DE3933619A1 - Vorrichtung zur elektrischen anregung eines gases mit mikrowellen - Google Patents
Vorrichtung zur elektrischen anregung eines gases mit mikrowellenInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zur elek
trischen Anregung eines Gases mit Mikrowellen, mit einem von
einem Mikrowellensender gespeisten Hohlleiter, der einen Mikro
wellenenergie zum Zünden und Aufrechterhalten einer Gasentla
dung auskoppelnden Schlitz in einer Außenwand hat, und mit ei
nem im Bereich des elektrischen Schlitzfeldes dem Hohlleiter
parallel angeordneten, eine Gasentladungsstrecke enthaltenden
Entladungsgefäß.
Eine Vorrichtung dieser Art ist als Surfatron allgemein
bekannt. Sie hat zwei koaxiale Metallzylinder, die also einen
Ringraum einschließen, der an seinen Stirnseiten durch Stirn
wände verschlossen ist. Nahe einer Stirnwand ist im inneren Zy
linder ein Ringspalt vorhanden, der über sein elektrisches
Schlitzfeld der Anregung einer Gasentladungsstrecke dient, die
in einem zylindrischen Entladungsgefäß angeordnet ist, das dem
Innenrohr dicht benachbart ist. Die in der Gasentladungsstrecke
mit dem Surfatron angeregte Gasentladung erstreckt sich im we
sentlichen aus dem Hohlleiterbereich heraus. Sie hat im wesent
lichen die Gestalt einer Oberflächenentladung an der Innenwand
des Entladungsgefäßes, ist also über dessen Querschnitt gesehen
vergleichsweise inhomogen. Auch in der axialen Erstreckung des
Entladungsgefäßes ist die Gasentladung vergleichsweise inhomo
gen.
Demgegenüber liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ei
ne Vorrichtung der eingangs genannten Art so zu verbessern, daß
die mikrowellenangeregte Gasentladung über den Querschnitt und
die Länge der Gasentladungsstrecke weitgehend homogen ist.
Die Aufgabe wird dadurch gelöst, daß der Schlitz ein der
Längsachse des Hohlleiters wenigstens im wesentlichen paralle
ler Längsschlitz in einer radial außen liegenden Wand des Hohl
leiters ist, und daß sich das Entladungsgefäß mit seiner Gas
entladungsstrecke über die gesamte Länge dieses Längsschlitzes
erstreckt.
Für die erfindungsgemäße Vorrichtung ist von Bedeutung,
daß mit einem Längsschlitz eine Auskopplung von Mikrowellen
energie praktisch über die gesamte Länge der Gasentladungs
strecke ermöglicht wird. Dementsprechend gleichmäßig erfolgt
die Anregung des Gases, die in Längsrichtung nur noch davon ab
hängig ist, wie die Mikrowellenenergie in Richtung des Längs
schlitzes verteilt ist.
Durch die hohlleiterparallele Anordnung des Längsschlitzes
in einer radial außen liegenden Wand des Hohlleiters ist der
Schlitz senkrecht zu den Wandströmen angeordnet, die aufgrund
des verwendeten Mikrowellenfeldes quer zur Längsachse des Hohl
leiters fließen. Solche als Querströme ausgebildeten Wandströme
werden insbesondere beispielsweise im Rechteckhohlleiter von
einer H10-Mikrowelle ausgebildet. Dementsprechend wird im
Schlitz eine hohe Verschiebungsstromdichte erzeugt. Das infol
gedessen ausgebildete elektrische Schlitzfeld ist entsprechend
optimal stark und regt das Gas in der Gasentladungsstrecke ent
sprechend stark zur Plasmabildung an.
Vorteilhafterweise ist die Vorrichtung so ausgebildet, daß
der Hohlleiter einen rechteckigen Querschnitt hat und der
Längsschlitz in einer der schmalen Außenwände des Leiters vor
handen ist. In den schmalen Außenwänden des Leiters verlaufen
die Wandströme bei maximaler Stromdichte, so daß die Anordnung
des Gasentladungsgefäßes parallel zu diesen Außenwänden im Sin
ne einer maximalen Anregung des Gases besonders vorteilhaft
ist. Würde das Gasentladungsgefäß parallel zu einem in einer
breiten Außenwand des Hohlleiters vorhandenen Längsschlitz an
geordnet, so würde die von außen nach innen abnehmende Wand
stromdichte zu einer entsprechenden Verringerung der elektri
schen Feldstärke führen.
Da man davon ausgehen kann, daß das elektrische Schlitz
feld bei symmetrischer Ausbildung der den Längsschlitz begren
zenden Kanten der Außenwand des Hohlleiters symmetrisch ist,
ist es vorteilhaft, daß das Entladungsgefäß symmetrisch zur
Außenwand des Hohlleiters im Längsschlitz angeordnet ist.
Um das Schlitzfeld quer zum Längsschlitz zur Anpassung an
das verwendete Entladungsgefäß bzw. an den Querschnitt der ver
wendeten Gasentladungsstrecke anpassen zu können, ist die Vor
richtung so ausgebildet, daß der Längsschlitz von das elektri
sche Schlitzfeld formenden Elektroden begrenzt ist, die sich im
wesentlichen quer zu der Außenwand des Hohlleiters erstrecken.
Vorteilhaft im Sinne geringer Energieverluste bzw. mög
lichst starker Gasanregung sowie im Sinne einer gleichmäßigen
Gasanregung ist es, daß die Elektroden dem Außenumfang des Ent
ladungsgefäßes angepaßt sind und/oder abstandslos an letzterem
anliegen.
Vorteilhaft ist es, wenn die Elektroden gemeinsam mit di
elektrischen Gehäuseteilen die Gasentladungsstrecke abschnitts
weise umschließen. Es treten dann die Elektroden an die Stelle
von dielektrischen Gehäuseteilen, so daß der bauliche Aufwand
entsprechend verringert wird. Eine derartige Konstruktion ist
insbesondere dann anwendbar, wenn die Elektroden und die di
elektrischen Gehäuseteile jeweils ebene Platten in einen ge
schlossenen Querschnitt bildender rechtwinkliger Anordnung
sind.
Wenn die Elektroden und die dielektrischen Gehäuseteile
gemeinsam das Entladungsgefäß bilden, ist außer einer baulich
einfachen Ausgestaltung der Vorrichtung bzw. des Entladungsge
fäßes erreicht, daß dieses im Bereich der Elektroden nicht ei
ner etwa vorhandenen Querschnittsgestaltung der Elektroden an
gepaßt sein muß, um elektrische Verluste zu vermeiden und eine
Anpassung des Querschnitts der Gasentladungsstrecke an die
Elektroden zu erreichen.
Wird die Vorrichtung so ausgebildet, daß der Elektrodenab
stand bei rechteckigem Querschnitt der Gasentladungsstrecke
kleiner als die halbe Elektrodenbreite ist, so ergibt sich eine
sehr flache Gasentladungsstrecke. Bei einer solchen Gasentla
dungsstrecke ist zu erwarten, daß das elektrische Feld bis auf
die Bereiche an den Kanten der Elektroden sehr homogen ist, so
daß auch die Plasmaverteilung sehr homogen ist. Die Gasentla
dungsstrecke kann dazu herangezogen werden, einen Laserstrahl
mit rechteckigem Querschnitt mittels eines sog. wave guide
Lasers zu erzeugen.
Die Vorrichtung kann auch so ausgebildet werden, daß die
Elektroden und die dielektrischen Gehäuseteile einen Kühlkanal
bilden, in dem das Entladungsgefäß angeordnet ist. Die dielek
trischen Gehäuseteile sind in diesem Fall nicht Bestandteile
des Entladungsgefäßes für die Gasentladungsstrecke. Vielmehr
ist mindestens ein davon baulich besonderes Entladungsgefäß
vorhanden, das den sonstigen Anforderungen an die Vorrichtung
zu deren Einsatz oder konstruktiver Ausgestaltung angepaßt wer
den kann. Eine in diesem Sinne vorteilhafte Ausgestaltung liegt
beispielsweise vor, wenn in dem mit rechteckigem Querschnitt
ausgebildeten Kühlkanal zwei rechteckige Entladungsgefäße je
weils nahe den Elektroden entweder parallel oder senkrecht dazu
angeordnet sind und zwischen sich einen rechteckigen Festkör
perlaserstab aufweisen. Die bei dieser Struktur durch Mikrowel
lenenergie angeregte Hochdruckgasentladung erzeugt Licht zur
Anregung des Festkörperlaserstabs, so daß eine integrierte Bau
weise von Laserstab und davon beidseitig vorhandenen Pumplicht
quellen erreicht wird. Sofern die Entladungsgefäße parallel zu
den Elektroden angeordnet sind, ergibt sich eine vergleichswei
se flache Konstruktion. Sind die Entladungsgefäße senkrecht zu
den Elektroden angeordnet, ergibt sich eine vergleichsweise
bessere Ausnutzung der Mikrowellenenergie infolge des haupt
sächlich im Entladungsgas konzentrierten elektrischen Feldes.
Die Vorrichtung ist vorteilhafterweise so ausgestaltet,
daß neben der den Längsschlitz aufweisenden Außenwand des Hohl
leiters ein die Streustrahlung des Längsschlitzes zur Gasentla
dungsstrecke reflektierender Mikrowellenreflektor vorhanden
ist. Dadurch wird auch die an sich nicht bei der Anregung des
Entladungsgases wirksame Energie der Streustrahlung für die An
regung des Gases herangezogen.
Wird die Vorrichtung so ausgebildet, daß der Hohlleiter
mindestens zwei einander parallele oder in einem spitzen Winkel
zueinander geneigte Längsschlitze in derselben Außenwand hat,
denen jeweils mindestens ein Entladungsgefäß zugeordnet ist, so
kann wegen der insgesamt vergrößerten Längsschlitzweite bei un
geänderter Ausdehnung des einzelnen elektrischen Schlitzfeldes
quer zur Außenwand eine vergrößerte Querschnittslänge der Gas
entladungsstrecke in Richtung der Außenwand erreicht werden.
Darüber hinaus ergibt sich der besondere Vorteil, daß trotzdem
identische Entladungsgefäße verwendet werden können. Wenn die
Längsschlitze in einem spitzen Winkel zueinander geneigt sind,
so daß also auch die Gasentladungsgefäße entsprechend geneigt
angeordnet werden, können optische Laser-Resonatoren in V- oder
Z-Faltung mit den sich daraus ergebenden Vorteilen für den La
seraufbau ausgebildet werden.
Die Vorrichtung wird dadurch weitergebildet, daß das Ent
ladungsgefäß von einem Kühlrohr umschlossen und damit innerhalb
eines elliptischen Pumplichtreflektors angeordnet ist, der des
weiteren einen von einem weiteren Kühlrohr umschlossenen Fest
körperlaserstab enthält und in einem das Entladungsgefäß im
elektrischen Schlitzfeld anzuordnen gestattenden Maße in den
Längsschlitz der Außenwand hineinragt. Damit ist es möglich,
eine an sich bekannte Anordnung eines gekühlten Gasentladungs
gefäßes und eines gekühlten Festkörperlaserstabs in einem el
liptischen Pumplichtreflektor in Verbindung mit einem Hohllei
ter zu benutzen, um eine homogene und intensive Anregung des
Lampengases des Entladungsgefäßes zu erreichen. Besonders vor
teilhaft ist es, wenn der von einem Kühlrohr umschlossene Fest
körperlaserstab in einem von einem Metallreflektor gegen vom
Mikrowellenreflektor reflektierte Streustrahlung abgeschirmten
Bereich angeordnet ist, weil dadurch der Einsatz von mikrowel
lenabsorbierendem Material im abgeschirmten Bereich ermöglicht
wird.
Die Vorrichtung kann desweiteren so ausgestaltet werden,
daß das Gasentladungsgefäß eine dem Längsschlitz der Außenwand
dicht benachbarte Wand aufweist, die breiter als der Längs
schlitz ist. Damit kann eine ausgedehnte flächenhafte Entladung
erzeugt werden, deren Erstreckung quer zum Hohlleiter sehr groß
ist und die beispielsweise zum Beschichten nichtmetallischer
Oberflächen verwendet werden kann, beispielsweise zum Beschich
ten der Innenfläche der Wand des Gasentladungsgefäßes. Dieses
Beschichtungsverfahren ist als solches als chemische Beschich
tung (Chemical Vapor Deposition) bekannt.
Zweckmäßigerweise erstreckt sich die der Außenwand paral
lele Wand des Gasentladungsgefäßes beidseitig symmetrisch zum
Längsschlitz, um eine entsprechende symmetrische Entladung im
Gasentladungsgefäß zu erreichen.
Um mehr Anregungsenergie in das Gas einkoppeln zu können,
ist die Vorrichtung so ausgebildet, daß parallel neben der den
Längsschlitz aufweisenden Außenwand des Hohlleiters ein weite
rer, Mikrowellenenergie in die Gasentladungsstrecke einkoppeln
der Hohlleiter vorhanden ist. Die beiden Hohlleiter sind ab
wechselnd und/oder mit unterschiedlichen Betriebsfrequenzen be
treibbar. Der abwechselnde Betrieb der beiden Hohlleiter ge
währleistet, daß sich die beiden Hohlleiter nicht gegenseitig
beeinflussen können, indem das Feld des einen Hohlleiters Stör
ströme im anderen Hohlleiter erzeugt. Da jeder Hohlleiter in
folge des abwechselnden Betriebs beider Hohlleiter nur etwa die
Hälfte der möglichen Zeit betrieben wird, können die verwende
ten Mikrowellensender in entsprechendem Impulsbetrieb betrieben
werden, in dem sie mit höherer, beispielsweise doppelter Nenn
leistung belastbar sind. Dementsprechend ergibt sich der Ein
kopplungsgewinn, wobei jeder Hohlleiter bei Betrieb des anderen
Hohlleiters als Reflektor für die Streustrahlung wirkt. Durch
unterschiedliche Betriebsfrequenzen kann ebenfalls vermieden
werden, daß sich die Mikrowellenfelder der beiden Hohlleiter
gegenseitig stören.
Um eine Vergleichmäßigung der Anregung des Gases zu errei
chen, kann die Vorrichtung so ausgebildet werden, daß die Hohl
leiter axial um ein ungradzahliges vielfaches Viertel
(n×λ/4; n1) der Hohlleiter-Mikrowelle gegeneinander ver
setzt sind. Die axiale Versetzung der Hohlleiter bewirkt eine
entsprechend axiale Verschiebung ihrer Mikrowellenfelder. Ins
besondere bei Ausbildung der Hohlleiter als Resonatoren bzw.
bei resonatorähnlicher Ausbildung ist es dadurch möglich, die
Stellen stärkerer und geringerer Anregung des Gases durch den
einen Hohlleiter einerseits und den anderen Hohlleiter anderer
seits so zu steuern, daß die Stellen der durch den einen Hohl
leiter erfolgenden stärkeren Anregung an den Stellen der durch
den anderen Hohlleiter erfolgenden geringeren Anregung liegen
und umgekehrt, so daß sich über die axiale Länge der Vorrich
tung eine Vergleichmäßigung der Anregung ergibt. Der an sich
durch die über die Länge des Längsschlitzes gesehen ungleich
mäßigen Ausbildung der elektrischen Feldstärke entsprechend der
ungleichmäßigen Verteilung der Mikrowellenenergie in Längsrich
tung des Hohlraumleiters kann dadurch entgegengetreten werden.
Um eine lokale Homogenisierung einer Gasentladung im Be
reich der Längsschlitzenden zu erreichen, ist die Vorrichtung
so ausgestaltet, daß bei einem als Hohlraumresonator ausgebil
deten Hohlwellenleiter die den Längsschlitz aufweisende Außen
wand beidendig in bezug auf die Stirnwände zur Homogenisierung
der Endbereiche der Gasentladungsstrecke verkürzt ist.
Eine Steigerung der Ausnutzung der dem Hohlleiter zuge
führten Mikrowellenenergie kann dadurch erreicht werden, daß
auch bei der der Wand des Hohlleiters diametral gegenüberlie
genden Wand mindestens ein Entladungsgefäß mit seiner Gasent
ladungsstrecke in einem elektrischen Schlitzfeld eines Längs
schlitzes angeordnet ist.
Die Erfindung wird anhand von in der Zeichnung dargestell
ten Ausführungsbeispielen erläutert. Es zeigt:
Fig. 1 einen schematischen Querschnitt durch einen Hohllei
ter mit einem in einem Längsschlitz angeordneten im
Querschnitt kreisrunden Entladungsgefäß,
Fig. 2 einen der Fig. 1 entsprechenden Querschnitt mit zwei
in jeweils einem Längsschlitz angeordneten im Quer
schnitt kreisrunden Entladungsgefäßen,
Fig. 3 einen Längsschnitt gemäß der Linie III-III der
Fig. 2,
Fig. 4 einen der Fig. 1 entsprechenden Querschnitt mit einer
im Querschnitt demgegenüber abgewandelten Gasentla
dungsstrecke,
Fig. 5 eine spezielle, auf der Ausbildung der Fig. 4 basie
rende weiter ausgestaltete Vorrichtung,
Fig. 6 eine auf der Basis der Fig. 5 weiter ausgestaltete
Vorrichtung,
Fig. 7, 8 weitere Querschnitte analog Fig. 1 mit abgeänderten
Ausführungsformen.
Jede der in den Figuren dargestellten Vorrichtungen 10 zur
elektrischen Anregung eines Gases mit Mikrowellen besitzt
grundsätzlich folgende Bauteile: einen Hohlleiter 11, einen
Längsschlitz 12 in einer Außenwand 13 des Hohlleiters 11, ein
nur in Fig. 1 beispielsweise dargestelltes, durch diesen Längs
schlitz 12 erzeugtes elektrisches Schlitzfeld 14 und mindestens
eine Gasentladungsstrecke 15 in einem Entladungsgefäß 16.
Der in Fig. 1 dargestellte Hohlleiter 11 hat einen recht
eckigen Querschnitt mit breiten Außenwänden 26 und schmalen
Außenwänden 13. Ein derartiger rechteckiger Querschnitt kann
als besonders vorteilhaft angesehen werden, insbesondere wenn
das Verhältnis der Außenwände 26, 13 wie 2 : 1 ist. Wenn die Höhe
der Außenwand 13 kleiner als die halbe Freiraumwellenlänge der
Mikrowelle ist, kann der Hohlleiter die Mikrowellenenergie nur
mit der gewünschten eindeutigen Grundwelle, dem H10-Typ leiten.
Ein solcher Hohlleiter kann auch durch beiderseitigen Kurz
schluß mittels geeigneter Kurzschlußbleche zu einem Hohlraumre
sonator ausgebildet sein.
In der Außenwand 13 des Hohlleiters 11 ist in der Mitte,
also mit gleichem Abstand zu beiden Außenwänden 26, ein Längs
schlitz 12 angeordnet, so daß sich zwischen den nach innen wei
senden, den Längsschlitz 12 begrenzenden Enden 13′ ein elektri
sches Schlitzfeld 14 ausbilden kann. In Fig. 1 sind die elektri
schen Feldlinien zwischen zwei Elektroden 17 dargestellt, die
von den Enden 13′ der Außenwand 13 elektrisch beaufschlagt
sind. Diese Elektroden 17 bestimmen die Form des elektrischen
Schlitzfeldes 14 entsprechend ihrer jeweils vorhandenen Ausge
staltung. Diese Ausgestaltung richtet sich beispielsweise nach
der Form des Entladungsgefäßes 16, das in Fig. 1 ein kreiszylin
drisches Rohr ist, welches die Gasentladungsstrecke 15 um
schließt. Die Elektroden sind demgemäß dem Außenumfang 16′ des
Gefäßes 16 angepaßt und liegen ohne Abstand daran an. Das Feld
14 wird in den Bereich der Gasentladungsstrecke 15 so konzen
triert, daß sich eine über ihren Querschnitt weitgehend homoge
ne Gasentladung ausbildet. Im Falle der Formgebung der Elektro
den 17 in Fig. 1 wird insbesondere vermieden, daß die in glei
chem Abstand zwischen den Elektroden 17 liegende Stellen 27 un
angeregt bleiben, weil die von den einander benachbarten Kanten
17′ der Elektroden 17 ausgehenden Feldlinien nicht wie darge
stellt, sondern durch die Wand des Entladungsgefäßes 16 verlau
fen, wodurch die Anregung der Entladungsstrecke 15 an den Stel
len 27 vermindert bzw. ausgeschlossen wird.
Der Längsschlitz 12 ist so angebracht, daß er senkrecht zu
den in der Außenwand 13 durch das Mikrowellenfeld induzierten
Wandströmen verläuft, so daß im Schlitz 12 eine hohe Verschie
bungsstromdichte mit entsprechend intensiver Anregung des Gases
der Entladungsstrecke 15 erreicht wird.
Außerhalb des Rechteckhohlleiters 11 ist parallel zur Aus
senwand 13 ein Mikrowellenreflektor 23 vorhanden, der die in
folge der Antennenwirkung des Längsschlitzes aus letzterem aus
tretende Streustrahlung reflektiert, so daß der größte Teil der
reflektierten Energie zur Anregung des Gases im Entladungsgefäß
16 herangezogen werden kann. An dem Reflektor 23 treten nur ge
ringe Verluste durch Absorption auf, ebenso wie im Entladungs
gefäß 16, das aus für die Mikrowellen dielektrischem Werkstoff
besteht.
Fig. 2 zeigt einen Querschnitt eines Hohlleiters 11, in
dessen Außenwand 13 symmetrisch zwei Längsschlitze 12 angeord
net sind, in denen jeweils ein Entladungsgefäß 16 mit jeweils
einer Gasentladungsstrecke 15 angeordnet ist. Die Anordnung der
Entladungsgefäße 16 ist symmetrisch zur Außenwand 16, so daß
die Entladungsgefäße 16 zu gleichen Teilen in das Innere des
Hohlleiters 11 hineinragen bzw. auf der anderen Seite aus die
sem herausragen. Infolgedessen ist die Gasentladungsstrecke 15
symmetrisch zu dem sich zwischen den Wandabschnitten der Außen
wand 13 ausbildenden elektrischen Schlitzfeld angeordnet und
die elektrische Anregung des Gases der Gasentladungsstrecke 15
erfolgt infolgedessen entsprechend symmetrisch. Die Anordnung
zweier Entladungsgefäße 16 bedeutet eine doppelte Ausnutzung
der durch die Außenwand 13 in der Darstellungsebene fließenden,
von den Mikrowellen induzierten Wandströme, so daß eine ent
sprechend vergrößerte Energieausnutzung im Vergleich zu dem
Fall erfolgt, wo nur ein solches Entladungsgefäß 16 verwendet
wird.
Jedem Entladungsgefäß 16 ist ein Mikrowellenreflektor 23
zugeordnet, der die aus dem jeweiligen Längsschlitz 12 austre
tende Streustrahlung reflektiert. Dabei versteht es sich, daß
der Mikrowellenreflektor 23, wie auch die aller weiteren Dar
stellungen so ausgebildet ist, daß er keinen Kurzschlußpfad
bildet, wie aus der schematischen Darstellung geschlossen wer
den könnte.
Aus Fig. 3 ist ersichtlich, daß sich die Gasentladungsge
fäße 16 mit ihren Gasentladungsstrecken 15 über die gesamte
Länge der Längsschlitze 12 erstrecken, was im übrigen auch für
alle anderen Darstellungen gilt. Im Darstellungsfall der Fig. 3
handelt es sich um einen als Hohlraumresonator ausgebildeten
Hohlleiter 11, dessen Stirnseiten durch Wände 27 abgeschlossen
werden, wobei die Längenbemessung des Leiters 11 auf die Reso
nanzbedingungen des verwendeten Wellentyps abgestimmt ist. In
Fig. 3 ist dargestellt, daß die Außenwand 13 beidendig etwas
verkürzt ist. Dadurch wird erreicht, daß die Endbereiche 15′
der Gasentladungsstrecken 15 homogenisiert werden, weil der Ef
fekt verringert wird, daß die Wandströme der Außenwand 13 über
die Stirnwände 27 des Hohlraumleiters 11 fließen und infolge
dessen zur Anregung des Gases in den Endbereichen 15′ nicht zur
Verfügung stehen.
Den Ausführungsformen der Fig. 4 bis 6 ist gemeinsam, daß
in die Außenwände 13 zur Formung des elektrischen Schlitzfeldes
plattenförmige Elektroden eingebaut sind, zwischen denen sich
das Schlitzfeld entsprechend homogen erstreckt. Desweiteren ist
diesen Ausführungsformen gemeinsam, daß diese Elektroden 17 ge
meinsam mit dielektrischen Gehäuseteilen 18 die Gasentladungs
strecke 15 abschnittsweise umschließen. Die Gehäuseteile 18
sind Platten aus dielektrischem Werkstoff und wechseln über den
Umfang gesehen mit den Elektroden 17 ab, um die Gasentladungs
strecke 15 zu umschließen. Die Anordnung ist dabei so getrof
fen, daß die Platten rechtwinklig zueinander angeordnet sind
und infolgedessen einen entsprechend rechtwinkligen Querschnitt
bilden bzw. einen quaderförmigen Raum auf dessen Längsseiten
begrenzen.
Gemäß Fig. 4 ist die Vorrichtung 10 so ausgebildet, daß die
Elektroden 17 und die dielektrischen Gehäuseteile 18 gemeinsam
das Entladungsgefäß 16 bilden. Sie schließen also das elek
trisch anzuregende Entladungsgas direkt ein, welches beispiels
weise aktives Medium eines Gaslasers zur Erzeugung eines Laser
strahls mit rechteckigem Querschnitt sein kann. Die Dimensio
nierung ist so gewählt, daß der Elektrodenabstand e kleiner als
die halbe Elektrodenbreite b/2 ist, so daß sich eine entspre
chend flache Gasentladungsstrecke ergibt, bei der das zwischen
den Elektroden 17 ausgebildete elektrische Feld über einen be
sonders großen Teil seiner Breite homogen ist.
Gemäß Fig. 5 umschließen die Elektroden 17 gemeinsam mit
dielektrischen Gehäuseteilen 18 zwei Gasentladungsstrecken 15,
die jeweils ein separates Entladungsgefäß 16 haben. Zwischen
den beiden Gasentladungsgefäßen 16 ist ein Festkörperlaserstab
20 angeordnet. Die Elektroden 17 und die Gehäuseteile 18 weisen
jeweils Abstand zu den genannten Entladungsgefäßen 16 und zu
dem Laserstab 20 auf, der seinerseits Abstand zu den Gefäßen 16
hat. Die Anordnung ist so getroffen, daß die Entladungsgefäße
16 und der Laserstab 20 einander parallel liegen und auch pa
rallel zu den Elektroden 17 angeordnet sind. Die Abstände zwi
schen diesen Bauteilen 16, 20 und den sie umgebenden durch die
Elektroden 17 und die Gehäuseteile 18 gebildeten Wänden können
zur Kühlung benutzt werden, so daß letztere einen Kühlkanal 19
bilden, der beispielsweise von Wasser durchströmt wird. Dieses
entfernt die in den umströmten Bauteilen 16, 20 entstehende Wär
me.
Gemäß Fig. 6 sind die Entladungsgefäße 16 und der dazwi
schen angeordnete Festkörperlaserstab 20 nicht parallel zu den
Elektroden 17 angeordnet, wie in Fig. 5, sondern senkrecht dazu.
Sie liegen also den dielektrischen Bauteilen 18 parallel. Die
Einflußnahme der Entladungsgefäße 16 und ihrer Gasentladungs
strecken 15 auf die Ausbildung des elektrischen Feldes bewirkt,
daß dieses sich in den Gasentladungsstrecken 15 konzentriert,
so daß dementsprechend mehr elektrische Energie zur Anregung
des Gases zur Verfügung steht. Außerdem entstehen dementspre
chend geringere Verluste im Kühlmittel.
Die den Schlitz 12 aufweisende Wand 13 ist eine Außenwand
zweier Hohlleiter 11, 11′, die jeweils über die Einkoppelanten
nen 29 mit Mikrowellenenergie gespeist werden. Dementsprechend
wird der Schlitz 12 von beiden Hohlleitern 11, 11′ beaufschlagt.
Um zu verhindern, daß sich die Mikrowellenfelder der beiden
Hohlleiter 11, 11′ gegenseitig beeinflussen, wird in letztere
abwechselnd eingespeist. Die Hohlleiter 11, 11′ arbeiten also im
Impulsbetrieb. In diesem Impulsbetrieb können die Mikrowellen
sender während des Pulses höher belastet werden, als im Dauer
betrieb bei mittlerer Leistung. Beispielsweise können preiswer
te Mikrowellensender, wie sie auch bei Mikrowellenherden einge
setzt werden, mit etwa doppelter Nennleistung betrieben werden.
Dementsprechend ergibt sich eine erhöhte Einkopplung elektri
scher Energie in die Gasentladungsstrecken 15.
Die Vorrichtungen der Fig. 5, 6 betreffen integrierte Bau
formen von mikrowellenangeregten Hochdruckgasentladungslampen
als Pumplichtquellen für Festkörperlaser. Die Struktur ist aber
auch für Farbstofflaser geeignet. Desgleich kann sie dazu be
nutzt werden, um eine oder mehrere Gasentladungsstrecken 15 an
zuordnen, die jeweils von den Elektroden 17 und den Gehäusetei
len 18 separate Gasentladungsgefäße für Gaslaser aufweisen und
gekühlt werden müssen.
Die Vorrichtung der Fig. 7 besitzt in ihrer Außenwand 13
einen Schlitz 12, in den ein elliptischer Pumplichtreflektor 22
derart in Richtung auf das Innere des Hohlleiters 11 hinein
ragt, daß ein Entladungsgefäß 16 mit einer Gasentladungsstrecke
15 in dem elektrischen Schlitzfeld angeordnet ist. Die Gasent
ladungsstrecke bildet eine Pumplichtquelle, mit dessen Licht
ein Festkörperlaserstab 20 angeregt wird, um Laserstrahlung zu
erzeugen. Das Gasentladungsgefäß 16 und der Stab 20 sind je
weils in einem der Brennpunkte bzw. Brennlinienbereiche des
Pumplichtreflektors 22 angeordnet, um in bekannter Weise das
Pumplicht im Stab 20 zu konzentrieren.
Das Entladungsgefäß 16 und der Stab 20 sind jeweils von
einem Kühlrohr 21 mit Abstand umschlossen, um die Wärme abfüh
ren zu können. Zur Vermeidung der Absorption von Mikrowellen
energie sind die Kühlrohre 21 aus dielektrischem Material ge
fertigt und die Kühlflüssigkeit weist einen möglichst geringen
Absorptionskoeffizienten sowohl für Mikrowellenenergie als auch
für Pumplicht auf. Um Mikrowellenabsorbtion im Bereich des
Festkörperlaserstabs 20 zu minimieren, ist dieser in einem Be
reich 25 angeordnet, der von einem Metallreflektor 24 gegen Mi
krowellenstrahlung abgeschirmt ist, nämlich gegen die von einem
Mikrowellenreflektor 23 in Richtung auf den Bereich 25 reflek
tierte Streustrahlung des Schlitzes 12. Es entsteht ein Bereich
25 mit geringer Feldstärke, in den mikrowellenabsorbierendes
Material eingebracht werden kann, was die Auslegung und Opti
mierung der Vorrichtung erleichtert.
Die Vorrichtung der Fig. 8 dient dazu, ausgedehnte flächen
hafte Entladungen zu erzielen. Sie ist daher insoweit beson
ders, als das Entladungsgefäß 16 dem Längsschlitz 12 der Außen
wand 13 dicht benachbart und außerdem breiter als der Längs
schlitz 12 ist. Die Wand 16′′ des Entladungsgefäßes 16 muß dem
entsprechend ausgebildet sein und erstreckt sich insbesondere
symmetrisch zum Längsschlitz 12, so daß sich eine dementspre
chend symmetrische Gasentladung ausbildet. Diese Gasentladung
der Gasentladungsstrecke 15 ist gemäß der Abbildung in Fig. 8
eine Oberflächenentladung innerhalb des Gasentladungsgefäßes
16, das auch eine von der in Fig. 8 gezeigten Querschnittsge
staltung abweichende Querschnittsgestaltung haben kann, bei
spielsweise zylindrisch.
Die im Entladungsgefäß 16 auftretende Oberflächenentladung
kann dazu benutzt werden, um nicht metallische Oberflächen zu
beschichten. In diesem Fall ist das Gasentladungsgefäß 16 ein
innen zu beschichtendes Werkstück. Die Beschichtung erfolgt da
durch, daß ein besonderes Gas als Entladungsgas verwendet wird,
welches bei seiner elektrischen Anregung Zersetzungsprodukte
bildet, die sich an der Innenfläche der Wand 16′′ absetzen. Ein
derartiges Verfahren mit anderen Einrichtungen ist als chemi
sche Dampfbeschichtung (Chemical Vapor Deposition) bekannt.
Claims (22)
1. Vorrichtung (10) zur elektrischen Anregung eines Gases mit
Mikrowellen, mit einem von einem Mikrowellensender gespei
sten Hohlleiter (11), der einen Mikrowellenenergie zum
Zünden und Aufrechterhalten einer Gasentladung auskoppeln
den Schlitz (12) in einer Außenwand (13) hat, und mit ei
nem im Bereich des elektrischen Schlitzfeldes (14) dem
Hohlleiter (11) parallel angeordneten, eine Gasentladungs
strecke (15) enthaltenden Entladungsgefäß (16), da
durch gekennzeichnet, daß der Schlitz
(12) ein der Längsachse des Hohlleiters (11) wenigstens im
wesentlichen paralleler Längsschlitz in einer radial außen
liegenden Wand (13) des Hohlleiters (11) ist, und daß sich
das Entladungsgefäß (16) mit seiner Gasentladungsstrecke
(15) über die gesamte Länge dieses Längsschlitzes (12) er
streckt.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß der Hohlleiter (11) einen rechtecki
gen Querschnitt hat und der Längsschlitz (12) in einer der
schmalen Außenwände (13) des Leiters (11) vorhanden ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge
kennzeichnet, daß das Entladungsgefäß (16) sym
metrisch zur Außenwand (13) des Hohlleiters (11) im Längs
schlitz (12) angeordnet ist.
4. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis
3, dadurch gekennzeichnet, daß der
Längsschlitz (12) von das elektrische Schlitzfeld (14)
formenden Elektroden (17) begrenzt ist, die sich im we
sentlichen quer zu der Außenwand (13) des Hohlleiters (11)
erstrecken.
5. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis
4, dadurch gekennzeichnet, daß die
Elektroden (17) dem Außenumfang (16′) des Entladungsgefä
ßes (16) angepaßt sind und/oder abstandslos an letzterem
anliegen.
6. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis
5, dadurch gekennzeichnet, daß die
Elektroden (17) gemeinsam mit dielektrischen Gehäuseteilen
(18) die Gasentladungsstrecke (15) abschnittsweise um
schließen.
7. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis
6, dadurch gekennzeichnet, daß die
Elektroden (17) und die dielektrischen Gehäuseteile (18)
jeweils ebene Platten in einen geschlossenen Querschnitt
bildender rechtwinkliger Anordnung sind.
8. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis
7, dadurch gekennzeichnet, daß die
Elektroden (17) und die dielektrischen Gehäuseteile (18)
gemeinsam das Entladungsgefäß (16) bilden.
9. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis
8, dadurch gekennzeichnet, daß der
Elektrodenabstand (e) bei rechteckigem Querschnitt der
Gasentladungsstrecke (15) kleiner als die halbe Elektro
denbreite (b/2) ist.
10. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis
8, dadurch gekennzeichnet, daß die
Elektroden (17) und die dielektrischen Gehäuseteile (18)
einen Kühlkanal (19) bilden, in dem das Entladungsgefäß
(16) angeordnet ist.
11. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis
10, dadurch gekennzeichnet, daß in
dem mit rechteckigem Querschnitt ausgebildeten Kühlkanal
(19) zwei rechteckige Entladungsgefäße (16) jeweils nahe
den Elektroden (17) entweder parallel oder senkrecht dazu
angeordnet sind und zwischen sich einen rechteckigen Fest
körperlaserstab (20) aufweisen.
12. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis
11, dadurch gekennzeichnet, daß neben
der den Längsschlitz (12) aufweisenden Außenwand (13) des
Hohlleiters (11) ein die Streustrahlung des Längsschlitzes
(12) zur Gasentladungsstrecke (15) reflektierender Mikro
wellenreflektor (23) vorhanden ist.
13. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis
12, dadurch gekennzeichnet, daß der
Hohlleiter (11) mindestens zwei einander parallele oder in
einem spitzen Winkel zueinander geneigte Längsschlitze
(12) in derselben Außenwand (13) hat, denen jeweils minde
stens ein Entladungsgefäß (16) zugeordnet ist.
14. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis
13, dadurch gekennzeichnet, daß das
Entladungsgefäß (16) von einem Kühlrohr (21) umschlossen
und damit innerhalb eines elliptischen Pumplichtreflektors
(22) angeordnet ist, der desweiteren einen von einem wei
teren Kühlrohr (21) umschlossenen Festkörperlaserstab (20)
enthält und in einem das Entladungsgefäß (16) im elektri
schen Schlitzfeld anzuordnen gestattenden Maße in den
Längsschlitz (12) der Außenwand (13) hineinragt.
15. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis
14, dadurch gekennzeichnet, daß der
von einem Kühlrohr (21) umschlossene Festkörperlaserstab
(20) in einem von einem Metallreflektor (24) gegen vom Mi
krowellenreflektor (23) reflektierte Streustrahlung abge
schirmten Bereich (25) angeordnet ist.
16. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis
15, dadurch gekennzeichnet, daß das
Gasentladungsgefäß (15) eine dem Längsschlitz (12) der
Außenwand (13) dicht benachbarte Wand (16′′) aufweist, die
breiter als der Längsschlitz (12) ist.
17. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis
16, dadurch gekennzeichnet, daß sich
die der Außenwand (13) parallele Wand (16′′) des Gasentla
dungsgefäßes (16) beidseitig symmetrisch zum Längsschlitz
(12) erstreckt.
18. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis
17, dadurch gekennzeichnet, daß pa
rallel neben der den Längsschlitz (12) aufweisenden Außen
wand (13) des Hohlleiters (11) ein weiterer, Mikrowellen
energie in die Gasentladungsstrecke (15) einkoppelnder
Hohlleiter (11′) vorhanden ist.
19. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis
18, dadurch gekennzeichnet, daß die
beiden Hohlleiter (11, 11′) abwechselnd und/oder mit unter
schiedlichen Betriebsfrequenzen betreibbar sind.
20. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis
19, dadurch gekennzeichnet, daß die
Hohlleiter (11, 11′) axial um ein ungradzahliges vielfaches
Viertel (n×λ/4; n1) der Hohlleiter-Mikrowelle gegen
einander versetzt sind.
21. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis
20, dadurch gekennzeichnet, daß bei
einem als Hohlraumresonator ausgebildeten Hohlwellenleiter
(11) die den Längsschlitz (12) aufweisende Außenwand (13)
beidendig in bezug auf die Stirnwände (27) zur Homogeni
sierung der Endbereiche (15′) der Gasentladungsstrecke
(15) verkürzt ist.
22. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis
21, dadurch gekennzeichnet, daß auch
bei der der Wand (13) des Hohlleiters (11, 11′) diametral
gegenüberliegenden Wand mindestens ein Entladungsgefäß
(16) mit seiner Gasentladungsstrecke (15) in einem elek
trischen Schlitzfeld eines Längsschlitzes (12) angeordnet
ist.
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---|---|
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4113142A1 (de) * | 1991-03-14 | 1992-09-17 | Leybold Ag | Vorrichtung zur erzeugung von glimmentladungen |
EP0754400A1 (de) * | 1994-04-07 | 1997-01-22 | The Regents Of The University Of California | Radio frequenz betriebene schwefellampe |
DE19739894A1 (de) * | 1997-09-11 | 1999-03-25 | Muegge Electronic Gmbh | Plasmabehandlungsvorrichtung |
WO2003021632A3 (en) * | 2001-08-30 | 2003-09-18 | Quay Technologies Ltd | Pulsed uv light source |
US8269190B2 (en) | 2010-09-10 | 2012-09-18 | Severn Trent Water Purification, Inc. | Method and system for achieving optimal UV water disinfection |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2694474B1 (fr) * | 1992-07-29 | 1994-10-14 | Onera (Off Nat Aerospatiale) | Réacteur à plasma à micro-ondes et appareil de dépôt incorporant un tel réacteur. |
DE19503205C1 (de) * | 1995-02-02 | 1996-07-11 | Muegge Electronic Gmbh | Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3244391A1 (de) * | 1982-12-01 | 1984-06-07 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Vorrichtung zur beschichtung von substraten durch plasmapolymerisation |
EP0197843A1 (de) * | 1985-03-28 | 1986-10-15 | Centre National De La Recherche Scientifique (Cnrs) | Vorrichtung zum Anregen eines Plasmas in einer Gassäule durch Mikrowellen zur Realisierung eines Ionenlasers |
DE2548220C2 (de) * | 1974-10-31 | 1987-05-21 | Agence Nationale De Valorisation De La Recherche (Anvar), Neuilly-Sur-Seine, Hauts-De-Seine, Fr | |
EP0280044A2 (de) * | 1987-01-26 | 1988-08-31 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plasmavorrichtung |
DD263648A1 (de) * | 1987-08-31 | 1989-01-04 | Hochvakuum Dresden Veb | Verfahren und einrichtung zur erzeugung von mikrowellenplasmen mit grosser ausdehnung und homogenitaet |
US4810933A (en) * | 1985-07-05 | 1989-03-07 | Universite De Montreal | Surface wave launchers to produce plasma columns and means for producing plasma of different shapes |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4359777A (en) * | 1981-01-22 | 1982-11-16 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | High efficiency transversely excited electrodeless gas lasers |
US4802183A (en) * | 1982-04-07 | 1989-01-31 | Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Microwave excited excimer laser and method |
US4618477A (en) * | 1985-01-17 | 1986-10-21 | International Business Machines Corporation | Uniform plasma for drill smear removal reactor |
JPS61220487A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | レ−ザ発振装置 |
DE3708314A1 (de) * | 1987-03-14 | 1988-09-22 | Deutsche Forsch Luft Raumfahrt | Mikrowellengepumpter hochdruckgasentladungslaser |
DE3738921A1 (de) * | 1987-05-09 | 1988-11-17 | Fraunhofer Ges Forschung | Laser und verfahren zur erzeugung von laserstrahlung |
-
1989
- 1989-10-07 DE DE19893933619 patent/DE3933619C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-10-05 WO PCT/DE1990/000756 patent/WO1991005450A1/de unknown
- 1990-10-05 AU AU64187/90A patent/AU6418790A/en not_active Abandoned
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2548220C2 (de) * | 1974-10-31 | 1987-05-21 | Agence Nationale De Valorisation De La Recherche (Anvar), Neuilly-Sur-Seine, Hauts-De-Seine, Fr | |
DE3244391A1 (de) * | 1982-12-01 | 1984-06-07 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Vorrichtung zur beschichtung von substraten durch plasmapolymerisation |
EP0197843A1 (de) * | 1985-03-28 | 1986-10-15 | Centre National De La Recherche Scientifique (Cnrs) | Vorrichtung zum Anregen eines Plasmas in einer Gassäule durch Mikrowellen zur Realisierung eines Ionenlasers |
US4810933A (en) * | 1985-07-05 | 1989-03-07 | Universite De Montreal | Surface wave launchers to produce plasma columns and means for producing plasma of different shapes |
EP0280044A2 (de) * | 1987-01-26 | 1988-08-31 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plasmavorrichtung |
DD263648A1 (de) * | 1987-08-31 | 1989-01-04 | Hochvakuum Dresden Veb | Verfahren und einrichtung zur erzeugung von mikrowellenplasmen mit grosser ausdehnung und homogenitaet |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
J. Phys. D: Appl Phys. Bd. 20(1987) S. 197-203 * |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4113142A1 (de) * | 1991-03-14 | 1992-09-17 | Leybold Ag | Vorrichtung zur erzeugung von glimmentladungen |
EP0754400A1 (de) * | 1994-04-07 | 1997-01-22 | The Regents Of The University Of California | Radio frequenz betriebene schwefellampe |
EP0754400A4 (de) * | 1994-04-07 | 1997-05-28 | Univ California | Radio frequenz betriebene schwefellampe |
DE19739894A1 (de) * | 1997-09-11 | 1999-03-25 | Muegge Electronic Gmbh | Plasmabehandlungsvorrichtung |
DE19739894C2 (de) * | 1997-09-11 | 2001-07-05 | Muegge Electronic Gmbh | Plasmabehandlungsvorrichtung |
WO2003021632A3 (en) * | 2001-08-30 | 2003-09-18 | Quay Technologies Ltd | Pulsed uv light source |
US7081636B2 (en) | 2001-08-30 | 2006-07-25 | Quay Technologies Limited | Pulsed UV light source |
US8269190B2 (en) | 2010-09-10 | 2012-09-18 | Severn Trent Water Purification, Inc. | Method and system for achieving optimal UV water disinfection |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO1991005450A1 (de) | 1991-04-18 |
DE3933619C2 (de) | 1993-12-23 |
AU6418790A (en) | 1991-04-28 |
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