RU2680607C1 - Способ изготовления полупроводникового прибора - Google Patents
Способ изготовления полупроводникового прибора Download PDFInfo
- Publication number
- RU2680607C1 RU2680607C1 RU2018102656A RU2018102656A RU2680607C1 RU 2680607 C1 RU2680607 C1 RU 2680607C1 RU 2018102656 A RU2018102656 A RU 2018102656A RU 2018102656 A RU2018102656 A RU 2018102656A RU 2680607 C1 RU2680607 C1 RU 2680607C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- manufacturing
- semiconductor device
- semiconductor
- temperature
- leakage currents
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 6
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/322—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженными токами утечек. Предложен способ изготовления полупроводникового прибора путем формирования на обратной стороне подложки пленки нитрида кремня толщиной 0,4 мкм ВЧ-катодным распылением со скоростью 10 нм/мин при температуре 300°С с последующей термообработкой в атмосфере азота с добавлением 1% кислорода при температуре 1000-1200°С в течение 1-4 ч. Технический результат: снижение токов утечек в полупроводниковых структурах, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение качества и увеличение процента выхода годных приборов. 1 табл.
Description
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженными токами утечек.
Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Патент №4970568 США, МКИ H01L 27/02], обеспечивающий снижение токов утечек путем формирования внутреннего геттера в объеме кремниевой пластины с различной шириной бездефектной зоны под элементами с разной глубиной активных областей. Из-за различия применяемых материалов при изготовлении приборов повышается дефектность структуры и ухудшаются электрические параметры изделий.
Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Патент №4980300 США, МКИ H01L 21/463] путем обработки полупроводниковых подложек для создания геттера. Подложки загружают в ванну с особо чистой водой, там их вращают в горизонтальной либо вертикальной плоскости и одновременно воздействуют У3-колебаний. На поверхности подложки создаются механические повреждения, которые обеспечивают геттерирование с перераспределением дефектов и нежелательных примесей.
Недостатками этого способа являются:
- значительные утечки;
- низкая технологическая воспроизводимость;
- повышенная плотность дефектов.
Задача, решаемая изобретением: снижение значения токов утечек, обеспечение технологичности, улучшение параметров структур, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
Задача решается формированием на обратной стороне подложки пленки нитрида кремня толщиной 0,4 мкм ВЧ-катодным распылением при температуре 300°С со скоростью 10 нм/мин, с последующей термообработкой в атмосфере азота с добавлением 1% кислорода при температуре 1000-1200°С в течение 1-4 часов.
Технология способа состоит в следующем: на кремниевых пластинах n-типа проводимости ВЧ-катодным распылением наносили на обратную сторону подложки пленку нитрида кремния толщиной 0,4 мкм, со скоростью 10 нм/мин при температуре 300°С. Затем проводили термообработку в атмосфере азота с добавлением 1% кислорода при температуре 1000-1200°С в течение 1-4 часов. Нанесение нитрида кремния с последующей термообработкой эффективно подавляет образование поверхностных дефектов упаковки. Затем были изготовлены полупроводниковые приборы по стандартной технологии.
По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Результат обработки представлен в таблице.
Экспериментальные исследования показали, что выход годных структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 15,4%.
Технический результат: снижение токов утечек в полупроводниковых структурах, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение качества и увеличение процента выхода годных приборов.
Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.
Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем формирования на обратной стороне подложки пленки нитрида кремня толщиной 0,4 мкм ВЧ-катодным распылением со скоростью 10 нм/мин при температуре 300°С с последующей термообработкой в атмосфере азота с добавлением 1% кислорода при температуре 1000-1200°С в течение 1-4 часов, позволяет повысить процент выхода годных, улучшить их качество и надежность.
Claims (1)
- Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий подложку, процессы обработки полупроводниковых подложек, отличающийся тем, что на обратной стороне подложки наносят пленку нитрида кремня толщиной 0,4 мкм ВЧ-катодным распылением со скоростью 10 нм/мин при температуре 300°С с последующей термообработкой в атмосфере азота с добавлением 1% кислорода при температуре 1000-1200°С в течение 1-4 ч.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018102656A RU2680607C1 (ru) | 2018-01-23 | 2018-01-23 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018102656A RU2680607C1 (ru) | 2018-01-23 | 2018-01-23 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2680607C1 true RU2680607C1 (ru) | 2019-02-25 |
Family
ID=65479319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018102656A RU2680607C1 (ru) | 2018-01-23 | 2018-01-23 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2680607C1 (ru) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56137620A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-27 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Manufacture of semiconductor |
| JPS57207344A (en) * | 1981-06-16 | 1982-12-20 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS58134430A (ja) * | 1982-02-04 | 1983-08-10 | Nippon Denso Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US4970568A (en) * | 1981-07-17 | 1990-11-13 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and a process for producing a semiconductor device |
| US4980300A (en) * | 1987-11-28 | 1990-12-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Gettering method for a semiconductor wafer |
| SU1410783A1 (ru) * | 1985-10-22 | 1994-05-30 | В.А. Гогиберидзе | Способ изготовления структур мдп-интегральных схем |
-
2018
- 2018-01-23 RU RU2018102656A patent/RU2680607C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56137620A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-27 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Manufacture of semiconductor |
| JPS57207344A (en) * | 1981-06-16 | 1982-12-20 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| US4970568A (en) * | 1981-07-17 | 1990-11-13 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and a process for producing a semiconductor device |
| JPS58134430A (ja) * | 1982-02-04 | 1983-08-10 | Nippon Denso Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| SU1410783A1 (ru) * | 1985-10-22 | 1994-05-30 | В.А. Гогиберидзе | Способ изготовления структур мдп-интегральных схем |
| US4980300A (en) * | 1987-11-28 | 1990-12-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Gettering method for a semiconductor wafer |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110534474B (zh) | 衬底上薄膜的制备方法 | |
| RU2680607C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2688851C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2680606C1 (ru) | Способ изготовления полупроводниковых структур | |
| RU2539801C1 (ru) | Способ изготовления тонкого слоя диоксида кремния | |
| RU2522930C2 (ru) | Способ изготовления тонкопленочного транзистора | |
| RU2476955C2 (ru) | Способ формирования легированных областей полупроводникового прибора | |
| RU2445722C2 (ru) | Способ изготовления полупроводниковой структуры | |
| RU2621372C2 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2654819C1 (ru) | Способ изготовления полупроводниковых структур | |
| RU2688881C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2726904C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2804603C1 (ru) | Способ изготовления полупроводниковой структуры | |
| RU2796455C1 (ru) | Способ изготовления полупроводниковой структуры | |
| RU2819702C1 (ru) | Способ изготовления тонкопленочного транзистора | |
| RU2804604C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2654984C1 (ru) | Способ изготовления легированных областей | |
| RU2755774C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| Aleksandrov et al. | On the generation of charge-carrier recombination centers in the sapphire substrates of silicon-on-sapphire structures | |
| RU2733941C2 (ru) | Способ изготовления полупроводниковой структуры | |
| RU2388108C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2629655C2 (ru) | Способ изготовления полупроводниковой структуры | |
| RU2550586C1 (ru) | Способ изготовления контактно-барьерной металлизации | |
| RU2723981C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
| RU2723982C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20210124 |