DE4092184C2 - Vorrichtung zur Dampfphasen-Synthese von Diamant und Verfahren zur Ausführung der Synthese - Google Patents
Vorrichtung zur Dampfphasen-Synthese von Diamant und Verfahren zur Ausführung der SyntheseInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Diamant-Synthese nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Auf diese Weise gewonnene Diamantsubstanzen weisen einen
großen Oberflächenbereich auf, besitzen solche Eigenschaften wie Verschleißfestigkeit,
Korrosionsfestigkeit, hohe thermische
Leitfähigkeit und eine hohe spezifische Elastizität
und eignen sich als Abtragungs-Schleifmittel, optisches Material,
für Karbidwerkzeuge, Gleitmaterialien, korrosionsfestigende
Materialien, akustische Vibrationsmaterialien und Material
für Messerkanten.
Die Erfindung betrifft auch ein
Verfahren zur Diamant-Synthese nach dem Oberbegriff des Anspruchs 5.
Als Verfahren für die Diamant-Synthese sind bisher praktisch
ausgeführt worden das Verfahren zur direkten Umwandlung von
Graphit einschließlich des Verfahrens, das die Synthese
unter einem ultrahohen Druck in Anwesenheit von Eisen- oder
Nickel-Katalysator bewirkt und das Verfahren, das die Synthe
se mit Hilfe eines Sprengstoffs ausführt.
In jüngster Zeit wurde ein Verfahren als ein Niederdruck-
CVD-Verfahren entwickelt, das die Diamant-Synthese erzielt,
indem ein Kohlenstoff oder ein Gasgemisch aus Wasserstoff
und einer organischen Verbindung, welche Stickstoff, Sauer
stoff usw. enthält, in einen angeregten Zustand versetzt mit
tels eines heißen Drahtes, eines Mikrowellenplasmas, eines
Hochfrequenzplasmas, eines Gleichstromentladungsplasmas oder
einer Gleichstrom-Bogenentladung, um Beispiele zu nennen.
Das erwähnte übliche CVD-Verfahren hat ein spezielles Gerät
nötig gemacht, um das Rohgas in solcher Weise anzuregen, daß
eine Diamant-Synthese möglich ist. Ohne Rücksicht darauf,
welche Anregungsquellen benutzt werden mögen, ist es schwie
rig, den Oberflächenbereich der abzuscheitenden Diamantsub
stanzen zu erhöhen.
Aus der JP 1-286993 ist ein Verfahren zur Diamant-Synthese
bekannt, bei dem ein in einer Reaktionsröhre erzeugtes
Plasma dazu verwendet wird, einer in die Reaktionsröhre
eingeführten Kohlenstoffquelle thermische Energie zuzufüh
ren. Diesem bekannten CVD-Verfahren liegt somit ein physika
lischer Prozeß zugrunde, bei dem die Moleküle der zu zerset
zenden Kohlenstoffquelle durch das Plasma thermisch in ange
regte Zustände versetzt und schließlich zerlegt werden.
Die JP-1-100093 beschreibt die Erzeugung von dünnen Diamant
filmen durch ein CVD-Verfahrens mittels eines Heißdrahtes,
bei dem die Moleküle der Kohlenstoffquelle ebenfalls durch
einen physikalischen Prozeß zersetzt werden.
Bei der vorliegenden Erfindung wurde die Untersuchung weiter
geführt im Hinblick auf die Entwicklung eines Verfahrens,
das von den erwähnten Nachteilen des üblichen CVD-Verfahrens
frei ist, und es wurde von den gleichen Erfindern ein Ver
brennungsflammen-Verfahren entwickelt, wie es in der JP-OS
HEI 1-282193 (veröffentlicht am 14. November 1989) beschrieben ist.
Bei diesem Verfahren besteht jedoch das Problem der prakti
schen Anwendungsfähigkeit, da die durch dieses Verfahren ab
geschiedenen Diamantsubstanzen nur begrenzte Oberflächengrö
ße besitzen. Bei der Weiterführung der Untersuchungen im Hin
blick auf die Entwicklung eines Verfahrens zum Abscheiden
von Diamantsubstanzen mit großer Oberfläche hat sich ge
zeigt, daß die Abscheidung relativ leicht erreicht wird
durch Verschieben des Brenners parallel zu einem Substrat,
wobei die Verbrennungsflamme die gesamte Oberfläche des Sub
strats berührt. Diese Erfindung wurde als JP-Patentanmeldung
HEI 1-8091 (veröffentlicht als HEI 2-188496 am 24. Juli 1990) angemeldet.
Das Verfahren zur Diamant-Synthese durch Verwendung einer
Verbrennungsflamme erfordert das Verbrennen einer Verbindung
als Rohmaterial für das Abscheiden von Diamant in solcher
Weise, daß ein Bereich unvollständiger Verbrennung in der
Verbrennungsatmosphäre entsteht und ein Substrat in den Be
reich der unvollständigen Verbrennung oder in eine nicht-oxi
dierende Atmosphäre gebracht wird, die nahe dem Bereich
liegt. Zum Zweck der Verbesserung der Abscheidungs-Wirksam
keit und der Homogenität und Qualität des Diamant-Materials
bei dem Verbrennungsflammen-Verfahren ist es deshalb notwen
dig, während der Verbrennung des Rohmaterials zur Ausbildung
von Diamant die Menge dieses Rohmaterials zu erhöhen, die an
der Ausbildung des Bereichs unvollständiger Verbrennung teil
nimmt, und dies soweit wie nur irgend möglich.
Es ist die Aufgabe der Erfindung, eine Vorrichtung und
ein Verfahren zur Diamant-Synthese zu schaffen, um die Ab
scheidungswirksamkeit von Diamant zu verbessern und die Qua
lität des abgeschiedenen Diamantes zu homogenisieren.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Merkmale
im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 bzw. des
Anspruchs 5 gelöst.
Da bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung zur Diamant-Synthe
se der Deckel im Umfangsbereich der Verbrennungsflamme ange
ordnet ist, wird die Diffusion von Sauerstoff aus der Umge
bung in den Umfangsbereich der Verbrennungsflamme beschränkt
und eine Verkleinerung oder Auslöschung eines äußeren Flam
menteils realisiert.
Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung wird, wenn der Deckel
mit einem Gaseinlaß versehen ist, die Diffusion von Sauer
stoffgas usw. in das Innere des Deckels noch wirksamer ver
hindert durch Einführen von Wasserstoff oder mindestens
einem inerten Gas wie Argon oder Stickstoff durch den Gasein
laß in das Deckelinnere.
Obwohl die Anbringstelle für den Gaseinlaß nicht besonders
angegeben wird, erweist es sich als praktisch, eine Vielzahl
von Gaseinlässen vorzusehen, die mit regelmäßigem Abstand
z. B. um die Brenneröffnung angeordnet sind.
Der Brenner - hier wird das Wort "Brenner" ausschließlich
für einen tatsächlichen Flammenbrenner benutzt - wird allge
mein so angebracht, daß die Flamme mit einem Winkel von 90°
relativ zum Substrat aufsteigt, d. h. an oder parallel zu
einer Senkrechten auf den Deckel. Die Qualität des auszubil
denden Diamants wird verbessert, wenn der Brenner schräg zur
Senkrechten angeordnet wird. Diese Schrägstellung dient auch
dazu, das Abscheiden von Diamant auf den gegenüberliegenden
seitlichen Teilen des Substrats zu erleichtern. Der Neigungs
winkel sollte nicht mehr als 60° betragen, und vorzugsweise
im Bereich von 40 bis 50° zur Senkrechten auf den Deckel
sein.
Es hat sich gezeigt, daß bei der erfindungsgemäßen Vorrich
tung das Abscheiden von Diamantsubstanzen mit großem Oberflä
chenanteil und homogener Qualität erzielt wird, und daß die
Gleichmäßigkeit der Adhäsionskraft der Diamantsubstanz an
dem Substrat vergrößert wird, wenn entweder das Substrat
oder das Brennerflammengerät bewegt wird.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnung bei
spielsweise näher erläutert; in der Zeichnung zeigt:
Fig. 1 eine Querschnittsdarstellung einer Ausfüh
rungsform einer erfindungsgemäßen Vorrich
tung für die Diamant-Synthese mit dem Dampf
phasen-Verfahren
Fig. 2 eine Schnittdarstellung durch einen Deckel
mit Gaseinlässen zur Verwendung bei der er
findungsgemäßen Vorrichtung für die
Diamant-Synthese durch das Dampfphasen-Ver
fahren, und
Fig. 3 eine Schnittdarstellung durch einen Deckel
ähnlich Fig. 3, jedoch mit einer relativ zur
Senkrechten auf den Deckel geneigten Brenner
öffnung.
Die Erfindung wird nun mit Bezug auf die Zeichnung beschrie
ben, in der eine Ausführung der vorliegenden Erfindung darge
stellt ist. Diese Zeichnung zeigt nur Teile des Brenners,
des Deckels und des Substrats für das Abscheiden von Diamant
substanzen. In den Figuren ist eine Brenneröffnung 1, ein
dicht auf den Brenner aufgesetzter Deckel 2, ein Abschei
dungssubstrat 3 für die Diamantsubstanz, eine Unterlage 4
für das Substrat, eine Sprühpistole 5 zum Abkühlen des Sub
strats und ein Spalt 6 zwischen dem Deckel 2 und der Sub
strat-Unterlage 4 zu sehen, und es ist ein Kühlmittelrohr 7,
beispielsweise ein Wasserrohr, gezeigt, das zu der Sprühpi
stole führt, und ein Rohr 8 für inertes Gas (z. B. Argon);
dazu ist die Flamme 9 zu sehen, eine am Rand des Deckels
durch den Spalt 6 austretende Sekundärflamme 10 und ein Was
sersprühstrahl 11 zum Kühlen des Substrats 3.
Wie dargestellt, wird die Verbrennungsflamme 9 eines Gases
zur Ausbildung von Diamant durch die Brenneröffnung 1 gebil
det, und gleichzeitig wird das Kühlmittel (bei dem Wasser
ein Hauptbestandteil ist) auf die Rückfläche des Substrats 3
gesprüht, um die Substrattemperatur einzustellen. Der Spalt
6 zwischen dem Deckel 2 und der Substrat-Unterlage 4 ist
sehr eng. Da die Flamme keinen anderen Weg zur Umgebung be
sitzt als den Spalt 6, besteht praktisch keine Möglichkeit,
daß Sauerstoff aus der Umgebungsluft in das Innere des
Deckels eindringt und sich mit der Verbrennungsflamme mischt.
Die sekundäre Verbrennungsflamme 10 bläst durch diesen Spalt
6 nach außen.
Die Verhinderung des Eindiffundierens von Sauerstoff in den
Innenraum des Deckels wird noch wirksamer erreicht, wenn man
den Deckel mit einem Gaseinlaß 21 nach Fig. 2 versieht und
Wasserstoff oder ein inertes Gas wie z. B. Argon oder Stick
stoff durch den Gaseinlaß 21 in den Innenraum des Deckels
einführt. Die Qualität des zu erzeugenden Diamanten wird
weiter verbessert durch Benutzung einer Vorrichtung, die mit
einer gegen die Senkrechte 31 auf die Deckelfläche geneigten
Brenneröffnung versehen ist, wie sie in Fig. 3 dargestellt
ist.
Die Menge des durch den Gaseinlaß einzuführenden Gases
sollte im Bereich von 5 bis 70 Vol.-% der Menge des kohlen
stoffhaltigen Gases für die Ausbildung der Brennerflamme
liegen.
Wenn das erfindungsgemäße Verfahren unter Benutzung der erfin
dungsgemäßen Vorrichtung ausgeführt wird, scheidet sich Dia
mant mit hoher Ausbeute an dem Substrat ab, da der Innenraum
des Deckels im wesentlichen insgesamt aus einem Bereich un
vollständiger Brennung besteht. Bei dem üblichen deckellosen
Verbrennungsgerät wird, wenn die Verbrennung mit einem in
dem Bereich von 3 bis 20 mm gehaltenem Abstand zwischen dem
Substrat und dem Brenner ausgeführt wird, ein automorpher
Diamantfilm gebildet um die Stelle des Substrats, die dem
Zentrum der Brennerflamme entspricht, und diamantartiger Koh
lenstoff (DLC) wird am Umfang des Diamantfilms abgeschieden,
während weiter außerhalb des Umfanges um den DLC-Ring Ruß ab
geschieden wird.
Wenn bei diesem Verfahren durch Bewegen des Brenners auf
einer großen Oberfläche an dem Substrat Diamant abgeschieden
wird, wird im äußersten Umfangsbereich kein Ruß mehr vorhan
den sein, jedoch immer noch DLC. Wenn das Abscheiden von Dia
mant durch das übliche Verfahren versucht wird unter Benut
zung der deckellosen Vorrichtung, wie sie bereits beschrie
ben wurde, wird sich, da der Diamant auf dem DLC abgeschie
den wird, die abgeschiedene Diamantschicht wegen der unter
schiedlichen Bestandteile sehr leicht ablösen.
Wird im Gegensatz dazu das erfindungsgemäße Verfahren mit
der erfindungsgemäßen Vorrichtung ausgeführt, so wird in der
gleicher Weise wie bei der üblichen Vorrichtung mit einem
deckellosen Brenner die Ruß-Abscheidung vermieden, und der
DLC wird durch einen Mechanismus zum Verschwinden gebracht,
der wahrscheinlich der Vergasungswirkung bei reduzierender
Flamme zugeschrieben werden kann. Denn bei der Einführung
des Gases wird das Abscheiden von DLC unterdrückt, und die
Wirkung des Deckels noch verbessert. So wird Diamant immer
direkt auf der Oberfläche des Substrats abgeschieden. Diese
Tatsache kann beobachtet werden mit einem in dem Deckel aus
gebildeten Fenster, durch das eine Beobachtung der Substrat-
Oberfläche möglich ist. Es zeigt sich, daß der an der Ober
fläche des Substrats erfindungsgemäß abgeschiedene Diamant
mit hoher Adhäsionskraft an der Oberfläche des Substrats
hängt und nur kleine Schwankungen der Schichtdicke auftreten
im Vergleich zu dem durch das übliche Verfahren mit einem
deckellosen Brenner abgeschiedenen Diamant.
Die Temperatur des Substrats, die Geschwindigkeit der Bren
nerbewegung usw. sind bei dem Abscheiden von Diamant an dem
Substrat mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung im wesentli
chen identisch mit den Vorgängen bei dem bisher üblichen Ver
fahren. Insbesondere befindet sich die Temperatur des Sub
strats im Bereich von 600°C bis 1200°C und die Geschwindig
keit der Brennerbewegung liegt im Bereich von 0,1 bis 10
mm/min, vorzugsweise 0,3 bis 3,0 mm/min.
Es werden nun Ausführungen des Verfahrens anhand von Ausfüh
rungsbeispielen und eines Vergleichsversuchs näher erläu
tert.
Es wurde eine erfindungsgemäße Vorrichtung nach Fig. 1 be
nutzt. An einem normalen Sauerstoff/Acetylen-Brenner mit 14
mm Durchmesser wurde ein Kupferdeckel mit einem Durchmesser
von 160 mm und 10 mm Höhe angebracht, der einen Spalt von 5
mm zwischen einem Substrat 3 und einer Brenneröffnung ergab.
Eine Wolframplatte mit den Maßen 50 × 50 × 5 mm wurde zum Ab
scheiden von Diamant in der dargestellten Weise eingesetzt.
Eine Sprühpistole wurde mit Wasser und Argon versorgt und
der Brenner mit Acetylengas mit einer Rate von 6,0 l/min ge
speist und mit Sauerstoff mit einer Rate von 5,3 l/min (Ver
hältnis Sauerstoff/Acetylen 0,89), um eine Verbrennungsflam
me auszubilden; die Temperatur des Substrats wurde auf 800°C
gehalten. Der Brenner wurde geradlinig mit einer Rate von 2
mm/min über die Fläche des Substrats vorgeschoben, danach in
nerhalb der gleichen Ebene im rechten Winkel zur ersten Bewe
gung verschoben und darauf in der Gegenrichtung wieder (100
mm) zurückbewegt. Durch Wiederholen dieser Bewegung
wurde der Brenner 2 1/2 mal an dem Substrat hin- und herbe
wegt zur Bildung eines abgeschiedenen Films aus Diamant über
der gesamten Substratfläche. Durch Betrachten mit dem unbe
waffneten Auge und auch mit einem Mikroskop wurde das Pro
dukt dieser Abscheidung als ein dichter Film mit einer Dicke
von 2 bis 3 µm erkannt, gebildet aus im wesentlichen gleich
mäßigen und hochgradig automorphen Diamantkristallen. Das
Raman-Spektrum des erzeugten Produkts zeigte eine scharfe
Spitze bei 1333 cm-1 und eine sehr stark verbreiterte und
schwache Spitze in der Nähe von 1550 cm-1. Die Ergebnisse
zeigen an, daß die abgeschiedene Schicht aus Diamant guter
Qualität zusammengesetzt ist und DLC in sehr kleinem Anteil
enthält.
Eine im Aufbau mit der Vorrichtung aus Ausführungsbeispiel 1
identische Vorrichtung wurde verwendet, jedoch war der
Deckel um die Brenneröffnung 1 mit vier in regelmäßigem Abstand
angebrachten Gaseinlässen 21 nach Fig. 2 versehen. Bei die
ser Vorrichtung wurde ein synthetischer Diamantfilm abge
schieden mit genauer Wiederholung des Vorganges aus Ausfüh
rungsbeispiel 1, jedoch wurde durch die Gaseinlässe Wasser
stoffgas mit 3 l/min in den Brennerdeckel eingelassen. Das
erhaltene Abscheidungsprodukt besaß eine Dicke von 2,5 bis
3,2 µm und war gebildet aus im wesentlichen gleichmäßigen
und hochgradig automorphen Diamantkristallen. Die Gleichmä
ßigkeit dieser Diamantkristalle war höher als die der in Aus
führungsbeispiel 1 erhaltenen. Das Raman-Spektrum dieses
Produkts zeigte eine etwas schärfere Spitze bei 1333 cm-1
und eine niedere Spitze bei 1550 cm-1.
Diese Ergebnisse zeigen, daß der abgeschiedene Film aus Dia
mant hoher Qualität bestand und immer noch eine sehr kleine
Menge von DLC enthielt.
Es wurde eine erfindungsgemäße Vorrichtung identisch mit der
in Ausführungsbeispiel 1 verwendeten eingesetzt, jedoch ein
Deckel verwendet, dessen Brenneröffnung 45° gegen die Senk
rechte auf den Deckel geneigt war, wie in Fig. 3 gezeigt.
Bei dieser Vorrichtung wurde ein synthetischer Diamantfilm
abgeschieden durch Wiederholen des Vorgangs nach Ausführungs
beispiel 1. Die abgeschiedene Schicht hatte eine Dicke von
1,5 bis 2,2 µm und war zusammengesetzt aus hochgradig gleich
förmigen, automorphen und durchscheinenden Diamantkristal
len.
Die Diamantschicht wurde auch an den Seiten des Substrats ab
geschieden. Das Raman-Spektrum dieses Produkts zeigte eine
scharfe Spitze bei 1333 cm-1 und keine Spitze bei 1550 cm-1.
Die Ergebnisse zeigen, daß die Schicht aus Diamant sehr
hoher Qualität bestand.
Das Abscheiden von Diamant an einem Substrat wurde ausge
führt durch Ausbilden einer Verbrennungsflamme mit einem
Brenner unter Wiederholung des Vorganges nach Ausführungsbei
spiel 1, jedoch besaß die verwendete Vorrichtung keinen
Deckel. Das Produkt löste sich von dem Substrat bei Abküh
lung ab. Durch Betrachtung des abgetrennten Teils mit unbe
waffnetem Auge und dann mit einem Mikroskop wurde bestätigt,
daß Diamant auf DLC abgeschieden wurde, das sich an dem Sub
strat zuerst niedergeschlagen hatte. Durch Analyse des
Raman-Spektrums des Produkts wurde bestätigt, daß der Teil,
an dem der Kern der Verbrennungsflamme auftraf, aus Diamant
bestand, und daß der DLC-Gehalt proportional zum Abstand von
dem Kernpunkt anstieg.
Diese Erfindung erbringt Diamantsubstanzen mit einem großen
Oberflächenbereich, gleichförmiger Dicke, die homogen und
von exzellenter Qualität sind, und es ergibt sich eine hohe
Ausbeute mit großen Menge durch das CVD-Verfahren im Ver
gleich zu dem herkömmlichen Verfahren.
Claims (6)
1. Vorrichtung zur Diamant-Synthese nach dem Verbrennungs
flammenverfahren mit einem eine unvollständige Verbren
nung unterhaltenden Brenner und einem Substrat zum
Abscheiden von Diamant,
dadurch gekennzeichnet,
daß ein Deckel (2) vorgesehen ist zum Abschirmen der
Verbrennungsflamme des Brenners, der sich im Umfangs
bereich des Brenners (1) in solcher Weise erstreckt, daß
Sauerstoff daran gehindert wird, aus der Umgebung in den
Innenraum des Deckels (2) einzudringen und sich mit der
Verbrennungsflamme (9) zu vermischen.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Deckel mit einem Gaseinlaß (21) versehen ist, zur
Einführung von Wasserstoff oder einem inerten Gas, vorzugsweise Stick
stoff oder Argon, in den Innenraum des Deckels.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß eine Vielzahl von Gaseinlässen (21) mit regelmäßigen
Abständen um den Umfangsbereich einer Brenneröffnung (1)
vorgesehen ist.
4. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Brenner relativ zur Senkrechten (31) auf den
Deckel (2) geneigt ist (Fig. 3).
5. Verfahren zur Diamant-Synthese nach dem Verbrennungsflam
menverfahren in einer Vorrichtung zur Diamant-Synthese
nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Abscheiden von Diamant an dem Substrat dadurch
erreicht wird, daß mit dem Brenner eine eine unvollstän
dige Verbrennung unterhaltende Flamme zur Diamant-
Synthese erzeugt wird und gleichzeitig die Relativlage
der Verbrennungsflamme zum Substrat verändert wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß mindestens ein Mitglied der aus Wasserstoff und
inerten Gasen bestehenden Gasgruppe über den Gaseinlaß
oder die Gaseinlässe (21) in den Innenraum des Deckels eingebracht wird.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30661389 | 1989-11-28 | ||
JP2238777A JP2633074B2 (ja) | 1989-11-28 | 1990-09-07 | 気相法ダイヤモンド合成装置 |
PCT/JP1990/001545 WO1991008329A1 (en) | 1989-11-28 | 1990-11-28 | Apparatus for vapor-phase diamond synthesis and method for vapor-phase diamond synthesis |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4092184C2 true DE4092184C2 (de) | 1995-11-30 |
Family
ID=26533882
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19904092184 Pending DE4092184T (de) | 1989-11-28 | 1990-11-28 | |
DE4092184A Expired - Fee Related DE4092184C2 (de) | 1989-11-28 | 1990-11-28 | Vorrichtung zur Dampfphasen-Synthese von Diamant und Verfahren zur Ausführung der Synthese |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19904092184 Pending DE4092184T (de) | 1989-11-28 | 1990-11-28 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5273618A (de) |
DE (2) | DE4092184T (de) |
WO (1) | WO1991008329A1 (de) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05221791A (ja) * | 1991-12-18 | 1993-08-31 | Kobe Steel Ltd | 燃焼法によるダイヤモンド合成法 |
RU95106478A (ru) * | 1994-04-29 | 1997-01-20 | Моторола | Устройство и способ для разложения химических соединений |
KR102052075B1 (ko) * | 2013-03-28 | 2020-01-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 장치, 이를 이용한 박막 형성 방법, 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2597497B2 (ja) * | 1988-01-14 | 1997-04-09 | 洋一 広瀬 | 気相法ダイヤモンドの合成法 |
JPH02192491A (ja) * | 1988-12-12 | 1990-07-30 | Showa Denko Kk | 気相法ダイヤモンドの合成法 |
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1990
- 1990-11-28 DE DE19904092184 patent/DE4092184T/de active Pending
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- 1990-11-28 DE DE4092184A patent/DE4092184C2/de not_active Expired - Fee Related
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Title |
---|
JP 01-100093A. In: Patents Abstracts of Japan, Sect. C * |
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---|---|
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Date | Code | Title | Description |
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8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |