DE3826284C2 - - Google Patents

Info

Publication number
DE3826284C2
DE3826284C2 DE19883826284 DE3826284A DE3826284C2 DE 3826284 C2 DE3826284 C2 DE 3826284C2 DE 19883826284 DE19883826284 DE 19883826284 DE 3826284 A DE3826284 A DE 3826284A DE 3826284 C2 DE3826284 C2 DE 3826284C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
control
voltage
gate
diode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE19883826284
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE3826284A1 (de
Inventor
Hantjun Dipl.-Ing. Hauw-Doeblitz
Yehia Dr.-Ing. 1000 Berlin De Tadros
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Original Assignee
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Licentia Patent Verwaltungs GmbH filed Critical Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority to DE19883826284 priority Critical patent/DE3826284A1/de
Publication of DE3826284A1 publication Critical patent/DE3826284A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3826284C2 publication Critical patent/DE3826284C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/081Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/0812Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
    • H03K17/08128Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in composite switches
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/18Modifications for indicating state of switch
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/567Circuits characterised by the use of more than one type of semiconductor device, e.g. BIMOS, composite devices such as IGBT
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K17/689Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit
    • H03K17/691Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit using transformer coupling

Landscapes

  • Power Conversion In General (AREA)
  • Protection Of Static Devices (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
DE19883826284 1988-07-30 1988-07-30 Ueberstromschutz mit statusmeldung bei einer potentialfreien ansteuerschaltung eines insulated-gate-transistors Granted DE3826284A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19883826284 DE3826284A1 (de) 1988-07-30 1988-07-30 Ueberstromschutz mit statusmeldung bei einer potentialfreien ansteuerschaltung eines insulated-gate-transistors

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19883826284 DE3826284A1 (de) 1988-07-30 1988-07-30 Ueberstromschutz mit statusmeldung bei einer potentialfreien ansteuerschaltung eines insulated-gate-transistors

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3826284A1 DE3826284A1 (de) 1990-02-08
DE3826284C2 true DE3826284C2 (it) 1991-07-04

Family

ID=6360114

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19883826284 Granted DE3826284A1 (de) 1988-07-30 1988-07-30 Ueberstromschutz mit statusmeldung bei einer potentialfreien ansteuerschaltung eines insulated-gate-transistors

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE3826284A1 (it)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007026169A1 (de) * 2007-06-04 2008-12-11 Moeller Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Erkennen der Ansteuerungsart für ein spannungs- oder stromauslösendes Schaltgerät

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4007539A1 (de) * 1990-03-09 1991-09-12 Asea Brown Boveri Ansteuerschaltung fuer einen leistungshalbleiterschalter
DE4012382A1 (de) * 1990-04-18 1991-10-24 Licentia Gmbh Verfahren und anordnung zum abschalten eines leistungshalbleiterschalters mit mos-steuereingang bei ueberstroemen
EP0487964A3 (en) * 1990-11-29 1993-08-18 Siemens Aktiengesellschaft Circuit arrangement for protecting a field-effect-controlled semiconductor against overload
JP2674355B2 (ja) * 1991-05-15 1997-11-12 三菱電機株式会社 パワー素子の過電流保護装置
EP0730347A3 (en) * 1992-03-18 1996-10-23 Fuji Electric Co Ltd Semiconductor device
US5500619A (en) * 1992-03-18 1996-03-19 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device
DE4316694C1 (de) * 1993-05-14 1994-10-06 Licentia Gmbh Hilfsstromversorgung mit integrierter Statusmeldung für Leistungshalbleiteransteuerung mit Optokopplern
CN113433377B (zh) * 2020-03-23 2022-04-26 中车株洲电力机车研究所有限公司 用于igbt的ge电压检测装置及方法
CN113433379B (zh) * 2020-03-23 2022-04-26 中车株洲电力机车研究所有限公司 用于IGBT的Ee电压检测装置及方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3032888A1 (de) * 1980-09-01 1982-03-18 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Schutzschaltung fuer einen schalttransistor
DE3216833A1 (de) * 1982-05-05 1983-11-10 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Schutzschaltung fuer einen schalttransistor
DE3723786A1 (de) * 1987-07-16 1989-01-26 Licentia Gmbh Anordnung zur selbsttaetigen ueberstromabschaltung

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007026169A1 (de) * 2007-06-04 2008-12-11 Moeller Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Erkennen der Ansteuerungsart für ein spannungs- oder stromauslösendes Schaltgerät

Also Published As

Publication number Publication date
DE3826284A1 (de) 1990-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE68928161T2 (de) Treiberschaltung zur Verwendung bei einer spannungsgesteuerten Halbleitervorrichtung
DE69508644T2 (de) Halbleiter-Leistungsmodul und -Leistungswandlervorrichtung
DE3001632C2 (it)
DE68913277T2 (de) Schutz für Leistungswandler gegen Spannungsspitzen.
DE19600808A1 (de) Überspannungsklemmen- und Entsättigungsdetektionsschaltkreis
EP0208065B1 (de) Schaltungsanordnung für die Treiberschaltung von Hochvoltleistungstransistoren
EP0268930B1 (de) Schaltungsanordnung eines sich selbst schützenden Leistungsschalters
DE3826284C2 (it)
DE3409058C2 (de) Kurzschluß- und Überlastschutzschaltung für Endstufentransistoren
DE3840406A1 (de) Schutzschaltung fuer eine schaltmodus-stromversorgungsschaltung
DE2718798C3 (de) Schutzschaltungsanordnung für einen Gleichstrom-Hauptstromkreis
DE3905645C2 (it)
DE2167212C2 (de) Schaltungsanordnung zur Erzeugung wenigstens einer vorgegebenen Ausgangsspannung, deren Größe von einer Eingangsspannung unabhängig ist
DE3924653C2 (it)
DE3343201A1 (de) Ueberstrom-schutzschaltung fuer einen transistor
DE3150703C2 (de) Ansteuerschaltung für kurzschlußfeste Ausgabestufen
EP0046962B1 (de) Schutzschaltung für einen Schalttransistor
EP0322734A1 (de) Anordnung zum Umsetzen von einer innerhalb eines grossen Bereichs veränderlichen Spannung in ein binäres Informationssignal
DE4032047C2 (it)
EP0410188B1 (de) Schaltungsanordnung zum Schutz eines getakteten Halbleiterschalters
DE4007539C2 (it)
EP0509343B1 (de) Verfahren zum Betreiben eines Schaltreglers sowie Anordnung
DE2715609B2 (de) Fenster-Diskriminatorschaltung
DE68911638T2 (de) Antriebsschaltung.
DE3517556A1 (de) Statischer wechselrichter

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee