DE4030808A1 - Flaechenhelles quellenfeld - Google Patents
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein flächenhelles Quellen
feld bzw. eine Quellenplatte, die bei einer flächenhellen
Quelleneinrichtung zur Anwendung kommt, die in einer Viel
zahl von Beleucht- bzw. Ausleuchtanwendungsfällen zum Ein
satz kommt, welche Hintergrundbeleuchtungen unter Verwen
dung von Flüssigkristallen für von hinten einfallendes Licht
Anzeigeteile und Anzeigetafeln mit einschließen.
Es wurde eine flächenhelle Quelleneinrichtung vorgeschlagen,
die mit einer Lichtquelle versehen ist, die auf einer End
fläche eines flächenhellen Quellenfeldes angeordnet ist, wo
bei eine solche Einrichtung übliche Leuchtquelleneinrichtun
gen der Bauart ersetzen kann, die eine große Anzahl von fluo
reszierenden Lichtquellen hat, die auf der Rückseite einer
unregelmäßigen Reflektorseite angeordnet sind.
Obgleich diese bekannte flächenhelle Quelleneinrichtung sich
in einer sehr dünnen und kompakten Form realisieren läßt, hat
sie den Nachteil, daß sie nicht das Vermögen hat, eine gleich
mäßig verteilte spezifische Helligkeit bereitzustellen. Um
diese Schwierigkeit zu überwinden, ist in der japanischen,
erstveröffentlichten Patentanmeldung (Tokkai) No. 57-1 28 383
eine unregelmäßige Reflexionsschicht vorgeschlagen, die von
einer weißen Farbe gebildet wird und ein Reflexionsvermögen
hat, welches eine gleichmäßige Verstärkung mit dem Abstand
von der Oberfläche hat. In der japanischen, erstveröffent
lichten Patentanmeldung (Tokkai) No. 60-2 05 576 ist eine vor
derseitige, unregelmäßige Reflexionsschicht aus einem trans
parenten Substrat angegeben, das von einer weißen Farbe ge
bildet wird, und an dem Glasperlen angebracht sind. In der
japanischen, erstveröffentlichten Patentanmeldung (Tokkai)
No. 62-902 ist eine mehrlagige Auslegung von flächenhellen
Quellenfeldern hingegen angegeben, die jeweils eine unregel
mäßige Reflexionsschicht haben.
Da mit allen diesen Maßnahmen die vorstehend genannte Proble
matik nicht vollständig überwunden werden kann, haben die Er
finder in der japanischen Patentanmeldung (Tokugan) No. 663-
2 08 670 eine unregelmäßige Reflexionsschicht vorgeschlagen, die
auf einer Oberfläche eines transparenten Substrats angeordnet
ist, wobei der horizontale Querschnittsbereich der Reflexions
schicht stetig mit dem Abstand von der Lichtquelle längs der
Schicht zunimmt, und wobei die Reflexionsschicht von einer
großen Anzahl von sehr kleinen unregelmäßigen Reflexionsteilen
gebildet wird, welche in Form von sovielen Punkten oder Strei
fen realisiert sind, daß diese mit einem Verhältnis von 30 bis
65 Streifenlinien pro cm angeordnet sind, indem ein Siebdruc
ken zur Anwendung kommt, bei dem eine Tinte mit niedriger Kon
zentration und einem Feststoffgehalt von 13 bis 30 Gew.-% zur
Anwendung kommt, um eine geringe Lichtdurchlässigkeit zu erhal
ten. Wenn eine unregelmäßige Reflexionsschicht gemäß dem vor
stehend angegebenen Dokument in Verbindung mit einem 8W fluo
reszierenden Licht eingesetzt wird, das an der gegenüberliegen
den Endfläche angeordnet ist, um ein flächenhelles Quellenfeld
mit einer Größe von DIN A4 zu bilden, so ergibt sich eine spezi
fische Helligkeit in der Größenordnung von 2000 nit.
Obgleich ein flächenhelles Quellenfeld der von den Erfindern
vorgeschlagenen Weise, welches zuvor beschrieben worden ist, für
eine flächenhelle Quelleneinrichtung eingesetzt werden kann,
die für eine Vielzahl von praktischen Anwendungsfällen ausrei
chend ist, bleibt jedoch der Nachteil einer ungleichmäßigen
spezifischen Helligkeit erhalten, die man in der Nähe der
Lichtquelle feststellen kann, wenn sie als eine Flüssigkristall
einrichtung für ein von hinten einfallendes Licht einer trans
portablen Textverarbeitungseinrichtung, eines Rechners oder ei
ner Fernseheinrichtung eingesetzt wird.
Die Verteilung der spezifischen Helligkeit einer derartigen
flächenhellen Quelleneinrichtung hat im allgemeinen gekrümmte
Linien, welche flach oder sogar gerade werden, wenn die unre
gelmäßige Reflexionsschicht sehr nahe an einem Rand des trans
parenten Substrats angeordnet wird.
Obgleich ein derartiges flächenhelles Quellenfeld praktisch ei
ne gleichmäßige Verteilung der spezifischen Helligkeit bereit
stellt, kann eine geringfügige Ungleichmäßigkeit der spezifi
schen Helligkeit sofort den Gesamteffekt des Feldes nachteilig
beeinflussen, und zwar insbesondere dann, wenn es bei einer Vor
richtung zum Einsatz kommt, bei der die Gleichförmigkeit der
spezifischen Helligkeit eine absolut zwingende Notwendigkeit
ist.
Die Erfindung zielt daher darauf ab, ein flächenhelles Quellen
feld bereitzustellen, bei dem die vorstehend genannten Schwie
rigkeiten überwunden sind, und bei dem in zuverlässiger Weise
eine äußerst gleichmäßige Verteilung der spezifischen Hellig
keit erreicht wird, um auch sehr strengen Anforderungen zu ge
nügen.
Aufgrund von eingehenden Versuchen, die von den Erfindern durch
geführt wurden, hat sich gezeigt, daß die kurvenförmige Vertei
lung der spezifischen Helligkeit eines üblichen flächenhellen
Quellenfeldes durch die Tatsache verursacht wird, daß das von
der Lichtquelle und auf das transparente Substrat auftreffende
Licht nicht notwendigerweise einen geraden Verlauf hat, son
dern einen geneigten Verlauf haben kann, um parallel zu den
Diagonalen zu verlaufen, so daß die Strahlen des auftreffen
den Lichts an dem gekrümmten Bereich zwischen den gegenüber
liegenden Enden der Lichtquelle konzentriert werden, daß ein
flächenhelles Quellenfeld, das eine Reflexionsschicht hat, de
ren horizontaler Flächenbereich stetig mit dem Abstand von der
Lichtquelle zunimmt, nicht effektiv die ungleichmäßige Ver
teilung der spezifischen Helligkeit infolge des konzentrierten,
einfallenden Lichts kompensieren kann, da die gleichmäßige Zu
nahme des horizontalen Flächenbereichs immer ein paralleles
Muster zeigt, und daß, wenn eine fluoreszierende Lampe einge
setzt wird, die herabgesetzte spezifische Helligkeit an oder
in der Umgebung der beiden gegenüberliegend angeordneten Basis
teile die ungleichmäßige Verteilung der spezifischen Helligkeit
verstärken kann.
Auch hat sich gezeigt, daß ein flächenhelles Quellenfeld, das
mit einer unregelmäßigen Reflexionsschicht versehen ist, die
in der Nähe eines Randes des transparenten Substrats angeordnet
ist, unter dem direkten Einfluß der Lichtquelle steht, der sich
nicht durch das parallele Muster aufheben läßt.
Auf der Basis dieser Feststellungen wird nach der Erfindung ein
flächenhelles Quellenfeld bereitgestellt, das eine unregelmä
ßige Reflexionsschicht hat, die auf der Oberfläche eines trans
parenten Substrats angeordnet ist, wobei die Reflexionsschicht
ein paralleles Musterteil hat, das ein Flächenverhältnis be
sitzt, das gleichmäßig mit dem Abstand von einer Lichtquelle
längs der Oberfläche des Feldes zunimmt, und ein regulierendes
Musterteil hat, das sich in der Nähe der Lichtquelle befindet
und teilweise durch das parallele Musterteil umgeben ist, wo
bei das regulierende Musterteil eine hügelförmige Kontur hat,
die von dem Rand in der Nähe der Lichtquelle ausgeht und ein
Flächenverhältnis hat, das allmählich mit dem Abstand von der
Lichtquelle kleiner wird.
Gemäß einer zweiten bevorzugten Ausführungsform nach der Erfin
dung wird ein flächenhelles Quellenfeld bereitgestellt, das ei
ne unregelmäßige Reflexionsschicht aufweist, die in der Nähe ei
nes Querrandes eines transparenten Substrats angeordnet ist, wo
bei die unregelmäßige Reflexionsschicht ein paralleles Muster
teil, das ein Flächenverhältnis hat, das gleichmäßig mit dem Ab
stand von einer Lichtquelle längs der Oberfläche des Feldes zu
nimmt, und ein regulierendes Musterteil hat, das in der Nähe des
Querrandes angeordnet ist, und eine parallele oder hügelförmige
Kontur hat, und wobei das regulierende Musterteil ein herabge
setztes Flächenverhältnis hat.
Da bei einem flächenhellen Quellenfeld nach der Erfindung die
unregelmäßige Reflexionsschicht des Teils des Feldes, an dem
das einfallende Licht eine hohe Konzentration der Lichtstrah
len hat oder dem Teil, das direkt durch das einfallende Licht
beeinflußt wird, einen beträchtlich herabgesetzten Flächenbe
reich einnimmt, stellt die unregelmäßige Reflexion des Lichts
an dem regulierenden Musterteil eine ausreichende Lichtaus
breitung in der Trennfläche und zugleich eine gleichmäßige spe
zifische Helligkeit dadurch sicher, daß ein Zusammenarbeiten
mit dem parallelen Musterteil gegeben ist, um die Lichtstrah
lung durch die unregelmäßige Reflexion an der unregelmäßigen
Reflexionsfläche zu unterdrücken.
Weitere Einzelheiten, Merkmale und Vorteile der Erfindung erge
ben sich aus der nachstehenden Beschreibung von bevorzugten Aus
führungsformen unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung.
Darin zeigt:
Fig. 1 eine perspektivische Ansicht einer Textverar
beitungseinrichtung, bei der eine bevorzugte
Ausführungsform eines flächenhellen Quellen
feldes nach der Erfindung vorgesehen ist,
Fig. 2 eine perspektivische Ansicht der Hauptteile
der in Fig. 1 gezeigten Textverarbeitungsein
richtung in auseinandergezogener Darstellung,
Fig. 3 eine Draufsicht auf eine Bildaufnahmeeinrich
tung, für die die vorliegende Erfindung be
stimmt sein kann,
Fig. 4 eine Draufsicht auf eine dünne Diffusionsplat
te, die bei der Ausführungsform nach Fig. 3
verwendet wird, und
Fig. 5 und 6 Draufsichten von flächenhellen Quellenfeldern
gemäß zwei unterschiedlichen bevorzugten Aus
führungsformen.
Zuerst unter Bezugnahme auf Fig. 1 ist mit dem Bezugszeichen 1
insgesamt eine Textverarbeitungseinrichtung bezeichnet, die ei
nen Hauptkörper aufweist, der eine Tastatur 3 auf seiner Ober
seite hat, und ein hochstehendes Anzeigeteil 5 hat, das auf den
Hauptkörper 5 zum vereinfachten Lagern und Transportieren ge
klappt werden kann.
Das klappbare Anzeigeteil 5 ist in Form einer dünnen und brei
ten Platte verwirklicht, die eine Dicke von etwa 1 cm oder ein
Drittel von jener aller bisher vorhandenen ähnlichen Anzeige
einrichtungen hat, bei denen diese Dicke sich normalerweise der
Größe von 3 cm nähert. Das Anzeigeteil 5 hat eine Anzeigeflä
che 7, die von einem Flüssigkristallfeld 9 gebildet wird, das
durch eine transparente Schutzplatte 8 geschützt ist.
Auf der Rückseite des Flüssigkristallfeldes 9 des klappbaren
Anzeigeteils 5 ist eine flächenhelle Quelleneinrichtung 10
angeordnet.
Diese flächenhelle Quelleneinrichtung 10 weist eine transpa
rente unregelmäßige Reflexionsplatte 11, die aus einer milchi
gen, weißen Polyesterfolie besteht, ein flächenhelles Quellen
feld 12 und eine Reflexionsrückplatte 13 auf, die auch aus ei
ner milchig weißen Polyesterfolie hergestellt ist, wobei diese
Teile in Form von mehreren Lagen, ausgehend von der Vordersei
te angeordnet sind. Die Einrichtung 10 weist auch eine Licht
quelle 14 auf, die von einer fluoreszierenden Lampe gebildet
wird, die an dem Boden der Einrichtung angeordnet ist, und sie
weist ein endseitiges Reflektorteil 15 auf, das aus einem wei
ßen Band hergestellt ist und die drei Kanten des flächenhellen
Quellenfeldes 12, abgesehen von der Kante umgibt, an der die
Lichtquelle 14 angeordnet ist.
Die Lichtquelle 14, die von der fluoreszierenden Lampe gebil
det wird, ist bei dieser bevorzugten Ausführungsform in Form
einer sogenannten zylindrischen Schlitzröhre verwirklicht, die
einen in Längsrichtung verlaufenden, durchlässigen Schlitz
bereich hat, welcher dem flächenhellen Quellenfeld 12 gegen
überliegend angeordnet ist, und der restliche Bereich ist mit
tels eines nicht-reflektierenden Materials an der Innenseite
oder Außenseite abgedeckt, um möglichst viel Licht aus das flä
chenhelle Quellenfeld zu richten.
Das flächenhelle Quellenfeld 12 erhält man unter Verwendung
eines transparenten Substrats 16 aus einem transparenten
Acrylharz mit Quer- und Längsabmessungen von 130 × 240 mm und
einer Dicke von 6 mm, dessen Rückseite mit einer unregelmä
ßigen Reflexionsschicht 17 beschichtet ist, welche in dichten
Maschen vorgesehen ist.
Die unregelmäßige Reflexionsschicht 17 weist ein paralleles
Musterteil 18 und ein regulierendes Musterteil 19 auf, wo
bei das parallele Musterteil 18 die gesamte unregelmäßige Re
flexionsschicht 17, abgesehen von dem Teil bedeckt, die von
dem regulierenden Musterteil 18 eingenommen wird, und das auch
derart ausgebildet ist, daß das Flächenverhältnis gleichmäßig
im Abstand von der Lichtquelle in eine Richtung parallel zur
Querfläche der Schicht 17 zunimmt. Bei dieser bevorzugten Aus
führungsform wird die gleichmäßige Zunahme des Flächenverhält
nisses an einer Stelle am größten, die geringfügig in Richtung
zu dem oberen Endreflektorteil 15, ausgehend von der Mitte des
flächenhellen Quellenfeldes 12 zwischen der Lichtquelle 14 und
dem oberen Reflexionsteil 15, verschoben ist, um eine Gleichmä
ßigkeit des parallelen Musterteils 18 dadurch sicherzustellen,
daß verhindert wird, daß der Bereich in der Nähe des Endreflek
torteils 15, das von der Lichtquelle am weitesten entfernt liegt,
eine zu große spezifische Helligkeit infolge des Lichts erhält,
das durch das Endreflektorteil 15 reflektiert wird.
Andererseits ist das regulierende Musterteil 19 derart ausgebil
det, daß es eine hügelförmige Kontur hat, die von dem Bodenrand
der unregelmäßigen Reflexionsschicht 17 ausgeht, die der Licht
quelle 14 zugewandt ist, und die von dem parallelen Musterteil
18 umgeben wird, um das Flächenverhältnis des Teils des paral
lelen Musterteils 18 weiter zu reduzieren, das das regulierende
Musterteil 19 umgibt.
Das Herabsetzen des Flächenverhältnisses des regulierenden Mu
sterteils 19 stellt sich zweckmäßigerweise zwischen einigen
Prozenten und 15% ein. Das Flächenverhältnis relativ zu dem um
gebenden parallelen Musterteil 18 nimmt zweckmäßigerweise ste
tig zu. Wenn dies der Fall ist, ist die Zunahme des Flächenver
hältnisses visuell praktisch von der Außenseite des flächen
hellen Quellenfeldes 12 her nicht wahrnehmbar.
Obgleich eine unregelmäßige Reflexionsschicht 17, die ein pa
ralleles Musterteil 18 und ein regulierendes Musterteil hat,
mit Hilfe der Siebdrucktechnik hergestellt werden kann, die
in der japanischen Patentanmeldung No. 63-2 08 670 von den Er
findern der vorliegenden Erfindung angegeben ist, oder mittels
eines weiß bedruckten Filmes oder unter Einsatz einer bekannten
Schockblastechnik hergestellt werden kann, wird es bevorzugt,
diese unregelmäßige Reflexionsschicht entweder mittels Sieb
drucktechnik oder durch Anwenden eines Filmes herzustellen,
da diese beiden Methoden eine hohe Präzision sicherstellen und
es sich bei der vorstehend beschriebenen Verfahrensweise um ei
ne einfache und sichere Verfahrensweise handelt.
Wenn beispielsweise eine unregelmäßige Reflexionsschicht 17
mittels Siebdruck ausgebildet wird, läßt sich ein paralleles
Musterteil 18 und ein regulierendes Musterteil 19 auf einem
zweiten Negativfilm herstellen, indem man diesen einem ultra
violetten Licht zur Projektion eines unregelmäßigen Refle
xionsmusters aussetzt.
Fig. 3 der beigefügten Zeichnung zeigt eine photographische
Vorrichtung 20 zur Herstellung eines zweiten Negativfilms 31.
In Fig. 3 ist mit der Bezugsziffer 21 ein Lichtkasten, mit 22
eine Ausleuchtlampe, mit 23 eine milchig weiße Glasplatte für
die unregelmäßige Reflexion an der oberen Seite des Lichtka
stens 21, mit 24 ein Gestellrahmen, der auf seiner oberen Flä
che eine transparente Glasplatte 25 trägt, und mit 26 eine Ka
mera bezeichnet.
Die Bildaufnahmen unter Verwendung eines zweiten Negativfilms
31 werden mittels Photographie dadurch erhalten, daß ein Ne
gativfilm 27, der ein Maschenmuster darauf hat und von Retra
Japan erhältlich ist, und eine viereckige Diffusionsplatte 28,
die aus einer milchig weißen Polyesterfolie besteht, in sehr
vielen Lagen angeordnet werden.
Zum Zeitpunkt der Bildaufnahme wird zusätzlich eine weitere
Diffusionsplatte 29, die aus einer milchig weißen Polyester
folie hergestellt ist und mit einem ausgeschnittenen Bereich
30 versehen ist, welcher der Form des regulierenden Muster
teils 19 entsprechend Fig. 4 entspricht, zusätzlich unter den
Negativfilm 27 zwischen die transparente Glasplatte 25 und
den Negativfilm 27 gelegt.
Da das parallele Muster auf dem Negativfilm 27 auf den zweiten
Negativfilm mit Hilfe der Diffusionsplatte 29 kopiert wird,
erreichen die Lichtstrahlen, die auf den ausgeschnittenen Be
reich treffen, direkt den Negativfilm 27, während die Licht
strahlen, die auf den restlichen, abgedeckten Bereich treffen,
zu dem Negativfilm gelangen, nachdem sie durch die Diffusions
platte 29 gegangen sind und daher geringfügig hinsichtlich ih
rer Intensität abgeschwächt sind, so daß das Bildmuster auf
den zweiten Negativfilm 31 aufgezeichnet wird.
Da die Intensität der durch den ausgenommenen Bereich 30 gehen
den Lichtstrahl größer als jene der Strahlen von dem abgedeck
ten Bereich ist, breiten sich die erstgenannten Strahlen, wenn
sie hinter die Maschen des Negativfilms 27 gelangen, aus, um
das Flächenverhältnis der jeweiligen Maschen bzw. Gitterteile
zu reduzieren, wenn sie aufgezeichnet werden, so daß sowohl das
parallele Musterteil 18 als auch das regulierende Musterteil 19
gleichzeitig auf dem zweiten Negativfilm aufgezeichnet werden.
Da die Diffusionsplatte 28 auf dem Negativfilm 27 gleichmäßig
das Ausleuchtlicht streut und zugleich eine ungleichmäßige Ver
teilung der Intensität des Ursprungslichtes beibehält, wird
die Grenzlinie des ausgenommenen Bereiches 30 der unteren Dif
fusionsplatte 29 verschwommen, so daß das parallele Musterteil
28 gleichmäßig in das regulierende Musterteil 19 übergeht.
Wenn andererseits der ausgenommene Bereich der unteren Diffu
sionsplatte 29 durch eine transparente Platte ersetzt wird,
kann man ein dazwischenliegendes, hell gefärbtes Abdeckteil
zwischen dem ausgenommenen Teil oder die transparente Platte
und dem Abdeckteil legen, um die Gleichmäßigkeit des Über
gangs von dem parallelen Musterteil 18 zu dem regulierenden
Musterteil 19 und umgekehrt zu verbessern.
Der Schritt des Siebdruckens unter Verwendung eines PVA-Films,
der mit Hilfe des zweiten Negativfilms 31 belichtet wurde, kann
auf dem transparenten Substrat 16 gemäß einer üblichen Methode
unter Verwendung einer Tinte erfolgen, die in der japanischen
Patentanmeldung No. 63-2 08 670 angegeben ist.
Eine flächenhelle Quelleneinrichtung 10, die eine erste bevor
zugte Ausführungsform des flächenhellen Quellenfeldes 12 nach
der Erfindung aufweist, kann in effektiver Weise jegliche Än
derungen der spezifischen Helligkeit infolge der Konzentration
des auftreffenden Lichtes, welche man bei üblichen ähnlichen
Einrichtungen dieser Art beobachtet, eliminieren, und daher er
hält man eine gleichmäßige und helle Hintergrundbeleuchtung
eines Flüssigkristallfeldes 9 durch das von der Lichtquelle 14
einfallende Licht.
Fig. 6 der beigefügten Zeichnung zeigt eine bevorzugte Ausfüh
rungsform des flächenhellen Quellenfeldes 32 gemäß einer zwei
ten Ausführungsform nach der Erfindung. Ähnliche Teile wie bei
der ersten beschriebenen bevorzugten Ausführungsform sind mit
den gleichen Bezugszeichen versehen und diese bevorzugte Aus
führungsform ist für eine Hintergrundbeleuchtung einer Flüssig
kristall-Anzeigeeinrichtung bestimmt, die zwei Lichtquellen 14
hat, die an gegenüberliegenden Enden des Feldes angeordnet sind.
Wie bei der ersten bevorzugten Ausführungsform wird eine unre
gelmäßige Reflexionsschicht 33 mit Hilfe der Siebdrucktechnik
auf einem transparenten Substrat 16, abgesehen von den Rändern
in der Nähe der jeweiligen Lichtquellen 14 ausgebildet. Die un
regelmäßige Reflexionsschicht 33 weist ein paralleles Muster
teil 34 mit Maschen auf, deren Flächenverhältnis allmählich mit
dem Abstand von den Lichtquellen 14 längs der Oberfläche des
Feldes zunimmt, wobei das maximale Flächenverhältnis im Bereich
der Mitte zwischen den beiden Lichtquellen liegt, und zwei re
gulierende Musterteile 35 auf, die in der Nähe und im wesent
lichen parallel zu den jeweiligen Querrändern mit einem vermin
derten Flächenverhältnis angeordnet sind. Die regulierenden Mu
sterteile 35 werden unter Verwendung von Diffusionsplatten mit
einer verschmälerten Breite an den beiden Querrändern gebildet,
wenn der zweite Negativfilm mit Licht belichtet wird, während
der Mittelbereich abgedeckt wird, so daß die beiden Querränder
einer direkten Belichtung ausgesetzt sind. Ansonsten wird das
flächenhelle Quellenfeld 32 auf genau die gleiche Weise wie bei
der ersten bevorzugten Ausführungsform hergestellt, so daß wei
tere Erläuterungen entfallen können.
Diese bevorzugte Ausführungsform des flächenhellen Quellenfel
des 32 ist auch frei von jeglichen Änderungen der spezifischen
Helligkeit, die man normalerweise feststellt, wenn eine unre
gelmäßige Reflexionsschicht in der Nähe der Querränder des Fel
des angeordnet ist, und somit wird eine gleichmäßige und helle
Hintergrundbeleuchtung eines Flüssigkristallfeldes in zuver
lässiger Weise erzielt.
Obgleich die voranstehend beschriebenen bevorzugten Ausführungs
formen unter Verwendung von ein oder mehreren Diffusionsplatten
verwirklicht werden, kann die unregelmäßige Reflexionsschicht,
die ein paralleles Musterteil und ein regulierendes Musterteil
aufweist, eines flächenhellen Quellenfeldes nach der Erfindung
alternativ dadurch gebildet werden, daß man ein Muster mit
Hilfe eines Rechners auslegt und modifiziert, das dann realisiert
wird, wenn der Negativfilm erstellt wird. In diesem Fall sind
dann natürlich die unteren Diffusionsplatten nicht erforder
lich.
Obgleich ein flächenhelles Quellenfeld nach der Erfindung
äußerst zweckmäßig als eine flächenhelle Quelleneinrichtung
eingesetzt werden kann, bei welcher hohe Präzision und eine
Gleichmäßigkeit einer Hintergrundausleuchtung mittels Flüssig
kristall gefordert werden, kann sie auch als eine flächenhelle
Quelleneinrichtung für Anzeigeeinrichtungen unter Verwendung
von Positivfilmen und ein von hinten einfallendes Licht oder
für Innen- oder Außendekorationen als eine Quelle für von hin
ten einfallendes Licht oder dergleichen eingesetzt werden.
Bei diesen Anwendungsfällen können zwei oder mehr als zwei flä
chenhelle Quellenfelder in einer mehrlagigen Struktur mit da
zwischen angeordneten unregelmäßigen Reflexionsfolien/durch
lässigen Folien eingesetzt werden. Ein flächenhelles Quellen
feld nach der Erfindung kann in zuverlässiger Weise derartige
Erfordernisse erfüllen. Darüber hinaus kann ein flächenhelles
Quellenfeld nach der Erfindung als eine Quelle für ein von vor
ne einfallendes Licht sowie eine Ausleuchtung für ein von hin
ten einfallendes Licht genutzt werden. Ferner soll auch noch
erwähnt werden, daß ein flächenhelles Quellenfeld nach der Er
findung auch mit einer gekrümmten Fläche verwirklicht werden
kann.
Wie sich aus der vorstehenden Beschreibung ergibt, ist das flä
chenhelle Quellenfeld nach der Erfindung nicht auf die Einzel
heiten der beschriebenen bevorzugten Ausführungsformen be
schränkt und es können Änderungen im Zusammenhang mit dem pa
rallelen Musterteil und dem regulierenden Musterteil oder den
regulierenden Musterteilen im Hinblick auf die Abmessungen, die
Anzahl, die Form, die Ausgestaltungsform und die Anwendungs
form vorgenommen werden, ohne den Erfindungsgedanken zu ver
lassen.
Ein flächenhelles Quellenfeld nach der Erfindung ist voll
ständig frei von irgendwelchen unerwünschten verstärkten spe
zifischen Helligkeiten bei einer flächenhellen Quelleneinrich
tung in der Nähe der Lichtquelle, und es wird eine äußerst
gleichmäßig verteilte spezifische Helligkeit in zuverlässiger
Weise erreicht, so daß man auch strengste Anforderungen bei
einer Hintergrundbeleuchtung für eine Flüssigkristall-Anzeige
einrichtung erfüllen kann.
Claims (2)
1. Flächenhelles Quellenfeld mit einer unregelmäßigen
Reflexionsschicht, die auf der Oberfläche eines transparen
ten Substrats angeordnet ist, dadurch gekennzeich
net, daß die Reflexionsschicht (17; 33) ein paralleles
Musterteil (18; 34), das ein Flächenverhältnis hat, das gleich
mäßig mit dem Abstand von einer Lichtquelle (14) längs der
Oberfläche des Feldes (12; 32) zunimmt, und ein regulierendes
Musterteil (19; 35) hat, das in der Nähe der Lichtquelle (14)
liegt und teilweise von dem parallelen Musterteil (18; 34) um
geben ist, und daß das regulierende Musterteil (19; 35) eine
hügelförmige Kontur, ausgehend von dem Rand in der Nähe der
Lichtquelle (14) und ein Flächenverhältnis hat, das gleich
mäßig mit dem Abstand der Lichtquelle (14) abnimmt.
2. Flächenhelles Quellenfeld mit einer unregelmäßigen
Reflexionsschicht (17; 33), die in der Nähe eines Querrandes
eines transparenten Substrates (16) angeordnet ist, dadurch
gekennzeichnet, daß die unregelmäßige Refle
xionsschicht (17; 33) ein paralleles Musterteil (18; 34), das
ein Flächenverhältnis hat, das gleichmäßig mit dem Abstand
von einer Lichtquelle (14) längs der Oberfläche des Feldes (12;
32) zunimmt, und ein regulierendes Musterteil (19; 35) hat,
das in der Nähe des Querrandes angeordnet ist, und eine paral
lele oder hügelförmige Kontur hat, und daß das regulierende
Musterteil (19; 35) ein vermindertes Flächenverhältnis hat.
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