DE3681490D1 - Dynamische speicheranordnung mit wahlfreiem zugriff mit einer vielzahl von eintransistorspeicherzellen. - Google Patents

Dynamische speicheranordnung mit wahlfreiem zugriff mit einer vielzahl von eintransistorspeicherzellen.

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Toshiyuki Shimizu
Mitsuru Sakamoto
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62259464A (ja) * 1986-05-02 1987-11-11 Toshiba Corp 半導体記憶装置の製造方法
US4801988A (en) * 1986-10-31 1989-01-31 International Business Machines Corporation Semiconductor trench capacitor cell with merged isolation and node trench construction
GB2199696B (en) * 1987-01-06 1990-11-14 Samsung Semiconductor Inc Submerged storage plate memory cell
EP0283964B1 (de) * 1987-03-20 1994-09-28 Nec Corporation Aus einer Vielzahl von Eintransistorzellen bestehende dynamische Speichervorrichtung mit wahlfreiem Zugriff
JPS6427252A (en) * 1987-04-13 1989-01-30 Nec Corp Semiconductor storage device
JPS63258060A (ja) * 1987-04-15 1988-10-25 Nec Corp 半導体記憶装置
KR910000246B1 (ko) * 1988-02-15 1991-01-23 삼성전자 주식회사 반도체 메모리장치
KR910013554A (ko) * 1989-12-08 1991-08-08 김광호 반도체 장치 및 그 제조방법
US5330926A (en) * 1990-11-14 1994-07-19 Nec Corporation Method of fabricating semiconductor device having a trenched cell capacitor
DE59205665D1 (de) * 1991-10-02 1996-04-18 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer Grabenstruktur in einem Substrat
US5466636A (en) * 1992-09-17 1995-11-14 International Business Machines Corporation Method of forming borderless contacts using a removable mandrel

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58137245A (ja) * 1982-02-10 1983-08-15 Hitachi Ltd 大規模半導体メモリ
JPS5982761A (ja) * 1982-11-04 1984-05-12 Hitachi Ltd 半導体メモリ

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