DE4113190C1 - Electrostatically actuated microswitch - has armature attached to base via torsional struts to allow pivoting for contacting electrodes - Google Patents
Electrostatically actuated microswitch - has armature attached to base via torsional struts to allow pivoting for contacting electrodesInfo
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Description
Die Erfindung betrifft einen elektrostatisch betätigbaren
Mikroschalter laut Oberbegriff des Hauptanspruches.
Ein Mikroschalter dieser Art ist bekannt (DE 32 07 920 A1
bzw. US-PS 49 59 515). Das Ankerteil wird hierbei entweder
in einem gesonderten Verfahrensschritt durch Ätzen aus
Silizium hergestellt und dann auf der die Kraftelektrode
tragenden Unterlage befestigt (DE 32 07 920 A1) oder das
Ankerteil wird unter Verwendung einer nachträglich durch
Ätzen entfernbaren Schicht nach einem in der Mikromechanik
üblichen Herstellungsverfahren unmittelbar auf der Unter
lage hergestellt (US-PS 49 59 515). Das Gelenk zwischen
Anker und dem auf der Unterlage befestigten Lagerabschnitt
wird bei den bekannten Mikroschaltern durch einen dünneren
membranartigen Abschnitt des Ankers gebildet, der beim
Kippen des Ankers auf Biegung beansprucht ist. Da diese
Gelenkschicht einerseits sehr dünn sein muß, damit die
aufzubringenden Kippkräfte möglichst gering gehalten
werden können, ist die durch Biegekräfte aufzubringende
Rückstellkraft für den Anker in die Ruhestellung sehr
gering, so daß meist zusätzliche Federelemente in Form
von dünnen Fasern des elastischen Materials zwischen
Anker und Lagerabschnitt vorgesehen sein müssen.
Es ist Aufgabe der Erfindung, einen elektrostatisch
betätigbaren Mikroschalter zu schaffen, der im Aufbau
sehr einfach ist und sich für den Aufbau beliebiger
Schalterkonstruktionen eignet.
Diese Aufgabe wird ausgehend von einem elektrostatisch
betätigbaren Mikroschalter laut Oberbegriff des Hauptan
spruches durch dessen kennzeichnende Merkmale gelöst,
eine besonders vorteilhafte Ausgestaltung für einen
Doppelankerschalter ergibt sich aus dem Anspruch 2.
Beim erfindungsgemäßen Mikroschalter laut Hauptanspruch
wird das Gelenk durch schmale Torsionsbalken gebildet,
die beim Kippen des Ankers auf Torsion beansprucht werden.
Durch entsprechende Wahl des Querschnitts und der Länge
dieser Torsionsbalken kann damit einerseits das Torsions
moment so gewählt werden, daß die von der Kraftelektrode
aufzubringenden elektrostatischen Kräfte möglichst gering
bleiben während gleichzeitig jedoch die gewünschten
Torsionsrückstellkräfte zum Zurückführen des Ankers in
die Ruhestellung erreicht werden. Ein mit einem erfin
dungsgemäßen Gelenk ausgebildetet Mikroschalter kann
daher mit den für den jeweiligen Anwendungszweck optimalen
Eigenschaften hergestellt werden. Diese Art des Gelenks
ist außerdem wesentlich einfacher und auch in Massenpro
duktion mit gleichbleibenden Eigenschaften herstellbar.
Ein erfindungsgemäßes Gelenk ermöglicht es auch, das
Ankerteil als Doppelanker nach Art einer Wippe auszubilden
und jedem Anker eine gesonderte Kraftelektrode zuzuordnen,
so daß je nach eingeschalteter Kraftelektrode die Wippe
auf die eine oder die andere Seite kippt und damit nicht
nur das Schließen, sondern auch das Öffnen der Kontakte
jeweils unter elektrostatischer Krafteinwirkung erfolgt.
Ein solcher Mikroschalter kann entweder zum Aufbau von
zwei alternativ betätigten Ein-Schaltern bzw. zum Aufbau
eines Um-Schalters benutzt werden, ist also sehr universell
einsetzbar.
Die Erfindung wird im folgenden anhand schematischer
Zeichnungen an Ausführungsbeispielen näher erläutert.
Fig. 1 zeigt in vereinfachter perspektivischer Darstellung
und in stark vergrößertem Maßstab einen erfindungsgemäßen
elektrostatisch betätigbaren Mikroschalter. Auf einer
Unterlage 1 ist eine Kraftelektrode 2 aufgebracht und
darüber ein Ankerteil 3, das aus einem der Kraftelektrode
2 im Abstand gegenüberliegenden Anker 4, zwei auf der
Unterlage 1 befestigten Lagerabschnitten 5 und 6 sowie
zwei den Anker 4 mit diesen Lagerabschnitten 5, 6 verbin
denden Torsionsbalken 7 und 8 besteht. Die Torsionsbalken
7, 8 stehen seitlich vom Anker 4 ab und zwar sind sie
fluchtend mit der Kippachse 9 des Ankerteiles 3 ausge
richtet und gehen jeweils über eine Kröpfung 10, 11, durch
welche der Abstand des Ankers 4 von der Kraftelektrode
2 bestimmt wird, in die Lagerabschnitte 5, 6 über. Anker
4, Torsionsbalken 7, 8 und Lagerabschnitte 5, 6 bestehen
jeweils aus einem Stück und sind aus einem geeigneten
Ankermaterial, vorzugsweise aus einem elektrisch leitenden
Material wie Silizium, durch Ätzen in der dargestellten
Struktur hergestellt. Am freien Ende des Ankers 4 ist
ein Schaltkontakt 12 angebracht, der mit zwei auf der
Oberfläche der Unterlage 1 ausgebildeten Gegenkontakten
13, 14 zusammenwirkt. Durch Anlegen eines elektrostatischen
Feldes zwischen Kraftelektrode 2 und Anker 4 über nicht
näher dargestellte Zuleitungen wird der Anker 4 nach
unten um die Torsionsbalken 7, 8 gekippt und so die Gegen
kontakte 13, 14 durch den Schaltkontakt 12 überbrückt,
nach Abschalten des elektrostatischen Feldes wird der
Anker 4 durch die Torsionskraft der Torsionsbalken 7, 8
wieder in die dargestellte Ausgangslage zurückgekippt.
Fig. 2 zeigt eine Weiterbildung des erfindungsgemäßen
Mikroschalters nach Fig. 1, hier besteht das Ankerteil
3 aus zwei von den die Kippachse 9 bildenden Torsions
balken 7, 8 nach entgegengesetzten Seiten abstehenden
Ankern 4 und 4′, denen jeweils gesonderte Kraftelektroden
2 bzw. 2′ zugeordnet sind. An den freien Enden dieser
Anker 4, 4′ sind wieder wie in Fig. 1 entsprechende
Schaltkontakte 12 vorgesehen, die beispielsweise wiederum
mit auf beiden Seiten angebrachten Gegenkontakten 13,
14 zusammenwirken. Die Schalterkonstruktion nach Fig.
2 besitzt den Vorteil, daß je nach eingeschalteter
Elektrode 2 oder 2′ das wippenartige Ankerteil 3 auf
die eine oder andere Seite gekippt wird, also nicht nur
das Schließen der Kontakte durch elektrostatische Kraft
einwirkung erfolgt, sondern auch das anschließende Wieder
öffnen der Kontakte. Ein Schalter nach Fig. 2 kann ent
weder als einzelner Ein-Schalter benutzt werden, der
durch elektrostatische Krafteinwirkung geschlossen und
geöffnet werden kann, es können aber auch im Sinne des
Ausführungsbeispiels auf beiden Seiten Schaltkontakte
vorgesehen sein, so daß zwei alternativ betätigbare
Ein-Schalter entstehen oder ein entsprechender Um-Schal
ter.
Fig. 3 bis 6 zeigen ein Verfahren zum
Herstellen eines solchen beispielsweise in den Fig. 1
und 2 dargestellten Mikroschalters.
Nach Fig. 3 wird zunächst auf einer Unterlage 1 die fest
stehende elektrostatische Kraftelektrode 2 aufgebracht.
Für die Unterlage 1 ist jedes in der Mikromechanik übliche
Material geeignet, beispielsweise Glas, Quarz, Saphir,
das Material muß nur die Eigenschaft haben, daß es sich
für die anschließend näher beschriebenen Schicht-Auftrag
verfahren eignet und an die hierbei auftretenden Tempera
turen und chemischen Ätzprozesse angepaßt ist. Vorzugs
weise wird als Material für die Unterlage 1 Silizium
oder ein SOI-Wafer (Silicon On Isolator) benutzt. In
diesem Fall kann die Kraftelektrode 2 durch Eindiffusion
oder Implantation von gegenüber dem Grundmaterial iso
lierten leitfähigen Zonen hergestellt werden. Anschließend
wird die gesamte Oberfläche mit einer Isolierschicht
20 abgedeckt, vorzugsweise aus Siliziumnitrid oder eine
Kombination aus Siliziumoxid und Siliziumnitrid. Diese
Isolierschicht 20 dient zum Schutz der Unterlage 1 beim
anschließenden näher beschriebenen Ätzvorgang und ist
nur für dieses Unterlagenmaterial nötig, für andere
Materialien der Unterlage, die durch Ätzen nicht beein
trächtigt werden, kann diese Isolierschicht 20 entfallen.
Nach Fig. 4 wird dann auf der Oberseite der Isolierschicht
20 mindestens im Bereich oberhalb der Kraftelektrode
2 eine Schicht 21 aus einem Material aufgebracht, das
später durch Ätzen, Plasmaätzen oder auf andere Weise
wieder entfernt werden kann. In dem gezeigten Ausfüh
rungsbeispiel wird eine Schicht 21 aus Phosphor-Sili
zium-Glas (PSG) benutzt, die nach dem CVD-Verfahren
(Chemical Vapor Deposition) aufgebracht wird. Diese
Schicht 21 wird anschließend durch ein bekanntes foto
lithographisches Verfahren so strukturiert, daß sie
einerseits in der Größe des Ankers 4 bestehen bleibt,
jedoch die Lagerabschnitte 5 und 6 auf der Oberseite
der Isolierschicht 20 frei läßt. Anschließend wird dann
eine Schicht 22 wiederum durch ein in der Mikromechanik
übliches Auftragverfahren aufgetragen und zwar aus einem
Material, das für die Ausbildung des Ankerteiles 3 vor
gesehen ist. Wenn gesonderte Elektroden am Ankerteil
3 vermieden werden sollen, wird als Material für diese
Schicht 22 ein elektrisch leitendes Material benutzt,
beispielsweise polykristallines Silizium geeigneter
Dotierung, das wiederum im CVD-Verfahren aufgebracht
wird. Auch diese zusätzliche Schicht 22 wird anschließend
fotolithographisch entsprechend der Form des gewünschten
Ankerteiles 3 strukturiert, es wird also aus dieser
Schicht 22 das in Fig. 1 oder Fig. 2 dargestellte Anker
teil 3 ausgeätzt. Vorzugsweise wird die Gesamtanordnung
dann thermisch so behandelt, daß das Ankerteil 3 aus
Polysilizium frei von mechanischen Spannungen ist.
Anschließend werden dann gemäß Fig. 5 die gewünschten
Schaltkontakte 12 bzw. 13, 14 angebracht, ebenso die
elektrische Kontaktierung für die Kraftelektrode 2 und
das Ankerteil 3. Dies erfolgt wieder in bekannter Weise
durch Sputtern, Bedampfen oder mit chemischen oder elek
trochemischen Verfahren und entsprechende fotolithogra
phische Strukturierung. Zunächst werden beispielsweise
die Gegenkontakte 13, 14 auf der Oberseite der Isolier
schicht 20 aufgebracht, dann wird im Bereich unterhalb
des aufzubringenden Konaktes 12 ein nicht dargestellter
Fotolack aufgetragen und schließlich dann in der ge
wünschten Struktur der Schaltkontakt 12 hergestellt,
der Fotolack wird dann wieder entfernt, so daß die sich
überlappenden und im Ruhezustand im Abstand voneinander
liegenden Schaltkontakte entstehen.
Als letzter Fertigungsschritt wird gemäß Fig. 6 die
Trägerschicht 21 durch Ätzen entfernt, wobei ein Ätzmittel
verwendet wird, das gegenüber den übrigen Materialien,
also in dem Beispiel gegenüber Polysilizium und Silizium
nitrid eine hohe Selektivität besitzt. Nach diesem Ätz
vorgang liegt der Anker 4 des Ankerteiles 3 im gewünschten
Abstand frei gegenüber der Kraftelektrode 2. Um diese
Ätzung zu erleichtern kann das Ankerteil 4 mit Löchern
versehen werden, die den Ätzangriff auf die Trägerschicht
21 erleichtern. Gleichzeitig verringern diese Löcher
die Dämpfung der Schaltbewegung durch die Umgebungsluft
und gestatten damit kürzere Schaltzeiten.
Bei entsprechend gut leitendem Material für das Ankerteil
können die zusätzlichen Schaltkontakte 12 gegebenenfalls
auch entfallen. Bei allen zusätzlich aufgebrachten
Metallschichten auf dem Ankerteil wird darauf geachtet,
daß diese Metallschichten sehr dünn im Vergleich zur
Dicke des Ankerteiles sind, damit letzteres möglichst
spannungsfrei bleibt.
Claims (3)
1. Elektrostatisch betätigbarer Mikroschalter, der in einem Stück durch
Ätzen hergestellt ist, mit einer
auf einer Unterlage (1) aufgebrachten Kraftelektrode (2),
einem im Abstand gegenüber
der Kraftelektrode (2) gehaltenen Anker (4), einem
auf der Unterlage (1) befestigten Lagerabschnitt und
einem diesen Lagerabschnitt mit dem Anker verbindenden
Gelenk, dadurch gekennzeichnet,
daß das Gelenk durch zwei seitlich vom Anker (4) in
Richtung der Kippachse (9) abstehende und jeweils
in einem auf der Unterlage (1, 3) befestigten Lager
abschnitt (5, 6) endenden Torsionsbalken (7, 8) gebildet
ist.
2. Mikroschalter nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Ankerteil (3) als Wippe
mit zwei von der Kippachse (9) nach entgegengesetzten
Seiten abstehenden Ankern (4, 4′) ausgebildet ist und
jedem Anker (4, 4′) eine gesonderte Kraftelektrode
(2, 2′) zugeordnet ist.
3. Mikroschalter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß der Anker (4, 4′)
Löcher aufweist.
Priority Applications (1)
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- 1991-04-23 DE DE19914113190 patent/DE4113190C1/de not_active Expired - Fee Related
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