gegenstandes zur Schmelzen
oberfläche und damit die Schmelzenhöhe zu ermitteln und wäh
rend des Ziehens des Kristalls zu regeln. Da die Lage des
Gegenstandes auch als Bezugsgröße für die Schmelzenhöhe ver
wendet werden kann, wird der Gegenstand nachfolgend als
mechanische Referenzmarke bezeichnet. Der Übergang:
Reflexion → reflexionsfreie Schmelzenoberfläche ist von
einer ausgeprägten Helligkeitsänderung begleitet, so daß
sich die Reflexion deutlich von der umgebenden Schmelzen
oberfläche abzeichnet. Dieser Übergang ist immer Bestandteil
des für die Schmelzenhöhen-Regelung ausgewählten Untersu
chungsbereiches. Selbstverständlich muß nicht die gesamte,
von der mechanischen Referenzmarke verursachte Reflexion für
die Schmelzenhöhen-Regelung ausgewertet werden. Es genügt,
wenn mindestens ein Teil der Reflexion zum Untersuchungs
bereich gehört.
Es ist vorteilhaft, die mechanische Referenzmarke in ihrer
Form so zu gestalten, daß sie zumindest ein charakteristi
sches, auch an der Reflexion rasch erkennbares, geometri
sches Merkmal aufweist. Als Erkennungsmerkmale eignen sich
besonders einfache geometrische Figuren, wie Dreiecke, Vier
ecke oder Kreise. Es ist unerheblich, ob das Merkmal
beispielsweise als runde Scheibe oder als rundes Loch in
einem beliebig geformten Körper verwirklicht ist: in beiden
Fällen ist die erzeugte Reflexion für die Ermittelung des
Abstandes der mechanischen Referenzmarke zur Schmelzenober
fläche tauglich. Die Reflexionen unterscheiden sich nur
dadurch, daß im ersten Fall eine Helligkeitsänderung im
Übergang: scheibenförmige Reflexion → reflexionsfreie
Schmelzenoberfläche und im anderen Fall eine Helligkeits
änderung im Übergang: scheibenförmige, reflexionsfreie
Schmelzenoberfläche → Reflexion beobachtet wird.
Die mechanische Referenzmarke muß aus einem Material gefer
tigt werden, das gegenüber den beim Kristallziehen vorherr
schenden Temperaturen beständig ist. Vorzugsweise werden
Materialien verwendet, deren Wärmeausdehnung gering ist, so
daß deswegen bei der Regelung der Schmelzenhöhe nur ein
kleiner Korrekturfaktor zu berücksichtigen ist. Da das
erfindungsgemäße Verfahren mit besonderem Vorteil zum Ziehen
von Einkristallen aus Silicium für Halbleiterzwecke geeig
net ist, ist es darüber hinaus angebracht, Materialien zu
verwenden, die keine oder nur tolerierbare Mengen an Fremd
stoffen abgeben, damit der Kristall nicht verunreinigt und
sein einkristallines Wachstum nicht behindert wird. Beson
ders geeignet sind Keramik-Werkstoffe, Metalle oder Metal
legierungen, die Molybdän oder Wolfram enthalten.
In einer besonders vorteilhaften Ausgestaltung des Verfah
rens werden übliche Tiegelabdeckungen, wie sie beispielswei
se in der bereits zitierten Patentschrift US 4,330,362 be
schrieben sind, als mechanische Referenzmarken verwendet.
Solche Abdeckungen besitzen in der Regel eine kreisförmige
Öffnung, die den wachsenden Einkristall konzentrisch um
schließt. Die Reflexion auf der Schmelzenoberfläche weist
infolgedessen ebenfalls eine kreisförmige Kontur auf. In
einer bevorzugten Ausgestaltung wird die Abdeckung mit einem
zusätzlichen Erkennungsmerkmal versehen, beispielsweise
dadurch, daß die Öffnung an einer bestimmten Stelle defi
niert und charakteristisch erweitert ist.
Sind die geometrischen Daten der mechanischen Referenzmarke,
beispielsweise der Durchmesser der Öffnung der Abdeckung
oder die Geometrie des zusätzlichen Erkennungsmerkmals,
bekannt, so sind der Abstand der mechanischen Referenzmarke
zur Schmelzenoberfläche und die Schmelzenhöhe bezogen auf
die Lage der mechanischen Referenzmarke nach den Regeln der
geometrischen Optik mit Hilfe eines aufgenommenen Bilds der
beobachteten Reflexion absolut berechenbar. Selbstverständ
lich geht der Blickwinkel, mit der die Beobachtung der
Reflexion erfolgt, in die Rechnung ein. Eine Absolutrechnung
kann auch dann erfolgen, wenn Ähnlichkeitsbeziehungen einer
mechanischen Referenzmarke oder Teilen davon zu einer Stan
dard-Referenzmarke, deren geometrische Daten bekannt sind,
ausgenutzt werden.
Der Abstand der mechanischen Referenzmarke zur Schmelzen
oberfläche muß nicht notwendigerweise absolut bestimmt wer
den. Es genügt häufig, eine Eichung vorzunehmen und die in
einem bestimmten Untersuchungsbereich aufgenommene Reflexion
mit einem Satz geeichter Bilder der Reflexion zu verglei
chen. Bei der Eichung werden Bilder der Reflexion in einem
bestimmten Untersuchungsbereich in Abhängigkeit verschiede
ner Abstände der mechanischen Referenzmarke zur Schmelzen
oberfläche aufgenommen. Einem der Abstände wird ein bestimm
ter Wert zugewiesen, auf den sich alle anderen Abstände
beziehen. Jedes aufgenommene Bild erhält auf diese Weise
einen bestimmten Abstandswert zugeordnet. Stimmt beim Ver
gleich ein aufgenommenes Bild mit einem geeichten Bild über
ein, so ist der gesuchte Abstand der mechanischen Referenz
marke zur Schmelzenoberfläche gleich dem, der dem geeichten
Bild zugeordnet ist.
Die Schmelzenoberfläche und die Reflexion darauf wird mit
einer optischen Aufnahmeeinrichtung, beispielsweise mit
einer CCD-Kamera oder mit einem lichtempfindlichen Dioden
array, aufgenommen. Die Helligkeit der Aufnahme wird pixel
weise erfaßt und elektronisch ausgewertet. Es ist natürlich
zweckmäßig, die von der optischen Aufnahmeeinrichtung gelie
ferten Bilddaten nicht nur für die erfindungsgemäße
Schmelzenhöhen-Regelung, sondern auch für die im Stand der
Technik beschriebene Kristalldurchmesser-Bestimmung zu ver
wenden. Die Auswertung des aufgenommenen Bilds für die
Schmelzenhöhen-Regelung beinhaltet zunächst, daß ein Pixel
des Untersuchungsbereichs als zur Reflexion gehörend
betrachtet wird, wenn die Helligkeit in diesem Pixel inner
halb vorbestimmter Grenzwerte liegt. Entsprechendes gilt für
Pixel, die zur reflexionsfreien Schmelzenoberfläche gehörend
gezählt werden sollen. Aus dem so aufbereiteten Bild wird
anschließend die Reflexion eines ausgewählten Untersuchungs
bereichs herangezogen, um nach den Regeln der geometrischen
Optik den Abstand, den die mechanische Referenzmarke zur
Schmelzenoberfläche hat, auf elektronischem Wege zu errech
nen. Ist eine absolute Berechnung des Abstands nicht mög
lich, wird der Abstand durch einen Vergleich des Bilds mit
einem Satz geeichter Bilder ermittelt. Schließlich wird von
der Bildverarbeitungseinrichtung ein dem gefundenen Abstand
proportionales, aktuelles Ist-Signal ausgegeben.
Mit Hilfe dieses Ist-Signals ist man in der Lage, den
Abstand der mechanischen Referenzmarke zur Schmelzenober
fläche und damit die Schmelzenhöhe zu regeln. Das Ist-Signal
dient als Eingangsgröße für eine Regeleinrichtung. Diese
vergleicht es mit einem Soll-Signal, das proportional zu
einem gewünschten Abstand der mechanischen Referenzmarke zur
Schmelzenoberfläche ist. Das Soll-Signal wird vorzugsweise
von einem Rechner als Sollwert-Geber an die Regeleinrichtung
ausgegeben. Letztere vergleicht das Ist-Signal mit dem Soll
signal und erzeugt nach Maßgabe des festgestellten Unter
schieds ein Stell-Signal, mit dessen Hilfe die Schmelzenhöhe
geändert werden kann. Durch die Wahl des Soll-Signals kann
die Schmelzenhöhe während des Ziehens des Kristalls konstant
gehalten oder nach einem bestimmten Programm variiert wer
den.
Prinzipiell könnte aber auch auf elektronische Hilfsmittel
zur Regelung der Schmelzenhöhe zumindest teilweise verzich
tet werden: um beispielsweise den Abstand der mechanischen
Referenzmarke zur Schmelzenoberfläche konstant halten zu
können, genügt es unter Umständen schon, den von der Kamera
aufgenommenen Untersuchungsbereich der Reflexion genau auf
Veränderungen hin zu beobachten. Treten Veränderungen auf,
so muß die Schmelzenhöhe solange geändert werden, bis sich
das ursprüngliche Bild der Reflexion wieder einstellt. In
der Regel ist jedoch eine automatisierte Regelung der
Schmelzenhöhe dieser Vorgehensweise vorzuziehen.
Da es sehr einfach ist, die Schmelzenhöhe über den Tiegelhub
zu beeinflussen, wird vorzugsweise ein Stell-Signal erzeugt,
das den Tiegel in Abhängigkeit der Abweichung von Soll- und
Ist-Signal solange hebt oder senkt, bis die Abweichung auf
gehoben ist. Eine andere Möglichkeit besteht darin, die
Schmelzenhöhe über ein Stellsignal zu ändern, das die Zufuhr
von festem oder schmelzflüssigem Material in den Schmelztie
gel beeinflußt. Allerdings läßt sich auf diese Weise die
Schmelzenhöhe nicht absenken.
Das erfindungsgemäße Verfahren und eine besonders bevorzugte
Ausgestaltung einer Vorrichtung zu seiner Durchführung wer
den nachstehend an Hand der Fig. 1, 2a und 2b darge
stellt. In den Figuren sind gleiche Merkmale mit gleichen
Bezugsziffern versehen.
Es zeigen:
Fig. 1 eine Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen nach
dem Czochralski-Verfahren mit den Merkmalen der Erfindung.
Fig. 2a den Querschnitt der Vorrichtung entlang der
Schnittlinie A-A schräg von oben betrachtet.
Fig. 2b einen rechteckigen, vergrößerten Ausschnitt aus
Fig. 2a.
Die Figuren enthalten auch aus dem stand der Technik bekann
te Merkmale, soweit diese zum besseren Verständnis der
Erfindung beitragen. Wie in Fig. 1 gezeigt, ist die opti
sche Aufnahmeeinrichtung 1 so auf die Oberfläche der Schmel
ze 2 gerichtet, daß sowohl der Bereich der Phasengrenze
zwischen dem Einkristall 3 und der schmelze, als auch der
Bereich der Schmelzenoberfläche, auf dem sich die Reflexion
4 befindet, beobachtet werden kann. Die mechanische Refe
renzmarke ist in dieser bevorzugten Ausführungsform als
topfförmige Abdeckung 5 gestaltet. Zwischen dem Rand 6 der
Abdeckung 5, die den wachsenden Einkristall koaxial um
schließt, und dem Rand des Einkristalls ist ein einige
Millimeter breiter Spalt, durch den die Reflexion 4
beobachtbar ist. Sie wird vom parallel zur Schmelzenober
fläche liegenden Rand 6 der Abdeckung 5 verursacht. Der
gewählte Untersuchungsbereich wird von der optischen Aufnah
meeinrichtung 1, beispielsweise einer CCD-Kamera, aufgenom
men und in einer nachgeschalteten Bildverarbeitungs-Einrich
tung 7 elektronisch aufbereitet. Dazu gehört zunächst, daß
jedes einzelne Pixel, das zum gewählten Untersuchungsbereich
gehört, an Hand der gemessenen Helligkeitswerte danach
unterschieden wird, ob es die Reflexion oder die reflexions
freie Schmelzenoberfläche repräsentiert. Aus dieser Informa
tion wird dann unter Berücksichtigung der gespeicherten geo
metrischen Daten der mechanischen Referenzmarke (in diesem
Fall genügt für eine Absolutrechnung der Durchmesser des
Randes der Abdeckung) oder eines gespeicherten Satzes von
geeichten Bildern des Untersuchungsbereichs der Abstand S
des Randes der Abdeckung zur Schmelzenoberfläche ermittelt.
Die Bildverarbeitungs-Einrichtung gibt ein dem aktuellen
Ist-Abstand proportionales Ist-Signal X aus. Das Ist-Signal
wird anschließend in einer Regeleinrichtung 8 mit einem vor
bestimmten, zum Soll-Abstand proportionalen, Soll-Signal Y
verglichen. Das Soll-Signal ist beispielsweise in einem als
sollwert-Geber 9 dienenden Rechner gespeichert und wird bei
Bedarf an die Regeleinrichtung ausgegeben. Wird eine Abwei
chung festgestellt, erzeugt die Regeleinrichtung ein Stell
signal Z für den Antriebsmotor 10, der den Tiegel, bestehend
aus einem äußeren Graphitrezipienten 11 und einem inneren
Quarztiegel 12, mit Hilfe des Hub-und senk-Mechanismus 13 in
seiner vertikalen Position verändert, bis Ist- und Soll
signal übereinstimmen. Vorzugsweise wird die Schmelzenhöhe
auf einen gleichbleibenden Wert geregelt, damit sich der
Abstand s der Abdeckung zur Schmelzenoberfläche nicht verän
dert. Der Einkristall kann dann über den Ziehmechanismus 14,
der vom Motor 15 bewegt wird, aus der Schmelze gezogen wer
den, wobei gewährleistet ist, daß sich die Lage der seitlich
des Tiegels angebrachten Heizelemente 16 bezüglich der
Schmelzenhöhe nicht verändert, obwohl die Menge an geschmol
zenem Material mit dem Kristallwachstum ständig abnimmt.
In Fig. 2a ist schematisch der Querschnitt der Vorrichtung
entlang der Schnittlinie A-A aus einer Blickrichtung von
schräg oben gezeigt. Von der Schmelzenoberfläche 2 ist durch
die Abdeckung 5 ein Teil nicht einsehbar. Der Rand 6 der
Abdeckung umschließt den wachsenden Einkristall 3 und verur
sacht auf der Schmelzenoberfläche eine Reflexion 4, die sich
in ihren Helligkeitswerten von den reflexionsfreien Berei
chen der Schmelzenoberfläche unterscheiden läßt. In Fig. 2b
ist ein rechteckiger Ausschnitt aus Fig. 2a vergrößert dar
gestellt. Als Untersuchungsbereich zur Regelung der Schmel
zenhöhe nach dem erfindungsgemäßen Verfahren eignet sich
jeder Bereich, der zumindest einen Teil der vom Rand 6 der
Abdeckung 5 verursachten Reflexion 4a und die ihn umgebende
reflexionsfreie Schmelzenoberfläche 17a beinhaltet. Bevor
zugt wird jedoch ein Untersuchungsbereich gewählt, bei dem
sich eine markante Reflexion 4b dadurch ergibt, daß am Rand
der Abdeckung ein rechteckiger Einschnitt 18 vorgenommen
worden ist. Ist dieses charakteristische Formmerkmal in der
Abdeckung vorhanden, so ist es auch beim Betrachten der
Reflexion 4b und der reflexionsfreien Schmelzenoberfläche
17b zu finden.
Das erfindungsgemäße Verfahren und die Vorrichtung zu seiner
Durchführung erlauben eine präzise und einfache Regelung der
Schmelzenhöhe. Es ist gleichermaßen für die kontinuierliche
wie für die absatzweise Zucht von Einkristallen verwendbar
und unterliegt keiner Beschränkung, wenn die Schmelze aus
besonderen Gründen teilweise abgedeckt ist.
Claims (8)
1. Verfahren zur Regelung der Schmelzenhöhe von
schmelzflüssigem Material in einem Tiegel während des
Ziehens eines Einkristalls nach dem Czochralski-
Verfahren, gekennzeichnet dadurch, daß
- a) über der Schmelze mindestens eine mechanische Referenzmarke so angebracht wird, daß sie eine Reflexion auf der Schmelzenoberfläche verursacht;
- b) ein Bild von einem, die Reflexion mindestens teilweise beinhaltenden Untersuchungsbereich auf der Schmelzenoberfläche aufgenommen wird;
- c) mit Hilfe des aufgenommenen Bilds der Abstand der mechanischen Referenzmarke zur Schmelzenoberfläche ermittelt und ein diesem Abstand proportionales Ist signal erzeugt wird;
- d) das Ist-Signal mit einem vorgegebenen Soll-Signal verglichen wird und bei einem festgestellten Unterschied ein Stell-Signal zur Änderung der Schmelzenhöhe erzeugt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
ein Stell-Signal erzeugt wird, mit dem die Schmelzenhöhe
über Heben oder senken des Tiegels geändert wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
ein Stell-Signal erzeugt wird, mit dem die Schmelzenhöhe
über die Zufuhr von auf zuschmelzendem oder bereits
schmelzflüssigem Material geändert wird.
4. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis
3, dadurch gekennzeichnet, daß
der Abstand zwischen der mechanischen Referenzmarke und
der Schmelzenoberfläche auf einen vorgegebenen Wert
geregelt wird.
5. Vorrichtung zur Regelung der Schmelzenhöhe in einem
Tiegel während des Ziehens eines Einkristalls nach dem
Czochralski-Verfahren, gekennzeichnet durch
mindestens eine mechanische Referenzmarke, die so über der Schmelze angebracht ist, daß sie eine Reflexion auf der Schmelzenoberfläche verursacht;
eine optische Aufnahmeeinrichtung, die von einen vorgegebenen, die Reflexion mindestens teilweise beinhaltenden Untersuchungsbereich auf der Schmelzenoberfläche ein Bild aufnimmt;
eine elektronische Bildverarbeitungs-Einrichtung, die mit Hilfe des aufgenommenen Bilds den Abstand der mechanischen Referenzmarke zur Schmelzenoberfläche ermittelt und ein diesem Abstand proportionales Ist signal ausgibt;
einen sollwert-Geber, der ein einem bestimmten Abstand der mechanischen Referenzmarke zur Schmelzenoberfläche proportionales Soll-Signal ausgibt;
eine Regeleinrichtung, die das Ist-Signal mit dem Soll signal vergleicht und bei einem festgestellten Unterschied ein Stell-Signal zur Änderung der Schmelzenhöhe erzeugt.
mindestens eine mechanische Referenzmarke, die so über der Schmelze angebracht ist, daß sie eine Reflexion auf der Schmelzenoberfläche verursacht;
eine optische Aufnahmeeinrichtung, die von einen vorgegebenen, die Reflexion mindestens teilweise beinhaltenden Untersuchungsbereich auf der Schmelzenoberfläche ein Bild aufnimmt;
eine elektronische Bildverarbeitungs-Einrichtung, die mit Hilfe des aufgenommenen Bilds den Abstand der mechanischen Referenzmarke zur Schmelzenoberfläche ermittelt und ein diesem Abstand proportionales Ist signal ausgibt;
einen sollwert-Geber, der ein einem bestimmten Abstand der mechanischen Referenzmarke zur Schmelzenoberfläche proportionales Soll-Signal ausgibt;
eine Regeleinrichtung, die das Ist-Signal mit dem Soll signal vergleicht und bei einem festgestellten Unterschied ein Stell-Signal zur Änderung der Schmelzenhöhe erzeugt.
6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß
die mechanische Referenzmarke eine topfförmige
Tiegelabdeckung ist.
7. Vorrichtung nach Anspruch 5 oder Anspruch 6, dadurch
gekennzeichnet, daß
die mechanische Referenzmarke ein charakteristisches
Formmerkmal enthält, das in der erzeugten Reflexion auf
der Schmelzenoberfläche einfach zu erkennen ist.
8. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 5 bis
7, dadurch gekennzeichnet, daß
die optische Aufnahmeeinrichtung eine CCD-Kamera ist.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4231162A DE4231162C2 (de) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | Verfahren zur Regelung der Schmelzenhöhe während des Ziehens von Einkristallen |
JP5178606A JP3023818B2 (ja) | 1992-09-17 | 1993-06-28 | 溶融材料の溶融レベル制御方法 |
US08/108,897 US5437242A (en) | 1992-09-17 | 1993-08-18 | Process and apparatus for controlling the melt level while pulling single crystals |
EP93114978A EP0588355B1 (de) | 1992-09-17 | 1993-09-17 | Verfahren zur Regelung der Schmelzenhöhe während des Ziehens von Einkristallen |
DE59307735T DE59307735D1 (de) | 1992-09-17 | 1993-09-17 | Verfahren zur Regelung der Schmelzenhöhe während des Ziehens von Einkristallen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4231162A DE4231162C2 (de) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | Verfahren zur Regelung der Schmelzenhöhe während des Ziehens von Einkristallen |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4231162A1 true DE4231162A1 (de) | 1994-03-24 |
DE4231162C2 DE4231162C2 (de) | 1996-03-14 |
Family
ID=6468207
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4231162A Expired - Fee Related DE4231162C2 (de) | 1992-09-17 | 1992-09-17 | Verfahren zur Regelung der Schmelzenhöhe während des Ziehens von Einkristallen |
DE59307735T Expired - Lifetime DE59307735D1 (de) | 1992-09-17 | 1993-09-17 | Verfahren zur Regelung der Schmelzenhöhe während des Ziehens von Einkristallen |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE59307735T Expired - Lifetime DE59307735D1 (de) | 1992-09-17 | 1993-09-17 | Verfahren zur Regelung der Schmelzenhöhe während des Ziehens von Einkristallen |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5437242A (de) |
EP (1) | EP0588355B1 (de) |
JP (1) | JP3023818B2 (de) |
DE (2) | DE4231162C2 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017133930A1 (de) | 2016-02-05 | 2017-08-10 | Siltronic Ag | Verfahren zum ermitteln und regeln eines durchmessers eines einkristalls beim ziehen des einkristalls |
Families Citing this family (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3006368B2 (ja) * | 1993-10-18 | 2000-02-07 | 住友金属工業株式会社 | 酸化膜耐圧特性に優れたシリコン単結晶の製造方法および製造装置 |
JPH08133887A (ja) * | 1994-11-11 | 1996-05-28 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 半導体単結晶の直径検出装置 |
US5653799A (en) * | 1995-06-02 | 1997-08-05 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for controlling growth of a silicon crystal |
DE19529481A1 (de) * | 1995-08-10 | 1997-02-13 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen |
JP2979462B2 (ja) * | 1995-09-29 | 1999-11-15 | 住友金属工業株式会社 | 単結晶引き上げ方法 |
US5656078A (en) * | 1995-11-14 | 1997-08-12 | Memc Electronic Materials, Inc. | Non-distorting video camera for use with a system for controlling growth of a silicon crystal |
US5746828A (en) * | 1996-01-16 | 1998-05-05 | General Signal Corporation | Temperature control system for growing high-purity monocrystals |
US5918196A (en) * | 1996-11-29 | 1999-06-29 | Cognex Corporation | Vision system for analyzing solid-of-revolution radius profile |
US5935322A (en) * | 1997-04-15 | 1999-08-10 | Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. | Method of pulling up a single crystal semiconductor |
US5846318A (en) * | 1997-07-17 | 1998-12-08 | Memc Electric Materials, Inc. | Method and system for controlling growth of a silicon crystal |
EP0903428A3 (de) | 1997-09-03 | 2000-07-19 | Leybold Systems GmbH | Einrichtung und Verfahren für die Bestimmung von Durchmessern eines Kristalls |
US5922127A (en) * | 1997-09-30 | 1999-07-13 | Memc Electronic Materials, Inc. | Heat shield for crystal puller |
US5882402A (en) * | 1997-09-30 | 1999-03-16 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for controlling growth of a silicon crystal |
US6175652B1 (en) | 1997-12-31 | 2001-01-16 | Cognex Corporation | Machine vision system for analyzing features based on multiple object images |
US6175644B1 (en) | 1998-05-01 | 2001-01-16 | Cognex Corporation | Machine vision system for object feature analysis and validation based on multiple object images |
JP4177488B2 (ja) | 1998-09-16 | 2008-11-05 | Sumco Techxiv株式会社 | 結晶体の製造装置および方法 |
US6171391B1 (en) * | 1998-10-14 | 2001-01-09 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and system for controlling growth of a silicon crystal |
US6197111B1 (en) | 1999-02-26 | 2001-03-06 | Memc Electronic Materials, Inc. | Heat shield assembly for crystal puller |
TW546423B (en) * | 2000-05-01 | 2003-08-11 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | Method and apparatus for measuring melt level |
JP3528758B2 (ja) * | 2000-05-31 | 2004-05-24 | 三菱住友シリコン株式会社 | 単結晶引き上げ装置 |
JP4209082B2 (ja) | 2000-06-20 | 2009-01-14 | コバレントマテリアル株式会社 | 単結晶引上げ装置および引上げ方法 |
US6570663B1 (en) | 2000-07-07 | 2003-05-27 | Seh America, Inc. | Calibration method and device for visual measuring systems |
US6482263B1 (en) | 2000-10-06 | 2002-11-19 | Memc Electronic Materials, Inc. | Heat shield assembly for crystal pulling apparatus |
US7635414B2 (en) * | 2003-11-03 | 2009-12-22 | Solaicx, Inc. | System for continuous growing of monocrystalline silicon |
JP4561513B2 (ja) | 2005-07-22 | 2010-10-13 | 株式会社Sumco | 単結晶引き上げ装置の液面位置調整機構及び液面位置調整方法並びに単結晶引き上げ装置の液面位置合わせ機構及び液面位置合わせ方法 |
JP4734139B2 (ja) | 2006-02-27 | 2011-07-27 | Sumco Techxiv株式会社 | 位置測定方法 |
JP4929817B2 (ja) | 2006-04-25 | 2012-05-09 | 信越半導体株式会社 | 基準反射体と融液面との距離の測定方法、及びこれを用いた融液面位置の制御方法、並びにシリコン単結晶の製造装置 |
JP4784401B2 (ja) * | 2006-05-30 | 2011-10-05 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の育成プロセスにおける融液の液面位置監視装置 |
US8152921B2 (en) * | 2006-09-01 | 2012-04-10 | Okmetic Oyj | Crystal manufacturing |
JP5167651B2 (ja) * | 2007-02-08 | 2013-03-21 | 信越半導体株式会社 | 遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の測定方法、及びその距離の制御方法 |
JP4930487B2 (ja) * | 2008-10-21 | 2012-05-16 | 信越半導体株式会社 | 融液面と炉内構造物の下端部との距離の測定方法、及びこれを用いた融液面位置の制御方法、並びに単結晶の製造方法及び単結晶製造装置 |
JP5708171B2 (ja) * | 2010-04-26 | 2015-04-30 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶引き上げ装置及びシリコン単結晶の製造方法 |
JP5577873B2 (ja) | 2010-06-16 | 2014-08-27 | 信越半導体株式会社 | 遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の測定方法、遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の制御方法、シリコン単結晶の製造方法 |
US8721786B2 (en) | 2010-09-08 | 2014-05-13 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Czochralski crystal growth process furnace that maintains constant melt line orientation and method of operation |
CN101982569B (zh) * | 2010-11-24 | 2013-04-24 | 浙江昱辉阳光能源有限公司 | 直拉单晶炉硅液面位置控制方法及装置 |
JP2012240862A (ja) * | 2011-05-16 | 2012-12-10 | Mitsubishi Materials Techno Corp | 単結晶インゴットの製造装置および液面位置測定方法 |
ES2774942T3 (es) * | 2011-07-22 | 2020-07-23 | Roche Diagnostics Hematology Inc | Detección y posicionamiento de aplicador de muestras |
CA2878419A1 (en) | 2012-07-13 | 2014-01-16 | Roche Diagnostics Hematology, Inc. | Controlled dispensing of samples onto substrates |
KR101435172B1 (ko) | 2012-10-08 | 2014-09-01 | 웅진에너지 주식회사 | 잉곳 성장 장치용 열차단구조체 |
US20140174129A1 (en) * | 2012-12-21 | 2014-06-26 | Memc Singapore, Pte. Ltd (Uen200614797D) | Support Holder For Quartz Dip Stick In Directional Solidification System Furnaces |
DE102013002471B4 (de) | 2013-02-13 | 2016-08-18 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung der Schmelzhöhe und zur Regulation der Erstarrung und Schmelzung einer Schmelze in einem Tiegel |
KR101494530B1 (ko) * | 2013-06-27 | 2015-02-17 | 웅진에너지 주식회사 | 잉곳성장장치의 멜트갭 측정장치 및 측정방법 |
KR101516586B1 (ko) * | 2013-09-16 | 2015-05-04 | 주식회사 엘지실트론 | 열차폐재 및 이를 포함하는 실리콘 단결정 잉곳 제조장치 |
CN104005083B (zh) * | 2014-05-20 | 2016-06-29 | 北京工业大学 | 一种测量单晶炉熔硅液面高度的装置与方法 |
CN111020701A (zh) * | 2019-12-27 | 2020-04-17 | 内蒙古中环光伏材料有限公司 | 一种快速确定稳温埚位的方法 |
WO2022118537A1 (ja) | 2020-12-01 | 2022-06-09 | 信越半導体株式会社 | 遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離を測定する方法、遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の制御方法、及びシリコン単結晶の製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4454096A (en) * | 1981-06-15 | 1984-06-12 | Siltec Corporation | Crystal growth furnace recharge |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3692499A (en) * | 1970-08-31 | 1972-09-19 | Texas Instruments Inc | Crystal pulling system |
US4350557A (en) * | 1974-06-14 | 1982-09-21 | Ferrofluidics Corporation | Method for circumferential dimension measuring and control in crystal rod pulling |
DE2821481C2 (de) * | 1978-05-17 | 1985-12-05 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Vorrichtung zum Ziehen von hochreinen Halbleiterstäben aus der Schmelze |
US4617173A (en) * | 1984-11-30 | 1986-10-14 | General Signal Corporation | System for controlling the diameter of a crystal in a crystal growing furnace |
JPS6287481A (ja) * | 1985-10-09 | 1987-04-21 | Mitsubishi Metal Corp | 単結晶引上装置における溶湯初期位置設定方法 |
JPS6424089A (en) * | 1987-07-21 | 1989-01-26 | Shinetsu Handotai Kk | Device for adjusting initial position of melt surface |
JPS6469591A (en) * | 1987-09-09 | 1989-03-15 | Mitsubishi Metal Corp | Method for measurement and control of molten liquid level in crystal producing device and apparatus therefor |
JPH0663824B2 (ja) * | 1990-04-29 | 1994-08-22 | 信越半導体株式会社 | 湯面振動測定方法及び装置 |
JPH0726817B2 (ja) * | 1990-07-28 | 1995-03-29 | 信越半導体株式会社 | 結晶径測定装置 |
-
1992
- 1992-09-17 DE DE4231162A patent/DE4231162C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-06-28 JP JP5178606A patent/JP3023818B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1993-08-18 US US08/108,897 patent/US5437242A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-09-17 DE DE59307735T patent/DE59307735D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-09-17 EP EP93114978A patent/EP0588355B1/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4454096A (en) * | 1981-06-15 | 1984-06-12 | Siltec Corporation | Crystal growth furnace recharge |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JP 01-69 591 A. In: Patents Abstracts of Japan, Vol. 13, Nr. 273, 22.Juni 1989, S. 157C 609 * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017133930A1 (de) | 2016-02-05 | 2017-08-10 | Siltronic Ag | Verfahren zum ermitteln und regeln eines durchmessers eines einkristalls beim ziehen des einkristalls |
DE102016201778A1 (de) | 2016-02-05 | 2017-08-10 | Siltronic Ag | Verfahren zum Ermitteln und Regeln eines Durchmessers eines Einkristalls beim Ziehen des Einkristalls |
US10738392B2 (en) | 2016-02-05 | 2020-08-11 | Siltronic Ag | Method for determining and regulating a diameter of a single crystal during pulling of the single crystal |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3023818B2 (ja) | 2000-03-21 |
EP0588355B1 (de) | 1997-11-26 |
US5437242A (en) | 1995-08-01 |
DE59307735D1 (de) | 1998-01-08 |
DE4231162C2 (de) | 1996-03-14 |
JPH06116083A (ja) | 1994-04-26 |
EP0588355A1 (de) | 1994-03-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE4231162C2 (de) | Verfahren zur Regelung der Schmelzenhöhe während des Ziehens von Einkristallen | |
DE4439557C2 (de) | Verfahren und Einrichtung zum Eichen der Vergrößerung von Zoomoptik-Systemen | |
DE69229832T2 (de) | Verfahren und vorrichtung zur messung der flüssigkeitsströmung | |
DE69935660T2 (de) | Verfahren und vorrichtung zur durchflusszytometrie | |
DE69803932T2 (de) | Verfahren und anlage zur steuerung der züchtung eines siliziumkristalls | |
DE69802557T2 (de) | Verfahren und vorrichtung zur steuerung der züchtung eines siliciumkristalles | |
DE2639793C3 (de) | Regelung zum automatischen Abgießen von Gießformen | |
DE3146423T1 (de) | Flow-through optical analyzer | |
DE2558392A1 (de) | Partikelanalysator | |
DE2447328A1 (de) | Verfahren zur bestimmung einer speziellen eigenschaft von in einem fluid suspendierten teilchen und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens | |
DE102009034076A1 (de) | Verfahren zur in-situ-Bestimmung von thermischen Gradienten an der Kristallwachstumsfront | |
WO1999011844A1 (de) | Vorrichtung und verfahren für die überwachung einer schmelze für die herstellung von kristallen | |
DE112006000972T5 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Bestimmen der Fließfähigkeit von pulverförmigem/körnerförmigem Material | |
DE2939961A1 (de) | Kamera mit photoelektrischer scharfstellvorrichtung | |
EP3404403A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur prüfung der qualität von beschichteten oberflächen | |
DE2143553A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen von Kristallstäben | |
CH615748A5 (de) | ||
DE3315195A1 (de) | Verfahren zum ausrichten von teilchen in einer fluidprobe | |
EP0758690B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung des Durchmessers eines wachsenden Einkristalls | |
DE3890368C2 (de) | Systemeinrichtung zur Steuerung von Vorrichtungen zum Ziehen rohrförmiger Kristallkörper und Verfahren zum Ziehen eines rohrförmigen Kristallkörpers | |
DE19951146A1 (de) | Verfahren zum Reduzieren des Rauschens in einem durch Abbildung erhaltenen Signal | |
DE4004699A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur bestimmung der groessenverteilung von feststoffpartikeln | |
DE3506492A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum eingeben, sichtbarmachen und/oder registrieren eines variablen messfleckes in einen strahlengang einer kamera fuer optische geraete | |
DE19924259A1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Erfassung des Füllstandes eines Flüssigkeitsbehälters | |
DE19738438B4 (de) | Einrichtung und Verfahren für die Bestimmung des Durchmessers eines Kristalls |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: WACKER SILTRONIC GESELLSCHAFT FUER HALBLEITERMATER |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |