DE4020324A1 - Verfahren zum herstellen eines duennen films auf einem substrat - Google Patents
Verfahren zum herstellen eines duennen films auf einem substratInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren nach dem Oberbegriff
des Anspruchs 1 und betrifft somit eine Vakuumabscheidung, und zwar
unter Verwendung eines Rückflußprozesses unter Druck, speziell für
einen dünnen Metallfilm auf dem Substrat, ohne Erzeugung von
Hohlräumen wie Lunkern oder Poren.
Zur Bildung eines dünnen Metallfilms auf einer Substratoberfläche
mit Löchern und Vertiefungen ist ein Sprühverfahren bekannt. Ein
Beispiel für die Auswirkungen eines solchen Verfahrens wird später
unter Bezugnahme auf die Zeichnung beschrieben. Das Metall wird
hierbei auf der Oberfläche geschmolzen. Sind die Vertiefungen
jedoch sehr fein mit einem Aspektverhältnis von 1 oder höher, so
kann das geschmolzene Metall nicht mit ausreichendem Erfolg in die
Vertiefungen getrieben werden, in denen somit metallumschlossene
Hohlräume verbleiben.
Demgegenüber soll durch die Erfindung ein Verfahren zum Bilden
eines dünnen Films auf einem Substrat mit einer oder mehreren
Vertiefungen geschaffen werden, bei dem in diesen Vertiefungen
keine Hohlräume erzeugt werden.
Gemäß einem ersten Aspekt der Erfindung erzeugt man einen dünnen
Film auf einem Substrat, das eine oder mehrere Vertiefungen
aufweist, indem man den dünnen Film auf dem Substrat bildet und
ihn bis zum Schmelzen erhitzt und so den Eingang zu den einzelnen
Vertiefungen durch das geschmolzene Material schließt, wobei man
zur Vermeidung der Bildung von Hohlräumen in den einzelnen
Vertiefungen ein Gas auf das geschmolzene Material des dünnen Films
wirken läßt, das dadurch so unter Druck gesetzt wird, daß es in
jede Vertiefung des Substrats unter Vermeidung der Bildung von
Hohlräumen eindringt.
Der dünne Film kann auf dem Substrat durch Sprühen, chemische
Dampfniederschlagung (CVD), Vakuum-Dampf-Niederschlagung oder
dergleichen gebildet werden.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung erzeugt man den dünnen
Film auf dem Substrat, das eine oder mehrere Vertiefungen aufweist,
indem man den dünnen Film auf dem Substrat bildet und ihn bis zum
Schmelzen erhitzt und so den Eingang zu den einzelnen Vertiefungen
durch das geschmolzene Material schließt, wobei man den dünnen Film
während seiner Bildung auf dem Substrat erhitzt und zur Vermeidung
der Bildung von Hohlräumen in den einzelnen Vertiefungen ein Gas
auf das geschmolzene Material des dünnen Films wirken läßt, das
dadurch so unter Druck gesetzt wird, daß es in jede Vertiefung des
Substrats unter Vermeidung der Bildung von Hohlräumen eindringt.
Vorzugsweise wird mit dem Erhitzen des dünnen Films am Substrat auf
dem Weg zu dessen Bildung begonnen.
Weitere Einzelheiten, Vorteile und Weiterbildungen der Erfindung
ergeben sich aus der folgenden Beschreibung bevorzugter Durchfüh
rungsbeispiele im Vergleich zum Stand der Technik unter Bezugnahme
auf die Zeichnung. Es zeigen:
Fig. 1 eine Schnittansicht zur schematischen Darstellung eines
Schritts eines bekannten Verfahrens, bei dem ein dünner
Metallfilm einer Aluminium als Hauptbestandteil enthal
tenden Legierung auf einem Substrat, das eine Vertiefung
aufweist, unter Anwendung einer Aufsprühtechnik gebildet
wird;
Fig. 2 eine Schnittansicht zur Veranschaulichung eines anderen
Schritts des bekannten Verfahrens, bei dem die Vertiefung
mit dem Metall des dünnen Films gefüllt wird;
Fig. 3 eine Schnittansicht der Struktur des dünnen Metallfilms
auf dem Substrat in einem Endzustand nach dem Stand der
Technik, wobei ein Hohlraum in der Vertiefung gebildet
und vom Metall des dünnen Films umschlossen worden ist;
Fig. 4 eine Schnittansicht zur schematischen Darstellung eines
Schritts des erfindungsgemäßen Verfahrens, bei dem ein
dünner Metallfilm aus einer Aluminium als Hauptkomponente
enthaltenden Legierung auf einem Substrat, das eine
Vertiefung aufweist, unter Anwendung einer Aufsprühtech
nik gebildet wird;
Fig. 5 eine Schnittansicht entsprechend der Ansicht nach Fig.
4 unter Darstellung des Verfahrensschritts, bei dem der
dünne Metallfilm auf dem Substrat durch eine Erhitzungs
vorrichtung bis zum Schmelzen erhitzt wird;
Fig. 6 eine Schnittansicht unter Darstellung des Schritts des
erfindungsgemäßen Verfahrens, bei dem das geschmolzene
Metall des dünnen Films in die Vertiefung des Substrats
mit Hilfe von Gasdruck getrieben wird, beispielsweise
durch Argon, das in eine Vakuumkammer eingeführt wird, in
der das Substrat angeordnet ist;
Fig. 7 eine Schnittansicht zur Darstellung des schließlichen
dünnen Metallfilms auf dem Substrat im Endzustand bei
Abschluß des Verfahrens.
Zunächst sei anhand der Fig. 1 bis 3 ein Beispiel für ein
Verfahren zum Aufbringen eines dünnen Metallfilms nach dem Stand
der Technik beschrieben. Gemäß Fig. 1 wird beim Aufbringen eines
dünnen Films (1) aus einem Metall wie einer Legierung, die als
Hauptbestandteil Aluminium enthält, auf einem Substrat (2), das
eine Vertiefung (3) aufweist, in der Mitte der Vertiefung (3) ein
Sackloch (4) erzeugt. Um ein solches Sackloch (4) zu vermeiden,
wird der dünne Film (1) aus der Aluminium enthaltenden Legierung auf
dem Substrat (2) auf eine Temperatur über etwa 500°C erhitzt,
welche Temperatur für Legierungen auf Aluminiumbasis gilt, so daß
der Film schmilzt. Das geschmolzene Metall des dünnen Films (1)
kann nun in die Vertiefung (3) fließen und sie, wie in Fig. 2
dargestellt, mit geschmolzenem Metall füllen, woraufhin der Film
abgekühlt wird. Die Angabe "schmelzen" umfaßt hier auch Vorgänge
wie Erweichen oder Fluidisieren.
Ist die Vertiefung (3) an der Oberfläche des Substrats (2) sehr
fein und hat ein Aspektverhältnis von 1 oder mehr, so kann das
geschmolzene Metall nicht ausreichend in die Vertiefung (3)
fließen, in der somit ein Hohlraum (5) verbleibt, der von dem
Metall des Films (1) umgeben ist, wie in Fig. 3 dargestellt ist.
Anhand der Fig. 4 bis 7 werden die Schritte bei der Bildung
eines dünnen Metallfilms (6) aus einer Legierung, die Aluminium als
Hauptkomponente enthält, auf einem Substrat (7) unter Anwendung
eines Sprühverfahrens gemäß einer Durchführungsform der Erfindung
beschrieben.
Das Substrat (7) weist eine Vertiefung (8) auf, die ein feines Loch
oder eine Nut mit einem Aspektverhältnis von 1 oder höher dar
stellt. Das Substrat (7) wird in eine Vakuumkammer einer (nicht
dargestellten) Vakuumverarbeitungsvorrichtung zur Bildung des
dünnen Metallfilms (6) auf ihrer Oberfläche verbracht. Während der
dünne Metallfilm (6) auf dem Substrat (7) gebildet wird, wird er
sowohl an der Innenfläche der Vertiefung (8) als auch an der
Oberseite des Substrats (7) abgeschieden, so daß sich, wie in Fig.
4 erkennbar, ein hohler Bereich (9) im Mittelteil der Vertiefung
(8) ergibt.
Sodann wird der auf dem Substrat (7) so gebildete Film (6) auf eine
Temperatur erhitzt, die im Fall einer Legierung auf Aluminiumbasis
über etwa 500°C liegt, und zwar mit Hilfe eines nicht dargestellten
Heizgeräts, und wird so geschmolzen. Hierbei kann sich in der
Vertiefung (8) ein Hohlraum (10) mit Vakuum ergeben, wie in Fig.
5 dargestellt ist.
Um die Erzeugung eines solchen Hohlraums (10) in der Vertiefung (8)
zu vermeiden, wird ein Gas wie Argon in die Vakuumkammer einge
führt, so daß der Druck in der Vakuumkammer höher wird als im
Hohlraum (10), wodurch der beim vorhergehenden Verfahrensschritt
geschmolzene dünne Metallfilm (6) unter Druck gesetzt wird. Es
stellt sich also eine erhebliche Druckdifferenz zwischen dem Druck
in der Vakuumkammer und dem Druck im Hohlraum (10) ein, wodurch das
Metall des Films (6) in die Vertiefung (8) gedrückt wird. Wie in
Fig. 6 dargestellt ist, verschwindet hierbei in der Anfangsphase
dieses Vorgangs der Hohlraum (10) in der Vertiefung (8), jedoch
erscheint statt dessen ein hohler Teil (11) mit invertierter
konischer Form im Mittelbereich der Vertiefung (8). In der
Schlußphase dieses Vorgangs fließt das geschmolzene Metall des
dünnen Films (6) in den hohlen Teil (11), so daß dieser aufgefüllt
und beseitigt wird und die Oberfläche des dünnen Metallfilms (6)
glatt und eben wird, wie in Fig. 7 gezeigt ist.
Nachdem das geschmolzene Metall des Metallfilms (6) in den hohlen
Teil (11) geflossen ist, um ihn aufzufüllen, werden das Substrat
(7) und der dünne Metallfilm (6) abgekühlt.
Der Metallfilm (6) kann also auf dem Substrat (7) ohne Auftreten
eines Hohlraums in der Vertiefung (8) gebildet werden.
Bei der beschriebenen Durchführungsweise kann als Alternative die
Bildung des Metallfilms (6) auf dem Substrat (7) durch irgendeinen
geeigneten Wachstumsprozeß in der Gasphase wie etwa durch ein CVD-
Verfahren oder eine Vakuum-Dampfabscheidung durchgeführt werden.
Außerdem kann bei der Durchführung nach der dargestellten Art das
Erhitzen des dünnen Metallfilms (6) auf dem Substrat (7) durch eine
Vakkumverarbeitungsvorrichtung durchgeführt werden, wie sie zur
Bildung des dünnen Metallfilms gebraucht wird, oder alternativ
durch die Verwendung einer getrennten Heizvorrichtung. In diesem
letzteren Fall wird das Substrat mit dem darauf gebildeten dünnen
Metallfilm in der Heizvorrichtung angeordnet, die dann evakuiert
wird und so betrieben wird, daß der dünne Metallfilm erhitzt wird.
Nach dieser Erhitzung wird ein Gas wie Argon in die Heizvorrichtung
eingeführt, um die Bildung eines Hohlraums in der Vertiefung des
Substrats während der Bildung des dünnen Films auf dem Substrat zu
verhindern.
Außerdem kann das Erhitzen auch während oder auch schon vor der
Bildung des dünnen Metallfilms am Substrat durchgeführt werden.
In dieser Abwandlung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird der
Heizvorgang begonnen, wenn darangegangen wird, den dünnen Metall
film auf dem Substrat zu bilden, und die Abscheidung des dünnen
Metallfilms auf dem Substrat wird fortgesetzt. Nach der Abscheidung
des Films oder unmittelbar vor deren Beendigung wird das Gas wie
Argon in die Vakuumkammer eingeführt, in der sich das Substrat
befindet.
Bei dieser abgewandelten Durchführungsform kann alternativ das
Erhitzen des dünnen Metallfilms gleichzeitig mit dem Beginn der
Abscheidung des dünnen Metallfilms auf dem Substrat begonnen
werden.
Wie beschrieben, wird gemäß der Erfindung der dünne Metallfilm
erhitzt und geschmolzen, während er gebildet wird oder nachdem er
gebildet worden ist, und wird dann durch das gasförmige Medium
unter Druck gesetzt, um ihn in die Vertiefung am Substrat hineinzu
drücken. Es ist deshalb möglich, einen dünnen Metallfilm auf dem
Substrat zu schaffen, ohne daß irgendwelche Hohlräume in der
Vertiefung erzeugt werden, selbst wenn die Vertiefung in der
Substratoberfläche ein höheres Aspektverhältnis hat.
Die Erfindung ist auch anwendbar zur Bildung eines dünnen Films aus
einem Metall mit einem niedrigeren Schmelzpunkt als dem des
Substrats, das eine oder mehrere Vertiefungen an seiner Oberfläche
aufweist.
Die Erfindung ist nicht auf die speziellen Durchführungsweisen
beschränkt, die beschrieben und dargestellt wurden, sondern dem
Fachmann stehen zahlreiche Abwandlungen und Variationen zur
Verfügung, die innerhalb des Rahmens der Erfindung liegen und deren
Effekte erzielen lassen.
Claims (8)
1. Verfahren zum Bilden eines dünnen Films (6) auf einem
Substrat (2), das eine oder mehrere Vertiefungen (3)
aufweist, wobei man den dünnen Film auf dem Substrat in einer
Vakuumatmosphäre bildet und ihn bis zum Schmelzen erhitzt und
so den Eingang zu den einzelnen Vertiefungen durch das
geschmolzene Material schließt, dadurch gekennzeichnet, daß
man zur Vermeidung der Bildung von Hohlräumen (10) in den
einzelnen Vertiefungen (3) ein Gas auf das geschmolzene
Material des dünnen Films (6) wirken läßt, das dadurch so
unter Druck gesetzt wird, daß es in jede Vertiefung des
Substrats (2) unter Vermeidung der Bildung von Hohlräumen
eindringt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man
den dünnen Film (6) auf dem Substrat (7) durch Aufsprühen,
einen Prozeß der chemischen Dampf-Abscheidung, eine Vakuum-
Dampfabscheidung oder dergleichen aufbringt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß
man alle Schritte in ein und der selben Vakuumkammer durch
führt.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß
man den Heizvorgang mit einer getrennten Heizvorrichtung
durchführt, in der das mit dem dünnen Film (6) versehene
Substrat (7) angeordnet wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß man
das geschmolzene Material des dünnen Films dadurch unter
Druck setzt, daß man das Gas in die getrennte Heizvorrichtung
einleitet.
6. Verfahren zum Bilden eines dünnen Films (6) auf einem
Substrat (2), das eine oder mehrere Vertiefungen (3)
aufweist, wobei man den dünnen Film auf dem Substrat bildet
und ihn bis zum Schmelzen erhitzt und so den Eingang zu den
einzelnen Vertiefungen durch das geschmolzene Material
schließt, dadurch gekennzeichnet, daß man den dünnen Film (6)
während seiner Bildung auf dem Substrat (2) erhitzt und zur
Vermeidung der Bildung von Hohlräumen (10) in den einzelnen
Vertiefungen (3) ein Gas auf das geschmolzene Material des
dünnen Films (6) wirken läßt, das dadurch so unter Druck
gesetzt wird, daß es in jede Vertiefung des Substrats unter
Vermeidung der Bildung von Hohlräumen eindringt.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß man
den Heizvorgang am Weg zur Bildung des dünnen Films am
Substrat beginnt
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekenn
zeichnet, daß man den dünnen Film aus einer Legierung bildet,
die Aluminium als Hauptkomponente und/oder ein oder mehrere
Materialien, die einen niedrigeren Schmelzpunkt haben als das
Substrat, enthält.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/540,163 US5011793A (en) | 1990-06-19 | 1990-06-19 | Vacuum deposition using pressurized reflow process |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4020324A1 true DE4020324A1 (de) | 1992-01-02 |
DE4020324C2 DE4020324C2 (de) | 1994-12-22 |
Family
ID=24154286
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19904020324 Revoked DE4020324C2 (de) | 1990-06-19 | 1990-06-26 | Verfahren zum Herstellen einer dünnen Schicht auf einem Substrat |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5011793A (de) |
DE (1) | DE4020324C2 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996002938A1 (en) * | 1994-07-13 | 1996-02-01 | Electrotech Limited | Filling holes and the like in substrates |
US5527561A (en) * | 1991-05-28 | 1996-06-18 | Electrotech Limited | Method for filing substrate recesses using elevated temperature and pressure |
US6274245B1 (en) * | 1991-05-28 | 2001-08-14 | Trikon Technologies Limited | Foil for use in filing substrate recesses |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0516344B1 (de) * | 1991-05-28 | 2003-10-01 | Trikon Technologies Limited | Verfahren zum Füllen eines Hohraumes in einem Substrat |
DE69219529T2 (de) * | 1991-08-06 | 1997-12-11 | Nippon Electric Co | Verfahren zum Aufbringen einer Metall- oder Passivierenschicht mit hoher Haftung über einem isolierten Halbleitersubstrat |
JP3332456B2 (ja) * | 1992-03-24 | 2002-10-07 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
GB9224260D0 (en) * | 1992-11-19 | 1993-01-06 | Electrotech Ltd | Forming a layer |
US5296408A (en) * | 1992-12-24 | 1994-03-22 | International Business Machines Corporation | Fabrication method for vacuum microelectronic devices |
US5328853A (en) * | 1993-06-18 | 1994-07-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method of making a photodetector array having high pixel density |
JP2882572B2 (ja) * | 1994-08-31 | 1999-04-12 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 金属薄膜をレーザで平坦化する方法 |
US5547902A (en) * | 1995-01-18 | 1996-08-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Post hot working process for semiconductors |
KR960042974A (de) * | 1995-05-23 | 1996-12-21 | ||
US5892282A (en) * | 1995-05-31 | 1999-04-06 | Texas Instruments Incorporated | Barrier-less plug structure |
US5857368A (en) * | 1995-10-06 | 1999-01-12 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for fabricating metal paths in semiconductor substrates through high pressure extrusion |
JPH09115866A (ja) * | 1995-10-17 | 1997-05-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
US5891803A (en) * | 1996-06-26 | 1999-04-06 | Intel Corporation | Rapid reflow of conductive layers by directional sputtering for interconnections in integrated circuits |
US6171957B1 (en) * | 1997-07-16 | 2001-01-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Manufacturing method of semiconductor device having high pressure reflow process |
DE69840975D1 (de) * | 1997-09-02 | 2009-08-27 | Ebara Corp | Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen einer Schichten auf einen Körper |
US6140235A (en) * | 1997-12-05 | 2000-10-31 | Applied Materials, Inc. | High pressure copper fill at low temperature |
US6218277B1 (en) | 1998-01-26 | 2001-04-17 | Texas Instruments Incorporated | Method for filling a via opening or contact opening in an integrated circuit |
JP3435061B2 (ja) | 1998-04-23 | 2003-08-11 | 株式会社神戸製鋼所 | 金属配線膜の形成方法 |
US6284308B2 (en) * | 1998-12-25 | 2001-09-04 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Manufacturing method of printed circuit board |
US6455427B1 (en) * | 1999-12-30 | 2002-09-24 | Cypress Semiconductor Corp. | Method for forming void-free metallization in an integrated circuit |
EP1433740A1 (de) * | 2002-12-24 | 2004-06-30 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw | Verfahren zum Verschliessen von Öffnungen in einem Film |
WO2007045885A2 (en) * | 2005-10-20 | 2007-04-26 | Bae Systems Plc | Microfabrication |
US20090226603A1 (en) * | 2008-03-10 | 2009-09-10 | Ovonyx, Inc. | Pressure extrusion method for filling features in the fabrication of electronic devices |
KR20090013419A (ko) * | 2007-08-01 | 2009-02-05 | 삼성전자주식회사 | 상변화 기억 소자 및 그 형성 방법 |
CN113543527B (zh) * | 2021-07-09 | 2022-12-30 | 广东工业大学 | 载板填孔工艺的填充基材选型方法及载板填孔工艺 |
CN113543522A (zh) * | 2021-07-09 | 2021-10-22 | 广东工业大学 | 一种基于金属压印的载板填孔工艺 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4816126A (en) * | 1985-05-13 | 1989-03-28 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Method for forming a planarized thin film |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61172327A (ja) * | 1985-01-28 | 1986-08-04 | Nec Corp | 導体膜の堆積方法 |
JP2538881B2 (ja) * | 1986-06-13 | 1996-10-02 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JPH0691092B2 (ja) * | 1986-11-28 | 1994-11-14 | 富士通株式会社 | 配線層の平坦化方法 |
JPS63204630A (ja) * | 1987-02-19 | 1988-08-24 | Fujitsu Ltd | 配線構造の製造方法 |
US4920070A (en) * | 1987-02-19 | 1990-04-24 | Fujitsu Limited | Method for forming wirings for a semiconductor device by filling very narrow via holes |
-
1990
- 1990-06-19 US US07/540,163 patent/US5011793A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-06-26 DE DE19904020324 patent/DE4020324C2/de not_active Revoked
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4816126A (en) * | 1985-05-13 | 1989-03-28 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Method for forming a planarized thin film |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5527561A (en) * | 1991-05-28 | 1996-06-18 | Electrotech Limited | Method for filing substrate recesses using elevated temperature and pressure |
US6274245B1 (en) * | 1991-05-28 | 2001-08-14 | Trikon Technologies Limited | Foil for use in filing substrate recesses |
WO1996002938A1 (en) * | 1994-07-13 | 1996-02-01 | Electrotech Limited | Filling holes and the like in substrates |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE4020324C2 (de) | 1994-12-22 |
US5011793A (en) | 1991-04-30 |
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