DE3810496C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft ein fotoelektrisches Dünnfilm-Bauelement
mit einem hohen fotoelektrischen Konversionswirkungsgrad, das
als Solarzelle oder als Fotodetektor verwendbar ist.
Es ist wiederholt erwähnt worden, daß im Fall der Verwendung eines
Si- oder GaAs-Kristalls als Halbleiterschicht, die am Aufbau
eines fotoelektrischen Bauelements beteiligt ist, ein fotoelektrischer
Konversionswirkungsgrad von mehr als 20% erzielt
wird. Solche fotoelektrischen Bauelemente sind jedoch sehr teuer,
und es ist infolgedessen nicht zu vermeiden, daß der Preis
der damit erzeugten elektrischen Energie höher wird als der
Preis der elektrischen Energie, die mit anderen Stromerzeugungsvorrichtungen
erhalten wird, so daß diese fotoelektrischen Bauelemente
noch nicht praktisch angewandt werden. Andererseits
ist bei einem fotoelektrischen Dünnfilm-Bauelement, wie z. B. einem
pin-Bauelement auf der Basis von amorphem Silicium, einem
Schottky-Bauelement oder einem CdS-CdTe-Heteroübergangs-Bauelement,
eine Senkung der Kosten des Bauelements selbst voraussehbar,
jedoch hat sein fotoelektrischer Konversionswirkungsgrad
bei der praktischen Anwendung 10% nicht überschritten, und die
Kosten, die für die Aufstellung erforderlich sind, sind ziemlich
hoch. Es ist infolgedessen nicht möglich, den Preis der
elektrischen Energie in ausreichendem Maße herabzusetzen. Um
diese Situation zu verbessern, sind verschiedene Vorschläge zur
Erhöhung des fotoelektrischen Konversionswirkungsgrades eines
fotoelektrischen Dünnfilm-Bauelements gemacht worden.
Aus der DE-OS 34 08 317 ist eine pin-Solarzelle bekannt, bei
der innerhalb der p-Typ-Schicht die elektrische Leitfähigkeit
einer in Kontakt mit einer Elektrode stehenden Zone größer ist
als die elektrische Leitfähigkeit einer in Kontakt mit der i-
Typ-Schicht stehenden Zone, wobei die p-Typ-Schicht Wasserstoffatome
enthält.
Die DE-OS 33 00 400 beschreibt durch eine polykristalline Si-
Dünnfilmschicht gebildete Halbleiterbauelemente, wobei in der
Dünnfilmschicht zur Verbesserung der Eigenschaften 0,01 bis 3
Atom-% Wasserstoff enthalten sind.
Aus Martin A. Green, Solar Cells, 1. Auflage, Englewood Cliffs,
N.J., 1982, Prentice Hall, Seiten 190 und 191, ist bekannt, daß
durch Glimmentladungszersetzung von Silan gebildete amorphe Siliciumfilme
dotiert werden können, um p-n-Übergänge zu bilden,
wobei diese Filme 5 bis 10 Atom-% Wasserstoff enthalten.
In der Druckschrift "11th IEEE Photovoltaic Specialist Conference
Proceeding" (21. bis 25. Oktober 1985), Seiten 1710-1711,
wird vorgeschlagen, von einer n-Dünnfilm-Halbleiterschicht und
einer p-Dünnfilm-Halbleiterschicht, die am Aufbau eines fotoelektrischen
Dünnfilm-Bauelements beteiligt sind, eine Halbleiterschicht
aus einem Halbleiter-Dünnfilm mit einer Dicke von
höchstens 10,0 nm, der einen Fremdstoff enthält, und einem anderen
Halbleiter-Dünnfilm mit einer Dicke von weniger als 10,0
nm, der den erwähnten Fremdstoff in einer anderen Konzentration
oder einer anderen Fremdstoff oder keinen Fremdstoff enthält,
die wiederholt übereinandergeschichtet sind, zu bilden.
Dieser Vorschlag wird unter Bezugnahme auf Fig. 1 erläutert.
Fig. 1 ist eine schematische Schnittansicht eines fotoelektrischen
pin-a-Si : H-Dünnfilm-Bauelements, auf das der vorstehend
erwähnte Vorschlag angewandt worden ist. Fig. 1 zeigt ein
Metallsubstrat 1, wie z. B. ein Blech aus nichtrostendem Stahl,
das eine polierte Oberfläche hat; unter Verwendung von PH₃ gebildete
n-a-Si:H-Dünnfilme 2 mit einer Dicke von 5,0 nm; ohne
Verwendung von PH₃ gebildete a-Si:H-Dünnfilme 3 mit einer Dicke
von 5,0 nm; einen 500,0 nm dicken a-Si:H-Dünnfilm 4, der
keinen Fremdstoff enthält; unter Verwendung von B₂H₆ gebildete
p-a-Si:H-Dünnfilme 5 mit einer Dicke von 5,0 nm; ohne Verwendung
von B₂H₆ gebildete a-Si:H-Dünnfilme 6 mit einer Dicke
von 5,0 nm; eine Schicht 7, wie z. B. einen ITO-Dünnfilm,
die lichtdurchlässig und elektrisch leitfähig ist; und einen
z. B. aus Silber hergestellten Kollektor 8.
Im Fall der Anwendung eines in dieser Weise aufgebauten fotoelektrischen
pin-a-Si:H-Dünnfilm-Bauelements kann der Kurzschlußstrom
(I sc) größer gemacht werden als bei dem in Fig. 2
gezeigten üblichen fotoelektrischen pin-Bauelement. Dies ist
anscheinend darauf zurückzuführen, daß bei dem Bauelement von
Fig. 2 die Photonen, die in einer n-Dünnfilm-Halbleiterschicht
22 oder in einer p-Dünnfilm-Halbleiterschicht 24 absorbiert werden,
kaum Elektronen und Löcher erzeugen, während bei dem in
Fig. 1 gezeigten Bauteil in der n-Dünnfilm-Halbleiterschicht
und in der p-Dünnfilm-Halbleiterschicht, die aus übereinandergeschichteten
Dünnfilmen aufgebaut sind, Elektronen und Löcher
wirksam erzeugt werden können. Die Verbesserungen der
Leerlaufspannung (V oc) und des Füllfaktors (F.F.) sind jedoch
selbst im Fall des Bauelements von Fig. 1 nicht ausreichend,
und es ist nicht möglich, den fotoelektrischen Konversionswirkungsgrad
in beträchtlichem Maße zu erhöhen. Ferner wird
in dem Fall, daß das vorstehend erwähnte Dünnfilm-Bauelement als
Fotodetektor angewandt wird, bei dem eine Sperr-Vorspannung
angelegt wird, bevorzugt, daß der Dunkelstrom (der dem Sättigungsstrom
einer Diode entspricht), so gering wie möglich ist,
weil in diesem Fall das Signal-Geräusch Verhältnis erhöht und als Ergebnis
der Bereich der für den Fotodetektor erforderlichen Lichtstärke
erweitert werden kann. Die gegenwärtige Situation genügt
jedoch den Anforderungen der praktischen Anwendung noch
nicht in ausreichendem Maße.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein fotoelektrisches
Dünnfilm-Bauelement der im Oberbegriff von Patentanspruch
1 angegebenen Art bereitzustellen, das wirksam
als Solarzelle oder als Fotodetektor verwendbar ist, bezüglich
des Kurzschlußstroms (I sc), der Leerlaufspannung (V oc)
und des Füllfaktors (F.F.) erwünschte Wirkungen zeigt, ferner
einen hohen fotoelektrischen Konversionswirkungsgrad hat und
im Fall seiner Anwendung als Fotodetektor ein verbessertes
Signal-Geräusch-Verhältnis zeigt.
Diese Aufgabe wird durch ein fotoelektrisches Dünnfilm-Bauelement
der im Oberbegriff von Patentanspruch 1 angegebenen Art
gemäß den kennzeichnenden Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.
Die Erfindung wird nachstehend
unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen näher
erläutert.
Fig. 1 ist eine schematische Schnittansicht des erfindungsgemäßen
fotoelektrischen pin-Dünnfilm-Bauelements, die auch zur
Erläuterung eines üblichen fotoelektrischen pin-Dünnfilm-Bauelements
dient.
Fig. 2 ist eine schematische Schnittansicht eines üblichen fotoelektrischen
pin-Bauelements, bei dem als p- und n-Halbleiterschichten
keine geschichteten Halbleiter-Dünnfilme verwendet
werden.
Fig. 3 ist eine zur Erläuterung dienende schematische Ansicht
einer Vorrichtung zur Bildung von Dünnfilmen nach dem HR-CVD-
Verfahren (einem mit Hilfe von Wasserstoffradikalen durchgeführten
CVD-Verfahren), die angewandt wird, um die Versuche
durchzuführen, die dazu dienen, die Wirkung der Erfindung zu
zeigen, und um die fotoelektrischen Dünnfilm-Bauelemente der
Beispiele 1 bis 3 herzustellen.
Fig. 4 ist eine Ansicht zur Erläuterung des nach dem Flugzeitverfahren
durchgeführten Versuchs, der u. a. dazu dient, die
Wirkung der Erfindung zu zeigen.
Fig. 5 ist eine schematische Schnittansicht des erfindungsgemäßen
fotoelektrischen Schottky-Dünnfilm-Bauelements.
Fig. 6 ist eine zur Erläuterung dienende schematische Ansicht
einer Vorrichtung zur Bildung von Dünnfilmen unter Anwendung
einer Hochfrequenz-Stromquelle, die angewandt wird, um die fotoelektrischen
Dünnfilm-Bauelemente von Beispiel 4 herzustellen.
Gemäß der Erfindung besteht mindestens eine der am Aufbau des fotoelektrischen
pin-Dünnfilm-Bauelements
beteiligten n-Halbleiterschichten und p-Halbleiterschichten
aus einer nicht einkristallinen
Silicium-Halbleiterschicht, die gebildet wird, indem
zwei Arten nicht einkristalliner Silicium-Dünnfilme
mit einer Dicke von höchstens 10,0 nm, die 1 bis 10 Atom-%
Wasserstoffatome enthalten und aus der Gruppe ausgewählt sind,
die aus
- (i) einem nicht einkristallinen Silicium-Dünnfilm, der einen geeigneten Fremdstoff (a) enthält,
- (ii) einem nicht einkristallinen Silicium-Dünnfilm, der den Fremdstoff (a) in einer größeren Menge als in dem Dünnfilm (i) enthält,
- (iii) einem nicht einkristallinen Silicium-Dünnfilm, der einen anderen Fremdstoff (b) enthält, und
- (iv) einem nicht einkristallinen Silicium-Dünnfilm, der keinen Fremdstoff enthält,
- (v) einem nicht einkristallinen Silicium-Dünnfilm, der keinen
Fremdstoff enthält,
besteht, zweimal oder mehr als zweimal kontinuierlich übereinandergeschichtet werden.
Eine Ausführungsform der Erfindung besteht in einem fotoelektrischen
Schottky-Dünnfilm-Bauelement, das dadurch gekennzeichnet
ist, daß die n-Halbleiterschicht oder die p-Halbleiterschicht
aus einer nicht einkristallinen Silicium-Halbleiterschicht
besteht, die gebildet wird, indem zwei oder
mehr als zwei nicht einkristalline Silicium-Dünnfilme mit einer
Dicke von höchstens 10,0 nm, die 1 bis 10 Atom-% Wasserstoffatome
enthalten und aus der vorstehend erwähnten Gruppe
ausgewählt sind, zweimal oder mehr als zweimal kontinuierlich
übereinandergeschichtet werden.
Diese erfindungsgemäßen fotoelektrischen Bauelemente sind auf
der Grundlage von Erkenntnissen realisiert worden, die von
den Erfindern als Ergebnis wiederholter Versuche erhalten wurden
und darin bestehen, daß die Konzentration der Wasserstoffatome,
die in der p-Halbleiterschicht oder in der n-Halbleiterschicht
enthalten sind, eine wichtige Einflußgröße für die
Beseitigung der vorstehend erwähnten Probleme ist, die bei
den üblichen fotoelektrischen Bauelementen gefunden wurden,
und daß die vorstehend erwähnte Aufgabe der Erfindung wirksam
gelöst werden kann, wenn von der p-Halbleiterschicht und der
n-Halbleiterschicht mindestens eine aus einer nicht einkristallinen
Silicium-Halbleiterschicht gebildet wird, die aus
mehreren bzw. vielen kontinuierlich übereinandergeschichteten,
nicht einkristallinen Silicium-Halbleiter-Dünnfilmen mit einer
Dicke von höchstens 10,0 nm besteht.
Ein typisches erfindungsgemäßes fotoelektrisches pin-Bauelement
ist von der in Fig. 1 gezeigten Art. Fig. 1 zeigt ein Metallsubstrat
1, wie z. B. ein Blech aus nichtrostendem Stahl;
eine nicht einkristalline n-Silicium-Halbleiterschicht, die
aus übereinandergeschichteten nicht einkristallinen n-Silicium-
Dünnfilmen 2 und nicht einkristallinen i-Silicium-Dünnfilmen
3, die keinen Fremdstoff enthalten, besteht; eine nicht
einkristalline i-Silicium-Halbleiterschicht 4; eine nicht einkristalline
p-Silicium-Halbleiterschicht, die aus übereinandergeschichteten
nicht einkristallinen p-Silicium-Dünnfilmen
5 und nicht einkristallinen i-Silicium-Dünnfilmen 6 besteht;
eine lichtdurchlässige Elektrode 7, die aus einer lichtdurchlässigen
Schicht wie einer In₂O₃-, SnO₂-, ITO- oder ZnO₂-
Schicht besteht und elektrisch leitfähig ist; und einen Kollektor
8.
Ein typisches erfindungsgemäßes fotoelektrisches Schottky-
Dünnfilm-Bauelement ist von der in Fig. 5 gezeigten Art. Fig. 5
zeigt ein Metallsubstrat 51, wie z. B. ein Blech aus nichtrostendem
Stahl; eine nicht einkristalline p-Silicium-Halbleiterschicht,
die aus übereinandergeschichteten nicht einkristallinen
p-Silicium-Dünnfilmen 52 und nicht einkristallinen
i-Silicium-Dünnfilmen 53, die keinen Fremdstoff enthalten,
besteht, eine nicht einkristalline i-Silicium-Halbleiterschicht
54; eine lichtdurchlässige Schottky-Elektrode 55, die
aus einer lichtdurchlässigen Schicht, wie z. B. einer Au-, Pt-
oder Pd-Schicht, besteht, und einen Kollektor 56. Anstelle der
nicht einkristallinen p-Silicium-Halbleiterschicht kann eine
nicht einkristalline n-Silicium-Halbleiterschicht verwendet
werden, die aus übereinandergeschichteten nicht einkristallinen
n-Silicium-Dünnfilmen 52 und nicht einkristallinen i-Silicium-
Dünnfilmen 53, die keinen Fremdstoff enthalten, besteht.
Die folgenden Versuche wurden durchgeführt, um die ausgezeichneten
Eigenschaften des erfindungsgemäßen fotoelektrischen
Bauelements zu bestätigen.
Um die zu untersuchenden Proben herzustellen, wurde eine bekannte
HR-CVD-Vorrichtung angewandt, wie sie in Fig. 3 gezeigt
ist.
Fig. 3 zeigt eine Vakuumkammer 31, deren Innenraum durch eine
(nicht gezeigte) Vakuumpumpe evakuiert werden kann. In die Vakuumkammer
ist eine Substrat-Halteeinrichtung 32 für ein Substrat
33 eingebaut. Das Substrat 33 kann durch eine in die
Substrat-Halteeinrichtung 32 eingebaute elektrische Heizeinrichtung
auf eine gewünschte Temperatur erhitzt werden. Mit
der Vakuumkammer 31 ist eine Doppelleitung verbunden, die aus
einem zylindrischen Außenrohr 34 aus Quarzglas und einem zylindrischen
Innenrohr 35 aus Quarzglas, die konzentrisch angeordnet
sind, besteht. An der Außenwandfläche der Doppelleitung
ist eine Mikrowellen-Zuführungseinrichtung 36 vorgesehen,
die dazu dient, in die Räume des Außen- und des Innenrohrs
eine Mikrowellenenergiequelle einzuführen und dadurch gasförmige
Ausgangsmaterialien zu aktivieren, die in diese Räume
eingeleitet werden. Die resultierenden aktiven Spezies treten
dann in den Reaktionsraum der Vakuumkammer 31 ein, und zwischen
den aktiven Spezies laufen chemische Reaktionen ab, die
zur Bildung eines auf dem Substrat 33 abgeschiedenen Films
führen. Unter Anwendung dieser Vorrichtung wurden unter den
in Tabelle 1 gezeigten Bedingungen drei Arten von Dünnfilm-
Halbleiterschichten hergestellt. Der Ausdruck "x" in Tabelle
1 gibt die Entladungsleistung an, die bei der Durchführung
der Versuche verändert wird.
Die folgenden Proben wurden hergestellt, um die Wirkungen zu
bewerten, die durch das Übereinanderschichten von Dünnfilmen
verursacht werden. Auf einer Glasplatte,
deren Oberfläche mit einem ITO-Film beschichtet war, wurde
durch Glimmentladung in einer Gasmischung aus SiH₄ und NH₃
eine 50,0 nm dicke Schicht aus amorphem Siliciumnitrid (nachstehend
als "a-SiN-Schicht" bezeichnet) abgeschieden. Dann
wurde unter den in Tabelle 1 gezeigten Bedingungen A (wobei
x = 160 W) eine 30,0 nm dicke n-Siliciumschicht abgeschieden,
worauf unter den in Tabelle 1 gezeigten Bedingungen B eine
3 µm dicke Schicht aus amorphem Silicium abgeschieden wurde.
Dann wurde eine 50,0 nm dicke a-SiN-Schicht abgeschieden, und
dann wurde auf die Oberfläche der a-SiN-Schicht zur Bildung
einer Oberflächenelektrode ein Al-Film aufgedampft. Die erhaltene
Probe wird als Probe (N-1) bezeichnet.
Eine Probe (P-1) wurde ähnlich wie bei dem Verfahren zur Herstellung
der Probe (N-1) hergestellt, wobei jedoch anstelle
der n-Siliciumschicht unter den in Tabelle 1 gezeigten Bedingungen
C eine 30,0 nm dicke p-Siliciumschicht abgeschieden
wurde.
Ferner wurde auf einer Glasplatte, deren
Oberfläche mit einem ITO-Film beschichtet war, eine 50,0 nm
dicke a-SiN-Schicht abgeschieden, und unter den Bedingungen A
bzw. (x = 160 W) wurden aufeinanderfolgend ein 2,5 nm dicker
n-Dünnfilm aus amorphem Silicium und ein 2,5 nm dicker i-
Dünnfilm aus amorphem Silicium abgeschieden, wobei dieser Abscheidungszyklus
zur Bildung einer 60,0 nm dicken, geschichteten
n-Halbleiterschicht 12mal durchgeführt wurde. Auf der
Oberfläche der auf diese Weise gebildeten n-Halbleiterschicht
wurden aufeinanderfolgend eine 3 µm dicke i-Schicht aus amorphem
Silicium und dann eine 50,0 nm dicke a-SiN-Schicht abgeschieden,
worauf eine Al-Oberflächenelektrode gebildet wurde.
Die erhaltene Probe wird als Probe (N-2) bezeichnet.
Eine Probe (P-2) wurde in derselben Weise wie die Probe (N-2)
hergestellt, wobei jedoch anstelle der n-Dünnfilme aus amorphem
Silicium unter den in Tabelle 1 gezeigten Bedingungen C
(x=160 W) 2,5 nm dicke p-Dünnfilme aus amorphem Silicium abgeschieden
wurden.
In ähnlicher Weise wurden Proben (N-3), (P-3); (N-4), (P-4);
(N-5) und (P-5) hergestellt, wobei die Dünnfilme jedoch mit
einer Dicke L von 5,0 nm, 10,0 nm bzw. 15,0 nm abgeschieden
wurden und die Abscheidungszyklen, die aus der Abscheidung
eines n- und eines i-Dünnfilms bzw. eines p- und eines i-
Dünnfilms bestanden, 6-, 3- bzw. 2mal durchgeführt wurden.
Mit den auf diese Weise hergestellten Proben wurden Messungen
der Flugzeit (TOF) durchgeführt. Fig. 4 zeigt die Anordnung
dieser Messung für den Fall der Anwendung der Probe (N-4)
oder (P-4). Fig. 4 zeigt eine Glasplatte 41, die mit einem
ITO-Film 42 beschichtet ist, und a-SiN-Schichten 43, 47, die
eingefügt sind, um die Injektion von Elektronen und Löchern
aus der Elektrode zu verhindern. Fig. 4 zeigt ferner n- oder
p-Dünnfilme 44 sowie i-Dünnfilme 45 und eine i-Schicht 46. Da
der oberste i-Dünnfilm unter denselben Bedingungen wie die
nachfolgend abgeschiedene i-Schicht 46 abgeschieden wird,
wird der oberste i-Dünnfilm in Fig. 4 nicht von der i-Schicht
46 unterschieden. Das Meßverfahren wird für den Fall erläutert,
daß die geschichtete Dünnfilm-Halbleiterschicht aus n-
und i-Dünnfilmen gebildet ist. Im Dunkeln wird zwischen dem
ITO-Film 42 und dem Al-Film 48 ein Spannungsimpulssignal derart
angelegt, daß der ITO-Film positiv ist, und danach wird
an die Glasplatte 41 sofort ein Impuls eines durch einen
Stickstofflaser aktivierten Pigmentlasers angelegt. Da das
auftreffende Laserlicht eine so kurze Wellenlänge wie 460 nm
hat, wird der größte Teil des Lichts in der geschichteten
Dünnfilm-Halbleiterschicht in den n-Dünnfilmen und in den p-
Dünnfilmen der Proben (N-1) bzw. (P-1) absorbiert. Durch das
elektrische Feld wird bewirkt, daß die Löcher, die in diesem
Bereich erzeugt werden, zu dem Al-Film 48 driften, und der
elektrische Strom fließt in einen äußeren Stromkreis. Die
Zahl der Löcher, die durch den Film geflossen sind, kann
durch Integration dieses elektrischen Stroms ermittelt werden.
Wenn die Löcher, die in dem Bereich der geschichteten Dünnfilm-
Halbleiterschicht erzeugt werden, miteinander rekombinieren,
nimmt der Q-Wert des integrierten elektrischen Stroms
ab, und unter Anwendung dieser Messung kann der Rekombinationsgrad
der Löcher in der geschichteten Dünnfilm-Halbleiterschicht
bewertet bzw. abgeschätzt werden. In dem Fall, daß
die geschichtete Dünnfilm-Halbleiterschicht aus p- und i-
Dünnfilmen gebildet ist, kann der Rekombinationsgrad der Elektronen
in der geschichteten Dünnfilm-Halbleiterschicht bewertet
bzw. abgeschätzt werden, indem das Spannungsimpulssignal
derart angelegt wird, daß der Al-Film 48 positiv ist.
Tabelle 2 zeigt für alle Proben den Relativwert des Q-Wertes
des integrierten elektrischen Stroms. Wie aus Tabelle 2 hervorgeht,
beträgt Q (Relativwert) in dem Fall, daß die Summe
der Dicken der n-Dünnfilme oder der p-Dünnfilme in der geschichteten
Dünnfilm-Halbleiterschicht auf 30,0 nm eingestellt
wird, mindestens 5, wenn die Dicke (L) des einzelnen
Dünnfilms höchstens 10,0 nm beträgt. Es ist festgestellt worden,
daß die Rekombinationsgeschwindigkeiten der Löcher und
der Elektronen in beiden Fällen, d. h. sowohl bei der Verwendung
von n-Dünnfilmen als auch bei der Verwendung von p-Dünnfilmen
zur Bildung einer geschichteten Dünnfilm-Halbleiterschicht,
in beträchtlichem Maße abnehmen. Daraus kann geschlossen
werden, daß im Fall der Anwendung der geschichteten
Dünnfilm-Halbleiterschicht als n-Schicht des fotoelektrischen
pin-Bauelements die Geschwindigkeit, mit der die Löcher, die
in der Dünnfilm-Halbleiterschicht oder in der i-Schicht in
der Nähe der geschichteten Dünnfilm-Halbleiterschicht erzeugt
werden, miteinander rekombinieren, abnimmt, was dazu führt,
daß ein Beitrag zu einer Vergrößerung des fotoelektrischen
Kurzschlußstroms (I sc) des fotoelektrischen Bauelements geleistet
wird.
In ähnlicher Weise wird auch gefolgert, daß im Fall der Anwendung
der geschichteten Dünnfilm-Halbleiterschicht als p-
Schicht die Geschwindigkeit, mit der die Elektronen, die in
der Dünnfilm-Halbleiterschicht oder in der i-Schicht in der
Nähe der geschichteten Dünnfilm-Halbleiterschicht erzeugt werden,
miteinander rekombinieren, abnimmt, was zu einer Vergrößerung
von I sc beiträgt. Der Mechanismus, durch den diese Wirkung
hervorgerufen wird, ist anscheinend darauf zurückzuführen,
daß sich in der geschichteten Dünnfilm-Halbleiterschicht
die Verteilung der Elektronen und der Löcher in dem Rekombinationszentrum
in dem n-Dünnfilm oder in dem p-Dünnfilm insbesondere
in dem Bereich, der an die i-Schicht angrenzt, ändert.
Infolgedessen kann bei dem vorliegenden Versuch im Hinblick
auf den erwähnten Mechanismus, obwohl er nicht völlig
klar ist, auch in dem Fall eine ähnliche Wirkung erwartet
werden, daß die Zahl der Abscheidungszyklen 2 beträgt, solange
L nicht größer als 10,0 nm ist.
Aus den vorstehend beschriebenen Versuchsergebnissen und Erwägungen
kann gefolgert werden, daß im Fall der Anwendung
der geschichteten Dünnfilm-Halbleiterschicht als n-Schicht
oder als p-Schicht des fotoelektrischen Bauelements der Kurzschlußstrom
(I sc) des fotoelektrischen Bauelements erhöht
werden kann, indem man die Dicke des einzelnen Dünnfilms auf
10,0 nm oder weniger einstellt und die Abscheidungszyklen mindestens
zweimal durchführt.
Der folgende Versuch wurde durchgeführt, um zu zeigen, daß
der Wasserstoffgehalt in dem Dünnfilm durch das in (1) erläuterte
HR-CVD-Verfahren gesteuert werden kann. Auf Si-Scheibensubstraten
(Dicke: 500 µm), die mit keinem Fremdstoff dotiert
worden waren, wurden zur Herstellung der Proben (N-6),
(I-6) bzw. (P-6) mit einer x = 600 W betragenden Mikrowellen-
Entladungsleistung unter den in Tabelle 1 gezeigten Bedingungen
A, B bzw. C ein n-Dünnfilm, ein i-Dünnfilm bzw. ein p-
Dünnfilm mit einer Dicke von 1 µm gebildet.
In ähnlicher Weise wurden mit einer x = 80 W, 100 W, 120 W,
160 W bzw. 200 W betragenden Mikrowellenleistung die Proben
(N-7), (I-7), (P-7) bis (N-11), (I-11), (P-11) hergestellt.
Unter Anwendung eines Fourier-Transformations-Infrarotabsorptions-
(FTIR-)Geräts wurde der Wasserstoffatomgehalt jeder Probe
durch die Absorptionsstärke der Si-H-Valenzschwingung im
Bereich von 2000 cm-1 bis 2100 cm-1 des Absorptionsspektrums
ermittelt. Die Ergebnisse sind in Tabelle 3 gezeigt.
Die Probe wurde folgendermaßen hergestellt, um die elektrische
Leitfähigkeit des Mehrschichtenfilms zu bewerten, wenn
der Wasserstoffatomgehalt verändert wurde.
Ein n-Dünnfilm mit einer Dicke von 5,0 nm wurde durch das HR-
CVD-Verfahren mit einer x = 60 W betragenden Mikrowellenleistung
unter den in Tabelle 1 gezeigten Bedingungen A auf einer
Glasplatte abgeschieden. Danach wurde
ein Abscheidungszyklus, der aus der Abschaffung eines i-Dünnfilms
mit einer Dicke von 5,0 nm und eines n-Dünnfilms mit einer
Dicke von 5,0 nm in dieser Reihenfolge bestand, 100mal
durchgeführt, wodurch eine Abscheidungsdicke von 1 µm erhalten
wurde. Danach wurde die erhaltene Probe unter Anwendung
einer Permalloymaske mit metallischem Al bedampft, um eine
kammförmige Elektrode herzustellen, wodurch Probe (N-12) erhalten
wurde. Probe (P-12) wurde wie Probe (N-12) hergestellt,
wobei jedoch anstelle der n-Dünnfilme mit einer x = 60 W betragenden
Mikrowellenleistung unter den in Tabelle 1 gezeigten
Bedingungen C p-Dünnfilme abgeschieden wurden. Ferner wurden
die Proben (N-13), (P-13); (N-14), (P-14); (N-15), (P-15);
(N-16), (P-16) und (N-17), (P-17) wie die Proben (N-12) und
(P-12) mit einer x = 80 W, 100 W, 120 W, 160 W bzw. 200 W betragenden
Mikrowellenleistung hergestellt.
Die auf diese Weise hergestellten Proben wurden durch Messung
der elektrischen Dunkelleitfähigkeit σ d bewertet. Die Ergebnisse
sind in Tabelle 4 gezeigt. Der Vergleich von Tabelle 3
mit Tabelle 4 zeigt, daß σ d bei einem Wasserstoffatomgehalt
der Dünnfilme, der 10% überschreitet, in beiden Fällen, d. h.
sowohl bei der Verwendung von n-Dünnfilmen als auch bei der
Verwendung von p-Dünnfilmen zur Bildung einer aus übereinandergeschichteten
Dünnfilmen bestehenden Dünnfilm-Halbleiterschicht,
in beträchtlichem Maße abnimmt. Dieser Unterschied
scheint im Fall der Verwendung von n-Dünnfilmen zur Bildung
einer aus übereinandergeschichteten Dünnfilmen bestehenden
Dünnfilm-Halbleiterschicht auf einen Unterschied in der Konzentration
der Elektronen und im Fall der Verwendung von p-
Dünnfilmen zur Bildung einer aus übereinandergeschichteten
Dünnfilmen bestehenden Dünnfilm-Halbleiterschicht auf einen
Unterschied in der Konzentration der Löcher zurückzuführen zu
sein. Bei dem fotoelektrischen pin-Bauelement ist es schwieriger,
einen n-Dünnfilm oder einen p-Dünnfilm in eine Verarmungsschicht
umzuwandeln, wenn die Elektronenkonzentration
des n-Dünnfilms oder die Löcherkonzentration des p-Dünnfilms
höher wird, und es wird eine hohe Leerlaufspannung (V oc) erhalten,
weil die Potentialdifferenz im Verarmungsbereich geringer
ist. Ferner wird der Füllfaktor F.F. größer, weil die
elektrische Feldstärke in dem i-Dünnfilm zwischen dem p-
Dünnfilm und dem n-Dünnfilm erhöht ist.
Aufgrund der vorstehenden Ergebnisse der Versuche (1) und (2)
wird für das fotoelektrische pin-Bauelement, bei dem mindestens
eine Silizium-Dünnfilm-Halbleiterschicht verwendet wird,
die gebildet wird, indem ein p-Dünnfilm mit einer Dicke von
höchstens 10,0 nm und ein i-Dünnfilm mit einer Dicke von höchstens
10,0 nm wiederholt (mindestens zweimal) abgeschieden
werden (nachstehend als p-Dünnfilm-Halbleiterschicht aus
übereinandergeschalteten Dünnfilmen bezeichnet) und/oder indem
ein n-Dünnfilm mit einer Dicke von höchstens 10,0 nm und
ein i-Dünnfilm mit einer Dicke von höchstens 10,0 nm wiederholt
(mindestens zweimal) abgeschieden werden (nachstehend
als n-Dünnfilm-Halbleiterschicht aus übereinandergeschichteten
Dünnfilmen bezeichnet), wobei der Wasserstoffatomgehalt
in den Dünnfilmen auf 10 Atom-% oder weniger eingestellt wird,
eine große Zunahme des Konversionswirkungsgrades erwartet.
Wie vorstehend erwähnt wurde, wird im Fall der Verwendung
eines fotoelektrischen Bauelements als Fotodetektor verlangt,
daß der dem Sättigungsstrom einer Diode entsprechende Dunkelstrom
klein ist. Ferner ist bekannt, daß ein fotoelektrisches
Bauelement, das eine hohe Leerlaufspannung (V oc) zeigt, im
allgemeinen einen geringen Sättigungsstrom hat, so daß damit
gerechnet wird, daß das erfindungsgemäße fotoelektrische Bauelement
im Fall seiner Verwendung als Fotodetektor ausgezeichnete
Eigenschaften zeigt.
In den folgenden Beispielen wird erläutert,
daß das erfindungsgemäße fotoelektrische Bauelement im Fall
seiner praktischen Verwendung als Fotodetektor ausgezeichnete
Eigenschaften zeigt. Ferner wird erläutert, daß die Merkmale
der Erfindung nicht nur auf fotoelektrische pin-Bauelemente,
sondern auch auf andere Dünnfilm-Halbleiterbauelemente, die als Hauptbestandteil
Si enthalten, angewandt werden können.
In diesem Beispiel wurden durch das bekannte HR-CVD-Verfahren
unter Anwendung der in Fig. 3 gezeigten Herstellungsvorrichtung
mehrere Proben von fotoelektrischen Bauelementen hergestellt.
Ein Substrat aus nichtrostendem Stahl (Größe: 50 mm × 50 mm)
wurde in eine übliche Vorrichtung für reaktive Zerstäubung
(nicht gezeigt) eingebracht, und auf dem Substrat wurde durch
ein übliches Verfahren als untere Elektrode eine Ag-Elektrode
mit einer Dicke von etwa 100,0 nm abgeschieden.
Das auf diese Weise hergestellte Produkt wurde dann fest an
der Oberfläche der Substrat-Halteeinrichtung 32 der in Fig. 3
gezeigten Herstellungsvorrichtung angebracht. Dann wurde die
Heizeinrichtung in Gang gesetzt, um das Substrat gleichmäßig
auf etwa 300°C zu erhitzen und bei dieser Temperatur zu halten.
Dann wurde die Vakuumkammer 31 evakuiert, um die darin enthaltene
Luft zu entfernen und den Raum auf ein Vakuum von etwa
1,3 mPa zu bringen. Dann wurden Ar-Gas und H₂-Gas mit einer
Strömungsgeschwindigkeit von 250 Norm-cm³/min bzw. 20 Norm-
cm³/min durch das Außenrohr 34 in die Vakuumkammer eingeleitet.
Gleichzeitig wurden SiF₄-Gas und PF₅/SiF₄ (= 1%)-Gas
durch das Innenrohr 35 in die Vakuumkammer eingeleitet. Nachdem
sich die Strömungsgeschwindigkeiten der vorstehend erwähnten
Gase stabilisiert hatten, wurde der Innendruck auf ein
Vakuum von etwa 66,7 Pa eingestellt. Danach wurde eine Mikrowellenenergiequelle
mit einer Leistung von 160 W (2,45 GHz)
durch die Mikrowellen-Zuführungseinrichtung 36 in die Doppelleitung
eingeführt. Nach der Aufrechterhaltung dieses Zustandes
war eine 15,0 nm dicke n-Halbleiterschicht aus amorphem
Silicium gebildet werden. (Diese Filmbildungsbedingung entspricht
der Bedingung A (x = 160 W) in Tabelle 1).
Dann wurde die Einführung der Mikrowellenenergiequelle und
auch die Einleitung des PF₅-Gases beendet; die Strömungsgeschwindigkeit
des SiF₄-Gases wurde zu 30 Norm-cm³/min verändert,
und in die Doppelleitung wurde eine Mikrowellenenergiequelle
mit einer Leistung von 160 W (2,45 GHz) eingeführt,
um dadurch auf der zuvor gebildeten n-Halbleiterschicht eine
500,0 nm dicke i-Halbleiterschicht aus amorphem Silicium zu
bilden. (Diese Filmbildungsbedingung entspricht der Bedingung
B (x = 160 W) in Tabelle 1).
Dann wurde die Einführung der Mikrowellenenergiequelle beendet;
die Strömungsgeschwindigkeit des SiF₄-Gases wurde zu 27
Norm-cm³/min verändert, und BF₃/SiF₄ (=1%)-Gas wurde mit
einer Strömungsgeschwindigkeit von 3 Norm-cm³/min eingeleitet.
Dann wurde eine Mikrowellenenergiequelle mit einer Leistung
von 160 W eingeführt, um dadurch eine 15,0 nm dicke p-Halbleiterschicht
aus amorphem Silicium zu bilden. (Diese Filmbildungsbedingung
entspricht der Bedingung C (x = 160 W) in Tabelle 1).
Danach wurde das erhaltene Produkt aus der Vakuumkammer herausgenommen
und in eine übliche Vakuumbedampfungsvorrichtung
(nicht gezeigt) eingebracht. Dann wurden in einen Tiegel, der
sich im Abscheidungsraum der Vakuumbedampfungsvorrichtung befand,
In-Teilchen und Sn-Teilchen in einem Massenverhältnis
von 1 : 1 eingefüllt, und während das Substrat bei 175°C gehalten
wurde, wurde in einer Sauerstoffatmosphäre mit einem Druck
von etwa 133 mPa durch ein übliches Widerstandserwärmungsverfahren
als lichtdurchlässige Elektrode eine etwa 70,0 nm dicke
Schicht aus ITO (Indiumzinnoxid) gebildet.
Nachdem das erhaltene Produkt auf Raumtemperatur abgekühlt
worden war, wurde es aus der Vorrichtung herausgenommen. Dann
wurde auf die zuvor gebildete lichtdurchlässige ITO-Elektrode
eine Permalloymaske aufgelegt, und das Produkt wurde in eine
andere übliche Vakuumbedampfungsvorrichtung eingebracht, um
durch ein übliches Widerstandserwärmungsverfahren bei einem
Vakuum von 1,33 mPa einen etwa 1,0 µm dicken, kammförmigen Ag-
Kollektor zu bilden.
Auf diese Weise wurde ein fotoelektrisches pin-Dünnfilm-Bauelement
(Probe PV-1) erhalten.
Ferner wurde in Übereinstimmung mit den vorstehend beschriebenen
Verfahren zuerst auf einem Substrat der vorstehend beschriebenen
Art eine n-Halbleiterschicht aus amorphem Silicium
gebildet, indem die Bildung eines 5,0 nm dicken n-Halbleiter-
Dünnfilms aus amorphem Silicium unter der Bedingung A
(x = 600 W) von Tabelle 1 und die Bildung eines 5,0 nm dicken
i-Halbleiter-Dünnfilms aus amorphem Silicium unter der Bedingung
B (x = 600 W) von Tabelle 1 dreimal durchgeführt wurden.
Dann wurde unter der Bedingung B (x = 160 W) von Tabelle 1 eine
500,0 nm dicke i-Halbleiterschicht aus amorphem Silicium
gebildet, worauf eine p-Halbleiterschicht aus amorphem Silicium
gebildet wurde, indem die Bildung eines 5,0 nm dicken i-
Halbleiter-Dünnfilms aus amorphem Silicium unter der Bedingung
B x = 600 W) von Tabelle 1 und die Bildung eines 5,0 nm
dicken p-Halbleiter-Dünnfilms aus amorphem Silicium unter der
Bedingung C (x = 600 W) von Tabelle 1 dreimal durchgeführt
wurden.
Danach wurden durch Wiederholung der Verfahren, die im Fall
der Herstellung von Probe PV-1 angewandt wurden, eine als
lichtdurchlässige Elektrode dienende ITO-Schicht und ein kammförmiger
Ag-Kollektor gebildet.
Auf diese Weise wurde ein anderes fotoelektrisches pin-Dünnfilm-
Bauelement (Probe PV-2) erhalten.
Die Verfahren für die Herstellung der Probe PV-2 wurden wiederholt,
wobei jedoch die Leistung der Mikrowellenenergiequelle,
die im Fall der Bildung einer aus übereinandergeschichteten
Dünnfilmen bestehenden n-Halbleiterschicht aus amorphem
Silicium und im Fall der Bildung einer aus übereinandergeschichteten
Dünnfilmen bestehenden p-Halbleiterschicht aus
amorphem Silicium einzuführen ist, jeweils aus 80 W eingestellt
wurde. Auf diese Weise wurde ein fotoelektrisches pin-
Dünnfilm-Bauelement (Probe PV-3) hergestellt.
In ähnlicher Weise wurden unter Anwendung einer Mikrowellenenergiequelle
mit einer Leistung von 100 W, 120 W, 160 W bzw.
200 W die Proben PV-4, PV-5, PV-6 und PV-7 hergestellt.
Jede Probe wurde von der Seite des ITO-Films her mit AM-1-
Licht (100 mV/cm²) bestrahlt, und bei den Proben wurden der
fotoelektrische Kurzschlußstrom (I sc), die Leerlaufspannung
(V oc), der Füllfaktor (F.F.) und der fotoelektrische Konversionswirkungsgrad
( η ) gemessen. Die erhaltenen Ergebnisse
sind in Tabelle 5 gezeigt.
Wie aus der Tabelle 5 hervorgeht, hat die Probe PV-1, bei der die
n-Dünnfilm-Halbleiterschicht und die p-Dünnfilm-Halbleiterschicht
nicht aus übereinandergeschichteten Dünnfilmen gebildet
sind, die niedrigsten Werte des fotoelektrischen Kurzschlußstroms
(I sc), der Leerlaufspannung (V oc), des Füllfaktors
(F.F.) und des fotoelektrischen Konversionswirkungsgrades
( η ).
Bei allen Proben PV-2 bis PV-7 sind die n-Dünnfilm-Halbleiterschicht
und die p-Dünnfilm-Halbleiterschicht, die aus amorphem
Silicium bestehen, aus übereinandergeschichteten Dünnfilmen
gebildet. Ein Vergleich mit den Ergebnissen von Tabelle 3
zeigt, daß die Proben PV-5 bis PV-7 außerhalb des Bereichs
der Erfindung liegen, weil die Konzentration der Wasserstoffatome
in der n-Dünnfilm-Halbleiterschicht und/oder in der p-
Dünnfilm-Halbleiterschicht, die aus amorphem Silicium bestehen,
10 Atom-% überschreitet. Diese Proben haben einen großen
I sc-Wert, jedoch sind V oc, F.F. und η noch niedrig. Die Proben
(PV-2) bis (PV-4), bei denen der Wasserstoffatomgehalt in
den geschichteten Dünnfilm-Halbleiterschichten 10% oder weniger
beträgt, haben höhere Werte für V oc, F.F. und η und
zeigen ausreichend gute Eigenschaften, wodurch die Wirkung
der Erfindung bestätigt wird.
Tabelle 6 zeigt den elektrischen Dunkelstrom für den Fall,
daß an die Proben (PV-1) bis (PV-7) eine Vorspannung
von -5V angelegt wird; den fotoelektrischen Strom für den
Fall, daß die Proben mit 100 lx belichtet werden, und ihre Verhältnis
(S/N). Bei den Proben (PV-2) bis (PV-4), bei denen
der Wasserstoffatomgehalt 10% oder weniger beträgt, werden
für S/N vierstellige oder mehr als vierstellige Zahlenwerte
erhalten, und diese Proben haben einen für die praktische Anwendung
als Fotodetektor ausreichenden Dynamikbereich, während
S/N bei den Proben (PV-1) und (PV-5) bis (PV-7) niedrig
ist. Folglich wird durch Tabelle 6 die Wirkung der Erfindung
bestätigt.
Fotoelektrische Dünnfilm-Bauelemente (PV-8) und (PV-9), wie
sie in Fig. 1 gezeigt sind, wurden in ähnlicher Weise wie in
Beispiel 1 unter Anwendung der in Fig. 3 gezeigten Vorrichtung
hergestellt, wobei jedoch eine geschichtete p-Dünnfilm-
Halbleiterschicht hergestellt wurde, indem p-SiC-Halbleiter-
Dünnfilme unter den in Tabelle 7 gezeigten Bedingungen D hergestellt
wurden und indem unter den Bedingungen E SiC-Halbleiter-
Dünnfilme, die keinen Fremdstoff enthielten, zwischen
den p-SiC-Halbleiter-Dünnschichten abgeschieden wurden. (PV-8)
ist ein Vergleichsbeispiel, und (PV-9) ist ein erfindungsgemäßes
Beispiel. Die Eigenschaften dieser Proben als Solarzelle
und ihre Eigenschaften als Fotodetektor (das Verhältnis
(S/N) des fotoelektrischen Stroms, der gemessen wird, wenn
unter Belichtung mit 100 lx eine Vorspannung von -5 V
angelegt wird, zu dem elektrischen Dunkelstrom) sind in Tabelle
8 gezeigt.
Wie Tabelle 8 zeigt, beträgt in Beispiel (PV-9), wo eine geschichtete
p-SiC-Dünnfilm-Halbleiterschicht verwendet wird,
die Wasserstoffkonzentration in der geschichteten p-SiC-Dünnfilm-
Halbleiterschicht 10 Atom-% oder weniger, und die Probe
zeigt gute Solarzelleneigenschaften und Fotodetektoreigenschaften.
Andererseits ist das Vergleichsbeispiel (PV-8) dem
Beispiel (PV-9) bezüglich aller Eigenschaften unterlegen.
Fotoelektrische Schottky-Dünnfilm-Bauelemente (PV-10) und
(PV-11), wie sie in Fig. 5 gezeigt sind, wurden unter Anwendung
der in Fig. 3 gezeigten Vorrichtung hergestellt. (PV-10)
ist ein Vergleichsbeispiel, und (PV-11) ist ein erfindungsgemäßes
Beispiel. Die Bezugszahlen 51, 52, 53, 54 und 56 in
Fig. 5 entsprechen den Bezugszahlen 1, 2, 3, 4 bzw. 8 in
Fig. 1. Ein halbdurchlässiger Goldfilm 55 mit einer Dicke von
5,0 nm wird durch Vakuumbedampfung mittels eines Widerstandserwärmungsverfahrens
gebildet. Die Eigenschaften dieser fotoelektrischen
Schottky-Dünnfilm-Bauelemente (PV-10) und (PV-11)
als Solarzelle und ihre Eigenschaften als Fotodetektor sind
in Tabelle 9 gezeigt.
Wie aus Tabelle 9 hervorgeht, werden auch im Fall des fotoelektrischen
Schottky-Dünnfilm-Bauelements (PV-11), wo der
Wasserstoffgehalt 10 Atom-% oder weniger beträgt, gute Solarzelleneigenschaften
und Fotodetektoreigenschaften erzielt.
Andererseits ist das Vergleichsbeispiel (PV-10), wo der Wasserstoffgehalt
10 Atom-% überschreitet, dem Beispiel (PV-11)
bezüglich aller Eigenschaften unterlegen.
Fotoelektrische pin-Dünnfilm-Bauelemente (PV-12) und (PV-13),
wie sie in Fig. 1 gezeigt sind, wurden unter Anwendung der
in Fig. 6 gezeigten Vorrichtung hergestellt. (PV-12) ist ein
Vergleichsbeispiel, und (PV-13) ist ein erfindungsgemäßes Beispiel.
Fig. 6 zeigt eine Vakuumkammer 61, die durch eine Vakuumpumpe
evakuuiert wird. In die Vakuumkammer 61 ist eine geerdete
Substrat-Halteeinrichtung 62 eingebaut, an der ein
Substrat 63 befestigt ist. Das Substrat 63 kann durch eine in
die Substrat-Halteeinrichtung 62 eingebaute Heizeinrichtung
auf eine gewünschte Temperatur erhitzt werden. Gegenüber der
Substrat-Halteeinrichtung 62 ist eine Kathodenelektrode 64
angeordnet. Ein gasförmiges Ausgangsmaterial, das in die Vakuumkammer
61 eingeleitet wird, wird durch eine Hochfrequenzspannung
von 13,56 MHz, die an die Kathodenelektrode 64 angelegt
wird, dissoziiert, um auf dem Substrat 63 einen Dünnfilm-
Halbleiter abzuscheiden. Unter Anwendung dieser Vorrichtung
wurden unter den in Tabelle 10 gezeigten Herstellungsbedingungen
fünf Arten von Dünnfilm-Halbleitern hergestellt.
D. h. die Filme 2 in Fig. 1 wurden unter den in Tabelle 10 gezeigten Bedingungen
F hergestellt; die Filme 3 in Fig. 1 wurden unter den in Tabelle
10 gezeigten Bedingungen G hergestellt; die i-Halbleiterschicht 4 in Fig. 1 wurde
unter den in Tabelle 10 gezeigten Bedingungen H hergestellt;
die Filme 5 in Fig. 1 wurden unter den in Tabelle 10 gezeigten
Bedingungen I hergestellt, und die Filme 6 in Fig. 1 wurden unter den
in Tabelle 10 gezeigten Bedingungen J hergestellt. Die Eigenschaften
der auf diese Weise erhaltenen fotoelektrischen Dünnfilm-
Bauelemente als Solarzelle und ihre Eigenschaften als
Fotodetektor sind in Tabelle II gezeigt.
Wie aus Tabelle 11 hervorgeht, zeigt auch das Beispiel (PV-
13), das durch ein HF-Glimmentladungsverfahren unter Verwendung
von SiH₄-Gas hergestellt wurde und bei dem der Wasserstoffgehalt
10 Atom-% oder weniger beträgt, gute Solarzelleneigenschaften
und Fotodetektoreigenschaften. Andererseits ist
das Vergleichsbeispiel (PV-12), wo der Wasserstoffgehalt 10
Atom-% überschreitet, dem Beispiel (PV-13) bezüglich aller Eigenschaften
unterlegen.
D. h. es ist festgestellt worden, daß durch Steuerung der Wasserstoffkonzentration
gute Solarzelleneigenschaften und Fotodetektoreigenschaften
erzielt werden.
Claims (3)
1. Fotoelektrisches Dünnfilm-Bauelement, bei dem eine
n-Halbleiterschicht und/oder eine p-Halbleiterschicht aus
einer nicht einkristallinen Silicium-Halbleiterschicht
gebildet ist, die aus mehreren bzw. vielen übereinandergeschichteten
nicht einkristallinen, wasserstoffhaltigen
Silicium-Dünnfilmen mit einer Dicke von 10,0 nm oder weniger
besteht, dadurch gekennzeichnet, daß der Wasserstoffgehalt
1 bis 10 Atom-% beträgt und daß eine sich wiederholende
Baueinheit für die Bildung der n-Halbleiterschicht und/oder
der p-Halbleiterschicht aus zwei Arten von nicht einkristallinen
Silicium-Dünnfilmen besteht, die aus der Gruppe ausgewählt
sind, die aus
- (i) einem nicht einkristallinen Silicium-Dünnfilm, der einen ersten Fremdstoff (a) enthält,
- (ii) einem nicht einkristallinen Silicium-Dünnfilm, der den ersten Fremdstoff (a) in einer größeren Menge als in dem Dünnfilm (i) enthält,
- (iii) einem nicht einkristallinen Silicium-Dünnfilm, der einen zweiten Fremdstoff (b) enthält, und
- (iv) einem nicht einkristallinen Silicium-Dünnfilm, der
keinen Fremdstoff enthält,
besteht.
2. Dünnfilm-Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß es sich um ein fotoelektrisches pin-Dünnfilm-
Bauelement handelt.
3. Dünnfilm-Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß es sich um ein fotoelektrisches Schottky-Dünnfilm-
Bauelement handelt.
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