DE3814257A1 - Vorrichtung und verfahren zur erzeugung von halbleitereinrichtungen - Google Patents

Vorrichtung und verfahren zur erzeugung von halbleitereinrichtungen

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Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Erzeugung von Halbleitereinrichtungen, insbesondere auf eine Vorrichtung zur Erzeugung von Halblei­ tereinrichtungen, die mit einer Gußform und einem Anschluß­ rahmen ausgestattet ist, welche für die Verbesserung der Produktivität und der Produktqualität geeignet sind. Die Erfindung bezieht sich auch auf ein Verfahren zur Herstel­ lung von Halbleitereinrichtungen mit Hilfe der Vorrichtung.
Wie in der japanischen Patent-Offenlegungsschrift Nr. 61-2 92 330 und der japanischen Gebrauchsmuster-Offenlegungs­ schrift Nr. 62-1 57 143 offenbart, besitzt eine herkömmliche Vorrichtung eine Aufbauweise, bei der eine Mehrzahl von Töp­ fen, die miteinander über Hilfsverteilerkanäle verbunden sind, in einer Gußform angebracht sind und bei der eine Pro­ duktaushöhlung an die Spitze eines Paares zweier Paare der Hauptverteilerkanäle angeschlossen ist, die mit den Töpfen verbunden sind. Weiter ist, wie in der japanischen Patent- Offenlegungsschrift Nr. 62-1 22 136 offenbart, eine andere herkömmliche Vorrichtung so aufgebaut, daß eine Mehrzahl von Produktaushöhlungen in Reihe an die entsprechenden Spitzen der Verteilerkanäle angeschlossen sind.
Bei dem in der japanischen Patent-Offenlegungsschrift Nr. 61-29 230 und der japanischen Gebrauchsmuster-Offenlegungs­ schrift Nr. 62-1 57 143 veröffentlichten Stand der Technik ist die Vorrichtung in der Lage, den Innendruck in den Durch­ flußwegen zwischen den Töpfen gleichmäßig zu gestalten, auch wenn die Menge der in die Töpfe durch Laufwege zwischen den Töpfen eingeführten Tabletten sich verändert. Es ist jedoch nur eine Aushöhlung an der Spitze des Verteilerkanals ange­ ordnet und es wird eine Überschußmenge an Kunstharz zur Fül­ lung der Durchflußwege benötigt, so daß sich Begrenzungen hinsichtlich der Verbesserung der Produktionsmenge ergeben haben.
Bei der anderen oben aufgeführen bekannten Technik ist die Vorrichtung so aufgebaut, daß eine Vielzahl von Aushöhlungen in Reihe an jeden Verteilerkanal angeschlossen ist bzw. ge­ trennt von einer Mehrzahl von Töpfen an die Kanäle heranfüh­ ren. Da aber die Gewichte der in jeden Topf eingefüllten Tabletten gewöhnlich variieren, haben sich Beschränkungen hinsichtlich der Vergleichmäßigung der internen Drücke in den Durchflußwegen zwischen den Töpfen ergeben.
Bei der bekannten Technik hat man mit anderen Worten der wirksamen Nutzung des Kunststoffes und der Vergleichmäßigung der inneren Drücke in den Durchflußwegen zwischen den Töpfen der Gußform keine Beachtung geschenkt.
Es ist daher die Hauptaufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Vorrichtung zur Halbleiterherstellung bereitzustellen die in der Lage ist, die Leistungsfähigkeit der Produktion und die Verbesserung der Produktqualität miteinander in Ein­ klang zu bringen.
Eine zweite Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Methode zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung anzuge­ ben, bei der die Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitern angewendet wird.
Eine dritte Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen Anschlußrahmen bereitzustellen, der für die Verwendung mit der Vorrichtung zur Halbleiterherstellung geeignet ist und ein hohes Maß an Produktionsleistung erbringt.
Um die erste Aufgabe der Erfindung zu erreichen, ist gemäß einem ersten Aspekt der Erfindung eine Vorrichtung zur Er­ zeugung von Halbleitereinrichtungen vorgesehen, die eine Gußform mit einer Mehrzahl von Töpfen zur Abgabe von Gieß­ harz, einen Durchflußweg zur Verbindung der Töpfe miteinan­ der und eine Mehrzahl von Nestern bzw. Ausnehmungen bzw. Aushöhlungen umfaßt, in welcher jeweils Halbleitereinrich­ tungen plaziert werden und die in Reihe angeordnet sind.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird die zweite Aufgabe der Erfindung dadurch erreicht, daß eine Methode zur Herstellung von Halbleitereinrichtung bereitgestellt wird, die eine Vorrichtung zur Erzeugung von Halbleitereinrichtung anwendet und die folgenden Stufen umfaßt:
  • Einlegen eines Anschlußrahmens in die Gußform; Eingießen von Kunstharz in die Töpfe; und
  • Anpressen des in den Töpfen untergebrachten Kunststoffes mit einer Mehrzahl von Druckstempeln, um den Kunststoff in die Aushöhlungen einzuspritzen.
Weiter wird gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung die dritte Aufgabe der Erfindung durch Bereitstellung eines An­ schlußrahmens gelöst, bei dem eine Mehrzahl von Füßen bzw. Sockeln jeweils zur Befestigung von Halbleitereinrichtungen am Anschlußrahmen in Richtung der Länge und der Breite des­ selben angeordnet sind.
Darüber hinaus sind gemäß der vorliegenden Erfindung abge­ wandelte Ausführungsformen vorgesehen, bei welchen ein Schlitz zwischen den Halbleitereinrichtung in einen An­ schlußrahmen vorgesehen ist, oder bei denen eine Brücke bzw. Steg in einem Teil des Schlitzes angebracht ist.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird die Abnahme in der Ausbringung des Kunstharzmaterials infolge der Durchflußwege zwischen den Töpfen kompensiert durch die Zunahme der Anzahl der in Reihe geschalteten Aushöhlungen und es wird, im Ge­ genteil, eine wesentliche Verbesserung der Ausbeute des Kunstharzmaterials erzielt. Weiter ist es möglich, den auf jeden Topf wirkenden Gießdruck zu vergleichmäßigen wenn der Kunststoff durch die Durchflußwege zwischen den Töpfen be­ fördert wird, selbst wenn die Gewichte, des in jeden Topf eingefüllten Kunststoffs wesentlich voneinander abweichen. Außerdem ist der Anschlußrahmen derart angeordnet, daß ein­ zukapselnde Halbleitereinrichtungen in der Längs- und Quer­ richtung des Anschlußrahmens angeordnet werden. Daher können im Vergleich zu herkömmlichen Anschlußrahmen, bei denen die Halbleitereinrichtungen nur in einer Richtung angeordnet werden, die Produktionskosten pro Stück erheblich gesenkt werden. Da weiter die Abstände zwischen den Halbleiterein­ richtungen sehr klein gemacht werden können, kann der Durch­ flußweg kurz gehalten werden, was Vorteile wie ein stabiles Gießen aufgrund einer Verringerung des Fließwiderstandes während des Gießens und eine Vergrößerung der Anzahl der Halbleitereinrichtungen pro Einheitsfläche der Gußform mit sich bringt, wodurch die Produktivität weiter verbessert wird. Daneben ist es möglich, weil die Zylinderstange direkt an jedem Stempel der Gießpresse befestigt werden kann, eine genaue Kontrolle der Wirkungsweise der Druckstempel auf sei­ ten der Gießpresse durchzuführen, was zu einer wesentlichen Verbesserung der Produktqualität führt.
Weitere Merkmale, Vorteile und Anwendungsmöglichkeiten der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit der Zeichnung. Darin zeigen:
Fig. 1A eine Draufsicht auf die untere Gußformhälfte einer Gußform gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
Fig. 1B einen Teilquerschnitt entlang der Linie IB-IB in Fig. 1A mit geschlossener oberer und unterer Gußformhälfte;
Fig. 1C einen Querschnitt entlang der Linie IC-IC in Fig. 1A;
Fig. 2 eine Vorderansicht eines Anschlußrahmens zur Verwendung in der Gußform nach Fig. 1;
Fig. 3 eine Draufsicht auf die untere Gußformhälfte, nachdem eine Halbleitereinrichtung mit Kunstharz unter Verwendung der Gußform nach Fig. 1 und des Anschlußrahmens gemäß Fig. 2 eingebettet wurde;
Fig. 4 ist eine Draufsicht auf die untere Gußformhälfte gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegen­ den Erfindung;
Fig. 5 ist eine Draufsicht auf einen Anschlußrahmen zur Verwendung in der Gußform nach Fig. 4;
Fig. 6 ist eine Draufsicht auf die untere Gußformhälfte nachdem sie mit Kunststoff gefüllt ist, bei Ver­ wendung kunststoffgekapselter Halbleitereinrich­ tung gemäß der zweiten Ausführungsform;
Fig. 7 ist eine Draufsicht auf die untere Gußformhälfte gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegen­ den Erfindung;
Fig. 8 ist eine Draufsicht auf den Anschlußrahmen zur Verwendung in der Gußform nach Fig. 7;
Fig. 9 ist eine Draufsicht auf die untere Gußformhälfte, nachdem sie mit Kunststoff gefüllt ist, bei Ver­ wendung von kunstharzgekapselten Halbleiterein­ richtungen gemäß der dritten Ausführungsform;
Fig. 10 ist eine Draufsicht auf die untere Gußformhälfte gemäß einer dritten Ausführungsform;
Fig. 11 ist eine Draufsicht auf die untere Gußformhälfte gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegen­ den Erfindung;
Fig. 12 ist eine Draufsicht auf die untere Gußformhälfte, nachdem sie mit Kunststoff gefüllt ist, bei Ver­ wendung kunststoffgekapselter Halbleitereinrich­ tungen gemäß der vierten Ausführungsform der vor­ liegenden Erfindung;
Fig. 13 ist eine Draufsicht auf die untere Gußformhälfte gemäß einer fünften Ausführungsform;
Fig. 14 ist eine Draufsicht auf die untere Gußformhälfte, nachdem sie mit Kunststoff gefüllt ist, bei Benut­ zung von kunststoffgekapselten Halbleitereinrich­ tungen gemäß der fünften Ausführungsform;
Fig. 15 ist eine Draufsicht auf die untere Gußformhälfte gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorlie­ genden Erfindung;
Fig. 16 ist eine Draufsicht auf die untere Gußformhälfte nachdem sie mit Kunststoff gefüllt ist, bei Ver­ wendung der kunststoffgekapselten Halbleiterein­ richtungen gemäß der sechsten Ausführungsform;
Fig. 17 ist eine Draufsicht auf die untere Gußformhälfte gemäß einer siebten Ausführungsform der vorliegen­ den Erfindung;
Fig. 18 ist eine Vorderansicht des in der Gußform nach Fig. 17 verwendeten Anschlußrahmens;
Fig. 19 ist eine Draufsicht auf die untere Gußformhälfte nachdem sie mit Kunststoff gefüllt ist, bei Ver­ wendung der kunststoffgekapselten Halbleiterein­ richtungen gemäß der siebten Ausführungsform;
Fig. 20 ist eine Draufsicht auf die untere Gußformhälfte gemäß einer achten Ausführungsform der vorliegen­ den Erfindung;
Fig. 21 ist eine Vorderansicht des in der Gußform nach Fig. 20 benutzten Anschlußrahmens;
Fig. 22 ist eine Vorderansicht der unteren Gußformhälfte, nachdem sie mit Kunststoff gefüllt ist, unter Be­ nutzung der kunststoffgekapselten Halbleiterein­ richtungen gemäß der achten Ausführungsform;
Fig. 23 ist eine schematische Darstellung der Gesamtanordnung einer Vorrichtung zur Erzeugung kunststoffgekapselter Halbleitereinrichtungen ge­ mäß einer neunten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 24 ist ein Diagramm, das den Verlauf eines Gießvorgangs veranschaulicht, welches bei Verwen­ dung der Vorrichtung zur Erzeugung kunststoffge­ kapselter Halbleitereinrichtungen gemäß der neun­ ten Ausführungsform erhalten wird; und
Fig. 25 ist ein Diagramm, welches das Auftreten von Fehlern im Vergleich mit einer herkömmlichen Gieß­ methode wiedergibt.
Unter Bezugnahme auf die Zeichnungen erfolgt nunmehr eine Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung.
Zunächst einmal veranschaulichen die Fig. 1A bis 1C den Aufbau einer Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, in welchem Fig. 1A eine Draufsicht auf die untere Gußformhälfte der Gußform darstellt. In der Zeichnung kennzeichnet das Bezugszeichen 1 die untere Hälfte der Gußform. 2 bezeichnet eine Mehrzahl von Töpfen (in Fig. 1A sind drei Töpfe dargestellt) zur Einspeisung von Einbet­ tungskunstharz; und 3 bezeichnet einen zu jedem Topf 2 füh­ renden Verteilerkanal. Ein erster Einlauf 4 bzw. Einlaßtür ist an der Spitze jedes Verteilerkanals 3 angeordnet und eine erste Aushöhlung 5 steht in Verbindung mit diesem er­ sten Einlauf 4. Ein zweiter Einlauf 6 ist, in Richtung der Versorgung mit Kunstharz gesehen, stromabwärts der ersten Aushöhlung 5 angeordnet. Eine zweite Aushöhlung 7 ist vor­ handen und mit dem zweiten Einlauf 6 verbunden. Weiter ist eine dritte Aushöhlung 9 stromabwärts der zweiten Aushöhlung 7 über einen dritten Einlauf 8 verbunden. Mit anderen Wor­ ten, es sind drei Aushöhlungen in Serie geschaltet. Zusätz­ lich stehen die Töpfe 2 miteinander durch einen Verbindungs­ kanal 10 in Verbindung.
Fig. 1B ist ein Querschnitt entlang der Linie IB-IB in Fig. 1A mit einem zwischen die obere Gußformhälfte 12 und die untere Gußformhälfte 1 eingefügten Anschlußrahmen 11. Chips 13 sind auf dem Anschlußrahmen 11 in Positionen angebracht, die der ersten Aushöhlung 5, der zweiten Aushöhlung 7 und der dritten Aushöhlung 9 entsprechen. Jeder der Chips 13 und der Anschlußrahmen 11 sind miteinander durch Metalldrähte 14 verbunden, wodurch elektrische Komponente entstehen, die mit Kunstharz einzukapseln sind.
Fig. 1C ist ein Querschnitt entlang der Linie IC-IC in Fig. 1A bei dem die obere Gußformhälfte 12 und die untere Gußformhälfte 1 geschlossen sind und Druckstempel 17 mit einer Stange 15 über eine steife Verbindungsplatte 16 ver­ bunden sind.
In jeden der in den Fig. 1C dargestellten Töpfe wird Kunst­ harz (nicht dargestellt) eingefüllt, und dann wird der Stab 15 der Gießpresse herunterbewegt, so daß die Druckstempel 17 mit Hilfe der steifen Verbindungsplatte 16 in die Töpfe 2 abgesenkt werden. Die Druckstempel 17 pressen den Kunstharz in den Verbindungskanal 10 zwischen den Töpfen 2 und jeden der Verteilerkanäle 3, so daß jeder Einlauf und jede Aushöh­ lung stromabwärts jedes Verteilerkanals 3 mit Kunstharz ge­ füllt wird.
Fig. 2 ist eine Draufsicht auf den Anschlußrahmen der in der in Fig. 1 dargestellten Gußform verwendet wird, während Fig. 3 eine Draufsicht auf die untere Gußformhälfte darstellt, nachdem sie mit Kunstharz unter Benutzung des Anschlußrah­ mens gefüllt wurde.
In Fig. 2 werden Chips (nicht dargestellt) an den Füßen 18 gußformbondiert und dann an Zipfelabschnitten der inneren Zuleitungen 19 bzw. Anschlüsse mit Hilfe von Metalldrähten (nicht dargestellt) drahtbondiert, so daß Halbleiterkompo­ nenten entstehen. Somit werden Halbleiterkomponenten am An­ schlußrahmen, in dessen Längs- und Querrichtung angeordnet.
Fig. 3 ist eine Draufsicht auf die untere Gußformhälfte 1 in einer Stellung, in der eine Druckeinspeisung eines Kunsthar­ zes 20 durchgeführt wurde, wobei der in Fig. 2 dargestellte Anschlußrahmen 11 zwischen der in Fig. 1A gezeigten unteren Gußformhälfte 1 und der oberen Gußformhälfte 12 eingefügt ist. Der Kunstharz 20 härtet nach Ablauf einer vorbestimmten Zeitperiode, so daß im Kunstharz eingekapselte Produkte 21 erhalten werden. Anschließend werden kunststoffgekapselte Halbleitereinrichtungskomponenten nach Durchlaufen eines festgelegten Verfahrens erhalten. Übrigens strömt bei dieser Ausführungsform der Kunstharz innerhalb jeder Aushöhlung kontinuierlich in eine Richtung, die senkrecht zum Muster der äußeren Zuleitungen 22 liegt, welche die äußeren Zulei­ tungsstifte jeder kunstharzgekapselten Halbleitereinrich­ tungskomponente bilden.
In der in den Fig. 1 bis 3 dargestellten Ausführungsform sind die Druckstempel 17 an der Oberseite der Töpfe 2 ange­ ordnet. Auch wenn die Druckstempel 17 unterhalb der Töpfe angeordnet werden ist es möglich, kunstharzgekapselte Halb­ leitereinrichtungen bei vergleichbarer Produktivität und Produktqualität zu erhalten.
Fig. 4 ist eine Draufsicht auf die untere Gußformhälfte ge­ mäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 5 ist eine Draufsicht auf den in der Gußform nach Fig. 4 verwendeten Anschlußrahmen; und
Fig. 6 ist eine Draufsicht auf die untere Gußformhälfte nachdem sie mit Kunstharz unter Benutzung der Gußformhälfte und des Anschlußrahmens gefüllt wurde.
Der Unterschied zwischen den Ausführungsformen nach Fig. 4 und Fig. 1A liegt darin, daß bei der Ausführungsform nach Fig. 4 die zweiten und dritten Einläufe nicht in der unteren Gußformhälfte angeordnet sind und daß die zweiten und drit­ ten Aushöhlungen 7 und 9 getrennt voneinander vorgesehen sind. In dem bei der Gußform nach Fig. 4 verwendeten An­ schlußrahmen 11 sind Schlitze 23 zur Weiterleitung des Kunstharzes stromabwärts der zweiten Aushöhlung und der dritten Aushöhlung in Positionen angebracht, welche den zweiten und dritten Einläufen entsprechen, wie Fig. 5 zeigt.
Fig. 6 ist eine Draufsicht auf die untere Gußformhälfte 1 in einer Position, in der eine Druckeinspeisung des Kunstharzes 20 beendet ist, wobei der in Fig. 5 gezeigte Anschlußrahmen 11 zwischen der in Fig. 1 gezeigten unteren Gußformhälfte 1 und der oberen Gußformhälfte (nicht dargestellt) eingefügt ist. Nachdem Gewichtsunterschiede des Kunstharzes 20 durch den Verbindungskanal 10 zwischen den Töpfen 2 ausgeglichen worden sind, strömt der Kunstharz 20 durch die Verteilerka­ näle 3 und die ersten Einläufe 4 aus den Töpfen 2, füllt die ersten Aushöhlungen 5 und gelangt dann durch die Schlitze 23 in die zweiten Aushöhlungen 7 und weiter durch die Schlitze 23 in die dritten Aushöhlungen 9, und erzeugt so die kunst­ harzgekapselten Produkte 21. Anschließend werden die kunst­ harzgekapselten Halbleitereinrichtungen nach Durchlaufen eines vorherbestimmten Verfahrens fertiggestellt.
Bei dieser Ausführungsform können die Herstellungskosten für die Einläufe im Vergleich zur ersten Ausführungsform vor­ teilhaft verringert werden.
Fig. 7 ist eine Draufsicht auf die untere Gußformhälfte ent­ sprechend einer dritten Ausführungsform; Fig. 8 ist die Draufsicht auf den in der Gußform nach Fig. 7 benutzten An­ schlußrahmen; und Fig. 9 ist eine Draufsicht auf die untere Gußformhälfte, nachdem sie mit Kunstharz unter Benutzung der unteren Hälfe und des Anschlußrahmens gefüllt wurde.
Die Unterschiede zwischen den Anordnungsweisen gemäß Fig. 7 und Fig. 1A liegt darin, daß bei der in Fig. 7 gezeigten Anordnung die Verteilerkanäle 3 nicht direkt an den Töpfen 2 entspringen, sondern vom Topfverbindungskanal 10 her und daß sie geradlinig mit den ersten Einläufen 4 verbunden sind. Diese Anordnungsweise erleichtert eine bequeme Maschinenfer­ tigung der Gußform und daher können die Herstellungskosten gesenkt werden.
Der Unterschied zwischen den Anschlußrahmen gemäß Fig. 8 und gemäß Fig. 5 besteht darin, daß der Anschlußrahmen gemäß Fig. 8 eine Brücke 24 in jedem Schlitz 23 aufweist. Auf die­ se Weise kann verhindert werden, daß sich der Anschlußrahmen 11 dadurch verformt, daß der Schlitz 23 durch den Strömungs­ druck des Kunstharzes beim Gießen aufweitet. Im übrigen sind, wie in Fig. 7 dargestellt ist, Einläufe jeweils zwi­ schen benachbarte Aushöhlungen der Gußform angeordnet, so daß der Kunststoff stomabwärts fließen kann, selbst wenn die Brücken 24 im Anschlußrahmen vorhanden sind.
Fig. 9 ist eine Draufsicht auf die untere Gußformhälfte in einer Stellung, in welcher eine Druckeinspeisung des Kunst­ harzes durchgeführt wurde, wobei der in Fig. 8 dargestellte Anschlußrahmen 11 zwischen der in Fig. 7 dargestellten unte­ ren Gußformhälfte 1 und einer oberen Gußformhälfte (nicht dargestellt) eingefügt ist. Nachdem Gewichtsunterschiede des Kunststoffes durch den Topfverbindungskanal 10 ausgeglichen worden sind, strömt das Kunstharz 20 durch den Kanal 10, passiert die Verteilerkanäle 3 und die ersten Einläufe 4 und füllt die ersten Aushöhlungen 5. Weiter gelangt der Kunst­ harz 20 durch die Schlitze 23 und die zweiten Einläufe 6 (nicht dargestellt) stromabwärts zu der selben und gelangt dann in die zweiten Aushöhlungen 7 und weiter in die dritten Aushöhlungen 9, nachdem er durch die Schlitze 23 und die dritten Einläufe 8 (nicht dargestellt) stromabwärts dersel­ ben gelangt ist, und bildet so die kunstharzgekapselten Pro­ dukte 21. Bei dieser Ausführungsform können beide Schlitze 23 und jeder Einlauf einen Durchflußweg bilden, so daß der Strömungswiderstand für das Kunstharz verringert werden kann. Weiter kann die Verformung des Anschlußrahmens 21 in den Bereichen der Schlitze 23 durch die Brücken 24 verhin­ dert werden.
Zusätzlich kann die Anordnungsweise in Bezug auf die Aushöh­ lungsstände, die Topfabstände und die Topfdurchmesser so gewählt werden, daß die Verteilerkanäle 3 direkt mit den Töpfen in Verbindung stehen, wie in Fig. 10 gezeigt ist.
Übrigens sind die in den Fig. 2, 5 und 19 (später zu bespre­ chen) dargestellten Anschlußrahmen auch bei den Gußformen gemäß den Fig. 7 und 10 verwendbar.
Fig. 11 ist eine Draufsicht auf die untere Gußformhälfte gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfin­ dung, während Fig. 12 eine Draufsicht auf die untere Gußformhälfte darstellt, nachdem sie mit Kunstharz unter Benutzung des Anschlußrahmens nach Fig. 2 gefüllt wurde.
Der Unterschied zwischen den Anordnungen gemäß Fig. 11 und den Anordnungen gemäß Fig. 7 und 10 besteht darin, daß Be­ lüftungswege 25 vorhanden sind (schraffierte Abschnitte in Fig. 11), welche mit dem Topfverbindungskanal 10, den zwei­ ten Einläufen 6 und den dritten Einläufen 8 in Verbindung stehen, sowie mit der Außenseite der Gußform. Die Belüf­ tungswege 25 haben eine Tiefe von ungefähr 10 µm bis 40 µm, während die Tiefe des Verbindungskanals 10 und der Vertei­ lerkanäle 3 ungefähr einige Millimeter beträgt. Diese Anord­ nungsweise bietet den Vorteil, daß Luft, die im Kunstharz vorhanden ist, wenn Kunstharzströme miteinander in Bereichen des Topfverbindungskanals 10 zwischen benachbarten Töpfen aufeinander stoßen, oder wenn Luft im Harz eingefangen wird wenn es durch die Einläufe strömt, nach außerhalb der Gußform ausgestoßen wird.
Es ist auch möglich, bei einer Gußform mit der Konfiguration nach den Fig. 1A oder 4 Be- bzw. Entlüftungswege vorzusehen, die in Verbindung mit dem Topfverbindungskanal und den Ein­ läufen stehen.
Fig. 12 ist eine Draufsicht auf die untere Gußformhälfte 1 in einer Stellung, in der eine Druckeinspeisung des Kunst­ harzes stattgefunden hat, wobei der in Fig. 2 dargestellte Anschlußrahmen zwischen der unteren Gußformhälfte gemäß Fig. 11 und einer oberen Gußformhälfte (nicht dargestellt) einge­ fügt ist. Dieses System stellt sicher, daß das Auftreten von Blasen im gegossenen Produkt 21 wesentlich reduziert und die Produktqualität verbessert werden kann.
Wenn die in Fig. 11 dargestellte Gußformhälfte so modifi­ ziert wird, daß die zweiten und dritten Einläufe 6 und 8 der in Fig. 11 dargestellten Gußformhälfte so angeordnet werden, wie bei der Ausführungsform gemäß Fig. 10, kann der An­ schlußrahmen nach den Fig. 2, 5, 8 oder 11 mit einer solchen modifizierten Gußformhälfte verwendet werden.
Fig. 13 zeigt eine Anordnungsweise, welche sich von derjeni­ gen in Fig. 11 dadurch unterscheidet, daß zusätzlich zu den vorerwähnten Be- und Entlüftungszügen 25 Scheinaushöhlungen 26 vorgesehen sind, die beim Gießen von Halbleiterkomponen­ ten keine Funktion haben, und jeweils in Verbindung mit dritten Aushöhlungen stehen, so daß an der Stirnseite des Kunstharzstromes eingefangene Luft in den Scheinaushöhlungen 26 abgelagert werden kann, um das Auftreten von Blasen in den Produkten zu verringern und dadurch die Qualität der Produkte zu verbessern.
Es ist auch möglich, Scheinaushöhlungen in Gußformen anzu­ bringen, welche die in den Fig. 1A und 4 dargestellten Kon­ figurationen besitzen.
Es ist klar, daß im Falle der in Fig. 13 dargestellten Gußform ein Anschlußrahmen benutzt werden kann, wie er in den Fig. 2, 5, 8 oder 11 dargestellt ist, falls die Einläufe wie in Fig. 10 angeordnet werden.
Fig. 15 ist eine Draufsicht auf die untere Gußformhälfte der Gußform gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorliegen­ den Erfindung, während Fig. 16 eine Draufsicht auf die Gußform darstellt, nachdem sie mit Kunstharz unter Benutzung des Anschlußrahmens gemäß Fig. 2 gefüllt wurde.
Der Unterschied zwischen den Ausführungsformen gemäß Fig. 15 und Fig. 11 besteht darin, daß bei der Anordnung nach Fig. 15 das aus dem Topf 2 ausströmende Kunstharz durch die Kunstharzentladungsöffnungen 27 strömt, wobei jede einen Querschnitt besitzt, der enger ist als derjenige des Topf­ verbindungskanals 10, und von da zum Kanal 10 und den Ver­ teilerkanälen 3. Auf diese Weise ist es möglich, die im Kunstharz vorhandenen Blasen zu komprimieren und dadurch die Größe der in die Aushöhlungen fließenden Blasen zu verrin­ gern. Weiter wird, wie vorher beschrieben, die im Kunstharz befindliche Luft nach außerhalb der Gußform durch die Ent­ lüftungswege 25 ausgestoßen. Infolgedessen ist es möglich, die Blasen in den gegossenen Produkten zu reduzieren.
Es ist klar, daß bei der in Fig. 15 dargestellten Gußform auch der Anschlußrahmen gemäß den Fig. 2, 3, 8 oder 11 ver­ wendet werden kann, falls die Einläufe in der in Fig. 10 dargestellten Weise angeordnet werden.
Fig. 17 ist eine Draufsicht auf die untere Gußformhälfte der Gußform gemäß einer siebten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; Fig. 18 ist eine Draufsicht auf den in der Gußform nach Fig. 17 verwendeten Anschlußrahmen; und Fig. 19 ist eine Draufsicht auf die untere Gußformhälfte, nachdem sie mit Kunstharz unter Verwendung der Gußform und des An­ schlußrahmens gefüllt worden ist.
Die Unterschiede zwischen den Anordnungen nach den Fig. 17 und 15 bestehen darin, daß bei der Anordnung nach Fig. 17 Einläufe 27 zur Entladung von Kunstharz aus den Töpfen 2 vorgesehen sind und daß Scheinaushöhlungen 26 vorhanden sind, die jeweils in Verbindung mit den dritten Aushöhlungen 9 stehen, so daß die Luft, welche in dem Kunstharz vorhanden ist, das durch die Aushöhlungen geströmt ist, in den Scheinaushöhlungen 26 gefangen werden kann. Infolgedessen werden die Höhlräume bzw. Blasen in den gegossenen Produkten verkleinert.
Weiter besteht der Unterschied zwischen den in den Fig. 13, 14, 17 und 19 dargestellten Anordnungsweisen darin, daß bei den in den Fig. 17 und 19 dargestellten Ausführungsformen Scheinaushöhlungen 26 in den unteren Gußformhälften an Plät­ zen angeordnet sind, die vom Anschlußrahmen 1 bedeckt werden und daß Kunstharzentladungsschlitze 28 im Anschlußrahmen in Positionen vorgesehen sind, die mit den Scheinaushöhlungen 26 übereinstimmen. Infolgedessen ergibt sich der Vorteil, daß die Töpfe 2 die Verteilerkanäle 3, die ersten Einläufe 4, die zweiten Einläufe 6, die dritten Einläufe 8 und die Scheinaushöhlungen 26 und 28, die alle nach dem Gießen nicht benutzt werden, gleichzeitig und auf einfache Weise ausgestanzt und entfernt werden können. Somit erleichtert diese Anordnungsweise eine Automatisierung des Herstellungs­ prozesses und verbessert erheblich die Produktivität.
Fig. 20 ist eine Draufsicht auf die untere Gußformhälfte der Gußform gemäß einer achten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; Fig. 21 ist eine Draufsicht auf den in der Gußform nach Fig. 20 verwendeten Anschlußrahmen; und Fig. 22 ist eine Draufsicht auf die untere Gußformhälfte, nachdem sie mit Kunstharz unter Verwendung der Gußform und des An­ schlußrahmens gefüllt worden ist.
Die Anordnungsweise des Topfverbindungskanals 10 und die Weise, in der die Verteilerkanäle 3 abgezweigt werden, wie Fig. 20 zeigt, sind die gleichen wie jene nach Fig. 7, je­ doch unterschiedet sich die Anordnungsweise nach Fig. 20 von derjenigen nach Fig. 7 dadurch, daß die Aushöhlungen relativ zu den Verteilungskanälen diagonal angeordnet sind, und daß der Kunstharz von einer Ecke der Aushöhlung zur Ecke einer benachbarten Aushöhlung strömt und daß zwei Arten von Ver­ teilungskanälen, z. B. ein langer und ein kurzer Typ, angewendet und so angeordnet werden, daß ein längerer Ver­ teilungskanal neben einem kürzeren Verteilungskanal ver­ läuft.
Der in Fig. 21 dargestellte Anschlußrahmen ist von einem Typ, bei dem die äußeren Zuleitungen 22 sich in vier andere Richtungen erstrecken als in die beiden in den Fig. 2, 5, 8 und 18 gezeigten Richtungen. Weiter sind die äußeren Zulei­ tungen 22 gemäß Fig. 2, 5, 8 und 18 parallel zu einer Seite des äußeren Randes des Anschlußrahmens angeordnet, während die äußeren Zuleitungen 22 gemäß Fig. 21 unter einem be­ stimmten Winkel zu jedem der äußeren Ränder des Anschlußrah­ mens angeordnet sind.
Fig. 22 ist eine Draufsicht auf die untere Gußformhälfte in einer Position in welcher eine Druckeinspeisung des Kunst­ harzes stattgefunden hat, bei der der in Fig. 21 dargestell­ te Anschlußrahmen 11 zwischen der in Fig. 20 gezeigten unte­ ren Gußformhälfte 1 und einer oberen Gußformhälfte (nicht dargestellt) eingefügt ist. Bei Benutzung dieser Ausfüh­ rungsform ist es möglich, bei hoher Produktionsleistung Halbleitereinrichtungen herzustellen, die alle äußere Zulei­ tungen 22 in allen vier Richtungen besitzen.
Obwohl hier ein Beispiel gegeben wird, bei der eine Gußform­ struktur und eine Anschlußrahmenstruktur kombiniert sind, können auch andere Kombinationen wie in der ersten bis sieb­ ten Ausführungsform angewendet werden.
Weiter sind in der vorbeschriebenen Ausführungsform drei Aushöhlungen in Reihe geschaltet, um so drei Produkte über einen Verteilungskanal herzustellen. Dies ist aber nur ein Veranschaulichungsbeispiel, denn die gewünschte Anzahl der Produkte kann in geeigneter Weise auf der Basis der Größe der Produkte, der Fließfähigkeit des Harzes, etc. bestimmt werden.
Fig. 23 ist eine schematische Darstellung einer Anordnungs­ weise einer Gesamtapparatur zur Erzeugung kunstharzgekapsel­ ter Halbleitereinrichtungen gemäß der vorliegenden Erfindung mit einer oberen Gußformhälfte 12 und der unteren Gußform­ hälfte 1 zusammengeklappt, wie in Fig. 1B dargestellt, und mit der in einer Gußpresse 29 montierten Gußform. Jeder Druckstempel 17 ist an der einen Seite einer steifen Verbin­ dungsplatte 16 befestigt während die Stange 15 der Gußpresse mit der anderen Seite der steifen Verbindungsplatte 16 ver­ bunden ist. Weiter stehen die Töpfe 2 miteinander durch den Topfverbindungskanal 10 in Verbindung.
Es wird nun eine Beschreibung der Grundzüge der Ausbildungs­ weise der Apparatur zum Antrieb der Stange 15 gegeben. Diese Apparatur ist mit einem Antriebsschaltkreis ausgestattet. Wenn ein Schalter (nicht dargestellt) zum Absenken des Sta­ bes eingeschaltet ist, bewegen sich die über die steife Ver­ bindungsplatte 16 mit dem Stab 15 verbundenen Druckstempel nach unten und treiben das in den Töpfen 2 befindliche Kunstharz in die Gußform. Der Antriebsschaltkreis ist als ein elektrischer Kreis ausgebildet, der einen Servomotor 30 mit einem Motor, einem Impulsgenerator 31 bestehend aus ei­ nem Wegschreiber, der den Laufweg des Servormotors 30 er­ faßt, und einer Antriebskontrolleinheit 32 besteht. Die An­ triebskontrolleinheit 32 arbeitet wie folgt: Ein primärer Strom i max 2 (wobei i max 1 i max 2) wobei beide als maximale an den Servomotor zu speisende Ströme dienen wird ebenso wie ein vorbestimmter Laufweg im voraus eingestellt. Wenn der Schalter zum Absenken der Druckstempel eingeschaltet ist, wird die Geschwindigkeit des Servomotors 30 gesteuert und der Maximalstrom des Motors auf den primären Strom einge­ stellt. Wenn der Laufweg seinen vorbestimmten Laufweg errei­ cht hat, wird der Maximalstrom des Motors auf den sekundären Strom umgeschaltet, und wenn der Motorstrom auf diese Weise auf den sekundären Strom umgeschaltet ist, wird das Drehmo­ ment des Servomotors 30 gesteuert. Eine Kugelumlaufspindel 33 ist zur Verlangsamung der Rotation des Servomotors 30 vorgesehen, in dem sie die Rotation in eine geradlinige Be­ wegung umwandelt und die geradlinige Bewegung auf den Stab 15 zur Absenkung desselben überträgt.
Im einzelnen ist der Servomotor 30 an einen Tachosignalgeber 34 und den Impulsgenerator 31 angeschlossen. Der Motortrei­ ber 35 nimmt ein Signal auf, welches die Zahl der Umdrehun­ gen des Tachosignalgebers 34 darstellt und ist in der Lage, eine geschlossene Schleifenregelung in einem Geschwindig­ keitskontrollbereich durchzuführen, derart, daß die Zahl der Umdrehungen des Servomotors 30 angepaßt wird an die Zahl der in einer Mikrocomputereinheit 36 (sie wird später näher be­ schrieben) eingestellten Zahl von Umdrehungen. Der Impulsge­ nerator 31 erfaßt den Laufweg des Servomotors 30, z. B. des Druckstempelweges. Die Mikrocomputereinheit 36 nimmt ein Laufwegsignal des Impulsgenerators 31 auf und steuert die Bewegung der Druckstempel 17. Ein Bedienungspult 37 wird zur Einstellung der maximalen Motorströme, der Anzahl der Dre­ hungen des Servomotors 30 und des Laufweges der Druckstempel in der Mikrocomputereinheit 36 verwendet.
Der Betrieb der so aufgebauten Gußpresse wird nun unter Be­ zugnahme auf die Fig. 23 und 24 beschrieben. Diese Ausfüh­ rungsform ist für den Fall gedacht, bei dem das Kunstharz eine schlechte Fließfähigkeit besitzt (z. B. ein Kunstharz mit hoher Viskosität und einem großen Anteil an eingemisch­ tem Füllmaterial).
Am Bedienungspult 37 werden folgende Einstellungen der Mi­ krocomputereinheit 36 vorgenommen: der primäre Strom i max 1, der sekundäre Strom i max 2, ein erster Druckstempellaufweg d 1 (es handelt sich um die Verschiebung in eine erste vorbestimmte Position, in der die unteren En­ den der Druckstempel 17 leicht oberhalb der oberen Enden der Kunststofftabletten (nicht dargestellt) innerhalb der Töpfe 2 stehen), einen zweiten Druckstempellaufweg d 2 (es handelt sich um die Verschiebung in eine zweite vorbestimmte Position, in welcher die unteren Enden der Druckstempel 17 leicht unterhalb der ersten durch die erste Druckstempel­ verschiebung d 1 vorgegebene Position stehen, z. B. einer Position die erreicht wird unmittelbar bevor die Druck­ stempel 17 die Kunstharzverfüllung beenden), eine erste An­ zahl von Umdrehungen N 1 und eine zweite Anzahl von Umdrehun­ gen N 2 (wobei N 1 N 2 ist).
Wenn die Kunststofftabletten (nicht dargestellt) in die Töpfe 2 eingefüllt sind und der Schalter (nicht dargestellt) zum Absenken der Druckstempel der Vorrichtung eingeschaltet ist, liefert die Mikrocomputereinheit 36 einen Geschwindig­ keitssteuerbefehl sowie die erste Anzahl der Umdrehungen N 1 an den Motortreiber 35 um den maximalen Motorstrom auf den primären Strom i max 1 einzustellen, so daß der Servomotor 30 mit einer ersten Anzahl von Umdrehungen N 1 dreht. Diese Drehbewegung wird auf die Kugelumlaufspindel 33 übertragen, welche die Geschwindigkeit herabsetzt und die Drehbewegung in eine abwärts gerichtete Bewegung des Stabes 15 und der Druckstempel 17 umwandelt.
Die Zahl der Umdrehungen des Servomotors 30 wird durch den Tachosignalgeber 34 gezählt und ein der Zahl der Umdrehungen entsprechendes Signal des Tachosignalgebers 34 wird von dem Motortreiber 35 aufgenommen, der eine geschlossene Schlei­ fenregelung in der Weise vornimmt, daß der Umlauf des Servo­ motors 30 konstant auf die vorerwähnte erste Anzahl von Um­ drehungen N 1 eingestellt wird. Vom Pulsgenerator 31 wird ein Signal an die Mikrocomputereinheit 36 gespeist und mit dem ersten Druckstempellaufweg d 1 verglichen. Die Druckstempel 17 werden innerhalb der Töpfe 2 mit hoher Geschwindigkeit nach unten bewegt entsprechend der ersten Anzahl von Umdre­ hungen N 1. Wenn der vom Pulsgenerator 31 erfaßte Druck­ stempelweg den Wert des ersten Druckstempellaufweges D 1 er­ reicht hat (Punkt a in Fig. 24), fällt die Anzahl der Um­ drehungen des Servomotors 30 von der ersten Anzahl der Umdrehungen N 1 auf die zweite Anzahl von Umdrehungen N 2 als Reaktion auf einen Steuerbefehl der Mikrocomputereinheit 36 ab, wodurch die Druckstempel veranlaßt werden, sich mit ge­ ringer Geschwindigkeit abzusenken.
Das von Heizern (nicht dargestellt) aufgeheizte geschmolzene Kunstharz 20 in der unteren Gußformhälfte 1 und der oberen Gußformhälfte 12 füllt den Topfverbindungskanal 10 und pas­ siert aufgrund der Abwärtsbewegung der Druckstempel 17 die in den Fig. 1A und 1B dargestellten Verteilerkanäle 3 und die ersten Einläufe 4 und gelangt anschließend in die strom­ abwärts gelegene Seite. Wenn eine Position erreicht wird, welche sich unmittelbar vor Beendigung der Einfüllung des Kunstharzes in der am weitesten stromabwärts gelegenen Aus­ höhlung 9 befindet, z.B., wenn die Verschiebung der Druck­ stempel 17 den Wert des zweiten Druckstempellaufweges d 2 erreicht hat (t 1 in Fig. 24), sendet die Mikrocomputerein­ heit 36 einen Befehl, den maximalen Motorstrom vom ersten Strom i max 1 auf den zweiten Strom i max 2 umzuschalten. Der Servomotor 30 setzt seine Drehung mit der gleichen Anzahl von Umdrehungen N 2 fort. Wenn alle Aushöhlungen mit Kunst­ harz 20 gefüllt sind, und die Druckstempel zum Stillstand gekommen sind (t 2 in Fig. 24), wird der Motorstrom i auf dem zweiten Wert i max 2 gehalten. Es wird dann mit der Drehmo­ mentensteuerung begonnen, ein Kunstharzdruck P, abgestellt auf i max 2 wird auf das Gießharz 20 während einer vorbe­ stimmten Zeitperiode zur Beendigung des Gießvorgangs aufge­ bracht, und die Energieversorgung der Gußpresse wird abge­ schaltet.
Da diese Steuerung ausgeführt wird, selbst wenn Kunstharz mit schlechter Gießfähigkeit verwendet wird, werden die Druckstempel 17 mit der unmittelbar vor Beendigung des Füll­ vorganges eingestellten Geschwindigkeit abgesenkt werden. Da das Motordrehmoment unmittelbar vor Beendigung des Füllvor­ ganges verringert wird, ergeben sich keine Probleme wie das Auftreten von Kunstharzgraten (flashes) oder Verformungen von Einsätzen infolge von sonst unzulässig hoch in den Aushöh­ lungen anstehenden Drücken.
Fig. 25 ist ein Diagramm, welches ein Beispiel für das an­ teilige Auftreten von Hohlräumen und das anteilige unvoll­ ständige Ausfüllen des Kunstharzes in Bezug auf kunstharzge­ kapselte Produkte wiedergibt, die mit der Gußform gemäß Fig. 1 und die mit einer herkömmlichen Gußpresse mit einem offenen, hydraulischen Regelschleifensystem hergestellt wur­ den. In Fig. 25 bezeichnet A die Fehler von kunststoffgekap­ selten Produkten, die mit dem herkömmlichen Kreis des offe­ nen hydraulischen Regelschleifensystems erzeugt wurden, wäh­ rend B die Fehler der kunstharzgekapselten Produkte bezeich­ net, die mit der Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfin­ dung erzeugt wurden.
Das Diagramm zeigt, daß der Fehlerprozentsatz im Falle der vorliegenden Erfindung beträchtlich reduziert wurde.
Obgleich eine elektrisch betriebene geschlossene Schleifen­ regelung in dieser Ausführungsform beschrieben und darge­ stellt wurde, kann eine hydraulisch betriebene geschlossene Schleifenregelung alternativ angewendet werden.

Claims (35)

1. Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitergeräten, mit einer Gußform, welche eine Mehrzahl von Töpfen zur Ver­ sorgung mit Gießharz, einen Durchflußweg zur Verbindung der Töpfe miteinander und eine Mehrzahl von Aushöhlun­ gen in Reihenschaltung aufweist, und so beschaffen ist, daß sie das Harz und die jeweils darauf plazierten Halbleiterelemente aufnehmen kann.
2. Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen nach Anspruch 1, bei der die Mehrzahl der genannten Aushöhlungen miteinander über Verteilerkanäle verbunden sind, die als Durchflußwege für die Töpfe dienen.
3. Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen nach Anspruch 1, bei der Durchgänge zur Zuleitung des Kunstharzes zwischen der Mehrzahl der Aushöhlungen durch Schlitze vorgesehen sind, die im Anschlußrahmen angebracht sind, der in der Gußform plaziert ist.
4. Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen nach Anspruch 1, bei der mehr als drei Aushöhlungen in Reihe geschaltet sind.
5. Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen nach Anspruch 4, bei der eine Scheinaushöhlung stromab­ wärts der am weitesten stromabwärts gelegenen Aushöh­ lung vorgesehen ist.
6. Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen nach Anspruch 1, bei der eine mit dem Durchflußweg in Verbindung stehende Entlüftung vorgesehen ist.
7. Vorrichtung zur Erzeugung von Halbleitereinrichtungen nach Anspruch 6, bei der die Entlüftung auch mit den Verteilerkanälen verbunden ist, welche die Aushöhlungen miteinander verbinden.
8. Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen unter Verwendung der Vorrichtung zur Erzeugung von Halbleitereinrichtungen nach Anspruch 1, welche die folgenden Schritte umfaßt:
  • Plazieren des Anschlußrahmens in der Gußform; Eingießen des Kunstharzes in die Töpfe; und
  • Pressen des Kunstharzes in den Töpfen durch eine Mehrzahl von Druckstempeln, derart, daß das Kunst­ harz in die Aushöhlungen injiziert wird.
9. Anschlußrahmen zur Verwendung im Verfahren nach An­ spruch 8, bei dem eine Mehrzahl von Füßen zur Befesti­ gung der Halbleitereinrichtungen darauf auf dem An­ schlußrahmen jeweils in Längs- und Querrichtung ange­ ordnet sind.
10. Anschlußrahmen gemäß Anspruch 9, bei dem ein Schlitz zwischen benachbarten Halbleitereinrichtungen ange­ bracht ist.
11. Anschlußrahmen nach Anspruch 10, bei dem eine Brücke in einem Abschnitt des Schlitzes angeordnet ist.
12. Anschlußrahmen zur Verwendung im Verfahren nach An­ spruch 8, bei dem eine Aussparung zur Ablagerung von Kunstharz an einer endseitigen Halbleitereinrichtung im Anschlußrahmen vorgesehen ist.
13. Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen gemäß Anspruch 8, bei der der Anschlußrahmen in der Gußform in der Weise angeordnet ist, daß das Kunstharz in einer Richtung senkrecht zum Muster der äußeren Zu­ leitungen des Anschlußrahmens strömt.
14. Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen nach Anspruch 8, bei der der Anschlußrahmen in der Gußform derart angeordnet ist, daß das Kunstharz in einer Richtung fließt, welche unter einem vorgegebenen Winkel gegen das Muster der äußeren Zuleitungen des Anschlußrahmens geneigt ist.
15. Anschlußrahmen zur Verwendung im Verfahren nach An­ spruch 14, bei dem die äußeren Zuleitungen sich in ent­ gegengesetzte Richtungen zu jeder der Längs- und Quer­ richtungen erstrecken und somit in vier Richtungen.
16. Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen nach Anspruch 1, bei der ein Verteilerkanal vorgesehen ist, welcher das Fließen des Kunststoffes von der Ecke einer Aushöhlung zur Ecke einer benachbarten Aushöhlung erlaubt.
17. Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen nach Anspruch 8, bei der eine Mehrzahl von Druckstem­ peln über eine steife Platte mit einer Stange einer Gußpresse verbunden sind.
18. Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen nach Anspruch 17, welche weiter einen Antriebsmechanis­ mus zur Durchführung einer Geschwindigkeitsregelung der Stange der Gußpresse aufweist, bis der Stab eine vorbe­ stimmte Position einnimmt, und zum Umschalten der Rege­ lung des Stabes auf die Regelung des Drehmoments, wenn sich der Stab über die vorbestimmte Position hinausbe­ wegt.
19. Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitereinrichtun­ gen, mit einer Gußform, welche eine Mehrzahl von Töpfen zur Druckeinspeisung von geschmolzenem Kunstharz, einen Durchflußweg zur Verbindung der Töpfe untereinander, einen Verteilerkanal zur Weiterleitung des Kunststoffes aus dem Durchflußweg, und eine Mehrzahl von mit dem Verteilerkanal in Reihe geschalteten Aushöhlungen um­ faßt.
20. Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen nach Anspruch 19, bei der der Durchflußweg einen Ein­ lauf mit einer Querschnittsfläche besitzt, die kleiner ist als andere Abschnitte des Weges und in einem an den Topf angeschlossenen Abschnitt des Durchflußweges ange­ ordnet ist.
21. Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen nach Anspruch 19, bei der mehr als drei Aushöhlungen in Reihe geschaltet sind.
22. Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen nach Anspruch 21, bei der eine Scheinaushöhlung strom­ abwärts der am weitesten stromabwärts gelegenen Aushöh­ lung gelegen ist.
23. Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen nach Anspruch 19, bei der eine mit dem Durchflußweg verbundene Entlüftung vorgesehen ist.
24. Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen nach Anspruch 23, bei der die Entlüftung auch mit einem die Aushöhlungen verbindenden Verteilerkanal verbunden ist.
25. Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen unter Verwendung der Vorrichtung zur Erzeugung von Halbleitereinrichtungen nach Anspruch 19, welche die folgenden Stufen umfaßt:
  • Plazieren des Anschlußrahmens in der Gußform; Eingießen von Kunstharz in die Töpfe; und
  • Pressen des Kunststoffes in den Töpfen mit Hilfe einer Mehrzahl von Druckstempeln derart, daß das Kunstharz in die Aushöhlungen injiziert wird.
26. Anschlußrahmen zur Verwendung im Verfahren nach An­ spruch 25, bei der eine Mehrzahl von Füßen zur Befesti­ gung der Halbleitereinrichtungen daran auf den An­ schlußrahmen in Längs- und Querrichtung angeordnet ist.
27. Anschlußrahmen gemäß Anspruch 26, bei dem ein Schlitz zwischen benachbarten Halbleitereinrichtungen ange­ bracht ist.
28. Anschlußrahmen gemäß Anspruch 27, bei dem eine Brücke in einem Abschnitt des Schlitzes angeordnet ist.
29. Anschlußrahmen zur Verwendung im Verfahren nach An­ spruch 25, bei der eine Aussparung zur Ablage von Kunstharz für eine endseitige Halbleitereinrichtung im Anschlußrahmen vorgesehen ist.
30. Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen nach Anspruch 25, bei der der Anschlußrahmen in der Gußform in der Weise angeordnet ist, daß der Kunststoff in eine Richtung fließt, die senkrecht zum Muster der äußeren Zuleitungen des Anschlußrahmens gerichtet ist.
31. Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen nach Anspruch 25, bei der der Anschlußrahmen in der Gußform derart angeordnet ist, daß der Kunststoff in eine Richtung fließt, die um einen bestimmten Winkel gegen das Muster der äußeren Zuleitungen des Anschluß­ rahmens geneigt ist.
32. Anschlußrahmen zur Verwendung in Verfahren nach An­ spruch 31, bei der der Rahmen äußere Zuleitungen auf­ weist, die sich in entgegengesetzte Richtungen zu jeder der Längs- und Querrichtungen des Anschlußrahmens er­ strecken und somit in vier Richtungen.
33. Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen nach Anspruch 19, bei der ein Verteilerkanal vorgesehen ist, welcher das Fließen des Kunststoffes von einer Ecke einer Aushöhlung zur Ecke einer benachbarten Aus­ höhlung erlaubt.
34. Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen nach Anspruch 25, bei der eine Vielzahl von Druckstem­ peln über eine steife Platte mit einer Stange einer Gußpresse verbunden sind.
35. Vorrichtung zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen nach Anspruch 34, bei der weiter ein Antriebsmechanis­ mus zur Durchführung einer Geschwindigkeitsregelung der Stange der Gußpresse vorgesehen ist, bis die Stange in eine vorbestimmte Position gelaufen ist, und zur Um­ schaltung der Stabsteuerung auf eine Drehmomentensteue­ rung, wenn sich der Stab über die vorbestimmte Position hinausbewegt.
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JP10190687 1987-04-27
JP26634287 1987-10-23
JP63060551A JP2776466B2 (ja) 1988-03-16 1988-03-16 半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
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KR (1) KR920001029B1 (de)
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19507132A1 (de) * 1995-03-01 1996-09-05 Siemens Ag Anordnung von elektronischen Bauelementen auf einem Trägerstreifen
DE19756325A1 (de) * 1997-12-18 1999-07-01 Daimler Chrysler Ag Halbleiterscheibe mit integrierten Einzelbauelementen, Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
DE19908186A1 (de) * 1999-02-25 2000-09-07 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines integrierten Schaltkreises
WO2001010626A1 (de) * 1999-08-05 2001-02-15 Reckitt Benckiser N.V. Herstellungsverfahren für formteile und form zur verwendung darin
US6271584B1 (en) 1996-02-28 2001-08-07 Siemens Aktiengesellschaft Arrangement of electronic components on a bearer strip
DE19712551B4 (de) * 1996-05-17 2006-02-16 LG Semicon Co., Ltd., Cheongju Zuleitungsrahmen und darauf angewendetes Herstellungsverfahren für Halbleitergehäuse in Chipgröße
DE102020104306A1 (de) 2020-02-19 2021-08-19 Lts Lohmann Therapie-Systeme Ag Formelement zur Herstellung von Mikrostrukturen

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5032542A (en) * 1988-11-18 1991-07-16 Sanyo Electric Co., Ltd. Method of mass-producing integrated circuit devices using strip lead frame
JP2564707B2 (ja) * 1991-01-09 1996-12-18 ローム株式会社 電子部品用リードフレームにおけるモールド部のマルチ式成形方法及び成形装置
US5275546A (en) * 1991-12-30 1994-01-04 Fierkens Richard H J Plastic encapsulation apparatus for an integrated circuit lead frame and method therefor
DE4401588C2 (de) * 1994-01-20 2003-02-20 Gemplus Gmbh Verfahren zum Verkappen eines Chipkarten-Moduls und Chipkarten-Modul
US5876765A (en) * 1995-11-09 1999-03-02 Micron Technology, Inc. Injection molding equipment for encapsulating semiconductor die and the like
US5888443A (en) * 1996-05-02 1999-03-30 Texas Instruments Incorporated Method for manufacturing prepackaged molding compound for component encapsulation
US6173490B1 (en) * 1997-08-20 2001-01-16 National Semiconductor Corporation Method for forming a panel of packaged integrated circuits
CA2364508A1 (en) * 1999-03-09 2000-09-14 Thomas Skorch Method and apparatus for improving gate removal from a mold
FR2809229B1 (fr) * 2000-05-22 2002-12-13 St Microelectronics Sa Moule d'injection anti-bavure d'un materiau d'encapsulation d'une puce de circuits integres
US6856006B2 (en) * 2002-03-28 2005-02-15 Siliconix Taiwan Ltd Encapsulation method and leadframe for leadless semiconductor packages
KR100640556B1 (ko) * 2006-03-09 2006-11-01 주식회사 티에스피 반도체 장치
JP2007243146A (ja) * 2006-02-09 2007-09-20 Sharp Corp 半導体装置の製造方法、および、半導体装置の製造装置
JP5341556B2 (ja) * 2008-09-30 2013-11-13 セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 半導体装置の製造方法
US8022538B2 (en) * 2008-11-17 2011-09-20 Stats Chippac Ltd. Base package system for integrated circuit package stacking and method of manufacture thereof
JP6062760B2 (ja) * 2013-02-22 2017-01-18 エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 樹脂封止金型および樹脂封止方法
CN105666745B (zh) * 2016-03-08 2017-12-22 肖兴金 一种bga模塑模具
US11621181B2 (en) * 2020-05-05 2023-04-04 Asmpt Singapore Pte. Ltd. Dual-sided molding for encapsulating electronic devices

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5694635A (en) * 1979-12-27 1981-07-31 Toshiba Corp Metal-mold device for sealing by resin
GB2073947A (en) * 1980-04-11 1981-10-21 Philips Electronic Associated Integrated circuit encapsulation
EP0106475A1 (de) * 1982-10-04 1984-04-25 Texas Instruments Incorporated Gerät und Verfahren zum Einkapseln von Halbleiterelementen
JPS62157143A (ja) * 1985-12-27 1987-07-13 Orii:Kk 部材位置修正装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0237856B2 (ja) * 1982-05-20 1990-08-28 Nippon Denki Hoomu Erekutoronikusu Kk Jushimoorudohoho
JPS614234A (ja) * 1984-06-19 1986-01-10 Michio Osada 半導体素子の樹脂モ−ルド成形方法及び半導体リ−ドフレ−ム
JPS61292330A (ja) * 1985-06-20 1986-12-23 Toshiba Corp 半導体樹脂封止装置
JPS62122136A (ja) * 1985-11-08 1987-06-03 Hitachi Ltd レジンモールド半導体の製造方法および装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5694635A (en) * 1979-12-27 1981-07-31 Toshiba Corp Metal-mold device for sealing by resin
GB2073947A (en) * 1980-04-11 1981-10-21 Philips Electronic Associated Integrated circuit encapsulation
EP0106475A1 (de) * 1982-10-04 1984-04-25 Texas Instruments Incorporated Gerät und Verfahren zum Einkapseln von Halbleiterelementen
JPS62157143A (ja) * 1985-12-27 1987-07-13 Orii:Kk 部材位置修正装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP Abstract & JP 56 094635 A *

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19507132A1 (de) * 1995-03-01 1996-09-05 Siemens Ag Anordnung von elektronischen Bauelementen auf einem Trägerstreifen
US6271584B1 (en) 1996-02-28 2001-08-07 Siemens Aktiengesellschaft Arrangement of electronic components on a bearer strip
DE19712551B4 (de) * 1996-05-17 2006-02-16 LG Semicon Co., Ltd., Cheongju Zuleitungsrahmen und darauf angewendetes Herstellungsverfahren für Halbleitergehäuse in Chipgröße
DE19756325A1 (de) * 1997-12-18 1999-07-01 Daimler Chrysler Ag Halbleiterscheibe mit integrierten Einzelbauelementen, Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
DE19908186A1 (de) * 1999-02-25 2000-09-07 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines integrierten Schaltkreises
DE19908186C2 (de) * 1999-02-25 2001-08-09 Infineon Technologies Ag Integrierte Schaltkreis, Verfahren zu seiner Herstellung, Gußform zur Durchführung des Verfahrens und Verfahren zur Funktionsprüfung des integrierten Schaltkreises
WO2001010626A1 (de) * 1999-08-05 2001-02-15 Reckitt Benckiser N.V. Herstellungsverfahren für formteile und form zur verwendung darin
US6866808B2 (en) 1999-08-05 2005-03-15 Reckitt Benckiser N.V. Method for producing moldings
DE102020104306A1 (de) 2020-02-19 2021-08-19 Lts Lohmann Therapie-Systeme Ag Formelement zur Herstellung von Mikrostrukturen

Also Published As

Publication number Publication date
DE3814257C2 (de) 1996-06-20
KR880013227A (ko) 1988-11-30
US4946633A (en) 1990-08-07
KR920001029B1 (ko) 1992-02-01

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