DE3887477T2 - Verfahren zur Obenflächenbehandlung eines Halbleiterplättchens. - Google Patents
Verfahren zur Obenflächenbehandlung eines Halbleiterplättchens.Info
- Publication number
- DE3887477T2 DE3887477T2 DE88119716T DE3887477T DE3887477T2 DE 3887477 T2 DE3887477 T2 DE 3887477T2 DE 88119716 T DE88119716 T DE 88119716T DE 3887477 T DE3887477 T DE 3887477T DE 3887477 T2 DE3887477 T2 DE 3887477T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- semiconductor wafers
- treatment
- mechanical damage
- wafer
- treatment solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 26
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 title description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 60
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 14
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000005247 gettering Methods 0.000 claims description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 claims description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 4
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 2
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
-
- H01L21/203—
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/322—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections
- H01L21/3221—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections of silicon bodies, e.g. for gettering
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/974—Substrate surface preparation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft ein Oberflächenbehandlungsverfahren für Halbieiterscheiben bzw. -wafer und insbesondere ein Oberflächenbehandlungsverfahren für Halbleiterscheiben bzw. wafer, bei dem eine Waferoberfläche zur Getterung von Verunreinigungen mechanisch beschädigt werden kann.
- Im Zuge der Entwicklung von Mikrostrukturen bei Halbleiterelementen ist es wichtig, den Einfluß verschiedenartiger Verunreinigungen bei den Elementherstellungsprozessen zu verringern. So verkürzt z.B. die Verunreinigung mit Schwermetallen, wie Cu oder Fe, die Lebensdauer von Minoritätsträgern, wodurch sich die Kennwerte eines Transistors ändern oder eine Kriechstrom zunimmt. Außerdem werden aufgrund von Verunreinigung mit Natrium (Na) mobile Ionen in einem Oxidfilm erzeugt wodurch die Betriebsstabilität des Elements beeinträchtigt wird.
- Die sog. Getterung ist als ein derartiges Verfahren zur Beseitigung von im Fertigungsprozeß entstehender Verunreinigung eines Halbleitersubstrats gut bekannt. Diese Getterung umfaßt Oxidation von Salzsäure, Phosphor-Gettering und dergl., welche während des Fertigungsprozesses durchgeführt werden. Bei einer anderen Technik hat ein als Ausgangsmaterial dienendes Siliziumwafer eine Getterung-Fähigkeit. Des weiteren enthält die Getterung eines Substrats Eigengetterung, welche sich die Sauerstoffausscheidung im Substrat zunutze macht, Rückseitenbeschädigung (im folgenden als BSD für "Back Side Damage" bezeichnet), bei der die rückseitige Oberfläche des Wafers (eine gegenüberliegende Seite zu einer Hauptoberfläche, auf der in späteren Stufen Halbleiterelemente ausgeformt werden) mechanisch beschädigt oder verworfen werden und dergl.
- Sandstrahlen ist als ein herkömmliches Verfahren zur Bildung des obigen BSD bekannt. Bei diesem Verfahren wird eine durch Dispersion feiner Kieselerdepartikel erhaltene Lösung auf die rückseitige Oberfläche des Siliziumwafers gesprüht, um eine mechanische Beschädigung herbeizuführen. Obwohl dieses Verfahren zur Erzeugung der mechanischen Beschädigung wirksam ist, kann es die in der Fertigung des Halbleiterelements geforderte hohe Reinheit nicht erbringen. Zur näheren Erläuterung: die durch Dispersion feiner Kieselerdepartikel gewonnene Lösung enthält sehr kleine Mengen metallischer Verunreinigungen, wie z.B. Fe, Cr, Ni und Cu. Bei der Oberflächenanalyse unter Verwendung eines Ionenmikroanalysators stellte man häufig fest, daß diese Verunreinigungen fest mit dem Wafermaterial verhaftet sind und auf diesem nach der Behandlung als Oberflächenverunreinigung verbleiben. Außerdem ist die rückseitige Oberfläche des Wafers eine aufgerauhte Oberfläche, in der dreidimensionale Mikrostrukturen vorhanden sind. Wird jedoch eine Kieselerde enthaltende Lösung auf diese unebene Oberfläche gesprüht, so füllen die feinen Kieselerdepartikel die vertieften Strukturen in der rückseitigen Oberfläche des Wafers. Aus diesem Grund werden bei den Fertigungsprozessen der Halbleiterelemente in unerwünschter Weise Prozeßfehler wie im Fall der Oberflächenverunreinigung aufgrund metallischer Verunreinigungen verursacht.
- Herkömmliche Behandlungsverfahren des Halbleiterwafers werden in einem Reinraum ausgeführt, um Sauberkeit zu gewährleisten. Beim Sandstrahl-Behandlungsverfahren werden jedoch feine Partikel der Kieselerdelösung unter hohem Druck versprüht. Aus diesem Grund kann die Sauberkeit der Arbeitsumgebung kaum aufrechterhalten werden.
- Wie oben beschrieben, bringt die Ausbildung von BSD mittels des herkömmlichen Sandstrahlens eine unerwünscht niedrige Sauberkeit mit sich.
- Die zum Stand der Technik gehörigen Veröffentlichungen "Patent Abstracts of Japan", Bd. 5, Nr. 121 (E-86) [793] , vom 5. August 1981 und JP-A-5 660 022 beschreiben ein Behandlungsverfahren für Halbleiterwafer, bei dem ein Wafer mit der Rückseite nach außen auf eine Waferträgerscheibe geklebt und in eine scheuernde Lösung in einem mit Schleifmittel gefüllten Behälter getaucht wird. Vibrationen werden mittels eines Ultraschallschwingungsgenerator erzeugt, und auf der Rückseite des Wafers wird unter hervorragender Wiederholgenauigkeit eine beschädigte Schicht gebildet. Da hiermit eine gleichmäßig verworfene Rückseitenschicht gebildet wird, kann eine große Wafermenge mit verbessertem Getterungseffekt gleichzeitig hergestellt werden.
- Des weiteren beschreiben die zum Stand der Technik gehörigen Veröffentlichungen "Patent Abstracts of Japan", Bd. 9, Nr. 240 (E-245) [1963], vom 26. September 1985 und JP-A-6 091 648 ein Behandlungsverfahren für Halbleiterwafer, bei dem ein Halbleiterwafer, dessen hochglanzgeschliffene Oberfläche nach unten weist, in Wasser mit Schleifpartikeln getaucht und Überschallschwingungen ausgesetzt wird. Das Wafer wird senkrecht durch eine Position bewegt, an der eine stehende Welle hoher Energie erzeugt wird, um mechanische Beschädigung hervorzurufen. Nach der vorgeschriebenen Beschädigung des Wafers wird anhaftendes Schleifmaterial vom Wafer abgewaschen. Danach wird das Wafer in einer Lösung aus NH&sub4;OH + H&sub2;O&sub2; + H&sub2;O, gefolgt von reinem Wasser, gereinigt, dann läßt man es trocknen. Nach diesem Verfahren kann mit dem Wasser eine vorteilhafte Getterungsbehandlung durchgeführt werden, und das Ausmaß mechanischer Beschädigung durch das Wasser läßt sich leicht steuern, indem man die Art des zu verwendenden Schleifmaterials und den Durchmesser der Schleifpartikel ändert, und indem die auf das Wafer einwirkende Überschallenergie reguliert wird.
- Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Oberflächenbehandlung eines Halbleitersubstrats bereitzustellen, mit dem sich eine saubere mechanische Beschädigung auf einer rückseitigen Oberfläche des Substrats erzielen läßt.
- Zur Lösung dieser Aufgabe stellt die vorliegende Erfindung ein Verfahren gemäß Anspruch 1 bereit.
- Bei einem solchen Verfahren wird die Oberfläche (rückseitige Oberfläche) des Halbleiterwafers mit sich in reinem Wasser ausbreitenden Ultraschallwellen bestrahlt, so daß sich auf der Oberfläche mechanische Beschädigung einstellen kann. Diese Beschädigung dient als eine Rückseitenbeschädigung. Darüber hinaus kommt nur reines Wasser mit dem Substrat in Kontakt, und Verunreinigungen wie Schwermetalle oder Na bleiben nach der Behandlung nicht als Oberflächenverunreinigung auf dem Wafermaterial haften, wie dies beim herkömmlichen Verfahren der Fall ist.
- Deshalb wird ein Oberflächenbehandlungsverfahren für ein Halbleitersubstrat bereitgestellt, mit dem eine saubere mechanische Beschädigung der rückseitigen Oberfläche des Wafers erzielt werden kann.
- Diese Erfindung wird in der nachfolgenden detaillierten Beschreibung unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen erläutert; es zeigen:
- Fig. 1 eine Vorderansicht zur Erläuterung eines Aufbaus eines Behandlungsgeräts, wie es zur Durchführung des erfindungsgemäßen Behandlungsverfahrens verwendet wird; und
- Fig. 2 eine Seitenansicht des in der Fig. 1 dargestellten Behandlungsgeräts.
- Die Fig. 1 ist eine Vorderansicht, welche einen Aufbau eines Behandlungsgeräts, wie es zur Durchführung des erfindungsgemäßen Behandlungsverfahrens verwendet wird, zeigt und die Fig. 2 ist eine Seitenansicht davon. Um jedoch einen Zustand in einem Behandlungsbad 10 zu verdeutlichen, ist dieses Behandlungsbad 10 in den Fig. 1 und 2 im Schnitt dargestellt, so daß sein innerer Aufbau ersichtlich ist. Das Behandlungsbad 10 ist mit einer Behandlungslösung gefüllt, z.B. ultrareinem Wasser 11 oder reinem Wasser. Ein Ultraschallgenerator 12, welcher aus einem Ultraschallwellenoszillator und einer Ultraschallwellenmembran besteht, ist im unteren Abschnitt des Behandlungsbades 10 angeordnet. Die von diesem Ultraschallgenerator 12 erzeugten Ultraschallwellen breiten sich in ultrareinem Wasser 11 des Behandlungsbades 12 aus. Ein Waferträger 14 mit einer senkrecht angeordneten Vielzahl von Siliziumscheiben bzw. -wafern l3, deren Oberflächen hochglanzpoliert sind, wird in das Behandlungsbad 10 getaucht. Zwischen benachbarten Wafern 13 sind im Waferträger 14 jeweils Trennplatten 14 angeordnet.
- Ein Gasversorgungsrohr 16 zur Zuführung eines Gases, wie z.B. Luft oder Stickstoff, ist im unteren Abschnitt des Behandlungsbades 10 angeordnet. Ein Sprühdüse 17 ist in der Mitte in Längsrichtung des Gasversorgungsrohres 16 angeordnet, so daß sie gegenüber einer Hauptoberfläche (einer Oberfläche, auf welcher in den nachfolgenden Schritten Halbleiterelemente ausgeformt werden) jedes Siliziumwafers 13 im Waferträger 14 zu liegen kommt. Das Gas wird aus der entsprechenden Düse 17 auf die Frontfläche jedes Substrats 13 gesprüht. Ein Gasfilter 18 ist in der Mitte in Längsrichtung des Gasversorgungsrohres 16 außerhalb des Behandlungsbades 10 angeordnete um feine im zugeführten Gas enthaltene Partikel zurückzuhalten.
- Wie in der Fig. 2 dargestellt, sind zwei jeweils in der durch Pfeile 100 angegebenen Richtung rotierende Wellen 19 so angeordnet, daß sie mit der Außenfläche jedes Siliziumwafers 13 im Waferträger 14 in Berührung stehen. Durch die Rotation der rotierenden Wellen 19 werden die Wafer 13 in der durch Pfeile 101 in der Fig. 2 angezeigten Richtung in Drehung versetzt.
- Bei dem Behandlungsgerät mit dem obenbeschriebenen Aufbau ist das Behandlungsbad 10 mit ultrareinem Wasser 11 gefüllt, in welches der eine Vielzahl von Siliziumscheiben enthaltende Waferträger 14 getaucht wird. Der Ultraschallgenerator 12 wird zur Erzeugung von Ultraschallwellen aktiviert. Außerdem wird das vorgeschriebene Gas in das Gasversorgungsrohr 16 zur Behandlungsdurchführung eingeleitet. Durch die sich im ultrareinen Wasser ausbreitenden Ultraschallwellen wird deshalb auf der rückseitigen Oberfläche jedes Siliziumwafers 13 im Waferträger 14 eine dreidimensionale Beschädigung oder Verwerfung hervorgerufen. In diesem Fall ist die Ultraschallleistung innerhalb des Bereichs von 50 W bis 500 W eingestellt. Die Frequenz ist innerhalb des Bereichs von 10 kHz bis 100 kHz eingestellt. Ist die Frequenz nicht innerhalb des obigen Bereichs eingestellt, tendieren die Wafer dazu, nicht beschädigt zu werden. Beträgt weiterhin die Leistung 500 W oder mehr, nimmt die Beschädigung zu, so daß ein großer Kratzer auf der Waferoberfläche verbleibt.
- Andererseits entstehen durch Sprühen das Gases aus den Düsen 17 Blasen auf den Hauptoberflächen der Siliziumwafer 13. Diese Blasen bewirken, daß die Ultraschallwellen auf den Hauptoberflächenseiten des Wafers verschwinden. Die Trennplatten 15 sind jeweils zwischen benachbarten Wafern 13 angeordnet, sn daß sich die Ultraschallwellen nicht von einem benachbarten Abschnitt ausbreiten können. Aus diesem Grund bilden sich auf der Hauptoberfläche jedes Wafers 13 keine mechanischen Beschädigungen. Da die Wafer 13 durch die beiden rotierenden Wellen 19 gedreht werden, erfolgen die Ausbildung der mechanischen Schäden auf der rückseitigen Oberfläche und die stufenweise Abdeckung der Hauptoberfläche der Wafer 13 durch Blasen gleichmäßig.
- Die Erfinder veranlaßten die Ausbreitung von Ultraschallwellen mit 38 kHz in ultrareinem Wasser, wobei das obige Behandlungsgerät für eine 15minütige Behandlung verwendet wurde. Als Ergebnis wird die Ausbildung mechanischer Schäden von etwa 1 x 10&sup5; (Atome/cm²) auf der rückseitigen Oberfläche jedes Siliziumwafers 13 bestätigt. Da ultrareines Wasser verwendet wird, beträgt die Anzahl auf der rückseitigen Oberfläche haftender feiner Verunreinigungspartikel pro Wafer mit einem Durchmesser von 12,7 cm (5 Zoll) fünf Stück oder weniger. Die metallische Verunreinigung durch Cu, Fe, Ni, Al oder dergl. beträgt 2 x 10¹&sup0; (Atome/cm²) oder weniger. Eine anschließende Analyse ergab, daß die Wafer 13 extrem sauber sind.
- Somit werden durch das obige Behandlungsverfahren die sich in ultrareinem Wasser ausbreitenden Ultraschallwellen veranlaßt sich entlang der rückseitigen Oberfläche des Halbleiterwafers auszubreiten, so daß sich mechanische Beschädigungen bilden. Deshalb kann die Reinheit mit diesem Verfahren gegenüber der Ausbildung mechanischer Schäden mittels herkömmlichem Sandstrahlen erheblich verbessert werden.
Claims (6)
1. Verfahren zur Behandlung der rückseitigen Oberfläche von
Halbleiterscheiben bzw. -wafern zur Ausbildung
mechanischer Schäden auf dieser rückseitigen Oberfläche zum
Zwecke der Getterung, bei dem Ultraschallwellen
veranlaßt werden, sich entlang der rückseitigen Oberfläche
der Halbleiterwafer (13) in einer Benandlungslösung (11)
auszubreiten, um die mechanischen Schäden auf der
rückseitigen Oberfläche der Halbleiterwafer (13)
hervorzurufen, und bei dem die Behandlungslösung (11) reines
Wasser ist,
wobei der Schritt zur Ausbildung der mechanischen
Schäden folgendes umfaßt:
- senkrechte Anordnung der Halbleiterwafer (13) in einem
mit der Behandlungslösung (11) gefüllten Behandlungsbad
(10),
- Anordnung eines Ultraschallgenerators (12) in einem
unteren Abschnitt dieses Behandlungsbades (10) zur
Veranlassung der Ultraschallwellen mit einer Leistung im
Bereich von 50 W bis 500 W und einer Frequenz im Bereich
von 10 kHz bis 100 kHz sich in der Behandlungslösung
(11) auszubreiten, wodurch sie mechanische Schäden auf
der rückseitigen Oberfläche jedes der Halbleiterwafer
(13) hervorrufen, und
- Sprühen von Gas aus dem unteren Abschnitt zur Erzeugung
von Blasen in der Behandlungslösung (11) auf der
Hauptoberfläche der Halbleiterwafer (13, um dadurch die
Entstehung mechanischer Schäden auf der Hauptoberfläche
jedes der Halbleiterwafer (13) zu verhindern.
2. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Behandlungslösung (11) aus einer Gruppe gewählt
wird, die reines Wasser und ultrareines Wasser umfaßt.
3. Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß das Gas zugeführt wird, nachdem feine Partikel
in einem Gasfilter (18) zurückgehalten sind.
4. Verfahren gemäß Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß
das Gas aus einer Gruppe gewählt wird, die Luft und
Stickstoff umfaßt.
5. Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß Trennwände (15) zwischen dein Halbleiterwafern
(13) angeordnet sind.
6. Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß die Halbleiterwafer (13) gedreht werden (siehe
100) , wenn die mechanischen Schäden ausgebildet werden.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62300356A JPH01143223A (ja) | 1987-11-28 | 1987-11-28 | 半導体基板の表面処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3887477D1 DE3887477D1 (de) | 1994-03-10 |
| DE3887477T2 true DE3887477T2 (de) | 1994-05-11 |
Family
ID=17883799
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE88119716T Expired - Lifetime DE3887477T2 (de) | 1987-11-28 | 1988-11-25 | Verfahren zur Obenflächenbehandlung eines Halbleiterplättchens. |
| DE3856135T Expired - Lifetime DE3856135T2 (de) | 1987-11-28 | 1988-11-25 | Verfahren zur Oberflächenbehandlung eines Halbleiterplättchens |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE3856135T Expired - Lifetime DE3856135T2 (de) | 1987-11-28 | 1988-11-25 | Verfahren zur Oberflächenbehandlung eines Halbleiterplättchens |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4980300A (de) |
| EP (2) | EP0534497B1 (de) |
| JP (1) | JPH01143223A (de) |
| KR (1) | KR920003878B1 (de) |
| DE (2) | DE3887477T2 (de) |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5006475A (en) * | 1989-07-12 | 1991-04-09 | Texas Instruments Incorporated | Method for backside damage of silicon wafers |
| JPH06103678B2 (ja) * | 1987-11-28 | 1994-12-14 | 株式会社東芝 | 半導体基板の加工方法 |
| JP2653511B2 (ja) * | 1989-03-30 | 1997-09-17 | 株式会社東芝 | 半導体装置の洗浄方法及びその洗浄装置 |
| US5090432A (en) * | 1990-10-16 | 1992-02-25 | Verteq, Inc. | Single wafer megasonic semiconductor wafer processing system |
| US5244819A (en) * | 1991-10-22 | 1993-09-14 | Honeywell Inc. | Method to getter contamination in semiconductor devices |
| US5201958A (en) * | 1991-11-12 | 1993-04-13 | Electronic Controls Design, Inc. | Closed-loop dual-cycle printed circuit board cleaning apparatus and method |
| US5164093A (en) * | 1991-11-29 | 1992-11-17 | Motorola, Inc. | Apparatus and method for removing metallic contamination from fluids using silicon beads |
| US5368054A (en) * | 1993-12-17 | 1994-11-29 | International Business Machines Corporation | Ultrasonic jet semiconductor wafer cleaning apparatus |
| US5534078A (en) * | 1994-01-27 | 1996-07-09 | Breunsbach; Rex | Method for cleaning electronic assemblies |
| US5520205A (en) * | 1994-07-01 | 1996-05-28 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus for wafer cleaning with rotation |
| US5672212A (en) * | 1994-07-01 | 1997-09-30 | Texas Instruments Incorporated | Rotational megasonic cleaner/etcher for wafers |
| US5534076A (en) * | 1994-10-03 | 1996-07-09 | Verteg, Inc. | Megasonic cleaning system |
| EP1239512A3 (de) * | 1996-04-24 | 2006-04-12 | SCP U.S., Inc., | Vorrichtung zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter |
| US6039059A (en) | 1996-09-30 | 2000-03-21 | Verteq, Inc. | Wafer cleaning system |
| US5865894A (en) * | 1997-06-11 | 1999-02-02 | Reynolds Tech Fabricators, Inc. | Megasonic plating system |
| JPH10223585A (ja) | 1997-02-04 | 1998-08-21 | Canon Inc | ウェハ処理装置及びその方法並びにｓｏｉウェハの製造方法 |
| US6391067B2 (en) | 1997-02-04 | 2002-05-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer processing apparatus and method, wafer convey robot, semiconductor substrate fabrication method, and semiconductor fabrication apparatus |
| SG63810A1 (en) * | 1997-02-21 | 1999-03-30 | Canon Kk | Wafer processing apparatus wafer processing method and semiconductor substrate fabrication method |
| US6767840B1 (en) | 1997-02-21 | 2004-07-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer processing apparatus, wafer processing method, and semiconductor substrate fabrication method |
| KR19990016634A (ko) * | 1997-08-18 | 1999-03-15 | 윤종용 | 반도체 케미컬 배스 시스템 |
| US6214704B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-04-10 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method of processing semiconductor wafers to build in back surface damage |
| US6904921B2 (en) | 2001-04-23 | 2005-06-14 | Product Systems Incorporated | Indium or tin bonded megasonic transducer systems |
| US6222305B1 (en) | 1999-08-27 | 2001-04-24 | Product Systems Incorporated | Chemically inert megasonic transducer system |
| KR20040000754A (ko) * | 2002-06-25 | 2004-01-07 | 동부전자 주식회사 | 반도체 웨이퍼 세정장치 |
| US20040226654A1 (en) * | 2002-12-17 | 2004-11-18 | Akihisa Hongo | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US6892472B2 (en) * | 2003-03-18 | 2005-05-17 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatus for cleaning and drying a workpiece |
| JP4509501B2 (ja) * | 2003-07-31 | 2010-07-21 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 円板状部材のエッチング方法及び装置 |
| KR101177038B1 (ko) * | 2007-12-10 | 2012-08-27 | 레나 게엠베하 | 물품의 세정 장치 및 방법 |
| DE102008004548A1 (de) * | 2008-01-15 | 2009-07-16 | Rec Scan Wafer As | Waferstapelreinigung |
| US20120289134A1 (en) * | 2011-05-13 | 2012-11-15 | Li-Chung Liu | Cmp slurry mix and delivery system |
| US8911552B2 (en) * | 2011-08-12 | 2014-12-16 | Wafertech, Llc | Use of acoustic waves for purging filters in semiconductor manufacturing equipment |
| KR101358914B1 (ko) * | 2012-02-20 | 2014-02-12 | 주식회사 듀라소닉 | 포토레지스트 박리장치 |
| US9562291B2 (en) | 2014-01-14 | 2017-02-07 | Mei, Llc | Metal etch system |
| RU2680607C1 (ru) * | 2018-01-23 | 2019-02-25 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Способ изготовления полупроводникового прибора |
| RU2680606C1 (ru) * | 2018-01-23 | 2019-02-25 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Способ изготовления полупроводниковых структур |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5271871A (en) * | 1975-12-11 | 1977-06-15 | Nec Corp | Washing apparatus |
| JPS551114A (en) * | 1978-06-19 | 1980-01-07 | Hitachi Ltd | Method and device for washing wafer |
| JPS5660022A (en) * | 1979-10-22 | 1981-05-23 | Nec Corp | Processing method and device for semiconductor wafer |
| US4326553A (en) * | 1980-08-28 | 1982-04-27 | Rca Corporation | Megasonic jet cleaner apparatus |
| JPS6072233A (ja) * | 1983-09-28 | 1985-04-24 | Toshiba Corp | 半導体ウエ−ハの洗浄装置 |
| JPS6091648A (ja) * | 1983-10-25 | 1985-05-23 | Sony Corp | 半導体ウエハの処理方法 |
| JPS61207022A (ja) * | 1985-03-11 | 1986-09-13 | Nec Corp | 純水洗浄装置 |
| WO1987006862A1 (en) * | 1986-05-16 | 1987-11-19 | Eastman Kodak Company | Ultrasonic cleaning method and apparatus |
| JPS63266831A (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-02 | Toshiba Corp | 半導体ウエ−ハの洗浄方法およびその装置 |
| US4902350A (en) * | 1987-09-09 | 1990-02-20 | Robert F. Orr | Method for rinsing, cleaning and drying silicon wafers |
| US4854337A (en) * | 1988-05-24 | 1989-08-08 | Eastman Kodak Company | Apparatus for treating wafers utilizing megasonic energy |
-
1987
- 1987-11-28 JP JP62300356A patent/JPH01143223A/ja active Granted
-
1988
- 1988-11-25 EP EP92119222A patent/EP0534497B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-11-25 DE DE88119716T patent/DE3887477T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-11-25 EP EP88119716A patent/EP0319806B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-11-25 DE DE3856135T patent/DE3856135T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-11-25 US US07/275,864 patent/US4980300A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-11-28 KR KR1019880015699A patent/KR920003878B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3856135T2 (de) | 1998-07-02 |
| EP0534497A1 (de) | 1993-03-31 |
| JPH01143223A (ja) | 1989-06-05 |
| EP0319806A1 (de) | 1989-06-14 |
| DE3887477D1 (de) | 1994-03-10 |
| KR890008952A (ko) | 1989-07-13 |
| KR920003878B1 (ko) | 1992-05-16 |
| DE3856135D1 (de) | 1998-03-26 |
| JPH0524661B2 (de) | 1993-04-08 |
| US4980300A (en) | 1990-12-25 |
| EP0534497B1 (de) | 1998-02-18 |
| EP0319806B1 (de) | 1994-01-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3887477T2 (de) | Verfahren zur Obenflächenbehandlung eines Halbleiterplättchens. | |
| DE10056541B4 (de) | Verfahren zum Reinigen von Quarzsubstraten unter Verwendung von leitenden Lösungen | |
| DE3787595T2 (de) | Verfahren zum Entfernen von unerwünschten Teilchen von der Oberfläche eines Substrats. | |
| DE19525521B4 (de) | Verfahren zum Reinigen von Substraten | |
| DE3844649C2 (de) | ||
| DE2822901C2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen | |
| DE69028180T2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum kontinuierlichen Ätzen | |
| DE69909346T2 (de) | Reinigungslösung für elektronische Bauteile sowie deren Verwendung | |
| DE2429026A1 (de) | Verfahren zum kopieren von duennfilmmustern auf einem substrat und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens | |
| DE4114752A1 (de) | Plasmabearbeitungsverfahren und -vorrichtung | |
| WO2010037739A1 (de) | Verfahren zur chemischen behandlung eines substrats | |
| DE69938120T2 (de) | Mechanismus und Verfahren zum Halten eines mit einer Schicht zu bedeckenden Substrates | |
| DE19704546A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer einseitig beschichteten und mit einem Finish versehenen Halbleiterscheibe | |
| DE69635427T2 (de) | Verfahren zum Trocknen von Substraten | |
| DE3738344A1 (de) | Anlage zum einfuehren von gitterstoerstellen und verfahren dazu | |
| DE60022355T2 (de) | Verfahren zur überprüfung von vorbearbeitungsregelungen in einem waferreinigungssystem | |
| DE69933025T2 (de) | Reinigungsflüssigkeit und reinigungsverfahren für halbleiterbearbeitungsmaschinenkomponente | |
| DE112010003101B4 (de) | Verfahren zur Oberflächenbehandlung eines Wafers | |
| EP0946976B1 (de) | Wässrige reinigungslösung für ein halbleitersubstrat | |
| DE112010004793T5 (de) | Reinigungsverfahren | |
| DE112018004122T5 (de) | Verfahren zum Bewerten von Siliziumwafern und Verfahren zum Herstellen von Siliziumwafern | |
| DE69632107T2 (de) | Reinigungslösung für Halbleiteranordnung und Reinigungsmethode | |
| DE2239145A1 (de) | Verfahren zur behandlung von halbleitermaterialien aus iii-v-verbindungen | |
| DE4339465C2 (de) | Verfahren zur Behandlung der Oberfläche eines einer Trockenätzung ausgesetzten Siliciumsubstrats | |
| DE2334658C3 (de) | Verfahren zum Zerteilen von Halbleiterscheiben |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8364 | No opposition during term of opposition |