DE4003389C2 - - Google Patents
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/13—Semiconductor regions connected to electrodes carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. source or drain regions
- H10D62/141—Anode or cathode regions of thyristors; Collector or emitter regions of gated bipolar-mode devices, e.g. of IGBTs
- H10D62/142—Anode regions of thyristors or collector regions of gated bipolar-mode devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D12/00—Bipolar devices controlled by the field effect, e.g. insulated-gate bipolar transistors [IGBT]
- H10D12/411—Insulated-gate bipolar transistors [IGBT]
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- Bipolar Transistors (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1026944A JPH0812920B2 (ja) | 1989-02-06 | 1989-02-06 | 横型伝導度変調型mosfetおよびその制御方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4003389A1 DE4003389A1 (de) | 1990-08-16 |
DE4003389C2 true DE4003389C2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1992-12-17 |
Family
ID=12207265
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4003389A Granted DE4003389A1 (de) | 1989-02-06 | 1990-02-05 | Horizontal-leitfaehigkeitsaenderungs-mosfet und verfahren zu seiner steuerung |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0812920B2 (enrdf_load_stackoverflow) |
DE (1) | DE4003389A1 (enrdf_load_stackoverflow) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR0122103B1 (ko) * | 1994-05-07 | 1997-11-26 | 김광호 | 반도체 메모리 장치의 퓨즈 소자 |
DE102005019157A1 (de) | 2005-04-25 | 2006-10-26 | Robert Bosch Gmbh | Anordnung von MOSFETs zur Steuerung von demselben |
WO2013088544A1 (ja) * | 2011-12-15 | 2013-06-20 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置および電力変換装置 |
-
1989
- 1989-02-06 JP JP1026944A patent/JPH0812920B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-02-05 DE DE4003389A patent/DE4003389A1/de active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE4003389A1 (de) | 1990-08-16 |
JPH0812920B2 (ja) | 1996-02-07 |
JPH02206172A (ja) | 1990-08-15 |
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