DE3938161A1 - Verfahren zur herstellung von siliciumcarbid-whiskern - Google Patents
Verfahren zur herstellung von siliciumcarbid-whiskernInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von
Siliciumcarbid-Whiskern sowie derartige Siliciumcarbid-Whisker.
Das erfindungsgemäße Verfahren dient insbesondere zur Her
stellung von Siliciumcarbid-Whiskern mit einem Durchmesser, der
nicht kleiner als 1 µm ist.
Siliciumcarbid-Whisker besitzen bessere Eigenschaften als
andere Fasern und werden zur Herstellung von Verbundwerkstoffen
eingesetzt. Dies gilt insbesondere bezüglich der Stärke,
Elastizität, Oxidationsbeständigkeit, Hitzebeständigkeit und
der chemischen Stabilität. Aufgrund dieser vorteilhaften Eigen
schaften werden derartige Whisker gerne als Verbundwerkstoff -
Verstärkungsmaterial für Keramiken, Metalle, Kunststoffe usw.
eingesetzt. Die Siliciumcarbid-Whisker sollen in einem Verbund
werkstoff, dessen Matrix aus entweder einem Metall oder einem
Kunststoffharz besteht, die Stärke, die Elastizität und die
Abriebbeständigkeit verbessern. In einem keramischen Material
sollen durch Zugabe von Siliciumcarbid-Whiskern in erster Linie
die Bruchfestigkeit des keramischen Verbundwerkstoffmaterials
verbessert werden, so daß das keramische Verbundmaterial
weniger leicht bricht.
Eine der wichtigsten Eigenschaften von Whiskern, um keramische
Verbundmaterialien verstärken zu können, ist die Dicke, d.h.
der mittlere Querschnittsdurchmesser der Whisker. Je größer der
Durchmesser der Whisker ist, desto größer ist die Bruch
festigkeit des mit den Whiskern verstärkten Verbundmaterials.
Whisker sollten daher einen ausreichend großen Querschnitts
durchmesser besitzen, so daß ein in dem erhaltenen Verbund
material hervorgerufener Bruch nicht dazu führt, daß die
Whisker brechen. Der Bruch bzw. Riß kann sich somit nicht weit
fortsetzen. Aus diesem Grunde ist es wünschenswert, daß in
einem keramischen Verbundmaterial eingesetzte Siliciumcarbid-
Whisker einen durchschnittlichen Querschnittsdurchmesser von
nicht weniger als 1 µm besitzen.
Bisher sind vier Verfahren zur Herstellung von Siliciumcarbid-
Whiskern bekannt.
- A) So kann man Whisker aus verflüssigtem Siliciumcarbid bei hoher Temperatur und hohem Druck kristallisieren;
- B) man kann auch so vorgehen, daß man Kohlenstoff in einer geschmolzenen Flüssigkeit aus metallischem Silicium löst und einen Siliciumcarbid-Whisker kristallisiert;
- C) ferner kann man Whisker kristallisieren durch Sublimieren von Siliciumcarbid aus Siliciumcarbid-Pulver bei hoher Temperatur;
- D) schließlich kann man auch so vorgehen, daß man Silicium carbid-Whisker aus Siliciumcarbid kristallisiert, welches man mittels Pyrolyse einer Siliciumverbindung erhalten hat.
Bei den Verfahren (A) und (B) müssen extrem hohe Temperaturen
und hohe Drücke zur Anwendung gelangen. Zudem muß geschmolzenes
metallisches Silicium eingesetzt werden. Für diese Verfahren
ist es daher erforderlich, daß komplizierte Produktionsanlagen
zur Anwendung gelangen, um zu vermeiden, daß bei der Über
wachung des Herstellungsverfahrens Schwierigkeiten auftreten.
Auch für das Verfahren (C) sind extrem hohe Temperaturen erfor
derlich. Die Durchführung des Verfahrens selbst ist schwierig
zu überwachen. Zudem ist die Produktionsanlage kompliziert und
es ist schwierig, den hergestellten Whisker mit der erforderli
chen Genauigkeit fraktionell zu sammeln. Alle die genannten
Verfahren (A) bis (C) sind daher für den kommerziellen Einsatz
nicht geeignet.
Daher wird derzeit vorwiegend das Verfahren (D) zur Herstellung
von Siliciumcarbid-Whiskern eingesetzt. Für dieses Verfahren
(D) sind auch schon verschiedene Änderungen vorgeschlagen wor
den. So ist z.B. (1) ein Verfahren vorgeschlagen worden, bei
dem Siliciumdioxid mit Hilfe von Kohlenstoff oder mit Hilfe
metallischen Siliciums und Kohlenstoff in der Festphase
reduziert wird. Es ist ferner (2) ein Verfahren vorgeschlagen
worden, bei dem eine Mischung aus einer kohlenstoffhaltigen
Verbindung und einer organischen Siliciumverbindung oder eine
Mischung aus einer kohlenstoffhaltigen Verbindung und einer
anorganischen Siliciumverbindung in den gasförmigen Zustand
überführt und erhitzt wird, so daß eine Umsetzung stattfindet.
Schließlich (3) ist ein Verfahren vorgeschlagen worden, bei dem
eine Dampfphasenkristallisation infolge einer Umsetzung von
Fluor enthaltendem Silikat mit Kohlenstoff stattfindet.
Die Verfahrensvarianten (2) und (3), bei denen Siliciumcarbid-
Whisker in einer Dampfphase gezogen werden, stellen Arbeits
weisen dar, mit denen es möglich sein kann, Whisker mit einem
Querschnittsdurchmesser von 1 µm oder mehr zu erhalten, falls
die Reaktionsbedingungen entsprechend gewählt werden. Bei der
Verfahrensvariante (2) ist die Menge an Siliciumcarbid-
Whiskern, die pro Volumeneinheit der Reaktionskammer erhalten
wird, äußerst gering, da die Umsetzung in der Gasphase statt
findet. Möchte man somit dieses Verfahren im kommerziellen Maß
stab durchführen, muß man eine sehr große Reaktionskammer
benutzen. Außerdem ist es erforderlich, da die Reaktions
temperatur hoch ist, eine beträchtliche Energiemenge einzu
setzen, um das Innere der sehr großen Reaktionskammer aus
reichend heiß zu halten. Ein weiteres Problem stellt die Tat
sache dar, daß das als Ergebnis der Umsetzung erhaltene Reak
tionsnebenprodukt korrosiv ist. Bei der Verfahrensvariante (3)
schmilzt man ein Fluor enthaltendes Silikat, gibt Kohlenstoff
zu der Schmelze, um dadurch eine Desoxidation herbeizuführen,
und kühlt den aus der Schmelze austretenden Dampf, um Silicium
carbid-Whisker wachsen zu lassen bzw. zu ziehen. Bei dieser
Verfahrensvariante findet ebenso wie bei der Verfahrensvariante
(2) eine Reduktion in der Gasphase statt, so daß die gleichen
Probleme auftauchen wie bei der Verfahrensvariante (3). Zudem
ist es erforderlich, eine große Menge geschmolzener Salze zu
handhaben. Daher können die Produktionsanlagen bzw. Produk
tionsgefäße nur aus ganz bestimmten Materialien hergestellt
sein, die für derartige Anwendungszwecke geeignet sind. Ein
weiteres Problem hinsichtlich der Verfahrensvariante (3)
besteht darin, daß die geschmolzenen Salze als Verunreinigungen
in den Siliciumcarbid-Whisker gelangen. Die Verfahrensvariante
(3) stellt daher kein kommerziell einsetzbares Verfahren zur
Herstellung von Siliciumcarbid-Whiskern dar.
Bei der Verfahrensvariante (1) hingegen, bei der eine Fest
phasendesoxidation stattfindet, wird leicht zugängliches
Siliciumdioxid als Ausgangsmaterial eingesetzt. Diese Verfah
rensvariante kann daher mit Hilfe von Produktionsanlagen durch
geführt werden, die keine technischen Schwierigkeiten mit sich
bringen. Somit kann die Herstellung von Siliciumcarbid-Whiskern
in kommerzieller Weise durchgeführt werden. Es wurden daher
Untersuchungen durchgeführt, um geeignete Quellen für Silicium
atome zu finden, die bei der Verfahrensvariante (1) eingesetzt
werden können. Es wurden verschiedene Quellen vorgeschlagen,
wozu beispielsweise zählen: (a) die aus den Hüllen von gras
artigen Pflanzen erhaltene Siliciumfraktion, (b) Quarzsand, (c)
Shirasu und Altglas, und (d) aktives Silica mit einer hohen
spezifischen Oberfläche, z.B. Silikasol und Silikagel.
L. Patric et al. berichten, daß Chrom, Aluminium, Eisen,
Kobalt, Kupfer, Silicium und Gold wirksame Katalysatoren für
die bei der Verfahrensvariante (1) stattfindende Umsetzung zur
Herstellung von Siliciumcarbid-Whiskern sind. Auch von anderer
Seite wurden Vorschläge für wirksame Katalysatoren gemacht,
wozu die oben aufgezählten zählen. So wird beispielsweise in
den japanischen Patentanmeldungen Japanese Kokoku 50-18 479,
Japanese Kokai 61-22 000 und Japanese Kokai 63-1 59 300
ausgeführt, daß nicht nur die oben aufgeführten Metalle, sondern
auch die Verbindungen dieser Metalle sowie Übergangsmetalle,
wie Nickel, und Verbindungen davon wirksame Katalysatoren sind.
Bei der auf einer Festphasendesoxidation beruhenden Verfahrens
variante (1), welche die industriell vorteilhafteste Arbeits
weise darstellt, ist es äußerst schwierig, einen Silicium
carbid-Whisker mit einem Durchmesser von mehr als 1 µm zu
erhalten, und zwar unabhängig davon, welche der Siliciumquellen
(a) bis (d) man einsetzt. Falls jemals ein Whisker mit einem
Durchmesser von mehr als 1 µm gezogen wird, dann findet dies
nur in einem eingeschränkten Ausmaße statt und lediglich an
ganz bestimmten Stellen, beispielsweise im Oberflächenbereich
der Rohmaterialschicht sowie in den darin befindlichen Rissen
bzw. Schlitzen.
Ferner ist es von Bedeutung, die Menge an pulvrigem Silicium
carbid zu reduzieren, die als Nebenprodukt zusammen mit dem
Siliciumcarbid-Whisker erzeugt wird. Enthält der Whisker zu
große Mengen an pulvrigem Carbid, dann wird das resultierende
keramische Verbundmaterial eine nur geringe Bruchfestigkeit
besitzen. Enthalten die Siliciumcarbid-Whisker hingegen eine zu
große Menge an pulvrigem Siliciumcarbid, dann sind sie häufig
nicht als verbundverstärkendes Material für Keramiken, Metalle
und Kunststoffe geeignet. Eine weitere Schwierigkeit besteht
darin, daß die pulvrigen Nebenprodukte in den Siliciumcarbid-
Whiskern nicht vollständig abgetrennt werden können. Dies
gelingt selbst nicht mit einem Abtrenn- bzw. Trennverfahren,
bei dem der Unterschied in den oleophilen und hydrophilen
Eigenschaften ausgenutzt wird. Eine derartige Trennung gelingt
auch nicht mit Hilfe von einer Zentrifugenpräzipitation.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein Verfahren
zur Herstellung hochreiner Siliciumcarbid-Whisker bereitzu
stellen, die eine reduzierte Menge an pulvrigem Siliciumcarbid
enthalten und einen Querschnittsdurchmesser von 1 µm oder mehr
besitzen, wobei die Herstellungsgeschwindigkeit hoch und die
Herstellungskosten gering sein sollen.
Erfindungsgemäß wird nun ein Verfahren bereitgestellt, das auf
der Verfahrensvariante (1) basiert und bei dem eine Mischung
aus einer Quelle für Siliciumatome und für Kohlenstoffatome
einer Umsetzung unterworfen wird. Mit dem erfindungsgemäßen
Verfahren ist es überraschenderweise möglich, hochreine
Siliciumcarbid-Whisker zu erhalten, die eine verringerte Menge
an pulvrigem Siliciumcarbid enthalten und einen Querschnitts
durchmesser von 1 µm oder mehr besitzen. Die Produktions
geschwindigkeit des erfindungsgemäßen Verfahrens ist hoch,
während die Kosten niedrig sind. Das erfindungsgemäße Verfahren
zeichnet sich dadurch aus, daß die Quelle für Siliciumatome in
Form von Körnern hergestellt wird, wobei die Körner einen mitt
leren Durchmesser von 50 µm oder mehr besitzen. Das erfindungs
gemäße Verfahren zeichnet sich ferner dadurch aus, daß ein
Element oder mehrere Elemente, wobei das Element oder die
Elemente ausgewählt ist (sind) aus der Gruppe bestehend aus
Yttrium, Calcium, Mangan, Aluminium, Indium und Seltenen Erden,
oder eine Verbindung davon, in einem solchen Ausmaß hinzugege
ben wird bzw. werden, daß die Menge des ausgewählten Elements
oder die gesamte Menge der ausgewählten Elemente 100 bis 2000 ppm
beträgt, bezogen auf den Siliciumbestandteil in der Quelle
für Siliciumatome.
Mit Hilfe von Untersuchungen der Mechanismen der Bildung und
des Wachstums von Whiskern wurde überraschend gefunden, daß der
physikalische Kontakt zwischen der Quelle für Silicium und
Kohlenstoff bei der Herstellung von Siliciumcarbid-Whiskern
während der Umsetzung einer Quelle für Siliciumatome mit
Kohlenstoff essentiell ist. Bedingt durch diesen Kontakt
reagieren die Siliciumquelle und der Kohlenstoff miteinander
unter Übertritt in den gasförmigen Zustand oder Sublimation, um
eine Umsetzung fest-Gas oder um eine Umsetzung Gas-Gas zu
initiieren, wobei Whisker erzeugt werden und wachsen. Bisher
entsprach es üblicher Praxis, die Quelle für Siliciumatome in
Form eines feinen Pulvers bereitzustellen, um eine hohe Umset
zungsausbeute zu erzielen. Stellt man die Quelle für Silicium
atome jedoch in Form von Körnern mit einem größeren Durchmesser
her, dann nimmt die spezifische Oberfläche ab, so daß die Menge
an Siliciumatomen reduziert wird, welche durch die Oberfläche
der Körnchen austreten, um an der Reaktion teilzunehmen.
Dadurch wird die Reaktionsgeschwindigkeit erniedrigt. Folglich
nimmt der Durchmesser der gebildeten Whisker im allgemeinen zu.
Es wurde insbesondere gefunden, daß, falls der mittlere Durch
messer der Körnchen, welche die Siliciumquelle darstellen, 50 µm
oder größer ist, der erhaltene Siliciumcarbid-Whisker einen
Querschnittsdurchmesser von 1 µm oder mehr besitzt.
Es wurden auch die Auswirkungen von metallischen Katalysatoren
auf den Whisker-Durchmesser untersucht. Es wurde gefunden, daß
Yttrium, Calcium, Mangan, Aluminium, Indium und die Seltenen
Erden, beispielsweise Cerium, Neodym und Gadolinium, Elemente
darstellen, die in der Lage sind, das Dickenwachstum der
Whisker in dem oben beschriebenen Reaktionssystem (1) zu
fördern. Es wurde insbesondere gefunden, daß nicht nur die
Bereitstellung der Quelle für Siliciumatome in Form von Körnern
mit einem mittleren Durchmesser von 50 µm oder größer eine
Rolle spielt, sondern daß es durch die Zugabe von Yttrium,
Calcium, Mangan, Aluminium, Indium oder eines Elements der
Seltenen Erden, beispielsweise Cerium, Neodym und Gadolinium
zum oben beschriebenen Reaktionssystem (1) in einer Menge von
100 bis 2000 ppm, bezogen auf die Menge an Siliciumatomen,
möglich ist, einen Whisker mit einem Querschnittsdurchmesser
von 1 µm oder mehr zu erhalten.
Die in dem erfindungsgemäßen Verfahren einsetzbare Quelle für
Siliciumatome kann jedes feste, Silicium enthaltende Material
sein, wobei solche Materialien nicht eingesetzt werden können,
die sich bei Temperaturen von 1400 bis 1800°C verflüssigen.
Vorzugsweise setzt man Quarzsand, Silicagel, metallisches
Silicium, Molybdän, Bisilikat oder dergleichen ein. Für das
erfindungsgemäße Verfahren ist es wesentlich, daß die Quelle
für Siliciumatome in Form von Körnern mit einem vorbestimmten
Korndurchmesser eingesetzt wird. Schmilzt hingegen die korn
förmige Siliciumquelle bei der Umsetzungstemperatur und ver
liert sie ihre feste Zustandsform, wobei ein Phasenübergang von
der flüssigen zur festen Phase stattfindet, dann wird die
erfindungsgemäß erzielbare Wirkung nicht erreicht. Der Gehalt
an Verunreinigungen, bei denen es sich nicht um Silicium oder
Kohlenstoff handelt, in der Siliciumquelle sollte so gering wie
möglich sein, da die Verunreinigungen in den Siliciumcarbid-
Whisker eintreten können und dadurch die Reinheit und somit die
Stärke des Whiskers vermindern.
Im Hinblick auf die Ausbeute an hergestellten Siliciumcarbid-
Whiskern und um die Menge an pulvrigem Siliciumcarbid zu
minimieren, die im Siliciumcarbid-Whisker enthalten ist, kann
erfindungsgemäß als Quelle für Siliciumatome ein Produkt Anwen
dung finden, das durch Hydrolyse eines oder mehrerer Silane
erhalten wird, bei denen es sich um Chlorsilane der folgenden
allgemeinen Formel
R a SiCl4-a ,
worin R ein Wasserstoffatom oder eine monovalente Kohlenwasser
stoffgruppe bedeutet und der Index a für eine ganze Zahl steht,
mit der Maßgabe, daß 0a3 ist,
und um Chlordisilane der folgenden allgemeinen Formel
R b Si2Cl6-b ,
worin R ein Wasserstoffatom oder eine monovalente Kohlenwasser
stoffgruppe bedeutet und der Index b für eine ganze Zahl steht,
mit der Maßgabe, daß 1b5 ist, handelt. Diese Chlorsilane
und Chlordisilane werden im übrigen normalerweise als Neben
produkte bei den in der Silikonindustrie durchgeführten Verfah
ren erhalten und stellen daher leicht zugängliche und kosten
günstige Materialien dar. Diese Materialien besitzen zudem den
weiteren Vorteil, daß sie leicht durch Destillieren gereinigt
werden können.
Beispiele der Chlorsilane der allgemeinen Formel R a SiCl4-a sind
unter anderem: CH3SiCl3, (CH3)2SiCl2, (CH3)2SiCl2, (CH3)3SiCl,
(CH2=CH)SiCl3, C6H5SiCl3, HSiCl3, H2SiCl2 und SiCl4. Zu den
Chlordisilanen der allgemeinen Formel R b Si2Cl6-b gehören
beispielsweise (CH3)Si2Cl5, (CH3)2Si2Cl4, (CH3)3Si2Cl3 und
(C6H5)3Si2Cl3. Diese durch übliche Verfahren in der Silikon
industrie erhaltenen Chlorsilane und Chlordisilane sind nicht
frei von metallischen Verunreinigungen, wozu auch solche
Metalle zählen, die als metallische Katalysatoren beim erfin
dungsgemäßen Verfahren Anwendung finden. Um daher genau kon
trollieren zu können, welche Menge an katalytischen Metallen
dem Reaktionssystem zugegeben werden, ist es wünschenswert, daß
die eingesetzten Chlorsilane und/oder Chlordisilane von den
metallischen Verunreinigungen befreit werden, beispielsweise
durch einfache Destillation sowie fraktionelle Destillation,
bevor sie hydrolysiert werden, um die Quelle für Siliciumatome
zu erhalten.
Die Chlorsilane und Chlordisilane, die als Ausgangsmaterialien
für die Siliciumquelle eingesetzt werden, können leicht hydro
lysiert werden, wenn sie entweder in Gasform oder in flüssiger
Form in direkten Kontakt mit Wasser gebracht werden. Dabei wer
den die Gruppen = Si-Cl in den Chlorsilanen und Chlordisilanen
in die Reste des =Si-O- überführt. Es werden Hydrolyseprodukte
von Molekülen erhalten, die hauptsächlich aus Silicium- und
Sauerstoffatomen bestehen. Der pH-Wert der so erhaltenen Hydro
lyseprodukte wird dann eingestellt. Diese Produkte werden an
schließend erforderlichenfalls getrocknet, bevor sie der weite
ren Verarbeitungsstufe zugeführt werden. Die Quelle für Sili
ciumatome wird erfindungsgemäß in Form von Körnern und nicht in
Form eines feinen Pulvers eingesetzt, um die spezifische Ober
fläche der Siliciumquelle zu reduzieren und dadurch die Reakti
onsgeschwindigkeit zu verlangsamen. Um gute Ergebnisse zu
erhalten, muß der mittlere Korndurchmesser der Materialien für
die Siliciumquelle 50 µm oder mehr betragen. Der mittlere Korn
durchmesser sollte vorzugsweise 50 µm bis 1000 µm und insbeson
dere bevorzugt 100 µm bis 500 µm betragen. Falls der mittlere
Korndurchmesser kleiner als 50 µm ist, dann ist auch der Durch
messer der erhaltenen Whisker kleiner als 1 µm. Ist hingegen
der mittlere Korndurchmesser der Materialien für die Silicium
quelle größer als 1000 µm, dann nimmt die Reaktionsgeschwindig
keit stark ab. Dies wiederum kann die Produktionseffizienz und
die Umwandlung von Silicium in Siliciumcarbid verringern. Ist
der genannte Durchmesser jedoch größer, dann sollte die korn
förmige Quelle für Silicium pulverisiert werden. Gleichwohl ist
festzuhalten, daß die erfindungsgemäß erzielbaren Vorteile auch
bei einer Korngröße von <1000 µm erreicht werden können. Die
angegebenen Werte bzw. Durchmesser stellen daher nur bevorzugte
Werte dar. Ist andererseits der mittlere Korndurchmesser der
Siliciummaterialien kleiner als 50 µm, dann ist es vorteilhaft,
diese Materialien zu granulieren bzw. zu sintern oder zusammen
zubacken, um den Korndurchmesser auf 50 bis 1000 µm zu ver
größern. Wird eine Granulierung durchgeführt, dann ist es nicht
zu beanstanden, ein Material einzusetzen, welches die Granulie
rung fördert bzw. ein Zusammenbacken unterstützt, sofern dies
erforderlich ist. Zudem darf das genannte Material die Bildung
von Whiskern nicht beeinträchtigen.
Als Quelle für Kohlenstoffatome, die im erfindungsgemäßen
Verfahren Anwendung finden kann, kann man Ruß, wie Acetylen
schwarz und Ofenschwarz, kohlenstoffhaltiges Material, wie
Aktivkohle, und Kohle sowie jegliches Material einsetzen, das
wie Phenolharz bei hoher Temperatur leicht verkohlt werden
kann. Da die beim erfindungsgemäßen Verfahren stattfindende
Umsetzung auf einer festen Oberfläche abläuft, ist es zweck
mäßig, daß man eine Kohlenstoffquelle einsetzt, bei der es sich
um ein Pulver mit einer hohen spezifischen Oberfläche handelt.
Zweckmäßigerweise setzt man daher Materialien mit einer derar
tigen hohen spezifischen Oberfläche ein, wie Ruß und gepulverte
Aktivkohle.
Die Mischung aus den Quellen für Siliciumatome und Kohlenstoff
atome stellt man durch Mischen nach einem üblichen Verfahren
her, bei dem man Maschinen, wie einen V-Mischer oder einen
Flügelrührmischer einsetzt. Vorzugsweise vermischt man die
beiden Quellen sehr intensiv, denn je besser die Substanzen
vermischt werden, desto größer ist die Ausbeute.
Erfindungsgemäß wird die Konzentration von einem oder mehreren
der nachstehenden Elemente überwacht, die in der Mischung aus
der Quelle für Siliciumatome und der Quelle für Kohlenstoff
atome enthalten ist (sind). Bei diesen Elementen handelt es
sich um Yttrium, Calcium, Mangan, Aluminium, Indium und um die
Seltenen Erden (z.B. Cerium, Neodym und Gadolinium). Diese
Elemente haben einen sehr starken Einfluß auf die Dicke des
erhaltenen Siliciumcarbid-Whiskers. Yttrium, Calcium, Mangan,
Aluminium, Indium und die Seltenen Erden sind katalytische
Elemente, welche das Dickenwachstum des Siliciumcarbid-Whiskers
fördern. Macht die Gesamtmenge dieser Elemente 100 ppm oder
mehr aus, bezogen auf den Gehalt an Silicumatomen in der
Mischung, dann kann man den Dickenwachstumseffekt bzw. den
Verdickungseffekt beobachten. Ist hingegen die Gesamtmenge
größer als 2000 ppm, dann neigt der erhaltene Siliciumcarbid-
Whisker zum Zerbrechen. Außerdem trennt sich körniges Silicium
carbid ab, das keinen Whisker darstellt. Dieses beeinflußt
natürlich die Stärke und Belastbarkeit des Whiskers nachteilig.
Der Gesamtgehalt der Elemente, welche ein Dickenwachstum des
Whiskers fördern, sollte daher 100 bis 2000 ppm und vorzugs
weise 300 bis 1000 ppm betragen, bezogen auf den Silicium
gehalt.
Macht somit die Gesamtmenge an Yttrium, Calcium, Mangan,
Aluminium, Indium und Seltenen Erden weniger als 100 ppm aus,
dann sollte eine ausreichende Menge eines dieser Elemente oder
mehrerer dieser Elemente hinzugegeben werden, so daß der
Gesamtgehalt 100 ppm oder größer wird. Ist hingegen der Gesamt
gehalt an diesen Elementen größer als 2000 ppm, dann sollte
eines oder mehrere dieser Elemente physikalisch oder chemisch
entfernt werden, so daß der Gesamtgehalt bzw. die Geamtmenge
nicht größer als 2000 ppm ist.
Werden derartige "Whisker-verdickende" Elemente von außen zu
der Quelle für Kohlenstoffatome und/oder zu der Quelle für
Siliciumatome hinzugegeben, dann gibt es keine Einschränkung
hinsichtlich der Art, in welcher diese Elemente hinzugegeben
werden. So können diese Elemente in Form einer einfachen Sub
stanz oder in Form eines wasserlöslichen Salzes vorliegen, bei
spielsweise als Chloride und Nitride, z.B. CaCl2, YCl2. Man
kann auch wasserunlösliche Verbindungen zur Anwendung bringen,
beispielsweise Oxide, wie CaO×6 H2O und Y2O3.
Jedoch muß das hinzugesetzte "Whisker-verdickende" Metall
element gleichmäßig in der Quelle für Kohlenstoffatome und/oder
in der Quelle für Siliciumatome verteilt sein. So kann man
beispielsweise ein wasserlösliches Salz eines "Whisker
verdickenden" Elements in Wasser lösen. Diese Lösung kann man
dazu verwenden, Chlordisilan oder andere Quelle für Silicium
atome zu hydrolysieren, um so das "Whisker-verdickende" Element
mit der Quelle für Siliciumatome zu vermengen.
Ein "Whisker-verdickendes" Element in Form einer einfachen
Substanz oder einer Verbindung davon kann man dadurch wirksam
mit einer Quelle für Kohlenstoffatome vermengen, indem man
beide Einheiten in Pulverform herstellt und dann gründlich mit
einander vermischt. Diese Arbeitsweise ist insbesondere dann
von Vorteil, wenn es sich bei der Verbindung des "Whisker-
verdickenden" Elements um eine wasserunlösliche Verbindung,
beispielsweise ein Oxid, handelt. Bei dieser Arbeitsweise
sollte das Pulver des "Whisker-verdickenden" Elements oder der
Verbindung davon so fein wie möglich sein, um ein besseres
Mischergebnis zu erzielen.
Im Gegensatz zu den genannten "Whisker-verdickenden" katalyti
schen Elementen ist von Cobalt und Nickel bekannt, daß sie das
Dickenwachstum von Whiskern beeinträchtigen. Macht der Gesamt
gehalt an Cobalt und Nickel 200 ppm oder mehr aus, bezogen auf
das Silicium in dem Reaktionssystem, dann wird das Dicken
wachstum des wachsenden Siliciumcarbid-Whiskers ungünstig
beeinflußt. Der Gesamtgehalt an Cobalt und Nickel in den
Reaktanden sollte daher weniger als 200 ppm und vorzugsweise
weniger als 100 ppm betragen, bezogen auf den Siliciumgehalt.
Mit einer Mischung aus einer Quelle für Siliciumatome und einer
Quelle für Kohlenstoffatome, in der der Gesamtgehalt an
Yttrium, Calcium, Mangan, Aluminium, Indium und Seltenen Erden
und die Korngröße der Quelle für Siliciumatome erfindungsgemäß
gewählt bzw. eingestellt sind, kann man Siliciumcarbid-Whisker
mit einer ausreichenden Dicke erhalten, indem man die Mischung
erhitzt und einer Umsetzung unterzieht. Diese Umsetzung kann
man in einer Inertgasatmosphäre durchführen. Vorzugsweise
besteht die Atmosphäre bei der Umsetzung aus 1 bis 100 Vol.-%
Wasserstoffgas, während der Rest aus Inertgas besteht. Die
Anwesenheit von Wasserstoffgas in der bei der Umsetzung herr
schenden Atmosphäre verbessert die Ausbeute an Siliciumcarbid-
Whiskern und inhibiert die Bildung von Siliciumcarbidpulver. Da
Stickstoffgas mit Silicium unter Bildung von Siliciumnitrid
reagiert, sollte Stickstoffgas natürlich in der Reaktions
atmosphäre nicht vorhanden sein.
Bei dem Verfahren zur Herstellung von Siliciumcarbid-Whiskern
durch Umsetzen der Quelle für Siliciumatome und der Quelle für
Kohlenstoffatome bei erhöhter Temperatur sollte die Reaktions
temperatur vorzugsweise 1400 bis 1800°C und insbesondere bevor
zugt 1500 bis 1700°C betragen. Ist die Temperatur niedriger als
1400°C, dann wird die Umsetzungsgeschwindigkeit zu niedrig. Ist
die Temperatur hingegen höher als 1800°C, dann wird verstärkt
pulvriges Siliciumcarbid als Nebenprodukt gebildet.
Beim erfindungsgemäßen Verfahren stellt man die Quelle für
Siliciumatome in Form von Körnern her, die einen mittleren
Korndurchmesser in einem vorbestimmten Bereich besitzen. Wird
der mittlere Durchmesser der körnigen Quelle für Siliciumatome
erhöht, dann besteht die Tendenz, daß der Durchmesser der
erhaltenen Whisker größer wird. Gleichfalls besteht jedoch die
Tendenz dazu, daß die Umsetzungsgeschwindigkeit abnimmt. Zudem
wird der Umwandlungsgrad der Quelle für Siliciumatome in
Siliciumcarbid erniedrigt, wodurch die Menge an zurückblei
bender, nicht umgesetzter Quelle für Siliciumatome zunimmt. Es
ist daher wichtig, daß der mittlere Durchmesser der körnigen
Quelle für Siliciumatome so gewählt wird, daß er einen geeigne
ten kleinen Wert besitzt, der aus dem auf Basis des gewünschten
Whisker-Durchmessers vorbestimmten Bereich gewählt ist.
Die so erhaltenen Siliciumcarbid-Whisker enthalten üblicher
weise überschüssigen Kohlenstoff, so daß es wünschenswert ist,
diesen überschüssigen Kohlenstoff zu entfernen, indem man die
Whisker einem Luftstrom mit einer Temperatur von 600°C bis
800°C aussetzt. Auch ist es zweckmäßig, die Whisker mit Fluor
wasserstoffsäure oder dergleichen zu behandeln, um nicht umge
setzte Quelle für Siliciumatome zu entfernen.
Die erfindungsgemäß erhältlichen Siliciumcarbid-Whisker haben
einen mittleren Durchmesser von 1 µm oder mehr und sind in der
Lage, einem keramischen Material eine hohe Bruchfestigkeit zu
verleihen, wenn sie mit dem keramischen Material zu einem kera
mischen Verbundwerkstoff verarbeitet werden.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es somit möglich, bei
kontrollierten Bedingungen Siliciumcarbid-Whisker mit einem
Durchmesser von mehr als 1 µm, wobei der Durchmesser gewöhnlich
1 bis 7 µm beträgt, zu erhalten. Bei diesem Verfahren findet
eine Reduktion in der festen Phase statt. Mit einem derartigen
Verfahren, das vom industriellen Gesichtspunkt viele Vorteile
bietet, ist es ansonsten nicht möglich, einen Whisker mit einem
Durchmesser von mehr als 1 µm zu erhalten. Da zudem bei dem
erfindungsgemäßen Verfahren nur wenig pulvriges Siliciumcarbid
als Nebenprodukt anfällt, ist es möglich, hochkristallisierte,
dicke Siliciumcarbid-Whisker zu erhalten, die eine hohe Bruch
festigkeit besitzen, in hoher Ausbeute anfallen und kosten
günstig produziert werden.
Die nachfolgenden Beispiele, welche bevorzugte Ausführungs
formen beschreiben, dienen zur Erläuterung der Erfindung. In
den nachfolgenden Beispielen und Vergleichsbeispielen wurden
die metallischen Elemente mit Hilfe der ICP spektrochemischen
Emissionsanalyse bestimmt. Der Grad an Pulverbildung unter den
Whiskern in dem produzierten Siliciumcarbid wurde visuell be
wertet. Dazu wurde entsprechend dem Ausmaß der relativen Menge
an pulvrigem Siliciumcarbid im Produkt eine Bewertungszahl von
1 bis 5 zugeordnet (man vergleiche Tabelle 1).
Bewertung | |
Punktezahl | |
Es wurde sehr wenig pulvriges Produkt gefunden | |
1 | |
Es wurde wenig pulvriges Produkt gefunden | 2 |
Die Mengen an Pulver und Whisker waren in etwa gleich | 3 |
Es wurden beträchtliche Pulvermengen gefunden | 4 |
Whisker wurden kaum gefunden | 5 |
Trimethylchlordisilan ((CH3)3Si2Cl3) und Dimethyltetrachlor
silan ((CH3)2Si2Cl4) wurden so destilliert, daß der Gesamt
gehalt an Nickel und Cobalt kleiner als 5 ppm war. Dann wurden
gleiche Mengen dieser Quellen für Siliciumatome miteinander
vermischt. 108,9 g dieser Mischung wurden in eine geeignete
Menge reines Wasser gegossen, in dem 0,074 g YCl3×6 H2O
gelöst war, um die Hydrolyse zu initiieren. Als Ergebnis der
Hydrolyse wurde eine weiße, gelartige Substanz erhalten. Diese
wurde gründlich getrocknet, bis die Feuchtigkeit entfernt war
und ein körniges Produkt der Hydrolyse (Quelle für Silicium
atome) zurückblieb. Der Gehalt an Yttrium, bezogen auf die
Siliciumatome im Hydrolyseprodukt, betrug 574 ppm. Der Gehalt
an Cobalt sowie an Nickel betrug 5 ppm oder weniger.
Dann wurde das körnige Hydrolyseprodukt gepulvert und mittels
Druck granuliert. Die Körnchen wurden dann gesiebt, um Körnchen
mit Durchmessern von 100 bis 150 µm zu erhalten. Dieses Verfah
ren wurde wiederholt, bis das gesamte Hydrolyseprodukt einen
Durchmesser von 100 bis 150 µm besaß. Es wurde eine kornförmige
Quelle für Siliciumatome in einer Menge von 60,7 g erhalten. 36 g
Ruß wurden als Quelle für die Kohlenstoffatome mit dieser
Quelle für Siliciumatome vermischt; die Mischung wurde intensiv
gerührt. Danach wurde die gut durchmischte Mischung in einen
Ofen gegeben. Zudem wurde ein Argongasstrom in den Ofen gelei
tet, wobei die Ofentemperatur auf 1600°C erhöht und 2 h bei
diesem Wert gehalten wurde. Dabei wuchsen Siliciumcarbid-
Whisker. Der Ofen konnte dann abkühlen. Das hergestellte
Siliciumcarbid konnte dann in einer Luftatmosphäre während
eines Zeitraums von 1 h bei 750°C oxidieren, um nicht umgesetz
ten Ruß zu entfernen. Dann wurde die Substanz für einen Zeit
raum von 1 h in 50%ige Fluorwasserstoffsäure gegeben, um die
nicht umgesetzte Quelle für Siliciumatome zu entfernen.
Das Gewicht des Reaktionsprodukts (Siliciumcarbid) betrug
danach 16,8 g. Der Umwandlungsgrad der im Hydrolyseprodukt
enthaltenen Siliciumatome in Siliciumcarbid betrug 42%, berech
net aus dem Gehalt an Siliciumatomen im Hydrolyseprodukt. Der
Durchmesser der hergestellten Siliciumcarbid-Whisker betrug 3,5 µm.
Die Pulverbildung entsprach der oben näher erläuterten
Bewertungszahl 1. Dieses Beispiel zeigt somit die Bildung von
dicken Whiskern, die nur wenig pulvriges Nebenprodukt enthalten
bzw. aufweisen.
Es wurde die gleiche Methylchlordisilan-Mischung wie im
Beispiel 1 hergestellt. 108,9 g dieser Mischung wurden in
reines Wasser gegossen, um sie zu hydrolysieren. Das Reaktions
produkt wurde auf die in Beispiel 1 beschriebene Weise getrock
net, gepulvert und granuliert, um Körnchen mit Durchmessern von
100 bis 150 µm zu erhalten. Diese Körnchen wurden gleichmäßig
mit 36 g Ruß vermischt, der 0,0743 g pulvriges Yttrium gleich
mäßig darin verteilt enthielt. Das pulvrige Yttrium besaß einen
mittleren Korndurchmesser von 3 µm. (Ebenso wie in Beispiel 1
betrug die Menge an Yttrium, bezogen auf die Siliciumatome im
Hydrolyseprodukt, 574 ppm.) Die Mischung wurde wie in Beispiel
1 beschrieben erhitzt, um die Umsetzung durchzuführen. Danach
wurden die erhaltenen Siliciumcarbid-Whisker in einer Luft
atmosphäre während eines Zeitraums von 1 h bei 750°C einer
Oxidationsbehandlung unterworfen, um nicht umgesetzten Ruß zu
entfernen. Danach wurden die Whisker in Chlorwasserstoffsäure
gegeben, um nicht umgesetztes Silicium zu entfernen.
Das erhaltene Reaktionsprodukt (Siliciumcarbid) wog 21,6 g; der
Umwandlungsgrad betrug 54%; der mittlere Durchmesser der produ
zierten Whisker lag bei 2,7 µm. Die Pulverbildung wurde mit 1
bewertet. Dieses Beispiel beschreibt somit die Herstellung von
dicken Whiskern, die nur wenig pulvriges Nebenprodukt
enthalten.
Die gleiche Methylchlordisilan-Mischung wie im Beispiel 1 wurde
hergestellt. 108,9 g dieser Mischung wurden zur Durchführung
der Hydrolyse in reines Wasser gegossen, das 0,0743 g YCl3×
6 H2O und jeweils 0,0057 g CoCl2×6 H2O und NiCl2×6 H2O gelöst
enthielt. Als Ergebnis der Hydrolyse wurde eine gelartige
Substanz erhalten. Diese Substanz wurde gründlich getrocknet,
bis die Feuchtigkeit entfernt war und ein kornförmiges Produkt
als Ergebnis der Hydrolyse (Quelle für Siliciumatome) zurück
blieb. Die Mengen an Yttrium, Cobalt und Nickel, bezogen auf
den Gehalt an Siliciumatomen im Hydrolyseprodukt, betrug 588 ppm,
48 ppm bzw. 53 ppm.
Dann wurde das kornförmige Hydrolyseprodukt pulverisiert und
wiederholt gesiebt, bis alle Körnchen Durchmesser von weniger
als 44 µm besaßen. Diese Quelle für Siliciumatome wurde mit Ruß
vermischt. Die Mischung wurde erhitzt, so daß eine Umsetzung
stattfand. Danach wurden nicht umgesetzter Ruß und nicht umge
setzte Quelle für Siliciumatome auf die in Beispiel 1 beschrie
bene Art und Weise entfernt.
Im erhaltenen Reaktionsprodukt (Siliciumcarbid) betrug der
Umwandlungsgrad 77%. Die Pulverbildung wurde mit 1 bewertet.
Jedoch betrug der mittlere Durchmesser der Siliciumcarbid-
Whisker 0,7 µm. Dieser Durchmesser macht somit nur 1/5 des
Durchmessers der gemäß Beispiel 1 erhaltenen Whisker aus.
In allen Beispielen 3-9 wurde die gleiche Methylchlordisilan-
Mischung wie in Beispiel 1 hergestellt. 108,9 g dieser Mischung
wurden in reines Wasser gegossen, um sie zu hydrolysieren. Das
Reaktionsprodukt wurde auf die in Beispiel 1 beschriebene Art
und Weise getrocknet, pulverisiert und granuliert, um Körnchen
mit einem Korndurchmesser von 100 bis 150 µm zu erhalten. Dann
wurden Oxide der katalytischen Elemente in Pulverform derart
bemessen, daß der entsprechende Gehalt jedes Elements im
Reaktionssystem, bezogen auf den Gehalt an Siliciumatomen, dem
in der Tabelle 2 gezeigten Wert entsprach. Dies heißt z.B. für
das Beispiel 3, daß 500 ppm Ca, 24 ppm Co und 51 ppm Ni im
Reaktionssystem vorhanden waren. Das Oxidpulver wurde mit 36 g
Ruß gleichmäßig vermischt. Diese Mischung wurde dann mit dem
kornförmigen Hydrolyseprodukt gleichmäßig vermischt. Die so
erhaltene Mischung wurde auf die in Beispiel 2 beschriebene
Weise erhitzt, um die Umsetzung durchzuführen. Anschließend
wurde nicht umgesetzte Quelle für Siliciumatome und nicht umge
setzter Ruß auf die oben beschriebene Weise entfernt.
Die Eigenschaften der erhaltenen Siliciumcarbid-Whisker der
Beispiele 3-9 sind in der Tabelle 2 aufgeführt.
Die in der Tabelle 2 gezeigten Ergebnisse zeigen, daß durch
Einverleibung eines Calcium-, Mangan-, Aluminium-, Indium-,
Cerium-, Neodym- oder Gadoliniumoxids in das Reaktionssystem
nicht unmöglich ist, Siliciumcarbid-Whisker zu erhalten, die
einen mittleren Durchmesser von bis zu 6,8 µm besitzen, während
nur sehr wenig pulvriges Produkt gebildet wird.
In den Beispielen 10-17 und im Vergleichsbeispiel 2 wird die
gemäß Beispiel 2 hergestellte Chlordisilanmischung eingesetzt.
108,9 g dieser Mischung wurden in reines Wasser gegossen, um
die Hydrolyse durchzuführen. Das Reaktionsprodukt wurde
getrocknet, pulverisiert und granuliert, um Körner mit einem
vorbestimmten Korndurchmesserbereich zu erhalten; im Falle des
Beispiels 12 betrug dieser Bereich 44-88 µm. Der Gehalt an
Katalysator, YCl3×6 H2O in pulvriger Form wurde so bemessen,
daß der Y-Gehalt, bezogen auf den Gehalt an Siliciumatomen, dem
in der Tabelle 3 angegebenen Wert entsprach. Dieser Katalysator
wurde gleichmäßig mit 36 g Ruß vermischt. Diese Mischung wurde
dann mit dem körnigen Hydrolyseprodukt gleichmäßig vermischt.
Die so erhaltene Mischung wurde auf die in der Tabelle 3
angegebene Temperatur erhitzt, um die Umsetzung durchzuführen.
Danach wurde nicht umgesetzte Quelle für Siliciumatome und
nicht umgesetzter Ruß auf die oben beschriebene Weise entfernt.
Die Eigenschaften der in diesen Beispielen erhaltenen Silicium
carbid-Whisker sind in der Tabelle 3 zusammengestellt. Im Falle
des Vergleichsbeispiels 2 wuchsen kaum Siliciumcarbid-Whisker,
so daß es unmöglich war, den mittleren Whisker-Durchmesser zu
bestimmen.
Die in der Tabelle 2 zusammengestellten Ergebnisse zeigen, daß
eine zu große Dosis an katalytischen Elementen das Wachstum der
Siliciumcarbid-Whisker negativ beeinflußt.
Claims (19)
1. Verfahren zur Herstellung von Siliciumcarbid-Whiskern, bei
dem man eine Mischung aus einer Quelle für Siliciumatome
und einer Quelle für Kohlenstoffatome einer Umsetzung
unterzieht, so daß Siliciumcarbid-Whisker wachsen,
dadurch gekennzeichnet,
daß man
- a) die Quelle für Siliciumatome in Form von Körnern mit einem mittleren Korndurchmesser von 50 µm oder größer herstellt und
- b) eine Mischung einsetzt, deren Gesamtgehalt an mindestens einem Yttrium-, Calcium-, Mangan-, Aluminium-, Indium- und/oder Seltenen Erdelementen oder einer Verbindung dieser Elemente auf 100 bis 200 ppm eingestellt wird, bezogen auf den Siliciumgehalt der Mischung.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß man eine Quelle für Siliciumatome einsetzt, deren
mittlerer Korndurchmesser etwa 50 µm bis etwa 1000 µm
beträgt.
3. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß man eine Quelle für Siliciumatome einsetzt, deren
mittlerer Korndurchmesser etwa 100 µm bis etwa 500 µm
beträgt.
4. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Gesamtmenge des (der) Elements (Elemente) etwa 300
bis etwa 1000 ppm beträgt.
5. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß man eine wasserunlösliche Verbindung des Elements zur
Mischung hinzugibt.
6. Verfahren nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß man ein Oxid des Elements zur Mischung hinzugibt.
7. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß man Siliconcarbid-Whisker mit einem
Querschnittsdurchmesser von mehr als etwa 1 µm herstellt.
8. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 7,
dadurch gekennzeichnet,
daß man die Quelle für Siliciumatome erhält, indem man
eine Verbindung der folgenden allgemeinen Formeln
R a SiCl4-a ; und R b Si2Cl6-b ;
worin R ein Wasserstoffatom oder eine monovalente
Kohlenwasserstoffgruppe bedeutet und
a und b für ganze Zahlen stehen, mit der Maßgabe, daß 0a
3 und 1b5 sind,
hydrolysiert.
9. Verfahren nach Anspruch 8,
dadurch gekennzeichnet,
daß man eine der folgenden Verbindungen einsetzt:
CH3SiCl3, (CH3)2SiCl2, (CH3)3SiCl, (CH2=CH)SiCl3,
C6H5SiCl3, HSiCl3, H2SiCl2, SiCl4, (CH3)Si2Cl5,
(CH3)2Si2Cl4, (CH3)3Si2Cl3 und (C6H5)3Si2Cl3.
10. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 9,
dadurch gekennzeichnet,
daß man als Quelle für Kohlenstoffatome Ruß oder
gepulverte Aktivkohle zur Anwendung bringt.
11. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 10,
dadurch gekennzeichnet,
daß man die Umsetzung in einer Atmosphäre durchführt, die
aus 1 bis 100 Volumenprozent Wasserstoff besteht, wobei
der Rest der Atmosphäre aus einem Inertgas, jedoch nicht
aus Stickstoff, besteht.
12. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 11,
dadurch gekennzeichnet,
daß man die Umsetzung bei einer Temperatur von etwa 1400
bis etwa 1800°C durchführt.
13. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 12,
dadurch gekennzeichnet,
daß man außerdem nicht umgesetzten Kohlenstoff aus den
erhaltenen Whiskern entfernt, indem man die Whisker bei
einer Temperatur von 600 bis 800°C einem Luftstrom
aussetzt.
14. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 13,
dadurch gekennzeichnet,
daß man nicht umgesetztes Silicium von den erhaltenen
Whiskern entfernt, indem man die Whisker mit einer Säure
behandelt.
15. Verfahren nach Anspruch 14,
dadurch gekennzeichnet,
daß man als Säure Fluorwasserstoffsäure zur Anwendung
bringt.
16. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 15,
dadurch gekennzeichnet,
daß man eine Mischung einsetzt, die weniger als etwa 200 ppm
an Verunreinigungen auf Basis von Kobalt, Nickel oder
einer Kombination davon enthält, bezogen auf den
Siliciumgehalt.
17. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 16,
dadurch gekennzeichnet,
daß man als Kohlenstoffquelle kohlenstoffhaltige
Materialien, Ruß oder leicht in Kohlenstoff verwandelbares
Material einsetzt.
18. Verfahren nach Anspruch 17,
dadurch gekennzeichnet,
daß man als leicht in Kohlenstoff verwandelbares Material
ein Phenolharz einsetzt.
19. Siliciumcarbid-Whisker, erhältlich nach dem Verfahren
gemäß einem der Ansprüche 1 bis 18.
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