DE4014723A1 - Halbleiterspeichereinrichtung mit redundanzschaltkreis - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich allgemein auf eine Halbleiterspeicher­ einrichtung und insbesondere auf eine Halbleiterspeichereinrichtung mit einem Redundanzschaltkreis.

Fig. 6 zeigt ein Blockdiagramm der Struktur einer herkömmlichen Halbleiterspeichereinrichtung mit einem Redundanzschaltkreis. Ein Redundanzschaltkreis stellt eine Maßnahme zur Erhöhung der Produktionsausbeute dar und umfaßt eine Ersatzspeicherzelle, einen Ersatzdekoder und ähnliches.

Die Halbleiterspeichereinrichtung der Fig. 6 empfängt Adreßsignale A 0-A 7 und weist eine Speicherkapazität von 64 kBit auf. Das Speicherzellenfeld dieser Halbleiterspeichereinrichtung weist eine Aufteilung in zwei Blöcke auf.

In Fig. 6 umfaßt jedes der Speicherzellenfelder 1 a und 1 b eine Mehrzahl von Speicherzellen, die in Form einer Mehrzahl von Zeilen und Spalten angeordnet sind. Die Ersatzzeilen 2 a und 2 b mit in einer Mehrzahl von Zeilen angeordneten Ersatzspeicherzellen sind jeweils auf gegenüberliegenden Seiten der Speicherzellenfelder 1 a und 1 b angeordnet.

In Abhängigkeit von einem extern angelegten Zeilenadreß-Abtast­ signal aktiviert ein RAS-Puffer 12 einen Zeilenadreßpuffer 8, einen -Erzeugungsschaltkreis 14, einen RX-Erzeugungsschaltkreis 16 und einen Leseverstärker-Steuerschaltkreis 17. Der -Erzeugungs­ schaltkreis 14 und der RX-Erzeugungsschaltkreis 16 erzeugen ein Vorladesignal bzw. ein Treibersignal RX mit einer vorbestimmten Zeitabstimmung.

Ein CAS-Puffer 13 aktiviert in Abhängigkeit von einem extern ange­ legten Spaltenadreß-Abtastsignal einen Spaltenadreßpuffer 10 und einen Lese/Schreibpuffer 20. Der Zeilenadreßpuffer 8 ver­ riegelt die extern angelegten Adreßsignale A 0-A 7 und legt einen Teil der Signale als Zeilenadreßsignale RA 2-RA 6 an einen Zeilen­ vordekoder 9, einen anderen Teil der Signale als Zeilenadreßsignale RA 0 und RA 1 an einen RX-Subdekoder 15 und den Rest als Zeilenadreßsignal RA 7 an einen Erzeugungsschaltkreis 47 für das Blocksteuer­ signal an.

Der Zeilenvordekoder 9 führt eine Vordekodierung der vom Zeilen­ adreßpuffer 8 zugeführten Adreßsignale RA 2-RA 6 durch und legt Zeilenauswahlsignale Xi, Xj und Xk an Zeilendekodergruppen 4 a und 4 b an.

In Abhängigkeit vom Vorladesignal Φ p vom -Erzeugungsschaltkreis 14 wählen die Zeilendekodergruppen 4 a und 4 b auf der Basis der Zeilen­ auswahlsignale Xi, Xj und Xk vier Zeilen im Speicherzellenfeld 1 a oder 1 b aus.

In Abhängigkeit vom Treibersignal RX vom RX-Erzeugungsschaltkreis 16 legt der RX-Subdekoder 15 auf der Basis der vom Zeilenadreßpuffer 8 zugeführten Zeilenadreßsignale RA 0-RA 1 Subdekodiersignale RX 1 bis RX 4 an eine Worttreibergruppe 3 an.

Die Worttreibergruppe 3 treibt in Abhängigkeit von den Subdekodier­ signalen RX 1-RX 4 die Wortleitung einer von vier Zeilen, die von den Zeilendekodergruppen 4 a oder 4 b ausgewählt worden sind.

Der Spaltenadreßpuffer 10 verriegelt die extern angelegten Adreßsignale A 0-A 7 und legt diese als Spaltenadreßsignale CA 0-CA 7 an einen Spaltenvordekoder 11 an. Der Spaltenvordekoder 11 führt eine Vordekodierung der Spaltenadreßsignale CA 0-CA 7 durch und legt ein Spaltenauswahlsignal an die Spaltendekodergruppen 6 a und 6 b an. Die Spaltendekodergruppen 6 a und 6 b wählen auf der Basis des Spaltenauswahlsignales eine Spalte im Speicherzellenfeld 1 a oder 1 b aus.

Der Erzeugungsschaltkreis 47 für das Blocksteuersignal erzeugt in Abhängigkeit vom Zeilenadreßsignal RA 7 Blocksteuersignale (Block­ auswahlsignale) und , um das zu betreibende Speicherzellen­ feld 1 a oder 1 b auszuwählen.

In Abhängigkeit von den Zeilenadreßsignalen RA 0-RA 7 erzeugen Erzeugungsschaltkreise 18 a und 18 b für Ersatzzeilendekoder-Aus­ wahlsignale (zur Vereinfachung im weiteren als Auswahlsignal- Erzeugungsschaltkreise bezeichnet) jeweils Ersatzzeilendekoder- Auswahlsignale und , die die Subdekodiersignale RX 1-RX 4 deaktivieren und einen der Ersatzzeilendekoder 5 a und 5 b auswählen. Ein RX-Ersatzsubdekoder 19 empfängt die Ersatzzeilendekoder-Aus­ wahlsignale und , um die Ersatzsubdekodiersignale SRX 1 bis SRX 4 zu erzeugen.

Damit werden eine Wortleitung und eine Bitleitung ausgewählt, um Information aus einer Speicherzelle an deren Kreuzungspunkten zu lesen oder in diese zu schreiben. Der Lese- oder Schreibmodus der Information wird vom Lese/Schreibpuffer 20 bestimmt. Der Lese/ Schreibpuffer 20 aktiviert in Abhängigkeit von einem extern ange­ legten Lese/Schreibsignal R/W einen Eingangspuffer 21 oder einen Ausgangspuffer 22. Falls der Eingangspuffer 21 aktiviert wird, werden Eingangsdaten Din in die ausgewählte Speicherzelle geschrieben. Falls der Ausgabepuffer 22 aktiviert wird, werden die in der ausgewählten Speicherzelle gespeicherten Informationen als Ausgabedaten Dout ausgelesen.

Die Fig. 7 ist ein Diagramm, das die Struktur eines Teiles des in Fig. 6 gezeigten Zeilenvordekoders 9 darstellt, wobei ein Schaltkreisbereich zur Erzeugung des Zeilenauswahlsignales Xi gezeigt ist. Xi stellt eines der Signale X 5, X 6, X 7 und X 8 dar.

Ein Gatterschaltkreis 23 empfängt das Zeilenadreßsignal RA 2 und gibt dieses und dessen invertiertes Signal aus. Ein Gatterschaltkreis 24 empfängt das Zeilenadreßsignal RA 3 und gibt dieses und dessen invertiertes Signal aus. Eines der Signale RA 2 oder und eines der Signale RA 3 oder werden in Gatterschaltkreise 25, 26, 27 und 28 eingegeben. Die Gatter­ schaltkreise 25, 26, 27 und 28 unterscheiden sich in der Kombi­ nation der Signale RA 2, , RA 3 und . Von den Gatterschalt­ kreisen 25, 26, 27 und 28 werden Zeilenauswahlsignale X 5, X 6, X 7 bzw. X 8 ausgegeben. Entsprechend den Pegeln der Zeilenadreßsignale RA 2 und RA 3 erreicht eines der Zeilenauswahlsignale X 5, X 6, X 7 und X 8 den "H"-Pegel (logisch hoch) und die anderen den "L"-Pegel (logisch niedrig).

Die Fig. 8 ist ein Diagramm, das die Struktur eines anderen Bereiches des in Fig. 6 gezeigten Zeilenvordekoders 9 darstellt, wobei ein Schaltkreisbereich zum Erzeugen des Zeilenauswahlsig­ nales Xj gezeigt ist. Xj stellt eines der Signale X 9, X 10, X 11 und X 12 dar.

Der Schaltkreisbereich der Fig. 8 umfaßt Gatterschaltkreise 29-34. Die Struktur und der Betrieb dieses Schaltkreisbereiches stimmt mit denjenigen des in Fig. 7 gezeigten Schaltkreisbereiches überein.

Der Gatterschaltkreis 29 empfängt das Zeilenadreßsignal RA 4 und der Gatterschaltkreis 30 das Zeilenadreßsignal RA 5. Die Gatterschalt­ kreise 31, 32, 33 und 34 geben die Zeilenauswahlsignale X 9, X 10, X 11 bzw. X 12 aus. Entsprechend den Pegeln der Zeilenadreßsignale RA 4 und RA 5 erreicht eines der Zeilenauswahlsignale X 9, X 10, X 11 und X 12 den "H"-Pegel und alle anderen den "L"-Pegel.

Die Fig. 9 ist ein Diagramm, das die Struktur eines weiteren Bereiches des in Fig. 6 gezeigten Zeilenvordekoder 9 darstellt, wobei ein Schaltkreisbereich zum Erzeugen des Zeilenauswahlsig­ nales Xk gezeigt ist. Xk stellt X 13 oder X 14 dar.

Ein Gatterschaltkreis 35 empfängt das Zeilenadreßsignal RA 6 und gibt dieses und dessen invertiertes Signal aus. Gatterschalt­ kreise 36 und 37 geben das Zeilenauswahlsignal X 13 bzw. X 14 ab. Entsprechend dem Pegel des Zeilenadreßsignales RA 6 erreicht eines der Zeilenauswahlsignale X 13 oder X 14 den "H"-Pegel und das andere den "L"-Pegel.

Fig. 10 ist ein Diagramm, das die Struktur des in Fig. 6 dar­ gestellten RX-Subdekoders 15 zeigt. Entsprechend den Pegeln der Zeilenadreßsignale RA 0, RA 1 und der invertierten Signale und geben ein RX 1-Erzeugungsschaltkreis 40, ein RX 2-Erzeugungs­ schaltkreis 41, Ein RX 3-Erzeugungsschaltkreis 42 und ein RX 4- Erzeugungsschaltkreis 43 Subdekodiersignale RX 1, RX 2, RX 3 bzw. RX 4 aus.

Die Fig. 11 ist ein Diagramm, das die Struktur eines Teiles des in Fig. 6 gezeigten Erzeugungsschaltkreises 47 für das Blocksteuer­ signal darstellt. Ein Gatterschaltkreis 44 empfängt das Zeilen­ adreßsignal RA 7 und gibt dieses und dessen invertiertes Signal aus. Ein Gatterschaltkreis 45 gibt die Blocksteuersignale BSa und BSb ab. Entsprechend dem Pegel des Zeilenadreßsignales RA 7 erreicht eines der Blocksteuersignale BSa und BSb den "H"-Pegel und das andere den "L"-Pegel.

Die Fig. 12 ist ein Diagramm, das eine detaillierte Struktur des in Fig. 6 dargestellten Speicherzellenfeldes 1 a und dessen peri­ pheren Bereiches zeigt.

4m-Wortleitungen WLs und eine Mehrzahl von Bitleitungspaaren BL und sind derart angeordnet, daß diese sich im Speicherzellenfeld 1 a kreuzen. m ist hierbei eine positive ganze Zahl. Ferner sind vier Ersatzwortleitungen SWLs auf gegenüberliegenden Seiten der Wortleitungen WLS angeordnet. An jeder Kreuzung zwischen den Wort­ leitungen WL und einem Bitleitungspaar BL, ist eine Speicherzelle MC und an jeder Kreuzung zwischen einer Ersatzwortleitung und einem Bitleitungspaar BL, eine Ersatzspeicherzelle SMC gebildet.

Entsprechend den 4m-Wortleitungen WLs und den vier Ersatzwortlei­ tungen SWLs sind (4m+4) Wortleitungstreiber 3X geschaffen. Jede Wortleitung WLs und jede Ersatzwortleitung SWLs ist mit ihrem entsprechenden Wortleitungstreiber 3 Xs verbunden. Die 4m-Wortlei­ tungen WLs und die Wortleitungstreiber 3 Xs sind in m Gruppen unterteilt, die jeweils vier Wortleitungen WLs und vier Wortlei­ tungstreiber 3 Xs umfassen. Bezüglich dieser m Gruppen sind m Zeilendekoder 4 X gebildet. Jeder Zeilendekoder 4 X wählt vier entsprechende Wortleitungstreiber 3 Xs aus.

Ferner ist ein Ersatzzeilendekoder 5 a entsprechend den vier Ersatz­ wortleitungen SWLs und vier Worttreibern 3 Xs geschaffen. Der Ersatzzeilendekoder 5 a wählt die entsprechenden vier Worttreiber 3 Xs aus.

Ferner ist eine Mehrzahl von Leseverstärkern 7 Xs und eine Mehrzahl von Spaltendekodern 6 Xs entsprechend der Mehrzahl von Bitleitungs­ paaren BL, gebildet. Jedes Bitleitungspaar BL, ist mit dem entsprechenden Leseverstärker 7 X und dem entsprechenden Spalten­ dekoder 6 X verbunden.

Wenn eine defekte Speicherzelle oder eine defekte Wortleitung im oben beschriebenen Speicherzellenfeld 1 a gebildet ist, wird der der defekten Speicherzelle oder der defekten Wortleitung entspre­ chende Ersatzzeilendekoder 5 a anstelle des Zeilendekoders 4 X aus­ gewählt.

Die Fig. 13 ist ein Diagramm, das die genaue Schaltkreisstruktur des in Fig. 12 dargestellten Zeilendekoders 4 X und des Wortlei­ tungstreibers 3 X zeigt.

Der Zeilendekoder 4 X umfaßt N-Kanal MOS-Transistoren Q 1-Q 4, Q 7 und P-Kanal MOS-Transistoren Q 5, Q 6 und Q 8. Ein Vorladesignal wird an das Gate des Transistors Q 5 angelegt, während das Gate des Transistors Q 6 mit einem Knoten N 2 verbunden ist. Zeilenaus­ wahlsignale Xi, Xj und Xk werden an die Gates der Transistoren Q 1, Q 2 bzw. Q 3 und ein Blocksteuersignal BSa an das Gate des Transistors Q 4 angelegt. Die Transistoren Q 7 und Q 8 bilden einen Inverter. Entsprechend ist die Polarität des Signales am Knoten N 2 derjenigen des Signales am Knoten N 1 entgegengesetzt.

Die Knoten N 1 und N 2 des Zeilendekoders 4 X sind mit den entspre­ chenden vier Wortleitungstreibern 3 Xs verbunden. Die Wortleitungs­ treiber 3 X umfassen N-Kanal MOS-Transistoren Q 9-Q 11. Der Transistor Q 10 ist zwischen eines der Subdekodiersignale RX 1-RX 4 und eine Wortleitung WL geschaltet.

Nun wird der Betrieb des Schaltkreises der Fig. 13 beschrieben. Wenn sich das Vorladesignal auf dem "L"-Pegel befindet, schaltet der Transistor Q 5 durch und das Potential des Knotens N 1 ist auf dem "H"-Pegel. Daher schaltet der Transistor Q 11 des Wortleitungs­ treibers 3 X durch, so daß sich das Potential auf der Wortleitung WL auf dem "L"-Pegel befindet. Wenn das Vorladesignal auf den "H"-Pegel ansteigt, sperrt der Transistor Q 5. Wenn alle Zeilenaus­ wahlsignale Xi, Xj, Xk und das an die Gates der Transistoren Q 1-Q 4 angelegte Blocksteuersignal BSa den "H"-Pegel erreichen, schalten die Transistoren Q 1-Q 4 alle durch. Damit erreicht das Potential des Knotens N 1 den "L"-Pegel und das Potential des Knotens N 2 den "H"-Pegel. Damit schaltet der Transistor Q 10 des Worttreibers 3 X durch, und der Transistor Q 11 sperrt. Wenn eines der Subdekodier­ signale RX 1-RX 4 auf den "H"-Pegel ansteigt, erreicht das Potential auf der entsprechenden Wortleitung den "H"-Pegel.

Die Fig. 14 ist ein Diagramm, das die Struktur des in Fig. 6 dar­ gestellten RX-Subdekoders 15 zeigt.

Der Schaltkreisbereich 15 e des RX-Subdekoders 15 umfaßt N-Kanal MOS-Transistoren Q 21, Q 22 und P-Kanal MOS-Transistoren Q 23 und Q 24. Der Schaltkreisbereich 15 a umfaßt N-Kanal MOS-Transistoren Q 25-Q 27, Q 31, Q 32, Q 34 und Q 35 und P-Kanal MOS-Transistoren Q 28-Q 30 und Q 33. Ein aus den Transistoren Q 21-Q 24 gebildeter NAND-Schaltkreis empfängt Ersatzzeilendekoder-Auswahlsignale und und erzeugt invertierte Signale von diesen. Ein aus den Transistoren Q 25-Q 30 bestehender NOR-Schaltkreis empfängt ein vom NAND-Schaltkreis, der aus den Transistoren Q 21-Q 24 besteht, erzeugtes Signal, das Zeilenadreßsignal RA 0 oder und das Zeilenadreßsignal RA 1 oder .

Die Strukturen der Schaltkreisbereiche 15 b, 15 c und 15 d stimmen mit derjenigen des Schaltkreisblockes 15 a überein.

Wenn sich das Ersatzzeilendekoder-Auswahlsignal oder auf dem "L"-Pegel befindet, erreicht das Potential am Knoten N 10 den "H"-Pegel. Damit werden die Schaltkreisbereiche 15 a-15 d deakti­ viert. Wenn beide Ersatzzeilendekoder-Auswahlsignale und auf dem "H"-Pegel sind, werden die Schaltkreisbereiche 15 a-15 d aktiviert. Entsprechend den Pegeln der Zeilenadreßsignale RA 0 und RA erreicht eines der Subdekodiersignale RX 1-RX 4 den "H"-Pegel.

Die Fig. 15 ist ein Diagramm, das die genaue Schaltkreisstruktur des in Fig. 12 dargestellten Ersatzzeilendekoders 5 a zeigt.

Der Ersatzzeilendekoder 5 a umfaßt N-Kanal MOS-Transistoren Q 41, Q 42 und Q 45 und P-Kanal MOS-Transistoren Q 43, Q 44 und Q 46. Ein aus den Transistoren Q 41-Q 44 bestehender NOR-Schaltkreis empfängt das Ersatzdekoder-Auswahlsignal zum Deaktivieren der Subdeko­ diersignale RX 1-RX 4 und zum Aktivieren des Ersatzzeilendekoders 5 a und ein invertiertes Signal BSa des Blocksteuersignales zum Auswählen des Speicherzellenfeldes 1 a. Ein aus den Transistoren Q 45 und Q 46 bestehender Inverter empfängt das vom NOR-Schaltkreis aus­ gegebene Signal und erzeugt ein hierzu invertiertes Signal.

Falls sich das Ersatzzeilendekoder-Auswahlsignal und das invertierte Signal des Blocksteuersignales BSa beide auf dem "L"-Pegel befinden, erreicht das Potential am Knoten N 3 den "H"- Pegel und das Potential am Knoten N 4 den "L"-Pegel. Daher schaltet der Transistor Q 48 im Worttreiber 3 X durch, und der Transistor Q 49 sperrt. Falls eines der Ersatzsubdekodiersignale SRX 1-SRX 4 auf den "H"-Pegel ansteigt, erreicht das Potential auf der entspre­ chenden Wortleitung WL den "H"-Pegel.

Die Fig. 16 ist ein Diagramm, das die Schaltkreisstruktur des in Fig. 6 dargestellten RX-Ersatzsubdekoders 19 zeigt.

Der Schaltkreisbereich 19 e des RX-Ersatzsubdekoders 19 umfaßt N-Kanal MOS-Transistoren Q 51, Q 52 und Q 55 und P-Kanal MOS-Transi­ storen Q 53, Q 54 und Q 56. Der Schaltkreisbereich 19 a umfaßt N-Kanal MOS-Transistoren Q 57-Q 59, Q 63, Q 64, Q 66 und Q 67 und P-Kanal MOS-Transistoren Q 60-Q 62 und Q 65.

Ein aus den Transistoren Q 51-Q 54 bestehender NAND-Schaltkreis empfängt die Ersatzzeilendekoder-Auswahlsignale und und erzeugt hierzu invertierte Signale. Die invertierten Signale werden von einem aus den Transistoren Q 55 und Q 56 bestehenden Inverter weiter invertiert. Ein aus den Transistoren Q 57-Q 62 gebildeten NOR-Schaltkreis empfängt das Ausgangssignal des Inverters, eines der Zeilenadreßsignale RA 0 und und eines der Zeilenadreßsignale RA 1 und .

Die Strukturen der Schaltkreisbereiche 19 b, 19 c und 19 d stimmen mit derjenigen des Schaltkreisbereiches 19 a überein.

Falls die Ersatzzeilendekoder-Auswahlsignale und beide auf dem "H"-Pegel sind, befinden sich alle Subdekodiersignale SRX 1-SRX 4 in einem Nicht-Auswahlzustand. Falls sich andererseits eines der Ersatzzeilendekoder-Auswahlsignale oder auf dem "L"-Pegel befindet, tritt entsprechend den Pegeln der Zeilen­ adreßsignale RA 0 und und den Pegeln der Zeilenadreßsignale RA 1 und eines der Ersatzsubdekodiersignale SRX 1-SRX 4 in den Auswahlzustand ein.

Die Fig. 17 ist ein Schaltbild, das den im Fig. 6 dargestellten Auswahlsignal-Erzeugungsschaltkreis 18 a zeigt.

Der Auswahlsignal-Erzeugungsschaltkreis 18 a umfaßt P-Kanal MOS- Transistoren Q 72, Q 73, Q 76, Q 77, Q 79-Q 81 und Q 83, N-Kanal MOS- Transistoren Q 70, Q 71, Q 74, Q 75, Q 78 und Q 84-Q 99 und Bindeglieder LN 1-LN 16.

Normalerweise sind die Bindeglieder LN 1-LN 16 leitend. Falls eines der Zeilenadreßsignale RA 1, -RA 7, den "H"-Pegel erreicht, wird daher der entsprechende der Transistoren Q 84-Q 99 durchgeschaltet. Damit erreicht das Potential des Knotens N 9 den "L"-Pegel und das Ersatzzeilendekoder-Auswahlsignal den "H"- Pegel. In diesem Fall wird keine Ersatzwortleitung ausgewählt.

Falls eine defekte Wortleitung existiert, werden vorbestimmte Bindeglieder vorher mit einem Laser-Strahl ausgebrannt. Genauer gesagt wird dasjenige Bindeglied vorher mit einem Laser-Strahl durchgebrannt, das mit einem Transistor verbunden ist, der ein Zeilenadreßsignal empfängt, das den "H"-Pegel erreicht, wenn die defekte Wortleitung ausgewählt wird. Selbst wenn ein Zeilen­ adreßsignal zum Auswählen der defekten Wortleitung an die Transi­ storen Q 84-Q 99 angelegt wird, fällt damit das Potential am Knoten N 9 nicht ab, sondern wird auf dem "H"-Pegel gehalten. Zu einem Zeitpunkt, bei dem das Vorladesignal auf den "H"-Pegel ansteigt, fällt daher das Ersatzzeilendekoder-Auswahlsignal auf den "L"-Pegel.

Die Fig. 17 zeigt die Struktur des Auswahlsignal-Erzeugungsschalt­ kreises 18 a, wobei die Struktur des Auswahlsignal-Erzeugungsschalt­ kreises 18 b dieselbe ist.

Falls eine defekte Wortleitung existiert, erreicht wie im vorher­ gehenden das Ersatzzeilendekoder-Auswahlsignal oder den "L"-Pegel, wenn ein Zeilenadreßsignal zum Auswählen der defekten Wortleitung angelegt wird. Daher erreichen das Potential am Knoten N 10, das Potential am Knoten N 11 und das Potential am Knoten N 12 der Fig. 14 den "H"-, "L"- bzw. "H"-Pegel. Damit erreichen alle Subdekodiersignale RX 1-RX 4 den "L"-Pegel.

Im vorhergehenden erfolgte die Beschreibung anhand des in Fig. 6 gezeigten Speicherzellenfeldes 1 a. Der Aufbau und die Arbeitsweise des Speicherzellenfeldes 1 b stimmen jedoch mit denjenigen des Speicherzellenfeldes 1 a überein.

Wie oben beschrieben worden ist, sind in der Halbleiterspeicher­ einrichtung der Fig. 6 zwei Auswahlsignal-Erzeugungsschaltkreise 18 a und 18 b entsprechend den Speicherzellen-Teilfeldern 1 a und 1 b gebildet. Ferner ist bei einer herkömmlichen Halbleiterspeicher­ einrichtung, die eine Blockaufteilungsoperation durchführt, dieselbe Anzahl von Erzeugungsschaltkreisen für die Ersatzdekoder- Auswahlsignale wie die Anzahl der Speicherzellenfelder (Blöcke) für die Blockaufteilungsoperation erforderlich. Daher wird die für das Schaltkreis-Layout und die Verdrahtungen notwendige Fläche vergrößert.

Eine Halbleiterspeichereinrichtung wie in Fig. 6, die eine Mehrzahl von Ersatzzeilen und eine Mehrzahl von eine Deaktivierung aus­ führenden Erzeugungsschaltkreisen entsprechend der Mehrzahl von Speicherzellenfeldern umfaßt, ist in der JP 60-103469 beschrieben.

Aufgabe der Erfindung ist es, die für das Schaltkreis-Layout und die Verbindungsschaltkreise erforderliche Fläche in einer Halblei­ terspeichereinrichtung mit einem Speicherzellenfeld, das eine Blockaufteilung aufweist, und einem Redundanzschaltkreis für jedes Speicherzellenfeld, zu vermindern. Ferner soll eine Halbleiter­ speichereinrichtung geschaffen werden, bei der die für das Schalt­ kreis-Layout und die Verdrahtung eines Erzeugungsschaltkreises für das Ersatzdekoder-Auswahlsignal erforderliche Fläche selbst dann vermindert ist, wenn die Anzahl der Unterteilungen des Speicher­ zellenfeldes, für das die Blockaufteilung durchgeführt wird, erhöht wird. Weiterhin soll die von einem Erzeugungsschaltkreis für ein Ersatzdekoder-Auswahlsignal belegte Fläche in einer Halb­ leiterspeichereinrichtung, die eine Blockaufteilung aufweist und einen Redundanzschaltkreis aufweist, vermindert werden.

Die erfindungsgemäße Halbleiterspeichereinrichtung mit einem Redun­ danzschaltkreis umfaßt ein Speicherzellenfeld, eine Mehrzahl von Redundanzschaltkreisen und Aktivierungssignal-Erzeugungsschaltkreise. Das Speicherzellenfeld umfaßt eine Mehrzahl von Speicherzellen und ist in eine Mehrzahl von Blöcke unterteilt. Die Mehrzahl von Redundanzschaltkreisen ist entsprechend der Mehrzahl von Blöcken geschaffen und kann einen Teil der entsprechenden Blöcke ersetzen. Der Aktivierungssignal-Erzeugungsschaltkreis wird von einer Mehrzahl von Redundanzschaltkreisen gemeinsam benutzt und kann derart eingestellt werden, daß er ein Redundanzschaltkreis- Aktivierungssignal erzeugt, falls ein Teil der Mehrzahl von Blöcken defekt ist und ein Bereich mit dem defekten Teil ausgewählt wird. Jeder der Mehrzahl von Redundanzschaltkreisen wird in Abhängigkeit vom Redundanzschaltkreis-Aktivierungssignal und einem vorbestimmten Blockauswahlsignal aktiviert.

Entsprechend dieser Halbleiterspeichereinrichtung benutzt die Mehr­ zahl von Redundanzschaltkreisen, die der Mehrzahl von Blöcken des Speicherzellenfeldes, bei dem eine Blockoperation ausgeführt wird, entspricht, das Redundanzschaltkreis-Aktivierungssignal zum Aktivieren eines Redundanzschaltkreises gemeinsam. Selbst wenn die Anzahl der Blöcke, in die die Speicherzellenfelder unterteilt sind, vergrößert wird, ist es damit möglich, eine Vergrößerung der für das Schaltkreis-Layout und die Verdrahtungen für das Redundanz­ schaltkreis-Aktivierungssignal erforderlichen Fläche zu verhindern.

Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung eines Ausführungsbeispieles anhand der Figuren. Von den Figuren zeigt

Fig. 1 ein Blockdiagramm, das die Struktur einer Halbleiter­ speichereinrichtung in Übereinstimmung mit einer Aus­ führung der Erfindung darstellt;

Fig. 2 ein Schaltbild, das die Struktur eines RX-Subdekoders, der in der Halbleiterspeichereinrichtung der Fig. 1 enthalten ist, darstellt;

Fig. 3 ein Schaltbild, das die Struktur eines Ersatzzeilen­ dekoders, der in der Halbleiterspeichereinrichtung der Fig. 1 enthalten ist, darstellt;

Fig. 4 ein Schaltbild, das die Struktur eines RX-Ersatzsub­ dekoders, der in der Halbleiterspeichereinrichtung der Fig. 1 enthalten ist, darstellt;

Fig. 5 ein Schaltbild, das die Struktur eines Erzeugungsschalt­ kreises für das Ersatzzeilendekoder-Auswahlsignal, der in der Halbleiterspeichereinrichtung der Fig. 1 enthalten ist, darstellt;

Fig. 6 ein Blockdiagramm, das die Struktur einer herkömmlichen Halbleiterspeichereinrichtung darstellt;

Fig. 7, 8, 9 Blockdiagramme, die den Aufbau der entsprechenden Bereiche des in Fig. 6 gezeigten Zeilenvordekoders dar­ stellen;

Fig. 10 ein Blockdiagramm, das die Struktur des in Fig. 6 darge­ stellten RX-Subdekoders zeigt;

Fig. 11 ein Blockdiagramm, das die Struktur des in Fig. 6 darge­ stellten Blocksteuersignal-Erzeugungsschaltkreises zeigt;

Fig. 12 ein Blockdiagramm, das die detaillierte Struktur des in Fig. 6 dargestellten Speicherzellenfeldes und dessen peripherer Bereiche zeigt;

Fig. 13 ein genaues Schaltbild eines in Fig. 12 dargestellten Zeilendekoders und eines Wortleitungstreibers;

Fig. 14 ein Schaltbild, das die Struktur des in Fig. 6 darge­ stellten RX-Subdekoders zeigt;

Fig. 15 ein genaues Schaltbild, das die Struktur eines in Fig. 12 dargestellten Ersatzzeilendekoders zeigt;

Fig. 16 ein Schaltbild, das die Struktur des in Fig. 6 darge­ stellten RX-Ersatzsubdekoders zeigt; und

Fig. 17 ein Schaltbild, das die Struktur des in Fig. 12 darge­ stellten Erzeugungsschaltkreises für das Ersatzzeilen­ dekoder-Auswahlsignal zeigt.

Die Halbleiterspeichereinrichtung der Fig. 1 empfängt Adreßsignale A 0-A 7 und weist eine Speicherkapazität von 64 kBit auf. Die Halb­ leiterspeichereinrichtung umfaßt ein Speicherzellenfeld, das eine 1/2-Block-Aufteilung besitzt.

Die Halbleiterspeichereinrichtung der Fig. 1 unterscheidet sich von derjenigen der Fig. 9 dadurch, daß ein Ersatzzeilendekoder- Auswahlsignal zum Deaktivieren der Subdekodiersignale RX 1-RX 4 und Aktivieren der Ersatzzeilendekoder 5 a und 5 b und ein Erzeugungsschaltkreis 18 für die Ersatzzeilendekoder-Auswahlsignale (zur Vereinfachung im weiteren als Auswahlsignal-Erzeugungsschalt­ kreis bezeichnet) von den Speicherzellenfeldern 1 a und 1 b, für die die Blockaufteilung ausgeführt wird, gemeinsam benutzt werden.

Nun wird der Betrieb beschrieben, falls ein defekter Bereich in der Halbleiterspeichereinrichtung der Fig. 1 existiert. Wenn ein Adreßsignal zum Auswählen einer defekten Adresse eingegeben wird, werden die von einem Zeilenadreßpuffer 8 erzeugten Zeilenadreßsignale RA 0-RA 7 an den Auswahlsignal-Erzeugungsschaltkreis 18 angelegt. Der Auswahlsignal-Erzeugungsschaltkreis 18 gibt das Ersatzzeilendekoder-Auswahlsignal ab.

Das Ersatzzeilendekoder-Auswahlsignal deaktiviert die Subdekoder­ signale RX 1-RX 4. Ferner versucht das Ersatzzeilendekoder- Auswahlsignal , die Ersatzzeilendekoder 5 a und 5 b zu aktivieren. Für den Fall, daß der defekte Bereich im Speicherzellenfeld 1 a ausgewählt wird, wird ein Blocksteuersignal aktiviert. Falls der defekte Bereich im Speicherzellenfeld 1 b ausgewählt wird, wird ein Blocksteuersignal aktiviert. Damit wird einer der Ersatz­ zeilendekoder 5 a oder 5 b aktiviert.

Ferner wird eines der Subdekodiersignale SRX 1-SRX 4 aktiviert. Damit wird die entsprechende Ersatzwortleitung SWL aktiviert.

Der RX-Subdekoder 15 der Fig. 2 unterscheidet sich von demjenigen der Fig. 14 dadurch, daß nur das Ersatzzeilendekoder-Auswahlsignal angelegt wird. Beim RX-Subdekoder 15 der Fig. 2 wird über einen aus den Transistoren Q 21 und Q 23 bestehenden Inverter jedem der Schaltkreisblöcke 15 a-15 d das Ersatzzeilendekoder-Auswahlsignal zugeführt.

Die Fig. 3 ist ein Schaltbild, das die Struktur des Ersatzzeilen­ dekoders 5 a und des Wortleitungstreibers 3 X, die in der Halbleiter­ speichereinrichtung der Fig. 1 enthalten sind, darstellt.

Der Ersatzzeilendekoder 5 a der Fig. 3 unterscheidet sich von dem­ jenigen der Fig. 15 dadurch, daß nur das Ersatzzeilendekoder- Auswahlsignal an diesen angelegt wird. In Fig. 3 ist nur der Ersatzzeilendekoder 5 a gezeigt, die Struktur des Ersatzzeilende­ koders 5 b stimmt jedoch mit der des Ersatzzeilendekoders 5 a überein. Das Ersatzzeilendekoder-Auswahlsignal wird in die beiden Ersatzzeilendekoder 5 a und 5 b eingegeben.

Der RX-Subdekodersignal-Erzeugungsschaltkreis 19 der Fig. 4 unter­ scheidet sich von demjenigen der Fig. 16 dadurch, daß nur das Ersatzzeilendekoder-Auswahlsignal an diesen angelegt wird. Das Ersatzzeilendekoder-Auswahlsignal wird über einen die Trans­ istoren Q 51 und Q 53 umfassenden Inverter an den aus den Transi­ storen Q 55 und Q 56 bestehenden Inverter angelegt und dann weiter jedem Schaltkreisblock 19 a-19 d zugeführt.

Den Speicherzellenfeldern 1 a und 1 b entsprechende Bindegliedschalt­ kreise A und B sind im Auswahlsignal-Erzeugungsschaltkreis 16 der Fig. 5 gebildet. Der Aufbau der Bindegliedschaltkreise A und B stimmen mit demjenigen des in Fig. 17 gezeigten Bindegliedschalt­ kreises LC überein.

Selbst wenn ein einem Defekt im Speicherzellenfeld 1 a oder ein einem Defekt im Speicherzellenfeld 1 b entsprechendes Adreßsignal eingegeben wird, erreicht entsprechend dem Auswahlsignal- Erzeugungsschaltkreis 16 das Ersatzzeilendekoder-Auswahlsignal den "L"-Pegel.

Für den Fall einer defekten Wortleitung im Speicherzellenfeld 1 a werden vorher vorbestimmte Bindeglieder im Bindegliedschaltkreis A mit einem Laser-Strahl ausgebrannt und falls eine defekte Wort­ leitung im Speicherzellenfeld 1 b existiert, werden vorher vorbe­ stimmte Bindeglieder im Bindegliedschaltkreis B mit einem Laser- Strahl ausgebrannt.

Falls ein Zeilenadreßsignal zum Auswählen einer defekten Wortlei­ tung im Speicherzellenfeld 1 a an die Transistoren Q 84-Q 99 angelegt wird, fällt das Ersatzdekoder-Auswahlsignal auf den "L"-Pegel ab. Auch wenn ein Zeilenadreßsignal zum Auswählen einer defekten Wortleitung im Speicherzellenfeld 1 b in den Bindegliedschaltkreis B eingegeben wird, fällt ferner das Zeilendekoder-Auswahlsignal auf den "L"-Pegel, wodurch der in Fig. 4 gezeigte RX-Ersatzsubde­ koder 19 aktiviert wird. Entsprechend den Pegeln der Zeilenadreßsignale RA 0 und RA 1 tritt damit eines der RX-Ersatzsubdekodersignale SRX 1-SRX 4 in einen Auswahlzustand ein.

Falls eine defekte Wortleitung im Speicherzellenfeld 1 a ausgewählt wird, erreicht das Blocksteuersignal den "L"-Pegel. Damit erreicht der Ausgang (Knoten N 3) des in Fig. 3 dargestellten Ersatzzeilendekoders 5 a den "H"-Pegel, wodurch eine der Ersatz­ wortleitungen SWLs getrieben wird.

Falls andererseits eine defekte Wortleitung im Speicherzellenfeld 1 b ausgewählt wird, erreicht das Blocksteuersignal den "L"- Pegel. Damit erreicht das Ausgangssignal des Ersatzzeilendekoders 5 b den "H"-Pegel.

Bei der oben beschriebenen Ausführung kann die für das Schaltkreis- Layout und die Verdrahtungen erforderliche Fläche vermindert werden, da der Auswahlsignal-Erzeugungsschaltkreis 18 und ein Teil der Signalleitungen von zwei Ersatzzeilendekodern 5 a und 5 b gemeinsam benutzt wird.

Während bei der oben genannten Ausführung die Beschreibung anhand einer Halbleiterspeichereinrichtung erfolgt ist, die eine 1/2-Blockaufteilung aufweist, kann die vorliegende Erfindung auch auf eine Halbleitereinrichtung angewandt werden, die Speicher­ zellenfelder umfaßt, die in eine beliebige Anzahl von Blöcken unterteilt sind.

Während bei der oben genannten Ausführungsform die Beschreibung einer Halbleiterspeichereinrichtung mit in Zeilenrichtung angeord­ neten Redundanzschaltkreisen erfolgt ist, kann die vorliegende Erfindung auch auf Halbleiterspeichereinrichtungen angewandt werden, deren Redundanzschaltkreise in Spaltenrichtung angeordnet sind.

Claims (14)

1. Halbleiterspeichereinrichtung mit einem Redundanzschaltkreis, umfassend ein Speicherzellenfeld mit einer Mehrzahl von Speicher­ zellen (MC), das in eine Mehrzahl von Blöcke (1 a, 1 b) unterteilt ist, eine Mehrzahl von Redundanzschaltkreiseinrichtungen (2 a, 2 b, 5 a, 5 b), die entsprechend der Mehrzahl von Blöcke (1 a, 1 b) gebildet sind und einen Teil der entsprechenden Blöcke ersetzen können, und eine Aktivierungssignal-Erzeugungseinrichtung (18), die von der Mehrzahl der Redundanzschaltkreiseinrichtungen (2 a, 2 b) gemeinsam benutzt wird und die derart eingestellt werden kann, daß sie ein Redundanzschaltkreis-Aktivierungssignal erzeugen, falls ein Defekt in einem Teil der Mehrzahl von Blöcken (1 a, 1 b) existiert und ein den Defekt umfassender Bereich ausgewählt wird, wobei jede Redundanzschaltkreiseinrichtung der Mehrzahl von Redundanzschaltkreiseinrichtungen (2 a, 2 b) in Abhängigkeit vom Redundanzschaltkreis-Aktivierungssignal und einem vorbestimmten Blockauswahlsignal aktiviert wird.

2. Halbleiterspeichereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß jede Redundanzschaltkreiseinrichtung der Mehrzahl von Redundanzschaltkreiseinrichtungen (2 a, 2 b) eine Mehrzahl von Ersatzspeicherzellen (SMC) und eine Ersatzspeicherzellen-Auswahl­ einrichtung (5 a, 5 b), die vom Redundanzschaltkreis-Aktivierungs­ signal und dem vorbestimmten Blockauswahlsignal abhängig ist, zum Auswählen der Mehrzahl von Ersatzspeicherzellen (SMC) umfaßt.

3. Halbleiterspeichereinrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Aktivierungssignal-Erzeugungseinrichtung (18) eine Mehrzahl von Bindeglied-Schaltkreiseinrichtungen (A, B) umfaßt, die entsprechend der Mehrzahl von Blöcken (1 a, 1 b) gebildet sind und die vorher derart eingestellt werden können, daß sie das Redundanzschaltkreis-Aktivierungssignal erzeugen, falls ein Defekt im entsprechenden Block existiert und ein den Defekt umfassender Bereich ausgewählt wird.

4. Halbleiterspeichereinrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Aktivierungssignal-Erzeugungsein­ richtung (18) ferner eine vom Blockauswahlsignal abhängige Bindegliedschaltkreis-Auswahleinrichtung (Q 100, Q 101) zum Auswählen eines Ausgangssignales der Mehrzahl von Bindeglied-Schaltkreisein­ richtungen (A, B) umfaßt.

5. Halbleiterspeichereinrichtung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß jede Bindeglied-Schaltkreiseinrichtung der Mehrzahl von Bindeglied-Schaltkreiseinrichtungen (A, B) eine Mehrzahl von Bindegliedelementen (LN 1-LN 14) umfaßt, die mit einem Laser ausgebrannt werden können.

6. Auf einem Chip gebildete Halbleiterspeichereinrichtung mit einem Redundanzschaltkreis, umfassend ein Speicherzellenfeld mit einer Mehrzahl von Speicherzellen (MC), die in einer Mehrzahl von Zeilen und Spalten angeordnet sind, und das in eine Mehrzahl von Blöcke (1 a, 1 b) unterteilt ist, eine Mehrzahl von Ersatz­ zeileneinrichtungen (2 a, 2 b), die entsprechend der Mehrzahl von Blöcken (1 a, 1 b) gebildet sind, wobei jede Ersatzzeileneinrichtung wenigstens eine Zeile von Ersatzspeicherzellen (SMC) umfaßt, eine von einem ersten Teil der extern angelegten Adreßsignale abhängige Zeilenauswahleinrichtung (4 a, 4 b) zum Auswählen einer Zeile in jedem Block, eine Mehrzahl von Ersatzzeilenauswahlein­ richtungen (5 a, 5 b), die entsprechend der Mehrzahl von Ersatz­ zeileneinrichtungen (2 a, 2 b) gebildet sind und jeweils die entsprechende Ersatzzeileneinrichtung auswählen, eine von einem zweiten Teil der Adreßsignale abhängige Blockauswahleinrichtung (47) zum Erzeugen eines Blockauswahlsignales zum Auswählen eines Blockes der Mehrzahl von Blöcken (1 a, 1 b), und eine Aktivierungs­ signal-Erzeugungseinrichtung (18), die von der Mehrzahl von Ersatzzeilen-Auswahleinrichtungen (5 a, 5 b) gemeinsam benutzt wird und die vorher derart eingestellt werden kann, daß sie ein Redundanzschaltkreis-Aktivierungssignal erzeugt, falls eine defekte Zeile in einem Block der Mehrzahl von Blöcken (1 a, 1 b) existiert und die defekte Zeile ausgewählt wird, wobei jede Ersatzzeilen-Auswahleinrichtung der Mehrzahl von Ersatzzeilen- Auswahleinrichtungen (5 a, 5 b) in Abhängigkeit vom Redundanzschalt­ kreis-Aktivierungssignal und dem Blockauswahlsignal aktiviert wird.

7. Halbleiterspeichereinrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekenn­ zeichnet, daß jeder Block der Mehrzahl von Blöcken (1 a, 1 b) ferner eine Mehrzahl von Wortleitungen (WL) und eine Mehrzahl von Bitleitungen (BL, ) umfaßt, die einander kreuzend gebildet sind, und daß jede Zeile in Richtung jeder Wortleitung (WL) und jede Spalte in Richtung einer jeden Bitleitung (BL, ) angeordnet ist.

8. Halbleiterspeichereinrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekenn­ zeichnet, daß jeder Block der Mehrzahl von Blöcken (1 a, 1 b) ferner eine Mehrzahl von Wortleitungen (WL) und eine Mehrzahl von Bit­ leitungen (BL, ) umfaßt, die einander kreuzend gebildet sind, und daß jede Spalte in Richtung jeder Wortleitung (WL) und jede Zeile in Richtung einer jeden Bitleitung (BL, ) angeordnet ist.

9. Halbleiterspeichereinrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß jede Aktivierungssignal-Erzeugungsein­ richtung (18) eine Mehrzahl von Bindeglied-Schaltkreiseinrichtungen (A, B) umfaßt, die entsprechend der Mehrzahl von Blöcken (1 a, 1 b) gebildet sind, den ersten Teil der Adreßsignale empfangen und das Redundanzschaltkreis-Aktivierungssignal in Abhängigkeit von einem Adreßsignal erzeugen, das eine defekte Zeile im entsprechenden Block auswählt.

10. Halbleiterspeichereinrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekenn­ zeichnet, daß jede Bindeglied-Schaltkreiseinrichtung der Mehrzahl von Bindeglied-Schaltkreiseinrichtungen (A, B) eine Mehrzahl von Bindegliedelementen (LN 1-LN 14) umfaßt, die mit einem Laser ausgebrannt werden können.

11. Halbleiterspeichereinrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Zeilenauswahleinrichtung (4 a, 4 b) eine Mehrzahl von Zeilen gleichzeitig auswählt, und jede Ersatzzeilen-Auswahleinrichtung der Mehrzahl von Ersatzzeilen- Auswahleinrichtungen (5 a, 5 b) eine Mehrzahl von Ersatzzeilenein­ richtungen gleichzeitig auswählt, wobei die Halbleiterspeicherein­ richtung ferner eine Zeilensubauswahleinrichtung (19) zum Auswählen einer Zeile der Mehrzahl von Zeilen, die von der Zeilenauswahl­ einrichtung (4 a, 4 b) ausgewählt worden sind, und eine Ersatzzeilen- Subauswahleinrichtung (15) zum Auswählen einer Ersatzeinrichtung der Mehrzahl von Ersatzeinrichtungen, die von der Ersatzzeilen- Auswahleinrichtung (5 a, 5 b) ausgewählt sind, umfaßt.

12. Halbleiterspeichereinrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Zeilensubauswahleinrichtung (19) in Abhängigkeit vom Redundanzschaltkreis-Aktivierungssignal deaktiviert wird und die Ersatzzeilen-Subauswahleinrichtung (15) in Abhängigkeit vom Redundanzschaltkreis-Aktivierungssignal aktiviert wird.

13. Halbleiterspeichereinrichtung mit eine Mehrzahl von Speicher­ zellen (MC), die in eine Mehrzahl von Blöcke (1 a, 1 b) unterteilt ist, wobei das Speicherzellenfeld eine Unterteilung in mehrere Blöcke aufweist und jeder Block der Mehrzahl von Blöcken (1 a, 1 b) einen für diesen gebildeten Redundanzschaltkreis umfaßt, dadurch gekennzeichnet, daß das Redundanzschaltkreis-Aktivierungssignal zum Aktivieren des Redundanzschaltkreises eines jeden Blockes von allen oder einem Teil der Blöcke gemeinsam benutzt wird.

14. Verfahren zum Betreiben einer Halbleiterspeichereinrichtung mit einem Speicherzellenfeld, das eine Mehrzahl von Speicherzellen (MC) umfaßt und in eine Mehrzahl von Blöcke (1 a, 1 b) unterteilt ist, und mit einer Mehrzahl von Redundanzschaltkreiseinrichtungen (2 a, 2 b, 5 a, 5 b), die entsprechend der Mehrzahl von Blöcken (1 a, 1 b) gebildet sind und einen Teil der entsprechenden Blöcke ersetzen können, gekennzeichnet durch die Schritte:
Erzeugen eines gemeinsamen Redundanzschaltkreis-Aktivierungssig­ nales, falls ein Defekt in einem Teil der Mehrzahl von Blöcken (1 a, 1 b) existiert und ein den Defekt umfassender Bereich ausgewählt wird, Erzeugen eines Blockauswahlsignales zum Auswählen eines Blockes der Mehrzahl von Blöcken (1 a, 1 b), zum Aktivieren einer Redundanzschaltkreiseinrichtung der Mehrzahl von Redundanz­ schaltkreiseinrichtungen (2 a, 2 b, 5 a, 5 b) in Abhängigkeit vom gemeinsamen Redundanzschaltkreis-Aktivierungssignal und dem Blockauswahlsignal.