DE3853545T2 - Verfahren zum Aufbringen von Verbundschichten. - Google Patents
Verfahren zum Aufbringen von Verbundschichten.Info
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- DE3853545T2 DE3853545T2 DE3853545T DE3853545T DE3853545T2 DE 3853545 T2 DE3853545 T2 DE 3853545T2 DE 3853545 T DE3853545 T DE 3853545T DE 3853545 T DE3853545 T DE 3853545T DE 3853545 T2 DE3853545 T2 DE 3853545T2
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 69
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 44
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 44
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims abstract description 42
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 31
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 claims abstract description 28
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 19
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 67
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 67
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 56
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 34
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 28
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 23
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 21
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 11
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 10
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 9
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 9
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 claims description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910007932 ZrCl4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 4
- DUNKXUFBGCUVQW-UHFFFAOYSA-J zirconium tetrachloride Chemical compound Cl[Zr](Cl)(Cl)Cl DUNKXUFBGCUVQW-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 2
- -1 zirconium halides Chemical class 0.000 claims 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910000946 Y alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001093 Zr alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 31
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 abstract description 31
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 23
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 abstract description 10
- 238000005524 ceramic coating Methods 0.000 abstract description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 35
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910009474 Y2O3—ZrO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009523 YCl3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002051 biphasic effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000002537 cosmetic Substances 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005065 mining Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- PCMOZDDGXKIOLL-UHFFFAOYSA-K yttrium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Y+3] PCMOZDDGXKIOLL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/403—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/405—Oxides of refractory metals or yttrium
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Reinforced Plastic Materials (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Description
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abscheiden einer verschleißbeständigen Beschichtung auf einem Sintercarbid- oder Hartkeramiksubstrat, und insbesondere die Abscheidung einer zwei- oder mehrphasigen Verbundoxidbeschichtung auf solch einem Substrat. Des weiteren betrifft die Erfindung ein verschleißbeständiges Frzeugnis.
- FR-A-2 393 852 offenbart ein Verfahren zum Bilden einer dünnen verschleißbeständigen Beschichtung, welche hauptsächlich aus Al&sub2;O&sub3; besteht, wobei ungefähr 85% des Al&sub2;O&sub3; in der Kappaphase vorliegt. Um die Bildung der Kappaphase zu unterstützen, können geringe Mengen Titan, Zirconium und/Hafnium zugegeben werden. Mitabscheidungsverfahren, die in diesem Stand der Technik beschrieben sind, führt immer zu einer festen Lösung der zwei Materialien, z.B. zu Oxiden. Der Stand der Technik gibt keine Anhaltspukte darüber wie diskrete Teilchen erzielt werden können. Des weiteren wird die Wirkung von diskreten Teilchen in einer verschleißbeständigen Beschichtung nicht erwähnt.
- Des weiteren offenbart der Abstract von JP-A-59222570 die Bildung einer verschleißbeständigen Beschichtung, welche aus unterschiedlichen Schichten besteht. Im Gegensatz zu diesem Abstract beschreibt JP-A-59222570 nur die Bildung einer einschichtigen Beschichtung, welche aus Al&sub2;O&sub3;, ZrO&sub2; und/oder HfO&sub2; besteht. Während die Beschichtung unter Verwendung des Plasma-CVD-Verfahrens durchgeführt wird, reagieren die Ausgangsmaterialien miteinander, zum Beispiel findet ein Dotieren des Zirconiumoxids oder des Hafniumoxids in dem Al&sub2;O&sub3; statt und aktiviert dadurch die Oberflächendiffusion von Al³&spplus; in Al&sub2;O&sub3;. In dem Endprodukt der Beschichtung, ist das Ausgangsmaterial entweder in der Form einer festen Lösung oder einer geeigneten Mischung enthalten, wobei die unterschiedlichen Teilchen nicht diskontinuierlich sondern kontinuierlich eingebettet sind.
- Sintercarbid- und Hartkeramikmaterialien sind bekannt und werden intensiv für solche Anwendungen eingesetzt, wie Bergbaumeißelwerkzeuge, Metallschneid- und Bohrwerkzeuge, Metallziehdüsen, verschleißbeständige Maschinenteile und dergleichen. Die hier verwendeten Hartkeramikmaterialien betreffen solche Zusammensetzungen wie Al&sub2;O&sub3;, Si&sub3;N&sub4;, Silciumaluminiumoxynitrid und ähnliche Verbindungen, wie harte und dichte monolithische- oder Verbundmaterialien. Die Verbundwerkstoffe umfassen solche, die Whisker und/oder Teilchen aus SiC, Si&sub3;N&sub4;, anderen keramischen Materialien und Metallcarbiden, -nitriden und -carbonitriden, wie TiC und TiN, enthalten. Es ist des weiteren bekannt, daß die Gebrauchseigenschaften, wie Verschleiß-, Hochtemperatur- und chemische Beständigkeit solcher Materialien, durch den Einsatz einer oder mehrerer dünner Beschichtungen, z.B. aus Metallcarbiden, Metallnitriden oder Keramiken gesteigert werden können. Große Fortschritte wurden in bezug auf die verbesserte Leistung dieser beschichteten Substrate errungen, z. B. bei Bearbeitungsverwendungen, durch das Reinigen, bzw. Vergüten der Substratzusammensetzung und durch das Aufbringen verschiedener Kombinationen übereinander angeordneter Schichten aus den Beschichtungsmaterialien. Die zunehmend härteren Einsatzbedingungen, z.B. die Verwendung bei hohen Schneidgeschwindigkeiten oder in extrem hohen Temperaturen und/oder korrosiven Umgebungen, stellen jedoch erhöhte Forderungen an die Leistungsfähigkeit solcher Materialien.
- Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zur Abscheidung einer verschleißbeständigen Verbundbeschichtung mit gesteuerter Zusammensetzung und Verteilung auf einem Sintercarbid- oder Hartkeramiksubstrat, und ein Erzeugnis, welches aus dieser verschleißbeständigen Beschichtung und dem Sintercarbid- oder Hartkeramiksubstrat besteht und verbesserte Verschleißbeständigkeit unter extremen Einsatzbedingungen zeigt, zur Verfügung zu stellen.
- Diese Aufgabe wird in bezug auf das Verfahren durch den Gegenstand des Anspruchs 1 und in bezug auf das Erzeugnis durch den Gegenstand des Anspruchs 22 gelöst.
- Ein verbessertes Verfahren zur Abscheidung einer verschleißbeständigen Keramikbeschichtung auf ein Sintercarbid- oder Hartkeramiksubstrat, gemäß einer Ausführungsform der Erfindung, umfaßt das Leiten einer ersten gasförmigen Mischung aus einem ersten Halogeniddampf, welcher aus den Halogeniden von Aluminium, Yttrium und Zirkonium ausgewählt ist, zusammen mit anderen Reaktionsgasen, und wahlweise einem Trägergas über ein Sintercarbid- oder Hartkeramiksubstrat. Die Temperatur beträgt ungefähr 900º-1250ºC für Sintercarbidsubstrate, oder ungefähr 900º-1500ºC für Hartkeramiksubstrate, und der Druck liegt zwischen ungefähr 1 Torr und ungefähr dem Umgebungsdruck. Die Partialdruckverhältnisse, die Durchflußgeschwindigkeit und der Zeitraum sind ausreichend um eine kontinuierliche, vollständig dichte, haftende, verschleißbeständige Schicht aus einem Material, welches aus den Aluminium-, Zirconium-, und Yttriumoxiden ausgewählt ist, mit ungefähr 0,1-20 Mikron Dicke auf dem Substrat abzuscheiden. Wenigstens ein zusätzlicher Dampf, ausgewählt unter den Halogeniden von Aluminium, Zirconium und Yttrium wird mit der ersten gasförmigen Mischung vermischt. Der zusätzliche Metallhalogeniddampf unterscheidet sich von dem ersten Halogeniddampf und wird bei einem Partialdruck vermischt, welcher ausgewählt wurde, um wenigstens eine diskontinuierliche zusätzliche Phase, welche als diskrete Teilchen innerhalb der kontinuierlichen Oxidschicht dispergiert ist, aus wenigstens einem Material ausgewählt unter den Oxiden von Aluminium, Zirkonium und Yttrium zu bilden, um eine verschleißbeständige keramische Verbundschicht auf dem Substrat zu bilden.
- In einem bevorzugten Verfahren gemäß der Erfindung wird der zusätzliche Metallhalogeniddampf mit der ersten Mischung dadurch vermischt, daß während der Abscheidung der kontinuierlichen Schicht zeitweise der zusätzliche Dampf in die erste Gasmischung pulsiert wird, um sich mit dieser zu vermischen. Besonders bevorzugt wird ein einphasiger Oxidbereich vor dem zwei- oder mehrphasigen Bereich abgeschieden und/oder das Vefahren wird gesteuert, um einen schichtförmigen Verbund zu bilden, bei welchem sich zwei- oder mehrphasige Bereiche mit einphasigen kontinuierlichen Oxidbereichen abwechseln.
- Das Verfahren gemäß einer anderen bevorzugten Ausführungsform der Erfindung umfaßt das Leiten eines Halogeniddampfes, wie Cl&sub2; oder HCl, wahlweise gemischt mit einem Trägergas, über eine Mischung oder Legierung aus zwei oder mehreren Metallen, welche aus Aluminium, Zirkonium, Yttrium und deren Metallsalzen ausgewählt sind, bei ungefähr 250º- 1250ºC um eine erste gasförmige Mischung zu bilden, welche Halogenide von zwei oder mehreren aus Aluminium, Zirkonium und Yttrium und wahlweise das Trägergas umfaßt. Die erste gasförmige Mischung wird mit anderen Reaktionsgasen vermischt, um eine zweite gasförmige Mischung zu bilden. Die zweite gasförmige Mischung wird über ein Substrat bei einer Temperatur von ungefähr 900-1250ºC für das Sintercarbidsubstrat, oder ungefähr 900-1500ºC für das Hartkeramiksubstrat und bei einem Druck zwischen ungefähr 1,33 mbar (1 Torr) und ungefähr Umgebungsdruck geleitet, um eine Verbundschicht auf dem Substrat abzuscheiden. Die anderen Reaktionsgase, die Durchflußgeschwindigkeit der Gase, die Oberflächen und das Verhältnis der Oberflächen der zwei oder mehr Metalle, und die Abscheidungsdauer werden so ausgewählt, daß die Verbundschicht eine haftende Schicht mit ungefähr 0,1 - 20 Mikron Dicke aus einer kontinuierlichen ersten Phase, aus einem Oxid von einem der zwei oder mehreren aus Aluminium, Zirkonium und Yttrium, und einer oder mehreren diskontinuierlichen zusätzlichen Phasen, welche als diskrete Teilchen innerhalb der Schicht der ersten Phase aus Oxiden der übrigbleibenden der zwei oder mehreren aus Aluininium, Zirconium und Yttrium dispergiert ist, umfaßt.
- Eine weitere bevorzugte Ausführungsform der Erfindung umfaßt das Leiten eines ersten gasförmigen Halogenids, wahlweise gemischt mit einem ersten Trägergas, über ein erstes Metall, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Aluminium, Zirconium, Yttrium und deren Metallsalze, bei ungefähr 250º- 1250ºC um ein erstes gasförmiges Metallhalogenid aus Aluminium, Zirconium oder Yttrium zu bilden. Ein zweites gasförmiges Halogenid, welches dem ersten gasförmigen Halogenid entsprechen oder sich von diesem unterscheiden kann, wahlweise gemischt mit einem zweiten Trägergas, welches mit dem ersten Trägergas identisch oder von diesem verschieden sein kann, wird über ein oder zwei zusätzliche Metalle, welche aus Aluminium, Zirconium und Yttrium und Legierungen und deren Metallsalzen ausgewählt werden, und sich von dem ersten Metall unterscheiden, bei ungefähr 250º- 1250ºC geleitet, um zusätzliche Metallhalogenide einer oder mehrerer aus Aluminium, Zirconium und Yttrium zu bilden. Eine gasförmige Mischung aus den ersten Metallhalogeniden und das eine oder die mehreren zusätzlichen Metallhalogenide, wahlweise das Trägergas und andere Reaktionsgase werden über das Substrat geleitet, bei einer Temperatur von ungefähr 900º-1250ºC für das Sintercarbidsubstrat, oder ungefähr 900º-1500ºC für das Hartkeramiksubstrat, und bei einem Druck zwischen ungefähr 1 Torr und ungefähr Umgebungsdruck, um eine Verbundschicht auf dem Substrat abzuscheiden. Die anderen Reaktionsgase, die Durchflußgeschwindigkeit der Dämpfe, die Oberflächen des ersten Metalls und des einen oder der mehreren zusätzlichen Metalle, und die Abscheidungsdauer werden so ausgewählt, daß die Verbundschicht eine haftende Schicht mit ungefähr 0,1-20 Mikron Dicke aus einer kontinuierlichen ersten Phase aus einem Oxid von einem aus Aluminium, Zirconium und Yttrium umfaßt, mit ein oder mehreren diskontinuierlichen zusätzlichen Phasen aus diskreten Teilchen aus einem Oxid (Oxiden) eines oder mehrerer aus Aluminium, Zirconium und Yttrium, welche in dieser dispergiert sind, wobei sich die Oxide der zusätzlichen Phase von dem Oxid der ersten Phase unterscheiden.
- In noch einer anderen Ausführungsform des Verfahrens gemäß der Erfindung wird wenigstens eine Zwischenschicht mit ungefähr 0,5-10 Mikron Dicke, welche aus der Gruppe bestehend aus Carbiden, Nitriden und Carbonitriden von Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, cr, Mo, W, Si und B ausgewählt ist, zwischen dem Substrat und der Oxidschicht abgeschieden.
- In einem Verfahren gemäß noch einer anderen Ausführungsform der Erfindung ist der Schritt des Leitens eines ersten Halogenids über das erste Metall ein kontinuierlicher Schritt, welcher einen stetigen Durchfluß des ersten Metallhalogenids erzeugt, welcher über das Substrat geleitet wird, und der Schritt des Leitens des zweiten Halogenids über das eine oder die mehreren Metalle ist ein diskontinuierlicher, pulsierender Schritt, welcher Pulse aus dem einem oder den mehreren zusätzlichen Metallhalogeniden erzeugt, die über das Substrat mit dem ersten Metallhalogenid geleitet werden, wobei das zweite Halogenid in Intervallen und über Zeiträume pulsiert wird, die ausgewählt sind, um die Größe und Verteilung der Teilchen der zusätzlichen Phase innerhalb der kontinuierlichen ersten Phase zu steuern.
- In der bevorzugtesten Ausführungsform des Verfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung findet der Schritt des Leitens der gasförmigen Mischung über das Substrat innerhalb eines Peaktors statt, und wenigstens eines des ersten Metalls und des einen oder der mehreren zusätzlichen Metalle ist (sind) innerhalb eines abgetrennten Behälters innerhalb des Reaktors angeordnet. Der abgetrennte Behälter steht im Betrieb in Verbindung mit einer Quelle der assozierten gasförmigen Halogenide und wahlweise dem assoziierten Trägergas und mit dem Reaktor, so daß das assoziierte gasförmige Halogenid in den abgetrennten Behälter eintritt, über die Oberfläche des Metalls oder der Metalle in diesem geleitet wird, um das Metallhalogenid zu bilden, welches in den Reaktor fließt um über das Substrat als ein Bestandteil der gasförmigen Mischung geleitet zu werden.
- Die Erfindung wird im folgenden im Detail unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichungen beschrieben, wobei:
- Figuren 1 und 2 schematische Querschnittsdarstellungen der Substrate sind, welche gemäß zwei unterschiedlicher Ausführungsformen der Verfahren der vorliegenden Erfindung beschichtet sind.
- Figur 3 ist Balkendiagramm vergleichbarer Bearbeitungsergebnisse.
- Das Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung umfaßt die Abscheidung einer haftenden zwei- oder mehrphasigen Verbundbeschichtung auf der Basis von Oxid auf einem Sintermetallcarbidsubstrat, z.B. einem Wolframcarbid-Cobalt oder einem ähnlichen Material oder auf einem Hartkeramikmaterial wie oben beschrieben.
- Die Abscheidung einer zwei- oder mehrphasigen Verbundbeschichtung auf Oxidbasis, welche die Eigenschaften der Haftung an dem Substrat, der Verschleißbeständigkeit, der Hochtemperaturbeständigkeit und der Beständigkeit gegenüber chemischen Angriffen oder Zusammenbruch bei hohen Temperaturen besitzt, hängt von der vorsichtigen Steuerung der Verfahrensparameter ab. Die überragenden Eigenschaften der Beschichtung sind ein Resultat der Erzielung einer zweiten Phase aus diskreten Teilchen aus Al&sub2;O&sub3;, ZrO&sub2; oder Y&sub2;O&sub3; oder einer Kombination dieser, innerhalb einer Al&sub2;O&sub3;, ZrO&sub2;-oder Y&sub2;O&sub3;-Matrix. Bevorzugte Beschichtungen umfassen z.B. ZrO&sub2; und/oder Y&sub2;O&sub3;-Teilchen innerhalb einer kontinuierlichen Al&sub2;O&sub3;- Matrix, Y&sub2;O&sub3;-Teilchen innerhalb einer kontinuierlichen ZrO&sub2;- Matrix, ZrO&sub2;-Teilchen innerhalb einer kontinuierlichen Y&sub2;O&sub3;- Matrix, oder Y&sub2;O&sub3; stabilisierte ZrO&sub2;-Teilchen, d.h., eine Y&sub2;O&sub3;-ZrO&sub2; feste Lösung, in einer kontinuierlichen Al&sub2;O&sub3;- Matrix. Die Teilchen können in der Matrix gleichmäßig verteilt sein, oder ihre Verteilung kann gesteuert werden, um z.B. eine schichtförmige Struktur von einphasigen Oxidmatrixbereichen, die sich mit zwei oder mehrphasigen Matrix-Teilchenbereichen abwechseln, welche vorzugsweise in gesteuerten Intervallen über die Tiefe der Matrix verteilt sind, zu erzielen. Auf ähnliche Weise kann die Verteilung gesteuert werden, um einen einphasigen kontinuierlichen Bereich mit einer gesteuerten Tiefe aus dem Matrixmaterial unter dem zwei- oder mehrphasigen Bereich oder dem sich abwechselnden einphasigen/zwei- oder mehrphasigen Bereich der Beschichtung abzuscheiden.
- Das Verfahren umfaßt die Verwendung einer Gasmischung umfassend eine Mischung aus zwei oder mehreren Metallhalogeniden und anderen Reaktionsgasen unter sorgfältig gesteuerten Bedingungen, um durch chemische Dampfabscheidung (CVD) Verbindungen der Metalle auf einem Substrat abzuscheiden. Die Metallhalogenide werden vorzugsweise dadurch erzeugt, daß ein Halogenidgas oder Gase über die Metalle geleitet werden, z.B. metallische Feststoffteilchen. Die Metalle können z.B. als eine Mischung von Metallen, als eine Metallegierung oder als Metallsalze vereinigt werden. Ein einzelnes Halogenidgas wird über die vereinigten Metalle geleitet, um eine Mischung aus Metallhalogeniden zu bilden. Alternativ wird wenigstens das Metall, welches die Matrix bildet, getrennt, und getrennte Halogenidgasströme werden über die Metalle geleitet, um getrennte Metallhalogenide zu bilden, welche später vereinigt werden. Trägergase, z.B. Ar, können mit den Halogenidgasen verbunden werden. Bevorzugte Halogenidgase sind Cl&sub2; und HCl, welche mit den oben beschriebenen Metallen AlCl&sub3;, ZrCl&sub4; und/oder YCl&sub3; bilden. Diese werden mit geeigneten anderen Gasen wie H&sub2; und CO&sub2; oder anderen flüchtigen Oxidationsgasen wie H&sub2;O kombiniert.
- Eines oder mehrere der Metalle können vorzugsweise in einem abgetrennten Behälter innerhalb des CVD-Reaktors enthalten sein. Das Gas tritt in den Reaktor über den getrennten Behälter ein, wobei das Halogenidgas durch Kontakt mit dem in diesem enthaltenen Metall zu dem gewünschten Metallhalogenidgas umgewandelt wird, welches in den Reaktor eintritt, um über das Substrat geleitet zu werden. Dieses Verfahren weist den Vorteil auf, daß ein Temperaturgradient innerhalb des Reaktors eingesetzt werden kann, welcher in einem mehrzonigen Ofen genau gesteuert wird, oder um die Temperatur der Halogenid-Metallreaktion durch die Anordnung innerhalb des Reaktors zu steuern. Die unterschiedlichen Metalle in getrennten Behältern können in unterschiedlichen Zonen oder Positionen innerhalb des Reaktors angeordnet sein, um die Reaktionstemperatur für jedes zu steuern.
- Um eine Matrix der ersten Phase zu erhalten, welche diskrete Teilchen einer zweiten Phase oder Phasen enthält, ist es wichtig die relative Abscheidung durch Steuerung solcher Parameter zu steuern, wie der Gasdurchflußgeschwindigkeit, um die gewünschte Abscheidung der Materialien der ersten und zweiten Phase zu erzielen.
- Eine weitere Steuerung des Abscheidungsverfahrens kann durch das Pulsieren des Metallhalogenidgases, welches die zweite Phase oder Phasen bildet, erzielt werden, während der kontinuierliche Durchfluß des Metallhalogenidgases, welches die Matrix bildet, beibehalten wird. Dieses Pulsierverfahren kann auch verwendet werden, um die Verteilung der zweiten Phase innerhalb der Matrix zu steuern, z.B. um entweder eine gleichmäßige Verteilung oder eine schichtförmige Verteilung zu erzielen, wie oben beschrieben.
- Auf ähnliche Weise kann ein einzelnes Metallhalogenidgas zusammen mit anderen Reaktionsgasen über einen Zeitraum fließen, welcher ausreichend ist, um einen kontinuierlichen Einphasenbereich aus dem Material abzuscheiden, welches die Matrix umfaßt, bevor der zweiphasige Bereich oder der abwechselnde einphasige/zwei- oder mehrphasige Bereich der Beschichtung abgeschieden wird.
- Einige Beispiele von Verbundbeschichtungen gemäß der vorliegenden Erfindung sind: Al&sub2;O&sub3;-Matrix/ZrO&sub2;-Teilchen, ZrO&sub2;-Matrix/ Y&sub2;O&sub3;-Teilchen, Y&sub2;O&sub3;-Matrix/ZrO&sub2;-Teilchen, Al&sub2;O&sub3;- Matrix/Y&sub2;O&sub3;-stablisierte ZrO&sub2;-Teilchen, Al&sub2;O&sub3;-Matrix/Y&sub2;O&sub3;- Teilchen und Al&sub2;O&sub3;-Matrix/ZrO&sub2;-Teilchen und Y&sub2;O&sub3;-Teilchen.
- Die Ausdrücke, zweite Phase und zweiphasig, die hier verwendet werden, betreffen Verbindungen, die eine kontinuierliche Oxidmatrixverbindung einer ersten Phase und ein oder mehrere zusätzliche oder zweite Phasen umfassen, welche aus einer einzelnen Verbindung oder mehr als einer Verbindung bestehen, in Form von diskreten Teilchen. Die Teilchen können Oxide eines einzelnen Metalls oder eine feste Lösung aus qxiden von mehr als einem Metall sein, und die einzelnen Teilchen können gleiche oder unterschiedliche Verbindungen sein. Die hier offenbarten Teilchen können regelmäßig geformt, wie Kugeln, Stäbe und Whisker etc. oder unregelmäßig geformt sein.
- Die Verbundbeschichtungen gemäß der vorliegenden Erfindung sind vollständig dicht, haftend und es ist möglich die verschleißbeständigen Eigenschaften von zwei oder mehreren Bestandteilen zu verbinden, ohne daß die Probleme auftreten, die mit den Unterschieden der Ausdehnungskoeffizienten und der Adhäsion verbunden sind, und welche auftreten, wenn kontinuierliche Beschichtungen aus den Materialien übereinander angeordnet werden.
- Eine weitere Verbesserung der Adhäsion der Beschichtung an dem Substrat kann erzielt werden, indem zwischen der Verbundbeschichtung und dem Substrat eine dünne Zwischenschicht aus TiC, TiN oder einem anderen Carbid, Nitrid oder Carbonitrid aus Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Si oder B abgeschieden wird. Solch eine Abscheidung kann auf bekannte Weise erzielt werden, als ein vorbereitender Teil des gleichen Beschichtungsverfahrens oder in einem getrennten früheren Beschichtungsverfahren. Auf ähnliche Weise kann für spezielle Anwendungen z.B. für Reibungs, kosmetische, verschleiß- oder thermische Zwecke, eine dünne Außenschicht, wie TiN, auf bekannte Weise auf der Verbundschicht aufgebracht werden.
- Die Zeichnungen 1 und 2 zeigen, nicht maßstabsgerecht, schematisch typische Erzeugnisse 10 und 30, welche gemäß der Erfindung beschichtet wurden. Wie in Fig. 1 dargestellt, besteht das Substrat 12 aus einem geformten Sinter-WCMaterial, bei dem es sich um ein Schneidwerkzeug oder ein anderes Erzeugnis handeln kann, welches Verschleißbeständigkeit unter extreinen Bedinungen erfordert, wie oben beschrieben. Eine dünne Schicht 14 aus TiC bedeckt das Substrat wenigstens in dem Bereich, der Verschleiß ausgesetzt ist. Die Verbundschicht 16 ist auf der TiC-Schicht 14 abgeschieden und besteht aus den einphasigen Matrixbereichen 18 und 20 aus Al&sub2;O&sub3; und aus den zweiphasigen Bereichen 22, gebildet von einer Al&sub2;O&sub3;-Matrix 24 und diskreten Teilchen 26 aus ZrO&sub2;. Wie in Fig. 1 dargestellt, tritt keine Trennung zwischen dem Al&sub2;O&sub3; der Matrix 24, der zweiphasigen Bereiche 22 und dem Al&sub2;O&sub3; der einphasigen Matrixbereiche 18 und 20 auf. Das Al&sub2;O&sub3; der Verbundschicht ist eine einzelne kontinuierliche Matrix, die eine zweite Phase mit gesteuerter Zusammensetzung und Verteilung aufweist, wobei die zweite Phase in der ersten Phase verteilt ist. Eine Außenschicht 28 aus TiN ist auf der Verbundschicht abgeschieden und verleiht dem Erzeugnis 10 eine unterscheidungskräftige Farbe.
- Fig. 2 zeigt eine andere Ausführungsform des Erzeugnisses, welches, gemäß der vorliegenden Erfindung beschichtet ist. Gleiche Merkmale in den beiden Zeichnungen werden durch die gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet. In Fig. 2 ist das Substrat 12 mit einer dünnen TiC-Schicht 14 auf gleiche Weise wie in Fig. 1 dargestellt, beschichtet. Eine Verbundschicht 32 ist auf der TiC-Schicht 14 abgeschieden und besteht aus einer Al&sub2;O&sub3;-Matrix 24 mit Teilchen 34 aus Y&sub2;O&sub3; stabilisiertem ZrO&sub2;, welches gleichmäßig in der Matrix 24 verteilt ist. Eine Außenschicht 28 aus TiN ist auf der Verbundschicht abgeschieden.
- Nach dem Spülen aller Gas leitungen mit den jeweiligen Gasen für 0,5-1 Stunde, wurden die Proben aus Schneidwerkzeugeinsätzen aus einem Sintercarbidmaterial, Stahlschneidgrad C-5 mit einer ungefähr 3 Mikron dicken Schicht aus TiC mittels bekannter Verfahren in einem CVD-Reaktor beschichtet. Ein Überschuß an vorgewogenen Zirconiummetallspänen wurde in einen getrennten Behälter eingebracht, welcher außerhalb des Reaktors angeordnet war. Der Reaktor wurde auf ungefähr 13,3 mbar (10 Torr) evakuiert, anschließend bei niedrigem Druck erwärmt, während er mit fließendem Wasserstoff gespült wurde, um die Entgasung vor der Abscheidung zu erhöhen. Nach dem Abscheideverfahren wurde der Reaktor auf ungefähr 300ºC gekühlt, bei dem Abscheidungsdruck und während er mit Wasserstoff gespült wurde, und anschließend bei Umgebungsdruck unter fließendem Stickstoff auf Raumtemperatur gekühlt.
- Die Abscheidungsreaktionsbedingungen für die Beispiele 1-6 sind in der nachfolgenden Tabelle I dargestellt. Bei all diesen Beispielen war das Halogenidgas Cl&sub2;, das Trägergas für die Al- und Zr-Reaktionen Ar, und das andere Reaktionsgas CO&sub2;, wobei H&sub2; als Träger diente. Die Cl&sub2;- Durchflußge-schwindigkeiten wurden so eingestellt, daß die Metall-chloriddurchflußgeschwindigkeiten erzielt wurden, die in Tabelle I angegeben sind. Der Abscheidungsdruck für die Beispiele 1-6 betrug 66,5 mbar (50 Torr); die Temperatur 1040ºC. Bei jedem dieser Beispiele wurde die Al&sub2;O&sub3;- Abscheidung (einphasig) über einen Zeitraum von 0,5 bis 2,5 Stunden durchgeführt, bevor die zweiphasige Al&sub2;O&sub3;/ZrO&sub2; Abscheidung begonnen wurde. Während der einphasigen Abscheidung floß das Ar-Gas über das Zr, das Cl&sub2;-Gas war jedoch abgestellt. TABELLE 1 Beispiel Abscheidung Durchflußgeschwindigkeit ccpm gesamt/Reaktant Dauer hrs Pulse keine
- Die Resultate der Beispiele 1-6 sind in Tabelle II dargestellt. Die Dicke der Beschichtung wurde durch das Abriebballverfahren (Calotest) gemessen. Die chemische Zusammensetzung der Beschichtung wurde mittels Röntgenbeugungsanalyse bestimmt. Die Beschichtung wurde als ein mehrschichtiger Verbund aus sich abwechselnden Aluminiumoxid- und Aluminiumoxid/Zirconoxidbereichen auf einem einphasigen Aluminiumoxidbereich auf einer TiC-Grundschicht abgeschieden, ähnlich wie in Fig. 1 dargestellt, jedoch ohne daß eine TiN-Schicht auf der Oxidbeschichtung aufgebracht wurde. Die Oxidschicht und die TiC-Grundschicht zeigten eine ausreichende Dicke und eine gute Haftung. TABELLE 2 Beispiel Dicke der Oxide, Mikron Röntgenstrahlbeugung
- Bearbeitungsuntersuchungen wurden an beschichteten Sintercarbidschneidwerkzeugeinsatzproben gemäß Beispiel 6 (A) und zu Vergleichszwecken in einem Einsatz (B) auf Keramikbasis und an zwei unterschiedlichen kommerziellen TiC-Einsätzen auf TiC-Bais, die mit Al&sub2;O&sub3; beschichtet waren (C und D), durchgeführt.
- Die Einsätze A, B, C und D wurden getestet, während ein 4340-Stahlwerkstück unter trockenen Bedingungen mit 213 Qberflächemeter/min (700sfm), 0,254 min pro Umdrehung (0,01 ipr), 0,5 in DOC gedreht wurde. Mit jedem Einsatz wurden 458,9 cm³ (28 cu. in.) des Metalls in 6,7 Minuten Schneiddauer entfernt. Die Resultate sind in Fig. 3 dargestellt und zeigen den durchschnittlichen Ansatz- und Flanschverschleiß für jeden Einsatz. Die mit dem erfindungsgemäßen Verfahren beschichteten Einsätze waren im Vergleich mit den Materialien, die im kommerziellen Einsatz sind, besser.
- Das Verfahren der Beispiele 1-6 wurde für die Beispiele 7 und 8 wiederholt, um die gleichen TiC-beschichteten Sintercarbidschneidwerkzeugeinsätze zu beschichten, mit der Ausnahme, daß sowohl AlCl&sub3; und ZrCl&sub4; während der gesamten Abscheidungsdauer strömten. Der Abscheidungsdruck und die Temperatur betrugen 66,5 mbar (50 Torr) und 1040ºC. Die übrigen Reaktionsbedingungen sind der nachfolgenden Tabelle III dargestellt. Die resultierenden Verbundschichten glichen der in Fig. 2 dargestellten, mit der Ausnahme, daß keine TiN-Schicht auf der Oxidschicht abgeschieden wurde. Die Schicht bestand aus einer kontinuierlichen ZrO&sub2;-Matrix, in der Y&sub2;O&sub3;-Teilchen verteilt sind. Es wurde kein einphasiger Bereich unter dem zweiphasigen Bereich der Oxidschicht abgeschieden. TABELLE III Beispiel Durchflußgeschwindigkeit ccpm Gesamt/Reaktant Volumen (%) Dauer (h)
- Die in den Beispielen 1-8 beschriebenen Verfahren sind auch für das Auftragen ähnlicher Beschichtungen auf Hartkeramiksubstraten geeignet, um ähnliche Schneideinsätze herzustellen.
Claims (32)
1. Verfahren zum Aufbringen von verschleißbeständigen
keramischen Schichten auf ein Sintercarbid- oder
Hartkeramiksubstrat unter Verwendung von thermischer
Dampfabscheidung, umfassend die folgenden Schritte:
Leiten einer ersten gasförmigen Mischung eines ersten
Halogeniddampfs ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus
Aluminium-, Yttrium- und Zirkoniumhalogeniden, mit
anderen Reaktionsgasen, und wahlweise mit einem
Trägergas über das Substrat, bei einer Temperatur von
ungefähr 900º-1250ºC für das Sintercarbidsubstrat, oder von
ungefähr 900º-1500ºC für das Hartkeramiksubstrat, bei
einem Druck zwischen ungefähr 1,33 mbar (1 Torr) und
ungefähr Umgebungsdruck und bei
Partialdruckverhältnissen, bei einer Durchflußgeschwindigkeit, und für einen
ausreichenden Zeitraum um eine kontinuierliche,
vollständig dichte, haftende, verschleißbeständige Schicht
mit einer Dicke von ungefähr 0,1-20 Mikron auf dem
Substrat abzuscheiden, bestehend aus einem Material
ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Aluminium-,
Zirkonium- und Yttriumoxiden;
zusätzlich umfassend den folgenden Schritt:
Vermischen der ersten gasförmigen Mischung mit
wenigstens einem zusätzlichen Dampf ausgewählt aus
Aluminium-, Zirkonium- und Yttriumhalogeniden;
wobei sich der zusätzliche Dampf von dem ersten
Halogeniddampf unterscheidet, und bei einem
Partialdruck vermischt wird, ausgewählt um wenigstens eine
diskontinuierliche zusätzliche Phase zu bilden, welche
als diskrete Teilchen in der kontinuierlichen
Oxidschicht dispergiert ist, aus wenigstens einem Material
ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Aluminium-,
Zirkonium- und Yttriumoxiden, um auf dem Substrat eine
verschleißbeständige keramische Verbundschicht zu
bilden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, des weiteren umfassend den
Schritt des Abscheidens wenigstens einer etwa 0,5-10
Mikron dicken Zwischenschicht, ausgewählt aus der
Gruppe bestehend aus Carbiden, Nitriden und
Carbonitriden von Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Si und B
zwischen dem Substrat und der keramischen
Verbundschicht.
3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der zusätzliche Dampf
während der Abscheidung der kontinuierlichen
Oxidschicht in die erste gasförmige Mischung gepulst
(pulsed) wird, um sich mit dieser zu vermischen, und
wobei der zusätzliche Dampf aus Aluminium-,
Zirkonium- und Yttriumhalogeniden ausgewählt und wahlweise mit
einem Trägergas gemischt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, des weiteren umfassend den
Schritt des Steuerns der Größe und der Verteilung der
zusätzlichen Phasenteilchen innerhalb der Oxidschicht,
dadurch daß der Partialdruck, die Zeitintervalle, und
die Zeiträume in denen wenigstens ein zusätzlicher
Dampf in die erste gasförmige Mischung gepulst wird,
gesteuert werden.
5. Verfahren nach Anspruch 4, wobei der Schritt des
Abscheidens der kontinuierlichen Oxidschicht vor dem
Beginn des Pulsschrittes über einen ausreichenden
Zeitraum durchgeführt wird, um einen einphasigen,
kontinuierlichen Oxidbereich zu bilden, der das
Substrat und zwei oder mehrere Phasenbereiche der
keramischen Verbundschicht abtrennt
6. Verfahren nach Anspruch 4, wobei der diskontinuierliche
Pulsschritt in Zeitintervallen und über Zeiträume
auftritt, die ausgewählt sind, um eine schichtförmige
keramische Verbundschicht zu bilden, wobei zwei oder
mehrere Phasenbereiche mit einphasigen kontinuierlichen
Oxidbereichen alternieren.
7. Verfahren nach Anspruch 3, des weiteren umfassend den
Schritt des Abscheidens wenigstens einer etwa 0,5-10
Mikron dicken Zwischenschicht ausgewählt aus der Gruppe
bestehend aus Carbiden, Nitriden und Carbonitriden von
Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Si und B zwischen dem
Substrat und der keramischen Verbundschicht.
8. Verfahren nach Anspruch 3, des weiteren umfassend den
Schritt des Abscheidens einer ungefähr 2-5 Mikron
dicken Zwischenschicht aus TiC oder TiN zwischen dem
Substrat und der keramischen Verbundschicht; und wobei
die erste gasförmige Mischung im wesentlichen aus 2,5-
21 Vol.-% CO&sub2;, 47-64 Vol.-% Wasserstoff und 1,5-30
Vol.-% AlCl&sub3;, Rest Argon besteht, und bei einer
Temperatur von 1000-1100ºC, einem Druck von 66,5-133 mbar
(50-100 torr) und einer Durchflußgeschwindigkeit von
1100-1500 cm³/min für 2,5-5 h über das Substrat
geleitet wird; und wobei wenigstens ein zusätzlicher Dampf
mit 0,5-2,5 Vol.-% ZrCl&sub4; ungefähr 1-10 min in
Intervallen von etwa 2-5 mal der Pulszeit pulsiert wird, um
eine keramische Verbundschicht abzuscheiden, bestehend
aus einer ersten kontinuierlichen Phase aus Al&sub2;O&sub3; und
einer zusätzlichen diskontinuierlichen Phase aus
diskreten Körner aus ZrO&sub2;, die in der ersten Al&sub2;O&sub3; Phase
dispergiert sind.
9. Verfahren nach Anspruch 8, wobei die Zwischenschicht
ungefähr 3,0-3,5 Mikron dickes TiC ist; die erste
gasförmige Mischung im wesentlichen aus ungefähr 7 Vol.-%
CO&sub2;, 88 Vol.-% Wasserstoff, 2,5 Vol.-% AlCl&sub3;, Rest Argon
besteht, und bei einer Temperatur von ungefähr 1040ºC,
einem Druck von ungefähr 66,5 mbar (50 torr) und einer
Durchflußgeschwindigkeit von ungefähr 1420 cm³/min für
ungefähr 3,5 h über das Substrat geleitet wird; und
ungefähr 2,5 Vol.-% ZrCl&sub4; ungefähr 8 min jede 22 min
während der letzten 2,5 h pulsiert wird.
10. Verfahren nach Anspruch 1, des weiteren umfassend die
folgenden Schritte:
Leiten eines Halogeniddampfes, wahlweise gemischt mit
einem Trägergas, über eine Mischung oder eine Legierung
von zwei oder mehreren Metallen, ausgewählt aus der
Gruppe bestehend aus Aluminium, Zirkonium,Yttrium und
deren Metallsalze, bei ungefähr 250ºC-1250ºC, um eine
erste Halogenidmischung umfassend Halogenide von zwei
oder mehreren ausgewählt aus Aluminium, Zirkonium und
Yttrium und wahlweise das Trägergas zu bilden; und
Mischen der ersten Halogenidmischung mit anderen
Reaktionsgasen um die erste gasförmige Mischung zu
bilden.
11. Verfahren nach Anspruch 10, wobei die Mischung oder
Legierung von zwei oder mehreren Metallen im
wesentlichen aus einer Mischung oder Legierung aus Aluminium
und Zirkonium oder einer Mischung oder Legierung aus
Zirkonium und Yttrium besteht; die anderen
Reaktionsgase CO&sub2; umfassen, mit Wasserstoff als einem Träger;
und wobei die Verbundschicht eine kontinuierliche erste
AL&sub2;O&sub3; Phase mit in dieser verteilten ZrO&sub2; Teilchen
umfaßt, oder eine kontinuierliche erste ZrO&sub2; Phase mit in
dieser verteilten diskreten Y&sub2;O&sub3; Teilchen, oder eine
kontinuierliche erste Y&sub2;O&sub3; Phase mit in dieser
verteilten diskreten ZrO&sub2; Teilchen.
12. Verfahren nach Anspruch 10, des weiteren umfassend den
Schritt des Abscheidens wenigstens einer etwa 0,5-10
Mikron dicken Zwischenschicht, ausgewählt aus der
Gruppe bestehend aus Carbiden, Nitriden und
Carbonitriden von Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Si und B
zwischen dem Substrat und der keramischen
Verbundschicht
13. Verfahren gemäß Anspruch 1, des weiteren umfassend
folgende Schritte:
erstes Leiten eines ersten gasförmigen Halogenids,
wahlweise gemischt mit einem ersten Trägergas, über ein
erstes Metall ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus
Aluminium, Zirkonium, Yttrium und deren Metallsalze,
bei 2500-1250ºC, um ein erstes Aluminium-,
Zirkonium- oder Yttrium-Metallhalogenid zu bilden; und
Leiten eines zweiten gasförmigen Halogenids, welches
mit dem ersten gasförmigen Halogenid gleich oder von
diesen verschieden sein kann, wahlweise gemischt mit
einem zweiten Trägergas, welches mit dem ersten
Trägergas gleich oder von diesem verschieden sein kann,
über ein oder mehrere zusätzliche Metalle, ausgewählt
aus der Gruppe bestehend aus Aluminium, Zirkonium,
Yttrium und Legierungen und deren Metallsalze, und
verschieden von dem ersten Metall, bei ungefähr 250º-
1250ºC um ein oder mehrere zusätzliche Metallhalogenide
von ein oder mehreren von Aluminium, Zirkon und Yttrium
zu bilden.
14. Verfahren gemäß Anspruch 13, des weiteren umfassend den
Schritt des Abscheidens wenigstens einer etwa 0,5-10
Mikron dicken Zwischenschicht ausgewählt aus der Gruppe
bestehend aus den Carbiden, Nitriden und Carbonitriden
von Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Si und B zwischen
dem Substrat und der Oxidschicht.
15. Verfahren gemäß Anspruch 14, wobei das erste Metall
Aluminium, das zusätzliche Metall Zirkonium, das erste
und zweite Halogenid Cl&sub2; oder HCl, und die
Zwischenschicht TiC ist.
16. Verfahren nach Anspruch 15, wobei der Schritt des
Leitens des ersten Halogenids über das erste Metall ein
kontinuierlicher Schritt ist, um einen stetigen Fluß
des ersten Metallhalogenids zu erzeugen, welches über
das Substrat geleitet wird; und wobei der Schritt des
Leitens des zweiten Halogenids über das eine oder die
mehreren zusätzlichen Metalle ein diskontinuierlicher,
pulsierender Schritt ist, um Pulse des einen oder der
mehreren zusätzlichen Metallhalogenide zu erzeugen,
welche mit dem ersten Metallhalogenid über das Substrat
geleitet werden, wobei das zweite Halogenid unter
Intervallen und über Zeiträume gepulst wird, die
ausgewählt sind, um die Größe und die Verteilung der
zusätzlichen Phasenteilchen innerhalb der kontinuierlichen
ersten Phase zu steuern.
17. Verfahren nach Anspruch 13, wobei das erste
Metallhalogenid und die anderen Reaktionsgase für einen
ausreichenden Zeitraum über das Substrat geleitet werden,
bevor der Durchfluß des zweiten Halogenids begonnen
wird, um einen einphasigen, kontinuierlichen Bereich
der Verbundschicht abzuscheiden, welcher das Substrat
oder die Zwei- oder Mehrphasenbereiche von der
Verbundschicht abtrennt.
18. Verfahren nach Anspruch 13, wobei der Schritt des
Leitens der gasförmigen Mischung über das Substrat
innerhalb eines Reaktors stattfindet; und wenigstens
eines des ersten Metalls oder der ein oder mehreren
zusätzlichen Metalle innerhalb eines abgetrennten
Behälters in dem Reaktor angeordnet ist, wobei der
abgetrennte Behälter in Betrieb mit einer Quelle der
begleitenden gasförmigen Halogenide und wahlweise mit
dem begleitenden Trägergas, und mit dem Reaktor in
Verbindung steht, so daß das begleitende gasförmige
Halogenid in den abgetrennten Behälter eintritt, und
über das (die) Metall(e) in diesem geleitet wird, um
das (die) Metallhalogenid(e) zu bilden, welches
(welche) dann in den Reaktor fließt (fließen), um über
das Substrat als ein Bestandteil der gasförmigen
Mischung geleitet zu werden.
19. Verfahren nach Anspruch 18, wobei das erste Metall
Aluminium oder eines dessen Metallsalze ist; und wobei
das eine oder die mehreren zusätzlichen Metalle
Zirkonium oder Yttrium, oder eines deren Metallsalze,
oder eine Mischung oder Legierung dieser ist und
innerhalb eines abgetrennten Behälters in dem Reaktor
angeordnet ist.
20. Verfahren nach Anspruch 13, wobei das zusätzliche
Metall Aluminium, Zirkonium, Yttrium oder ein
Metallsalz dieser ist, und von dem ersten Metall verschieden
ist; und des weiteren den folgenden Schritt umf aßt,
Leiten eines dritten gasförmigen Halogenids, welches
mit den ersten und zweiten gasförmigen Halogeniden
gleich oder von diesen verschieden sein kann, wahlweise
gemischt mit einem dritten Trägergas, welches mit dem
ersten und zweiten Trägergas gleich oder von diesem
verschieden sein kann, über ein drittes Metall
ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Aluminium,
Zirkonium, Yttrium und deren Metallsalze und das von
den ersten und zusätzlichen Metallen verschieden ist,
bei ungefähr 250º-1250ºC, um ein drittes Aluminium-,
Zirkonium- oder Yttrium-Metallhalogenid zu bilden; und
wobei die gasförmige Mischung, die über das Substrat
geleitet wird, des weiteren das dritte Metallhalogenid
umfaßt, und wobei die diskontinuierliche zusätzliche
Phase zusätzlich diskrete Teilchen der Oxide von zwei
ausgewählt aus Aluminium, Zirkonium und Yttrium fein
verteilt in dieser aufweist.
21. Verfahren nach Anspruch 20, wobei der Schritt des
Leitens der gasförmigen Mischung über das Substrat
innerhalb eines Reaktors stattfindet; und wobei wenigstens
eines des ersten Metalls, des zusätzlichen Metalls, und
des dritten Metalls in einem abgetrennten Behälter in
dem Reaktor angeordnet ist, wobei der abgetrennte
Behälter wahlweise mit einer Quelle der begleitenden
gasförmigen Halogenide und wahlweise dem begleitenden
Trägergas und mit dem Reaktor in Verbindung steht, so
daß das begleitende gasförmige Halogenid in den
getrennten Behälter eintritt und über das Metall in
diesem geleitet wird, um das Metallhalogenid zu bilden,
welches in den Reaktor fließt, um über das Substrat als
ein Bestandteil der gasförmigen Mischung geleitet zu
werden.
22. Verschleißbeständiges Erzeugnis umfassend:
ein Sintercarbid- oder Hartkeramiksubstratkörper;
eine vollständig dichte, haftende,
verschleißbeständige, keramische Verbundschicht mit wenigstens zwei
Phasen auf dem Substrat, umfassend:
eine etwa 0,1-20 Mikron dicke kontinuierliche
Oxidschicht aus einem Material ausgewählt aus der Gruppe
bestehend aus den Oxiden von Aluminium, Zirkonium und
Yttrium; und
wenigstens eine diskontinuierliche zusätzliche Phase,
welche als diskrete Teilchen innerhalb der Oxidschicht
dispergiert ist, aus wenigstens einem Material
ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Aluminium-,
Zirkonium- und Yttrium-Oxiden, wobei das wenigstens
eine Material sich von dem der Oxidschicht
unterscheidet.
23. Erzeugnis gemäß Anspruch 22, des weiteren umfassend,
wenigstens eine etwa 0,5-10 Mikron dicke
Zwischenschicht aus einem oder mehreren Materialien ausgewählt
aus der Gruppe bestehend aus Carbiden, Nitriden und
Carbonitriden von Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Si
und B zwischen dem Substratkörper und der keramischen
Verbundschicht.
24. Erzeugnis gemäß Anspruch 22, wobei die zusätzliche
Phase im wesentlichen gleichförmig innerhalb der
kontinuierlichen Oxidschicht verteilt ist.
25. Erzeugnis gemäß Anspruch 24, wobei die kontinuierliche
Oxidschicht Al&sub2;O&sub3; und die zusätzliche Phase ZrO&sub2; ist.
26. Erzeugnis gemäß Anspruch 25, des weiteren umfassend
eine etwa 2,5 Mikron dicke Zwischenschicht aus TiC oder
TiN zwischen dem Substratkörper und der keramischen
Verbundschicht.
27. Erzeugnis nach Anspruch 22, wobei die keramische
Verbundschicht eine schichtförmige Schicht ist, bei
welcher sich Bereiche mit wenigstens zwei Phasen mit
einphasigen kontinuierlichen Oxidbereichen abwechseln.
28. Erzeugnis nach Anspruch 27, wobei der Substratkörper
ein Si&sub3;N&sub4;-Basisverbund ist, die kontinuierliche
Oxidschicht Al&sub2;O&sub3; ist und die zusätzliche Phase aus in dem
Al&sub2;O&sub3; dispergierten ZrO&sub2; Teilchen besteht, um
zweiphasige Al&sub2;O&sub3;/ZrO&sub2;
Bereiche zu bilden die sich mit den
einphasigen kontinuierlichen Al&sub2;O&sub3;-Bereichen abwechseln,
und des weiteren umfassend, eine etwa 2-5 Mikron dicke
Zwischenschicht aus TiC zwischen den Substratkörper und
der keramischen Verbundschicht.
29. Erzeugnis gemäß Anspruch 22, wobei die kontinuierliche
Oxidschicht ZrO&sub2; und die zusätzliche Phase Y&sub2;O&sub3; ist.
30. Erzeugnis nach Anspruch 22, wobei die kontinuierliche
Oxidschicht Y&sub2;O&sub3; und die zusätzliche Phase ZrO&sub2; ist.
31. Erzeugnis gemäß Anspruch 22, wobei die kontinuierliche
Oxidschicht Al&sub2;O&sub3; und die zusätzliche Phase ZrO&sub2;
stabilisiertes Y&sub2;O&sub3; ist.
32. Erzeugnis nach Anspruch 22, wobei die kontinuierliche
Oxidschicht Al&sub2;O&sub3; ist und die zusätzlichen Phasen Y&sub2;O&sub3;-
Teilchen und ZrO&sub2;-Teilchen sind.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/005,003 US4751109A (en) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | A process for depositing a composite ceramic coating on a hard ceramic substrate |
US07/005,001 US4745010A (en) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | Process for depositing a composite ceramic coating on a cemented carbide substrate |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3853545D1 DE3853545D1 (de) | 1995-05-18 |
DE3853545T2 true DE3853545T2 (de) | 1995-08-24 |
DE3853545T3 DE3853545T3 (de) | 1999-07-01 |
Family
ID=26673767
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3853545T Expired - Fee Related DE3853545T3 (de) | 1987-01-20 | 1988-01-19 | Verfahren zum Aufbringen von Verbundschichten. |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0275978B2 (de) |
JP (1) | JP2626779B2 (de) |
AT (1) | ATE121143T1 (de) |
AU (1) | AU1026688A (de) |
BR (1) | BR8800221A (de) |
CA (1) | CA1329067C (de) |
DE (1) | DE3853545T3 (de) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2727691A1 (fr) * | 1994-12-01 | 1996-06-07 | Framatome Sa | Procede de revetement d'un substrat en metal ou alliage passivable, par une couche d'oxyde, et tube de gainage et grille-entretoise pour assemblage combustible revetus d'une couche d'oxyde |
JP5234354B2 (ja) * | 2009-01-07 | 2013-07-10 | 三菱マテリアル株式会社 | 耐熱塑性変形性、層間密着強度にすぐれた表面被覆切削工具 |
DE102009037183B4 (de) | 2009-08-12 | 2012-03-22 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung eines Formteils, insbesondere eines Bedienteils für den Fahrgastraum eines Kraftfahrzeugs |
JP5590329B2 (ja) * | 2011-02-03 | 2014-09-17 | 三菱マテリアル株式会社 | 硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性、耐欠損性を備える表面被覆切削工具 |
US9719175B2 (en) | 2014-09-30 | 2017-08-01 | Kennametal Inc. | Multilayer structured coatings for cutting tools |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1275044A (en) * | 1968-05-08 | 1972-05-24 | Atomic Energy Authority Uk | Improvements in or relating to the deposition of oxide films |
US4052530A (en) * | 1976-08-09 | 1977-10-04 | Materials Technology Corporation | Co-deposited coating of aluminum oxide and titanium oxide and method of making same |
SE406090B (sv) * | 1977-06-09 | 1979-01-22 | Sandvik Ab | Belagd hardmetallkropp samt sett att framstalla en dylik kropp |
JPS59162270A (ja) * | 1983-03-04 | 1984-09-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 表面被覆方法 |
JPS59222570A (ja) * | 1983-06-01 | 1984-12-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 複合セラミツクコ−テイング膜の製造法 |
JPS61117260A (ja) * | 1984-11-13 | 1986-06-04 | Nippon Steel Corp | 溶融金属メツキ浴用浸漬部材 |
-
1988
- 1988-01-14 AU AU10266/88A patent/AU1026688A/en not_active Abandoned
- 1988-01-14 CA CA000556545A patent/CA1329067C/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-01-19 JP JP63007656A patent/JP2626779B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1988-01-19 EP EP88100691A patent/EP0275978B2/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-01-19 DE DE3853545T patent/DE3853545T3/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-01-19 AT AT88100691T patent/ATE121143T1/de not_active IP Right Cessation
- 1988-01-19 BR BR8800221A patent/BR8800221A/pt unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3853545D1 (de) | 1995-05-18 |
EP0275978A3 (en) | 1990-04-04 |
EP0275978B2 (de) | 1999-03-10 |
EP0275978A2 (de) | 1988-07-27 |
JPS63190785A (ja) | 1988-08-08 |
CA1329067C (en) | 1994-05-03 |
BR8800221A (pt) | 1988-08-30 |
EP0275978B1 (de) | 1995-04-12 |
DE3853545T3 (de) | 1999-07-01 |
ATE121143T1 (de) | 1995-04-15 |
JP2626779B2 (ja) | 1997-07-02 |
AU1026688A (en) | 1988-07-21 |
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