DE3889019T2 - Ansteuerschaltung. - Google Patents

Ansteuerschaltung.

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Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf eine Ansteuerschaltung bzw. Vorstufenschaltung, die in geeigneter Weise in einem Sperrwandler, einem Gleichspannungswandler oder dergleichen verwendbar ist.
  • Eine Ansteuerschaltung, von der ein Beispiel in Fig. 3 veranschaulicht ist, ist weithin bekannt und imstande, den Strom, der in die Primärseite eines Impulstransformators fließt, ein- und auszuschalten, die auf der Sekundärseite des Transformators erzeugten Impulse einem MOS-Feldeffekttransistor (nachstehend als "FET" bezeichnet) zur Speisung zuzuführen und die Steuerung zum Einschalten und Ausschalten eines Laststromes durch den Leistungs-FET auszuüben.
  • In Übereinstimmung mit der in Fig. 3 dargestellten konventionellen Schaltung ist die Sekundärseite eines Impulstransformators T direkt mit dem Gate und der Source eines Leistungs-FET Q1 verbunden, und der Leistungs-FET Q1 ist einer Einschalt-/Ausschalt-Steuerung durch Verwendung eines Steuertransistors Q2 ausgesetzt, der mit der Primärseite des Impulstransformators T verbunden ist. Der in dieser Ansteuerschaltung verwendete Leistungs-FET weist natürlich eine große elektrostatische Kapazität (Eingangs-Kapazität) bei Betrachtung vom Gate her auf, da der gesteuerte Strom hoch ist.
  • Gemäß Fig. 3 unterwirft ein Schaltkreis 1 einen von einer Speisequelle PS an eine Last L abgegebenen Strom einer Einschalt-/Ausschalt-Steuerung mittels des Leistungs-FET Q1. Diese Schaltung ist mit der Ansteuerschaltung 2 verbunden. Wenn der Schalttransistor Q2 eingeschaltet ist, wird das Gate des Leistungs-FET Q1 zur positiven Seite hin durch die Spannung aufgeladen, deren Polarität durch die voll ausgezogene Linie angedeutet ist, so daß der Leistungs-FET Q1 eingschaltet ist. Wenn der Schalttransistor Q2 ausgeschaltet wird, um den Leistungs-FET Q1 auszuschalten, ruft die im Gate des Leistungs-FET Q1 gespeicherte Ladung einen Strom IE hervor, der durch die gestrichelte Linie angedeutet ist und der in der Sekundärwicklung des Impulstransformators T entladen wird. Mit der weiteren Aufladung zur negativen Seite hin wird der Leistungs-FET Q1 ausgeschaltet. Mit ZD1 und ZD2 sind Schutz-Zenerdioden bezeichnet, welche die an das Gate des Leistungs-FET Q1 angelegte Spannung begrenzen, so daß diese Spannung nicht übermäßig hoch wird.
  • Wenn der Leistungs-FET Q1 ausgeschaltet wird, nachdem er in der konventionellen Ansteuerschaltung des oben beschriebenen Typs eingeschaltet ist, ist es nötig, den magnetischen Fluß des Impulstransformators T auf einen Anfangswert voreinzustellen und das Gate auf eine Spannung auf der negativen Seite aufzuladen, die erforderlich ist, um den Leistungs-FET Q1 auszuschalten. Je größer die Eingangskapazität des Leistungs-FET Q1 ist, umso kürzer ist daher die verstrichene Zeit vom Einschalten bis zum Ausschalten des Leistungs-FET C1, und je größer die Änderung in der Gate- Spannung bezogen auf die Zeit ist, umso höher muß der Strom IE sein, der den Stromweg durchfließt, umfassend die Source und das Gate des Leistungs-FET Q1. Demgemäß ist es erforderlich, daß der Kern des Impulstransformators T entsprechend groß ist.
  • Schließlich ist die Energie, mit der das Gate des Leistungs- FET Q1 aufgeladen ist, verloren. Demgemäß ist es bedeutungslos, das Gate in einen unnötigen Spannungsbereich über die negative Spannung hinaus aufzuladen, die den Leistungs-FET Q1 ausschaltet, und eine bloße Erhöhung der Steuerleistung senkt den Wirkungsgrad der Steuerleistung.
  • Wie oben ausgeführt, ist es notwendig, daß der magnetische Fluß des Leistungstransformators schnell auf einen Ausgangswert für den nächsten Steuer- bzw. Treiberzyklus zurückgestellt wird. Da das Gate des Leistungs-FET Q1 geladen und direkt mit der Sekundärseite des Impulstransformators T verbunden ist, wie dies oben erwähnt worden ist, ist jedoch Zeit erforderlich für die Entladung der elektrischen Ladung, die aus der Ladeoperation resultiert, so daß der Fluß des Impulstransformators T nicht schnell auf den Ausgangswert zurückgesetzt werden kann. Wenn ein Schalten mit hoher Geschwindigkeit vorzunehmen ist, tritt demgemäß eine Zeitverzögerung für die Entladung der oben erwähnten elektrischen Ladung auf, weshalb ein normaler Betrieb nicht erzielt werden kann.
  • Die vorliegende Erfindung ist in Anbetracht der vorstehenden Punkte entstanden, wobei ihr die Aufgabe zugrunde liegt, eine Ansteuerschaltung zu schaffen zum Steuern des Einschalten/Ausschaltens eines Leistungs-Feldeffekttransistors über einen Impulstransformator, wobei der Einfluß einer elektrischen Ladung, die sich in der Gate-Eingangskapazität des Leistungs-Feldeffekttransistors akkumuliert, gemildert ist, wodurch ein Betrieb bei einer geringen Steuerleistung ermöglicht und ein Absinken in der Leistung beim Schalten mit hoher Geschwindigkeit vermieden sind.
  • Es sind bereits Ansteuerschaltungen angegeben worden, wie sie beispielsweise in JP-A-61-177815, JP-A-61-16620 und GB-A-2 109 194 zu finden sind. Dabei offenbart insbesondere das erste dieser drei Dokumente eine Ansteuerschaltung gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 ohne dessen kennzeichnende Merkmale und daher ohne die durch diese Merkmale erzielten Vorteile.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung ist eine Ansteuerschaltung für einen ersten MOS-Feldeffekttransistor geschaffen, der derart betreibbar ist, daß dem Gate des betreffenden Feldeffekttransistors ein gepulstes Signal zugeführt wird, welches an ein Schaltelement angelegt wird, das intermittierend einen Stromfluß durch eine Primärseite eines Impuls transformators hervorruft, wobei der Feldeffekttransistor durch das gepulste Signal aufgrund von Steuerimpulsen, die auf einer Sekundärseite des Impulstransformators erzeugt werden, gesteuert ein-/ausgeschaltet wird, wobei der Impulstransformator mit dem Gate des Feldeffekttransistors verbunden ist und dadurch einen intermittierenden Stromfluß in einer Last des Feldeffekttransistors hervorruft, wobei zwischen der Sekundärseite des Impulstransformators und dem Feldeffekttransistor eine Unterbrechungseinrichtung angeschlossen ist, die für eine Unterbrechung der Verbindung zwischen der betreffenden Sekundärseite und dem Feldeffekttransistor betreibbar ist, und mit einer Detektiereinrichtung, die mit der Unterbrechungseimrichtung derart verbunden ist, daß diese bei einer bestimmten negativen Spannung über dem Gate und der Source des Feldeffekttransistors in Betrieb gelangt. Diese Ansteuerschaltung ist dadurch gekennzeichnet, daß die Primärseite des Impulstransformators und dessen Schaltelement mit einer eine einzige Polarität führenden Spannungsquelle derart verbunden sind, daß die auf der Sekundärseite des Impulstransformators durch das Schaltelement erzeugten Steuerimpulse auch nur eine einzige Polarität aufweisen, daß das Ausschalten des Feldeffektransistors durch Ausschalten des Schaltelememts erzielt wird, derart, daß der Ladung, die sich im Gate des Feldeffektransistors akkumuliert hat, ermöglicht ist, über einen Stromweg abzufließen, der die Unterbrechungseinrichtung, die Sekundärseite des Impulstransformators und den Feldeffekttransistor selbst umfaßt, daß dann, wenn die Spannung über Gate und Source des Feldeffekttransistors jenseits der genannten bestimmten negativen Spannung abfällt, die Detektiereinrichtung die Unterbrechungseinrichtung veranlaßt, derart zu arbeiten, daß der Stromweg unterbrochen ist, wobei jeglicher weiterer negativer Anstieg der Gate-Spannung des Feldeffekttransistors verhindert ist, und daß mit der Primärseite des Impulstransformators eine Dioden-Verbrauchseinrichtung für die Vernichtung magnetischer Energie verbunden ist, die in dem Impulstransformator zurückbleibt, wenn die Unterbrechumgseinrichtung in der angegebenen Weise betrieben ist.
  • Gemäß der Erfindung steigt in dem Fall, daß der MOS-Feldeffekttransistor vom eingeschalteten Zustand in den ausgeschalteten Zustand umgeschaltet wird, die Spannung über Gate und Source des MOS-Feldeffekttramsistors über einen festgelegten Wert an und führt einen Übergang zur negativen Seite hin aus. Wenn dies geschieht, werden der MOS-Feldeffekttransistor und die Sekundärseite des Impulstransformators durch die Unterbrechungseinrichtung voneinander abgeschaltet, wodurch verhindert ist, daß das Gate in einen Bereich unmötiger negativer Spannung geladen wird.
  • Es folgt eine kurze Beschreibung der Zeichnungen.
  • Fig. 1 zeigt ein Schaltungsdiagramm, in welchem eine die vorliegende Erfindung verkörpernde Ansteuerschaltung sowie eine periphere Schaltung veranschaulicht sind.
  • Fig. 2 veranschaulicht in einem Schaltungsdiagramm eine zweite Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Fig. 3 veranschaulicht in einem Schaltungsidagramm eine Ansteuerschaltung gemäß dem Stand der Technik.
  • Nunmehr wird unter Bezugnahme auf die Zeichnungen eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben.
  • Fig. 1 zeigt eine Ansteuerschaltung, die eine erste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.
  • Der Schaltkreis 1, der von der Ansteuerschaltung 2 anzusteuern ist, ist in vereinfachter Form dargstellt und weist einen Leistungs-Feldeffekttransistor, kurz Leistungs-FET Q1 auf, der durch ein Steuersignal von der Ansteuerschaltung her ein- oder ausgeschaltet wird. Der Source-Anschluß des Leistungs-FET Q1 ist mit dem Source-Anschluß eines Leistungs-FET Q3 verbunden, der eine erste Steuerschaltung dargestellt. Der Drain-Anschluß des Feldeffekttransistors Q3 ist mit einem Ende einer Sekundärwicklung S1 des Impulstransformators T verbunden. Das andere Ende der Sekundärwicklung ist mit dem Gate-Anschluß des Leistungs-FET Q1 über einen Strombegrenzungswiderstand R1 und mit dem Gate- Anschluß des Feldeffekttransistors Q3 über eine Zenerdiode ZD3 verbunden. Über Source und Drain des Feldeffekttransistors Q3 ist eine Diode D1 in einer solchen Weise ge -schaltet, daß die Leitrichtung von der Source zur Drain gegeben ist. Eine Reihenschaltung aus einer Diode D2 und einer Zenerdiode D4 liegt zur Primärseite des Impulstransformators T parallel. Eine Versorgungsspannungsquelle V1 ist mit dem Kollektor eines Steuer- bzw. Treibertransistors Q2 über eine Primärwicklung P1 des Impulstransformators T verbunden. Der Emitter dieses Transistors ist mit Erde bzw. Masse verbunden. Die Schaltungsanordnung ist so getroffen, daß ein Steuersignal Si in die Basis des Treibertransistors Q2 gelangt.
  • Wenn der Treibertransistor Q2 eingeschaltet wird, um den Leistungs-FET Q1 einzuschalten, wird in der Sekundärwicklung S1 des Impulstransformators T eine Spannung mit einer Polarität in Richtung des durch die voll ausgezogene Linie bezeichneten Pfeiles erzeugt. Aufgrund dieser Spannung wird das Gate des Leistungs-FET Q1 über den Strombegrenzungswiderstand R1 und die über Drain und Source des Feldeffekttransistors Q3 in der ersten Steuerschaltung liegende Diode D1 aufgeladen. Damit wird der Leistungs-FET Q1 eingeschaltet. Wenn der Transistor Q2 ausgeschaltet wird, um dem Leistungs-FET Q1 vom eingeschalteten Zustand in den ausgeschalteten Zustand zu überführen, fließt die elektrische Ladung, die sich im Gate des Leistungs-FET Q1 akkumuliert hat, über einen Stromweg ab, der den Strombegrenzungswiderstand R1, die Sekundärwicklung S des Impulstransformators T, den Feldeffekttransistor Q3 und den Leistungs-FET Q1 umfaßt. Damit wird die Ladung, die sich im Gate des Leistungs-FET Q1 akkumuliert hat, abfliessen, wodurch die Gate-Spannung absinkt. Wenn die Gate- Spannung einen Wert nahe 0 V erreicht, wird der Leistungs- FET Q1 ausgeschaltet. Wenn die Gate-Spannung weiter zur negativen Seite hin absinkt und schließlich eine durch die Zener-Spannung der Zenerdiode ZD3 bestimmte festgelegte Spannung übersteigt, dann fließt die elektrische Ladung vom Gate des Steuer-FET Q3 über die Zenerdiode ZD3 ab, so daß die Spannung über Gate und Source des Feldeffekttransistors Q3 etwa 0 V wird; der Feldeffekttransistor Q3 wird in den Ausschaltzustand gebracht, wodurch der Stromweg des Stroms IE unterbrochen ist. Demgemäß wird die Gate- Spannung des Leistungs-FET Q1 nicht weiter auf der negativen Seite ansteigen. Die Ausgangsspannung des Impulstransformators T, die stärker auf der negativen Seite wächst, wird der Schaltung aufgedrückt, die aus der Diode D2 und der Zenerdiode ZD4 besteht und die der Primärseite des Impulstransformators T parallelgeschaltet ist, wodurch die im Kern des Impulstransformators T zurückgebliebene magnetische Energie verbraucht wird. Wenn die magnetische Energie freigesetzt ist, ist der Fluß des Impulstransformators T auf den Ausgangswert zurückgesetzt, und die Klemmenspannung wird schnell 0V. Der Strombegrenzungswiderstand R1 begrenzt das Schalten, welches schneller als erforderlich ist, durch Begrenzen des Stroms, der in das oder aus dem Gate des Leistungs-FET Q1 fließt, womit er die Funktion erfüllt, die Erzeugung einer Stör- oder Stoßspannung zu unterdrücken.
  • Bei dem vorstehenden, zuvor beschriebenen Ausführungsbeispiel wird in dem Fall, daß der Steuertransistor Q2 vom Einzustand in den Auszustand überführt wird, um den als Schaltelement verwendeten Leistungs-FET Q1 vom Einzustand in den Auszustand zu überführen, die erste Steuerschaltung in einer solchen Weise betrieben, daß das Gate des Leistungs-FET Q1 nicht in einen unnötigen Spannungs bereich aufgeladen wird. Aufgrund der aus der Diode D2 und der Zenerdiode ZD4 bestehenden Schaltung, die auf der Primärseite des Impulstransformators T vorgesehen ist, wird der Fluß des Impulstransformators T schnell auf den Ausgangswert für den nächsten Treiber- bzw. Steuerzyklus zurückgebracht.
  • Nunmehr wird unter Bezugnahme auf Fig. 2 eine zweite Ausführungsform der Erfindung erläutert. Diese Ausführungsform unterscheidet sich von der ersten Ausführungsform dadurch, daß der Impulstransformator T eine zweite Primärwicklung P2 aufweist und daß eine Steurschaltung für die Steuerung dieser Primärwicklung vorgesehen ist. Der Rest der Schaltungsanordnung ist derselbe wie bei der ersten Ausführungsform. Diese Schaltungsteile sind in Fig. 1 und 2 durch dieselben Bezugszeichen bezeichnet, und ihre Beschreibung ist weggelassen.
  • Gemäß Fig. 2 ist der Impulstransformator T mit der zweiten Primärwicklung P2 versehen. Ein Ende der Wicklung P2 ist mit dem Drain-Anschluß eines Steuer-FET Q4 verbunden, dessen Source an Erde bzw. Masse liegt. Dem Gate des Feldeffekttransistors Q4 wird, wie nachstehend beschrieben, ein Eingangssignal -Si zugeführt. Das andere Ende der zweiten Primärwicklung P2 ist mit der Source des Feldeffekttransistors Q4 verbunden und liegt gleichzeitig über eine Diode D3 an Erde bzw. Masse. Dieses andere Ende der zweiten Primärwicklung P2 des Impulstransformators T ist über die Diode D2 mit der Speisespannungsquelle V1 verbunden. Mit der Basis des Treibertransistors Q2 und dem Gate des Steuer-Feldeffekttransistors Q4 ist ein Signalausgangs- Transistor Q5 einer Steuerschaltung 3 verbunden, die der zuvor erwähnten Basis und dem zuvor erwähnten Gate die Signale Si bzw. -Si mit entgegengesetzter Phase zuführt. Ein Basiswiderstand R2 ist mit der Basis des Treibertransistors S2 verbunden, und ein Widerstand R3 ist mit Gate des Feldeffekttransistors Q4 verbunden.
  • Wenn der Leistungs-FET Q1, der als Schaltelement dient, durch den Treibertransistor Q2 ausgeschaltet wird, nachdem er in der Schaltung der oben beschriebenen zweiten Ausführungsform eingeschaltet worden ist, wird der Steuer-Feldeffekttransistor Q4 zur gleichen Zeit eingeschaltet, zu der der Treibertransistor Q2 ausgeschaltet wird. Wenn der Feldeffekttransistor Q4 den Einschaltzustand einnimmt, leitet die zweite Primärwicklung P2 des Impulstransformators T einen Strom über den Stromweg, der die Diode D3 und den Steuer-FET Q4 umfaßt, wodurch die Klemmenspannung des Impulstransformators schnell auf 0 V gebracht ist. Als Ergebnis dieser Arbeitsweise fließt die elektrische Ladung, die sich im Gate des Leistungs-FET Q1 akkumuliert hat, ab, so daß die Gate-Spannung schnell 0 V aufweist und der Leistungs-FET Q1 ausgeschaltet wird. Danach ist die Arbeitsweise bis zu dem Punkt, zu dem der Feldeffekttransistor Q3 ausgeschaltet wird, dieselbe wie bei der ersten Ausführungsform. Danach hat der Feldeffekttransistor Q3 den Ausschaltzustand erreicht, und die Ausgangsspannung des Impulstransformators T, die auf der negativen Seite ansteigt, wird durch die Dioden D2, D4 auf die Speisespannung V1 geklemmt. Wenn die magnetische Energie anschließend verbraucht wird, wird der magnetische Fluß des Impulstransformators T auf den Ausgangswert zurückgebracht, um den nächsten Steuer- bzw. Treiberzyklus wie im Falle der ersten Ausführungsform vorzubereiten.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung ist eine Ansteuerschaltung geschaffen, die einen Leistungs-FET über einen Impulstransformator einer Einschalt-/Ausschalt-Steuerung unterzieht, wobei der Einfluß der Eingangskapazität des Leistungs- Feldeffekttransistors vermindert ist, um die Steuerleistung zu verringern und um die Größe des Impulstransformators zu reduzieren, wobei ein Abfall in der Leistung, der sonst durch die Eingangskapazität zum Zeitpunkt des Schaltens bei hoher Geschwindigkeit hervorgerufen würde, reduziert werden kann.

Claims (6)

1. Ansteuerschaltung (2) für einen ersten NOS-Feldeffekttransistor (Q1), der derart betreibbar ist, daß dem Gate des betreffenden Feldeffekttransistors (Q1) ein gepulstes Signal (Si) zugeführt wird, welches an ein Schaltelement (Q2) angelegt ist, das intermittierend einen Stromfluß durch eine Primärseite (P1) eines Impulstransformators (T1) hervorruft,
wobei der Feldeffekttransistor (Q1) durch das gepulste Signal aufgrund von Steuerimpulsen, die auf einer Sekundärseite (S1) des Impulstransformators T erzeugt werden, gesteuert ein-/ausgeschaltet wird,
wobei der Impulstransformator mit dem Gate des Feldeffekttransistors (Q1) verbunden ist und dadurch einen intermittierenden Stromfluß in einer Last (L) des Feldeffekttransistors (Q1) hervorruft,
wobei zwischen der Sekundärseite (S1) des Impulstransformators und dem Feldeffekttransistor (Q1) eine Unterbrechungseinrichtung (Q3) angeschlossen ist, die für eine Unterbrechung der Verbindung zwischen der betreffenden Sekundärseite und dem Feldeffekttransistor betreibbar ist, und mit einer Detektiereinrichtung (ZD3), die mit der Unterbrechungseinrichtung (Q3) derart verbunden ist, daß diese bei einer bestimmten negativen Spannung über dem Gate und der Source des Feldeffekttransistors (Q1) in Betrieb gelangt,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Primärseite (P1) des Impulstransformators und dessen Schaltelement (Q2) mit einer eine einzige Polarität führenden Spannungsquelle derart verbunden sind, daß die auf der Sekundärseite (S1) des Impulstransformators durch das Schaltelement (Q2) erzeugten Steuerimpulse auch nur eine einzige Polarität aufweisen,
daß das Ausschalten des Feldeffekttransistors (Q1) durch Ausschalten des Schaltelements (Q2) erzielt wird, derart, daß der Ladung, die sich im Gate des Feldeffekttransistors (Q1) akkumuliert hat, ermöglicht ist, über einen Stromweg abzufließen, der die Unterbrechungseinrichtung (Q3), die Sekundärseite (S1) des Impulstransformators und den Feldeffekttransistor (Q1) selbst umfaßt,
daß dann, wenn die Spannung über das Gate und die Source des Feldeffekttransistors (Q1) jenseits der genannten bestimmten negativen Spannung abfällt, die Detektiereinrichtung (ZD3) die Unterbrechungseinrichtung (Q3) veranlaßt, derart zu arbeiten, daß der Stromweg unterbrochen ist, wodurch jeglicher weiterer negativer Anstieg der Gate- Spannung des Feldeffekttransistors verhindert ist,
und daß mit der Primärseite (P1, P2) des Impulstransformators (T) eine Dioden-Verbrauchseinrichtung (D2 und ZD4, D3 und Q4) für die Vernichtung magnetischer Energie verbunden ist, die in dem Impulstransformator (T) zurückbleibt, wenn die Unterbrechungseinrichtung (Q3) in der angegebenen Weise betrieben ist.
2. Ansteuerschaltung (2) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterbrechungseinrichtung (Q3) ein zweiter MOS-Feldeffekttransistor ist.
3. Ansteuerschaltung (2) nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine Diode (D1), die als Stromweg in dem Fall arbeitet, daß der erste MOS-Feldeffekttransistor (Q1) vom ausgeschalteten Zustand in den eingeschalteten Zustand gesteuert ist, parallel mit der Drain-Source-Strecke des zweiten M0S-Feldeffekttransistors (Q3) verbunden ist.
4. Ansteuerschaltung (2) nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Detektiereinrichtung (ZD3) eine Zener-Diode umfaßt, die zwischen einem Gate des zweiten MOS-Feldeffekttransistors (Q3) und der Sekundärseite (S1) des Impulstransformators (T) angeschlossen ist.
5. Ansteuerschaltung nach Anspruch 1, 2, 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein Widerstand (R1) für eine Strombegrenzung zwischen der Sekundärseite (S1) des Impulstransformators (T) und dem ersten MOS-Feldeffekttransistor (Q1) vorgesehen ist.
6. Ansteuerschaltung nach Anspruch 1, 2, 3, 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Primärseite (P1, P2) des Impulstransformators (T) mit einer zweiten Primärwicklumg (P2) versehen ist, daß ein zweites Schaltelement (Q4) mit der betreffenden zweiten Primärwicklung (P2) parallel verbunden ist und daß das betreffende zweite Schaltelement (Q4) in dem Fall, daß der erste MOS-Feldeffekttransistor (Q1) derart betrieben ist, daß er vom Einschaltzustand in den Ausschaltzustand wechselt, eingeschaltet wird und die zweite Primärwicklung (P2) kurzschließt.
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