DE3855093T2

DE3855093T2 - Bipolarhalbleiteranordnung

Info

Publication number: DE3855093T2
Application number: DE3855093T
Authority: DE
Inventors: Mie C O Patent Division Kato; Takashi C O Patent Divi Kimura
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1987-10-14
Filing date: 1988-10-13
Publication date: 1996-08-29
Anticipated expiration: 2008-10-14
Also published as: EP0312048B1; KR910007104B1; JPH01100935A; EP0312048A2; DE3855093D1; US4996580A; JPH0318341B2; EP0312048A3; KR890007402A

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Halbleitervorrichtung, und insbesondere auf eine Halbleitervorrichtung mit einer Struktur zum Überwachen der Stromverstärkung eines Transistors, der in der Vorrichtung gebildet ist.
Beim bipolaren Transistor ist die Stromverstärkung hFE des Transistors einer der wichtigen Eaktoren, die die Leistungsfähigkeit des Transistors bestimmen.
Figur 1 ist eine Schnittansicht, die eine Elementenstruktur eines herkömmlichen NPN-Transistors darstellt. Auf einem N&spplus;- leitenden Silizium-Halbleitersubstrat 30 ist ein N-leitender Kollektorbereich 31 epitaktisch aufgewachsen. In der Oberflächenschicht eines Kollektorbereiches 31 ist ein P- leitender Basisbereich 32 durch Störatomdiffusion gebildet. In der Oberflächenschicht des Basisbereiches 32 ist ein N&spplus;- leitender Emitterbereich 33 ebenfalls durch Störatomdiffusion gebildet. Und weiter ist ein P&spplus;-leitender Basiskontaktbereich 34 in Berührung mit dem Basisbereich 32 gebildet, wiederum durch Störatomdiffusion. Schließlich ist ein Isolierfilm 35 mit einem vorbestimmten Muster auf der Substratoberfläche als Schutzfilm gebildet.
Die Stromverstärkung hFE des obigen Transistors wird als Verhältnis des Kollektorstroms zum Basisstrom gemessen, wobei der Kollektorstrom gemessen wird, wenn der Basisstrom nach Anlegen einer vorbestimmten Vorspannung an den Kollektor- Emitterpfad fließt. Wenn das Meßergebnis von hFE anzeigt, daß es sich nicht auf dem gewünschten Wert befindet, wird der Emitterbereich 33 einer zusätzlichen Störatomdiffusion unterzogen, woraufhin die Stromverstärkung hFE erneut gemessen wird.
Wenn hFE des Transistors gemessen werden soll, werden, wie in Figur 1 dargestellt, Zuleitungen 36 und 37, die an vorbestimmte Potentiale angeschlossen sind, jeweils in Kontakt mit den Oberflächen des N&spplus;-leitenden Emitterbereichs 33 und des P&spplus;-leitenden Basiskontaktbereiches 34 in Berührung gebracht, um einen Basisstrom durch den Basisbereich 32 zum Betreiben des Transistors fließen zu lassen. Ein Abschnitt des Isolierfilms 35 (ein durch eine gestrichelte Linie gekennzeichneter Abschnitt) wird entfernt, um im Film 35 ein Kontaktloch zu bilden, so daß die Zuleitung 37 durch das Kontaktloch in Berührung mit dem Bereich 34 gebracht werden kann. Nun ist aber der Basis-Emitter-Übergang durch das Kontaktloch direkt der Atmosphäre ausgesetzt. Es ist daher schwierig, den Wert hFE exakt zu messen. Aus diesem Grunde kann die Stromverstärkung hFE nicht auf einen gewünschten Wert eingestellt werden.
Um diesen Nachteil zu beseitigen ist ein herkömmlicher NPN- Transistor mit einer hFE-Monitorstruktur entwickelt worden, wie er in Figur 2 dargestellt ist. Zwei N&spplus;-leitende Emitterbereiche 33 A und 33B sind im P-leitenden Basisbereich 32 des Transistors gebildet, wobei ein Bereich 33A als normaler Emitterbereich, und ein Bereich 338 als ein Dummy- Basisbereich dienen. Der P-N-Übergang zwischen dem Emitterbereich 33 A und dem P-leitenden Basisbereich 32 ist durch eine Isolierfilm 35 abgedeckt. Wenn die Stromverstärkung hFE des Transistors gemessen werden soll, werden Zuleitungen 36 und 37 jeweils entsprechend in Kontakt mit den Oberflächen der Bereiche 33A und 33B gebracht, um eine Sperrspannung an den Pfad zwischen dem Dummy- Basisbereich 328 und dem P-leitenden Basisbereich 32 zu legen, so daß ein Basisstrom durch den P-leitenden Basisbereich 32 zum Betreiben des Transistors geleitet wird.
Bei diesem Transistor mit Monitorstruktur kann die Reproduzierbarkeit der Stromverstärkung hFE erheblich verbessert werden, da der Basis-Emitter-Übergang nicht der Atmosphäre ausgesetzt ist. Allerdings muß zum Fließenlassen des Basisstroms in der genannten Struktur eine große Sperrspannung an den Pfad zwischen dem Dummy-Basisbereich 33B und dem P-leitenden Basisbereich 32 angelegt werden. Daher unterscheidet sich bei einem Hochfrequenztransistor, bei dem die Diffusionstiefe xj des P-leitenden Basisbereichs 32 sehr klein ist (normalerweise 1 µm oder weniger), der unter Benutzung des Dummy-Basisbereichs gemessene Wert von hFE erheblich vom Wert hFE des normalen Transistors (einem Transistor, der den P-leitenden Bereich 32 als Basisbereich aufweist). Infolgedessen kann hFE des normalen Transistors nicht auf einen gewünschten Wert eingestellt werden.
Eine Vorrichtung, welche die Merkmale des Oberbegriffes des Anspruchs 1 aufweist, ist aus der Druckschrift US-A-4 319 257 bekannt.
Ein Monitor- bzw. Überwachungselement zum Messen der Kennwerte eines Halbleiters, der Elektroden aus polykristallinem Silizium aufweist, ist in der Druckschrift US-A-4 197 632 dargestellt.
Die vorliegende Erfindung ist in Anbetracht der oben dargestellten Lage entwickelt worden und hat die Schaffung einer Halbleitervorrichtung zum Ziel, die eine Monitorstruktur zum exakten Messen der Stromverstärkung hFE eines normalen Halbleiterelementes aufweist, und die in der Lage ist die Stromverstärkung hFE eines normalen Haibleiterelementes auf einen gewünschten Wert einzustellen.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine Halbleitervorrichtung geschaffen, die aufweist:
Halbleitervorrichtung, aufweisend:
einen Halbleiterkörper eines ersten Leitfähigkeitstyps;
einen ersten Halbleiterbereich eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der im genannten Halbleiterkörper gebildet ist;
einen zweiten Halbleiterbereich des ersten Leitfähigkeitstyps, der in dem genannten ersten Halbleiterbereich gebildet ist;
einen dritten Halbleiterbereich des zweiten Leitfähigkeitstyps, der in dem ersten Halbleiterbereich getrennt vom zweiten Bereich gebildet ist und Störatome mit einer Konzentration enthält, die größer als diejenige des ersten Halbleiterbereiches ist; und
einen vierten Halbleiterbereich des ersten Leitfähigkeitstyps; gekennzeichnet durch:
Isolierfilme, die auf dem genannten Halbleiterkörper gebildet sind und eine erste und zweite Öffnung in Positionen aufweisen, die jeweils dem zweiten und vierten Halbleiterbereich entsprechen;
eine erste Polysilizium-Halbleiterschicht, die durch die erste Öffnung der genannten Isolierfilme an den genannten zweiten Halbleiterbereich angeschlossen ist und Störatome des ersten Leitfähigkeitstyps enthält;
eine zweite Polysilizium-Halbleiterschicht, die durch die genannte zweite Öffnung der genannten Isolierfilme an den vierten Halbleiterbereich angeschlossen ist und Störatome des ersten Leitfähigkeitstyps enthält;
wobei der genannte vierte Halbleiterbereich im genannten dritten Halbleiterbereichen gebildet ist.
Bei der oben beschriebenen Halbleitervorrichtung der vorliegenden Erfindung ist ein vierter Halbleiterbereich, der als eine Dummy-Basis benutzt wird, im dritten Halbleiterbereich des gleichen Leitfähigkeitstyps wie dem des, als Basisbereich dienenden ersten Halbleiterbereichs gebildet und enthält Störatome mit einer Konzentration, die größer als die des ersten Halbleiterbereichs ist. Eine relativ kleine Sperrspannung, die an den P-N-Übergang zwischen dem vierten und dem dritten Halbleiterbereich angelegt wird, reicht aus, um den Basisstrom fließen zu lassen, mit dem Ergebnis, daß die Stromverstärkung hFE des normalen Transistors mit hoher Genauigkeit gemessen werden kann.
Die Erfindung wird anhand der nachfolgenden detaillierten Beschreibung in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen besser verstanden.
-Figur 1 ist eine Schnittansicht eines herkömmlichen NPN- Transistors;
Figur 2 ist eine Schnittansicht des herkömmlichen NPN- Transistors mit einer hFE-Monitorstruktur;
Figur 3 ist eine Schnittansicht eines NPN-Transistors gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
Figuren 4A bis 4H sind Schnittansichten, die die Struktur des NPN-Transistors der Figur 3 in jeder Herstellungsstufe veranschaulichen;
Figur 5 ist eine Schnittansicht des NPN-Transistors gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; und
Figuren 6 und 7 sind Schnittansichten des NPN-Transistors gemäß weiterer Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung.
Nachfolgend wird die Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
Figur 3 ist eine Schnittansicht, die die Elementenstruktur eines NPN-Transistors einer Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Bezugnehmend auf Figur 3 bezeichnet das Bezugszeichen 10- ein N&spplus;-leitendes Silizium-Halbleitersubstrat, auf dem eine N- leitende Kollektorbereichsschicht 11 mit einer Dicke von 10 um gebildet ist. Ein P-leitender Basisbereich 12 mit einer Tiefe von 0,3 um ist in der Oberflächenschicht einer N- leitenden Kollektorbereichsschicht 11 gebildet, während ein N&spplus;-leitender Emitterbereich 13 in der Oberflächenschicht des Basisbereichs 12 gebildet ist. Darüber hinaus ist ein P&spplus;- leitender Basiskontaktbereich 14 in Berührung mit dem Basisbereich 12 ausgebildet, während ein P&spplus;-leitender Hochkonzentrationsbereich 15 im P-leitenden Basisbereich 12 gebildet ist. Weiter ist ein N&spplus;-leitender Hochkonzentrationsbereich 16, der als Dummy-Basisbereich dient, in der Oberflächenschicht des P&spplus;-leitenden Hochkonzentrationsbereichs 15 gebildet.
Auf der Oberfläche der N-leitenden Kollektorbereichsschicht 11 ist ein Siliziumoxidfilm (SiO&sub2;) 17 gebildet, und auf dem Film ist ein Siliziumnitridfilm (Si&sub3;N&sub4;) 18 gebildet. In den Filmen 17 und 18 sind Öffnungen 19 und 20 angebracht die jeweils entsprechend die Oberflächen des N&spplus;-leitenden Emitterbereichs 13 und des N&spplus;-leitenden Hochkonzentrationsbereichs 16 teilweise freilegen. Auf dem Siliziumnitridfilm 18 ist eine Polisiliziumschicht 21 angebracht, derart, daß sie die Oberfläche des N&spplus;-leitenden Emitterbereichs 13 durch die Öffnung 19 berührt, und weiter ist eine Polisiliziumschicht 22 ebenfalls auf dem Film 18 angebracht, derart, daß sie die Oberfläche des N&spplus;-leitenden Hochkonzentrationsbereichs 16 durch die Öffnung 20 hindurch berührt. Um die genannten Polisiliziumschichten 21 und 22 herzustellen, wird Polisilizium, das N-leitende Störatome enthält, auf der größeren Oberfläche der Halbleitervorrichtung aufgebracht, und dann wird die gebildete Polysiliziumschicht bemustert, um die Schichten 21 und 22 zu bilden. Die Polysiliziumschicht 21 wird als Emitterelektrode, und die Polysiliziumschicht 22 als Dummy- Basiselektrode benutzt.
Die Stromverstärkung hFE des Transistors wird als das Verhältnis des Kollektorstroms zum Basisstrom gemessen, wobei der Kollektorstrom gemessen wird, wenn der Basisstrom durch die Zuleitungen 23 und 24 fließt, welche mit den vorbestimmten Potentialen nach Anlegen einer vorbestimmten Vorspannung an den Kollektor-Emitterpfad verbunden sind. Wenn hFE gemessen werden soll, werden, wie in Figur 3 dargestellt, die Zuleitungen 23 und 24 in Kontakt mit den Oberflächen der Polysiliziumschichten 21 bzw. 22 gebracht, um vorbestimmte Potentiale an die Bereiche 23 und 24 anzulegen, so daß der Basisstrom durch den Basisbereich 12 fließt.
Zwischen dem N&spplus;-leitenden Emitterbereich 13 und dem P- leitenden Basisbereich 12 ist ein P-N-Zonenübergang gebildet, und durch die Polysiliziumschicht 21 abgedeckt und somit der Atmosphäre nicht direkt ausgesetzt. Daher wird die Stromverstärkung hFE durch die Atmosphäre nicht beeinflußt. Da der N&spplus;-leitende Hochkonzentrationsbereich 16, welcher als Dummy-Bereichsbasis der vorliegenden Ausführungsform dient, im P&spplus;-leitenden Hochkonzentrationsbereich 15 gebildet ist, welcher Störatome mit einer Konzentration enthält, die größer als diejenige des P-leitenden Basisbereichs 12 ist, kann darüber hinaus der Wert einer Sperrspannung, die an den P-N- Übergang zwischen den N+-leitenden Hochkonzentrationsbereich 16 und P&spplus;-leitenden Hochkonzentrationsbereich 15 angelegt werden muß, wenn der Basisstrom fließt, kleiner als die bei der, in Figur 2 dargestellten herkömmlichen Vorrichtung sein. Daher kann die Rückwärts-Durchbruchsspannung des P-N- Übergangs klein sein. Als Ergebnis nähert sich die unter Benutzung des Dummy-Basisbereichs entstehende Stromverstärkung hFE der Stromverstärkung des normalen Transistors (Transistor mit einem P-leitenden Bereich 12 als Basisbereich). Daher hat selbst ein Hochfrequenztransistor, bei dem die Diffusionstiefe des P-leitende Basisbereichs 12 sehr klein ist, die unter Benutzung des Dummy-Basisbereichs gemessene Stromverstärkung hFE im wesentlichen den gleichen Wert wie die des normalen Transistors. Dementsprechend kann bei der Transistorstruktur der obigen Ausführungsform der hFE-Wert des normalen Transistors auf den gewünschten Wert eingestellt werden.
Der die obige Struktur aufweisende Transistor kann durch das folgende Verfahren hergestellt werden: eine 10 µm dicke N- leitende Kollektorbereichsschicht 11, die P (Phosphor mit einer Konzentration 1 x 10¹&sup5; Atomen/cm³ enthält, wird auf einem Siliziumsubstrat 10 gebildet, das Sb (Antimon) mit einer Konzentration von 1 x 10¹&sup8; Atomen/cm³ enthält (Figur 4A). Dann wird eine Photolackmaske (nicht dargestellt) mit einem vorbestimmten Muster auf der Oberfläche der Kollektorbereichsschicht 11 angebracht. Als nächstes werden B-Ionen (Borionen) durch die Photolackmaske hindurch mit einer Beschleunigungsspannung von 40 kev und einer Dosis von 2 x 10¹&sup5; Ionen/cm² implantiert und diffundiert und dann durch Glühbehandlung aktiviert, die bei einer Temperatur von 1000ºC eine Stunde lang stattfindet, um den P&spplus;-leitenden Kontaktbereich 14 und den P&spplus;-leitenden Hochkonzentrationsbereich 15 auszubilden (Figur 4B).
Anschließend wird ein Siliziumoxidfilm 17 in eine Dicke von 1500 Å (10 Å = 1 nm) auf der Oberfläche der N-leitenden Kollektorbereichsschicht 11 durch thermische Oxidation aufgewachsen, und auf dem Film wird eine Photolackmaske (nicht dargestellt) aufgebracht. Dann werden B-Ionen mit einer Beschleunigungsspannung von 35 keV und einer Dosis von 1 x 10¹&sup4; Ionen/cm² implantiert, um den P-leitenden Basisbereich 12 mit einer Tiefe von 0,3 µm durch Glühbehandlung bei 900ºC während 30 Minuten zu bilden (Figur 4C). Anschließend wird auf dem Siliziumoxidfilm 17 der Siliziumnitridfilm 18 durch chemische Zersetzung gebildet (Figur 4D). Durch Photolithographie werden Öffnungen 19 und 20 hergestellt (Figur 4E). Eine Gasmischung, die SiH&sub4; und AsH&sub3; enthält, wird auf 700ºC erwärmt, um auf dem Siliziumnitridfilm 18 eine Polysiliziumschicht mit einer Dicke von 5000 Å zu bilden, die As (Arsen) enthält. Danach werden überflüssige Abschnitte der vorliegenden Siliziumschicht durch selektives Ätzen entfernt, woraufhin das Bemustern zur Bildung der Polysiliziumschichten 21 und 22 durchgeführt wird (Figur 4G). Um ein Ausdiffundieren der in diesen Polysiliziumschichten 21 und 22 enthaltenen Störatome zu verhindern, wird dann durch thermische Zersetzung ein Siliziumoxidfilm (nicht dargestellt) mit einer Dicke von 5000 Å auf der gesamten Oberfläche gebildet. Anschließend erfolgt eine Wärmebehandlung bei 1000ºC während 20 Sekunden, um die Störatome aus den Polysiliziumschichten 21 und 22 in die Kollektorbereichsschicht 11 einzudiffundieren. Anschließend werden der N&spplus;-leitende Emitterbereich 13 und der N&spplus;-leitende Hochkonzentrationsbereich 16 jeweils entsprechend im P- leitenden Basisbereich 12 und im P&spplus;-leitenden Hochkonzentrationsbereich 15 gebildet (Fig. 4H). Damit ist der Transistor mit der in Figur 3 dargestellten Struktur hergestellt.
Wenn die Stromverstärkung hFE gemessen wird, wird der das Ausdiffundieren verhindernde Siliziumoxidfilm entfernt, um die Oberflächen der Polysiliziumschichten 21 und 22 freizulegen. In diesem Zustand werden die Zuleitungen 23 und 24 in Kontakt mit den Oberflächen der entsprechenden Schichten gebracht, woraufhin durch die Zuleitungen 23 und 24 eine niedrige Sperrspannung an den P-N-Übergang zwischen den N&spplus;-leitenden Bereich 16 und den P&spplus;-leitenden Bereich 15 angelegt wird, so daß ein Basisstrom von beispielsweise etwa 5 bis 50 µA zum Fließen gebracht wird.
Wenn hFE nicht den gewünschten Wert erreicht, werden die Polysiliziumschichten 21 und 22 erneut mit dem Siliziumoxidfilm überzogen, woraufhin erneut eine Wärmebehandlung durchgeführt wird, wodurch die Störatome aus den Polysiliziumschichten 21 und 22 in die Kollektorbereichsschicht 11 eindiffundiert werden. Diese Schritte werden so oft wie erforderlich wiederholt, damit die Stromverstärkung hFE auf den gewünschten Wert eingestellt werden kann.
Figur 5 ist eine Schnittansicht, die die Elementenstruktur einer Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Die Vorrichtung dieser Ausführungsform unterscheidet sich von der obigen Ausführungsform dadurch, daß ein Siliziumoxidfilm 25 auf den Polysiliziumschichten 21 und 22 gebildet ist. Öffnungen 26 und 27 sind an Stellen beziehungsweise in Positionen des Siliziumoxidfilms 25 angebracht, wo die genannten Zuleitungen 23 und 24 jeweils entsprechend in Kontakt mit den Polysiliziumschichten 21 und 22 gebracht werden.
Da der Siliziumoxidfilm 25 auf den Oberflächen der Polysiliziumschichten 21 und 22 angebracht wird, kann bei der Vorrichtung der oben beschriebenen Struktur der Wiedererwärmungsprozeß nach Messen des Stromverstärkungsfaktors durchgeführt werden, ohne einen weiteren Siliziumoxidfilm auf den Polysiliziumschichten 21 und 22 anzubringen, wodurch die Bearbeitbarkeit wirksam verbessert wird.
Bei den Vorrichtungen der wie oben beschrieben ausgebildeten Ausführungsformen kann die Stromverstärkung hFE eines normalen Transistors mit hoher Genauigkeit gemessen werden, und weiter kann die Stromverstärkung auf den gewünschten Wert eingestellt werden. Da die Schichtwiderstände der Polysiliziumschichten 21 und 22 bei den Vorrichtungen der obigen Ausführungsformen ausreichend, auf 10 Ω oder darunter, verringert werden können, kann der betreffende Transistor darüber hinaus nicht nur als Transistor mit einer hFE-Monitorstruktur verwendet werden, sonder auch als ein mehrschichtiges Elektrodenelement.
Es sei darauf hingewiesen, daß die vorliegende Erfindung nicht auf die obigen Ausführungsformen beschränkt ist, und daß verschiedene Anderungen und Abwandlungen im Rahmen der beigefügten Ansprüche vorgenommen werden können. Beispielsweise ist bei den Ausführungsformen der Figuren 3 und 4 nur der Fall beschrieben, bei dem die vorliegende Erfindung bei einem NPN-Transistor angewandt wird. Wie aber die Figuren 6 und 7 zeigen, wird ein P-leitender Halbleiter als Substrat 10 benutzt, und auf dem Substrat ist eine P- leitende epitaktische Schicht aufgewachsen, so daß ein PNP- Transistor konfiguriert werden kann.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird, wie oben beschrieben, eine Halbleitervorrichtung geschaffen, bei der die Stromverstärkung hFE eines normalen Halbleiterelementes mit hoher Genauigkeit gemessen werden kann, und bei der ein gewünschter hFE-Wert eingestellt werden kann.

Claims

1. Halbleitervorrichtung, aufweisend:

einen Halbleiterkörper (11) eines ersten Leitfähigkeitstyps;

einen ersten Halbleiterbereich (12) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der im genannten Halbleiterkörper (11) gebildet ist;

einen zweiten Halbleiterbereich (13) des ersten Leitfähigkeitstyps, der in dem genannten ersten Halbleiterbereich gebildet ist;

einen dritten Halbleiterbereich (15) des zweiten Leitfähigkeitstyps, der in dem ersten Halbleiterbereich getrennt vom zweiten Bereich gebildet ist und Störatome mit einer Konzentration enthält, die größer als diejenige des ersten Halbleiterbereiches ist; und

einen vierten Halbleiterbereich (16) des ersten Leitfähigkeitstyps; gekennzeichnet durch:

Isolierfilme (17,18), die auf dem genannten Halbleiterkörper (11) gebildet sind und eine erste und zweite Öffnung (19,20) in Positionen aufweisen, die jeweils dem zweiten und vierten Halbleiterbereich entsprechen;

eine erste Polysilizium-Halbleiterschicht (21), die durch die erste Öffnung der genannten Isolierfilme an den genannten zweiten Halbleiterbereich angeschlossen ist und Störatome des ersten Leitfähigkeitstyps enthält;

eine zweite Polysilizium-Halbleiterschicht (22), die durch die genannte zweite Öffnung der genannten Isolierfilme an den vierten Halbleiterbereich angeschlossen ist und Störatome des ersten Leitfähigkeitstyps enthält;

wobei der genannte vierte Halbleiterbereich (16) im genannten dritten Halbleiterbereichen (15) gebildet ist, und

wobei der genannte Halbleiterkörper (11), der genannte erste Halbleiterbereich (12), der genannte zweite Halbleiterbereich (13), der genannte vierte Halbleiterbereich (16), die genannte erste Polysilizium- Halbleiterschicht (21) und die genannte zweite Polysilizium-Halbleiterschicht (22) jeweils entsprechend als Kollektor, als Basisbereich, als Emitterbereich, als Dummy-Basisbereich, als Emitterelektrode und als Basiselektrode benutzt werden.

2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß

sie weiter einen vierten Isolierfolm (25) aufweist, der auf der ersten und der zweiten Polysilizium- Halbleiterschicht gebildet ist und Öffnungen zum teilweisen Freilegen der genannten Polysilizium- Halbleiterschichten besitzt.