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Die Erfindung betrifft eine Lichtverschlußvorrichtung
gemäß dem Oberbegriff
des Patentanspruchs 1.
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Eine derartige Lichtverschlußvorrichtung
ist aus der
DE-OS 37 34 849 bekannt.
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Die gewöhlich verwendeten und kommerziell
erhältlichen
Lichtverschlußvorrichtungen
von einer Bauart mit einer flachen Frontelektrode weisen einen plattenartigen
Körper
auf, der aus einem elektrooptischen Material wie PLZT gefertigt
ist, wobei ein Elektrodenmuster auf seiner Oberfläche ausgebildet
ist.
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Die bekannten Lichtverschlußvorrichtungen
weisen Nachteile auf hinsichtlich der hohen Betriebsspannung, der
Neigung zu Fehlfunktionen aufgrund von Übersprechen, das der Zwischenelektrodenkapazität zwischen
einem aneinandergrenzenden Elektrodenpaar zugeschrieben werden kann,
und des weiteren der langsamen Reaktion.
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Im Hinblick auf die oben genannten
Probleme schlägt
der Stand der Technik, wie z.B. die unter 60-159722 offengelegte
japanische Patentanmeldung eine Lichtverschlußvorrichtung von der sogenannten Bauart
mit parallelem elektrischen Feld vor, mit einer Anzahl von dreidimensional
ausgebildeten Verschlußelementen,
die in einer Anordnung bzw. Reihe ausgerichtet sind, und mit auf
einer gegenüberliegenden
Seite angeordneten Elektroden.
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Bei der oben genannten Lichtverschlußvorrichtung
ist jedoch, wegen des relativ großen Abstandes zwischen den
einzelnen dreidimensionalen Verschlußelementen und falls die Anordnung
in einem optischen Printer verwendet wird, der Zwischenpunktabstand
dadurch ebenso vergrößert, wodurch
die Gleichmäßigkeit der
Punkte oder ihrer Dichte verschlechtert wird. Kurz gesagt, verbleibt
noch Raum für
Verbesserungen in ihrer Bildqualität.
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Der Erfinder hat in einer früheren Anmeldung,
die mit der vorliegenden in Beziehung steht, verschiedene Lichtverschlußvorrichtungen
erläutert
mit einer Vielzahl von Verschlußelementen,
die in Anordnungen bzw. Reihen ausgerichtet und dreidimensional
auf einer Platte aus einem elektrooptischen Material definiert sind,
wobei die Elemente auf beiden Seiten einer gemeinsamen Elektrode
angeordnet sind, und er hat darauf hingewiesen, daß hochqualitative
Bilder erreichbar sind durch Einstellung der Druckzeitfolgen für jede Anordnung
zur Verminderung des Zwischenpunktabstandes.
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Es ist dann zum Betreiben einer solchen
Lichtverschlußvorrichtung
erforderlich, unabhängige
Elektoden einzelner Verschlußelemente
bzw. eine gemeinsame Elektrode zwischen einem angrenzenden Elementanordnungspaar
mit einer externen Schaltung zu verbinden.
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Es verbleibt jedoch das Problem,
daß es
sehr schwierig ist, eine Zuführungsleitung
von der flachen gemeinsamen Elektrode, die im schmalen Zwischenraum
zwischen den Reihenpaaren angeordnet ist, wegzuführen, um sie mit der externen
Schaltung zu verbinden.
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Falls eine Anzahl von Lichtverschlußeinrichtungen
der oben genannten Art zueinander ausgerichtet als Printkopf eines
optischen Printers verwendet wird, müssen die gemeinsamen Elektroden
der einzelnen Reihen nacheinander mit der externen Schaltung verbunden
werden. Da solche Verbindungen noch schwerer herzustellen sind,
können
unzureichende oder untaugliche Verbindungen zwischen den gemeinsamen
Elektroden auftreten, was zu einem unstabilen Betreiben des Printerkopfes
führt.
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Die Aufgabe der Erfindung liegt in
der Verbesserung und Vereinfachung der Verbindung zwischen der gemeinsamen
Elektrode und der externen Schaltung der Lichtverschlußvorrichtung
der vorgenannten Art.
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Diese Aufgabe wird von einer Lichtverschlußvorrichtung
gemäß Patentanspruch
1 gelöst;
die Unteransprüche
betreffen vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung.
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Bei der erfindungsgemäßen Lichtverschlußevorrichtung
erstreckt sich eine gemeinsame Elektrode, die auf zwei gegenüberliegenden
Seiten von zumindest zwei Verschlußelementreihen vorgesehen ist,
zumindest zu einer Seitenfläche
der Platte. Des weiteren sind jedes gegenüberliegende Paar von Verschlußelementen
in der einen Reihe und in der anderen Reihe so angeordnet, daß ihre Verschlußfenster
für die
selektive Lichttransmission aus Sicht von einer Richtung normal
zu der Ausdehnungsrichtung der Verschlußanordnung auf der oberen Plattenfläche miteinander überlappen.
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Bei der oben beschriebenen Lichtverschlußvorrichtung
erstreckt sich die gemeinsame Elektrode zumindest zu einer Seitenfläche der
Platte der Verschlußanordnung,
die mit der externen Schaltung verbunden werden soll. Folglich kann
die Verbindung zwischen der gemeinsamen Elektrode und der externen
Schaltung in sehr einfacher Weise ausgeführt werden.
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Falls eine Anzahl dieser Lichtverschlußvorrichtungen
als Printkopf eines optischen Printers verwendet wird, ist es ferner
nicht mehr länger
notwendig, die gemeinsamen Elektroden der einzelnen Reihen nacheinander
zu verbinden, und die gemeinsame Elektrode kann sich von jeder Verschlußanordnung
aus erstrecken.
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Da jedes gegenüberliegende Paar von Verschlußeiementen
in der einen. Reihe und in der anderen Reihe positionsmäßig miteinander überlappen,
gesehen von einer Richtung auf der oberen Plattenfläche, in der
Verschlußfenster
zur selektiven Lichttransmission vertikal die Elementanordnungen
kreuzen, kann darüber hinaus
die Ausbildung der einzelnen Elemente und Elektroden extrem vereinfacht
werden, wie es später
im einzelnen erläutert
wird.
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Ausführungsformen der Erfindung
werden anhand der beigefügten
Zeichnungen erläutert.
Es zeigt:
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1–7 Perspektivansichten zur
Erläuterung
des Herstellungsprozesses einer Lichtverschlußvorrichtung in einer ersten
Ausführungsform
der Erfindung;
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8 eine
Seitenansicht einer Lichtverschlußvorrichtung der ersten Ausführungsform;
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9 eine
Schnittdarstellung einer Diamantklinge zum Schneiden von V-förmigen Nuten
in dem Her stellungsprozeß der
Lichtverschlußevorrichtung
dieser Ausführungsform;
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10 eine
Perspektivdarstellung zur Erläuterung
eines Zustandes, in dem die Lichtverschlußvorrichtung mit einer externen
Schaltung verbunden ist;
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11 eine
Aufsicht zur Erläuterung
einer Vielzahl von zueinander ausgerichteten Lichtverschlußvorrichtungen;
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12a eine
schematische Ansicht eines elektrofotografischen Printers mit einem
optischen Aufnahmekopf, der mit der erfindungsgemäßen Lichtverschlußvorrichtung
ausgestattet ist;
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12b eine
vergrößerte Ansicht
des optischen Aufnahmekopfes, der mit der erfindungsgemäßen Lichtverschlußvorrichtung
ausgestattet ist;
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13a und 13b eine Perspektivansicht
bzw. Aufsicht einer Lichtverschlußevorrichtung in einer zweiten
Ausführungsform
der Erfindung;
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14 eine
Perspektivansicht einer Lichtverschlußvorrichtung in einer dritten
Ausführungsform;
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15 eine
Unteransicht einer Lichtverschlußvorrichtung in einer vierten
Ausführungsform;
und
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16a und 16b eine Perspektivansicht
bzw. eine Aufsicht auf eine Lichtverschlußvorrichtung in einer fünften Ausführungsform
der Erfindung.
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Zunächst wird die Lichtverschlußevorrichtung
in einer ersten Ausführungsform
mit Bezug auf die 1 bis 11a und 11b erläutert.
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In dieser Ausführungsform wird ein PLZT-Wafer 1 in
Form einer flachen Platte als Chip 1 mit elektrooptischem
Effekt verwendet. Ein PLZT-Wafer hat den bekannten Vorteil, daß er den
Betrieb der Lichtverschlußanordnung
mit Niederspannung ermöglicht.
Der PLZT-Wafer 1 hat die physikalischen Abmessungen von
50 mm Länge,
5,0 mm Breite und 0,5 mm Dicke.
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Wie in 1 dargestellt
ist, ist die vollständige
Oberfläche
einer Seite des PLZT-Wafers 1 schleuderbeschichtet (spinner-coated)
mit einem Widerstandsfilm 2 aus PIQ (hergestellt von Hitachi
Kasei Corporation), das ein Polymidharz ist. Dieser Widerstandsfilm 2 wird
zur Vermeidung eines Elektrodenmetallfilms durch die Lift-off-Methode
verwendet.
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Um die folgende Beschreibung zu vereinfachen,
wird die Längsrichtung
des PLZT-Wafers 1 als X-Achse festgelegt, während die
dazu normale Richtung, wie in 1 dargestellt
ist, als Y-Achse festgelegt ist.
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Dann wird eine Nut 3 (vgl. 2), die als gemeinsame Elektrode
wirkt, durch Präzisionsschneidung
in der Mitte des PLZT-Wafers 1, der mit dem Widerstandsfilm 2 beschichtet
ist, über
die gesamte X-Achsenlänge des
Wafers ausgebildet. Bei diesem Schneidvorgang der Nut 3 wird
eine Säge
(dicing-Saw) mit. einer Diamantschneide mit 40 μm Schneidendicke verwendet.
Die ausgebildete Nut 3 hat eine Dicke von 110 μm und eine
Tiefe (a) von 160 μm,
gemessen von der Außenfläche des
PLZT-Wafers 1.
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Als nächstes werden weitere Nuten 4 und 5,
die als unabhängige
Elektroden wirken, durch Präzisionsschneidung über die
gesamte Länge
des Wafers 1 in X-Achsenrichtung, parallel mit der gemeinsamen
Elektrodennut 3 ausgebildet, wobei die Nuten 4 und 5 jeweils
einen vorgegebenen Abstand von der Seitenkante der Nut 3 aufweisen
und eine Breite von 300 μm
und eine Tiefe von 120 μm,
die geringer ist, als die Tiefe der Nut 3, haben. Bei der
Ausbildung dieser Nuten 4 und 5 ist es möglich, dieselbe
Diamentklinge zu verwenden, die zum Schneiden der Nut 3 für die gemeinsame
Elektrode verwendet wurde. Um jedoch das Absplittern in den Verschlußkanten
zu vermeiden, sollte der Durchmesser des Diamanten dieser Klinge
so klein wie möglich sein.
Der Abstand zwischen den aneinandergrenzenden Nuten 3 und 4 bzw. 3 und 5,
nämlich die
Breite des als Verschluß wirkenden
konvexen Bereiches, die Tiefen a und b der Nuten 3, 4 und 5 können geeignet
innerhalb der möglichen
Präzision
des Schneidens festgelegt werden, um eine gewünschte Leistung der Lichtverschlußanordnung
zu erreichen. Es sollte jedoch in jedem Fall darauf geachtet werden,
daß die
Bedingung a > b immer
erfüllt
ist.
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Nach der oben genannten Ausbildung
der Nuten 4 und 5, die in 2 dargestellt sind, wird der Widerstandsfilm 2 mit
Ausnahme des Verschlußbereiches
eliminiert durch Schneiden der Oberfläche des PLZT-Wafers 1 in
einer Tiefe c von 160 μm
von den entsprechenden Nuten 4 und 5 zu den Seitenenden
des Wafers 1, d.h. entlang der Y-Achse. Für diesen
Schneidvorgang wurde eine weitere Diamantklinge mit 140 μm Klingendicke
verwendet. Diese Diamantenklinge muß nicht notwendigerweise einen
solch extrem kleinen Diamantendurchmesser aufweisen wie die, die
zum Schneiden der Nuten 4 und 5 verwendet wurde,
sondern kann einen relativ großen
Diamantendurchmesser aufweisen, der einfacher zu verwenden ist.
Nach der Entfernung des Widerstandsfilms 2 (mit Ausnahme
des Verschlußbereiches)
hat der nun mit dem Film 2 nicht beschichtete Bereich als
Ergebnis des Schneidvorganges eine relativ rauhe Oberfläche.
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Anschließend wird ein Längsende,
d.h. ein Ende an der X-Achse des oben genannten PLZT-Wafers 1 in
der gesamten Breite in einem Winkel α von 154° relativ zur X-Achse geschnitten.
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Als nächstes wird, wie in 3 dargestellt ist, der PLZT-Wafer
T auf seiner Oberfläche
und seinen Seitenflächen
mit einem Aluminiumfilm 6, der als Elektrode wird, beschichtet.
Für diesen
Beschichtungsvorgang wird eine Magnetron-Sputter-Vorrichtung unter
den in der folgenden Tabelle 1 angegebenen Bedingungen verwendet.
Insbesondere durch eine Reinigungsbehandlung durch reverses Sputtern
und Sputtern wurde ein Aluminiumfilm 6 mit einer Dicke
von etwa 3 μm
auf den verschiedenen Flächen
des PLZT-Wafers 1 ausgebildet.
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Bei dem oben beschriebenen Beschichten
des Aluminiumfilms 6 auf dem Schnitt und den rauhen Flächen des
PLZT-Wafers 1 ist der Kontaktbereich zwischen dem Aluminiumfilm 6 und
dem PLZT-Wafer 1 erhöht und
der Film 6 ist in gutem Kontakt auf dem Wafer 1 mit
Ineinandergreifen von konkaven konvexen Bereichen aufgebracht.
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Als nächstes werden in die Oberfläche des
PLZT-Wafers 1, der nun mit dem Alumiumfilm 6 beschichtet ist,
und zwischen die Nut 3 und die Nuten 4, 5,
d.h. in dem als Verschluß wirkenden
konvexen Bereich, eine Anzahl von V-förmigen Nuten 8 nacheinander
eingeschnitten, um teilweise getrennte Verschlußelemente 21 und 22 zu
bilden. Hinsichtlich der Einzelheiten dieser Schneidvorgänge wird
die Mitte der Diamantklinge 7 in 9, die einen Kantenwinkel θ von 60° und eine
Schneidenbreite D von 200 μm
aufweist, am Schnittende des PLZT-Wafers 1 angeordnet und
die so positionierte Klinge 7 wird mit demselben Winkel
wie der Schneidwinkel α relativ
zur X-Achse betrieben, so daß eine
Ecke des konvexen Verschlußbereiches
geschnitten wird; dann werden die einzelnen V-förmigen Nuten 8 mit
einer konstanten Schrittweite von z.B. 152 μm geschnitten. Bei den oben
genannten Vorgängen
kann die Nutbreite am oberen Ende der V-förmigen Nut 8 durch
Verändern der
Tiefe der Nut 8 eingestellt werden. In dieser speziellen
Ausführungsform
ist die Nutbreite an der Oberkante der V-förmigen Nut 8 so ausgebildet,
daß sie
im wesentlichen gleich ist mit der Breite der einzelnen Verschlußelemente 21 und 22 und
des weiteren geringer ist als die Schnittiefe c der Oberflädes PLZT-Wafers.
In Folge davon, wie in 4 dargestellt
ist, werden die V-förmigen
Nuten 8 nur in den konvexen Verschlußbereichen gebildet.
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Als nächstes, wie in 5 dargestellt ist, werden, unter Verwendung
einer Diamantklinge mit 15 μm Klingenbreite,
ein Ende des von der Ecke entfernten konvexen Bereiches und dann
die inneren Teile, die zentral in den einzelnen V-förmigen Nuten 8 liegen,
parallel mit den V-förmigen
Nuten 8 geschnitten, um Nuten 9 mit einer Breite
d von 140 μm
zu bilden, wobei diese Nuten 9 zur Trennung der unabhängigen Elektroden
dienen. Bei der letzten V-förmigen
Nut 8 wird der PLZT-Wafer 1 ferner entlang einer
Linie, die durch den inneren Bereich der Nut 8 geht, geschnitten.
In diesem Zustand hat die Nut 9 zur Trennung der unabhängigen Elektroden
eine Tiefe d (= 1140 μm),
die geringer ist als die Tiefe a (= 160 μm) der gemeinsamen Elektrode 3,
aber sie ist größer als
die Tiefe b (= 120 μm)
der unabhängigen
Elektrodennuten 4 und 5. Durch diese Nut sind
somit die konvexen Verschlußbereiche
getrennt, während
sie dazwischen die vorstehenden Verschlußelemente 21 und 22 bilden.
Ebenso ist der Aluminiumfilm 6 auf der Oberfläche des
PLZT-Wafers 1 und in den Nuten 4 und 5 abgeschnitten,
wodurch unabhängige
Elektroden 24 und 25 für die einzelnen Verschlußelemente 21 und 22 voneinander
getrennt auf der Oberfläche
des PLZT-Wafers 1 gebildet werden. Andererseits ist die
Bodenfläche der
Nut 3 für
die gemeinsame Elektrode nicht durch die Trennut 9 geschnitten
und noch gleichmäßig mit
dem Aluminiumfilm 6 beschichtet, so daß die Bodenfläche eine
gemeinsame Elektrode 23 für die Verschlußelemente 21 und 22 bildet.
In diesem Zustand erstreckt sich die gemeinsame Elektrode 23 von
einem Ende der Nut 3 über
die Seitenfläche
des PLZT-Wafers 1, der mit dem Aluminiumfilm 6 beschichtet
ist, um mit den unabhängigen
Elektroden 24 und 25, die getrennt sind, auf der
Oberfläche
des Wafers 1 verbunden zu werden.
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Als nächstes werden von den oberen
Flächen
der Verschlußelemente 21 und 22 der
Widerstandsfilm 2 und der Aluminiumfilm 6, der
darauf geschichtet ist, zusammen entfernt, um Verschlußfenster
der Elemente 21 und 22, die in 6 dargestellt sind, zu bilden. Jedes
Verschlußfenster
kann betrieben werden, um eine selektive Lichttransmission dadurch
zu ermöglichen.
Dieser zur Erzeugung der Verschlußfenster erforderliche Filmentfernungsvorgang
wird in einfacher Weise durch das Lift-off-Verfahren durchgeführt, bei
dem der Widerstandsfilm 2 chemisch unter Verwendung eines
CIQ-Ätzmittels
(hergestellt von Hitachi Kasei Corporation), das eine Hydrazonlösung ist,
weggeätzt
wird.
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Wie in den 7 und 8 dargestellt
ist, wird ferner ein Paar weiterer Trennuten 10 entlang
der X-Achse mit einem vorgegebenen Abstand von jedem der gegenüberliegenden
Y-Achsenseiten des PLZT-Wafers 1 geschnitten, wodurch die
gemeinsame Elektrode 23 von den unabhängigen Elektroden 24 und 25 getrennt
wird.
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Als Ergebnis enthält die Lichtverschlußeinrichtung 20 dieser
Ausführungsform,
die durch den oben beschriebenen Vorgang erzeugt wurde, eine Anordnung
von Verschlußelementen 21 und 22,
die dreidimensional an den Seiten der Nut 3 der gemeinsamen
Elektrode 23 gebilden wurden, wobei die gemeinsame Elektrode 23 sich
vom Ende der Nut 3 über
die Seitenfläche
des Wafers 1, der mit dem Aluminiumfilm 6 beschichtet
ist, zu der breiten Kante der Oberfläche des Wafers 1 erstreckt.
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Wie vorstehend beschrieben wurde,
sind durch das mechanische Schneiden der Verschlußelemente in
der gitterartigen Anordnung die Verschlußelemente so angeordnet, daß ihre Verschlußfenster
miteinander überlappen,
gesehen aus einer Richtung normal zur Richtung der Verschlußelementanordnung
auf der Chipoberfläche.
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Zum Betreiben dieser Lichtverschlußeinrichtung 20 ist
es erforderlich, die unabhängigen
Elektroden 24 und 25 der Verschlußelemente 21 und 22 und
die gemeinsame Elektrode 23 mit Verdrahtungen 31 einer externen
Schaltung 30 über
Drähte 33 zu
verbinden. Dann, wie in 10 dargestellt
ist, wird die gemeinsame Elektrode 23 mit der Verdrahtung 31 mittels
Kabeln 33 an ihren Bereichen verbunden, die sich zu dem
breiten Ende der Waferfläche
erstrecken. Diese Verbindung oder Verklebung zwischen der gemeinsamen
Elektrode 23 und der externen Schaltung 30 kann
in einfacherer Weise durchgeführt
werden, als das konventionelle Verbinden oder Verkleben zwischen
der externen Schaltung 30 und dem schmalen Nutbereich 3 zwischen
einem aneinandergrenzenden Paar von Verschlußelementen 21 und 22.
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Die Verklebungsbereiche mit den Drähten 33 sollten
durch ein elastisches Isoliermaterial wie Silikongummi fixiert werden,
um sie vor externen Erschütterungen
oder dgl. zu schützen.
In diesem Fall, falls das Silikongummi lichtundurchlässige Eigenschaften
aufweist und seine Viskosität
geeignet gewählt
ist, fließt
der Silikongummi in die Trennnuten 9 für die unabhängigen Elektroden. Es ist dann
möglich,
diese Nuten 9 lichtundurchlässig zu gestalten, wenn eine
Lichtdurchlässigkeit
auftreten kann, aufgrund von Herstellungsabweichung oder von Streuung.
Als Folge davon kann der optische Kontrast der Lichtverschlußanordnung
weiter verbessert werden.
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Wenn diese Lichtverschlußeinrichtung 20 als
optischer Printkopf verwendet wird, wie es in den 11a und 11b dargestellt
ist, sind eine Anzahl von Lichtverschlußeinrichtungen 20 ausgerichtet,
wobei ihre unabhängigen
Elektroden 24 und 25 und ihre gemeinsame Elektrode 23 mit
externen Schaltungen in der oben beschriebenen Art verbunden sind.
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In diesem Fall sollte jedoch dafür gesorgt
werden, daß der
Abstand zwischen aneinandergrenzenden Verschlußanordnungspaaren wie der X-Achsenabstand
P1 zwischen den Verschlußelementen 21 oder 22 einer
Verschlußanordnung
gleich ist dem Abstand P2 zwischen den aneinandergrenzenden Verschlußelementenpaaren
der anderen Anordnung.
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Experimente zeigen übrigens,
daß die
oben beschriebene Lichtverschlußeinrichtung 20 eine
hohe Auflösung
von 12 Punkten pro Millimeter erreicht.
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Als nächstes wird ein Beispiel der
Verwendung einer Anzahl von ausgerichteten Lichtverschlußeinrichtungen
als optischer Aufnahmekopf als Beispiel für einen elektrofotografischen
Printer erläutert.
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In dem Fall eines elektrofotografischen
Printers, der in den 12a und 12b dargestellt ist, ist
ein optischer Aufnahmekopf 40 zwischen einer Stablinse 44 (rod-lense),
auf die Licht das von einem optischen Lichtleiter 43 geleitet
wurde, gestrahlt wird und einer Sammellinsenanordnung 45 zur
Zuführung
des Lichtes auf eine fotoempfindliche Trommel 46 angeordnet.
Der optische Aufnahmekopf 40 enthält einen Polarisator 40b, einen
Analysator 40c und eine Anzahl von Lichtverschlußanordnungen 40a,
die, wie in 11 dargestellt,
ausgerichtet sind. Im Betrieb wird das Licht von einer Halogenlampe 41 durch
ein wärmeabsorbierendes
Filter 42 zu einem Lichtleiter 43 geleitet. Dann
wird das durch den Lichtleiter 43 geleitete Licht auf die
Stablinse 44 gestrahlt und das dadurch gebündelte Licht
wird dem optischen Aufnahmekopf 40 zugeführt. Anschließend werden
einige der Verschlußelemente,
die in diesem Aufnahmekopf 40 ausgerichtet sind, für die selektive
Transmission des einfallenden Lichtes betrieben. Das so übertragene
Licht wird durch die Stabsammellinsenanordnung 45 gesammelt
und auf die fotoempfindliche Trommel 46 gerichtet, um darauf
ein Punktbild zu erzeugen.
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Im folgenden werden Lichtverschlußeinrichtungen,
die sich auf andere Ausführungsformen
der Erfindung beziehen, beschrieben. Dabei soll festgestellt werden,
daß das
Augenmerk auf die Unterschiede zur ersten Ausführungsform gerichtet ist.
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Bei der Lichtverschlußeinrichtung 20 der 13a und 13b der zweiten Ausführungsform wird vor der Ausbildung
des Elektrodenaluminiumfilms 6 auf der Oberfläche und
den Seitenflächen
des PLZT-Wafers 1 die breitenseitigen Enden, d.h. die Y-Achsenenden
der Waferfläche
in einer Tiefe geschnitten, die größer ist, als die der später zu schneidenden
Nuten 9 zur Trennung der unabhängigen Elektroden, wodurch
Stufenbereiche 11 an den Flächenenden ausgebildet werden.
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Der Rest des Aufbaus und des Herstellungsprozesses
dieser Lichtverschlußeinrichtung 20 ist
der gleiche wie der in dem ersten Ausführungsbeispiel.
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Bei dieser Lichtverschlußeinrichtung 20 erstreckt
sich die gemeinsame Elektrode von dem Ende der gemeinsamen Elektrodennut 3 über die
Seitenflächen
des PLZT-Wafers 1, der mit dem Aluminiumfilm 6 beschichtet
ist, und ebenso über
die Stufenbereiche 11, um die breitenseitigen Enden der
Oberfläche
des Wafers 1 zu erreichen, Des weiteren ist die gemeinsame
Elektrode 23 mit der externen Schaltung in den Stufenbereichen 11 verbunden.
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Eine weitere Lichtverschlußeinrichtung 20,
die sich auf ein drittes Ausführungsbeispiel
der Erfindung bezieht, wird im folgenden mit Bezug auf 14 erläutert. Im Fall dieser Verschlußeinrichtung
wird vor der Ausbildung des Elektrodenaluminiumfilms 6 auf
der Oberfläche
und den Seitenflächen
des PLZT-Wafers 1 auf der Hinterfläche des PLZT-Wafers 1 ein
transparenter ITO-Elektrodenfilm 12 mit einer Dicke von etwa 0,2 μm aufgebracht
durch eine Reinigungsbehandlung durch reverses Sputtern unter den
in der folgenden Tabelle 2 angegebenen Bedingungen. Des weiteren
werden zur Trennung der gemeinsamen Elektrode 23 von den
einzelnen unabhängigen
Elektroden 24 und 25 die breitenseitigen Enden
(d.h. die Y-achsenseitigen Enden) des Wafers 1 abgeschnitten.
Der. Rest des Aufbaus und des Herstellungsvorganges für dieses
dritte Ausführungsbeispiel
der Verschlußeinrichtung 20 ist
derselbe wie im ersten Ausführungsbeispiel.
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Bei dieser Lichtverschlußeinrichtung 20 der
dritten Ausführungsform
erstreckt sich die gemeinsame Elektrode 23 vom Ende der
Nut 3 für
die gemeinsame Elektrode über
die Seitenflächen
des PLZT-Wafers 1, der mit dem Aluminiumfilm 6 beschichtet
ist, zum ITO-Elektrodenfilm 12 auf der Rückseite
des Wafers 1. Dann kann die gemeinsame Elektrode 23 mit
der externen Schaltung an der Seitenfläche des Wafers 1 oder
an seiner Rückfläche, die
mit dem ITO-Elektrodenfilm 12 beschichtet ist, verbunden
werden. Die Ausbildung des ITO-Elektrodenfilms 12 auf der
Rückfläche des
PLZT-Wafers 1 hat den Vorteil der verminderten Reflektion
von Licht, das auf die Verschlußeinrichtung 20 einfällt, wodurch
ihre Lichttransmissionseigenschaften verbessert werden.
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Eine weitere Lichtverschlußeinrichtung 20,
die sich auf ein viertes Ausführungsbeispiel
der Erfindung bezieht, wird im folgenden mit Bezug auf 15 erläutert. Bei dieser Verschlußeinrichtung
in der vierten Ausführungsform
wird der Elektrodenaluminiumfilm 12 auf der Rückseite
des PLZT-Wafers 1 mit zumindest der Ausnahme der Verschlußbereiche
vor ihrer Ausbildung auf der Oberfläche und den Seitenflächen des
Wafers 1 ausgebildet. In diesem Fall kann die Trennung
zwischen der gemeinsamen Elektrode 23 und den einzelnen unabhängigen Elektroden 24 und 25 entweder
durch Schneiden der Trennut 10 wie im ersten Ausführungsbeispiel
oder durch Schneiden der breitenseitigen Enden des Wafers 1 wie
im dritten Ausführungsbeispiel
erfolgen.
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In diesem vierten Ausführungsbeispiel
der Lichtverschlußeinrichtung 20 erstreckt
sich die gemeinsame Elektrode 23 von dem Ende der Nut 3 für die gemeinsame
Elektrode über
die Seitenflächen
des PLZT-Wafers 1, der mit Aluminiumfilm 6 beschichtet
ist, zum Aluminiumfilm 6 auf der Rückseite des Wafers 1.
Dementsprechend kann die gemeinsame Elektrode 23 mit der
externen Schaltung an den Seitenflächen oder der Rückfläche des
PLZT-Wafers 1, die mit dem Elektrodenaluminiumfilm 6 beschichtet
ist, verbunden werden.
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Eine weitere Lichtverschlußeinrichtung 20,
die sich auf ein fünftes
Ausführungsbeispiel
der Erfindung bezieht, wird im folgenden mit Bezug auf die 6a und 6b erläutert. Im Fall der Lichtverschlußeinrichtung 20 der
fünften
Ausführungsform
wird vor der Ausbildung des Elektrodenaluminiumfilms 6 auf
der Oberfläche
und den Seitenflächen
des PLZT-Wafers 1 ein Stufenbereich 13 mit derselben
Tiefe wie die Nut 3 der gemeinsamen Elektrode, die später zu schneiden
ist, durch Schneiden der Oberfläche
des Wafers 1 ausgebildet. Der Rest des Aufbaus und des
Herstellungsprozesses ist der gleiche wie im ersten Ausführungsbeispiel.
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Bei der Lichtverschlußeinrichtung 20 des
fünften
Ausführungsbeispiels
erstreckt sich die gemeinsame Elektrode 23 vom Ende der
Nut 3 für
die gemeinsame Elektrode über
die Stufe 13, die mit dem Aluminiumfilm 6 beschichtet
ist, zum breitenseitigen Ende (zum Y-achsenseitigen Ende der Ober fläche des
PLZT-Wafers 1. Die Verbindung mit der externen Schaltung
30 zum Betrieb dieser Lichtverschlußanordnung wird in der gleichen
Weise wie im ersten Ausführungsbeispiel
hergestellt.
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Bei den Lichtverschlußeinrichtungen 20,
die sich auf das erste bis fünfte
Ausführungsbeispiel
der Erfindung beziehen, tritt, obwohl die einzelnen Verschlußelemente 21 und 22 durch
Schneidvorgänge
gebildet werden, nahezu keine Lichtleckage an den Endbereichen der
Verschlußelemente 21 und 22 auf,
wodurch jede der Einrichtungen 20 einen extrem hohen optischen
Kontrast erreichen. Dies kann der Tatsache zugeschrieben werden,
daß die
Anordnung der Oberkanten der Elemente 21 und 22 durch
die V-förmigen
Nuten 8 abgeschrägt
sind, so daß Lichtkomponenten,
die von den Kantenbereichen einfallen, durch die eckenlosen Bereiche
reflektiert werden.