DE3806034C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE3806034C2 DE3806034C2 DE3806034A DE3806034A DE3806034C2 DE 3806034 C2 DE3806034 C2 DE 3806034C2 DE 3806034 A DE3806034 A DE 3806034A DE 3806034 A DE3806034 A DE 3806034A DE 3806034 C2 DE3806034 C2 DE 3806034C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- signal charges
- transmission means
- ccds
- image sensor
- transfer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 82
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 6
- 238000012432 intermediate storage Methods 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 3
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 claims 2
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 314
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 238000012015 optical character recognition Methods 0.000 description 3
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- FYZYXYLPBWLLGI-AUOPOVQUSA-N Genipin 1-beta-gentiobioside Chemical group C([C@H]1O[C@H]([C@@H]([C@@H](O)[C@@H]1O)O)O[C@@H]1OC=C([C@@H]2[C@H]1C(=CC2)CO)C(=O)OC)O[C@@H]1O[C@H](CO)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H]1O FYZYXYLPBWLLGI-AUOPOVQUSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000032823 cell division Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/80—Camera processing pipelines; Components thereof
- H04N23/84—Camera processing pipelines; Components thereof for processing colour signals
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/10—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
- H04N25/11—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
- H04N25/13—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
- H04N25/134—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements based on three different wavelength filter elements
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/713—Transfer or readout registers; Split readout registers or multiple readout registers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/715—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using frame interline transfer [FIT]
Description
Die Erfindung betrifft Festkörper-Bildsensoren gemäß Oberbegriff
des Patentanspruchs 1.
Insbesondere betrifft die Erfindung Festkörper-Bildsensoren
zur Herstellung von hochauflösenden Bildern.
Ladungsübertragungselemente (CTD) wie ladungsgekoppelte
Elemente sind als Festkörper-Bildsensoren bekannt und
für übliche Fernsehanlagen verwendbar, beispielsweise
hat das amerikanische NTSC-System zahlreiche Anwendungsfälle
dafür gefunden. Bei NTSC beträgt die Zahl der horizontalen
Zeilen 512 bei zwei Halbbildern und das Seitenverhältnis
ist 3 : 4. Die Anzahl von CCD-Bildelementen beträgt
in einer Ausführung etwa 500 in der Vertikalen und 400
in der Horizontalen. Man hat auch bereits gehört, daß
die Anzahl der Zeilen auf 1000 oder mehr, beispielsweise
auf 1125 erhöht werden soll.
Ein Festkörper-Bildsensor wie ein sogenanntes Zwischenzeilen(IT)-
Ladungsverschiebeelement (IT-CCD) ist einer
bekannten Fernsehbild-Aufnahmeröhre in zahlreichen Punkten
überlegen. Der Bildsensor ist klein, hat wenig Gewicht
und ist sehr zuverlässig. Außerdem gibt es keine Bildverzerrungen
und kein Überblenden. Außerdem ist die Baulänge
wesentlich kürzer, da kein Elektronenstrahl von der Kathode
zum Aufnahmefenster geleitet werden muß.
Bei einem IT-CCD werden Signalladungen, die auf einer
Fotodiodenanordnung gespeichert werden, gleichzeitig zu
den senkrechten CCDs (V CCDs) übertragen, die in der Fotodiodenanordnung
oder dem Fotosensorbereich liegen. Danach
werden die Signalladungen aus einer horizontalen CCD (H CCD)
durch einen jeweiligen Auslesezyklus ausgelesen.
Während des Auslesens von dem Chip wird die nächste Integration
von Signalladungen durchgeführt. Üblicherweise werden
Signalladungen von jeder einzelnen Fotodiode entlang der
V CCD oder von Fotodiodenpaaren im ersten Feld ausgelesen.
Im zweiten Bild oder Feld werden die Signalladungen von
den übrigen Fotodioden oder Fotodiodenpaaren ausgelesen,
um ein Vollbild zu erzeugen. Das Auslesen der Signalladungen
aus dem zweiten Feld oder Halbbild erfolgt, nachdem die
Signalladungen des ersten Bildes oder Feldes vollständig
aus dem Chip ausgelesen wurden. Das Auslesen wird mit
der verschachtelten Abtastung des Fernsehgeräts synchronisiert.
Daher besitzt jedes Feld oder Halbbild 256 horizontale
Abtastzeilen, die verschachtelt sind, wobei die
Vollbilderzeugung als "Bildintegration" bezeichnet wird,
wann immer abwechselnd Fotodioden ausgelesen werden. Werden
jedoch Fotodiodenpaare ausgelesen, so wird diese Technik
als "Feldintegration" bezeichnet.
Die IT-CCD ist beispielsweise von K. Horii et al. in IEEE
Transactions on Elektron Devices, Vol. ED-31, Nr. 7, Juli
1984, beschrieben.
Durch Einführung eines CCD-Speicherbereichs zwischen dem
Fotolesebereich und dem H CCD-Bereich zur vorübergehenden
Speicherung von Signalleitungen wird das Mischen von Schmierladungen,
die von der Verarmungsschicht unter dem Fotodiodenbereich
diffundieren, mit Signalladungen verhindert,
die in den V CCDs übertragen werden. Dies ist deswegen
der Fall, weil die Datenausgabegeschwindigkeit aus den
V CCDs nicht durch die Abtastgeschwindigkeit der horizontalen
Abtastlinien des TV begrenzt ist. Mit anderen Worten
kann das Rausschieben der Signalladungen aus den V CCDs
mit hoher Frequenz durchgeführt werden.
In dem zuvor erwähnten Artikel wird erwähnt, daß der Speicherbereich
zwei parallele vertikale CCDs von der Länge
½ für jedes V CCD in dem Fotolesebereich hat. Die parallel
angeordneten zwei V CCDs in dem Speicherbereich akzeptieren
Signalladungen von der entsprechenden V CCD in
dem ein Auswahl-Gate für jede abwechselnde Signalladung
geschaltet wird, die von der V CCD übertragen wird. Da
jedoch die Signalladungen, die einer Abfragepunktgruppe
entsprechen, aus dem CCD-Chip in einem Feld wie erwähnt
ausgelesen werden, hat jede vertikale CCD in dem Speicherbereich
lediglich eine Speicherkapazität, die ausreicht,
½ der Signalladungen in der entsprechenden V CCD des
Fotolesebereichs aufzunehmen. Ferner werden in diesem
Fall alle senkrechten CCDs in dem Speicherbereich mit
dem gleichen Takt getaktet. Der Bildabfragemodus verändert
sich daher während des Auslesezyklus aus dem Chip nicht.
Es bleiben jedoch weiter Probleme bei diesen Bildsensoren
bestehen. Ein wesentliches Problem liegt in der Auflösung.
Fig. 1 zeigt eine Farbfilteranordnung für einen bekannten
integrierten IT-CCD. In Fig. 1 haben die Filter die Farben
grün, (G), blau (B) oder rot (R) und sie sind jeweils auf
einem Element mit einer Fotodiode gebildet. In einem ungeradzahligen
Feld werden die Signalladungen von jeder zweiten
horizontalen Zeile deren Fotodiodenanordnung aus dem Chip
ausgelesen. Danach werden bei den geradzahligen Feldern
die Signalladungen von den übrigen Zeilen der Fotodiodenanordnung
ausgelesen.
Man erkennt aus Fig. 1 beim Betrachten der Auslesezeilen
von geradzahligen oder ungeradzahligen Feldern, daß die
Signalladungen, die grün entsprechen, erhalten werden,
wenn man eine Zelle in horizontaler Richtung in jedem
Feld überspringt. Signalladungen für blau und rot werden
jedoch in jedem Feld nur bei jeder vierten Fotodiode in
der horizonalen Richtung erhalten. Für die vertikale
Richtung erscheint jede Farbe nach jeweils vier Fotodioden
in einem Feld auf. Diese Struktur ist so angelegt, daß
ein Helligkeitssignal basierend auf der folgenden Beziehung
gebildet wird: Ye = 2G+½(R+B). Nach dem Abtasten
des ungeradzahligen Feldes wird das geradzahlige Feld
gemäß den Signalen von den Fotodioden abgetastet. In Fig. 1
besteht die kleinste Einheit, die für ein Vollbild erforderlich
ist, aus vier 4 × 4 Elementen. Die grobe Anordnung
der Farbfilter führt zu einem Moir´-Effekt und zum
Auftreten von Dummy-Signalen. Man erkennt ferner, daß
die Auflösung von der kleinstmöglichen Einheit mit Filtern
bestimmt wird.
Ein weiterer Nachteil besteht darin, daß bekannte CCD-Chips
Signalladungen nicht von verschiedenen Abfragepunkten
in einem Feld auslesen können.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Festkörper-Bildsensor
zu schaffen, mit dem in einem Abfragemodus gleichzeitig
mehr Signalladungen als beim Stand der Technik ausgelesen werden
können.
Zur Lösung dieser Aufgabe dienen die Merkmale des Patentanspruchs 1.
Der Festkörper-Bildsensor weist ein Substrat und einen Fotolesebereich
auf dem Substrat auf. Der Fotolesebereich besitzt eine
Vielzahl von Fotozellen für die Aufnahme eines Bildes und für
die Erzeugung und Speicherung von dem Bild entsprechenden Signalladungen.
Der Fotolesebereich kann seinen Abfragemodus verändern,
indem seine Abfragepunkte in bezug auf das Bild verlagert
werden.
Eine Anzahl von ersten Übertragungsmitteln ist in dem Fotosensorbereich
gebildet, wobei das erste Übertragungsmittel die
Signalladungen von ihren benachbarten Fotozellen empfängt und
sie daraus überträgt. Ein Zwischenspeicherbereich ist auf dem
Substrat vorgesehen und weist eine Anzahl von zweiten Übertragungsmitteln
für jedes erste Übertragungsmittel auf, wobei das
zweite Übertragungsmittel unabhängig von solchen getrieben werden
kann, die zu dem ersten Übertragungsmittel gehören, und
wobei erfindungsgemäß jedes zweite Übertragungsmittel eine Kapazität
besitzt, um alle Signalladungen in dem entsprechenden
ersten Übertragungsmittel aufzunehmen. Eine Anzahl von Gates ist
jeweils zwischen jedem ersten Übertragungsmittel und ihrer entsprechenden
Anzahl von zweiten Übertragungsmitteln vorgesehen.
Jedes Gate verändert die Übertragungsrichtung von dem entsprechenden
ersten Übertragungsmittel zu einem entsprechenden zweiten
Übertragungsmittel gemäß dem Abfragemodus für das Bild.
Dritte Übertragungsmittel haben neben dem Zwischenspeicherbereich
einen sich wiederholenden Auslesezyklus, der das Aufnehmen
von Signalladungen aus einer Anzahl der zweiten Übertragungsmittel
und deren Heraustransferieren umfaßt.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von Figuren näher
erläutert; es zeigt
Fig. 1 eine Farbfilteranordnung für einen bekannten
Festkörper-Bildsensor;
Fig. 2a eine Draufsicht auf einen Festkörper-Bildsensor
für ein erstes Ausführungsbeispiel
der Erfindung, das Bildintegration verwendet;
Fig. 2b Taktimpulse, die an das Ausführungsbeispiel
von Fig. 2a angelegt werden;
Fig. 3a die Anordnung von Farbfiltern für das Ausführungsbeispiel
von Fig. 2a;
Fig. 3b eine Farbsignal-Trennschaltung zum Separieren
der Farbsignale;
Fig. 4a eine Draufsicht auf den Fotosensorbereich
des Ausführungsbeispiels nach Fig. 2a;
Fig. 4b einen Querschnitt durch den Fotosensorbereich
von Fig. 4a;
Fig. 4c Taktimpulse, die an die vertikalen CCDs
im Fotosensorbereich von Fig. 4a gelegt
werden;
Fig. 5a eine Darstellung einer Teildraufsicht auf
ein Schaltmittel, das zwischen einer vertikalen
CCD im Fotosensorbereich und den
vertikalen CCDs in dem Zwischenspeicherbereich
liegt;
Fig. 5b u. 5c Taktimpulse, die an die Klemmen von Fig.
5a angelegt werden;
Fig. 6a eine Draufsicht auf den Festkörper-Bildsensor
eines zweiten Ausführungsbeispiels
mit Zickzackanordnung der Bildelementelektroden;
Fig. 6b einen Querschnitt durch den Fotosensorbereich
des Ausführungsbeispiels nach Fig.
6a;
Fig. 7a eine Draufsicht auf den Festkörper-Bildsensor
für ein drittes Ausführungsbeispiel
der Erfindung, der mit einer elektronischen
Kamera ausgerüstet ist;
Fig. 7e Taktimpulse, die an das Ausführungsbeispiel
von Fig. 7a angelegt werden;
Fig. 8a eine Darstellung eines Fotosensorbereichs
für die Feldintegration;
Fig. 8b Taktimpulse, die an die Einheit von Fig.
8a gelegt werden;
Fig. 9 ein Blockschaltbild einer vierten Ausführungsform
zur Verwendung in einem Synchrovision
TV-System;
Fig. 10 ein Modell der Grundfunktion eines Synchrovisions-
Festkörper-Bildsensors des vierten
Ausführungsbeispiels;
Fig. 11a eine Draufsicht auf den Bildsensor von
Fig. 9;
Fig. 11b Taktimpulse, die an den Sensor von Fig.
11a gelegt werden;
Fig. 11c und 11d Diagramme zur Erläuterung der Ausgangssignale
des Bildsensors von Fig. 10a,
Fig. 12 eine abgewandelte Ausführungsform des Synchrovisions-
Bildsensors;
Fig. 13a einen Plan eines Festkörper-Bildsensors,
der ein fünftes Ausführungsbeispiel darstellt,
welches für ein unverschaltetes
System zweckmäßig ist;
Fig. 13b Taktimpulse für den Sensor von Fig. 13a;
Fig. 14a und 14b eine 1H-Verzögerungszeile bei einem unverschachtelten
und einem verschachtelten
Festkörper-Bildsensor;
Fig. 15a bis 15d Erläuterungen eines Festkörper-Bildsensors
für die Bildung von Ladungspaketen von
jeweils vier Fotodioden;
Fig. 16a bis 16c Darstellungen eines Festkörper-Bildsensors
eines sechsten Ausführungsbeispiels, der
an die Einheit von den Fig. 15a bis
15d anpaßbar ist;
Fig. 16b und 16c die Verbindungsschritte bei der Einheit
von Fig. 16a;
Fig. 17a bis 17e die Übertragungsschritte von dem Zwischenspeicherbereich
in ein horizontales CCD-Register;
Fig. 18a eine abgewandelte Ausführungsform von Fig.
16a, die als Synchrovisionstyp arbeitet;
Fig. 18b eine Darstellung der Signalladungspakete,
die den Abtastzeilen eines Fernsehgerätes
entsprechen;
Fig. 19a bis 19d Übertragungsschritte der Einheit von Fig.
18a;
Fig. 20 eine Draufsicht auf einen Festkörper-Bildsensor
in einem siebenten Ausführungsbeispiel;
Fig. 21a eine vergrößerte Draufsicht auf den Zwischenspeicherbereich
von Fig. 20;
Fig. 21b Einzelheiten des Aufbaus von Fig. 21a;
Fig. 22 ein Zeitablaufsdiagramm für die Übertragung
von Signalladungen von den ersten V CCDs
zu den zweiten V CCDs A und B der Ausführungsform
von Fig. 20;
Fig. 23 eine vergrößerte Draufsicht auf Kurvenzüge
von Fig. 22;
Fig. 24 ein Diagramm der Übertragung von Signalladungen
in den zweiten V CCDs B entsprechend
dem Zustand von Fig. 23;
Fig. 25 eine Darstellung der Verbindung der ersten
V CCDs an die zweiten V CCDs A und B durch
Gates;
Fig. 26 ein Zeitablaufdiagramm von Taktimpulsen,
die an Übertragungselektroden gelegt werden,
wenn Signalladungen von den ersten V CCDs
an die zweiten V CCDs B gelegt werden;
Fig. 27 ein Zeitablaufdiagramm von Taktimpulsen,
die an Übertragungselektroden gelegt werden,
wenn Signalladungen von den ersten V CCDs
an die zweiten V CCDs A gelegt werden;
Fig. 28 eine vergrößerte Draufsicht auf den Übertragungsteil
von den zweiten V CCDs A und B
an die H CCD;
Fig. 29 Kurvenformen für die Übertragung von Signalladungen
von zweiten V CCDs an H CCD;
Fig. 30a eine Schnittansicht der zweiten V CCDs
bei einer Abwandlung der siebenten Ausführungsform,
Fig. 30b ein Zeitdiagramm der Kurven für die Taktimpulse,
die zur Übertragung von Signalladungen
in den zweiten V CCDs dienen;
und
Fig. 31 die Übertragung von Signalladungen in Fig.
30.
Die nachfolgende Figurenbeschreibung erfolgt anhand von
Zeichnungen und Beispielen.
Fig. 2a zeigt eine Gesamtansicht eines Festkörper-Bildsensorchips
des ersten Ausführungsbeispiels, während Fig.
2b den Verlauf von Taktimpulsen angibt. Die Wiedergabe
eines Bildes erfolgt durch Bildintegration.
In Fig. 2a sind eine Anzahl von Fotodioden 1-1, 1-2,
. . ., 1-N und eine Anzahl von ersten senkrechten CCD-Registern
(erste V CCDs) 2-1, 2-2, . . ., N-M in einem Fotosensorbereich
3 eines Halbleitersubstrat angeordnet. Die ersten
V CCDs werden beispielsweise durch vier Phasentreibimpulse
getrieben, die an die Klemmen ΦI1-ΦI4 gelegt werden. In
einem Zwischenspeicherbereich 4, der neben den Fotosensorbereich
3 liegt, sind zwei Gruppen von zweiten vertikalen
CCDs A (5A1, 5A2, . . ., 5AM) und zweite senkrechte CCDs
B (5B1, 5B2, . . ., 5BM) gebildet. Die vertikalen CCDs der
Gruppe A werden von den Klemmen ΦSA1-ΦSA2 getrieben;
andererseits wird die Gruppe B von ihren Klemmen ΦSB1
-ΦSB4 getrieben. Die vier Phasentaktimpulse werden unabhängig
voneinander an die zweiten V CCDs A und B gelegt.
In dem Gebiet zwischen dem Fotosensorbereich 3 und dem
Zwischenspeicherbereich 4 ist eine Anzahl von Gates 6-1,
6-2, . . ., 6-M eingebracht, um eine Übertragungseinrichtung
einzurichten. Oben ist ein horizontales, CCD-Register
(H CCD) 7 angeordnet. Bei dieser Ausführungsform hat das
H CCD zwei Zeilen bestehend aus 7A und 7B. Verstärker
8A und 8B sind an die Ausgabeklemmen OS1, OS2 und H CCDs
7A und 7B jeweils angeschlossen. Das Zweizeilen-H CCD
7 wird gemeinsam von den beiden Phasentaktimpulsen getrieben,
die an die Klemmen ΦH1, ΦH2 gelegt werden.
Fotodioden von kleineren Abmessungen sind in Fig. 2a zur
leichteren Darstellung gezeigt; es sind in Wirklichkeit
viel mehr Fotodioden vorgesehen. Bei dem so aufgebauten
Sensor ist die Anzahl der Übertragungsstufen in vertikaler
Richtung (Spalten) der ersten V CCD die Hälfte der Fotodiode.
Bei dem amerikanischen NTSC-System ist die Anzahl
der Übertragungsstufen für das erste V CCD etwa 256 und
die Anzahl der Fotodiode in vertikaler Richtung etwa 512.
Die Anzahl von Fotodioden und Übertragungsstufen in den
ersten V CCDs muß verdoppelt werden, wenn die Anzahl von
horizontalen Abtastzeilen auf 1125 erhöht wird. Durch
Anlegen von Feldverschiebungsimpulse werden Signalladungen
in die ersten V CCDs gleichzeitig eingespeist.
Jede der zweiten V CCDS (5-A1, 5-A2, . . ., 5-AM, und 5-B1,
5-B2, . . ., 5-BM) hat 256 oder mehr Übertragungsstufen
bei der Erfindung und besitzt somit eine Kapazität, um
alle Signalladungen in der entsprechenden ersten V CCD
aufzunehmen. Die Gates 6-1, 6-2, . . ., 6-M sind jeweils
zwischen jeder der ersten V CCDs (2-1, 2-2, . . ., 2-M)
und ihren entsprechenden Paaren von zweiten vertikalen
CCDs A (5-A1, 5-A2, . . ., 5-AM) und B (5-B1, 5-B2, . . .,
5-BM) gebildet.
Da der Bildabfragemodus in einem Feld geändert wird, ändern
die Gates ihre Übertragungsrichtung aufgrund des für das
jeweilige Bild gewählten Abfragemodus.
Das wiederzugebende Bild wird durch ein an sich bekanntes,
jedoch nicht dargestelltes Linsensystem auf den Fotosensorbereich
3 fokussiert.
In der Folge wird die Wirkung der Taktimpulse anhand der
Fig. 2b erläutert. Fig. 2b zeigt Treiberklemmen ΦI1-ΦI4,
ΦSA1-ΦSA4, SB1-SB4 und ΦH1-ΦH2, wobei beispielsweise ΦI1
und ΦI3 als Feldverschiebungsimpulse und ΦSA1, ΦSB1 in
Fig. 2b gezeigt wird.
Während der effektiven Periode tAE in der ersten Feldperiode
tF1, werden Signalladungen in der Fotodiodenanordnung
integriert. Ein Feldverschiebungsimpuls ΦFS1 wird an die
Klemme ΦI1 gelegt, um die Signalladungen aus den Fotodioden
(1-1, 1-3, . . . ) auszulesen und an die ersten V CCDs 2-1,
2-2, . . ., 2-M zu legen, wie dies in Fig. 2a durch volle
Linien angedeutet ist. Dann werden in einer Austastperiode
tAB für die senkrechte Richtung die Signalladungen von
den zweiten V CCDs A (5-A1, 5-A2, . . ., 5-AM) übertragen,
indem vier Phasentaktimpulse an die ersten V CCDs (2-1,
2-2, . . ., 2-M) und an die zweiten V CCDs A (5-A1, 5-A2,
. . ., 5-AM) gelegt werden. Die vier Phasentaktimpulse,
die zu diesem Zeitpunkt angelegt werden, sind in Fig.
2b als Impulse ΦIT1, ΦIT5 und ΦST1 dargestellt. Dann
werden in dem gleichen Feld die übrigen Signalladungen
von den Fotodioden (1-2, 1-4, . . . ) in die ersten V CCDs
(2-1, 2-2, . . ., 2-M) ausgelesen und dann an die zweiten
V CCDs B (5-B1, 5-B2, . . ., 5-BM) übertragen, indem die
vier Phasentaktimpulse an die ersten V CCDs 2-1, 2-2,
. . ., 2-M) und an die zweiten V CCDs (5-B1, 5-B2, . . .,
5-BM) gelegt werden. Die mit ihren relativen Zeitabstimmungen
angelegten Impulse sind in Fig. 2b als ΦIT2, ΦIT6
und ΦST3 bezeichnet. Die zweite Auslesung aus den Fotodioden
ist in Fig. 2a gestrichelt dargestellt. Die Perioden
zwischen Feldverschiebungsimpulsen der Takte ΦI1 und ΦI3
sind ebenfalls als gleich bezeichnet. Die Veränderung
in Übertragungsrichtung zwischen den zweiten V CCDs A
und den zweiten V CCDs B wird durch ein elektrisches Signal
erreicht, das an die Gates 6-1, 6-2, . . ., 6-M gelegt wird.
Die Signalladungen, die in die zweiten V CCDs A und B
oder in den Zwischenspeicherbereich eingespeist werden,
werden von den Ausgabeklemmen OS1, OS2 durch die H CCDs
7A und 7B und die Verstärker 8A, 8B in dem zweiten Feld
durch Wiederholung des Auslesezyklus der H CCD 7 ausgelesen.
Dieser Ausleseprozeß umfaßt das Aufnehmen der Signalladungen
von jeder zweiten V CCD A, B (5-A1, 5-A2, . . ., 5-AM und
5-B1, 5-B2, . . ., 5-BM) und dann ihre Austragung, und zwar
horizontale Zeile nach Zeile. Dieser Zyklus setzt sich
so lange fort, bis alle Signalladungen aus dem Chip ausgelesen
wurden. Das Auslesen erfolgt während der effektiven
Periode tBE der zweiten Feldperiode tF2 (ΦSL3, ΦSL4, ΦSL7,
ΦSL8). Die Übertragung von den ersten V CCDs zu den zweiten
V CCDs A, B erfolgt in der Austastperiode tAB in vertikaler
Richtung auf dem TV zusammen mit der nächsten Integration
der Signalladungen. Aufgrund der Verwendung einer Zweizeilen
H CCD 8 werden bei dieser Ausführungsform die
Signalladungen der zweiten V CCDs A in die H CCD 7A geladen;
andererseits werden Ladungen von den zweiten V CCDs B
in die H CCD 8B geladen.
Wie beschrieben, haben die Signalladungen der A- und B-Gruppen
jeweils unterschiedliche Bildabfragepunkte im Zwischenspeicherbereich
gespeichert und diese werden dann in einem
Feld aus dem Chip ausgegeben. Obgleich die Funktion des
Fotosensorbereichs im Grunde von der Art "Bildintegration"
ist, wird die Anzahl der Signalladungen-Auslesungen gegenüber
bekannten IT-CCD verdoppelt.
Fig. 3a zeigt die Anordnung von Farbfiltern über dem
Fotosensorbereich 3 der Anordnung von Fig. 2a.
Es sei angenommen, daß die Anordnung der dargestellten
Farbfilter über den ersten vier horizontalen Zeilen gebildet
ist, die in der Fotodiodenanordnung von Fig. 2 von
oben gezählt werden. Während der effektiven Periode tBE
der zweiten Feldperiode tF2 werden die Signalladungen,
die in der ersten Feldperiode tF1 gespeichert sind, nacheinander
aus dem Chip ausgelesen und mit der horizontalen
Zeilenabtastung im TV synchronisiert. Dementsprechend
werden bei einem geradzahligen Feld die Signalladungen
R-G-R-G von der oberen Zeile der Fotodiodenanordnung aus
erhalten. Gleichzeitig werden die Signalladungen G-B-G-B
in der zweiten Zeile der Fotodiodenmatrix erhalten.
Fig. 3b zeigt ein Beispiel eines Farbsignalseparators,
der die Ausgaben in Farbsignale unterteilt. Der Farbsignalseparator
weist Schalter SW1, SW2, SW3 und Tiefpaßfilter
32 bis 36 sowie eine Schaltung 37 auf. Außerdem ist
der Festkörper-Bildsensorchip 31 dargestellt; ferner ist
ein Linsensystem 32 gezeigt. Zur gleichen Zeit, wenn die
Farbsignale von G und B aus den Ausgabeklemmen OS1, OS2
ausgelesen werden, schaltet der Schalter SW1 auf die OS-Seite
um und der Schalter SW2 schaltet ein, um R- und B-Signale
zu empfangen. Zu dieser Zeit ist der Schalter SW3
offen. Somit werden G, B und R-Signalmuster von den Ausgangsklemmen
erhalten. Das Helligkeitssignal Ye wird dadurch
gebildet, daß diese Farbsignale in der Addierschaltung
26 zusammengefaßt werden, und zwar entsprechend der
Bedingungen Ye = 2G+½(B+R), indem 2 × 2 Farbfilter als
Basiseinheit verwendet werden. Es wird auch darauf hingewiesen,
daß die kleinste Einheit dieser Farbfilter lediglich
aus 2 × 2 Farbfiltern besteht. Dementsprechend werden
die Farbsignale für 256 horizontale Abtastzeilen in einem
Feld ausgegeben.
Die obige Beschreibung betrifft lediglich den Auslesezyklus
von Signalladungen, die in dem Fotosensorbereich
während der ersten Feldperiode tF1 integriert und dann
von dem Chip während der zweiten Feldperiode tF2 ausgelesen
werden. Daher wird der nächste Auslesezyklus wiederum
anhand von Fig. 2b beschrieben.
Die nächsten Signalladungen, die während der Integrationsperiode
tBE gespeichert wurden, werden in die zweiten
V CCDs A und B während der senkrechten Austastperiode
tBB der zweiten Feldperiode tF2 geladen. Das heißt, zunächst
wird ein Feldverschiebungsimpuls ΦFS2 an die Klemme
ΦI1 gelegt, um die Signalladungen von den Fotodioden in
die ersten V CCDs auszulesen, und dann werden sie in die
zweiten V CDDs A übertragen, indem vier Phasentaktimpulse
an die ersten V CCDs (2-1, 2-2, . . ., 2-M) und an die zweiten
V CCDs A (5-A1, 5-A2, . . ., 5-AM) gelegt werden. Die
vier Phasentaktimpulse, die zu dieser Zeit angelegt werden,
sind in Fig. 2b dargestellt, beispielsweise als Impulse
ΦIT3, ΦIT7 und ΦST2. Hierauf werden die übrigen Signalladungen
aus den Fotodioden (1-2, 2-4, . . . ) in die ersten
V CCDs (2-1, 2-2, . . ., 2-M) durch Anlegen eines Feldverschiebungsimpulses
FS4 ausgelesen. Dann werden die Signalladungen
in die zweiten V CCDs B (5-B1, 5-B2, . . ., 5-BM)
eingegeben, indem man vier Phasentaktimpulse an die ersten
V CCDs (2-1, 2-2, . . ., 2-M) und an die zweiten V CCDs
B (5-B1, 5-B2, . . ., 5-BM) legt. Die zu dieser Zeit angelegten
Impulse sind als ΦIT4, ΦIT8 und ΦST4 bezeichnet.
Die Übertragungsrichtung an sich ist die gleiche wie in
dem vorhergehenden Zyklus. Zuerst werden jedoch die Signalladungen,
die der ersten horizontalen Zeile in der Fotodiodenanordnung
entsprechen, aus dem Chip durch H CCD
7A herausgeschoben. Dann wird der gleiche Auslesezyklus
wie zuvor durchgeführt, und zwar während der dritten Feldperiode,
bis alle Signalladungen aus dem Zwischenspeicherbereich
4 von dem Chip ausgelesen sind. Demgemäß werden
von den Ausgabeklemmen OS1 und OS2 Signalladungen, die
in der Fotodiodenanordnung eine Teilung nach unten versetzt
sind, jeweils ausgelesen. Zum Zeitpunkt, wenn also die
Farbsignale B und G von den Ausgabeklemmen OS1 und OS2
ausgelesen werden, schaltet der Schalter SW1 auf OS′ um
und der Schalter SW2 schaltet ein, um jeweils die Signale
G und B zu erhalten. Zu diesem Zeitpunkt ist der Schalter
SW3 offen oder ausgeschaltet. Andererseits schaltet zum
Zeitpunkt, wenn die Farbsignale G und R von den Ausgabeklemmen
OS1 und OS2 ausgelesen werden, der Schalter SW1
auf die OS-Seite und der Schalter SW3 schaltet ein, um
G und R-Signale zu erhalten. In diesem Fall ist der Schalter
SW2 ausgeschaltet.
In dem obigen Ausführungsbeispiel wird das verschachtelte
Abtasten von 512 horizontalen Abtastzeilen des TV durchgeführt.
Gemäß Erfindung ist die kleinste Einheit der Farbfilteranordnung
nur 2 × 2 Farbfilter groß. Daher kann die Auflösung
wesentlich verbessert werden. Außerdem verändert die Feinteilung
der Farbfilter den Moir´-Effekt und das Auftreten
von Geistersignalen auf dem TV.
Fig. 4a zeigt eine Teildraufsicht auf den Aufbau des
Fotosensorbereichs.
Auf dem Halbleitersubstrat sind Kanalstopperbereiche 42
und Kanalbereiche 44 der ersten V CCDs gebildet. Außerdem
sind auf dem Substrat Transferelektroden mit zwei Schichten
in horizontaler Richtung angeordnet. An diese Elektroden
werden die vier Phasentaktimpulse gelegt. Die gestrichelten
Linien deuten die erste Schicht aus Polysilicium an, während
die ausgezogenen Linien die zweite Polysiliciumschicht
darstellen.
Fig. 4b zeigt einen Schnitt durch ein p-Siliciumsubstrat
41 mit p-Kanalstoppern 42, einer Fotodiode 43 und mit
n-Kanälen 44 der ersten V CCD. Doppelschicht-Transferelektroden
45 und 46 sind ebenso erkennbar wie eine Al-Schicht
47, welche als Lichtschutz in einer Isolierschicht 48
gebildet ist. Fig. 4c zeigt die Taktimpulse zum Auslesen
der Signalladungen aus den Fotodioden und zu ihrer Übertragung
in die ersten V CCDs. Diese Kurven entsprechen
dem Bildintegrationstyp.
Wenn der Feldverschiebungsimpuls ΦF1 an die Klemme ΦI1
gelegt wird, dann werden die Signalladungen aus den Fotodioden
(1-1, 1-3) ausgelesen. Die Signalladungen werden
dann durch die vier Phasentaktimpulse übertragen. Andererseits
werden dann, wenn der Feldverschiebungsimpuls ΦF2
an die Klemme ΦI3 gelegt wird, die Signalladungen aus
den übrigen Fotodioden (1-2, 1-4) ausgelesen und dann
gemäß den vier Phasentaktimpulsen übertragen. Der schraffierte
Bereich in Fig. 4a deutet die Signalladungen an,
die zur Zeit t 1 übertragen werden.
Fig. 5a zeigt den Aufbau des Verbindungsteils zwischen
den ersten V CCDs A und den zweiten V CCDs B zusammen
mit den Schaltgates. Die gestrichelten Linien deuten die
erste Polysiliciumschicht an, während die ausgezogenen
Linien die zweite Polysiliciumschicht bedeuten.
Fig. 5b zeigt die Taktimpulse zur Verwirklichung des
Transfers der Signalladungen von der ersten V CCDs zu
den zweiten V CCDs A. Andererseits zeigt Fig. 5c den
Fall, in dem die Signalladungen von den ersten V CCDs
zu den zweiten V CCDs B übertragen werden. In den Figuren
ist ΦF4 als Repräsentant für die Feldverschiebungsimpulse
dargestellt. In der Periode für die Übertragung der Signalladungen
von den ersten V CCDs zu den zweiten V CCDs A
oder B wirken die Gates SG1 oder SG1 und SG2 als CCDs,
indem vier Phasentaktimpulse an die Klemmen ΦI1 bis ΦI4,
SG1, (SG2) und ΦSA1 bis ΦSA4 (oder ΦSB1 bis ΦSB4) gelegt
werden. Die zweiten V CCDs A und B sind so ausgelegt,
daß sie unabhängig getrieben werden können.
Obgleich lediglich einige Transferelektroden der ersten
und zweiten V CCDs dargestellt sind, sind diese Elektroden
in Fig. 4a in folgender Reihenfolge angeordnet:
ΦI1-ΦI2-ΦI3-ΦI4,
ΦSA1-ΦSA2-ΦSA3-ΦSA4 oder
ΦSB1-ΦSB2-ΦSB3-ΦSB4.
In diesem Ausführungsbeispiel sind die zu den parallelen
zweiten V CCDs gehörenden Transferelektroden elektrisch
gemeinsam an jede der Gruppen A und B angeschlossen,
und zwar beispielsweise durch nicht dargestellte Aluminiumverbindungen.
Das gleiche gilt für die Gates SG1 und
SG2.
Fig. 6a zeigt das Design eines Festkörper-Bildsensorchips
nach einem weiteren Ausführungsbeispiel, während Fig.
6b davon einen Teilschnitt unter Darstellung des Fotosensorbereichs
wiedergibt.
Diese Ausführungsform wird für einen schwarz/weiß Festkörper-
Bildsensor verwendet, der für industrielle TV Kameras
etc. geeignet ist. Das Design ist ähnlich wie für Beispiel
1, allerdings ist H CCD 7 vom Einzeilentyp. Der Fotosensorbereich
des Chips hat einen Stapelaufbau. Ferner sind
die Bildelementelektroden 59, die an die Dioden (1-1,
1-2, . . ., 1-N) angeschlossen sind, mit ihren Mittelpunkten
in Horizontalrichtung in jeder zweiten Reihe der Diodenanordnung
verlagert, um unterschiedliche Abfragepunkte
zu bilden.
Fig. 6b zeigt ein p-Si Substrat 51 auf dem Zweischicht-
Transferelektroden 52, 53 der ersten V CCDs in einer
Isolierschicht 54 gebildet sind. Von dem Kanalstopper
55 begrenzt sind N-Kanäle 56 der ersten V CCDs und der
Dioden 57 auf der Oberfläche des Substrats gebildet.
An diese Dioden 57 ist eine Al-Elektrode 58 durch Kontaktlöcher
angeschlossen. Ferner sind in der Oberfläche der
Isolierschicht 54 Bildelementelektroden 59 gebildet,
die die Al-Elektroden 58 durch Kontaktlöcher berühren.
Auf die Struktur ist eine fotoleitfähige Schicht 60 wie
amorphes Silicium und eine transparente Elektrode 61
aufgebracht.
Die Funktion des Chips ist folgendermaßen:
Im Prinzip entspricht sie der von Beispiel 1, wobei im ersten Feld die Signalladungen der ungleichnamigen Zeilen der Diodenanordnung von den Dioden in die zweiten V CCDs A durch die ersten V CCDs und das Gate 6 (voll ausgezogen) ausgelesen werden und danach werden in der gleichen Feldperiode die übrigen Signalladungen der geradzahligen Zeilen der Diodenanordnung in die zweiten V CCDs B (gestrichelt) ausgelesen. Die in den Zwischenspeicherbereich 4 eingespeisten Signalladungen werden nacheinander von der H CCD 7 Zeile um Zeile ausgelesen, indem der Zyklus wiederholt wird, der das Aufnehmen der Signalladungen von den zweiten V CCDs A und B und ihre anschließende Austragung umfaßt. Dieser Auslesezyklus aus dem Chip wird in der nächsten Feldperiode wie beim Beispiel 1 ausgeführt. Der Ort der Signalladungen in dem Fotosensorbereich ist ein Zickzackmuster, das durch die kombinierte gestrichelte und volle Linie in Fig. 6a angedeutet ist. In diesem Fall entspricht die Mittellinie der Zickzackanordnung der horizontalen Abtastlinie auf dem TV. Vor dem nächsten Auslesezyklus aus dem Chip werden die an der ersten horizontalen Zeile der Diodenanordnung liegenden Signalladungen aus dem Chip über H CCD 7 herausgeschoben. Daher werden die Signalladungen der zweiten und dritten Zeilen der Fotodiodenanordnung in die entsprechenden Transferstufen der H CCD 7 geschoben. Dann beginnt der mit dem Scanning der horizontalen Linien synchronisierte Auslesezyklus. Einer der Orte der Signalladungen, die aus dem Chip der dritten Feldperiode ausgelesen werden, ist in Fig. 6a durch eine ausgezogene Linie dargestellt. Dadurch wird das verschachtelte Abfragen oder Scannen im TV beendet.
Im Prinzip entspricht sie der von Beispiel 1, wobei im ersten Feld die Signalladungen der ungleichnamigen Zeilen der Diodenanordnung von den Dioden in die zweiten V CCDs A durch die ersten V CCDs und das Gate 6 (voll ausgezogen) ausgelesen werden und danach werden in der gleichen Feldperiode die übrigen Signalladungen der geradzahligen Zeilen der Diodenanordnung in die zweiten V CCDs B (gestrichelt) ausgelesen. Die in den Zwischenspeicherbereich 4 eingespeisten Signalladungen werden nacheinander von der H CCD 7 Zeile um Zeile ausgelesen, indem der Zyklus wiederholt wird, der das Aufnehmen der Signalladungen von den zweiten V CCDs A und B und ihre anschließende Austragung umfaßt. Dieser Auslesezyklus aus dem Chip wird in der nächsten Feldperiode wie beim Beispiel 1 ausgeführt. Der Ort der Signalladungen in dem Fotosensorbereich ist ein Zickzackmuster, das durch die kombinierte gestrichelte und volle Linie in Fig. 6a angedeutet ist. In diesem Fall entspricht die Mittellinie der Zickzackanordnung der horizontalen Abtastlinie auf dem TV. Vor dem nächsten Auslesezyklus aus dem Chip werden die an der ersten horizontalen Zeile der Diodenanordnung liegenden Signalladungen aus dem Chip über H CCD 7 herausgeschoben. Daher werden die Signalladungen der zweiten und dritten Zeilen der Fotodiodenanordnung in die entsprechenden Transferstufen der H CCD 7 geschoben. Dann beginnt der mit dem Scanning der horizontalen Linien synchronisierte Auslesezyklus. Einer der Orte der Signalladungen, die aus dem Chip der dritten Feldperiode ausgelesen werden, ist in Fig. 6a durch eine ausgezogene Linie dargestellt. Dadurch wird das verschachtelte Abfragen oder Scannen im TV beendet.
Gemäß Erfindung erhält man ein Bild von hoher verbesserter
Horizontalauflösung, das auf der periodischen Verschiebung
der Mittelpunkte der Bildelementelektroden 59 basiert.
Ein Rhombus oder eine andere geeignete Form kann als
ebene Grundform für die Bildelementelektroden 59 ebenso
wie ein Rechteck gewählt werden.
Fig. 7 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel für einen
Festkörper-Bildsensor, der für eine elektronische Kamera
geeignet ist. Fig. 7a stellt das Design und die Fig.
7b die daran angelegten Taktimpulse dar.
Eine elektronische Kamera dient dazu, statisch erzeugte
Bilder, die durch einfallendes Licht erzeugt werden,
zu erzeugen, so daß sie als ruhende Kamera einsetzbar
ist. Die Grundstruktur ist die gleiche, wie für den Bildsensor
nach Beispiel 1. Allerdings wird hier die Feldintegration
durchgeführt. Das Bild wird in einem Feld aufgenommen.
Daher ist die Vorrichtung als optischer Zeichenleser
u. ä. eingesetzt. Auf dem Substrat des Festkörper-
Bildsensorchips sind eine Drain 70 und eine Anzahl von
Drain-Gates 71-1, 71-2, . . ., 71-M gebildet. Die Drain
70 ist ein N-Gebiet, das auf der Oberfläche des P-Substrats
gebildet ist, es ist in Sperrichtung in bezug auf das
Substrat betrieben. Die Ladungen in den ersten V CCDs
können aus dem Drainbereich 70 durch die Drain-Gates
71-1 bis 71-M herausgetrieben werden. Normalerweise wird
an die Drain 70 ein positives Potential gelegt.
Die Funktionsweise wird anhand der Fig. 7b erläutert.
Fig. 7 zeigte die Taktimpulse, die an die Klemmen ΦI1,
ΦSA1 und ΦSB1 als Beispiele angelegt werden. Wenn danach
der Verschluß von der bildermachenden Person zur Zeit
t0 betätigt wurde, werden alle Signalladungen, die in
der Fotodiodenanordnung (1-1, 1-2, . . ., 1-N) integriert
wurden, aus dem Chip herausgeschoben. Im einzelnen werden
die Feldverlagerungsimpulse an die ersten V CCDs (2-1,
2-2, . . ., 2-M) in Abhängigkeit vom Verschluß gelegt,
um alle Signalladungen in die ersten V CCDs 2-1 bis 2-M
zu laden, wonach die Signalladungen zur Drain 70 herausgeschoben
werden, indem die vier Phasentaktimpulse an die
ersten V CCDs gelegt werden. In diesem Zeitpunkt werden
die Drain-Gates (71-1, 71-2, . . ., 71-M) aufgesteuert.
Die Taktimpulse für die ersten V CCDs und einer der Feldverlagerungsimpulse
sind in Fig. 7b als ΦFS11 und ΦIT9
dargestellt. Zwei der vier Phasentaktimpulse wirken als
Feldverschiebungsimpulse. Die Einzelheiten werden später
näher anhand eines Taktimpulsbildes für die Feldintegration
erläutert. Gleichzeitig werden die restlichen Signalladungen
in dem Zwischenspeicherbereich 4 aus dem Chip ausgetragen,
indem vier Phasentaktimpulse an die zweiten V CCDs
A und B gelegt werden. Die Bezeichnungen ΦST5 und ΦST6
entsprechen den Taktimpulsen. Die übrigen Ladungen werden
durch die H CCD 7 ausgetragen. Die Integration der tatsächlichen
Signalladungen beginnt zu dem Zeitpunkt, wenn
die Feldverschiebung erfolgt ist (ΦFS11). Die Signalladungen
werden in der vorgegebenen Periode tA integriert.
Am Ende von tA werden Feldverlagerungsimpulse an die
ersten V CCDs (2-1, 2-2, . . ., 2-M) gelegt, um die gesamten
Signalladungen in die ersten V CCDs auszulesen. Einer
der Feldverlagerungsimpulse ist in Fig. 6b als ΦFS12
dargestellt. Basierend auf dem Vorgang der Feldintegration
werden die Signalladungen in den ersten V CCDs zwischen
benachbarten Paaren von Fotodioden kombiniert. In Fig.
7a sind die Paare durch volle Linien angedeutet. Die
kombinierten Signalladungen in den ersten V CCDs werden
dann kontinuierlich in die zweiten V CCDs A (5-A1, 5-A2,
. . ., 5-AM) übertragen, indem vier Phasentaktimpulse an
die Klemmen ΦI1 bis ΦI4 und ΦSA1 bis ΦSA4 über die Gates
6-1 bis 6-M angelegt werden. Die Taktimpulse ΦIT10 und
ΦST7 entsprechen diesen Impulsen.
Danach werden die Signalladungen, die während der nächsten
Periode tB integriert werden und die gleiche Periodenlänge
wie tA haben, aus allen Fotodioden in die ersten V CCDs
ausgelesen, die mit den Feldverschiebungsimpulsen synchronisiert
sind, von denen einer als ΦFS13 in Fig. 6b dargestellt
ist. Die Signalladungen werden in den ersten V
CCDs kombiniert. Die Kombination wird in der Zeichnung
um eine Zellenteilung der Fotodiodenanordnung nach unten
verschoben. Danach werden die Signalladungen in die zweiten
V CCDs B (5-B1, 5-B2, . . ., 5-BM) übertragen, indem vier
Phasentaktimpulse an die ersten V CCDs und an die zweiten
V CCDs B (5-B1, 5-B2, . . ., 5-BM) (ΦIT11, ΦST8) angelegt
werden. Die in dem Zwischenspeicherbereich 4 gespeicherten
Signalladungen werden dann aus dem Chip durch H CCD 7
ausgelesen. In dieser Ausführungsform ist H CCD 7 vom
Zwei-Zeilentypus. Somit werden die Signalladungen, die
in der obersten Zeile jeder zweiten V CCD A angeordnet
sind, in die H CCD 7A geladen und die von der obersten
Zeile jeder zweiten V CCD B werden in die H CCD 7B geladen,
worauf die H CCDs 7A und 7B sie gleichzeitig austragen.
Nach dem Auslesen der Signalladungen, die den Fotodioden-
Paaren in der ersten bis dritten horizontalen Zeile der
Fotodiodenanordnung entsprechen, werden diejenigen, die
in der dritten bis fünften horizontalen Zeile der Fotodiodenanordnung
vorhanden sind, ausgelesen. Dieser Auslesezyklus
setzt sich solange fort, bis alle Signalladungen
aus dem Zwischenspeicherbereich 4 ausgelesen sind. Die
Taktimpulse ΦSL9 und ΦSL14 entsprechen den Pulsen für
das Laden der Signalladungen in die H CCD 7A und 7B,
und zwar horizontal und zeilenweise für die zweiten V CCDs
A und B.
Bei dem derart hergestellten Festkörper-Bildsensor wird
die Verschlußgeschwindigkeit als die Periode tS definiert,
und diese ist doppelt so groß wie die Integrationsperiode
tA oder tB. Da alle Signalladungen, die zwei verschiedene
Abfragemodi betreffen, aus dem Fotosensorbereich in einer
kurzen Zeit ausgelesen werden können, kann man ein hoch
aufgelöstes Bild und eine hohe Verschlußgeschwindigkeit
erhalten. Die gewünschte Verschlußgeschwindigkeit kann
durch Verändern der Periode tS eingestellt werden.
Fig. 8a zeigt eine Teildraufsicht auf den Fotosensorbereich.
Dieser ist der gleiche wie in Fig. 4a. Die Anordnung
und der Aufbau des Fotosensorbereichs ist für
den Feldintegrationstyp gegenüber dem Bildintegrationstyp
unverändert. Der schraffierte Bereich zeigt jedoch
Signalladungsbereiche, die gerade von den Fotodioden
während des Taktes t2 von Fig. 8b ausgelesen werden.
Fig. 8b zeigt ferner die Taktimpulse für das Auslesen
der Signalladungen aus den Fotodioden und deren Übertragung
in die ersten V CCDs. Diese Figur entspricht der
Fig. 4c. Wenn in Fig. 8b die Feldverschiebungsimpulse
ΦF3 und ΦF4 zusammen an die Klemmen ΦI1 und ΦI3 gelegt
werden und ΦI2 auf höheren Niveau liegt, dann werden
die in den Fotodioden integrierten Signalladungen ausgelesen
und addiert. Hierauf werden die Signalladungen entlang
der ersten V CCD übertragen. Danach werden die Feldverschiebungsimpulse
ΦF5 und ΦF6 an die Klemmen ΦI1 und
ΦI3 zusammen mit einem höheren Potential von ΦI4 gelegt
und es werden die Signalladungen von verschiedenen Kombinationen
erhalten. Hierauf werden die ausgelesenen Signalladungen
in die ersten V CCDs übertragen. Bei dieser
Ausführungsform sind auch die Fig. 5a bis 5c relevant.
Bei dieser Ausführungsform ist der Festkörper-Bildsensor
vom Synchrovisionstyp. Fig. 9 zeigt ein Blockschaltbild
für ein Synchrovisions-TV-System. Ein Linsensystem 91
fokussiert ein einfallendes Bild auf die Vorderseite
eines Festkörper-Bildsensortyps 92. Der Chip 92 ist auf
einem piezoelektrischen, bimorphen Deflektor 93 angeordnet
und schwingt oder vibriert in Abhängigkeit von der Amplitude
der Treiberimpulse für die Deflektor 93. Daher bewegt
sich der Chip 92 gegenüber dem einfallenden Bild. Die
Schwingungsimpulse werden in einer Treiberschaltung 94
erzeugt und die Taktimpulse für den Sensorchip 92 werden
von einem Takttreiber 95 mit Hilfe eines Taktgenerators
96 zugeführt. Ein Synchronpulsgenerator 97 erzeugt vertikale
und horizontale Synchronisierimpulse und Austastimpulse.
Die Ausgangssignale werden in einen Vorverstärker 98
eingegeben und dann an den Operationsverstärker 99 gelegt.
Nach dem Verarbeiten der Ausgangssignale wird das Bild
wiedergegeben, beispielsweise auf einem Monitor 100.
Fig. 10 ist ein Modell der Beziehungen der Positionen
der Fotodioden in bezug auf die Schwingungsimpulse, die
Feldverlagerungsimpulse und die Austastimpulse. Das Gebiet
1-1 zeigt den Originalort einer Fotodiode (volle Linie),
andererseits zeigt das Gebiet 1-1a (unterbrochene Linie)
eine Schwingungsposition. Die Amplitude der Bewegung
in horizontaler Richtung wird auf (½) Ph eingestellt,
was der Hälfte der Fotodiodenteilung (Ph) in dieser Richtung
entspricht. Ein Zyklus der Schwingung fällt mit
einem Feld zusammen und der Schwingungsmittelpunkt liegt
etwa bei einem ½ Feldpunkt. Der Schwingungsimpuls ist
mit dem vertikalen Austastimpuls synchronisiert, der
die A und B Felder definiert, die eine Bilderperiode darstellen.
Der Feldverlagerungsimpuls, der die Signalladungen
aus den Fotodioden ausgelesen hat, wird auf den vertikalen
Austastimpuls des TV eingestellt. Der Chip wird in einem
Feldintegrationsmodus betrieben. Signalladungen werden
von Fotodioden zu einem Zeitpunkt ausgelesen, der in
der Nähe der Mitte des A-Feldes liegt, wobei erste Feldverlagerungsimpulse
VF1 (Originalort) und dann die nächsten
Signalladungen von Fotodioden am Ende des A-Feldes beim
zweiten Feldverlagerungsimpuls VF2 (neuer Ort) ausgelesen
werden. Dann werden im B-Feld durch Veränderung der Kombination
der vertikalen Paare Signalladungen aus den Fotodioden
durch einen dritten Feldverschiebungsimpuls VF3 (ursprünglicher
Ort) ausgelesen. Hierauf werden Signalladungen
von Fotodioden ausgelesen, und zwar durch einen vierten
Feldverschiebungsimpuls VF4 (neuer Ort). Dies wird bis
zur Beendigung einer Bildperiode fortgesetzt. Dabei wird
Information aus zwei Bildabfragepunkten für ein Feld
aus dem Chip ausgelesen. Das heißt, in der Periode tA
liegen die Fotodioden bei X1 und der Periode tB an der
Stelle X2. In ähnlicher Weise liegen während der Periode
tB des B Feldes die Fotodioden bei X1 und in der Periode
tB an der Stelle X2. Fig. 11a zeigt Einzelheiten des
detaillierten Layouts des Synchrovisions-Bildsensors.
Fig. 10b zeigt die an den Chip angelegten Taktimpulse.
Signalladungen werden in den Fotodioden (1-1, 1-2, . . .,
1-N) in der Periode a des A-Feldes integriert. Unmittelbar
bevor der Vibrationsimpuls von der Position X1 (ursprünglicher
Ort) nach X2 (neuer Ort) wandert, nämlich vor
der Zeit C, wird ein Feldverschiebungsimpuls IA gemäß
Fig. 11b an die ersten V CCDs gelegt. Die zu dieser
Zeit ausgelesenen Signalladungen werden in den ersten
V CCDs (2-1, 2-2, . . ., 2-M) gehalten. Das Potential
für sie ist das Niveau IB. Dann wird unmittelbar vor
dem Eintritt des vertikalen Austastimpulses in die vertikale
Austastperiode des A-Feldes die in den ersten V CCDs
(2-1, 2-2, . . ., 2-M) in die zweiten V CCDs B (5-B1, 5-B2,
. . ., 5-BM) durch jeweiliges Anlegen von vier Phasentaktimpulsen
an die ersten V CCDs und die zweiten V CCDs B
(Ic, Sb) geladen. Die Übertragungsrichtung der Gates
(6-1, 6-2, . . ., 6-M) ist in Fig. 11a als A-1a angezeigt.
Danach werden die Signalladungen, die in den Fotodioden
während der Periode tb integriert wurden, wobei tb die
gleiche Länge hat wie ta, aus den Fotodioden ausgelesen,
indem Feldverschiebungsimpulse ID an die ersten V CCDs
angelegt werden. Zu diesem Zeitpunkt werden die Signalladungen
der Paare ebenfalls zu Paaren in den ersten V CCDs
kombiniert. Sofort werden die Signalladungen von den
ersten V CCDs zu den zweiten V CCDs A (5-A1, 5-A2, . . .,
5-AM) in der vertikalen Austastperiode des A-Feldes mit
IE und SD übertragen. Die Art der Kombination der Signalladungen
ist die gleiche wie zuvor und wird in Fig.
11a durch volle Linien als "A-Feld" angezeigt. Die in
den Zwischenspeicherbereich 4 eingegebenen Signalladungen
werden nacheinander Zeile um Zeile in horizontaler Richtung
durch H CCD 7 ausgelesen.
Im nächsten B-Feldzyklus wird eine ähnliche Ausleseoperation
durchgeführt. Die Kombination der ersten V CCDs
wird jedoch um eine Teilung nach unten verschoben.
Im einzelnen werden die in der Periode tb und im B-Feld
integrierten Signalladungen ausgelesen und zu Paaren
in den ersten V CCDs kombiniert und dann in der vertikalen
Austastperiode des B-Feldes in die zweiten V CCDs A übertragen.
Die Übertragungsrichtung für diese Ladungen ist
in Fig. 11a mit B-ta dargestellt. Die Signalladungen
entsprechen der Position X1 (ursprünglicher Ort). Hierauf
werden die in den Fotodioden während der Periode tb des
B-Feldes integrierten Signalladungen ausgelesen und in
den ersten V CCDs kombiniert und sofort zu den zweiten
V CCDs B in der vertikalen Austastperiode des B-Feldes
übertragen. Diese Signalladungen entsprechen der Position
X2 (neuer Ort) und die Übertragungsrichtung ist als B-tb
dargestellt. Hierauf werden die Signalladungen nacheinander
durch die H CCD 7 in horizontaler Richtung Zeile um Zeile
ausgelesen. Die Kombination dieser Signalladungen in
dem Fotosensorbereich ist durch gestrichelte Linien in
Fig. 11a als "B-Feld" angedeutet.
In Fig. 11b sind die Taktimpulse zum Laden (SC, SA),
horizontale Ausleseimpulse HA und Gate SG Impulse GA
und GB dargestellt. Die Gates können den Aufbau nach
den Fig. 5a bis 5c haben. Fig. 11c zeigt das Ausgabesignalmuster
für die Ausgabeklemme OS. Man erkennt, daß
die in der Periode tA (ursprünglicher Zustand) integrierten
Signalladungen und die in der Periode tB (neuer Ort)
integrierten Signalladungen in den H CCD 7 eingegeben
und dann sequentiell ausgelesen werden, was mit der horizontalen
Zeilenabtastung synchronisiert ist.
Fig. 11d zeigt eine zweidimensionale Anordnung des Ausgabesignalmusters.
Zwischen der horizontalen Zeile des A-Feld-
Ausgabemusters NA, NA+1 und NA+2 sind horizontale Zeilen
des B-Feld-Ausgabemusters NB, NB+1, NB+2 eingesetzt.
In Fig. 11d bedeutet ein weißer Kreis, daß die Signalladung
in der Periode A-ta integriert wurde (effektive
Periode ta des A-Feldes). In ähnlicher Weise bedeuten
ein schraffierter Kreis, ein weißes Dreieck und ein schraffiertes
Dreieck jeweils A-tb, B-ta und B-tb. Die Signalzeilen
des A-Feldes und des B-Feldes werden zu unterschiedlichen
Perioden ausgegeben, wodurch man ein verschachteltes
Abtasten der horizontalen Abtastzeilen des TV erhält.
Eine Synchrovisionskamera ist an sich aus der US-PS
45 43 601 bekannt. Bei diesem Stand der Technik wurde
jedoch eine Vibration zwischen unterschiedlichen Feldern
durchgeführt. Gemäß Erfindung wird hingegen eine hohe
horizontale Auflösung erzielt, weil die Fotodioden in
einem Feld in horizontaler Richtung hin- und herbewegt
wurden. Durch die verbesserte Horizontalauflösung kann
außerdem das Moir´muster unterdrückt werden.
Fig. 12 zeigt einen anderen Vibrationsimpuls. Bei dieser
Ausführungsform ist die Phase des Vibrationsimpulses
180° zwischen A- und B-Feld verschoben. Außerdem ist
die Übertragungsrichtung der Signalladungen, die in ta
des B-Feldes integriert wurden, auf die zweiten V CCDs A
gerichtet und die während tb des B-Feldes integrierten
Signalladungen werden in Richtung auf die zweiten V CCDs
A geleitet.
Fig. 13a zeigt eine weitere Ausführungsform der Erfindung,
die für IDTV-System, ein EDTV-System etc. geeignet ist,
wobei Fig. 13b die an Fig. 13a angelegten Taktimpulse
zeigt.
Die in den Fotodioden während der ersten Hälfte der wirksamen
Periode tAE des ersten Feldes tF1 integrierten Signalladungen
werden aus den Fotodioden der ersten V CCDs
in Abhängigkeit von den Feldverschiebungsimpulsen FS5,
FS6 ausgelesen und paarweise kombiniert (volle Linie).
Hierauf werden die Signalladungen zu den zweiten V CCDs
A während der vertikalen Austastperiode tAB des ersten
Feldes übertragen, indem vier Phasentaktimpulse an die
ersten V CCDs und an die zweiten V CCDs A (ΦIT1, ΦIT5
und ΦST1) gelegt werden. Andererseits werden die Signalladungen,
die in der letzten Hälfte der wirksamen Periode
tAE integriert wurden, aus den Fotodioden mit den Feldverschiebungsimpulsen
ΦFS7, ΦFS8 ausgelesen und paarweise
in den ersten V CCDs (unterbrochene Linien) zusammengefaßt.
Dann werden sie unmittelbar in die zweiten V CCDs B in
der vertikalen Austastperiode tAB des ersten Feldes durch
Anlegen von vier Phasentaktimpulsen an die ersten V CCDs
und an die zweiten V CCDs B (ΦIT2, ΦIT6 und ΦST3) übertragen.
Die in die V CCDs A und B geladenen Signalladungen
werden nacheinander durch H CCD 7 von oben nach unten
des Zwischenspeicherbereichs 4 ausgelesen. Die vier an
die zweiten V CCDs A und B angelegten Taktimpulse sind
mit ΦSL3, ΦSL4, ΦSL7 und ΦSL8 bezeichnet. Dieser Auslesezyklus
setzt sich solange fort, bis alle Signalladungen
in dem Zwischenspeicherbereich 4 von dem Chip ausgelesen
wurden. In dem zweiten Feld tF2 wird der gleiche Vorgang
vorgenommen. Das heißt, Signalladungen, die in der ersten
Hälfte der effektiven Periode tBE integriert wurden,
werden durch die Feldverschiebungsimpulse ΦFS9 und ΦFS10
(volle Linien) ausgelesen und in die zweiten V CCDs
in Abhängigkeit von vier Phasentaktimpulsen (ΦIt 1, ΦIt 5)
übertragen. Und Signalladungen, die in der letzten Hälfte
der effektiven Periode tBE mit ΦFS11 und ΦFS12 ausgelesen
wurden (unterbrochene Linien), werden in die zweiten
V CCDs B durch Anlegen von vier Phasentaktimpulsen an
die ersten V CCDs und an die zweiten V CCDs B (ΦIT4,
ΦIT8 und ΦST4) übertragen. Hierauf werden Signalladungen
aus den ersten V CCDs A und B durch die H CCD 7 in der
gleichen Weise wie beschrieben ausgelesen. In einer Signalladungs-
Zeilenausgabe von der Klemme OS werden die Ladungen,
die auf verschiedenen Gruppen in den zweiten V CCDs
basieren, nämlich die Gruppen A und B, zwischeneinandergeschoben;
daher werden die Signalladungen von den zweiten
V CCDs B dann aufgenommen und hinsichtlich der Ausgabe
aus dem Chip für 1H verzögert, d. h. um eine horizontale
Abtastperiode des reproduzierten Bildes. Somit sind die
Signalladungszeilen, die von jedem der zweiten V CCDs
A und B erhalten werden, auf andere Weise verschachtelt,
wenn man einen Zeitplan betrachtet.
Dies bedeutet, daß nach dieser Ausführungsform eine hohe
Auflösung erreicht werden kann, weil man die Anzahl der
horizontalen Abtastzeilen verdoppelt. Dabei werden die
gleichen Zeilen in dem nächsten Feld abgetastet.
Der Festkörper-Bildsensorchip des in den Fig. 2a und
2b beschriebenen Bildintegrationstyps kann für den gleichen
Zweck verwendet werden.
Bei der Ausführung nach Fig. 13 wird eine Einzeilen
H CCD 7 verwendet. Es kann aber auch eine Zweizeilen-Struktur
verwendet werden.
Fig. 14a stellt eine Abwandlung von Fig. 13 dar. Der
Chip arbeitet als Feldintegrationstyp. Die H CCD 7 besteht
aus H CCD 7A und 7B und die aus der H CCD 7B ausgelesene
Signalladung wird um 1H-Verzögerungszeile verzögert.
Daher wird jede der Signalladungszeilen, die am Ausgang
OS2 erhalten wird, in die Periode eingesetzt, in der
keine Signalladungszeile am Ausgang OS1 erscheint. In
ähnlicher Weise zeigt Fig. 14b einen Festkörper-Bildsensorchip,
der im Bildintegrationsmodus betrieben wird. Eine
1H-Verzögerungszeile ist zwischen den H CCD 7 B und den
Verstärker 8B geschoben, und zwar aus dem gleichen Grunde.
Für die 1H-Verzögerungszeile kann ein CCD-Schieberegister
oder ein RAM verwendet werden. Derartige Einrichtungen
arbeiten als FIFO Speicher (zuerst rein, zuerst raus).
Fig. 15a zeigt einen Bildsensorbereich eines CCD-Festkörper-
Bildsensors. Die Figur zeigt außerdem Verunreinigungskonzentrationen
des Halbleitersubstrats. Ferner
werden in dieser Figur nur Bereiche aus Gründen der Deutlichkeit
dargestellt. Nicht gezeigt sind die Leitungsverbindungen
sowie überlappende Elektroden. In Fig. 15a sind
vertikale Transferelektroden 101 bis 104 dargestellt.
Mit gleichen Zahlen versehene Elektroden sind elektrisch
verbunden und stellen eine Vierphasen-Elektrodenstruktur
dar. Demnach ist die Elektrode 101 eine erste Phasenelektrode,
die Elektroden 102 bis 104 jeweils zweite bis vierte
Phasenelektroden. In Fig. 15a ist ein tatsächliches
Muster der vertikalen Transferelektroden mit dem Buchstaben
A bezeichnet. Jeder Fotosensor wird als Fotodiode
105 dargestellt; es können aber auch ein MOS-Sensor oder
eine übereinandergestapelte fotoleitfähige Struktur
verwendet werden. Die Auslese-Gate-Bereiche 106 von hoher
Verunreinigungskonzentration sind durch die vertikalen
Transferelektroden 101 bis 104 abgedeckt. Mit 107 sind
Kanalstoppbereiche bezeichnet. In der vertikalen Transferperiode,
in der Träger entlang des Pfades übertragen
werden, der durch gestrichelte Linien in Fig. 15a dargestellt
ist, ist das Potential am Übertragungsabschnitt
am tiefsten und um Auslese-Gatebereich 106 höher. Daher
dient dieser Auslese-Gatebereich 106 auch als Kanalschranke.
Fig. 15b zeigt Taktimpulse, die an die vertikalen Transferelektroden
101 bis 104 zur vertikalen Übertragung von
Signalladungen angelegt werden. Fig. 15c zeigt ferner
einen Ladungshinzufügungsschritt, wenn ein Feldverschiebungsimpuls
VH an die Elektroden 101 gelegt wird. Fig.
15d zeigt einen weiteren Ladungshinzufügungsschritt,
wenn die Spannung VH an die Elektroden 102 gelegt wird.
Anhand dieser Figuren wird nun die Funktionsweise erläutert:
Wie bereits beschrieben wird die vertikale Übertragungselektrode als Auslese-Gateelektrode verwendet. Die Schwellenspannung des Auslese-Gatebereichs wird höher als die Treiberspannung (VM, z. B. 3V) in der vertikalen Transferperiode gemacht, so daß ein Eintritt von Trägern von den Fotosensoren während der vertikalen Transferperiode nicht erfolgt. Vier Fotosensoren schließen aneinander an, um eine vertikale Transferelektrode zu bilden. Durch Anlegen der Feldverschiebungsspannung VH (beispielsweise 10 Volt) an eine Elektrode von vieren, ist es möglich, die integrierte Ladung in den Kanalbereich unter der Elektrode zu übertragen und die Signalladungen von den vier Fotosensoren, die dem Umfang der Elektrode benachbart sind, zu absorbieren und hinzuzufügen. Beispielsweise wenn ein Feldverschiebungsimpuls an die Elektrode 101 gelegt wird, dann werden die Ladungen so übertragen, wie dies durch die vollen Pfeillinien in Fig. 15c angedeutet ist, und danach werden sie sequentiell von der Elektrode 101 zur Elektrode 102, 103 und 104 gemäß Fig. 15a übertragen. Die Signaladdition der nächsten Stufe wird dadurch durchgeführt, daß man die Feldverschiebung gemäß Fig. 15d verursacht.
Wie bereits beschrieben wird die vertikale Übertragungselektrode als Auslese-Gateelektrode verwendet. Die Schwellenspannung des Auslese-Gatebereichs wird höher als die Treiberspannung (VM, z. B. 3V) in der vertikalen Transferperiode gemacht, so daß ein Eintritt von Trägern von den Fotosensoren während der vertikalen Transferperiode nicht erfolgt. Vier Fotosensoren schließen aneinander an, um eine vertikale Transferelektrode zu bilden. Durch Anlegen der Feldverschiebungsspannung VH (beispielsweise 10 Volt) an eine Elektrode von vieren, ist es möglich, die integrierte Ladung in den Kanalbereich unter der Elektrode zu übertragen und die Signalladungen von den vier Fotosensoren, die dem Umfang der Elektrode benachbart sind, zu absorbieren und hinzuzufügen. Beispielsweise wenn ein Feldverschiebungsimpuls an die Elektrode 101 gelegt wird, dann werden die Ladungen so übertragen, wie dies durch die vollen Pfeillinien in Fig. 15c angedeutet ist, und danach werden sie sequentiell von der Elektrode 101 zur Elektrode 102, 103 und 104 gemäß Fig. 15a übertragen. Die Signaladdition der nächsten Stufe wird dadurch durchgeführt, daß man die Feldverschiebung gemäß Fig. 15d verursacht.
Durch Treiben der Elektroden auf VH zu einem Zeitpunkt
in jedem Auslesezyklus und für eine Elektrode von vieren,
werden die hinzugefügten Signale von den vier Fotodioden
in den Übertragungsbereich geladen (der unter der vertikalen
Transferelektrode liegt). Die Kombination der vier
Fotodioden ist für jedes einzelne Feld gemäß Fig. 15
veränderbar. Es ist ein Merkmal des erfindungsgemäßen
Festkörper-Bildsensors, daß in diesem Fall die Anzahl
der Kombinationen von vier Fotosensoren vier ist, die
vertikal verschieben. Demnach besteht das reproduzierte
Abbild von einem Bild aus vier Feldern.
Diese Art von Festkörper-Bildsensor ist aus der japanischen
Offenlegungsschrift Nr. 61-1 33 782 bekannt. Nachfolgend
wird eine Beschreibung eines Ausführungsbeispiels für
die beschriebene Technologie gegeben.
Fig. 16a zeigt hierfür den Aufbau eines Festkörper-Bildsensors.
Diese Einrichtung hat Fotodioden (P1, P2, P3,
P4, P5, . . ., PI: nachfolgend abgekürzt) und erste
V CCD Register (2-1, 2-2, 2-3, 3-4). Diese sind in einem
Fotosensorbereich 3 gebildet. Anschließend an den Fotosensorbereich
126 befindet sich ein Zwischenspeicherbereich
4 bestehend aus zweiten V CCD Registern A und B (5-A1,
5-A2, 5-A3, 5-A4, 5-B1, 5-B2, 5-B3, 5-B4) und eine H
CCD 7 zum Auslesen der Signalladungspakete, die in dem
Zwischenspeicherbereich 4 gespeichert sind. Der Aufbau
des Fotosensorbereichs ist der gleiche wie bei Fig.
15a und die Fotodioden dienen dazu, in vier Richtungen
auszulesen. Von den zweiten V CCDs sind die Transferelektroden
der V CCDs A (5-A1, 5-A2, 5-A3 und 5-A4) an die
Klemmen ΦSA1, ΦSA2, ΦSA3 und ΦSA4 angeschlossen. Die
Transferelektroden der zweiten V CCDs B sind an die Klemmen
ΦSB1, ΦSB2, ΦSB3 und ΦSB4 angeschlossen. Somit können
die zweiten V CCDs A und B unabhängig durch jeweiliges
Anlegen von Taktimpulsen an ihre Klemmen getrieben werden.
Außerdem sind die Transferelektroden der ersten V CCDs
an die Klemmen ΦI1 bis ΦI4 angeschlossen und die ersten
V CCDs können die Signalladungs-Transferoperation durch
Anlegen von vorgegebenen Taktimpulsen an diese Klemmen
durchführen. Die ersten Gates 6-1, 6-2, 6-3 und 6-4 sind
zwischen den Fotosensorbereich und den Zwischenspeicherbereich
geschaltet, um die Transferrichtung von den ersten
V CCDs an die zweiten V CCDs A oder die zweiten V CCDs
B zu verschieben. Außerdem sind zweite Gates 108-1, 108-2
108-3 und 108-4 zum Auswählen der Transferstufen dargestellt.
Die Signalladungspakete, die in den Zwischenspeicherbereich
übertragen wurden, werden dann nach H CCD 7 transferiert und
an der Ausgabeklemme OS durch einen Verstärker 8 ausgelesen.
Anhand von Fig. 16b wird nun der Bildlesevorgang beschrieben.
Wie in dem Photosensorbereich 3 von Fig. 16b gezeigt, werden
die Signalladungen, die aus den vier Photodioden ausgelesen
werden, hinzugefügt und bilden somit Signalladungspakete 109,
110, 111 und 112 (X, ). Dieser erste Addiervorgang wird in
der Mitte des ersten Feldes durchgeführt. Gleichzeitig
starten die Photodioden die nächste Signalladungsintegration.
Die Signalladungspakete, die bei der ersten Addieroperation
gesammelt wurden, werden von den ersten V CCDs 2-1, 2-2, . . .,
2-4 in die zweiten V CCDs B 5-B1, 5-B2, 5-B3 und 5-B4
übertragen, indem vier Phasentaktimpulse an die Klemmen ΦI1
und ΦI4 und ΦSB1 bis ΦSB4 gelegt werden. Die ersten
Signalladungspakete werden als 109′, 110′, 111′ und 112′
bezeichnet. Hierauf wird in der gleichen Feldperiode wie in
dem Photosensorbereich 3 in Fig. 16c dargestellt, Signalladungen
von vier Photodioden basierend auf einer unterschiedlichen
Kombination hinzugefügt, um Signalladungspakete 113,
114, 115 und 116 (○, ⚫) zu bilden.
Die Signalladungspakete 113, 114, 115 und 116 aus dem zweiten
Additiervorgang werden dann von den ersten V CCDs in die
zweiten V CCDs A als 113′, 114′, 115′ und 116′ übertragen,
indem Taktimpulse an die ersten V CCDs und zweiten V CCDs A
gelegt werden.
Anschließend werden im nächsten Feld die Signalladungspakete
109′ bis 112′ und 113′ bis 116′, . . ., in die H CCD 7 über die
zweiten Gates 108-1, 108-2, . . ., 108-4 übertragen und
anschließend wieder aus dem Verstärker 8 ausgelesen.
Somit können die Signalladungspakete 109 bis 112 und 113 bis
116, die zwei Felder zum Auslesen auf bekannte Weise
benötigen, in einem einzigen Feld ausgelesen werden. Während
der Feldperiode, in der die Signalladungspakete der ersten
und zweiten Kombinationsgruppen ausgelesen werden, wird die
Addition der Signalladungspakete der dritten und vierten
Gruppen und ihre Übertragung in die zweiten V CCDs gleichzeitig
durchgeführt. Dadurch werden die Schwierigkeiten, die
bei einer geringen dynamischen Auflösung auftreten und die
Probleme mit Schattenbildern durch Nachleuchten reduziert.
Die Fig. 17a bis 17e zeigen Schritte für das Auslesen von
Signalladungspaketen 109′ bis 112′ und 113′ bis 116′, die in
dem Zwischenspeicherbereich 4 von der H CCD 7 gespeichert
sind. In den Übertragungsstufen 117-1 bis 117-4 des H CCD
Registers 7 werden die Signalladungspakete 109′, 113′, 110′
und 114′ in den zweiten V CCDs A und B durch die zweiten
Gates 108-1 bis 108-4 übertragen.
In ähnlicher Weise werden die Signalladungspakete 115′, 111′,
116′ und 112′ in die zweiten V CCDs A und B in die
Transferstufen 108-1 bis 108-4 übertragen, nachdem die
vorhergehenden Signalladungspakete in die H CCD 7 geschoben
wurde.
Die Fig. 18a und 18b zeigen eine Abwandlung der Ausführungsform
nach den Fig. 16 und 17. Diese Ausführungsform
betrifft einen Festkörper-Bildsensor für die Erzielung
einer hohen Auflösung durch relative Vibration des CCD-Chips
in Richtung auf ein einfallendes Bild. Der Aufbau des
Photosensorbereichs 3 ist der gleiche wie in Fig. 16a. Die
zweiten V CCDs 5-B1 bis 5-B4 und 5-A1 bis 5-A4 liegen
zwischen dem Photosensorbereich 3 und H CCD 7. Der Aufbau
entspricht im wesentlichen dem von den Fig. 16 und 17 mit
der Ausnahme, daß dritte Gates 118-1, 118-2, . . ., 118-8 und
Signalladungs-Verteilungsgates 119-1, 119-2, . . ., 119-8;
119-1′, 119-2′, . . ., 119-7′ vorgesehen sind. Nach der
Signalladungsaddition für den Erhalt von Signalladungspaketen
120, 121, 122 und 123 (X, O) in der Mitte des ersten Feldes
werden die Pakete in die zweiten V CCDs B in der gleichen
Feldperiode übertragen. Nach der Signalladungsaddition in der
Mitte des ersten Feldes wird der CCD-Chip horizontal zu einer
neuen Stelle bewegt, die ½ PH von der ursprünglichen Stelle
entfernt ist. Wenn dann die Signalladungsaddition der gleichen
Photodiodenkombination durchgeführt wird, werden diese
Signalladungspakete in die zweiten V CCDs A und B (, ⚫) in
dem gleichen Feld (erstes Feld) übertragen. In dem nächsten
Feld (zweites Feld) werden die Signalladungspakete 120′,
124′, 121′, 125′ zuerst durch die H CCD 7 übertragen und dann
werden die Signalladungspakete 122′, 126′, 123′ und 127′
ausgelesen und dieser Zyklus wiederholt sich im zweiten Feld.
In diesem Fall sind die Raumabfragepunkte, die während des
ersten Feldes erhalten wurden, in Fig. 18b gezeigt, und es
verdoppelt sich dadurch die Anzahl der Abfragepunkte gegenüber
dem Stand der Technik.
Gemäß den Fig. 19a bis 19d werden die Signalladungspakete
120′, 124′, 121′ und 127′ an den Stellen X und in
Fig. 19a in die H CCD 7 geladen, indem die ersten Ladungsverteilungsgates
119-1 bis 119-8 und die zweiten Gates 118-1
bis 118-8 gemäß Fig. 19a und 19b eingeschaltet werden. Zur
gleichen Zeit werden die Signalladungspakete 112′, 126′, 123′
und 127′, die mit O und ○ ebenfalls eine Stufe entlang den
zweiten V CCDs nach oben transferiert. Zu Beginn der horizontalen
effektiven Periode des zweiten Feldes werden die
Signalladungspakete 120′, 124′, 121′ und 125′ an der Ausgabeklemme
OS ausgelesen. Anschließend werden in der folgenden
horizontalen Austastperiode die Signalladungspakete 122′,
126′, 123′ und 127′ in die H CCD 7 gemäß den Fig. 19c und
19d geladen. Wie man aus diesen Figuren erkennt, werden die
Signalladungs-Verteilungsgates dazu verwendet, die Übertragungsrichtung
zu den Transferstufen 117-1 bis 117-5 der
H CCD 7 zu verändern. In der obigen Ausführungsform finden
zwei Operationen für die Signalladungsaddition in einem Feld
statt; es können jedoch auch mehr sein. Außerdem können die
zweiten V CCDs mehr als zwei Gruppen haben.
Fig. 20 ist eine Draufsicht auf einen Festkörper-Bildsensor
nach diesem Beispiel.
Auf einem Halbleitersubstrat sind in einem Photosensorbereich
drei Photodioden (1-1, 1-2, . . ., 1-N) und erste V CCDs (2-1,
2-2, . . ., 2-M) gebildet. Die ersten V CCDs werden von vier
Phasentaktimpulsen an den Klemmen ΦI1-ΦI4 getrieben. Neben
dem Photosensorbereich 3 sind zweite V CCDs A und B (5-A1,
5-A2, . . ., 5-AM, 5-B1, 5-B2, . . ., 5-BM) in dem Zwischenspeicherbereich
4 angeordnet und werden von Taktimpulsen an den
Klemmen ΦM1, ΦMA2, ΦMB2, ΦM3, ΦMB4 getrieben. Zwischen den
ersten V CCDs und den zweiten V CCDs A und B sind eine Anzahl
von (6-1, 6-2, . . ., 6-M) gebildet, die von Taktimpulsen
ΦGA und ΦGB gesteuert werden. Oben sind an die Ausgabeklemmen
OS1 und OS2 angeschlossene H CCDs 7A und 7B und Verstärker
8A und 8B gebildet.
In Fig. 20 ist der Bildintegrationsmodus dargestellt. Das
heißt, Signalladungen, die in den Photodioden jeder zweiten
Zeile (horizontal) gespeichert sind, werden in die ersten
V CCDs zur gleichen Zeit übertragen, wie dies volle Linien
dargestellt ist und werden in die zweiten V CCDs A transferiert.
Anschließend werden die in den übrigen Photodioden
gespeicherten Signalladungen in die ersten V CCDs A transferiert,
wie dies durch die gestrichelten Linien angedeutet ist
und dann in die zweiten V CCDs B übertragen. Nachdem das
Einspeisen in die zweiten V CCDs A und B abgeschlossen ist,
werden die Signalladungen aus den zweiten V CCDs A und B aus
dem Chip durch H CCD 7 ausgelesen, beispielsweise synchron
mit der Horizontalabtastung eines TV. Es kann natürlich
Feldintegration durchgeführt werden.
Fig. 21a ist eine vergrößerte Draufsicht auf den Zwischenspeicherbereich
4 von Fig. 20, während Fig. 21b Einzelheiten
von Fig. 21a zeigt. Die Übertragungselektroden der
zweiten V CCDs A und B sind in Fig. 21a gezeigt. Erste
Kanalbereiche 5-A (Kanalbereiche der zweiten V CCDs A) und
zweite Kanalbereiche 5-B (Kanalbereiche der zweiten V CCDs B)
sind durch Kanalstopperbereiche 201 getrennt. In dieser
Ausführungsform ist das Substrat ein p-Si-Substrat. Die
Kanalbereiche sind vom n-Typ, während die Kanalstopperbereiche
201 vom p+-Typ sind. In dem ersten Kanalbereich 4-A
ist eine Transferstufe aus einer ersten Transferelektrode
ΦM1, einer zweiten Transferelektrode ΦMA2, einer dritten
Transferelektrode ΦM3 und einer vierten Transferelektrode
ΦMA4 gebildet. Im zweiten Kanalbereich 5-B ist eine Transferstufe
aus einer ersten Transferelektrode ΦM1, einer zweiten
Transferelektrode ΦMB2, einer dritten Transferelektrode ΦM3
und einer vierten Transferelektrode ΦMB4 gebildet. In Fig.
21a gehören die erste Transferelektrode ΦM1 und die dritte
Transferelektrode ΦM3 beide zu den ersten und zweiten
Kanalbereichen 5-A und 5-B. Die zweiten Transferelektroden
ΦMA2, ΦMB2 und die vierten Transferelektroden ΦMA4, ΦMB4 sind
jeweils für die ersten oder zweiten Kanäle 5-A, 5-B gebildet.
Die erste Transferelektrode ΦM1 und die dritte Transferelektrode
ΦM3 sind aus einer ersten Schicht von polykristallinem
Silicium gebildet. Hingegen sind die zweiten Transferelektroden
ΦMA2, ΦMB2 und die vierten Transferelektroden ΦMA4, ΦMB4
aus einer zweiten Schicht von polykristallinem Silicium
geformt. Die zweiten Transferelektroden ΦMA2, ΦMB2 und die
vierten Transferelektroden ΦMA4, ΦMB4 sind in Fig. 21a
unabhängig dargestellt. In Wirklichkeit sind die zweiten
Transferelektroden ΦMA2 und die vierten Transferelektroden
ΦMA4 im ersten Kanalbereich 5-a und die zweiten Transferelektroden
ΦMB4 und die vierten Transferelektroden ΦMB4 in den
zweiten Kanalbereichen 5-B zusammenhängend angeordnet und
erstrecken sich von Teilen der Elektroden über den Elektroden
der ersten Schicht gemäß Fig. 21b.
Die Elektroden für ΦM1 und ΦM3 sind parallele Transferelektroden,
die dadurch gebildet sind, daß sich Paare von
ersten und zweiten Kanalbereichen 5-A und 5-B überkreuzen.
Die Elektroden für (ΦMA2, ΦMB2) und (ΦMA4, ΦMB4) sind Paare
von Transferelektroden, die kammartige Teile haben, welche
sich quer über die ersten und zweiten Kanalbereiche erstrecken
und die über den parallelen Transferelektroden
liegen. Diese erstrecken sich in Räume zwischen den parallelen
Transferelektroden. Die Transferelektroden sind jeweils
voneinander isoliert, wobei eine Isolierschicht zwischen dem
Substrat und den parallelen Transferelektroden und zwischen
den parallelen Transferelektroden und den Paaren der Transferelektroden
liegen.
Der Abbildungsvorgang des Festkörper-Bildsensors ist folgendermaßen:
Signalladungen in den Photodioden (1-2, 1-4, . . . )
mit geradzahligen horizontalen Zeilen werden in die ersten
V CCDs zur gleichen Zeit übertragen und anschließend aus den
ersten Kanälen 5-A der zweiten V CCDs A in einer ersten
Periode ausgelesen. In einer zweiten Periode werden Signalladungen,
die den ungeradzahligen horizontalen Zeilen der
Photodiodenmatrix entsprechen, also den Photodioden (1-1,
1-3, . . . ) gleichzeitig aus den ersten V CCDs ausgelesen und
dann in die Kanalbereiche 5-B der zweiten V CCDs B übertragen.
Der Schaltvorgang wird von einem Schaltmittel durchgeführt.
Fig. 22 zeigt ein Impulsdiagramm für die Übertragung von
Signalladungen von den ersten V CCDs zu den zweiten V CCDs A
und B. Fig. 23 ist eine vergrößerte Darstellung von Fig. 22.
In einer ersten Periode TF1 in Fig. 22 werden Signalladungen
in den ersten V CCDs in die ersten Kanalbereiche 5-A der
zweiten V CCDs A übertragen und durch Anlegen von vier
Phasentaktimpulsen ΦM1, ΦMA2, ΦM3 und ΦMA4 gespeichert, so
daß die Übertragung von Signalladungen von den ersten V CCDs
zu den zweiten V CCDs A ermöglicht wird. In einer zweiten
Periode TF2 werden vier Phasentaktimpulse ΦM1, ΦM2, ΦM3 und
ΦM4 angelegt, was die Übertragung von Signalladungen von den
ersten V CCDs in die zweiten V CCDs B ermöglicht. In der
ersten Periode TF1 wird ΦMB2 hoch und ΦMB4 niedrig gehalten.
In ähnlicher Weise wird in der zweiten Periode TF2 ΦMA2 hoch
und ΦMA4 niedrig gehalten. Daher arbeiten die zweiten
V CCDs A und B unabhängig voneinander.
Fig. 23 zeigt eine vergrößerte Kurvenform der ΦM1-ΦMB4 in
der Periode TF2.
Fig. 24 zeigt das Übertragen in den ersten Kanalbereich 5-A
und in den zweiten Kanalbereich 5-B im Zustand von Fig. 23.
Die Zeiten t0 bis t8 in Fig. 23 entsprechen denen von Fig.
24.
Gemäß Fig. 23 werden die Transferelektroden ΦM1, ΦMB2, ΦM3
und ΦMB4 der zweiten V CCDs B mit bekannten vier Phasentaktimpulsen
beaufschlagt. Zur Zeit t0 werden die Signalladungen
211-1 unter den zwei Elektroden ΦMB2 und ΦM3 in den zweiten
V CCDs B gespeichert, wie dies in Fig. 24 gezeigt ist. Zur
Zeit t1 beginnt der Übertragungsvorgang durch Anheben von
ΦMB4 auf ein hohes Potential. Somit werden Signalladungen
211-2 unter den drei Elektroden von ΦMB2, ΦM3 und ΦMB4
gespeichert. Zur Zeit t2 wird ΦMB2 tief und die Signalladungen
211-2 werden unter den zwei Elektroden von ΦM3 und ΦMB
gespeichert. Durch Wiederholung der Zweielektrodenspeicherung
und der Dreielektrodenspeicherung werden die Signalladungen
211-2 unter den nächsten zwei Elektroden von ΦMB2 und ΦM3
gespeichert und es endet ein Übertragungszyklus. Andererseits
wird während des Transfervorganges ΦMA2 hoch und ΦMA4 in den
zweiten V CCDs A gemäß Fig. 23 tief gehalten. Daher sind die
Signalladungen 211-1 unter den Elektroden angeordnet, ohne
daß eine Übertragung stattfindet.
Fig. 25 zeigt den Verbindungsteil der ersten V CCD mit den
zweiten V CCDs A und B durch das Gate. Ein Ende des
Kanalbereichs der ersten V CCD ist an den Kanalbereich 5-A
und 5-B der zweiten V CCDs A und B angeschlossen. Am
Verbindungsbereich sind Schaltelektroden ΦGA und ΦGB aus
einer zweiten polykristallinen Siliciumschicht angeordnet.
Die an die Schaltelektroden ΦGA und ΦGB angelegten Impulse
sind die gleichen wie die für die Transferelektroden ΦMA4 und
ΦMB4.
Fig. 26 zeigt die zeitliche Abstimmung der Taktimpulse für
die Übertragung von Signalladungen aus den ersten V CCDs zu
den ersten Kanalbereichen 5-A der zweiten V CCDs A. In diesem
Fall wird ΦGB tief gehalten und bildet dadurch eine Potentialbarriere
für die zweiten Kanalbereiche 5-B. Außerdem
werden vier Phasentaktimpulse an die Elektroden ΦGA, ΦM1,
ΦMA2, ΦM3 und ΦMA4 der ersten Kanalbereichsseite 5-A zusammen
mit den Transferelektroden ΦI1 bis ΦI4 gelegt. Aufgrund der
Taktimpulse werden die Signalladungen in den ersten V CCDs in
die zweiten V CCDs A übertragen. Wenn die Signalladungen in
die zweiten V CCDs B übertragen werden, werden Taktimpulse
von Fig. 27 angelegt. In diesem Zustand wird das Schaltgate
ΦGA tief gehalten.
Fig. 28 zeigt eine vergrößerte Draufsicht für den Übertragungsteil
aus den zweiten V CCDs A und B zu den H CCDs 7A
und 7B.
In dieser Ausführung sind Transfergates ΦVG1A, ΦVG1B dargestellt,
die auf dem Kanalbereich 5-A und 5-B gebildet sind,
sowie Transferelektroden ΦVG2, die auf den Kanalbereichen
5-A, 5-B angeordnet ist. Die ΦVG1A- und ΦVG1B-Gates
sind zum Einstellen der Transferstufe gebildet. Das H CCD 7B
nimmt Signalladungen von den zweiten Kanalbereichen 5-B auf
und hat ein tiefes Potential gegenüber H CCD 7A, in dem n-Typ
Verunreinigungen mit höherer Konzentration als für H CCD 7A
dotiert sind. Unter einer Transfersteuerelektrode ΦHG ist ein
Potentialbarrierenbereich 213, der mit einer p-Verunreinigung
dotiert ist, und ein Transferbereich 214 mit dem gleichen
Potential wie der Kanal der H CCD 7B abwechselnd gebildet.
Signalladungen von den ersten Kanalbereichen 5-A der zweiten
CCDs A werden an dem Potentialbarrierenbereich 213 angehalten.
Andererseits werden Signalleitungen von dem Kanal der
zweiten V CCDs B durch den Transferbereich 214 durchgelassen
und erreichen die H CCD 7B.
Fig. 29 zeigt die Kurvenläufe für das Übertragen von
Signalladungen von zweiten V CCDs A und B in die H CCD 7A und
7B.
Signalladungen, die somit in den zweiten V CCDs A und B
gespeichert sind, werden jeweils in die H CCD 7A und 7B
übertragen, indem man ΦVG1A, ΦVG1B auf hohen Pegel bringt und
ΦVG2 auf hohes Potential anhebt und dann ΦVG1A, ΦVG1B auf
tiefes Potential abfallen läßt, worauf das Transfersteuerungsgate
ΦGH hoch gemacht wird. Danach werden Signalladungen aus
den Zweikanalbereichen 7A und 7B der H CCD parallel an die
Ausgänge ausgelesen, indem übliche Zweiphasentakte an die
Transferelektroden H1 und H2 gelegt werden, die gemeinsam an
die H CCDs 7A und 7B angeschlossen sind.
Wie beschrieben, können Signalladungen von allen Photodioden
in einem Feld ausgelesen werden, während die zweiten V CCDs A
und B unabhängig getrieben werden. Die Unterscheidungskraft
wird dadurch verbessert, daß alle Signalladungen in einer
Feldperiode auf diese Weise ausgelesen werden.
Ferner werden die zweiten V CCDs A und B unabhängig getrieben,
ohne daß metallische Verbindungsschichten erforderlich
sind, obgleich eine kammartige Strukturierung der
Transferelektroden für die zweiten V CCDs verlangt wird.
In der obigen Ausführungsform werden die zweiten V CCDs mit
vier Phasentaktimpulsen getrieben. Es kann jedoch auch ein
Zweiphasenantrieb gewählt werden, wie man nachfolgend sieht.
Fig. 30a zeigt einen Schnitt durch die zweiten V CCDs A und
B. Die übrigen Teile sind gleich wie bei der obigen
Ausführungsform.
Bei dieser Ausführung, die einen n-Kanal-Aufbau zeigt, ist
die Einrichtung folgendermaßen gebildet: Zunächst werden
n-Bereiche in die Kanäle der zweiten V CCDs A und B zusammenhängend
gebildet. Dann werden n+-Bereiche durch Ionenimplantation
von Phosphor in den Kanalbereichen gebildet, nachdem
erste und dritte Transferelektroden ΦM1 und ΦM3 aus einer
ersten Schicht von polykristallinem Silicium unter Verwendung
dieser Schichten als Masken gebildet wurden. Hierauf werden
zweite Transferelektroden ΦMA2, ΦMB2 und vierte Transferelektroden
ΦMA4, ΦMB4 aus einer zweiten Schicht aus polykristallinem
Silicium gebildet. Auf diese Weise wird das Kanalpotential
unter den zweiten und vierten Transferelektroden tiefer
eingestellt als das für die ersten und dritten Transferelektroden.
Der Übertragungsvorgang für die zweiten V CCDs A und B wird
anhand der Fig. 30b erläutert. Bei dieser Ausführungsform
ist wiederum die Grundoperation gegenüber den zuvor beschriebenen
Ausführungsformen unverändert. Nämlich es werden
Signalladungen der Hälfte der Photodioden in die ersten
Kanalbereiche 5-A der zweiten V CCDs A durch die ersten
V CCDs in einer ersten Periode übertragen und dann werden die
Signalladungen der übrigen Photodioden in den zweiten Kanalbereich
5-B der zweiten V CCDs B durch die ersten V CCDs in
einer zweiten Periode übertragen. Fig. 30b zeigt die Übertragungskurven
für einen Übertragungsstufenzyklus der zweiten
V CCDs B. Fig. 31 zeigt den Zustand für die Übertragungskurven
von einem Übertragungsstufenzyklus der zweiten V CCDs B.
Fig. 31 zeigt auch die Bedingungen für das Übertragen von
Signalladungen in die zweiten V CCDs A und B entsprechend
Fig. 30.
Die Zeitverhältnisse t0 bis t2 entsprechen denen von Fig.
30. Die gleichen Treiberimpulse werden an die Klemmen von
ΦM1, ΦMB2 gelegt und es werden invertierte Taktimpulse an die
Klemmen von ΦM3 und ΦMB4 gelegt, wenn die Transferelektrode
ΦMA2 tief und die Elektrode ΦMA4 hoch ist. Als Folge davon
werden gemäß Fig. 31 die Signalladungen 212-1 in den ersten
Kanalbereichen 5-A nicht verschoben und die Signalladungen
212-2 in den zweiten Kanalbereichen 5-B transferiert.
Bei dieser Ausführungsform wird das Kanalpotential durch
Ionenimplantation gesteuert. Eine selektive Ionenimplantation
kann aber auch vernachlässigt werden, indem man die Pegel der
Treiberimpulse steuert.
Bei der obigen Ausführungsform wurde die Bildintegration
beschrieben. Es kann aber auch die Feldintegration durchgeführt
werden, d. h. im Falle von Feldintegration werden
Signalladungen zu jedem Photodiodenpaar entlang der vertikalen
Richtung hinzugefügt und in die zweiten V CCDs B durch
die ersten V CCDs übertragen. Danach werden Signalladungen
für jedes zweite Photodiodenpaar, die eine halbe Teilung in
vertikaler Richtung verschoben sind, in die zweiten V CCDs B
durch die ersten V CCDs übertragen. Die in den zweiten V CCDs
gespeicherten Signalladungen, die verschiedene Abfragepunktinformationen
haben, werden aus der H CCD ausgegeben.
Die Erfindung ist nicht auf die obigen Ausführungsbeispiele
beschränkt. Beispielsweise kann anstelle des horizontalen
CCD-Registers auch ein Einzeilenregister, ein Zweizeilenregister
oder ein Mehrzeilenregister verwendet werden. Der
Feldverschiebungsimpuls für den Transfer von Signalladungen
zu den ersten V CCDs wird vorzugsweise während der horizontalen
Austastperiode angelegt. Außerdem kann man ein Farbsystem
erhalten, indem eine geeignete Filteranordnung auf dem
Photosensorbereich gebildet wird. Ferner kann man einen
Einzelchip-Farbsensor oder einen Dreichip-Farbbildsensor
schaffen.
Ferner können für die Photozelle Photodioden, MOS-Detektoren
oder gestapelte Detektoren gemäß Fig. 6b verwendet werden.
Die Anwendung ist auch nicht auf Fernsehen beschränkt.
Beispielsweise kann das System für eine elektronische Kamera
oder einen optischen Zeichenleser (OCR) verwendet werden.
Ferner sind die Taktimpulse für die ersten und zweiten V CCDs
nicht auf die Vierphasen-Taktimpulse beschränkt. Außerdem
kann die Erfindung für eine elektronische Bildvergrößerung
und -verkleinerung verwendet werden, die auch als elektronischer
Zoom bezeichnet wird. Der Treiberimpuls für das
Vibrieren des Festkörper-Bildsensortyps kann auch andere
Formen als Dreiecksform oder Sinusform haben. Eine hochfrequente
Schwingung von kleiner Amplitude kann dem Treiberimpuls
überlagert werden, um das Gebiet der Photozelle zu
vergrößern. Prismen oder andere Mittel zum Verschieben der
Strahlen des einfallenden Lichtes können ebenfalls anstelle
von mechanischen Schwingungen verwendet werden. Bei den
obigen Ausführungsbeispielen hatte der Zwischenspeicherbereich
vertikale CCDs von zwei Gruppen; es kann aber auch ein
Aufbau verwendet werden, bei dem jede zweite V CCD parallel
unterteilte CDDs haben kann, falls dies gewünscht ist. Ferner
kann der zwischen den Photosensorbereich und den Zwischenspeicherbereich
eingesetzte Schalter eine gemeinsame Elektrode
haben, wobei die Bereiche darunter unterschiedliche
Schwellenspannungen haben.
Claims (21)
1. Festkörper-Bildsensor mit:
- - ein Substrat;
- - einem Fotosensorbereich (3), der auf dem Substrat gebildet ist und der eine Anzahl von Fotozellen (1-1, 1-2, 1-3, 1-4) besitzt, um ein Bild aufzunehmen und dementsprechend Signalladungen zu speichern;
- - Mittel zum Verändern der Bildabfragearten durch relatives Verschieben der Bildabfragepunkte für das aufgenommene Bild;
- - eine Anzahl von ersten Übertragungsmitteln (2-1, . . . 2-M) in dem Fotosensorbereich, wobei jedes erste Übertragungsmittel in einem Abfragezyklus die Signalladungen von benachbarten Fotozellen aufnimmt, um Signalladungen zu speichern und diese Signalladungen herauszutransferieren;
- - einem Zwischenspeicherbereich (4), der auf dem Substrat gebildet ist und eine Anzahl von zweiten Übertragungsmitteln (5A, 5B) zum Aufnehmen und Speichern von Ladungen besitzt, die aus der Anzahl von ersten Übertragungsmitteln (2-1, . . . 2-M) heraustransferiert wurden, wobei die zweiten Übertragungsmittel (5A, 5B) in Gruppen (5-A1; 5-AM . . . 5-B1; 5-BM) unterteilt sind, die jeweils den ersten Übertragungsmitteln (2-1, . . . 2-M) entsprechen;
- - einer Anzahl von Gates (6-1; . . . 6-M), die jeweils zwischen jedem der ersten Übertragungsmittel (2-1; . . . 2-M) und der entsprechenden Gruppe von zweiten Übertragungsmitteln (5A, 5B) gebildet ist, wobei jedes Gate eine Übertragungsrichtung hat, die zwischen der Anzahl der zweiten Übertragungsmittel der entsprechenden Gruppe (A oder B) wechselt, um die von dem ersten Übertragungsmittel während eines Signalabfragezyklus aufgenommenen Signalladungen aufzunehmen und zu speichern; und mit
- - dritten Übertragungsmitteln (7A, 7B) neben dem Zwischenspeicherbereich (4), die einen sich wiederholenden Auslesezyklus haben, der das Aufnehmen von Signalladungen aus einer Anzahl der zweiten Übertragungsmittel (5A, 5B) und deren Heraustransferieren umfaßt;
dadurch gekennzeichnet, daß jedes zweite Übertragungsmittel
(5A, 5B) eine Kapazität hat, die alle in dem entsprechenden
ersten Übertragungsmitteln (2-1, . . . 2-M) gespeicherten
Signalladungen aufnehmen kann.
2. Bildsensor nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch Mittel zum
Steuern aller Übertragungsmittel in der Weise, daß eine
erste Gruppe der Signalladungen aus einer ersten Gruppe der
Fotozellen in eine der zweiten Übertragungsmittel (5A, 5B)
transferiert wird, worauf dann eine zweite Gruppe der Signalladungen
von einer zweiten Gruppe der Fotozelle, die
zwischen der ersten Gruppe der Fotozelle angeordnet ist und
andere Bildabfragepunkte enthält, zu einem anderen der
zweiten Übertragungsmittel (5A, 5B) transferiert wird,
und wobei das eine der zweiten Übertragungsmittel (5A, 5B) und
das andere der zweiten Übertragungsmittel (5A, 5B) zu der
gleichen Gruppe der zweiten Übertragungsmittel (5A, 5B)
gehören.
3. Bildsensor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das
Steuermittel die dritten Übertragungsmittel (7A, 7B) steuert,
um einen sich wiederholenden Auslesezyklus zu haben,
der das Aufnehmen der Signalladungen von jedem der zweiten
Übertragungsmittel (5A, 5B) und ihr anschließendes Heraustransferieren
umfaßt.
4. Bildsensor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das
Steuermittel derart arbeitet, daß ein Auslesen der ersten
Gruppe von Signalladungen aus der ersten Gruppe von Fotozellen
in das erste Übertragungsmittel und ein (2-1, . . . 2-M) und
ein Auslesen der zweiten Gruppe von Signalladungen aus der
zweiten Gruppe der Zellen in das erste Übertragungsmittel
(2-1, . . . 2-M) in einer vertikalen Austastperiode einer
Bildperiode durchgeführt werden und daß die Übertragung der
ersten und zweiten Gruppe von Signalladungen in die zweiten
Übertragungsmittel (5A, 5B) in einer anderen Periode
der vertikalen Austastperiode der gleichen Feldperiode
durchgeführt wird.
5. Bildsensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
ersten und zweiten Übertragungsmittel (5A, 5B) eine Anzahl
von Übertragungselektroden entlang den Kanalbereichen haben,
daß die Übertragungselektroden mit Transfertaktimpulsen
versorgt sind und daß die Gates (6-1, . . . 6-M) als Teil
der Übertragungselektroden dienen, wenn Signalladungen von
den ersten Übertragungsmitteln (2-1, . . . 2-M) zu den zweiten
Übertragungsmitteln (5A, 5B) transferiert werden.
6. Bildsensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
jedes Gate (6-1, . . . 6-M) ein Paar Elektroden aufweist,
wobei eine unbeaufschlagt ist, während alle Signalladungen
in einem der ersten Übertragungsmitteln (2-1, . . . 2-M) durch
die andere Elektrode transferiert werden.
7. Bildsensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Signalladungen, die aus denn Fotozellen ausgelesen wurden,
in dem ersten Übertragungsmittel (2-1, . . . 2-M) paarweise
zusammengefaßt werden, und daß nach der Übertragung der
zusammengefaßten Signalladungen aus dem ersten Übertragungsmittel
(2-1, . . . 2-M) in das zweite Übertragungsmittel
(5A, 5B) die aus den Fotozellen ausgelesenen Signalladungen
zu anderen Paaren zusammengefaßt werden, um unterschiedliche
Bildabfragepunkte zu bilden, wobei die Signalladungen
der zusammengefaßten Paare aus dem dritten Übertragungsmittel
(7A, 7B) ausgelesen werden, um ein Feld zu bilden.
8. Bildsensor nach einem der Ansprüche 1 bis 7, gekennzeichnet
durch Mittel zum relativen Verschieben des einfallenden
Bildes und des Fotosensorbereiches (3), um die Bildabfragepunkte
zu verändern, vorzugsweise durch Vibrieren des Sensors.
9. Bildsensor nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der
Sensor die gleichen Schwingungen in jedem Feld durchführt,
wobei ein Schwingungszyklus mit einem Feld zusammenfällt,
und daß die Signalladungen, die in Schwingungspositionen
der Fotozellen gespeichert sind, unter Synchronisierung mit
den Schwingungen in das erste Übertragungsmittel (2-1, . . . 2-M)
übertragen werden.
10. Bildsensor nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die
in den Fotozellen gespeicherten Signalladungen in den ersten
Übertragungsmitteln (2-1, . . . 2-M) paarweise zusammengefaßt
werden, und daß diese paarweise Zusammenfassung für
zwei Felder unterschiedlich ist.
11. Bildsensor nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß
der Bildsensor horizontal schwingt und daß Signalladungen,
die an der rechten Seite der Fotozellen gespeichert wurden,
in den rechten Teil der zweiten Übertragungseinrichtung
übertragen werden, und daß andererseits Signalladungen, die
in der linken Seite der Fotozelle gespeichert werden, in
den linken Teil der zweiten Übertragungseinrichtung übertragen
werden, und daß sowohl die rechten als auch die
linken Signalladungen gleichzeitig aus der dritten Übertragungseinrichtung
ausgelesen werden.
12. Bildsensor nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der
Schwingungszyklus mit einem Bild und das Schwingungszentrum
mit dem Mittelpunkt eines Feldes zusammenfällt.
13. Bildsensor nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet,
daß an beide Seiten des ersten Übertragungsmittels
(2-1, . . . 2-M) Fotozellen angeschlossen sind,
die Signalladungen an das erste Übertragungsmittel (2-1, . . . 2-M)
abgeben, welches die Signalladungen rausschiebt.
14. Bildsensor nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß
das erste Übertragungsmittel (2-1, . . . 2-M) einen Zick-
Zack-Kanal aufweist, daß Signalladungspakete durch Zusammenfassen
der Signalladungen in dem ersten Übertragungsmittel
(2-1, . . . 2-M) von Paaren von Fotozellen gebildet
sind und daß diese Zusammenfassung zur Beschaffung von
verschiedenen Abfragepunkten verändert wird.
15. Bildsensor nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß
eine Anzahl von zweiten Gates zwischen dem Zwischenspeicherbereich
(4) und dem dritten Übertragungsmittel (7A, 7B)
angeordnet ist, wobei die zweiten Gates die Verbindung
zwischen Gruppen des zweiten Übertragungsmittels (5A, 5B)
und des dritten Übertragungsmittels (7A, 7B) auswählen, und
daß die Signalladungen in dem Zwischenspeicherbereich Zeile
um Zeile ausgelesen werden.
16. Bildsensor nach Anspruch 10 oder 15, dadurch gekennzeichnet,
daß eine Anzahl dritter Gates vorgesehen ist, von
denen jedes jeweils zwei zweite Übertragungsmittel (5A, 5B)
über die zweiten Gates verbindet.
17. Bildsensor nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet,
daß das Mittel zum Verändern des Bildabfragemodus
für das einfallende Bild auch andere Arten als die
Relativverschiebung der Bildabfragepunkte umfaßt; daß die
ersten Übertragungsmittel (2-1, . . . 2-M) Signalladungen von
mindestens einer benachbarten Fotozelle aufnehmen und Signalladungen
herausübertragen, die auf den aufgenommenen
Signalladungen basieren; daß der Zwischenspeicherbereich
Paare von ersten und zweiten Kanalbereichen aufweist, die
parallel zueinander angeordnet sind; daß parallele Transferelektroden
gebildet sind, die die ersten und zweiten
Kanalbereiche an den Kreuzungsstellen überkreuzen; wobei
die Elektrodenpaare über den parallelen Transferelektroden
an den Kreuzungsstellen angeordnet sind und sich bestimmte
dieser Transferelektrodenpaare in Räume erstrecken, die
zwischen den parallelen Transferelektroden in den ersten
Kanalbereichen liegen und andere Transferelektroden sich in
Räume erstrecken, die zwischen den parallelen Transferelektroden
in den zweiten Kanalbereichen liegen.
18. Bildsensor nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß
jede Transferelektrode der Paare eine Kammform hat.
19. Bildsensor nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß
Vierphasen-Taktimpulse an den Zwischenspeicherbereich (4)
gelegt werden, wofür zwei der parallelen Transferelektroden
und zwei der Transferelektroden des Paares von Transferelektroden
als Einheit verwendet werden.
20. Bildsensor nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß
die ersten und zweiten Kanalbereiche in der Oberfläche des
Halbleitersubstrats gebildet sind; daß sich die zweiten
Kanalbereiche jeweils zwischen den ersten Kanalbereichen
befinden; und daß bestimmte Transferelektroden der Paare
von Transferelektroden, die sich in die Räume in bestimmte
Kanalbereiche erstrecken, auf einem stabilen Potential
gehalten sind, um einen Ladungstransfer zu verhindern,
während in den anderen der ersten und zweiten Kanalbereiche
ein Ladungstransfer durchgeführt wird.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62039171A JPS63207285A (ja) | 1987-02-24 | 1987-02-24 | 撮像装置 |
JP62157935A JP2550078B2 (ja) | 1987-06-26 | 1987-06-26 | 固体撮像装置 |
JP62246088A JP2575414B2 (ja) | 1987-09-30 | 1987-09-30 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3806034A1 DE3806034A1 (de) | 1988-12-01 |
DE3806034C2 true DE3806034C2 (de) | 1993-09-23 |
Family
ID=27290059
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3806034A Granted DE3806034A1 (de) | 1987-02-24 | 1988-02-23 | Festkoerper-bildsensoren |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US4972254A (de) |
DE (1) | DE3806034A1 (de) |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5115321A (en) * | 1987-01-06 | 1992-05-19 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Image sensing system |
US4905033A (en) * | 1987-01-06 | 1990-02-27 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Image sensing system |
US5251036A (en) * | 1990-02-07 | 1993-10-05 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | High-definition still picture cameras having a solid-state imaging device with photoelectric conversion elements divided into four fields |
DE69113646T2 (de) * | 1990-02-07 | 1996-03-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | Standbild-Kamera mit hoher Auflösung. |
KR930002818B1 (ko) * | 1990-05-11 | 1993-04-10 | 금성일렉트론주식회사 | Ccd 영상소자 |
JPH04250436A (ja) * | 1991-01-11 | 1992-09-07 | Pioneer Electron Corp | 撮像装置 |
JP2964354B2 (ja) * | 1991-01-18 | 1999-10-18 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
JPH0514816A (ja) * | 1991-06-28 | 1993-01-22 | Sharp Corp | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
FR2683965A1 (fr) * | 1991-11-19 | 1993-05-21 | Thomson Csf | Dispositif a transfert de charges pour lecture a balayage progressif. |
BE1007803A3 (nl) * | 1993-11-26 | 1995-10-24 | Philips Electronics Nv | Beeldopneemapparaat. |
EP0712238B1 (de) * | 1994-11-11 | 1999-10-20 | SANYO ELECTRIC Co., Ltd. | Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung und Ansteuerverfahren dafür |
US6282362B1 (en) | 1995-11-07 | 2001-08-28 | Trimble Navigation Limited | Geographical position/image digital recording and display system |
US5790191A (en) * | 1996-03-07 | 1998-08-04 | Omnivision Technologies, Inc. | Method and apparatus for preamplification in a MOS imaging array |
KR100209758B1 (ko) * | 1996-06-26 | 1999-07-15 | 구본준 | 고체 촬상 소자 및 그의 제조 방법 |
US6219468B1 (en) * | 1996-10-17 | 2001-04-17 | Minolta Co., Ltd. | Image detection system |
JP3102557B2 (ja) * | 1997-08-07 | 2000-10-23 | 日本電気株式会社 | 固体撮像素子およびその駆動方法 |
JP4165785B2 (ja) * | 1999-05-11 | 2008-10-15 | 横河電機株式会社 | フォトダイオードアレイ |
JP2001111026A (ja) * | 1999-10-07 | 2001-04-20 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 固体撮像装置 |
JP3922853B2 (ja) * | 1999-12-07 | 2007-05-30 | 松下電器産業株式会社 | 固体撮像装置 |
US6876388B1 (en) * | 2000-02-02 | 2005-04-05 | Taiwan Advanced Sensors Corporation | Interlaced alternating pixel design for high sensitivity CMOS Image sensors |
JP4011818B2 (ja) * | 2000-02-29 | 2007-11-21 | キヤノン株式会社 | 半導体固体撮像装置 |
US6693671B1 (en) * | 2000-03-22 | 2004-02-17 | Eastman Kodak Company | Fast-dump structure for full-frame image sensors with lod antiblooming structures |
US20020145668A1 (en) * | 2001-02-19 | 2002-10-10 | Nozomu Harada | Imaging apparatus for providing image in a resolution higher than is possible with a resolution provided numbers of physical pixels, and display apparatus for displaying image in a resolution same |
US7105876B1 (en) | 2001-02-23 | 2006-09-12 | Dalsa, Inc. | Reticulated gate CCD pixel with diagonal strapping |
US8120690B2 (en) * | 2001-04-12 | 2012-02-21 | Nikon Corporation | Imaging device |
US7202900B2 (en) * | 2001-08-22 | 2007-04-10 | Florida Atlantic University | Method of producing frame pair signals from an image sensor and method for displaying same |
US8054357B2 (en) * | 2001-11-06 | 2011-11-08 | Candela Microsystems, Inc. | Image sensor with time overlapping image output |
JP4246964B2 (ja) * | 2002-05-27 | 2009-04-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | 固体撮像装置及び固体撮像装置アレイ |
US7701498B2 (en) * | 2002-12-20 | 2010-04-20 | Panasonic Corporation | Solid-state image pickup device, drive method therefor and camera |
JP2006287464A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置及び固体撮像装置の動作方法 |
US8216134B2 (en) * | 2007-12-12 | 2012-07-10 | Medtronic, Inc. | Implantable optical sensor and method for manufacture |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57181274A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-08 | Sony Corp | Solid-state image pickup element |
NL8105071A (nl) * | 1981-11-10 | 1983-06-01 | Philips Nv | Kleurenbeeldopneeminrichting. |
US4543601A (en) * | 1981-12-25 | 1985-09-24 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Solid state image sensor with high resolution |
JPS5969965A (ja) * | 1982-10-15 | 1984-04-20 | Canon Inc | フレ−ム・トランスフア−型撮像素子 |
JPS61133782A (ja) * | 1984-12-03 | 1986-06-21 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 固体撮像装置 |
JPS62112491A (ja) * | 1985-11-11 | 1987-05-23 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 固体撮像素子の駆動方法 |
US4839734A (en) * | 1987-04-10 | 1989-06-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state imaging device having high-speed shutter function |
US4878121A (en) * | 1987-07-09 | 1989-10-31 | Texas Instruments Incorporated | Image sensor array for still camera imaging with multiplexer for separating interlaced fields |
-
1988
- 1988-02-19 US US07/157,718 patent/US4972254A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-02-23 DE DE3806034A patent/DE3806034A1/de active Granted
-
1994
- 1994-03-09 US US08/207,267 patent/US5446493A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4972254A (en) | 1990-11-20 |
US5446493A (en) | 1995-08-29 |
DE3806034A1 (de) | 1988-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3806034C2 (de) | ||
DE69631932T2 (de) | Halbleiter-Bildaufnahmevorrichtung | |
DE3340338C2 (de) | Festkörper-Bilderzeuger | |
DE60128991T2 (de) | Ladungsübertragungsvorrichtung und Ansteuerungsverfahren dazu | |
DE69628886T2 (de) | Photoelektrischer Wandler für farbige Bilder | |
DE3446374C2 (de) | ||
DE69828099T2 (de) | CCD-Bildaufnahmevorrichtung mit Multiplizierregister | |
DE3337484C2 (de) | ||
DE3530222A1 (de) | Ladungsuebertragungs-bildaufnahmevorrichtung des zwischenzeilen-typs | |
US6885399B1 (en) | Solid state imaging device configured to add separated signal charges | |
DE3320661A1 (de) | Bildaufnahme-einrichtung | |
DE3329095C2 (de) | ||
DE4435375A1 (de) | CCD-Bildsensor und Verfahren zum Herstellen desselben | |
DE60032433T2 (de) | Festkörperbildaufnahmevorrichtung und Ansteuerung dazu | |
JPH07120772B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
DE3043671A1 (de) | Farbfilter | |
DE2301963A1 (de) | Photodetektoranordnung | |
DE4115227B4 (de) | CCD-Bildwandler mit vier Taktsignalen | |
DE2939518C2 (de) | ||
DE69834241T2 (de) | Farbbildmonochip CMOS-Sensor mit Doppel- oder Multilinielesestruktur | |
DE3012183C2 (de) | Festkörper-Farbfernsehkamera | |
DE4133748A1 (de) | Ladungsgekoppelter (ccd) bildsensor | |
DE2504617C3 (de) | Fernsehkamera zur Erzeugung von Signalen von Teilbildern eines Fernsehbildes | |
DE3506066A1 (de) | Festkoerper-abbildungsvorrichtung | |
DE3206620C2 (de) | Fotodetektor |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: STOLBERG-WERNIGERODE, GRAF ZU, U., DIPL.-CHEM. DR. |
|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) |