DE4106333C1 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum
Galvanisieren von mit Lochungen versehenen plattenförmigen Werkstücken,
insbesondere von Leiterplatten, wobei das zu behan
delnde Werkstück sich zwischen einer ersten und einer zwei
ten Anode befindet.
Bisher war es bei galvanotechnischer Anwendung üblich, daß die
beiden Anoden zusammen an eine gegenüber dem Werkstück
(Kathode) positive Spannung gelegt wurden und somit gleich
zeitig von beiden Seiten das Werkstück behandelten. Die
Praxis hat gezeigt, daß die auf den Innenwandungen der
Lochungen entstehende Schicht dünner ist als die Schicht auf
den beidseitigen, außen gelegenen Flächen der Platte. Die
ses, in der Praxis möglichst zu vermeidende Mißverhältnis
wurde mit zunehmender Größe der Verhältniszahl "Plattendicke
geteilt durch Lochungsdurchmesser" immer stärker. Letztend
lich besteht die Gefahr, daß die Lochungsinnenwandung völlig
ungenügend mit einer Schicht versehen wird. Um dies zu
vermeiden, hat man schon besondere Maßnahmen angewendet, um
den Flüssigkeitsaustausch durch die Lochungen hindurch zu
verbessern, d. h. um eine möglichst große Menge der Flüssig
keit des Galvanisierbades durch die Lochungen hindurchtreten
zu lassen und dadurch den Auftrag an Schicht zu stärken.
Diese Technik hat sich zwar bewährt und hat außerdem dafür
gesorgt, daß in den Lochungen hängengebliebene kleine Luft
bläschen, welche das Aufbringen einer Schicht verhindern
können, aus den Lochungen entfernt werden.
Die Aufgaben- bzw. Problemstellung der vorliegenden Erfin
dung besteht zunächst, ausgehend vom eingangs genannten
Oberbegriff des Anspruches 1, darin, das Verhältnis Dicke
des Materialauftrages oder Schicht auf den Plattenaußenflä
chen zur Dicke der Schicht an den Innenwänden der Lochungen
günstiger zu gestalten, d. h. in Richtung zum Wert 1:1 hin.
Die Lösung dieser Aufgabe wird zunächst darin gesehen, das
Verfahren gemäß Oberbegriff des Anspruches 1 so zu gestal
ten, daß alternierend die erste Anode und die zweite Anode
an positive Spannung gelegt werden, während das die Kathode
bildende und zu behandelnde Werkstück stets an einer gegen
über der aktiven Anode negativen Spannung anliegt.
Dabei ist mit "aktiver Anode" dieje
nige Anode gemeint, die jeweils an positive Spannung gelegt
ist. Bei dieser Verfahrensweise wird die Schicht an den Lo
chungsinnenwänden stets an dem Lochungsende am stärksten
aufgetragen werden, dem die aktive, d. h. an positiver Span
nung gelegte Anode gegenüber liegt. Diese Schicht wird sich
dann unter Verringerung ihrer Dicke bis etwa zum anderen
Lochungsende hin erstrecken, welches sich gegenüber der in
diesem Verfahrensabschnitt unaktiven Anode befindet. Wird
nun die positive Spannung an die letztgenannte Anode gelegt,
so wird der Lochungsbereich, der sich auf der Seite dieser
Anode befindet, entsprechend stärker mit einer Schicht
versehen, während der Lochungsbereich gegenüber der anderen,
jetzt unaktiven Anode weniger an Niederschlag des Schichtma
terials erhält. Das alternierende Aufbringen von Schichtma
terial von der einen und dann wieder von der anderen Seite
des Werkstückes her schafft im Endergebnis, wie Versuche
gezeigt haben, eine Dicke des Schichtmaterials in den Lo
chungen, die wesentlich näher an die Dicke der Schichten auf
den beidseitigen, außengelegenen Flächen der Platte heran
kommt, als bisher erreichbar war. Außerdem ergibt sich der
weitere Vorteil, daß die Dicke der Schicht in den Lochungen
wesentlich weniger zu deren Mittenbereich hin abnimmt (auch
der letztgenannte Nachteil war bei Anwendung der bisherigen
Verfahrensweisen gegeben).
Die Merkmale des Anspruches 2 beinhalten einen beispielswei
sen Bereich der periodischen Expositionsdauer, ohne daß die
Erfindung hierauf beschränkt ist.
Erfolgen während des Galvanisierens Unterbrechungen des
Galvanisierstromes, und zwar auch nur kurzzeitige Unterbre
chungen, so bilden sich durch Rücklösung Kristalle, die im
Querschnittsschliff eines aufgetragenen Belages als relativ
dünne Schicht erscheinen. In der Fachwelt wird teilweise die
Auffassung vertreten, daß eine solche Schicht die Qualität
des Endproduktes verschlechtert. Um dies zu vermeiden ist es
bekannt, während eines Galvanisiervorganges, bei dem solche
Unterbrechungen auftreten können, ständig einen sogenannten
Haltestrom von der oder den Anoden zu dem zu galvanisieren
den Werkstück fließen zu lassen. Die Stromstärken dieser
Halteströme sind wesentlich geringer als die Stromstärken
der Galvanisierströme. Die Halteströme genügen aber, um im
Falle kurzzeitiger Unterbrechungen der Galvanisierströme die
o. g. Kristallbildung zu vermeiden, d. h. sie halten eine
Galvanisierung aufrecht. Die Durchführung des erfindungsge
mäßen Verfahrens kann, je nach der hierzu vorgesehenen
Schaltungsanordnung, kurzzeitige Unterbrechungen des Galva
nisierstromes implizieren. Um in solchen Fällen die eingangs
erläuterten Qualitätsbedenken zu beheben, ist vorgesehen,
daß die Verfahrensmaßnahme nach Anspruch 1, oder nach An
spruch 1 und 2, durch die Verfahrensmaßnahme nach Anspruch 3
ergänzt wird.
Der Erfindung liegt ferner die Aufgabe zugrunde, Anordnungen
zur Durchführung eines oder mehrerer der vorstehend erläu
terten Verfahrensmaßnahmen zu schaffen, und zwar mit einem
einwandfreien Funktionsablauf, jedoch mit möglichst geringem
Herstellungsaufwand.
Zur Lösung dieser Aufgabe ist zunächst die Anordnung gemäß
Anspruch 4 vorgesehen. Hiermit werden nur ein einziger
Galvanisiergleichrichter und der zugehörige Umschalter
benötigt. Falls die Aufbringung eines Haltestromes gewünscht
wird, um die vorstehend erläuterten Bedenken der Unterbre
chung des Galvanisierstromes beim Umschalten der positiven
Spannung des Gleichrichters auf die erste oder die zweite
Anode zu beheben, kann eine Anordnung gemäß Anspruch 5 mit
einem Haltestromgleichrichter und zwei Sperrdioden vorgese
hen sein. Hiermit ist die Stärke des Haltestromes über den
Haltegleichrichter einstellbar. Die Sperrdioden bewirken,
daß der Galvanisierstrom des Galvanisiergleichrichters stets
nur zu der aktiven Anode, nicht aber zu der jeweils inakti
ven Anode gelangt.
Die Anordnung nach Anspruch 4 kann auch durch die Merkmale
des Anspruches 6 mit einem Haltestrom versorgt werden. Auch
hier wird nur ein Galvanisiergleichrichter benötigt. Ein
Haltestromgleichrichter entfällt. Die Herstellungskosten
sind also minimal. Die zusätzlichen Verlustleistungen in den
Widerständen der Haltestromkreise halten sich in vertretba
ren Grenzen.
Die Anordnung nach Anspruch 7 ist zwar für sich bekannt,
jedoch nicht zur Durchführung eines oder mehrerer der vorge
nannten Verfahren. Sie bietet eine Alternative zu den Anord
nungen nach den Ansprüchen 4 bis 6. Auch ist die Aufrechter
haltung von Halteströmen möglich, wie es die hierzu vorteil
hafte Lösung nach Anspruch 8 zeigt.
Weitere Vorteile und Merkmale der Erfindung sind der nach
stehenden Beschreibung und den zugehörigen, im wesentlichen
schematischen Zeichnungen zu entnehmen. In der Zeichnung
zeigt:
Fig. 1 eine Anordnung mit Verwendung nur eines Galva
nisiergleichrichters und Schaffung eines Halte
stromes,
Fig. 2 eine weitere Anordnung der Erfindung, mit nur
einem Galvanisiergleichrichter und einer gegen
über Fig. 1 anderen Form der Schaffung eines
Haltestromes,
Fig. 3 eine Anordnung nach der Erfindung mit zwei
Galvanisiergleichrichtern, wobei ebenfalls
Halteströme geschaffen werden können.
Soweit in den nachstehend erläuterten Ausführungsbeispielen
die Bauteile einander gleich sind, haben sie auch die glei
chen Bezugsziffern erhalten.
Fig. 1 zeigt ein plattenförmiges Werkstück 1, insbesondere
eine Leiterplatte, mit Lochungen, z. B. Bohrungen 2. Aus
zeichnerischen Gründen ist hier nur eine von mehreren Lo
chungen dargestellt. Außerdem ist ebenfalls aus zeichneri
schen Gründen der Durchmesser der Lochung 2 im Verhältnis
zur Dicke der Platte 1 zu groß dargestellt. In Wirklichkeit
liegt z. B. bei Leiterplatten das Verhältnis der Dicke der
Leiterplatte zum Durchmesser der Lochung in der Größenord
nung von 8:1 oder noch höher. Auch aus Gründen der zeich
nerischen Darstellung sind die durch das Galvanisieren auf
den Außenflächen des Werkstückes 1 und an den Innenwänden
der Lochungen 2 aufgetragenen Schichten nicht dargestellt.
Das die Kathode bildende Werkstück 1 befindet sich zusammen
mit einer ersten Anode 3 und einer zweiten Anode 4 innerhalb
eines nur strichpunktiert angedeuteten Badbehälters 5 zum
Galvanisieren oder dergleichen. Die Badoberfläche ist mit
der gestrichelten Linie 5′ angedeutet.
Außerhalb des Bades ist ein Galvanisiergleichrichter 6
vorgesehen, dessen negative Seite 7 an das Werkstück (Katho
de) 1 angeschlossen ist, während seine positive Seite 8 an
der Eingangsseite 9 eines Umschalters 10 anliegt. Der Um
schalter 10 wird über die jeweils gewünschte periodische
Expositionsdauer entweder an den Anschluß 11 einer zur
ersten Anode 3 führenden Leitung 12, oder an den Anschluß 13
einer zur zweiten Anode 4 führenden Leitung 14 gelegt. Dabei
wird unter der periodischen Expositionsdauer die Zeit ver
standen, über die eine der Anoden an positive Spannung
gelegt wird. Dagegen ist die Gesamtexpositionsdauer gleich
der Zeit der gesamten Behandlung eines Werkstückes.
In der Stellung des Umschalters gemäß Fig. 1 hat somit die
zweite Anode 4 eine positive Spannung gegenüber dem Werk
stück (Kathode) 1, während die Spannung der ersten Anode (3)
ohne Haltestromgleichrichter 15 gegenüber dem Werkstück
(Kathode) 0 V beträgt. Es stellt sich also ein Galvanisier
strom von der zweiten Anode 4 zum Werkstück 1 ein. Wird der
Umschalter 10 zur Anlage an den Kontakt 11 gebracht, so
ergibt sich eine Umkehrung der Spannungs- und Stromverhält
nisse derart, daß nun die erste Anode 3 gegenüber dem Werk
stück 1 positiv ist und die zweite Anode 4 ohne Haltestrom
gleichrichter 15 gegenüber dem Werkstück (Kathode) die
Spannung 0 V hat. Der Galvanisierstrom verläuft von der
ersten Anode 3 zum Werkstück 1. Die periodische Expositions
dauer jeder Anode kann beispielsweise ca. 1 min. betragen.
Ferner kann ein Haltestromgleichrichter 15 vorgesehen sein,
der minusseitig ebenfalls an das Werkstück 1 (Kathode)
angeschlossen ist und plusseitig zu einer Leitung 18 führt,
die jeweils mit den Eingangsseiten von Sperrdioden 17 und 18
elektrisch verbunden ist.
Die Wirkungsweise ist wie folgt: Der Umschalter 10, der
entweder ein elektronisches oder ein elektromechanisches
Schaltmittel sein kann, wird über die gewünschte Gesamtexpo
sitionsdauer alternierend mit den periodischen Expositions
dauern an die Kontakte 11 und 13 gelegt, wodurch der Seiten
wechsel der Galvanisierströme bewirkt wird. Da die Spannung
des Haltestromgleichrichters 15 kleiner ist, z. B. 2 V, als
die z. B. 3 V betragende Spannung des Galvanisiergleichrich
ters 8, kann der Haltestrom immer nur über die Sperrdiode
(Entkopplungsdiode) 17 bzw. 18 fließen, deren Ausgangsseite
17′ bzw. 18′ nicht an der Spannung des Galvanisiergleich
richters 6 liegt. Dies bedeutet, daß in der Schaltlage gemäß
Fig. 1 der Haltestrom über die Sperrdiode 17 zur ersten
Anode 3 und von dieser zum Werkstück 1 fließt. Liegt dagegen
der Umschalter 10 am Kontakt 11 an, so fließt dann der
Haltestrom über die andere Sperrdiode 18 zur zweiten Anode 4
und von dieser zum Werkstück 1. Auch während des Zeitraumes
des Umschaltens des Schalters 10 von Punkt 13 zu Punkt 11
bzw. umgekehrt fließt ein Haltestrom zumindest über die
bisher vom Haltestrom durchflossene Anode, gegebenenfalls
auch während dieses relativ kurzen Zeitraumes über beide
Anoden.
Es empfiehlt sich, daß die Sperrdioden von einer Bauart
sind, die sehr schnell, zumindest im Mikrosekundenbereich,
vom sperrenden in den leitenden Zustand übergehen. Die
Stärke des Haltestromes kann durch entsprechende Einstellung
des Haltestromgleichrichters verändert werden.
Im Beispiel der Fig. 2 ist die Anordnung von Anoden, Katho
den, Galvanisiergleichrichter und Umschalter die gleiche wie
im Beispiel der Fig. 1. Insoweit kann also zu Aufbau und
Funktion auf die vorstehenden Erläuterungen verwiesen wer
den. Für die Aufrechterhaltung eines Haltestromes sind hier
zwei Widerstände 19, 20 vorgesehen, deren Größe einstellbar
oder regelbar sein kann. Die Widerstände 19, 20 sind zwi
schen der Plusseite 8 des Galvanisiergleichrichters 6 und
den Zuleitungen 12 bzw. 14 zur ersten Anode 3 bzw. zur
zweiten Anode 4 geschaltet. Der Haltestrom wird somit vom
Galvanisiergleichrichter 6 miterzeugt. Es entfällt also der
Haltestromgleichrichter 15 der Ausführung nach Fig. 1.
Aufgrund der Widerstände 19, 20 ist der Haltestrom ent
sprechend kleiner als der jeweilige Galvanisierstrom. Die
vorstehend beschriebene und in Fig. 2 dargestellte Schaltung
zeigt, daß stets ein Haltestrom fließt. Hinzu kommt eine
gewisse Entlastung des Umschalters 10 durch die Widerstände.
In der Schaltungsanordnung nach Fig. 3 sind zwei Galvani
siergleichrichter 21, 22 vorgesehen, die ebenfalls mit ihren
Minusseiten 23, 24 an das Werkstück 1 (Kathode) angeschlos
sen sind, dagegen mit ihren Plusseiten 25, 26 an die erste
Anode 3 bzw. die zweite Anode 4. Durch eine nicht darge
stellte, konventionelle Steuerung wird abwechselnd der eine
Galvanisiergleichrichter, z. B. 21, im Sinne des Verfahrens
über die Gesamtexpositionsdauer zugeschaltet und der andere
Galvanisiergleichrichter, in diesem Beispiel 22, abgeschal
tet oder zumindest in seiner Spannung gegenüber der Spannung
des Arbeitsstromgleichrichters 21 reduziert. Nach Ablauf der
eingestellten Expositionsperiode wird dafür gesorgt, daß im
vorliegenden Beispiel der Galvanisiergleichrichter 22 nun
mehr die an ihn angeschlossene zweite Anode 4 mit einer
positiven Spannung versorgt, d. h. daß von dieser Anode her
galvanisiert wird, während der Galvanisiergleichrichter 21
heruntergefahren wird. Die Spannung der jeweils nicht akti
ven Anode kann gegenüber der Spannung der Kathode etwas
positiv in dem Sinne gehalten werden, daß von dieser Anode
zum Werkstück (Kathode) ein Haltestrom fließt. Hierzu kann
eine nicht gesondert dargestellte Schaltanordnung derart
vorgeschaltet sein, daß sich die Einschaltzeiten der beiden
Gleichrichter 21, 22 überlappen.
Claims (8)
1. Verfahren zum Galvanisieren von mit Lochungen versehenen
Werkstücken wie Platten, insbesondere Leiterplatten,
wobei das zu behandelnde Werkstück sich zwischen einer
ersten und einer zweiten Anode befindet, dadurch gekenn
zeichnet, daß alternierend die erste Anode (3) und die
zweite Anode (4) an positive Spannung gelegt werden,
während das die Kathode bildende, zu behandelnde Werk
stück (1) stets gegenüber der aktiven Anode an negativer
Spannung liegt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine
periodische Expositionsdauer jeder der Anoden (3, 4) von
etwa 1 min.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch
die Zuschaltung eines ständig fließenden Haltestromes.
4. Anordnung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der
Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß ein den
Galvanisierstrom liefernder Galvanisiergleichrichter (6)
vorgesehen und minusseitig (7) an das Werkstück (1) und
plusseitig (8) an den Eingang eines Umschalters (10)
angeschlossen ist, dessen Ausgang wahlweise an eine
Zuleitung (12) bzw. (13) an die erste Anode (3) bzw. an
die zweite Anode (4) legbar ist.
5. Anordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß
ferner ein Haltestromgleichrichter (15) vorgesehen ist,
der minusseitig an das Werkstück (1) und plusseitig (16)
über Sperrdioden (17) bzw. (18) an die erste Anode (3)
bzw. an die zweite Anode (4) angeschlossen ist, wobei die
wirksame Spannung des Haltestromgleichrichters (15)
kleiner ist als die Spannung des Galvanisiergleichrich
ters (6).
6. Anordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß
die positive Ausgangsseite (8) des Galvanisiergleichrich
ters (6) über je einen, in seinem Widerstandswert bevor
zugt verstellbaren Widerstand (19, 20) an die erste Anode
(3) und die zweite Anode (4) angeschlossen ist.
7. Anordnung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der
Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß zwei
Galvanisiergleichrichter (21, 22) vorgesehen und jeweils
minusseitig (23, 24) an das Werkstück (1) und plusseitig
(25, 26) an die erste und die zweite Anode (3, 4) ange
schlossen sind.
8. Anordnung nach Anspruch 7, gekennzeichnet durch eine
Schaltanordnung derart, daß sich die Einschaltzeiten der
beiden Galvanisiergleichrichter (21, 22) überlappen.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19914106333 DE4106333C1 (de) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | |
EP19920905629 EP0573511A1 (de) | 1991-02-28 | 1992-02-26 | Verfahren zum galvanisieren von mit lochungen versehenen werkstücken, sowie anordnung zur durchführung dieses verfahrens |
PCT/DE1992/000162 WO1992015726A1 (de) | 1991-02-28 | 1992-02-26 | Verfahren zum galvanisieren oder dergleichen von mit lochungen versehenen werkstücken, sowie anordnungen zur durchführung dieses verfahrens |
CA002105078A CA2105078A1 (en) | 1991-02-28 | 1992-02-26 | Process and arrangements for electroplating or the like of perforated workpieces |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19914106333 DE4106333C1 (de) | 1991-02-28 | 1991-02-28 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4106333C1 true DE4106333C1 (de) | 1992-07-16 |
Family
ID=6426109
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19914106333 Expired - Lifetime DE4106333C1 (de) | 1991-02-28 | 1991-02-28 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0573511A1 (de) |
CA (1) | CA2105078A1 (de) |
DE (1) | DE4106333C1 (de) |
WO (1) | WO1992015726A1 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4324330A1 (de) * | 1992-08-01 | 1994-02-03 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren zum elektrolytischen Behandeln von insbesondere flachem Behandlungsgut, sowie Anordnung, insbesondere zur Durchführung des Verfahrens |
DE10122276A1 (de) * | 2001-05-08 | 2002-11-21 | Multek Multilayer Technology G | Verfahren zum Beschichten von Lochwänden in Leiterplatten mit einem elektrisch leitenden Material |
DE19633796B4 (de) * | 1996-08-22 | 2012-02-02 | Hans Höllmüller Maschinenbau GmbH | Vorrichtung zum Galvanisieren von elektronischen Leiterplatten |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2181743A (en) * | 1985-07-16 | 1987-04-29 | Kay Kazuo | Metal plating of through holes in printed circuit boards |
US4678545A (en) * | 1986-06-12 | 1987-07-07 | Galik George M | Printed circuit board fine line plating |
DE3741459C1 (de) * | 1987-12-08 | 1989-04-13 | Blasberg Oberflaechentech | Verfahren zur Herstellung durchkontaktierter Leiterplatten |
US4871435A (en) * | 1988-10-14 | 1989-10-03 | Charles Denofrio | Electroplating apparatus |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1815925A1 (de) * | 1968-12-20 | 1970-06-25 | Telefunken Patent | Verfahren zum Verstaerken des Metallbelags auf einer Isolierstoffplatte |
-
1991
- 1991-02-28 DE DE19914106333 patent/DE4106333C1/de not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-02-26 CA CA002105078A patent/CA2105078A1/en not_active Abandoned
- 1992-02-26 WO PCT/DE1992/000162 patent/WO1992015726A1/de not_active Application Discontinuation
- 1992-02-26 EP EP19920905629 patent/EP0573511A1/de not_active Ceased
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2181743A (en) * | 1985-07-16 | 1987-04-29 | Kay Kazuo | Metal plating of through holes in printed circuit boards |
US4678545A (en) * | 1986-06-12 | 1987-07-07 | Galik George M | Printed circuit board fine line plating |
DE3741459C1 (de) * | 1987-12-08 | 1989-04-13 | Blasberg Oberflaechentech | Verfahren zur Herstellung durchkontaktierter Leiterplatten |
US4871435A (en) * | 1988-10-14 | 1989-10-03 | Charles Denofrio | Electroplating apparatus |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Patents Abstracts of Japan, C-725, 06.06.90, Vol. 14, Nr. 261 (JP 2-74 000 A) * |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4324330A1 (de) * | 1992-08-01 | 1994-02-03 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren zum elektrolytischen Behandeln von insbesondere flachem Behandlungsgut, sowie Anordnung, insbesondere zur Durchführung des Verfahrens |
DE19633796B4 (de) * | 1996-08-22 | 2012-02-02 | Hans Höllmüller Maschinenbau GmbH | Vorrichtung zum Galvanisieren von elektronischen Leiterplatten |
DE10122276A1 (de) * | 2001-05-08 | 2002-11-21 | Multek Multilayer Technology G | Verfahren zum Beschichten von Lochwänden in Leiterplatten mit einem elektrisch leitenden Material |
DE10122276B4 (de) * | 2001-05-08 | 2008-05-21 | Multek Multilayer Technology Gmbh & Co Kg | Verfahren zum Beschichten von Lochwänden in Leiterplatten mit einem elektrisch leitenden Material |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA2105078A1 (en) | 1992-08-29 |
WO1992015726A1 (de) | 1992-09-17 |
EP0573511A1 (de) | 1993-12-15 |
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