DE3685576T2 - Halbleiterspeicheranordnung mit seriellem adressierungsschema. - Google Patents

Halbleiterspeicheranordnung mit seriellem adressierungsschema.

Info

Publication number
DE3685576T2
DE3685576T2 DE8686117730T DE3685576T DE3685576T2 DE 3685576 T2 DE3685576 T2 DE 3685576T2 DE 8686117730 T DE8686117730 T DE 8686117730T DE 3685576 T DE3685576 T DE 3685576T DE 3685576 T2 DE3685576 T2 DE 3685576T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
memory
columns
column
data
selection device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE8686117730T
Other languages
English (en)
Other versions
DE3685576D1 (de
Inventor
Akira Nec Corporatio Tsujimoto
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Electronics Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Publication of DE3685576D1 publication Critical patent/DE3685576D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3685576T2 publication Critical patent/DE3685576T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/409Read-write [R-W] circuits 
    • G11C11/4096Input/output [I/O] data management or control circuits, e.g. reading or writing circuits, I/O drivers or bit-line switches 
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1015Read-write modes for single port memories, i.e. having either a random port or a serial port
    • G11C7/103Read-write modes for single port memories, i.e. having either a random port or a serial port using serially addressed read-write data registers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Databases & Information Systems (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Description

    Hintergrund der Erfindung
  • Die Erfindung betrifft einen Halbleiterspeicher, der auf einem Substrat ausgebildet ist, und insbesondere eine integrierte Halbleiterspeicher-Schaltung mit seriellem Adressierungsschema zum seriellen Lesen einer Vielzahl von Bit- Adressen ohne Adresseninformation von außen.
  • Es sind viele Arten von Speichern in Übereinstimmung mit den Zwecken und Anwendungen entwickelt und allgemein verwendet worden. Von diesen wird ein Speicher mit einer großen Kapazität in einem System verwendet, welches eine große Menge Daten behandelt, wie beispielsweise solche für Sprache oder Bilder. Ein derartiger Speicher muß nicht mit sehr hoher Geschwindigkeit arbeiten, soll jedoch leicht zu verwenden und billig sein. Daher wurde ein Speicher vom seriellen Adressierungstyp vorgeschlagen und es wurden Einrichtungen hergestellt, um die Anzahl der externen Anschlüsse zu minimieren, um die Kosten zu reduzieren. Als eine Annäherung zur Erzielung des Vorstehenden wurde eine Reduktion der Anzahl der Adressenanschlüsse vorgeschlagen und praktiziert. Da ein derartiger Speicher eine große Speicherkapazität hat, hat er einen breiten Adressenraum, der große Adressen-Bitlängen erfordert. Wenn das herkömmliche Adressen-Zugriffsystem angewendet wird, macht dies die Verwendung einer großen Anzahl von Adress-Anschlüssen notwendig. Beispielsweise sind für den Fall, daß ein Speicher aus 320 Wortleitungen in Reihen und 700 Bitleitungen (oder Bitleitungspaaren) in Spalten zusammengesetzt ist, um eine Speicherkapazität von 224 kBit zu erhalten, 18 Adressanschlüsse erforderlich. Andererseits ist es laufende Praxis auf die Sprach- oder Bilddaten nicht willkürlich sondern sequentiell mit feststehender Reihenfolge der Spalten zuzugreifen, so daß die Spaltenadressen wiederholt erneuert werden. Als ein Ergebnis kann von Spaltenadressenanschlüssen abgesehen werden, wenn im Inneren eines Speichers ein Zähler oder Schieberegister angeordnet ist, der erhöht oder verringert wird, um eine Spaltenadresse zu erzeugen. Somit werden eine Vielzahl von Datenbits, die von Bitleitungen in Spalten abgelesen werden, sequentiell eines nach dem anderen adressiert, indem die Inhalte des Zählers oder Schieberegisters erhöht oder verringert werden.
  • Da der Speicher dieser Art keine Spaltenadresse von außen empfangen muß, ist er vorteilhaft insofern, als er mit niedrigen Kosten hergestellt und leicht verwendet werden kann. Der Speicher ist jedoch insofern nachteilig, als von außerhalb des Speichers nicht zu erkennen ist, zu welcher Spalte der Zugriff erfolgt, das heißt auf welcher Bitleitung der Daten gelesen oder geschrieben werden. Bei dem Speicher dieser Art müssen allgemein gesagt, nachdem alle Daten, die in einem Ausgangsdatenregister eingestellt waren, herausgelesen worden sind, die Daten, die in diesem Register gehalten werden nochmal an den Originalspeicherstellen eingeschrieben werden. Diese Operation wird im allgemeinen unabhängig von der Auffrischoperation ausgeführt, obwohl sie zusammen mit der zuletzt genannten Operation durchgeführt werden kann. Die Schreiboperation ist ferner für das Aufrechterhalten der Speicherdaten erforderlich. Der Benutzer dieses Speichers kann jedoch von außen nicht wissen, wann das Lesen der Daten (z.B. 700 Bit) eines Wortes in einem Reihendekoder stattfindet, der ein Wortwählsignal erzeugt, wird dieses von einem Zähler gezählt, der außerhalb des Speichers vorgesehen ist, um die Position des Bits, zu welchem Zugriff erfolgt, zu lokalisieren, wodurch die vorstehend erwähnte Wiedereinschreib-Zeitsteuerung geprüft wird. Dies führt zu einem ernsten Nachteil, da die Anzahl der Bauteile, die außerhalb des Speichers zugefügt werden müssen, erhöht ist, wodurch das Systemdesign kompliziert wird und die Kosten notwendigerweise steigen. Selbst wenn die Prüfung außerhalb durchgeführt wird, sind ferner die Zeitsteuerung, die außen detektiert wird, und die tatsächliche Zeitsteuerung im Speicher nicht notwendigerweise übereinstimmend, und es besteht die Möglichkeit einer Diskrepanz in der Zeitsteuerung infolge der charakteristischen Streuungen abhängig von den unterschiedlichen Längen der Signalleitungen und Herstellbedingungen des Speichers. Es ist vorherzusehen, daß dieses Problem bedeutender wird, insbesondere dann wenn die Anzahl der Zellen pro Wortleitung (oder eine Bitleitung) größer wird. Ein Speicher wie vorstehend beschrieben und gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruches 1 ist beispielsweise durch die US-PS 3,930,239 bekannt.
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen Halbleiterspeicher zu schaffen, bei dem eine interne Adressierungsoperations-Zeitsteuerung zuverlässig und leicht erfaßt werden kann.
  • Diese Aufgabe wird durch eine Halbleiterspeicheranordnung mit einem Speicherfeld mit Speicherzellen, die in Reihen und Spalten angeordnet sind, einer Reihenwähleinrichtung zum Wählen einer der Reihen des Speicherfeldes, einer Spaltenwähleinrichtung zum seriellen Wählen von Spalten synchron aufeinanderfolgend mit Taktsignalen und Ausgangsmitteln, zum Ausgeben von Daten der gewählten Spalte, dadurch gekennzeichnet, daß sie aufweist eine externe Detektionsklemme und eine Spalten-Adressen-Detektoreinrichtung, die an eine vorbestimmte eine der Spalten gekoppelt ist, zum Erzeugen eines Detektionssignals an der Detektionsklemme, wenn die vorbestimmte eine der Spalten durch die Spaltenwähleinrichtung gewählt worden ist.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung ist es möglich, die interne Adresse oder Operationszeitsteuerung eines vorbestimmten Bits, zu welchem im Speicherinneren zugegriffen wird, intern zu detektieren, so daß die Zeitsteuerung, die mit einer realen Operationssequenz übereinstimmt, zuverlässig und leicht außerhalb des Speichers erkannt werden kann, ohne daß irgendwelche komplizierte zusätzliche Schaltungen erforderlich sind.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung kann insbesondere eine Adresse, die im Speicherinneren hergestellt worden ist, leicht und präzise erkannt werden, ohne daß dem Speicher irgendeine Adresse von außen zugeführt worden ist, wodurch die Steuerbarkeit nicht nur des vorstehend beschriebenen Wiedereinschreibens sondern auch die andere Speichersteuerung, die die Bit-Zugriff-Zeitsteuerung erfordert, merkbar erleichtert wird.
  • Kurzbeschreibung der Figuren:
  • Fig. 1 zeigt ein schematisches Blockschaltbild eines Speichers gemäß einem Stand der Technik;
  • Fig. 2 ist ein Zeitsteuerungsdiagramm, welches die Operationen des Speichers gemäß Fig. 1 zeigt;
  • Fig. 3 ist ein schematisches Blockschaltbild eines Speichers gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung;
  • Fig. 4 ist ein Zeitsteuerungsdiagramm, welches die Operationen des Speichers gemäß Fig. 3 zeigt;
  • Fig. 5 ist ein schematisches Schaltbild, welches einen Hauptteil des Speichers gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung zeigt;
  • Fig. 6 ist ein Zeitsteuerungsdiagramm welches die Operation der zweiten Ausführungsform zeigt; und
  • Fig. 7 ist ein schematisches Blockschaltbild einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Detaillierte Beschreibung der Erfindung:
  • In der Fig. 1 ist eine Speichereinrichtung gemäß einem Stand der Technik vom seriellen Adressierungstyp dargestellt.
  • Ein Speicherzellenfeld 1 hat mehrere Speicherzellen MC, die jeweils aus einem Speicherzellen-Transistor QM und einem Speicherkondensator CM zusammengesetzt sind. Im Feld 1 sind "m", Wortleitungen WL1 bis WLn in Reihen und "n" Paare Bitleitungen d&sub0;, bis dn-1, in Spalten angeordnet. An die Paare Bitleitungen sind eine Vielzahl von Leseverstärkern SA bis SAn-1 gekoppelt. Basierend auf einer Reihenadresse-Information wählt ein Reihendekoder 3 eine der Wortleitungen aus.
  • Ein Datenregisterabschnitt 4 ist aus "n" Datenhalteschaltungen D&sub0; bis Dn-1 zusammengesetzt, deren Eingangsenden mit "n" Paaren von Bitleitungen d&sub0;, bis dn-1, gekoppelt sind. Jede Datenhalteschaltung, z.B. D&sub0;, hält operativ Daten an dem Paar Bitleitungen d&sub0;, . Ein Paar Ausgangsenden jeder Datenhalteschaltung ist über jedes Paar Transfergates QOA, QOB bis Qn-1A, Qn-1B an ein Paar Busleitungen I/O und gekoppelt.
  • Das Paar Busleitungen I/O and ist mit einem Paar Eingangsenden einer Eingangs/Ausgangsschaltung 6 gekoppelt. Ein Schieberegister 5 hat "n" Schiebestufen S&sub0; bis Sn-1 und verschiebt ein einziges Wählsignal eins nach dem anderen synchron mit einer Kette von Taktimpulsen IN nach rechts. Die Treiber-Transistoren Qt0 bis Qtn-1 erzeugen Wählsignale T0 bis Tn-1, um die Paare Transfer-Gates Q0A, Q0B bis Qn- 1A, Qn-1B bei Übereinstimmung des Treiber-Impulses und der Ausgänge des Schieberegisters 5 jeweils leitend zu machen. Der Reihendekoder 3 wählt eine der Wortleitungen, Daten werden parallel aus den n Bit-Zellen, welche mit den jeweiligen Wortleitungen verbunden sind, gelesen und in dem Register 4 eingestellt. Die so im Register eingestellten Daten werden in Abhängigkeit von dem Schiebetakt CL über das Paar Busleitungen I/O, und die Schaltung 6 Bit für Bit auf einen Daten-Eingangs/Ausgangs-Anschluß DT gelesen. Ferner werden die n-Bit-Daten, die in Reihe von dem Anschluß DT der Schaltung 6 eingegeben worden sind, einmal im Register 4 eingestellt und werden dann parallel in die n Zellen eingeschrieben, die mit den gewählten Wortleitungen verbunden sind. Die Operationen sind in dem Zeitplan der Fig. 2 dargestellt.
  • Das Schieberegister 5 hält seinen Zustand in Abhängigkeit von einem niedrigen Pegel von IN und verschiebt die Inhalte der entsprechenden Stufen in Abhängigkeit von einem hohen Pegel χ0ξ IN um 1 nach rechts. Der Impuls nimmt während einer Periode, in der IN niedrig ist, einen hohen Pegel ein und wenigstens während einer Periode, in der IN auf einem hohen Wert ist, einen niedrigen Pegel ein.
  • Als erstes erzeugt während einer Zeitspanne T&sub1; die Stufe S&sub0; einen Ausgang "1", während die anderen Stufen S&sub1; bis Sn-1 einen Ausgang "0" erzeugen. Daher wird in Abhängigkeit von einem hohen Pegel von ein Signal TO erzeugt. Demgemäß wird das Transfer-Gate-Paar QOA und QOB leitend gemacht, so daß Daten, die in der Halteschaltung DO gespeichert sind, an den Anschluß DT über ein Paar Busleitungen I/O, und die Schaltung 6 abgegeben werden.
  • Dann wird während einer Zeitspanne T&sub2; ein Ausgang "1" im Schieberegister 5 in Abhängigkeit von einem hohen Pegel von IN von S&sub0; bis S&sub1; geschoben. Darauf folgend wird während einer Zeitspanne T&sub3; ein Wählsignal T1 in Abhängigkeit von einem hohen Pegel von erzeugt, so daß Daten, die in D&sub1; gespeichert sind, am Ausgang DT über Q1A, Q1B herausgelesen werden.
  • Auf diese Art und Weise werden Daten, die im Datenregister 4 in D&sub0; bis Dn-1 gespeichert sind, sequentiell eins nach dem anderen synchron mit der Wiederholung der Impulse IN und ausgegeben.
  • Dieser Speicher ist insofern von Vorteil als zu einer Vielzahl von Bits des Speicherortes sequentiell ohne irgendeine spezifische Spaltenadressen-Information ein Zugriff erfolgt.
  • Andererseits ist es jedoch schwierig von außen festzustellen, zu welcher Spalte Zugriff erfolgt.
  • Fig. 3 zeigt eine erste Ausführungsform der Erfindung. In Fig. 3 sind Teile, die denen in Fig. 1 entsprechen mit ähnlichen Bezugsziffern bezeichnet.
  • Diese Ausführungsform hat zusätzlich zu der Schaltung gemäß dem Stand der Technik und der Fig. 1 eine Zeitsteuerungs- Detektorschaltung 20. Die Zeitsteuerungs-Detektorschaltung 20 hat ein Eingangsende, an dem sie eines der Wählsignale TO bis n-1 empfängt und ein Ausgangsende, welches an einen externen Anschluß 10 des Speicher-IC gekoppelt ist, das heißt einen Kontaktfleck am Halbleitersubstrat des Speicher-IC. Bei dieser Ausführungsform ist das Eingangsende der Schaltung 20 an Tn-2 geschaltet. Die Schaltung 20 ist aus einer Reihenschaltung von Feldeffekttransistoren (FETs) Q&sub1;&sub1; und Q&sub1;&sub2;, die zwischen Vcc und Masse gekoppelt sind und als ein Puffer dienen, und einer Reihenschaltung aus einem Lastwiderstand R und einem FET Q&sub1;&sub3; zusammengesetzt, die zwischen Masse und einem Detektoranschluß AT gekoppelt sind. Ein Gate des FET Q&sub1;&sub1; ist an das vorletzte Wählsignal Tn-2 angeschlossen und an das Gate des FET Q&sub1;&sub2; wird ein Rückstellsignal P angelegt.
  • Ein außerhalb liegendes System (nicht dargestellt), welches die Speicherausgangsdaten über den Ausgangsanschluß DT verwendet, oder ein Testsystem zum Testen des Speicher-IC hat einen Anschluß AT, welcher mit dem Anschluß 10 des Speicher-IC gemäß der Ausführungsform verbunden ist, und ein Hochziehwiderstand R ist zwischen den Anschluß AT und eine Stromversorgung Vcc geschaltet, die gleich den Vcc für den Speicher IC sein soll. Der Anschluß 10 oder der Anschluß AT wird dazu verwendet, zu detektieren, ob die Halteschaltung Dn-2 gewählt ist, um die darin gespeicherten Daten auszugeben. Für den Fall, daß der Anschluß 10 von einer Testeinrichtung verwendet wird, wird der Widerstand R nach dem Testen vom Anschluß 10 entfernt, um den Stromverbrauch zu verringern, wenn der Speicher-IC in einem System verwendet wird, in dem das Detektieren nicht erforderlich ist.
  • Es ist auch möglich, den Widerstand R auf dem gleichen Halbleiterchip des Speichers herzustellen.
  • Das Rückstellsignal P nimmt vor dem Auslesen der Daten in den entsprechenden Spalten, die in dem Datenregister 4 gespeichert sind, einen hohen Pegel ein und während einer seriellen Zugriffszeitspanne während ein Zugriff zu dem Speicher erfolgt, einen niedrigen Pegel ein.
  • Die Detektorschaltung 20 erzeugt ein "1" -Pegel-Ausgangssignal ( A) bevor das Signal Tn-2 auf einen Pegel "1" gebracht wird und erzeugt ein Ausgangssignal ( A) mit einem Pegel "0", wenn das Signal Tn-2 auf einen Pegel "1" gebracht wird und danach in dem gleichen seriellen Adressierzyklus. Somit kann durch Aufzeichnen eines Pegels am Anschluß 10 erkannt werden, daß der serielle Spaltenzugriff die vorbestimmte Spalte (in diesem Fall die vorletzte Spalte "n-2") erreicht hat.
  • Die vorstehend beschriebene Operation ist in der Fig. 4 dargestellt.
  • Bei dieser Ausführungsform ist die "n-2"-te Spalte Subjekt der Detektion des Zugriffs zu derselben. Anstatt der "n-2"- ten Spalte kann irgendeine (x-te) der Spalten "0" bis "n-1" auf ähnliche Art und Weise der Detektion ihres Zugriffs durch Anschließen des Gates des FET Q&sub1;&sub1; an ein gewünschtes x-tes Wählsignal Tx (x ist eine Zahl zwischen 0 und n-1) unterzogen werden.
  • Fig. 5 zeigt eine andere Ausführungsform der Detektorschaltung gemäß der Erfindung. Ein Pufferschaltkreis bestehend aus MOST's Q&sub2;&sub4; bis Q&sub3;&sub3; hat die Funktion das Wählsignal Tx zu sperren. Da der Pufferschaltkreis an dem Kontaktfleck sowohl den Pegel Vcc als auch den Massepegel erzeugt, ist kein Hochziehwiderstand erforderlich. Fig. 6 zeigt ein Zeitschaltbild zur Erläuterung der Detektorschaltung gemäß Fig. 5. Die Spannung am Ausgangsknoten N&sub4; steigt als ein Ergebnis des Übergangs des Signals Tx der x-ten Spalte (x ist eine Zahl von 0 bis n-1) auf den hohen Pegel und hält diesen hohen Pegel bis zum Anstiegspunkt des Signals P.
  • Als ein Ergebnis können Wirkungen ähnlich wie jene gemäß Fig. 3 erhalten werden.
  • Fig. 7 zeigt einen Speicher gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung.
  • Diese Ausführungsform ist dadurch gekennzeichnet, daß anstatt des Schieberegisters 5 gemäß Fig. 3 ein Spalten- Adressen-Zähler 12, der in Abhängigkeit von einem Taktsignal 'IN inkrementiert wird, und ein Spaltendekoder 11 zum Erzeugen von Spalten-Wählsignalen TO bis Tn-1 durch Dekodieren der Inhalte des Zählers 12 vorgesehen sind. Die verbleibenden Operationen sind ähnlich wie jene bei dem vorstehend beschriebenen Speicher mit seriellem Zugriff, so daß die einzelnen Zustände des Datenregisters sequentiell in Abhängigkeit von den Wählsignalen TX (wobei X = 0 bis n-1) vom Spalten-Dekoder gewählt werden, um die Lese- und Einschreibe- Operationen über den Datenanschluß DT durchzuführen.
  • Wie vorstehend beschrieben kann erfindungsgemäß die Adresseninformation an vorbestimmten Lese- und Einschreibe- Adressen erhalten werden, ohne daß die Speicher-Steuersignale außerhalb gezählt werden, so daß das System, welches den Speicher mit seriellem Zugriff verwendet, wesentlich vereinfacht werden kann.
  • Darüberhinaus kann ein beliebiges Wählsignal der Detektorschaltung zugeführt werden oder die individuell detektierten Signale können kombiniert werden, um eine willkürliche Adresse zu erkennen, in dem eine Vielzahl an Detektorschaltungen parallel geschaltet wird.

Claims (5)

1. Halbleiterspeicheranordnung mit einem Speicherfeld (1) und Speicherzellen (MC), die in Reihen und Spalten angeordnet sind, einer Reihenwähleinrichtung (3) zum Wählen einer der Reihen, einer Spaltenwähleinrichtung (4, 5, QOA, QOB - Qn-1A, Qn-1B, Qto-Qtn-1) zum laufenden Wählen der aufeinander folgenden Spalten synchron mit den Taktsignalen ( IN) und Ausgangsmitteln (6, DT) zum Ausgeben von Daten der gewählten Spalte, dadurch gekennzeichnet, daß weiterhin vorgesehen ist eine externe Detektionsklemme (AT) und eine Spalten-Adressen-Detektoreinrichtung (20), die an eine vorbestimmte eine (n-2) der Spalten gekoppelt ist, zum Erzeugen eines Detektionssignals ( A) an der Detektionsklemme, wenn die vorbestimmte eine der Spalten durch die Spaltenwähleinrichtung gewählt worden ist.
2. Speicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Wortleitungen (WL1, WL2...) in den Reihen und eine Vielzahl Paare Bit-Leitungen (do, - dn-1, ) in den Spalten, in dem Speicherfeld vorgesehen sind.
3. Speicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Speicherwähleinrichtung eine Vielzahl von Daten-Halte-Schaltkreisen (Do-Dn-1) aufweist, die jeweils für eine der Spalten vorgesehen sind.
4. Speicher nach Anspruch 1, der weiterhin eine Bus-Leitung (I/O, ) aufweist, die an den Eingang der Ausgangsmittel gekoppelt ist.
5. Speicher nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß weiterhin die Spaltenwähleinrichtung aufweist eine Vielzahl von Übertragungs-Gates (QOA, QOB - Qn-1A, Qn-1B), die jeweils zwischen einer Bus-Leitung und dem Eingang der Ausgangsmittel gekoppelt sind, wobei ein Schieberegister (5) eines der Übertragungs-Gates freigibt.
DE8686117730T 1985-12-20 1986-12-19 Halbleiterspeicheranordnung mit seriellem adressierungsschema. Expired - Lifetime DE3685576T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60288729A JPH0642313B2 (ja) 1985-12-20 1985-12-20 半導体メモリ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3685576D1 DE3685576D1 (de) 1992-07-09
DE3685576T2 true DE3685576T2 (de) 1993-01-07

Family

ID=17733928

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE8686117730T Expired - Lifetime DE3685576T2 (de) 1985-12-20 1986-12-19 Halbleiterspeicheranordnung mit seriellem adressierungsschema.

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4802134A (de)
EP (1) EP0233363B1 (de)
JP (1) JPH0642313B2 (de)
DE (1) DE3685576T2 (de)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5222047A (en) * 1987-05-15 1993-06-22 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method and apparatus for driving word line in block access memory
JPH0793002B2 (ja) * 1987-06-04 1995-10-09 日本電気株式会社 メモリ集積回路
JPS6468851A (en) * 1987-09-09 1989-03-14 Nippon Electric Ic Microcomput Semiconductor integrated circuit
US5280448A (en) * 1987-11-18 1994-01-18 Sony Corporation Dynamic memory with group bit lines and associated bit line group selector
FR2667688B1 (fr) * 1990-10-05 1994-04-29 Commissariat Energie Atomique Circuit d'acquisition ultrarapide.
US5526316A (en) * 1994-04-29 1996-06-11 Winbond Electronics Corp. Serial access memory device
US5694546A (en) * 1994-05-31 1997-12-02 Reisman; Richard R. System for automatic unattended electronic information transport between a server and a client by a vendor provided transport software with a manifest list
JPH08153387A (ja) * 1994-11-30 1996-06-11 Mitsubishi Electric Corp Fifoメモリ
US6167486A (en) 1996-11-18 2000-12-26 Nec Electronics, Inc. Parallel access virtual channel memory system with cacheable channels
DE59810778D1 (de) 1997-09-18 2004-03-25 Infineon Technologies Ag Anordnung mit einem Umlaufspeicher und mit eine Einrichtung, welche ein auf den Umlaufspeicher zugreifendes Programm ausführt
US6034921A (en) * 1997-11-26 2000-03-07 Motorola, Inc. Method, apparatus, pager, and cellular telephone for accessing information from a memory unit utilizing a sequential select unit
US6708254B2 (en) 1999-11-10 2004-03-16 Nec Electronics America, Inc. Parallel access virtual channel memory system
KR101095736B1 (ko) * 2010-06-24 2011-12-21 주식회사 하이닉스반도체 비휘발성 메모리 장치

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4141081A (en) * 1978-01-03 1979-02-20 Sperry Rand Corporation MNOS BORAM sense amplifier/latch
US4330852A (en) * 1979-11-23 1982-05-18 Texas Instruments Incorporated Semiconductor read/write memory array having serial access
US4498155A (en) * 1979-11-23 1985-02-05 Texas Instruments Incorporated Semiconductor integrated circuit memory device with both serial and random access arrays
JPS5727477A (en) * 1980-07-23 1982-02-13 Nec Corp Memory circuit
JPS57117168A (en) * 1981-01-08 1982-07-21 Nec Corp Memory circuit
US4412313A (en) * 1981-01-19 1983-10-25 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Random access memory system having high-speed serial data paths
JPS6054471A (ja) * 1983-09-05 1985-03-28 Hitachi Ltd 半導体メモリ
JPS5862893A (ja) * 1981-10-09 1983-04-14 Mitsubishi Electric Corp Mosダイナミツクメモリ
US4611299A (en) * 1982-02-22 1986-09-09 Hitachi, Ltd. Monolithic storage device
JPH0670880B2 (ja) * 1983-01-21 1994-09-07 株式会社日立マイコンシステム 半導体記憶装置
JPS6072020A (ja) * 1983-09-29 1985-04-24 Nec Corp デュアルポ−トメモリ回路
US4688197A (en) * 1983-12-30 1987-08-18 Texas Instruments Incorporated Control of data access to memory for improved video system
US4667313A (en) * 1985-01-22 1987-05-19 Texas Instruments Incorporated Serially accessed semiconductor memory with tapped shift register

Also Published As

Publication number Publication date
EP0233363A3 (en) 1988-06-08
JPH0642313B2 (ja) 1994-06-01
DE3685576D1 (de) 1992-07-09
JPS62146481A (ja) 1987-06-30
EP0233363B1 (de) 1992-06-03
US4802134A (en) 1989-01-31
EP0233363A2 (de) 1987-08-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69428415T2 (de) Datenbusstruktur für beschleunigten Spaltenzugriff in einem RAM
DE3588247T2 (de) Dynamischer Halbleiterspeicher mit einer statischen Datenspeicherzelle
DE69132284T2 (de) Halbleiterspeicheranordnung
DE69535672T2 (de) Synchrone NAND DRAM Architektur
DE3586523T2 (de) Halbleiterspeicheranordnung mit einer seriellen dateneingangs- und ausgangsschaltung.
DE4025151C2 (de) Halbleiterspeichereinrichtung und Betriebsverfahren für eine Halbleiterspeichereinrichtung
DE69230366T2 (de) Multiport statischer Direktzugriffspeicher mit schnellem Schreibdurchschema
DE68918469T2 (de) Serieller Lesezugriff von seriellen Speichern mit einer durch den Benutzer definierten Startadresse.
DE3689128T2 (de) Halbleiterspeichergerät mit einer Korrekturfunktion.
DE4129875C2 (de)
DE69326493T2 (de) Zugriffsverfahren für eine synchrone Halbleiterspeicheranordnung
DE69025520T2 (de) Speicher mit verbessertem Bitzeilenausgleich
DE3685576T2 (de) Halbleiterspeicheranordnung mit seriellem adressierungsschema.
DE4443967A1 (de) Halbleiterspeichereinrichtung mit einer erweiterten Datenausgabefunktion
DE68909467T2 (de) MOS SRAM vom internen Synchronisations-Typ mit Detektorschaltung für Adressenumwandlung.
DE68919464T2 (de) Halbleiterspeichereinrichtung, die einen Speicher mit Seriengriff aufweist.
DE2828698A1 (de) Monolithischer baustein
DE3207210A1 (de) Monolithische speichervorrichtung
DE69221005T2 (de) Dynamische RAM-Einrichtung mit einem Selektor für mehrere Wortleitungen, der bei einem Einbrenntest verwendet wird
DE4022149C2 (de)
DE4002664C2 (de)
DE3882324T2 (de) Dynamischer RAM-Speicher.
DE4201785C2 (de) Halbleiterspeichereinrichtung und Verfahren zur Initialisierung einer internen Schaltung einer Halbleiterspeichereinrichtung
DE3786358T2 (de) Halbleiterspeicher mit System zum seriellen Schnellzugriff.
DE69712660T2 (de) Halbleiterspeicheranordnung mit einer Adressübergangsdetektionsschaltung zur Steuerung von Lese- und Verriegelungsbetrieb

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: NEC ELECTRONICS CORP., KAWASAKI, KANAGAWA, JP