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Die
Erfindung betrifft ein Verfahren zum Beschichten von Lochwänden in
Leiterplatten mit einem elektrisch leitenden Material gemäß dem Oberbegriff des
Anspruchs 1.
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Zur
Bestückung
mit elektronischen Bauelementen und zur Durchkontaktierung werden
Löcher in
Leiterplatten eingebracht und Lochwände mit einem elektrisch leitenden
Material, beispielsweise mit Kupfer beschichtet. Die Beschichtung
der Lochwände
erfolgt üblicherweise
galvanisch in einem Bad. Insbesondere bei Mehrschichtleiterplatten
(Multilayer) tritt mit zunehmender Anzahl der Lagen und zunehmender
Dicke der Leiterplatten das Problem auf, dass eine Schichtdicke
des elektrisch leitenden Materials im Loch ungleichmäßig ist.
An Mündungen
der Löcher
ist die Schichtdicke auf Grund einer hohen Stromdichte groß. Die hohe
Stromdichte ist Folge einer umlaufenden Kante an der Lochmündung am Übergang
von der Lochwand zur Leiterplattenoberfläche. Es kann u.U. zu einem „Zuwachsen" des Lochs mit Kupfer
kommen. Im Mittelbereich des Lochs ist die Beschichtung der Lochwand
infolge einer Verarmung von abzuscheidendem Material im Galvanikbad
dünn. Das
abzuscheidende, elektrisch leitende Material aus einem Galvanikbad
wird beim Eintritt in das Loch in dessen Mündungsbereich abgeschieden
und verarmt dadurch im weiteren Verlauf des Lochs. Durch die Dünne der
Beschichtung der Lochwand mit elektrisch leitendem Material im Mittelbereich
des Lochs fehlt eine ausreichende mechanische Stabilität, Rissbildung
der Beschichtung und mangelhafte Durchkontaktierung können die
Folge sein. Im Extremfall ist die Lochwand im mittleren Bereich
des Lochs nicht beschichtet. Dieses Problem wird verschärft durch
zunehmende Verringerung der Lochquermesser, die für zunehmend
feinere und komplexere Strukturen der Leiterbahnanordnungen der
Leiterplatten notwendig sind.
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Das
Patent
US 4 518 465 offenbart
ein Verfahren zum Beschichten einer Metallkernplatte, die eine Eisenplatte
als Kern aufweist. Die Eisenplatte wird mit einem isolierenden Kunststofffilm
beschichtet, anschließend
wird in einem Galvanikbad ein Kupferfilm auf die Platte aufgetragen,
wobei die Metallkernplatte wiederholt kurzzeitig aus dem Galvanikbad
herausgehoben wird um anhaftende Gasblasen zum Platzen zu bringen.
Im Galvanikbad wird der Kupferfilm auf den Plattenoberflächen und
den Lochwänden
abgeschieden. Eine Beeinflussung eines Verhältnis der Schichtdicken des
Kupferfilms in den Löchern
und auf den Plattenoberflächen
ist nicht möglich.
Außerdem
kann es zu einer unerwünschten Wulstbildung
und sogar zu einem Zuwachsen der Löcher an den Lochmündungen
infolge der dort erhöhten
Stromdichte im Galvanikbad kommen. Die Lochmündungen weisen umlaufende Kanten
am Übergang
von den Lochwänden
zu den Plattenoberflächen
auf, die die erhöhte
Stromdichte im Galvanikbad bewirken.
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Das
Patent
US 3 772 101 offenbart
die Herstellung einer Leiterplatte. Die Leiterplatte wird gebohrt
und danach mit einer dünnen
elektrisch leitenden Schicht versehen, die sowohl die Oberflächen als
auch die Lochwände
der Leiterplatte bedeckt. Das Verhältnis der Schichtdicken in
den Löchern
und auf den Oberflächen
lässt sich
nicht beeinflussen sondern stellt sich von selbst ein. Auf den Oberflächen der
Leiterplatte ist die Beschichtung dicker weil sie dem Galvanikbad
stärker
ausgesetzt sind. Mit zunehmender Lochtiefe verarmt das abzuscheidende Material
im Galvanikbad, so dass die Beschichtung in den Löchern an
Längsmitten
der Löcher
am dünnsten
ist. An Lochmündungen
kann es zu einer Wulstbildung kommen, die Löcher können „zuwachsen".
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In
der Offenlegungsschrift
DE
1 811 377 A1 wird eine kupferbeschichtete Leiterplatte
gebohrt und vor einer Beschichtung von Bohrungswandungen werden
die kupferbeschichteten Oberflächen
der Leiterplatte mit einer Lackschicht versehen. Mit diesem Verfahren
ist es möglich,
die Schichtdicke des Kupfers in den Bohrungen unabhängig von
der Schichtdicke des Kupfers auf den Plattenoberflächen einzustellen.
In Richtung der Längsmitten
der Bohrungen wird die Beschichtung der Bohrungswandungen dünner weil
das abzuscheidende Material in Galvanikbad mit zunehmender Lochtiefe
verarmt, d. h. die Konzentration des abzuscheidenden Kupfers im
Galvanikbad verringert sich von den Bohrungsmündungen zu den Längsmitten
der Bohrungen. Außerdem
bilden die Bohrungsmündungen
Kanten, die eine erhöhte
Stromdichte im Galvanikbad bewirken, wodurch an den Lochmündungen
die Bildung umlaufender Kupferwulste zu besorgen ist, die Bohrungen können „zuwachsen".
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Die
Offenlegungsschrift
DE
1 640 083 A1 offenbart eine bereits mit Leitern versehene
und gebohrte Leiterplatte mit einem elektrisch leitenden Überzug zu
versehen, der auch die Lochwände
beschichtet. Anschließend
werden die Plattenoberflächen
mit einer elektrisch nicht leitenden Schutzschicht versehen, die
im Bereich der Lochmündungen
ausgenommen ist, und zwar mit einem größeren Durchmesser als die Löcher. Die
anschließende
Kupferbeschichtung erfolgt in den Löchern und setzt sich an den
Lochmündungen
auf die Plattenoberflächen fort,
soweit diese frei von den Schutzschichten sind. Bei diesem Verfahren
ist es ebenfalls möglich,
die Schichtdicke in den Löchern
unabhängig
von der Schichtdicke auf den Plattenoberflächen einzustellen. Allerdings
ist auch hier nicht das Problem gelöst, dass die Beschichtung zu
den Längsmitten
der Löcher
hin dünner
wird und es an den Lochmündungen zu
einer Wulstbildung kommen kann.
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Der
Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, ein Verfahren zum Beschichten
von Lochwänden
in Leiterplatten mit einem elektrisch leitenden Material vorzuschlagen,
das bei großer
Leiterplattendicke und zugleich engen Löchern eine zuverlässige Beschichtung
der Lochwände
mit elektrisch leitendem Material gewährleistet, ohne dass es hierbei
zu einer Materialabscheidung von dickeren Schichten auf den Leiterplatten-Oberflächen kommt,
die eine Strukturierung von feinen Schaltbildstrukturen erschwert
bzw. ausschliesst.
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Diese
Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die
Merkmale des Anspruchs 1 gelöst.
Beim erfindungsgemäßen Verfahren
mit den Merkmalen des Anspruchs 1 wird beidseitig eine Schutzschicht
auf die Leiterplatte aufgebracht, die eine Beschichtung der Leiterplattenoberflächen mit
dem elektrisch leitenden Material verhindert. Danach werden die
Löcher
der Leiterplatte geöffnet,
d.h. die Schutzschicht wird von den Mündungen der Löcher entfernt.
Danach werden die Lochwände
der geöffneten
Löcher mit
dem elektrisch leitenden Material beschichtet. Da die Schutzschicht
eine Beschichtung der Leiterplattenoberflächen mit dem elektrisch leitenden
Material verhindert, lässt
sich eine grundsätzlich
beliebig dicke Schicht des elektrisch leitenden Materials an den
Lochwänden
aufbringen. Eine ausreichende Schichtdicke auch im mittleren Bereich
langer und enger Löcher
ist dadurch möglich.
Insbesondere lässt
sich eine Schichtdicke des elektrisch leitenden Materials in den
Löchern
unabhängig
von einer eventuell vorhandenen Beschichtung der Leiterplattenoberflächen herstellen,
die Beschichtung kann in den Löchern
dicker als auf den Leiterplattenoberflächen sein.
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Die
Schutzschicht kann beispielsweise eine lichtempfindliche Schicht
(fotosensitiver Kopierlack, Resist) sein, die zum Öffnen der
Löcher
an den Löchern
(Positivlack) oder außerhalb
der Löcher
(Negativlack) belichtet wird. In einem anschließenden Schritt wird die Schutzschicht
in bekannter Weise beispielsweise durch Entwickeln an den belichteten oder
an den nicht belichteten Stellen, also an den Mündungen der Löcher entfernt,
und es werden dadurch die Löcher
geöffnet.
Auch die Verwendung einer nicht lichtempfindlichen Schutzschicht
ist möglich,
die Löcher
werden dann mechanisch beispielsweise durch Bohren, Durchstechen
oder mit Laser geöffnet.
Das Beschichten der Lochwände
der geöffneten
Löcher
mit dem elektrisch leitenden Material erfolgt beispielsweise galvanisch
wie von der Leiterplattenproduktion her bekannt.
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Die Öffnungen
der Löcher
in der Schutzschicht sind kleiner als die Löcher selbst. Eine umlaufende
Kante am Übergang
der Löcher
zu den Oberflächen
der Leiterplatte ist von der Schutzschicht überdeckt, die Schutzschicht
steht nach innen über diese
umlaufende Kanten über.
Dadurch wird ein Herauswachsen der Beschichtung der Lochwände mit dem
elektrisch leitenden Material an den Mündungen der Löcher vermieden.
Zusätzlicher
Vorteil der über die
Mündungsränder der
Löcher
nach innen stehenden Schutzschicht ist eine größere Toleranz der Positionierung
der Öffnungen
in Bezug auf die Löcher, also
eine größere Toleranz
bei der Registrierung. Auch bei außermittigen Öffnungen
der Löcher überdeckt
die nach innen stehende Schutzschicht die Lochränder vollständig, die Lochränder sind
an keiner Stelle frei von der Schutzschicht.
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Außerdem sind
die Öffnungen
der Löcher
in der Schutzschicht auf einer, nachfolgend als Oberseite bezeichneten
Seite der Leiterplatte größer als auf
der anderen, nachfolgend als Unterseite bezeichneten Seite der Leiterplatte.
Die Bezeichnung als Ober- und Unterseite der Leiterplatte ist willkürlich und dient
ausschließlich
der Unterscheidung der beiden Seiten der Leiterplatte. Oberseite ist
hierbei im Falle der Erzeugung der Durchgangsbohrungen mittels mechanischen
Rohrens die Bohrereintrittsseite. Die kleinere Öffnung befindet sich auf der
Bohreraustrittsseite, da dies die Seite ist, welche im Falle des mechanischen
Rohrens aufgrund eines Bohrerverlaufes die registrierungskritischere
ist. Bohrerverlauf ist eine unerwünschte seitliche Abweichung
des Bohrers von einer vorgesehenen Bohrrichtung während des
Bohrens.
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Der
geringere Austausch mit der Flüssigkeit des
galvanischen Bades auf der Unterseite der Leiterplatte aufgrund
der kleineren Öffnung
wird mittels der Einstellung einer höheren Stromdichte im Galvanikbad
auf dieser Seite kompensiert werden. Besonders vorteilhaft ist die
Kombination der beiden Maßnahmen,
die Öffnungen
der Löcher
in der Schutzschicht auf einer Seite der Leiterplatte kleiner als
auf der anderen Seite herzustellen und die Stromdichte im Galvanikbad
im zeitlichen Mittel auf der Seite der Leiterplatte größer einzustellen,
auf der die Öffnungen
der Löcher
kleiner sind.
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Die
Größe der Öffnungen
kann zudem individuell pro Loch und Durchmesser eingestellt werden, so
dass die Möglichkeit
gegeben ist, eine gewisse Unabhängigkeit
in der Einstellung der Dicke der Beschichtung der Lochwände mit
elektrisch leitendem Material bei verschiedenen Löchern in
derselben Leiterplatte zu erreichen.
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Eine
Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, eine eventuell auf den Außenseiten
der Leiterplatte vorhandene elektrisch leitende Beschichtung, beispielsweise
eine Kupferschicht, vor dem Beschichten der Außenseiten der Leiterplatte
mit der Schutzschicht vollständig
oder teilweise zu entfernen. Mit teilweise Entfernen ist eine Verringerung
der Schichtdicke der elektrisch leitenden Beschichtung auf den Außenseiten
der Leiterplatte gemeint. Das gleiche Ergebnis erhält man,
wenn die eventuell vorhandene, elektrisch leitende Beschichtung
auf den Außenseiten
der Leiterplatte vor dem Beschichten mit der Schutzschicht vollständig entfernt
und anschließend wieder
eine elektrisch leitende Beschichtung mit gewünschter eventuell vorhandene,
elektrisch leitende Beschichtung auf den Außenseiten der Leiterplatte vor
dem Beschichten mit der Schutzschicht vollständig entfernt und anschließend wieder
eine elektrisch leitende Beschichtung mit gewünschter Schichtdicke auf einer
oder beiden Außenseiten
der Leiterplatte aufgebracht wird. Man erhält in beiden Fällen eine Beschichtung
einer oder beider Außenseiten
der Leiterplatte mit elektrisch leitendem Material mit einer gewünschten
Schichtdicke. Anschließend
wird die Leiterplatte beidseitig mit der Schutzschicht beschichtet,
die Löcher
werden geöffnet
und die Lochwände
mit dem elektrisch leitenden Material beschichtet. Durch diese Ausgestaltung
der Erfindung lässt
sich eine Beschichtung der Außenseiten
der Leiterplatte und der Lochwände
der Löcher
der Leiterplatte mit elektrisch leitendem Material erzielen, wobei
die Schichtdicken auf den Außenseiten
der Leiterplatte und an den Lochwänden unabhängig voneinander sind. Die
Schichtdicke im Loch kann dadurch unabhängig von einer Schichtdicke
auf den Außenseiten
der Leiterplatte gewählt
werden.
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Nach
der Beschichtung der Lochwände
der geöffneten
Löcher
der Leiterplatte mit elektrisch leitendem Material werden die Schutzschichten
von der Leiterplatte entfernt, was beispielsweise mechanisch durch
Fräsen,
Bürsten
oder dgl. oder nasschemisch erfolgen kann. Nach dem Entfernen der
Schutzschicht können
Leiterbahnanordnungen auf den Außenseiten der Leiterplatte
angebracht werden. Dies erfolgt beispielsweise in bekannter Weise
auf fotolithographischem Wege.
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Eine
Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens
sieht vor, ein Kontaktiermaterial und/oder ein Leitmittel für eine nachfolgende
Bestückung
der Leiterplatten mit elektronischen Bauelementen, ein Füllmittel
und/oder ein sonstiges Material in die Löcher einzubringen, nachdem
die Lochwände
mit dem elektrisch leitenden Material beschichtet worden sind.
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Eine
Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens
sieht vor, nach der Beschichtung der Leiterplatte mit der Schutzschicht
nur einen Teil der Löcher
der Leiterplatte zu öffnen.
Es werden zunächst nur
diejenigen Löcher
geöffnet,
in die nach der Beschichtung der Lochwände mit elektrisch leitendem Material
das Kontaktiermaterial, das Leitmittel, das Füllmittel und/oder das sonstiges
Material eingebracht werden soll. Die Lochwände der geöffneten Löcher werden in erfindungsgemäßer Weise
mit dem elektrisch leitenden Material beschichtet und es wird anschließend das
Kontaktiermaterial, das Leitmittel und/oder das sonstige Material
in die geöffneten
und mit elektrisch leitendem Material beschichteten Löcher eingebracht.
Danach werden die übrigen
oder auch nur ein Teil der übrigen
Löcher
geöffnet
und deren Lochwände
in erfindungsgemäßer Weise
mit dem elektrisch leitenden Material beschichtet. Auch in diese
Löcher
kann anschließend
eine gewünschtes
Material eingebracht werden, wobei es sich um ein anderes Material
handeln kann als dasjenige, das in die zunächst geöffneten und beschichteten Löcher eingebracht
worden ist. Die Schritte des Öffnens
eines Teils der Löcher,
das Beschichten ihrer Lochwände
mit elektrisch leitendem Material und das anschließende Einbringen
von Kontaktiermaterial, Leitmittel und/oder einem sonstigen Material
lässt sich mehrfach
wiederholen, so dass in verschiedene Löcher unterschiedliche Materialien
eingebracht und Löcher
ohne solches Material und/oder ohne elektrisch leitende Beschichtung
bleiben können.
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Eine
Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens
sieht vor, die Schutzschicht oder den Resist zunächst nur auf einer Seite der
Leiterplatte aufzubringen. Die Löcher
werden anschließend
von der anderen Seite der Leiterplatte her geöffnet. Da die Öffnungen
der Schutzschicht durch die Löcher
hindurch hergestellt werden, ist bei dieser Ausgestaltung der Erfindung
die Positionierung der Öffnungen problemlos.
Anschließend
wird die Schutzschicht auf der anderen Seite der Leiterplatte aufgebracht
und die Öffnungen
der Löcher
wird von der einen Seite der Leiterplatte her vorgenommen, die zuerst
mit der Schutzschicht versehen und in der die Öffnungen bereits angebracht
worden sind. Auch auf der als zweites mit der Schutzschicht versehenen
Seite der Leiterplatte werden die Öffnungen in der Schutzschicht also
durch die Löcher
hindurch vorgenommen, so dass die Positionierung der Öffnungen
in Bezug zu den Löchern
problemlos ist. Danach werden die Lochwände in erfindungsgemäßer Weise
mit dem elektrisch leitenden Material beschichtet.
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Die
Erfindung wird nachfolgend anhand eines in der Zeichnung dargestellten
Ausführungsbeispiels
erläutert.
Die sechs Figuren zeigen in schematisierter und vereinfachter Weise
aufeinander folgende Schritte eines Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Verfahrens.
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1 zeigt
eine Mehrlagen-Leiterplatte (Multilayer) 10, die mit durchgehenden
Löchern 12 und
beidseitig mit Ansenkungen 14 versehen ist. Die Löcher 12 sind
durch mechanisches Bohren oder durch Laserbohren hergestellt, die
Ansenkungen 14 sind ebenfalls mit Laser hergestellt. Eine
eventuell vorhandene Kupferbeschichtung auf Außenseiten der Leiterplatte 10 ist
vor dem Bohren beispielsweise durch vollflächiges Abätzen entfernt worden. Nach dem
Anbringen der Löcher 12 und
der Ansenkungen 14 werden die beiden Außenseiten der Leiterplatte 10 und
die Lochwände
mit einer Kupferschicht (Schichtdicke < 1 μm) 16 versehen.
Anstelle von Kupfer kann auch ein anderes elektrisch leitendes Material
aufgetragen werden.
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Zur
weiteren Beschichtung von Lochwänden der
Löcher 12 mit
elektrisch leitendem Material wird die gebohrte Leiterplatte 10 erfindungsgemäß wie folgt
behandelt: Wie in 2 dargestellt wird auf beide
Außenseiten
der Leiterplatte 10 eine Schutzschicht 18 vollflächig aufgetragen,
die eine Abscheidung von elektrisch leitendem Material in einem
Galvanikbad auf den Außenseiten
der Leiterplatte 10 verhindert. Im beschriebenen Ausführungsbeispiel
ist die Schutzschicht 18 ein Resist 18, also ein
fotosensitiver Kopierlack. Die Löcher 12 und
die Ansenkungen 14 sind vom Resist 18 verschlossen.
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Danach
werden die Resists 18 auf beiden Seiten der Leiterplatte 10 im
Mündungsbereich
der Löcher 12 belichtet.
Das Belichten erfolgt im beschriebenen Ausführungsbeispiel der Erfindung
mittels Laser (LDI-Belichten, Laser Direct Imaging). Die Belichtung
kann allerdings beispielsweise auch durch eine aufgelegte Maske
hindurch erfolgen. Die belichteten Stellen der Resists 18 sind
in 3 durch die abweichende Schraffur des Resists 18 dargestellt,
sie sind durch Verwendung eines Positiv-Resists 18 löslich.
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In
einem nachfolgenden, in 4 dargestellten Verfahrensschritt
werden die Resists 18 entwickelt, d.h. die belichteten
Stellen der Resists 18 werden nasschemisch entfernt. Auf
diese Weise werden die Löcher 12 der
Leiterplatte 10 beidseitig geöffnet. Wie ebenfalls in 4 erkennbar,
sind die Öffnungen 19 der
Löcher 12 in
den Resists 18 kleiner als die Löcher 12 selbst, die
Resists 18 stehen nach innen über Ränder der Löcher 12 über. Wie
ebenfalls in 4 zu sehen, sind die Öffnungen 19 der
Löcher 12 in
den Resists 18 auf einer Seite, im dargestellten Ausführungsbeispiel
auf der unteren Seite der Leiterplatte 10 kleiner als auf
der anderen Seite der Leiterplatte 10.
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Bei
Verwendung eines Negativ-Resists 18 anstelle eines Positiv-Resists 18 werden
umgekehrt nicht die Mündungen
der Löcher 12,
sondern die übrige
Oberfläche
der Leiterplatte 10 belichtet und es werden durch Entwickeln
die nicht belichteten Stellen der Resists 18 entfernt.
Das Ergebnis ist dasselbe. Die Öffnungen 19 der
Resists 18 an den Mündungen der
Löcher 12 können anstatt
fotolithographisch beispielsweise auch mechanisch durch Bohren oder
mit Laser hergestellt werden. In diesem Fall brauchen die Resists
selbstverständlich
nicht fotosensitiv zu sein.
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In
einem weiteren, in 5 dargestellten Verfahrensschritt
werden Lochwände
der Löcher 12 mit
einer Kupferschicht 20 als elektrisch leitendem Material
versehen. Anstatt Kupfer kann auch ein anderes elektrisch leitendes
Material, beispielsweise eine Nickel-Gold-Legierung auf die Lochwände aufgebracht werden.
Die Kupferbeschichtung 20 wird in einem Galvanikbad aufgebracht,
wobei die Leiterplatte 10 relativ zum Elektrolyt bewegt
wird um eine Durchströmung
der Löcher 12 zu
erreichen. Zur Abscheidung des Kupfers auf den Lochwänden wird vorzugsweise
ein gepulstes Gleichstrom-Potential an die Leiterplatte 10 angelegt
und es wird vorzugsweise eine im zeitlichen Mittel höhere Stromdichte
im Galvanikbad auf der Seite der Leiterplatte 10 eingestellt,
auf der die Öffnungen 19 der
Löcher 12 im
Resist 18 kleiner sind. Da die Resists 18 nach
innen über
die Lochränder überstehen,
die Lochränder
also elektrisch nicht leitend abgedeckt sind, wird eine wulstartige
Verdickung der Kupferbeschichtung im Mündungsbereich der Löcher 12 am Übergang
zu den Außenseiten
der Leiterplatte 10 vermieden. Durch die höhere Stromdichte
auf der Seite der Leiterplatte 10, auf der die Öffnungen 19 im
Resist 18 kleiner sind, wird die schlechtere Ein- und Ausströmung von
Elektrolyt im Galvanikbad auf Grund der kleineren Öffnungen 19 kompensiert,
es ergibt sich insgesamt eine gleiche Dicke der Kupferschicht 20 auf
den Lochwänden über die
gesamte Länge
der Löcher 12.
Die gleichbleibende Dicke der Kupferschicht 20 ist auch
bei dicken Leiterplatten 10 und infolge dessen langen Löchern 12 selbst
dann gewährleistet, wenn
die Löcher 12 eng
sind. Durch die gleiche Dicke der Kupferbeschichtung 20 über die
gesamte Länge der
Löcher 12 lässt sich
die Dicke der Kupferschicht 20 an sich beliebig dick wählen.
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Da
die Kupferschichten 16 auf den Außenseiten der Leiterplatte 10 von
den Resists 18 abgedeckt sind, scheidet sich hier kein
Kupfer bei der Beschichtung der Lochwände ab. Die Dicke der Kupferschicht 20 auf
den Lochwänden
lässt sich
daher unabhängig
und insbesondere dicker als bei den Kupferschichten 16 auf
den Außenseiten
der Leiterplatte 10 einstellen. Durch Herstellen größerer oder
kleinerer Öffnungen 19 der
Resists 18 an den Mündungen der
Löcher 12 lässt sich
die Dicke der Kupferschicht 20 in den Löchern einstellen, wodurch es
möglich
ist, die Dicken der Kupferschichten 20 in den Löchern 12 von
Loch 12 zu Loch 12 unterschiedlich auszubilden.
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Nach
dem Beschichten der Lochwände
werden die Resists 18 chemisch, mechanisch oder in sonstiger
Weise vollflächig
entfernt. Als weiterer Arbeitsschritt werden, wie in 6 dargestellt,
Leiterbahnen in den Kupferschichten 16 auf den Außenseiten
der Leiterplatte 10 strukturiert. Dies ist an sich bekannt
und soll deswegen hier nicht erläutert
werden. Zur Strukturierung der Leiterbahnen kann Kupfer auf die
Außenseiten
der Leiterplatte 10 aufgebracht, die Kupferschichten 16 also
verdickt werden. Dabei werden zugleich die Ansenkungen 14 mit
einer Kupferschicht versehen und es wird eine zuverlässige, elektrisch
leitende Verbindung der Kupferschichten 16 auf den Außenseiten
der Leiterplatte 10 mit den Kupferbeschichtungen 20 der
Lochwände
erreicht.