DE4124747A1 - Halbleiter-steuerungsvorrichtung - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiter-Steuerungsvorrichtung, in welcher zum Beispiel Transistoren verwendet werden.

Fig. 7 ist ein Schaltplan, der eine herkömmliche Halbleiter-Steuerungsvorrichtung zeigt. In der Figur bezeichnen Bezugsziffern 1a und 1b jeweils einen Bipolartransistor mit isoliertem Gate, der ein Halbleiter-Steuerungselement darstellt (im folgenden als IGBT) bezeichnet. Jeder IGBT weist ein Paar von Hauptstromkreiselektroden auf, das heißt einen Kollektor C und einen Emitter E. Jeder IGBT ist ferner mit einem Anschluß (e) auf der Seite des Emitters E ausgestattet, der sich auf einem Bezugspotential befindet, und hat eine Steuerelektrode (g), die vom Kollektor C und von dem Emitter E isoliert ist. Bezugsziffer 2 bezeichnet eine Busleitung auf der Seite einer Stromversorgung; Bezugsziffer 3 bezeichnet eine Busleitung auf der Lastseite; Bezugsziffer 4 bezeichnet einen ersten Verbindungsleiter auf der linken Seite; Bezugsziffer 5 bezeichnet die Induktivität des Verbindungsleiters 4 auf der linken Seite in schematischer Darstellung; Bezugsziffer 6 bezeichnet einen ersten Verbindungsleiter auf der rechten Seite; und Bezugsziffer 7 bezeichnet die Induktivität des Verbindungsleiters 6 auf der rechten Seite in einer schematischen Darstellung. Bei zwei IGBTs 1 auf der rechten und linken Seite sind ihre Kollektoren C mit der Stromversorgungsbusleitung 2 jeweils über zweite Verbindungsleiter 4a und 6a verbunden; ihre Emitter E sind mit der lastseitigen Busleitung 3 jeweils über die ersten Verbindungsleiter 4 verbunden.

Die Bezugsziffer 10 bezeichnet eine Steuerstromversorgung, die für beide IGBTs 1 gemeinsam vorgesehen ist. Die Steuerstromversorgung 10 schließt zwei Stromversorgungen ein: eine Stromversorgung 11 zum Schließen und eine Stromversorgung 12 zum Öffnen, die wie in Fig. 7 geschaltet sind. Die negative Seite der Stromversorgung 11 zum Schließen und die positive Seite der Stromversorgung 12 zum Öffnen sind mit einem Anschluß 13 verbunden. Die positive Seite der Stromversorgung 11 zum Schließen und die negative Seite der Stromversorgung 12 zum Öffnen sind mit einem Anschluß 14 über einen nicht dargestellten Schalter-Schaltkreis verbunden.

Die Bezugsziffern 15 und 18 bezeichnen jeweils eine erste Verbindungsleitung, und die Bezugsziffern 17 und 20 bezeichnen jeweils eine zweite Verbindungsleitung. Die Verbindungsleitungen verbinden jeweils die Anschlüsse 13 und 14 der Steuerstromversorgung 10 mit den Anschlüssen (e) und Steuerelektroden (g) der IGBTs 1 auf der rechten und linken Seite, wie in Fig. 7 gezeigt. Die Bezugsziffer 16 bezeichnet schematisch die Induktivität der Verbindungsleitung 15; die Bezugsziffer 19 bezeichnet schematisch die Induktivität der Verbindungsleitung 18.

Als nächstes wird der Betrieb der herkömmlichen Halbleiter-Steuerungsvorrichtung erläutert. Die Spannung der Schließ-Stromversorgung 11 wird durch Schließen eines nicht dargestellten Schalter-Schaltkreises angelegt, so daß die Anschlüsse (e) negativ werden, und die Steuerelektroden (g) positiv werden. Demzufolge leiten die Abschnitte zwischen den Kollektoren C und den Emittern E auf die angelegte Spannung hin, wodurch bewirkt wird, daß ein Laststrom von der Stromversorgungsbusleitung 2 zu der lastseitigen Busleitung 3 fließt. Falls eine vorbestimmte Spannung der Öffnungs-Stromversorgung 12 angelegt wird, so daß die Anschlüsse (e) positiv werden und die Steuerelektroden (g) negativ, wird die Leitung zwischen dem Kollektor C und dem Emitter E blockiert, wodurch ein Strom, der von der Stromversorgungsbusleitung 2 zu der lastseitigen Busleitung 3 fließt, abgeschaltet wird.

Halbleiter-Steuerelemente weisen im allgemeinen Streuungen der Zeit (Einschalt/Ausschalt-Zeit) zwischen dem Anlegen eines Öffnungs-/Schließ-Signals an ihren Steuerelektroden bis zum Öffnen/Schließen des Abschnittes zwischen den Hauptschaltkreiselektroden auf. Außerdem weisen Anschlußleiter und Verbindungsleitungen zum Verbinden von Halbleiter-Steuerungselementen oder ähnlichem Induktivitäten auf.

Es sei nun angenommen, daß die IGBTs 1a und 1b sowohl auf der rechten als auch auf der linken Seite durch ein Spannungssignal von der Steuerstromversorgung 10 öffnen, wodurch ein Strom vom Kollektor C jedes IGBTs 1a und 1b zu dem Emitter E desselben geschaltet wird. Falls die Abschaltzeit des linken IGBTs 1a kürzer ist als die Abschaltzeit des rechten IGBTs 1b, wird der Strom durch den IGBT 1a schneller kleiner. Deshalb entsteht eine Spannung über den beiden Enden der Induktivität 5 mit einer Polarität wie in Fig. 7 gezeigt, die proportional zu dem Produkt der Änderungsrate des Stromes, die von den Eigenschaften des IGBTs 1a abhängt, und der Induktivität 5 des Verbindungsleiters 4 auf der linken Seite ist, das heißt, die lastseitige Busleitung 3 wird positiv, und der Emitter E des IGBTs 1a wird negativ. Diese entstehende Spannung wird in eine Vielzahl von Spannungen unterteilt, proportional zu den jeweiligen Induktivitäten einer Serienschaltung der Induktivität 7, der Induktivität 19 und der Induktivität 16, mit Polaritäten, die durch Symbole + und - in Fig. 7 angedeutet sind. Dementsprechend wird eine Spannung auf die Steuerelektrode (g) der IGBTs 1a oder 1b gegeben, die kleiner oder größer ist als die von der Steuerstromversorgung 10 angelegte Spannung.

Weil die herkömmliche Halbleiter-Steuervorrichtung wie oben beschrieben konstruiert ist, wird eine von den Induktivitäten 5 und 7 zum Steuerzeitpunkt induzierte Spannung, zum Beispiel im Öffnungs-/Schließ-Zeitpunkt, auf die Induktivitäten 16 und 19 zwischen der Steuerstromversorgung 10 und den Anschlüssen (e) der IGBTs gegeben, was dazu führt, daß eine höhere oder eine niedrigere Spannung auf die Steuerelektrode (g) des IGBTs gegeben wird als die von der Steuerstromversorgung 10 gelieferte Spannung. Deshalb sind Fälle aufgetreten, in welchen IGBTs nicht ordnungsgemäß funktionierten, oder in einigen Fällen IGBTs zerstört worden sind, weil eine Spannung oberhalb einer zulässigen Spannung für IGBTs auf diese gegeben wurde.

Die vorliegende Erfindung zielt darauf ab, die oben erwähnten Probleme zu lösen. Dementsprechend ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine hochzuverlässige Halbleiter-Steuerungsvorrichtung vorzusehen, die in der Lage ist, eine Vielzahl von Halbleiter-Steuerungselementen stabil zu steuern, von denen eine der Hauptschaltkreiselektroden zusammengeschaltet sind, mittels einer gemeinsamen Steuerstromversorgung.

In der Halbleiter-Steuerungsvorrichtung der vorliegenden Erfindung ist ein Transformator mit einer ersten Wicklung und einer zweiten Wicklung angeordnet, die dieselbe Polarität wie die erste Wicklung hat. Die erste Wicklung ist zwischen die Steuerstromversorgung und eine der Hauptschaltkreiselektroden eines Halbleiter- Steuerelementes eingefügt. Die zweite Spule ist zwischen die Steuerstromversorgung und die Steuerelektrode des Halbleiter-Steuerungselements eingefügt.

Bei dem Transformator der vorliegenden Erfindung erzeugt eine erste Wicklung eine Spannung an einer der Hauptschaltkreiselektroden eines Halbleiter- Steuerungselements, wenn das Halbleiter-Steuerungselement gesteuert wird. Eine Spannung mit derselben Polarität wie die obige Spannung wird von einer zweiten Wicklung zwischen der Steuerstromversorgung und der Steuerelektrode des IGBTs erzeugt. Somit wird die auf einer Seite der Hauptschaltkreiselektroden erzeugte Spannung gelöscht oder kompensiert, wodurch bewirkt wird, daß keine abnormale Spannung auf die Steuerelektroden gegeben wird.

Im folgenden soll die vorliegende Erfindung unter Bezug auf die Zeichnungen näher beschrieben werden.

Fig. 1 ist ein Schaltplan, der ein Ausführungsbeispiel einer Halbleiter- Steuerungsvorrichtung der vorliegenden Erfindung zeigt;

Fig. 2 ist ein Schaltplan, der ein anderes Ausführungsbeispiel der Halbleiter- Steuerungsvorrichtung der vorliegenden Erfindung zeigt;

Fig. 3 bis 6 sind Ansichten, die andere Elemente zeigen, die als Halbleiter- Steuerungselemente in der vorliegenden Erfindung verwendet werden; und

Fig. 7 ist ein Schaltplan, der diesen Typ einer herkömmlichen Halbleiter- Steuerungsvorrichtung zeigt.

Fig. 1 ist ein Schaltplan, der ein Ausführungsbeispiel einer Halbleiter-Steuerungsvorrichtung der vorliegenden Erfindung zeigt. Transformatoren 31 und 35 sind zwischen einer Steuerstromversorgung 10 und jeweiligen IGBTs 1a und 1b angeordnet. Der Transformator 31 umfaßt eine erste Wicklung 32 und eine zweite Wicklung 33, von denen beide um einen Eisenkern 34 mit gleicher Windungszahl und gleicher Polarität gewickelt sind, wie in Fig. 1 gezeigt. Die erste Wicklung 32 ist in eine erste Verbindungsleitung 15 eingefügt, um einen Anschluß 13 der Steuerstromquelle 10 mit einem Anschluß (e) des IGBTs 1a zu verbinden. Die zweite Wicklung 33 ist in eine zweite Verbindungsleitung 17 zum Verbinden eines Anschlusses 14 der Steuerstromversorgung 10 mit der Steuerelektrode (g) des IGBTs 1a eingefügt. Die Konstruktion des Transformators 35 ist dieselbe wie die des Transformators 31. Eine erste Wicklung 36 und eine zweite Wicklung 37 sind um einen Eisenkern 38 mit der gleichen Windungszahl und der gleichen Polariät gewickelt. Diese Wicklungen sind mit der in Fig. 1 gezeigten Polarität zwischen die Steuerstromversorgung 10 und den rechten IGBT 1b geschaltet. Weil die anderen Komponenten in Fig. 1 dieselben sind wie jene des in Fig. 7 gezeigten Standes der Technik, werden dieselben Bezugsziffern für entsprechende Komponenten verwendet, und diesbezügliche Erläuterungen ausgelassen.

Als nächstes wird der Betrieb der Halbleiter- Steuerungsvorrichtung erläutert. Es sei nun angenommen, daß der Zustand der beiden IGBTs 1a und 1b von einem leitenden Zustand in einen nicht leitenden Zustand wechselt, mittels eines Signals von der Steuerstromversorgung 10 in der gleichen Weise, wie im Stand der Technik nach Fig. 7, wodurch die Hauptschaltkreiselektroden der IGBTs 1a und 1b einen Strom abschalten, der von dem Kollektor C zum Emitter E fließt. Wenn zum Beispiel die Abschaltzeit des IGBTs 1a kürzer ist als die Abschaltzeit des IGBTs 1b, wird der Strom durch den IGBT 1a schneller kleiner. Durch eine in der Induktivität 5 induzierte Spannung, wie in Fig. 1 gezeigt, hat die Seite des IGBTs 1a eine negative Polarität, und die Seite der lastseitigen Busleitung 3 hat eine positive Polarität, ähnlich wie im Stand der Technik. Diese entstehende Spannung wird durch das Impedanzverhältnis einer Induktivität 7, einer Induktivität 19, der ersten Wicklung 36 des Transformators 35, der ersten Wicklung 32 des Transformators 31 und der Induktivität 16 in einer Serienschaltung, die einen ersten Anschlußleiter 6 auf ihrer rechten Seite, erste Anschlußleiter 18 und 15, und Transformatoren 35 und 31 einschließt, aufgeteilt. Es werden erregende Impedanzwerte der Transformatoren 31 und 35 gewählt, die ausreichend größer sind als die Impedanz der Induktivitäten 16 und 19, mit dem Ergebnis, daß die erste Wicklung 32 des Transformators 31 und die erste Wicklung 36 des Transformators 35 mit dem größten Teil der in der Induktivität 5 induzierten Spannung belastet sind. Dieselbe Spannung, die dieselbe Polarität hat wie die auf diese ersten Wicklungen 32 und 36 gegebene Spannung, wird jeweils in den zweiten Wicklungen 33 und 37 induziert. Als Ergebnis löschen sich die jeweiligen Spannungsbeträge, die auf die Abschnitte zwischen den Emittern E und die Steuerelektroden (g) der IGBTs 1a und 1b gegeben werden, gegenseitig durch die erste Wicklung 32 und die zweite Wicklung 33 des Transformators 31, bzw. durch die erste Wicklung 36 und die zweite Wicklung 37 des Transformators 35. Weil die jeweiligen Impedanzbeträge der Transformatoren 31 und 35, gesehen von der Steuerstromversorgung 10, zu Null werden, wird deshalb ein Signal, das auf den Abschnitt zwischen der Steuerelektrode (g) und den Anschlüssen (e) eines jeden der IGBTs 1a und 1b gegeben wird, nicht behindert. Ein gewünschtes Signal kann an den Abschnitt zwischen der Steuerelektrode (g) und den Anschlüssen (e) geliefert werden.

Fig. 2 zeigt ein anderes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Die Stromversorgungsseiten der IGBTs 1a und 1b, das heißt, die Seite der Kollektoren C, sind jeweils mit Busleitungen 41 und 42 verbunden, die mit einzelnen Stromversorgungsteilen verbunden sind. Die IGBTs 1a und 1b werden mit verschiedenen Zeitverläufen durch die Steuerstromversorgung 10 gesteuert. In diesem Fall sind Anschlüsse 43 und 44 in der Steuerstromversorgung 10 zusätzlich zu den Anschlüssen 13 und 14 untergebracht, und die Stromversorgung 11 zum Schließen und die Stromversorgung 12 zum Öffnen sind wie gezeigt geschaltet, so daß rechte und linke IGBTs 1a und 1b von der Steuerstromversorgung 10 individuell gesteuert werden können. Die Spannung der Stromversorgung 11 zum Schließen oder die der Stromversorgung 12 zum Öffnen wird individuell durch Schließen eines Schalter-Schaltkreises (nicht gezeigt) zwischen die Steuerelektroden (g) und die Anschlüsse (e) der IGBTs 1a und 1b gegeben. Kondensatoren 45 und 46 sind Kondensatoren zum Absorbieren von Spannungsspitzen und sind jeweils zwischen der Steuerelektrode (g) und den Anschlüssen (e) eines jeden der IGBTs 1a und 1b angeordnet, das heißt, jeder Kondensator ist zwischen die ersten und zweiten Verbindungsleitungen geschaltet.

In der Halbleiter-Steuerungsvorrichtung, wie in Fig. 2 gezeigt, die wie oben beschrieben konstruiert ist, werden die IGBTs 1a und 1b voneinander unabhängig gesteuert. Eine Spannung, die über der Induktivität 5 oder der Induktivität 7 entsteht, wenn jeder der IGBTs 1a und 1b geöffnet/geschlossen wird, wird jeweils durch Transformatoren 31 und 35 kompensiert. Somit entsteht die Spannung nicht zwischen der Steuerelektrode (g) und den Anschlüssen (e), ähnlich wie im Ausführungsbeispiel der Fig. 1.

In den oben beschriebenen Ausführungsbeispielen wurde ein Fall gezeigt, in welchen Transformatoren 31 und 35 jeweils einzeln zwischen die Steuerstromversorgung 10 und die Steuerelektrode (g) eines jeden der IGBTs 1a bzw. 1b eingefügt werden. Jedoch kann derselbe Effekt erzielt werden, wenn andere Impedanzelemente zusätzlich zu den Transformatoren 31 und 35 in Serie eingefügt werden. Das Windungsverhältnis der ersten und zweiten Wicklungen der Transformatoren 31 und 35 braucht nicht notwendigerweise 1 : 1 zu sein.

Obwohl ein Fall dargestellt wurde, in welchem in jedem der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele Halbleiter- Steuerungselemente IGBTs sind, ist es überflüssig zu sagen, daß derselbe Effekt erzielt werden kann, (a) wenn Spannungs-gesteuerte Halbleiter- Steuerungselemente verwendet werden, die dasselbe sind wie IGBTs, wie etwa bipolare Transistoren mit isoliertem Gate, die ähnlich MOSFETs sind, wie in Fig. 3 gezeigt, (b) wenn Strom-getriebene Halbleiter-Steuerungselemente, wie etwa in Fig. 4 gezeigte bipolare Transistoren verwendet werden, und (c) wenn Halbleiter-Steuerungselemente, wie etwa in den Fig. 5 und 6 gezeigte Thyristoren oder Gate-abschaltbare Thyristoren (GTO) verwendet werden.

Wie oben erläutert wurde, ist gemäß der vorliegenden Erfindung ein Transformator zwischen jedem Halbleiter- Steuerungselement und einer Steuerstromversorgung jeweils angeordnet, um eine Spannung zu löschen, die zu der Zeit entsteht, wenn die Halbleiter-Steuerungselemte gesteuert werden, wodurch bewirkt wird, daß keine abnormale Spannung auf die Steuerelektrode der Halbleiter-Steuerungselemente gegeben wird. Deshalb kann eine hochzuverlässige Halbleiter-Steuerungsvorrichtung erhalten werden, in welcher Halbleiter-Steuerungselemente nicht fehlfunktionieren, und kein Isolationsdurchbruch auftritt.

Claims (15)

1. Halbleiter-Steuerungsvorrichtung, mit
einer Vielzahl von Halbleiter-Steuerungselementen (1a, 1b), von denen jedes eine Steuerelektrode (g) und ein Paar von Hauptschaltkreiselektroden (C, E) aufweist;
ersten Verbindungsleitern (4, 6) zum Verbinden einer Hauptschaltkreiselektrode (E) eines Paares von Hauptschaltkreiselektroden (C, E) der Halbleiter-Steuerungselemente (1a, 1b) gemeinsam mit einer lastseitigen Busleitung (3);
zweiten Verbindungsleitern (4a, 6a; 41, 42) zum Verbinden der anderen (C) Hauptschaltkreiselektrode des Paares von Hauptschaltkreiselektroden (C, E) der Halbleiter- Steuerungselemente (1a, 1b) mit wenigstens einer Stromversorgungsbusleitung (2);
einer Stromversorgung (10) zum Liefern wenigstens einer von einer positiven Spannung und einer negativen Spannung bezüglich einer Referenzspannung der einen Hauptschaltkreiselektrode (E) zu der Steuerelektrode (g) des Halbleiter-Steuerungselementes (1a, 1b);
Verbindungseinrichtungen, die erste Verbindungsleitungen (15, 18) einschließen, die die einen Hauptschaltkreiselektroden (E) von jedem der Halbleiter-Steuerungselemente (1a, 1b) gemeinsam mit der Steuerstromversorgung (10) verbinden, um die Bezugsspannung zu liefern, und die zweite Verbindungsleitungen (17, 20) einschließen, die die Steuerelektrode (g) eines jeden Halbleiter- Steuerungselementes mit der Steuerstromversorgung (10) verbinden, um wenigstens eine der positiven Spannung und der negativen Spannung zu liefern; und
Transformatoren (31, 35), die für jedes der Halbleiter-Steuerungselemente (1a, 1b) vorgesehen sind, von denen jeder erste Wicklungen (32, 36), die in die erste Verbindungsleitung (17, 18) eingefügt sind, und zweite Wicklungen (33, 37), die in die zweite Verbindungsleitung (17, 20) eingefügt sind, und mit derselben Polarität wie die der ersten Wicklung (32, 36) gewickelt sind, umfaßt.

2. Halbleiter-Steuerungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die andere Hauptschaltkreiselektrode (C) von jedem der Halbleiter-Steuerungselemente (1a, 1b) gemeinsam mit einer Stromversorgungsbusleitung (2) verbunden ist.

3. Halbleiter-Steuerungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweiten Verbindungsleitungen (17, 20) der Verbindungseinrichtungen gemeinsam mit der Steuerstromversorgung (10) verbunden sind, und dadurch, daß eine Spannung gemeinsam auf die Steuerelektrode (g) eines jeden Halbleiter- Steuerungselements (1a, 1b) gegeben wird.

4. Halbleiter-Steuerungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die anderen Hauptschaltkreiselektroden (C) eines jeden Halbleiter-Steuerungselements (1a, 1b) mit verschiedenen Stromversorgungsbusleitungen (41, 42) verbunden sind.

5. Halbleiter-Steuerungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweiten Verbindungsleitungen (17, 20) der Verbindungseinrichtungen einzeln mit der Steuerstromversorgung (10) verbunden sind und dadurch, daß eine Spannung mit einer gewünschten Polarität einzeln auf die Steuerelektrode (g) eines jeden Halbleiter-Steuerungselements (1a, 1b) gegeben wird.

6. Halbleiter-Steuerungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Spannungsspitzen absorbierende Einrichtungen (45, 46) zwischen der einen Hauptschaltkreiselektrode (E) und der Steuerelektrode (g) eines jeden Halbleiter- Steuerungselements (1a, 1b) angeordnet sind.

7. Halbleiter-Steuerungsvorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Spannungsspitzen absorbierenden Einrichtungen (45, 46) ein Kondensator sind, der zwischen die erste Verbindungsleitung (15, 18) und die zweite Verbindungsleitung (17, 20) geschaltet ist.

8. Halbleiter-Steuerungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiter-Steuerungselemente (1a, 1b) Bipolartransistoren mit isoliertem Gate sind.

9. Halbleiter-Steuerungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiter-Steuerungselemente (1a, 1b) Feldeffekttransistoren des Typs mit isoliertem Gate sind.

10. Halbleiter-Steuerungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiter-Steuerungselemente (1a, 1b) stromgetriebene Halbleiter-Steuerungselemente sind.

11. Halbleiter-Steuerungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiter-Steuerungselemente (1a, 1b) Thyristoren sind.

12. Halbleiter-Steuerungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiter-Steuerungselemente (1a, 1b) GTO-Thyristoren sind.

13. Halbleiter-Steuerungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jeder der Transformatoren (31, 35) einen Eisenkern aufweist, um welchen die ersten und zweiten Wicklungen (32, 33; 36, 37) herumgewickelt sind.

14. Halbleiter-Steuerungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Wicklungsverhältnis der ersten und zweiten Wicklungen (32, 33; 36, 37) eines jeden der Transformatoren (31, 35) ein Verhältnis ist, bei welchem eine zum Steuerungszeitpunkt entstehende Spannung gelöscht wird.

15. Halbleiter-Steuerungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Wicklungsverhältnis der ersten und zweiten Wicklungen (32, 33; 36, 37) eines jeden der Transformatoren (31, 35) 1 : 1 ist.