DE10122276A1 - Verfahren zum Beschichten von Lochwänden in Leiterplatten mit einem elektrisch leitenden Material - Google Patents

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Beschichten von Lochwänden in Leiterplatten (10) mit Kupfer oder einem sonstigen elektrisch leitenden Material. Die Erfindung schlägt vor, beidseitig einen Resist (18) auf die Leiterplatte (10) aufzubringen, an den Lochmündungen zu belichten und zu entwickeln, so dass die Schutzschichten (18) an den Mündungen der Löcher (12) geöffnet werden. Dabei sind die Öffnungen (19) in den Schutzschichten (18) kleiner als die Löcher (12), so dass die Schutzschichten (18) nach innen über Lochränder vorstehen. Anschließend wird in einem Galvanikbad eine Kupferschicht (20) auf die Lochwände aufgebracht. Da die Lochränder an den Mündungen der Löcher vom überstehenden Resist (18) abgedeckt sind, wird eine erhöhte Stromdichte an den Lochrändern und eine erhöhte, wulstartige Kupferabscheidung an den Lochmündungen vermieden. Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht eine lochindividuelle und von der Kupferschichtdicke auf der Leiterplattenoberfläche unabhängige Einstellung der Kupferschichtdicke in den Löchern (12).

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Beschichten von Lochwänden in Leiterplatten mit einem elektrisch leitenden Material gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.

Zur Bestückung mit elektronischen Bauelementen und zur Durchkontaktierung werden Löcher in Leiterplatten eingebracht und Lochwände mit einem elektrisch leitenden Material, beispielsweise mit Kupfer beschichtet. Die Beschichtung der Lochwände erfolgt üblicherweise galvanisch in einem Bad. Insbesondere bei Mehrschichtleiterplatten (Multilayer) tritt mit zunehmender Anzahl der Lagen und zunehmender Dicke der Leiterplatten das Problem auf, dass eine Schichtdicke des elektrisch leitenden Materials im Loch ungleichmäßig ist. An Mündungen der Löcher ist die Schichtdicke auf Grund einer hohen Stromdichte groß. Die hohe Stromdichte ist Folge einer umlaufenden Kante an der Lochmündung am Übergang von der Lochwand zur Leiterplattenoberfläche. Es kann u. U. zu einem "Zuwachsen" des Lochs mit Kupfer kommen. Im Mittelbereich des Lochs ist die Beschichtung der Lochwand infolge einer Verarmung von abzuscheidendem Material im Galvanikbad dünn. Das abzuscheidende, elektrisch leitende Material aus einem Galvanikbad wird beim Eintritt in das Loch in dessen Mündungsbereich abgeschieden und verarmt dadurch im weiteren Verlauf des Lochs. Durch die Dünne der Beschichtung der Lochwand mit elektrisch leitendem Material im Mittelbereich des Lochs fehlt eine ausreichende mechanische Stabilität, Rissbildung der Beschichtung und mangelhafte Durchkontaktierung können die Folge sein. Im Extremfall ist die Lochwand im mittleren Bereich des Lochs nicht beschichtet. Dieses Problem wird verschärft durch zunehmende Verringerung der Lochquermesser, die für zunehmend feinere und komplexere Strukturen der Leiterbahnanordnungen der Leiterplatten notwendig sind.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, ein Verfahren zum Beschichten von Lochwänden in Leiterplatten mit einem elektrisch leitenden Material vorzuschlagen, das bei großer Leiterplattendicke und zugleich engen Löchern eine zuverlässige Beschichtung der Lochwände mit elektrisch leitendem Material gewährleistet, ohne dass es hierbei zu einer Materialabscheidung von dickeren Schichten auf den Leiterplatten-Oberflächen kommt, die eine Strukturierung von feinen Schaltbildstrukturen erschwert bzw. ausschliesst.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Merkmale des Anspruchs 1 gelöst. Beim erfindungsgemäßen Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 wird beidseitig eine Schutzschicht auf die Leiterplatte aufgebracht, die eine Beschichtung der Leiterplattenoberflächen mit dem elektrisch leitenden Material verhindert. Danach werden die Löcher der Leiterplatte geöffnet, d. h. die Schutzschicht wird von den Mündungen der Löcher entfernt. Danach werden die Lochwände der geöffneten Löcher mit dem elektrisch leitenden Material beschichtet. Da die Schutzschicht eine Beschichtung der Leiterplatten­ oberflächen mit dem elektrisch leitenden Material verhindert, lässt sich eine grundsätzlich beliebig dicke Schicht des elektrisch leitenden Materials an den Lochwänden aufbringen. Eine ausreichende Schichtdicke auch im mittleren Bereich langer und enger Löcher ist dadurch möglich. Insbesondere lässt sich eine Schichtdicke des elektrisch leitenden Materials in den Löchern unabhängig von einer eventuell vorhandenen Beschichtung der Leiterplattenoberflächen herstellen, die Beschichtung kann in den Löchern dicker als auf den Leiterplattenoberflächen sein.

Die Schutzschicht kann beispielsweise eine lichtempfindliche Schicht (fotosensitiver Kopierlack, Resist) sein, die zum Öffnen der Löcher an den Löchern (Positivlack) oder außerhalb der Löcher (Negativlack) belichtet wird. In einem anschließenden Schritt wird die Schutzschicht in bekannter Weise beispielsweise durch Entwickeln an den belichteten oder an den nicht belichteten Stellen, also an den Mündungen der Löcher entfernt, und es werden dadurch die Löcher geöffnet. Auch die Verwendung einer nicht lichtempfindlichen Schutzschicht ist möglich, die Löcher werden dann mechanisch beispielsweise durch Bohren, Durchstechen oder mit Laser geöffnet. Das Beschichten der Lochwände der geöffneten Löcher mit dem elektrisch leitenden Material erfolgt beispielsweise galvanisch wie von der Leiterplattenproduktion her bekannt.

Eine Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, dass die Öffnungen der Löcher in der Schutzschicht kleiner als die Löcher selbst sind. Eine umlaufende Kante am Übergang der Löcher zu den Oberflächen der Leiterplatte ist von der Schutzschicht überdeckt, die Schutzschicht steht nach innen über diese umlaufende Kanten über. Dadurch wird ein Herauswachsen der Beschichtung der Lochwände mit dem elektrisch leitenden Material an den Mündungen der Löcher vermieden. Zusätzlicher Vorteil der über die Mündungsränder der Löcher nach innen stehenden Schutzschicht ist eine größere Toleranz der Positionierung der Öffnungen in Bezug auf die Löcher, also eine größere Toleranz bei der Registrierung. Auch bei außermittigen Öffnungen der Löcher überdeckt die nach innen stehende Schutzschicht die Lochränder vollständig, die Lochränder sind an keiner Stelle frei von der Schutzschicht.

Bei einer Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens sind die Öffnungen der Löcher in der Schutzschicht auf einer, nachfolgend als Oberseite bezeichneten Seite der Leiterplatte größer als auf der anderen, nachfolgend als Unterseite bezeichneten Seite der Leiterplatte. Die Bezeichnung als Ober- und Unterseite der Leiterplatte ist willkürlich und dient ausschließlich der Unterscheidung der beiden Seiten der Leiterplatte. Oberseite ist hierbei im Falle der Erzeugung der Durchgangsbohrungen mittels mechanischen Bohrens die Bohrereintrittsseite. Die kleinere Öffnung befindet sich auf der Bohrer­ austrittsseite, da dies die Seite ist, welche im Falle des mechanischen Bohrens aufgrund eines Bohrerverlaufes die registrierungskritischere ist. Bohrerverlauf ist eine unerwünschte seitliche Abweichung des Bohrers von einer vorgesehenen Bohrrichtung während des Bohrens.

Der geringere Austausch mit der Flüssigkeit des galvanischen Bades auf der Unterseite der Leiterplatte aufgrund der kleineren Öffnung kann mittels der Einstellung einer höheren Stromdichte im Galvanikbad auf dieser Seite kompensiert werden. Besonders vorteilhaft ist die Kombination der beiden Maßnahmen, die Öffnungen der Löcher in der Schutzschicht auf einer Seite der Leiterplatte kleiner als auf der anderen Seite herzustellen und die Stromdichte im Galvanikbad im zeitlichen Mittel auf der Seite der Leiterplatte größer einzustellen, auf der die Öffnungen der Löcher kleiner sind.

Die Größe der Öffnungen kann zudem individuell pro Loch und Durchmesser eingestellt werden, so dass die Möglichkeit gegeben ist, eine gewisse Unabhängigkeit in der Einstellung der Dicke der Beschichtung der Lochwände mit elektrisch leitendem Material bei verschiedenen Löchern in derselben Leiterplatte zu erreichen.

Eine Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, eine eventuell auf den Außenseiten der Leiterplatte vorhandene elektrisch leitende Beschichtung, beispielsweise eine Kupferschicht, vor dem Beschichten der Außenseiten der Leiterplatte mit der Schutzschicht vollständig oder teilweise zu entfernen. Mit teilweise Entfernen ist eine Verringerung der Schichtdicke der elektrisch leitenden Beschichtung auf den Außenseiten der Leiterplatte gemeint. Das gleiche Ergebnis erhält man, wenn die eventuell vorhandene, elektrisch leitende Beschichtung auf den Außenseiten der Leiterplatte vor dem Beschichten mit der Schutzschicht vollständig entfernt und anschließend wieder eine elektrisch leitende Beschichtung mit gewünschter Schichtdicke auf einer oder beiden Außenseiten der Leiterplatte aufgebracht wird. Man erhält in beiden Fällen eine Beschichtung einer oder beider Außenseiten der Leiterplatte mit elektrisch leitendem Material mit einer gewünschten Schichtdicke. Anschließend wird die Leiterplatte beidseitig mit der Schutzschicht beschichtet, die Löcher werden geöffnet und die Lochwände mit dem elektrisch leitenden Material beschichtet. Durch diese Ausgestaltung der Erfindung lässt sich eine Beschichtung der Außenseiten der Leiterplatte und der Lochwände der Löcher der Leiterplatte mit elektrisch leitendem Material erzielen, wobei die Schichtdicken auf den Außenseiten der Leiterplatte und an den Lochwänden unabhängig voneinander sind. Die Schichtdicke im Loch kann dadurch unabhängig von einer Schichtdicke auf den Außenseiten der Leiterplatte gewählt werden.

Nach der Beschichtung der Lochwände der geöffneten Löcher der Leiterplatte mit elektrisch leitendem Material werden die Schutzschichten von der Leiterplatte entfernt, was beispielsweise mechanisch durch Fräsen, Bürsten oder dgl. oder nasschemisch erfolgen kann. Nach dem Entfernen der Schutzschicht können Leiterbahnanordnungen auf den Außenseiten der Leiterplatte angebracht werden. Dies erfolgt beispielsweise in bekannter Weise auf fotolithographischem Wege.

Eine Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens sieht vor, ein Kontaktiermaterial und/oder ein Leitmittel für eine nachfolgende Bestückung der Leiterplatten mit elektronischen Bauelementen, ein Füllmittel und/oder ein sonstiges Material in die Löcher einzubringen, nachdem die Lochwände mit dem elektrisch leitenden Material beschichtet worden sind.

Eine Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens sieht vor, nach der Beschichtung der Leiterplatte mit der Schutzschicht nur einen Teil der Löcher der Leiterplatte zu öffnen. Es werden zunächst nur diejenigen Löcher geöffnet, in die nach der Beschichtung der Lochwände mit elektrisch leitendem Material das Kontaktiermaterial, das Leitmittel, das Füllmittel und/oder das sonstiges Material eingebracht werden soll. Die Lochwände der geöffneten Löcher werden in erfindungsgemäßer Weise mit dem elektrisch leitenden Material beschichtet und es wird anschließend das Kontaktiermaterial, das Leitmittel und/oder das sonstige Material in die geöffneten und mit elektrisch leitendem Material beschichteten Löcher eingebracht. Danach werden die übrigen oder auch nur ein Teil der übrigen Löcher geöffnet und deren Lochwände in erfindungsgemäßer Weise mit dem elektrisch leitenden Material beschichtet. Auch in diese Löcher kann anschließend eine gewünschtes Material eingebracht werden, wobei es sich um ein anderes Material handeln kann als dasjenige, das in die zunächst geöffneten und beschichteten Löcher eingebracht worden ist. Die Schritte des Öffnens eines Teils der Löcher, das Beschichten ihrer Lochwände mit elektrisch leitendem Material und das anschließende Einbringen von Kontaktiermaterial, Leitmittel und/oder einem sonstigen Material lässt sich mehrfach wiederholen, so dass in verschiedene Löcher unterschiedliche Materialien eingebracht und Löcher ohne solches Material und/oder ohne elektrisch leitende Beschichtung bleiben können.

Eine Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens sieht vor, die Schutzschicht oder den Resist zunächst nur auf einer Seite der Leiterplatte aufzubringen. Die Löcher werden anschließend von der anderen Seite der Leiterplatte her geöffnet. Da die Öffnungen der Schutzschicht durch die Löcher hindurch hergestellt werden, ist bei dieser Ausgestaltung der Erfindung die Positionierung der Öffnungen problemlos. Anschließend wird die Schutzschicht auf der anderen Seite der Leiterplatte aufgebracht und die Öffnungen der Löcher wird von der einen Seite der Leiterplatte her vorgenommen, die zuerst mit der Schutzschicht versehen und in der die Öffnungen bereits angebracht worden sind. Auch auf der als zweites mit der Schutzschicht versehenen Seite der Leiterplatte werden die Öffnungen in der Schutzschicht also durch die Löcher hindurch vorgenommen, so dass die Positionierung der Öffnungen in Bezug zu den Löchern problemlos ist. Danach werden die Lochwände in erfindungsgemäßer Weise mit dem elektrisch leitenden Material beschichtet.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels erläutert. Die sechs Figuren zeigen in schematisierter und vereinfachter Weise aufeinander folgende Schritte eines Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Verfahrens.

Fig. 1 zeigt eine Mehrlagen-Leiterplatte (Multilayer) 10, die mit durchgehenden Löchern 12 und beidseitig mit Ansenkungen 14 versehen ist. Die Löcher 12 sind durch mechanisches Bohren oder durch Laserbohren hergestellt, die Ansenkungen 14 sind ebenfalls mit Laser hergestellt. Eine eventuell vorhandene Kupferbeschichtung auf Außenseiten der Leiterplatte 10 ist vor dem Bohren beispielsweise durch vollflächiges Abätzen entfernt worden. Nach dem Anbringen der Löcher 12 und der Ansenkungen 14 werden die beiden Außenseiten der Leiterplatte 10 und die Lochwände mit einer Kupferschicht (Schichtdicke < 1 µm) 16 versehen. Anstelle von Kupfer kann auch ein anderes elektrisch leitendes Material aufgetragen werden.

Zur weiteren Beschichtung von Lochwänden der Löcher 12 mit elektrisch leitendem Material wird die gebohrte Leiterplatte 10 erfindungsgemäß wie folgt behandelt: Wie in Fig. 2 dargestellt wird auf beide Außenseiten der Leiterplatte 10 eine Schutzschicht 18 vollflächig aufgetragen, die eine Abscheidung von elektrisch leitendem Material in einem Galvanikbad auf den Außenseiten der Leiterplatte 10 verhindert. Im beschriebenen Ausführungsbeispiel ist die Schutzschicht 18 ein Resist 18, also ein fotosensitiver Kopierlack. Die Löcher 12 und die Ansenkungen 14 sind vom Resist 18 verschlossen.

Danach werden die Resists 18 auf beiden Seiten der Leiterplatte 10 im Mündungsbereich der Löcher 12 belichtet. Das Belichten erfolgt im beschriebenen Ausführungsbeispiel der Erfindung mittels Laser (LDI-Belichten, Laser Direct Imaging). Die Belichtung kann allerdings beispielsweise auch durch eine aufgelegte Maske hindurch erfolgen. Die belichteten Stellen der Resists 18 sind in Fig. 3 durch die abweichende Schraffur des Resists 18 dargestellt, sie sind durch Verwendung eines Positiv-Resists 18 löslich.

In einem nachfolgenden, in Fig. 4 dargestellten Verfahrensschritt werden die Resists 18 entwickelt, d. h. die belichteten Stellen der Resists 18 werden nasschemisch entfernt. Auf diese Weise werden die Löcher 12 der Leiterplatte 10 beidseitig geöffnet. Wie ebenfalls in Fig. 4 erkennbar, sind die Öffnungen 19 der Löcher 12 in den Resists 18 kleiner als die Löcher 12 selbst, die Resists 18 stehen nach innen über Ränder der Löcher 12 über. Wie ebenfalls in Fig. 4 zu sehen, sind die Öffnungen 19 der Löcher 12 in den Resists 18 auf einer Seite, im dargestellten Ausführungsbeispiel auf der unteren Seite der Leiterplatte 10 kleiner als auf der anderen Seite der Leiterplatte 10.

Bei Verwendung eines Negativ-Resists 18 anstelle eines Positiv-Resists 18 werden umgekehrt nicht die Mündungen der Löcher 12, sondern die übrige Oberfläche der Leiterplatte 10 belichtet und es werden durch Entwickeln die nicht belichteten Stellen der Resists 18 entfernt. Das Ergebnis ist dasselbe. Die Öffnungen 19 der Resists 18 an den Mündungen der Löcher 12 können anstatt fotolithographisch beispielsweise auch mechanisch durch Bohren oder mit Laser hergestellt werden. In diesem Fall brauchen die Resists selbstverständlich nicht fotosensitiv zu sein.

In einem weiteren, in Fig. 5 dargestellten Verfahrensschritt werden Lochwände der Löcher 12 mit einer Kupferschicht 20 als elektrisch leitendem Material versehen. Anstatt Kupfer kann auch ein anderes elektrisch leitendes Material, beispielsweise eine Nickel-Gold-Legierung auf die Lochwände aufgebracht werden. Die Kupferbeschichtung 20 wird in einem Galvanikbad aufgebracht, wobei die Leiterplatte 10 relativ zum Elektrolyt bewegt wird um eine Durchströmung der Löcher 12 zu erreichen. Zur Abscheidung des Kupfers auf den Lochwänden wird vorzugsweise ein gepulstes Gleichstrom-Potential an die Leiterplatte 10 angelegt und es wird vorzugsweise eine im zeitlichen Mittel höhere Stromdichte im Galvanikbad auf der Seite der Leiterplatte 10 eingestellt, auf der die Öffnungen 19 der Löcher 12 im Resist 18 kleiner sind. Da die Resists 18 nach innen über die Lochränder überstehen, die Lochränder also elektrisch nicht leitend abgedeckt sind, wird eine wulstartige Verdickung der Kupferbeschichtung im Mündungsbereich der Löcher 12 am Übergang zu den Außenseiten der Leiterplatte 10 vermieden. Durch die höhere Stromdichte auf der Seite der Leiterplatte 10, auf der die Öffnungen 19 im Resist 18 kleiner sind, wird die schlechtere Ein- und Ausströmung von Elektrolyt im Galvanikbad auf Grund der kleineren Öffnungen 19 kompensiert, es ergibt sich insgesamt eine gleiche Dicke der Kupferschicht 20 auf den Lochwänden über die gesamte Länge der Löcher 12. Die gleichbleibende Dicke der Kupferschicht 20 ist auch bei dicken Leiterplatten 10 und infolge dessen langen Löchern 12 selbst dann gewährleistet, wenn die Löcher 12 eng sind. Durch die gleiche Dicke der Kupferbeschichtung 20 über die gesamte Länge der Löcher 12 lässt sich die Dicke der Kupferschicht 20 an sich beliebig dick wählen.

Da die Kupferschichten 16 auf den Außenseiten der Leiterplatte 10 von den Resists 18 abgedeckt sind, scheidet sich hier kein Kupfer bei der Beschichtung der Lochwände ab. Die Dicke der Kupferschicht 20 auf den Lochwänden lässt sich daher unabhängig und insbesondere dicker als bei den Kupferschichten 16 auf den Außenseiten der Leiterplatte 10 einstellen. Durch Herstellen größerer oder kleinerer Öffnungen 19 der Resists 18 an den Mündungen der Löcher 12 lässt sich die Dicke der Kupferschicht 20 in den Löchern einstellen, wodurch es möglich ist, die Dicken der Kupferschichten 20 in den Löchern 12 von Loch 12 zu Loch 12 unterschiedlich auszubilden.

Nach dem Beschichten der Lochwände werden die Resists 18 chemisch, mechanisch oder in sonstiger Weise vollflächig entfernt. Als weiterer Arbeitsschritt werden, wie in Fig. 6 dargestellt, Leiterbahnen in den Kupferschichten 16 auf den Außenseiten der Leiterplatte 10 strukturiert. Dies ist an sich bekannt und soll deswegen hier nicht erläutert werden. Zur Strukturierung der Leiterbahnen kann Kupfer auf die Außenseiten der Leiterplatte 10 aufgebracht, die Kupferschichten 16 also verdickt werden. Dabei werden zugleich die Ansenkungen 14 mit einer Kupferschicht versehen und es wird eine zuverlässige, elektrisch leitende Verbindung der Kupferschichten 16 auf den Außenseiten der Leiterplatte 10 mit den Kupferbeschichtungen 20 der Lochwände erreicht.

Claims (13)

1. Verfahren zum Beschichten von Lochwänden in Leiterplatten mit einem elektrisch leitenden Material, dadurch gekennzeichnet, dass eine Leiterplatte (10) beidseitig mit einer Schutzschicht (18) beschichtet wird, dass danach die Löcher (12) geöffnet werden, und dass danach die Lochwände der geöffneten Löcher (12) mit dem elektrisch leitenden Material (20) beschichtet werden.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass Öffnungen (19) der Löcher (12) in der Schutzschicht (18) kleiner als die Löcher (12) sind.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Öffnungen (19) der Löcher (12) in der Schutzschicht (18) auf einer Seite der Leiterplatte (10) größer als auf der anderen Seite der Leiterplatte (10) sind.

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Beschichtung (20) der Lochwände der geöffneten Löcher (12) mit dem elektrisch leitenden Material (20) in einem Galvanikbad erfolgt.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass eine Stromdichte in dem Galvanikbad auf einer Seite der Leiterplatte (10) im zeitlichen Mittel größer als auf der anderen Seite der Leiterplatte (10) ist.

6. Verfahren nach Ansprüchen 3 und 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Stromdichte in dem Galvanikbad auf der Seite der Leiterplatte (10) größer ist, auf der die Öffnungen (19) der Löcher (12) in der Schutzschicht (18) kleiner sind.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass eine eventuell vorhandene elektrisch leitende Beschichtung (16) auf Außenseiten der Leiterplatte (10) vor dem Beschichten mit der Schutzschicht (18) vollständig oder teilweise entfernt wird.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass eine eventuell vorhandene, elektrisch leitende Beschichtung (16) auf Außenseiten der Leiterplatte (10) vor dem Beschichten mit der Schutzschicht (18) vollständig entfernt und anschließend wieder eine elektrisch leitende Beschichtung (16) auf eine oder beide Außenseiten der Leiterplatte (10) aufgebracht wird.

9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass nach der Beschichtung der Lochwände der geöffneten Löcher (12) mit elektrisch leitendem Material (20) die Schutzschichten (18) von der Leiterplatte (10) entfernt werden.

10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Entfernen der Schutzschichten (18) Leiterbahnanordnungen auf den Außenseiten der Leiterplatte (10) angebracht werden.

11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Beschichten der Lochwände mit dem elektrisch leitenden Material (20) ein Kontaktiermaterial, ein Leitmittel und/oder ein Füllmittel in die Löcher (12) eingebracht wird.

12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass nach der Beschichtung der Leiterplatte (10) mit der Schutzschicht (18) nur ein Teil der Löcher (12) der Leiterplatte (10) geöffnet, die Lochwände der geöffneten Löcher (12) mit dem elektrisch leitenden Material (20) beschichtet werden und ein Kontaktiermaterial, ein Leitmittel und/oder ein Füllmittel in die geöffneten Löcher (12) eingebracht wird, und dass danach weitere Löcher (12) geöffnet und die Lochwände dieser geöffneten Löcher (12) mit dem elektrisch leitenden Material (20) beschichtet werden.

13. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Schutzschicht (18) zunächst nur auf einer Seite der Leiterplatte (10) aufgebracht wird und die Löcher (12) von der anderen Seite der Leiterplatte (10) her durch die Löcher (12) hindurch geöffnet werden, dass danach die Schutzschicht (18) auf der anderen Seite der Leiterplatte (10) aufgebracht wird und die Löcher (12) auf dieser Seite der Leiterplatte (10) von der einen Seite der Leiterplatte (10) her durch die Löcher (12) hindurch geöffnet werden, und dass danach die Lochwände der geöffneten Löcher (12) mit dem elektrisch leitenden Material (20) beschichtet werden.