DE4032014A1 - Treiberschaltung fuer leistungsschalteinrichtungen - Google Patents
Treiberschaltung fuer leistungsschalteinrichtungenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Treiberschaltung für Leistungs
schalteinrichtungen, die zwischen einem Hochspannungs-Lei
stungsanschluß und einem Niederspannungs-Leistungsanschluß
in Totem-Pole-Schaltung geschaltet sind.
Das Blockschaltbild von Fig. 1 zeigt einen Wechselrichter
mit Pulsbreitensteuerung bzw. Pulswechselrichter einer
Drehstrom-Brückenschaltung, der allgemein zum Antreiben
eines Motors 1, z. B. eines bürstenlosen Drehstrommotors,
verwendet wird. Wie Fig. 1 zeigt, sind drei Paare von Lei
stungsschalteinrichtungen 2U und 2L, 3U und 3L sowie 4U und
4L, die in Totem-Pole-Schaltung geschaltet sind, parallel
zwischen einem Hochspannungs-Leistungsanschluß P und einem
Niederspannungs-Leistungsanschluß N angeordnet. Die Lei
stungsschalteinrichtungen 2U, 2L, 3U, 3L, 4U und 4L werden
durch Steuersignale von einer Steuerschaltung 5 ein- bzw.
ausgeschaltet.
Das Blockschaltbild von Fig. 2 zeigt einen Teil der Steuer
schaltung 5, der die Einphasen-Leistungsschalteinrichtungen
2U und 2L betrifft. In der Schaltung nach Fig. 2 werden als
die Leistungsschalteinrichtungen 2U und 2L Isolierschicht-
Bipolartransistoren bzw. IGBTs 6U und 6L verwendet.
In Fig. 2 erzeugt ein Ein-Aus-Befehlssignalerzeuger 7 Be
fehlssignale zur Ein-Aus-Steuerung der IGBTs 6U und 6L und
liefert diese Signale an einen Eingangsanschluß 8U eines
oberen Zweigs einer Hochspannungsseite bzw. einen weiteren
Eingangsanschluß 8L eines unteren Zweigs einer Niederspan
nungsseite. Der Pegel des am Eingangsanschluß 8U empfan
genen Befehlssignals wird in einem Pegelumsetzer 9 erhöht
und einem Treiberverstärker 10U zugeführt, an dem eine hohe
Quellenspannung VP anliegt, während das am Eingangsanschluß
8L empfangene Befehlssignal direkt einem Treiberverstärker
10L zugeführt wird, an dem eine niedrige Quellenspannung VN
anliegt. Der Pegelumsetzer 9 kann ein opto-elektronischer
Koppler 11 sein, der eine Lichtquelle 11a und einen Licht
empfänger 11b aufweist, wie beispielsweise Fig. 4 zeigt.
Das Befehlssignal vom Eingangsanschluß 8U wird der Licht
quelle 11a zugeführt, und der Lichtempfänger 11b ist mit
der hohen Quellenspannung VP verbunden, so daß ein Befehls
signal mit hohem Spannungspegel erzeugt wird. Die Treiber
verstärker 10U und 10L verstärken die empfangenen Befehls
signale. Das Ausgangssignal des Treiberverstärkers 10U wird
dem Gate des IGBT 6U des oberen Zweigs durch einen Gate-
Widerstand RGU zugeführt, und das Ausgangssignal des Trei
berverstärkers 10L wird dem Gate des IGBT 6L des unteren
Zweigs durch einen weiteren Gate-Widerstand RGL zugeführt.
Fig. 3 ist ein Impulsdiagramm, das die Ein-Aus-Signale
zeigt, die an die Eingangsanschlüsse 8U und 8L geführt
werden. Angenommen, der IGBT 6U des oberen Zweigs und der
IGBT 6L des unteren Zweigs werden gleichzeitig eingeschal
tet, so tritt am Hochspannungs-Leistungsanschluß P und am
Niederspannungs-Leistungsanschluß N ein Kurzschluß auf, und
ein großer Kurzschlußstrom fließt zu den IGBTs 6U und 6L,
so daß sie durchbrechen können. Um dies zu vermeiden, sind
zwischen den Ein-Aus-Befehlssignalen Totzeiten TR des obe
ren und unteren Zweigs vorgesehen, die an die Eingangsan
schlüsse 8U und 8L geführt werden. Dazu umfaßt der Ein-Aus-
Befehlssignalerzeuger 7 von Fig. 2 einen Triggersignaler
zeugungsteil 7a und einen Totzeiterzeugungsteil 7b. Der
Triggersignalerzeugungsteil 7a erzeugt Triggersignale ohne
Berücksichtigung von Totzeiten TR des oberen und unteren
Zweigs, während der Totzeiterzeugungsteil 7b die Totzeiten
TR des oberen und unteren Zweigs für die Signale erzeugt.
Diese Funktionen des Triggersignalerzeugungsteils 7a und
des Totzeiterzeugungsteils 7b sind z. B. durch einen Mikro
computer implementiert. Alternativ kann die Funktion des
Triggersignalerzeugungsteils 7a durch einen Mikrocomputer
implementiert sein, während die Funktion des Totzeiterzeu
gungsteils 7b durch einen Schaltkreis wie etwa eine Ver
zögerungslogik implementiert sein kann.
Bei der so aufgebauten konventionellen Treiberschaltung für
Leistungsschalteinrichtungen müssen die Totzeiten TR für
den oberen und unteren Zweig notwendigerweise zwischen den
Ein-Aus-Befehlssignalen für den oberen und unteren Zweig
vorgesehen sein. Daher ist die Verarbeitung zur Erzeugung
der Ein-Aus-Befehlssignale kompliziert, und die Belastung
des Mikrocomputers wird insbesondere im Fall häufiger
Schaltvorgänge erheblich erhöht.
Andererseits ist das Zeitintervall der Totzeiten TR des
oberen und des unteren Zweigs in Abhängigkeit von den Ein-
und Ausschaltzeiten der Leistungsschalteinrichtungen und
den Verzögerungszeiten der Treiberverstärker bestimmt. Die
Ein- und Ausschaltzeiten der Leistungsschalteinrichtungen
ändern sich mit dem Typ und der Kapazität der Leistungs
schalteinrichtungen oder mit den Lastbedingungen. Es ist
erforderlich, das Zeitintervall der Totzeiten TR des oberen
und unteren Zweigs, das allgemein mit unveränderlicher
Dauer vorgegeben wird, auf die unter den schlechtesten Be
dingungen bestimmte längste Dauer einzustellen. Außerdem
ist es nachteilig, daß die Totzeiten TR des oberen und des
unteren Zweigs neu vorgegeben werden müssen, wenn sich die
Art der Leistungsschalteinrichtungen oder die Lastzustände
ändern.
Aufgabe der Erfindung ist die Bereitstellung einer Treiber
schaltung für Leistungsschalteinrichtungen, die regelmäßig
korrekte Totzeiten des oberen und unteren Zweigs liefern
kann, ohne daß eine vorherige Einstellung solcher Totzeiten
erfolgen muß, und zwar auch im Fall einer Änderung der Art
der Leistungsschalteinrichtungen oder der Lastbedingungen.
Durch die Erfindung wird eine Treiberschaltung angegeben
zum Treiben einer ersten und einer zweiten Leistungsschalt
einrichtung, die zwischen einem Hochspannungs-Leistungsan
schluß und einem Niederspannungs-Leistungsanschluß in
Totem-Pole-Schaltung geschaltet sind.
Diese Treiberschaltung umfaßt einen mit der ersten Lei
stungsschalteinrichtung verbundenen ersten Überwachungs
schaltkreis zur Überwachung von Ein-Aus-Zuständen der er
sten Leistungsschalteinrichtung und Erzeugung eines ersten
Überwachungssignals, einen mit der zweiten Leistungsschalt
einrichtung verbundenen zweiten Überwachungsschaltkreis zur
Überwachung von Ein-Aus-Zuständen der zweiten Leistungs
schalteinrichtung und Erzeugung eines zweiten Überwachungs
signals, einen Befehlssignalerzeuger zur Erzeugung eines
ersten Befehlssignals, das die Ein-Aus-Schaltung der ersten
Leistungsschaltungseinrichtung bestimmt, und eines zweiten
Befehlssignals, das die Ein-Aus-Schaltung der zweiten Lei
stungsschalteinrichtung bestimmt, eine mit dem zweiten
Überwachungsschaltkreis und dem Befehlssignalerzeuger ver
bundene erste Treibereinrichtung, die das zweite Überwa
chungssignal und das erste Befehlssignal empfängt und der
ersten Leistungsschalteinrichtung ein erstes Treibersignal
zum Einschalten zuführt, wenn das zweite Überwachungssignal
einen Aus-Zustand der zweiten Leistungsschaltungseinrich
tung bezeichnet und das erste Befehlssignal die Einschal
tung der ersten Leistungsschalteinrichtung bestimmt, und
eine mit der ersten Überwachungseinrichtung und dem Be
fehlssignalerzeuger verbundene zweite Treibereinrichtung,
die das erste Überwachungssignal und das zweite Befehls
signal empfängt und der zweiten Leistungsschalteinrichtung
ein zweites Treibersignal zum Einschalten zuführt, wenn das
erste Überwachungssignal einen Aus-Zustand der ersten Lei
stungsschalteinrichtung bezeichnet und das zweite Befehls
signal das Einschalten der zweiten Leistungsschalteinrich
tung bestimmt.
Da die Treiberschaltung gemäß der Erfindung für Leistungs
schalteinrichtungen erste und zweite Überwachungsschalt
kreise zur Überwachung von Ein-Aus-Zuständen von ersten und
zweiten Leistungsschalteinrichtungen in Totem-Pole-Schal
tung sowie erste und zweite Treiber zum abwechselnden Trei
ben der ersten und zweiten Leistungsschalteinrichtungen
unter vorbestimmten Bedingungen auf der Basis von vom
ersten und zweiten Überwachungsschaltkreis empfangenen
Überwachungssignalen und von Befehlssignalen, die den Ein-
Aus-Zustand der ersten und zweiten Leistungsschalteinrich
tungen bestimmen, umfaßt, wird zwangsläufig automatisch
eine Totzeit zwischen dem Einschalten der einen Leistungs
schalteinrichtung und dem Einschalten der anderen Lei
stungsschalteinrichtung vorgesehen, ohne daß eine Totzeit
des oberen und unteren Zweigs für die Befehlssignale zum
Ein- bzw. Ausschalten der ersten und zweiten Leistungs
schalteinrichtung vorgegeben wird, so daß auch bei einer
Änderung der Art der Leistungsschalteinrichtungen oder der
Lastbedingungen ordnungsgemäße Totzeiten für den oberne und
unteren Zweig regelmäßig vorgesehen sind.
Die Erfindung wird nachstehend auch hinsichtlich weiterer
Merkmale und Vorteile anhand der Beschreibung von Ausfüh
rungsbeispielen und unter Bezugnahme auf die beiliegenden
Zeichnungen näher erläutert. Die Zeichnungen zeigen in:
Fig. 1 ein Blockschaltbild der Schaltung eines kon
ventionellen Drehstrom-Pulswechselrichters;
Fig. 2 ein Blockschaltbild einer konventionellen
Treiberschaltung für eine Leistungsschaltein
richtung;
Fig. 3 ein Impulsdiagramm, das Totzeiten eines oberen
und unteren Zweigs für Befehlssignale zeigt;
Fig. 4 ein Schaltbild eines beispielsweisen Aufbaus
eines Pegelumsetzers;
Fig. 5 ein Blockschaltbild eines Ausführungsbeispiels
der Treiberschaltung für Leistungsschaltein
richtungen gemäß der Erfindung;
Fig. 6 ein Blockschaltbild, das die Implementierung
des Ausführungsbeispiels von Fig. 5 zeigt;
Fig. 7 ein Impulsdiagramm, das den Betrieb der Schal
tung von Fig. 6 verdeutlicht;
Fig. 8 bis 13 Schaltbilder, die verschiedene beispielsweise
Ausbildungen zur Überwachung von Ein-Aus-Zu
ständen von Leistungsschalteinrichtungen
zeigen; und
Fig. 14 ein Blockschaltbild einer weiteren beispiels
weisen Ausbildung eines Überwachungsschalt
kreises.
Das Blockschaltbild von Fig. 5 zeigt ein Ausführungsbei
spiel der Treiberschaltung für Leistungsschalteinrichtun
gen. Ebenso wie Fig. 2 zeigt auch Fig. 5 nur Einphasen-Lei
stungsschalteinrichtungen 2U und 2L, die in Totem-Pole-
Schaltung zwischen einem Hochspannungs-Leistungsanschluß P
und einem Niederspannungs-Leistungsanschluß N liegen.
Nach Fig. 5 erzeugt ein Ein-Aus-Befehlssignalgeber 7 Be
fehlssignale zur Ein-Aus-Steuerung der Leistungsschaltein
richtungen 2U und 2L und führt diese Signale den Eingangs
anschlüssen 8U bzw. 8L zu. Die an den Eingangsanschlüssen
8U und 8L empfangenen Befehlssignale werden Entscheidern
12U bzw. 12L zugeführt. Überwachungsschaltkreise 13U und
13L überwachen Ein-Aus-Zustände der Leistungsschalteinrich
tungen 2U und 2L. Der Pegel des Ausgangssignals des Über
wachungsschaltkreises 13U des oberen Zweigs wird von einem
Pegelumsetzer 14 verringert und dem Entscheider 12L des
unteren Zweigs zugeführt, während das Ausgangssignal des
Überwachungsschaltkreises 13L des unteren Zweigs direkt in
den Entscheider 12U des oberen Zweigs eingeführt wird. Der
Pegelumsetzer 14 kann ein optoelektronischer Koppler 11
sein, wie er beispielsweise in Fig. 4 gezeigt ist.
Wenn ein vom Ein-Aus-Befehlssignalgeber 7 empfangenes Be
fehlssignal das Einschalten der Leistungsschalteinrichtung
2U des oberen Zweigs bestimmt und das Ausgangssignal des
Überwachungsschaltkreises 13L den Aus-Zustand der Lei
stungsschalteinrichtung 2L des unteren Zweigs bezeichnet,
liefert der Entscheider 12U ein Treibersignal zum Einschal
ten der Leistungsschalteinrichtung 2U des oberen Zweigs.
Dieses Treibersignal wird vom Pegelumsetzer 9, der z. B.
durch den optoelektronischen Koppler 11 von Fig. 4 gebildet
ist, angehoben und dem Gate der Leistungsschalteinrichtung
2U des oberen Zweigs über einen Treiberverstärker 10U und
einen Gate-Widerstand RGU zugeführt. Dadurch wird die Lei
stungsschalteinrichtung 2U des oberen Zweigs eingeschaltet.
Wenn andererseits ein vom Ein-Aus-Befehlssignalgeber 7
empfangenes Befehlssignal das Einschalten der Leistungs
schalteinrichtung 2L des unteren Zweigs bestimmt und das
Ausgangssignal des Überwachungsschaltkreises 13U einen Aus
zustand der Leistungsschalteinrichtung 2U des oberen Zweigs
bezeichnet, liefert der Entscheider 12L ein Treibersignal
zum Einschalten der Leistungsschalteinrichtung 2L des unte
ren Zweigs. Dieses Treibersignal wird dem Gate der Lei
stungsschalteinrichtung 2L des unteren Zweigs durch einen
Treiberverstärker 10L und einen Gate-Widerstand RGL zuge
führt. Dadurch wird die Leistungsschalteinrichtung 2L des
unteren Zweigs eingeschaltet.
Das Blockschaltbild von Fig. 6 zeigt einen beispielsweisen
Aufbau, der unter Anwendung von IGBTs 6U und 6L, UND-Glie
dern 15U und 15L und Nichtgliedern 16U und 16L als die Lei
stungsschalteinrichtungen 2U und 2L bzw. die Entscheider
12U und 12L bzw. die Überwachungsschaltkreise 13U und 13L
von Fig. 5 implementiert ist. Der Betrieb der Schaltung von
Fig. 6 wird nachstehend unter Bezugnahme auf das Impuls
diagramm von Fig. 7 erläutert.
Es sei angenommen, daß zum Zeitpunkt t1 ein am Eingangsan
schluß 8L empfangenes Befehlssignal S1L von einem Hochpe
gel, der das Einschalten des IGBT 6L des unteren Zweigs
bestimmt, auf einen das Ausschalten bestimmenden Niedrig
pegel fällt, während ein am Eingangsanschluß 8U empfangenes
Befehlssignal S1U gleichzeitig von einem Niedrigpegel, der
das Ausschalten des IGBT 6U des oberen Zweigs bestimmt, auf
einen das Einschalten bestimmenden Hochpegel angehoben
wird. Ein vom UND-Glied 15L geliefertes Treibersignal S3L
nimmt aufgrund des Niedrigpegels des Befehlssignals S1L
einen Niedrigpegel an, wodurch eine Gate-Spannung VGL
(d. h. ein auf einer Emitterspannung VEL basierender Span
nungswert) des IGBT 6L abzufallen beginnt. Das Nichtglied
16L empfängt die Gate-Spannung VGL, um Ein-Aus-Zustände des
IGBT 6L zu überwachen. Der IGBT 6L wird zum Zeitpunkt t2
abgeschaltet, wenn die Gate-Spannung VGL unter eine Schwel
lenspannung VTH(6L) des IGBT 6L fällt. Eine Schwellenspan
nung VTH(16L) des Nichtglieds 16L ist niedriger als die
Schwellenspannung VTH(6L) des IGBT 6L vorgegeben. Nach dem
Abschalten des IGBT 6L wird zum Zeitpunkt t3 die Gate-Span
nung VGL niedriger als die Schwellenspannung VTH(16L) des
Nichtglieds 16L, so daß ein vom Nichtglied 16L geliefertes
Uberwachungssignal S2L von einem Niedrigpegel auf einen
Hochpegel steigt.
Das Hochpegel-Befehlssignal S1U wird gleichzeitig dem UND-
Glied 15U zugeführt, und somit steigt ein vom UND-Glied 15U
geliefertes Treibersignal S3U von einem Niedrigpegel auf
einen Hochpegel, wenn das Überwachungssignal S2L, das ein
weiteres Eingangssignal des UND-Glieds 15U ist, hoch wird.
Daraufhin beginnt eine Gate-Spannung VGU (d. h. ein auf
einer Emitterspannung VEU basierender Spannungswert) anzu
steigen. Ein vom Nichtglied 16U geliefertes Überwachungs
signal S2U fällt zum Zeitpunkt t4 von einem Hochpegel auf
einen Niedrigpegel, wenn die Gate-Spannung VGU die Schwel
lenspannung VTH(16U) des Nichtglieds 16U überschreitet, und
der IGBT 6U wird zum Zeitpunkt t5 eingeschaltet, wenn die
Gate-Spannung VGU die Schwellenspannung VTH(6U) des IGBT 6U
überschreitet.
Somit ist eine Totzeit mit einer Dauer TR zwischen dem Aus
schalten des IGBT 6L und dem Einschalten des IGBT 6U defi
niert.
Es sei angenommen, daß zum Zeitpunkt t6 das Befehlssignal
S1U auf einen Niedrigpegel fällt und das Befehlssignal S1L
auf einen Hochpegel steigt. Aufgrund des Niedrigpegels des
Befehlssignals S1U fällt ein vom UND-Glied 15U geliefertes
Treibersignal S3U auf einen Niedrigpegel, wodurch die Gate-
Spannung VGU des IGBT 6U zu fallen beginnt. Das Nichtglied
16U empfängt die Gate-Spannung VGU zur Überwachung von Ein-
Aus-Zuständen des IGBT 6U. Zum Zeitpunkt t7 wird die Gate-
Spannung VGU niedriger als die Schwellenspannung VTH(6U)
des IGBT 6U, so daß der IGBT 6U ausgeschaltet wird. Die
Schwellenspannung VTH(16U) des Nichtglieds 16U ist niedri
ger als die Schwellenspannung VTH(6U) des IGBT 6U vorgege
ben. Nachdem der IGBT 6U abgeschaltet ist, wird zum Zeit
punkt t8 die Gate-Spannung VGU niedriger als die Schwellen
spannung VTH(16U) des Nichtglieds 16U, so daß das vom
Nichtglied 16U gelieferte Überwachungssignal S2U vom
Niedrigpegel auf einen Hochpegel steigt.
Das Hochpegel-Befehlssignal S1L wird gleichzeitig dem UND-
Glied 15L zugeführt, und somit steigt das vom UND-Glied 15L
gelieferte Treibersignal S3L vom Niedrigpegel auf den Hoch
pegel, wenn das Überwachungssignal S2U, das ein weiteres
Eingangssignal des UND-Glieds 15L ist, hoch wird. Daraufhin
beginnt die Gate-Spannung VGL des IGBT 6L anzusteigen. Das
vom Nichtglied 16L gelieferte Überwachungssignal S2L fällt
zum Zeitpunkt t9 vom Hochpegel auf einen Niedrigpegel, wenn
die Gate-Spannung VGL die Schwellenspannung VTH(16L) des
Nichtglieds 16L überschreitet, und der IGBT 6L wird zum
Zeitpunkt t10 eingeschaltet, wenn die Gate-Spannung VGL die
Schwellenspannung VTH(6L) des IGBT 6L überschreitet.
Dadurch ist eine weitere Totzeit der Dauer TR auch zwischen
dem Abschalten des IGBT 6U und dem Einschalten des IGBT 6L
definiert.
Es sei weiter angenommen, daß zum Zeitpunkt t11 das Be
fehlssignal S1L ebenfalls hoch wird, wenn das Befehlssignal
S1U einen Hochpegel hat. Das Überwachungssignal S2U vom
Nichtglied 16U hat gleichzeitig einen Niedrigpegel, der den
Ein-Zustand des IGBT 6U bezeichnet, und daher hält das
Treibersignal S3L vom UND-Glied 15L den Niedrigpegel, den
es erreicht hat, bevor das Befehlssignal S1L hoch wird.
Somit wird ein Einschalten des IGBT 6L aufgrund des Hoch
pegels des Befehlssignals S1L verhindert, wenn der IGBT 6U
aufgrund des Hochpegels des Befehlssignals S1U eingeschal
tet ist. Das Befehlssignal S1U fällt zum Zeitpunkt t12 vom
Hochpegel auf einen Niedrigpegel, so daß der IGBT 6U aus
geschaltet und der IGBT 6L eingeschaltet wird, was voll
ständig dem vorher beschriebenen Betrieb nach dem Zeitpunkt
t6 entspricht. Die Totzeit TR ist zu diesem Zeitpunkt wie
oben beschrieben definiert.
Es sei angenommen, daß das Befehlssignal S1U zum Zeitpunkt
t13 ebenfalls hoch wird, während das Befehlssignal S1L
einen Hochpegel hat. Das Überwachungssignal S2L vom Nicht
glied 16L hat den Niedrigpegel, der den Einschaltzustand
des IGBT 6L bezeichnet, und daher hält das vom UND-Glied
15U gelieferte Treibersignal S3U den Niedrigpegel, den es
erreicht hat, bevor das Befehlssignal S1U hoch wird. Somit
wird ein Einschalten des IGBT 6U aufgrund des Hochpegels
des Befehlssignals S1U verhindert, wenn sich der IGBT 6L
wegen des Hochpegels des Befehlssignals S1L im Einschalt
zustand befindet. Das Befehlssignal S1L fällt zum Zeitpunkt
t14 vom Hochpegel auf einen Niedrigpegel, wodurch der IGBT
6L ausgeschaltet und der IGBT 6U eingeschaltet wird, was
dem oben beschriebenen Betrieb nach dem Zeitpunkt t1 voll
ständig gleicht. Die Totzeit TR zu diesem Zeitpunkt ist wie
oben beschrieben definiert.
Somit werden die IGBTs 6U und 6L auch dann nicht gleich
zeitig eingeschaltet, wenn die Befehlssignale S1U und S1L
gleichzeitig hoch werden, während die Totzeit TR zwischen
dem Ausschalten des einen IGBT und dem Einschalten des
anderen IGBT zwangsläufig definiert ist.
Gemäß dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel werden die
IGBTs 6U und 6L auch dann nicht gleichzeitig stromführend,
wenn zwischen den Befehlssignalen S1U und S1L überhaupt
keine Totzeit vorgesehen ist oder wenn die Befehlssignale
S1U und S1L gleichzeitig hoch werden. Ferner wird die rich
tige Totzeit TR zwischen dem Ausschalten des einen und dem
Einschalten des anderen der IGBTs 6U und 6L automatisch
gebildet.
Das Ausführungsbeispiel entsprechend Fig. 6 kann in ver
schiedener Weise modifiziert werden. Einige bevorzugte
Möglichkeiten der Modifizierung werden nachstehend be
schrieben.
(i) Anstelle des vorgenannten IGBT 6U (6L) kann die Lei
stungsschalteinrichtung 2U (2L) vom spannungsgesteuerten
Typ ähnlich einem IGBT sein, z. B. ein Leistungs-MOSFET 17U
(17L) gemäß Fig. 8. Alternativ kann gemäß Fig. 9 ein Bipo
lartransistor 18U (18L) verwendet werden. Zur Überwachung
von Ein-Aus-Zuständen des Leistungs-MOSFET 17U (17L) von
Fig. 8 kann seine Gate-Spannung VGU (VGL) (d. h. ein auf
einer Source-Spannung VSU (VSL) basierender Spannungswert)
vom Nichtglied 16U (16L) von Fig. 6 ähnlich wie im Fall des
vorher genannten IGBT 6U (6L) detektiert werden. Zur Über
wachung von Ein-Aus-Zuständen des Bipolartransistors 18U
(18L) von Fig. 9 dagegen kann dessen Basis-Spannung VBU
(VBL) (d. h. ein auf einer Emitterspannung VEU (VEL) basie
render Spannungswert) vom Nichtglied 16U (16L) von Fig. 6
ähnlich wie im Fall des vorher genannten IGBT 6U (6L) de
tektiert werden.
(ii) Der erwähnte IGBT 6U (6L) kann durch einen IGBT 19U
(19L) gemäß Fig. 10 ersetzt werden, der einen Stromfühler
anschluß enthält, wie z. B. in der JP-OS 60-94 772 (US-
Serial-Nr. 5 29 240) beschrieben ist. Zur Überwachung von
Ein-Aus-Zuständen des IGBT 19U (19L) kann ein Stromfühler
widerstand mit dem Stromfühleranschluß gekoppelt sein zur
Aufnahme einer Spannung VMON (d. h. eines auf einer Emit
terspannung VEU (VEL) basierenden Spannungswerts), die im
Stromfühlerwiderstand 20 aufgrund eines im IGBT 19U (19L)
fließenden Stroms z. B. vom Nichtglied 16U (16L) von Fig.
6 erzeugt wird.
(iii) Zur Erfassung von Ein-Aus-Zuständen des Bipolartran
sistors 18U (18L) kann mit der Basis des Bipolartransistors
18U (18L) ein Stromfühlerwiderstand 21 gekoppelt sein, um
eine am Widerstand 21 erzeugte Spannung als Überwachungs
spannung VMON über einen Verstärker 22 abzuleiten, wie Fig.
11 zeigt. Als eine Ein-Aus-Überwachungsmethode, die bei
jeder Art von Leistungsschalteinrichtung 2U (2L) anwendbar
ist, kann ein Stromwandler 23 gemäß Fig. 12 oder ein Strom
fühlerwiderstand 24 gemäß Fig. 13 in einen Hauptstromweg
für die Leistungsschalteinrichtung 2U (2L) eingefügt sein,
um eine vom Stromwandler 23 induzierte Spannung oder eine
im Stromfühlerwiderstand 24 aufgrund eines in der Lei
stungsschalteinrichtung 2U (2L) fließenden Hauptstroms er
zeugte Spannung über einen Verstärker 25 als Überwachungs
spannung VMON abzuleiten. Es ist z. B. durch das Nichtglied
16U (16L) nach Fig. 6 möglich festzustellen, ob die Über
wachungsspannung VMON einen vorbestimmten Spannungspegel
erreicht hat.
(iv) Der Überwachungsschaltkreis 13U (13L) kann anstelle
des Nichtglieds 16U (16L) aus einem Spannungsvergleicher 26
gemäß Fig. 14 bestehen. Dieser Vergleicher 26 empfängt eine
zu überwachende Spannung wie etwa eine Überwachungsspannung
VMON und eine vorher eingestellte Bezugsspannung Vref von
einer Bezugsspannungsquelle 27 und bildet ein Niedrig- oder
Hochpegel-Überwachungssignal S2U (S2L) in Abhängigkeit
davon, ob die Überwachungsspannung VMON die Bezugsspannung
Vref überschreitet.
Das obige Ausführungsbeispiel wurde zwar unter Bezugnahme
auf eine Treiberschaltung für die Leistungsschalteinrich
tungen eines Pulswechselrichters beschrieben; die Erfindung
ist aber bei allen Arten von Treiberschaltungen für Lei
stungsschalteinrichtungen anwendbar, die in Totem-Pole-
Schaltung zwischen Hochspannungs- und Niederspannungs-Lei
stungsanschlüssen liegen.
Claims (15)
1. Treiberschaltung zum Treiben einer ersten und einer
zweiten Leistungsschalteinrichtung (2U, 2L), die zwischen
einem Hochspannungs-Leistungsanschluß und einem Niederspan
nungs-Leistungsanschluß in Totem-Pole-Schaltung geschaltet
sind,
gekennzeichnet durch
einen mit der ersten Leistungsschalteinrichtung (2U) verbundenen ersten Überwachungsschaltkreis (13U) zur Über wachung von Ein-Aus-Zuständen der ersten Leistungsschalt einrichtung und Erzeugung eines ersten Überwachungssignals;
einen mit der zweiten Leistungsschalteinrichtung (2L) verbundenen zweiten Überwachungsschaltkreis (13L) zur Über wachung von Ein-Aus-Zuständen der zweiten Leistungsschalt einrichtung und Erzeugung eines zweiten Überwachungssi gnals;
einen Befehlssignalerzeuger (7) zur Erzeugung eines ersten Befehlssignals, das die Ein-Aus-Schaltung der ersten Leistungsschaltungseinrichtung bestimmt, und eines zweiten Befehlssignals, das die Ein-Aus-Schaltung der zweiten Lei stungsschalteinrichtung bestimmt;
eine mit dem zweiten Überwachungsschaltkreis (13L) und dem Befehlssignalerzeuger (7) verbundene erste Treiberein richtung, die das zweite Überwachungssignal und das erste Befehlssignal empfängt und der ersten Leistungsschaltein richtung ein erstes Treibersignal zum Einschalten zuführt, wenn das zweite Überwachungssignal einen Aus-Zustand der zweiten Leistungsschalteinrichtung (2L) bezeichnet und das erste Befehlssignal die Einschaltung der ersten Leistungs schalteinrichtung (2U) bestimmt; und
eine mit der ersten Überwachungseinrichtung (13U) und dem Befehlssignalerzeuger (7) verbundene zweite Treiberein richtung, die das erste Überwachungssignal und das zweite Befehlssignal empfängt und der zweiten Leistungsschaltein richtung (2L) ein zweites Treibersignal zum Einschalten zuführt, wenn das erste Überwachungssignal einen Aus-Zu stand der ersten Leistungsschalteinrichtung (2U) bezeichnet und das zweite Befehlssignal das Einschalten der zweiten Leistungsschalteinrichtung (2L) bestimmt.
einen mit der ersten Leistungsschalteinrichtung (2U) verbundenen ersten Überwachungsschaltkreis (13U) zur Über wachung von Ein-Aus-Zuständen der ersten Leistungsschalt einrichtung und Erzeugung eines ersten Überwachungssignals;
einen mit der zweiten Leistungsschalteinrichtung (2L) verbundenen zweiten Überwachungsschaltkreis (13L) zur Über wachung von Ein-Aus-Zuständen der zweiten Leistungsschalt einrichtung und Erzeugung eines zweiten Überwachungssi gnals;
einen Befehlssignalerzeuger (7) zur Erzeugung eines ersten Befehlssignals, das die Ein-Aus-Schaltung der ersten Leistungsschaltungseinrichtung bestimmt, und eines zweiten Befehlssignals, das die Ein-Aus-Schaltung der zweiten Lei stungsschalteinrichtung bestimmt;
eine mit dem zweiten Überwachungsschaltkreis (13L) und dem Befehlssignalerzeuger (7) verbundene erste Treiberein richtung, die das zweite Überwachungssignal und das erste Befehlssignal empfängt und der ersten Leistungsschaltein richtung ein erstes Treibersignal zum Einschalten zuführt, wenn das zweite Überwachungssignal einen Aus-Zustand der zweiten Leistungsschalteinrichtung (2L) bezeichnet und das erste Befehlssignal die Einschaltung der ersten Leistungs schalteinrichtung (2U) bestimmt; und
eine mit der ersten Überwachungseinrichtung (13U) und dem Befehlssignalerzeuger (7) verbundene zweite Treiberein richtung, die das erste Überwachungssignal und das zweite Befehlssignal empfängt und der zweiten Leistungsschaltein richtung (2L) ein zweites Treibersignal zum Einschalten zuführt, wenn das erste Überwachungssignal einen Aus-Zu stand der ersten Leistungsschalteinrichtung (2U) bezeichnet und das zweite Befehlssignal das Einschalten der zweiten Leistungsschalteinrichtung (2L) bestimmt.
2. Treiberschaltung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die erste Treibereinrichtung einen mit der ersten Lei
stungsschalteinrichtung (2U) verbundenen Pegelumsetzer (9)
zum Erhöhen eines Pegels des ersten Treibersignals auf
weist.
3. Treiberschaltung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die zweite Treibereinrichtung einen mit der ersten
Überwachungseinrichtung (13U) verbundenen Pegelumsetzer
(14) zum Herabsetzen eines Pegels des ersten Überwachungs
signals aufweist.
4. Treiberschaltung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die erste Treibereinrichtung ein UND-Glied (15U) auf
weist, das das zweite Überwachungssignal und das erste
Befehlssignal empfängt und das erste Treibersignal liefert.
5. Treiberschaltung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die zweite Treibereinrichtung ein UND-Glied (15L) auf
weist, das das erste Überwachungssignal und das zweite
Befehlssignal empfängt und das zweite Treibersignal
liefert.
6. Treiberschaltung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die erste Überwachungseinrichtung (13U) ein Nichtglied
(16U) mit einer vorbestimmten Schwellenspannung aufweist,
das mit einer Steuerelektrode der ersten Leistungsschalt
einrichtung verbunden ist und eine Spannung der Steuer
elektrode der ersten Leistungsschalteinrichtung mit dieser
Schwellenspannung diskriminiert.
7. Treiberschaltung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die zweite Überwachungseinrichtung (13L) ein Nichtglied
(16L) mit einer vorbestimmten Schwellenspannung aufweist,
das mit einer Steuerelektrode der zweiten Leistungsschalt
einrichtung (2L) verbunden ist und eine Spannung der
Steuerelektrode der zweiten Leistungsschalteinrichtung mit
dieser Schwellenspannung diskriminiert.
8. Treiberschaltung nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß die vorbestimmte Schwellenspannung kleiner als eine
Schwellenspannung der ersten Leistungsschalteinrichtung
(2U) ist.
9. Treiberschaltung nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet,
daß die vorbestimmte Schwellenspannung kleiner als eine
Schwellenspannung der zweiten Leistungsschalteinrichtung
(2L) ist.
10. Treiberschaltung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die erste Leistungsschalteinrichtung einen Isolier
schicht-Bipolartransistor (19U) mit einem Stromfühleran
schluß aufweist und
daß die erste Überwachungseinrichtung einen Stromfühler
widerstand (20) aufweist, der dem Stromfühleranschluß des
Isolierschicht-Bipolartransistors (19U) und einem Verbin
dungspunkt zwischen der ersten und zweiten Leistungsschalt
einrichtung (2U, 2L) parallelgeschaltet ist.
11. Treiberschaltung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die zweite Leistungsschalteinrichtung einen Isolier
schicht-Bipolartransistor (19L) mit einem Stromfühleran
schluß aufweist und
die zweite Überwachungseinrichtung einen Stromfühlerwider
stand aufweist, der dem Stromfühleranschluß des Isolier
schicht-Bipolartransistors und dem Niederspannungs-Lei
stungsanschluß parallelgeschaltet ist.
12. Treiberschaltung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die erste und die zweite Leistungsschalteinrichtung
Bipolartransistoren (18U, 18L) aufweisen und
daß die erste und die zweite Überwachungseinrichtung je
weils einen Stromfühlerwiderstand (21), der an eine Basis
des Bipolartransistors angeschlossen ist, und einen Ver
stärker (22) zur Verstärkung einer Spannung am Stromfühler
widerstand aufweisen.
13. Treiberschaltung nach Anspruch 12,
dadurch gekennzeichnet,
daß die erste und die zweite Überwachungseinrichtung je
weils eine Bezugsspannungsquelle (27) zur Erzeugung einer
vorbestimmten Bezugsspannung und einen Spannungsvergleicher
(26) aufweisen, der ein Ausgangssignal des Verstärkers und
die Bezugsspannung empfängt und das Überwachungssignal
liefert.
14. Treiberschaltung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die erste und die zweite Überwachungseinrichtung je
weils einen Stromwandler (23), der mit einem Hauptstromweg
der ersten und der zweiten Leistungsschalteinrichtung in
Reihe geschaltet ist, und einen Verstärker (25) zur Ver
stärkung einer von dem Stromwandler induzierten Spannung
aufweisen.
15. Treiberschaltung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die erste und die zweite Überwachungseinrichtung je
weils einen Stromfühlerwiderstand (24), der mit einem
Hauptstromweg der ersten und der zweiten Leistungsschalt
einrichtung in Reihe geschaltet ist, und einen Verstärker
(25) zur Verstärkung einer Spannung am Stromfühlerwider
stand aufweisen.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1305346A JPH03169273A (ja) | 1989-11-22 | 1989-11-22 | スイッチングデバイス駆動回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4032014A1 true DE4032014A1 (de) | 1991-05-23 |
Family
ID=17944008
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4032014A Ceased DE4032014A1 (de) | 1989-11-22 | 1990-10-09 | Treiberschaltung fuer leistungsschalteinrichtungen |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5099138A (de) |
JP (1) | JPH03169273A (de) |
DE (1) | DE4032014A1 (de) |
FR (1) | FR2654883B1 (de) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0664595A2 (de) * | 1994-01-20 | 1995-07-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Steuerung für Leistungshalbleiter und Antriebssteuerung für Motor |
DE19503375A1 (de) * | 1994-03-02 | 1995-09-14 | Siemens Ag Oesterreich | Ansteuerschaltung für zwei in Serie geschaltete Transistoren |
DE10147882A1 (de) * | 2001-09-28 | 2003-04-24 | Infineon Technologies Ag | Halbbrückenschaltung und Verfahren zu deren Ansteuerung |
DE10241564B3 (de) * | 2002-09-07 | 2004-01-15 | Semikron Elektronik Gmbh | Verfahren zur Fehlererkennung in der Datenübertragung zu einer Treiberschaltung |
DE10316223B3 (de) * | 2003-04-09 | 2004-09-09 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Ermittlung des Schaltzustandes eines Transistors |
DE10343278B4 (de) * | 2003-09-18 | 2006-01-05 | Infineon Technologies Ag | Halbbrückenschaltung mit einer Einrichtung zur Vermeidung von Querströmen |
WO2006007365A1 (en) * | 2004-07-01 | 2006-01-19 | Analog Devices, Inc. | Anti-cross conduction driver control circuit and method |
EP1619782A2 (de) * | 2004-07-22 | 2006-01-25 | Hitachi, Ltd. | Leistungs-Umrichter mit Kurzschluss-Schutz |
WO2012158427A1 (en) * | 2011-05-13 | 2012-11-22 | Mks Instruments, Inc. | Method and system for shoot-through protection |
WO2014035775A3 (en) * | 2012-08-29 | 2014-04-24 | Eaton Corporation | System for optimizing switching dead-time and method of making same |
US8749209B2 (en) | 2008-05-05 | 2014-06-10 | Infineon Technologies Austria Ag | System and method for providing adaptive dead times |
EP2894776A1 (de) * | 2014-01-09 | 2015-07-15 | Dialog Semiconductor (UK) Limited | Gleichspannungswandler für hohe Spannungen mit Master/Slave Tiefsetzstellerausgangsstufen |
EP2854276A3 (de) * | 2013-09-25 | 2016-03-09 | General Electric Company | System und Verfahren zur Steuerung von Schaltelementen in einer einphasigen Brückenschaltung |
EP3309964A1 (de) * | 2016-10-14 | 2018-04-18 | Siemens Aktiengesellschaft | Anordnung zur schaltzustandserkennung eines spannungsgesteuerten halbleiterschaltelements |
Families Citing this family (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69223715T2 (de) * | 1991-09-26 | 1998-07-09 | Nat Semiconductor Corp | Integrierte Schaltung mit reduzierten elektromagnetischen Ausstrahlungen |
JP3142018B2 (ja) * | 1992-03-12 | 2001-03-07 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 負荷駆動回路 |
US5274274A (en) * | 1992-03-23 | 1993-12-28 | Power Integrations, Inc. | Dual threshold differential discriminator |
US5365118A (en) * | 1992-06-04 | 1994-11-15 | Linear Technology Corp. | Circuit for driving two power mosfets in a half-bridge configuration |
US5408150A (en) * | 1992-06-04 | 1995-04-18 | Linear Technology Corporation | Circuit for driving two power mosfets in a half-bridge configuration |
US5311084A (en) * | 1992-06-23 | 1994-05-10 | At&T Bell Laboratories | Integrated circuit buffer with controlled rise/fall time |
US5410229A (en) * | 1992-07-31 | 1995-04-25 | Black & Decker Inc. | Motor speed control circuit with electronic clutch |
US5406150A (en) * | 1992-08-24 | 1995-04-11 | Silicon Systems Inc | Control system for motors and inductive loads |
US6377087B1 (en) * | 1993-01-19 | 2002-04-23 | U.S. Philips Corporation | Driving scheme for bipolar transistors |
US5331593A (en) * | 1993-03-03 | 1994-07-19 | Micron Semiconductor, Inc. | Read circuit for accessing dynamic random access memories (DRAMS) |
US5394037A (en) * | 1993-04-05 | 1995-02-28 | Lattice Semiconductor Corporation | Sense amplifiers and sensing methods |
US5502610A (en) * | 1993-09-02 | 1996-03-26 | Micrel, Inc. | Switching regulator having high current prevention features |
US5546045A (en) * | 1993-11-05 | 1996-08-13 | National Semiconductor Corp. | Rail to rail operational amplifier output stage |
US5545955A (en) * | 1994-03-04 | 1996-08-13 | International Rectifier Corporation | MOS gate driver for ballast circuits |
US6147545A (en) * | 1994-03-08 | 2000-11-14 | Texas Instruments Incorporated | Bridge control circuit for eliminating shoot-through current |
US5841313A (en) * | 1995-08-30 | 1998-11-24 | Cherry Semiconductor Corporation | Switch with programmable delay |
US5781058A (en) * | 1995-08-30 | 1998-07-14 | Cherry Semiconductor Corporation | Totem pole driver with cross conduction protection and default low impedance state output |
US5754065A (en) * | 1995-11-07 | 1998-05-19 | Philips Electronics North America Corporation | Driving scheme for a bridge transistor |
WO1997017761A1 (en) * | 1995-11-07 | 1997-05-15 | Philips Electronics N.V. | Circuit arrangement |
JP3394377B2 (ja) * | 1996-01-09 | 2003-04-07 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体モジュール |
DE19604341C2 (de) * | 1996-02-07 | 1998-07-02 | Fraunhofer Ges Forschung | Einrichtung zur Ansteuerung von Schaltelementen, insbesondere MOS-FETS in Brückenzweigpaaren |
US5777496A (en) * | 1996-03-27 | 1998-07-07 | Aeg Schneider Automation, Inc. | Circuit for preventing more than one transistor from conducting |
JP3421507B2 (ja) * | 1996-07-05 | 2003-06-30 | 三菱電機株式会社 | 半導体素子の駆動回路 |
JPH10271710A (ja) * | 1997-03-28 | 1998-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | 電源切替回路 |
KR100433799B1 (ko) * | 1998-12-03 | 2004-06-04 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 전압구동형 스위칭 소자의 게이트 구동회로 |
EP1063772A1 (de) | 1999-04-21 | 2000-12-27 | Infineon Technologies AG | Treiberschaltung zum Ansteuern einer Halbbrücke |
JP2001268899A (ja) * | 2000-03-17 | 2001-09-28 | Fujitsu Ltd | 電源制御装置、電源回路及び電源制御方法並びに電子機器 |
US6323703B1 (en) * | 2000-05-04 | 2001-11-27 | Exar Corporation | Indirect output current sensing |
EP1360756A2 (de) * | 2001-02-06 | 2003-11-12 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Schaltende feldeffekttransistor-schaltung |
US6809571B2 (en) * | 2001-10-01 | 2004-10-26 | International Rectifier Corporation | Power control circuit with active impedance to avoid interference and sensing problems |
US6687142B2 (en) | 2001-12-17 | 2004-02-03 | Coolit Systems Inc. | AC to DC inverter for use with AC synchronous motors |
DE10303140A1 (de) * | 2002-02-06 | 2003-08-07 | Papst Motoren Gmbh & Co Kg | Verfahren zum Kommutieren eines elektronisch kommutierten Motors, und Motor zur Durchführung eines solchen Verfahrens |
US6747300B2 (en) * | 2002-03-04 | 2004-06-08 | Ternational Rectifier Corporation | H-bridge drive utilizing a pair of high and low side MOSFETs in a common insulation housing |
JP2003324937A (ja) * | 2002-05-09 | 2003-11-14 | Mitsubishi Electric Corp | 駆動装置 |
US7551007B2 (en) * | 2005-02-11 | 2009-06-23 | Fairchild Semiconductor Corporation | Partial switch gate driver |
JP2008259283A (ja) * | 2007-04-03 | 2008-10-23 | Sanken Electric Co Ltd | ゲート駆動回路 |
JP4650518B2 (ja) * | 2008-04-10 | 2011-03-16 | 株式会社デンソー | モータ制御装置 |
JP5428919B2 (ja) * | 2010-02-12 | 2014-02-26 | 株式会社デンソー | 貫通電流防止回路および車両用モータ駆動回路 |
KR101297460B1 (ko) * | 2012-04-24 | 2013-08-16 | 엘에스산전 주식회사 | 게이트 구동 장치 |
US9891640B2 (en) * | 2013-06-14 | 2018-02-13 | Infineon Technologies Ag | Sensing element for semiconductor |
US9130552B2 (en) * | 2013-11-05 | 2015-09-08 | Texas Instruments Incorporated | Cross-conduction detector for switching regulator |
JP6260552B2 (ja) * | 2015-02-26 | 2018-01-17 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 電力供給装置 |
US9712058B1 (en) | 2016-08-29 | 2017-07-18 | Silanna Asia Pte Ltd | High speed tri-level input power converter gate driver |
DE112016007541T5 (de) | 2016-12-22 | 2019-09-19 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitervorrichtung, Inverter und Automobil |
JP6961944B2 (ja) * | 2017-01-18 | 2021-11-05 | 富士電機株式会社 | パワー半導体モジュール |
DE102017218305A1 (de) * | 2017-10-13 | 2019-04-18 | Conti Temic Microelectronic Gmbh | Verfahren zum Steuern einer Halbleiterbrücke eines elektrisch betreibbaren Motors mittels eines Rampensignals, Steuerungseinrichtung sowie Anordnung |
TWI650922B (zh) * | 2018-02-07 | 2019-02-11 | 新唐科技股份有限公司 | 具保護電路之半橋電路驅動晶片及其保護方法 |
US10110221B1 (en) * | 2018-02-21 | 2018-10-23 | Navitas Semiconductor, Inc. | Power transistor control signal gating |
US10345832B1 (en) * | 2018-05-14 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Insulation system and substrate processing apparatus |
EP4369604A1 (de) * | 2022-11-10 | 2024-05-15 | Mitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V. | Überlappender schutz mit gate-stromspiegel in einem stromwandler |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4825102A (en) * | 1986-09-11 | 1989-04-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | MOS FET drive circuit providing protection against transient voltage breakdown |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58170379A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-06 | Hitachi Ltd | スイツチング素子駆動回路 |
US4783690A (en) * | 1983-09-06 | 1988-11-08 | General Electric Company | Power semiconductor device with main current section and emulation current section |
US4628397A (en) * | 1984-06-04 | 1986-12-09 | General Electric Co. | Protected input/output circuitry for a programmable controller |
JPS62221219A (ja) * | 1986-03-22 | 1987-09-29 | Toshiba Corp | 論理回路 |
US4682054A (en) * | 1986-06-27 | 1987-07-21 | Motorola, Inc. | BICMOS driver with output voltage swing enhancement |
US4736267A (en) * | 1986-11-14 | 1988-04-05 | Motorola, Inc. | Fault detection circuit |
JPS63202126A (ja) * | 1987-02-17 | 1988-08-22 | Toshiba Corp | 論理回路 |
DE3708499A1 (de) * | 1987-03-16 | 1988-10-20 | Sgs Halbleiterbauelemente Gmbh | Digitale gegentakt-treiberschaltung |
US4814638A (en) * | 1987-06-08 | 1989-03-21 | Grumman Aerospace Corporation | High speed digital driver with selectable level shifter |
JPS6432719A (en) * | 1987-07-29 | 1989-02-02 | Seiko Instr & Electronics | Output device for semiconductor integrated circuit |
US4910416A (en) * | 1988-03-04 | 1990-03-20 | Modicon, Inc. | Power switch monitor to improve switching time |
JP2550138B2 (ja) * | 1988-03-18 | 1996-11-06 | 株式会社日立製作所 | バイポーラトランジスタと電界効果トランジスタとを有する半導体集積回路装置 |
US4876635A (en) * | 1988-12-23 | 1989-10-24 | General Electric Company | Series resonant inverter with lossless snubber-resetting components |
US5001369A (en) * | 1990-07-02 | 1991-03-19 | Micron Technology, Inc. | Low noise output buffer circuit |
-
1989
- 1989-11-22 JP JP1305346A patent/JPH03169273A/ja active Pending
-
1990
- 1990-07-12 US US07/551,995 patent/US5099138A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-08-29 FR FR9010763A patent/FR2654883B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1990-10-09 DE DE4032014A patent/DE4032014A1/de not_active Ceased
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4825102A (en) * | 1986-09-11 | 1989-04-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | MOS FET drive circuit providing protection against transient voltage breakdown |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
BARETT, J.: Interaktives Schalten in Brücken- zweigen, IN: elektronik industrie 2, 1988, S. 86-88 * |
Cited By (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0664595A3 (de) * | 1994-01-20 | 1997-04-23 | Mitsubishi Electric Corp | Steuerung für Leistungshalbleiter und Antriebssteuerung für Motor. |
US6005366A (en) * | 1994-01-20 | 1999-12-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Controller for power device and drive controller for motor |
US6522098B1 (en) | 1994-01-20 | 2003-02-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Controller for power device and drive controller for motor |
EP0664595A2 (de) * | 1994-01-20 | 1995-07-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Steuerung für Leistungshalbleiter und Antriebssteuerung für Motor |
US6724169B2 (en) | 1994-01-20 | 2004-04-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Controller for power device and drive controller for motor |
DE19503375A1 (de) * | 1994-03-02 | 1995-09-14 | Siemens Ag Oesterreich | Ansteuerschaltung für zwei in Serie geschaltete Transistoren |
DE19503375C2 (de) * | 1994-03-02 | 1998-06-04 | Siemens Ag Oesterreich | Ansteuerschaltung für zwei in Serie geschaltete Transistoren |
DE10147882B4 (de) * | 2001-09-28 | 2005-06-23 | Infineon Technologies Ag | Halbbrückenschaltung und Verfahren zu deren Ansteuerung |
DE10147882A1 (de) * | 2001-09-28 | 2003-04-24 | Infineon Technologies Ag | Halbbrückenschaltung und Verfahren zu deren Ansteuerung |
US7068486B2 (en) | 2001-09-28 | 2006-06-27 | Infineon Technologies Ag | Half-bridge circuit and method for driving the half-bridge circuit |
DE10241564B3 (de) * | 2002-09-07 | 2004-01-15 | Semikron Elektronik Gmbh | Verfahren zur Fehlererkennung in der Datenübertragung zu einer Treiberschaltung |
DE10316223B3 (de) * | 2003-04-09 | 2004-09-09 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Ermittlung des Schaltzustandes eines Transistors |
DE10343278B4 (de) * | 2003-09-18 | 2006-01-05 | Infineon Technologies Ag | Halbbrückenschaltung mit einer Einrichtung zur Vermeidung von Querströmen |
WO2006007365A1 (en) * | 2004-07-01 | 2006-01-19 | Analog Devices, Inc. | Anti-cross conduction driver control circuit and method |
US7187226B2 (en) | 2004-07-01 | 2007-03-06 | Analog Devices, Inc. | Anti-cross conduction drive control circuit and method |
EP1619782A2 (de) * | 2004-07-22 | 2006-01-25 | Hitachi, Ltd. | Leistungs-Umrichter mit Kurzschluss-Schutz |
EP1619782A3 (de) * | 2004-07-22 | 2009-05-06 | Hitachi, Ltd. | Leistungs-Umrichter mit Kurzschluss-Schutz |
DE102009002819B4 (de) * | 2008-05-05 | 2016-01-14 | Infineon Technologies Austria Ag | Verfahren und Schaltung zum adaptiven Steuern einer Totzeit |
US8749209B2 (en) | 2008-05-05 | 2014-06-10 | Infineon Technologies Austria Ag | System and method for providing adaptive dead times |
US9473025B2 (en) | 2008-05-05 | 2016-10-18 | Infineon Technologies Austria Ag | System and method for providing adaptive dead times for a half bridge circuit |
US8749939B2 (en) | 2011-05-13 | 2014-06-10 | Mks Instruments, Inc. | Method and system for shoot-through protection |
WO2012158427A1 (en) * | 2011-05-13 | 2012-11-22 | Mks Instruments, Inc. | Method and system for shoot-through protection |
WO2014035775A3 (en) * | 2012-08-29 | 2014-04-24 | Eaton Corporation | System for optimizing switching dead-time and method of making same |
US9166469B2 (en) | 2012-08-29 | 2015-10-20 | Eaton Corporation | System for optimizing switching dead-time and method of making same |
EP2854276A3 (de) * | 2013-09-25 | 2016-03-09 | General Electric Company | System und Verfahren zur Steuerung von Schaltelementen in einer einphasigen Brückenschaltung |
US9362859B2 (en) | 2013-09-25 | 2016-06-07 | General Electric Company | System and method for controlling switching elements within a single-phase bridge circuit |
EP2894776A1 (de) * | 2014-01-09 | 2015-07-15 | Dialog Semiconductor (UK) Limited | Gleichspannungswandler für hohe Spannungen mit Master/Slave Tiefsetzstellerausgangsstufen |
EP3309964A1 (de) * | 2016-10-14 | 2018-04-18 | Siemens Aktiengesellschaft | Anordnung zur schaltzustandserkennung eines spannungsgesteuerten halbleiterschaltelements |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JPH03169273A (ja) | 1991-07-22 |
US5099138A (en) | 1992-03-24 |
FR2654883A1 (fr) | 1991-05-24 |
FR2654883B1 (fr) | 1994-05-06 |
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