DE3638200A1 - Verfahren zur herstellung photoleitfaehiger bauelemente - Google Patents

Verfahren zur herstellung photoleitfaehiger bauelemente

Info

Publication number
DE3638200A1
DE3638200A1 DE19863638200 DE3638200A DE3638200A1 DE 3638200 A1 DE3638200 A1 DE 3638200A1 DE 19863638200 DE19863638200 DE 19863638200 DE 3638200 A DE3638200 A DE 3638200A DE 3638200 A1 DE3638200 A1 DE 3638200A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
photoconductive
layer
amorphous silicon
drum
ratio
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19863638200
Other languages
English (en)
Other versions
DE3638200C2 (de
Inventor
Kazuki Wakita
Syoichi Nagata
Masatsugu Nakamura
Kunio Ohashi
Tadashi Tonegawa
Katsuhiro Nagayama
Yoshiko Murasato
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP60253598A external-priority patent/JPS62112166A/ja
Priority claimed from JP60270311A external-priority patent/JPS62130276A/ja
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of DE3638200A1 publication Critical patent/DE3638200A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3638200C2 publication Critical patent/DE3638200C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
    • H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02579—P-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/095—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation comprising amorphous semiconductors
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft Verfahren zur Herstellung eines photoleitfähigen Bauelements, das allgemein in einer Vorrichtung, etwa einem Kopiergerät, das sich eines elektrophotographischen Verfahrens bedient, oder einer Dokument-Lesevorrichtung, verwendet wird.
In einer das elektrophotographischen Verfahren anwendenden Vorrichtung wie einem Kopiergerät oder einem Lichtdrucker oder einer Dokument-Lesevorrichtung werden verschiedene photoleitfähige Materialien für die Herstellung einer photoleitfähigen Schicht zur Bildung eines Bildes auf derselben eingesetzt. Zu den bislang verwendeten photoleitfähigen Materialien zählen anorganische photoleitfähige Stoffe wie beispielsweise Se, CdS oder ZnO und organische photoleitfähige Stoffe, wie sie beispielhaft durch PVK oder TNF verkörpert werden. Diese photoleitfähigen Materialien ergeben jedoch nicht immer photoleitfähige Schichten mit Eigenschaften, die im Hinblick auf die Lichtempfindlichkeit, die spektrale Empfindlichkeit, das S/N-Verhältnis (das Verhältnis des Dunkelwiderstandes relativ zu dem Widerstand unter Lichteinwirkung), die Haltbarkeit und den Sicherheitsfaktor erwünscht sind, und aus diesem Grunde hat man in bezug auf die Auswahl von Materialien für die photoleitfähige Schicht von Fall zu Fall jeweils Kompromisse geschlossen.
Andererseits weist ein aus amorphem Silicium (a-Si) hergestelltes photoleitfähiges Bauelement eine hohe Lichtempfindlichkeit auf und ist haltbar und frei von verunreinigenden Stoffen, und aufgrunddessen ist eine zunehmende Verwendung eines solchen Elements zu erwarten. Es wurde jedoch gefunden, daß das aus amorphem Silicium (a-Si) hergestellte photoleitfähige Bauelement mit dem Problem behaftet ist, daß es bei wiederholter kurzzeitiger bildweiser Belichtung zum Auftreten von Nachbildern neigt.
Die bezeichnete Erscheinung des Auftretens von Nachbildern scheint darauf zu beruhen, daß aufgrund der Tatsache, daß das amorphe Silicium einen exponentiell verteilten Banden-Tail jeweils am Ende des Valenzbandes und des Leitfähigkeitsbandes aufweist, überschüssig produzierte Lichtträger durch den Banden-Tail eingefangen werden, wenn dieser bildmäßig belichtet wird, und daß diese Träger unter der Einwirkung eines starken, während der nächstfolgenden bildmäßigen Belichtung aufgebauten elektrischen Feldes freigesetzt werden und sich dabei in Richtung auf eine Oberfläche des photoleitfähigen Bauelements bewegen, um mit einem Teil der Ladungen in Wechselwirkung zu treten. Wenn man die durch den Banden-Tail eingefangenen Phototräger lange Zeit stehen läßt, werden sie auf das Fermi-Niveau reduziert oder, nach der Anregung durch die Bande, rekombiniert und dadurch neutralisiert. Wenn jedoch die bildmäßige Belichtung des photoleitfähigen Elements innerhalb einer kurzen Zeitspanne wiederholt wird, nehmen die Phototräger nicht an Zahl ab oder werden nicht neutralisiert, und infolgedessen tritt das Nachbild auf dem photoleitfähigen Bauelement auf.
Obwohl das aus Se hergestellte photoleitfähig Bauelement weniger dem Phänomen des Auftretens von Nachbildern ausgesetzt ist, da die Beweglichkeit der mit den Ladungen in Wechselwirkung tretenden Träger (Elektronen) hinreichend gering ist, ist die Beweglichkeit der Elektronen in dem aus amorphem Silicium hergestellten photoleitfähigen Bauelement generell höher als diejenige der positiv geladenen Löcher, und aufgrunddessen ist das amorphe photoleitfähige Bauelement, wenn es positiv gelanden wird, anfällig gegenüber dem Nachbild-Phänomen.
Die vorliegende Erfindung entstand im Hinblick darauf, die von den amorphen photoleitfähigen Bauelementen des Standes der Technik verursachten Probleme im wesentlichen zu beheben, und es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein verbessertes Verfahren zur Herstellung eines amorphen photoleitfähigen Bauelements, das im wesentlichen frei vom Auftreten der Nachbild-Erscheinung ist und zur Sicherstellung eines Bildes von hoher Qualität befähigt ist, verfügbar zu machen.
Die vorstehende Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß eine Schicht aus amorphem Silicium auf einem Substrat dadurch gebildet wird, daß das Verhältnis des Gasstroms von B2H6 relativ zu dem Gasstrom von SiH4 in einer Reaktionskammer, in der eine Glimmentladung stattfindet, auf einen solchen Wert geregelt wird, daß das Produkt μτ aus der Beweglichkeit μ der Elektronen multipliziert mit deren Lebensdauer τ kleiner als 10-8 cm2/V werden kann. Da nach diesem Verfahren das Produkt μτ aus der Beweglichkeit μ der Elektronen, die die Drift-Geschwindigkeit der freien Elektronen ist, multipliziert mit deren Lebensdauer τ in genügendem Maße kleiner als das Produkt μτ für die positiv geladenen Löcher wird, kann der Einfluß der mit den positiven Ladungen in Wechselwirkung tretenden Elektronen auf ein Minimum gesenkt werden, und aufgrunddessen läßt sich auch das Nachbild-Phänomen auf ein Minimum reduzieren.
Im Hinblick auf vorstehende Ausführungen ist die vorliegende Erfindung dahingehend wirksam, daß sie das Auftreten von Nachbildern in dem photoleitfähigen Medium aus amorphem Slilicium auf das geringstmögliche Maß einschränkt und dadurch die Erzeugung eines Bildes von hoher Qualität sicherstellt. Aus diesem Grund vermag die vorliegende Erfindung zu einer Steigerung des praktischen Einsatzes von amorphem Silicium beizutragen.
Vorzugsweise wird das B2H6/SiH4-Verhältnis auf den Wert 3,3 × 10-7 geregelt, so daß ein optimales Ergebnis erzielt werden kann.
Dieses und andere Ziele und Merkmale der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung in Verbindung mit einer bevorzugten Ausführungsform anhand der beigefügten Zeichnungen deutlich.
Fig. 1 zeigt eine CVD-Apparatur (Apparatur zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase; chemical vapor deposition), wie sie in der Praxis der vorliegenden Erfindung verwendet wird.
Fig. 2 zeigt eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen dem B2H6/SiH4-Verhältnis und dem Produkt μτ für die Elektronen.
Fig. 1 veranschaulicht schematisch eine CVD-Apparatur, die für die Bildung einer Schicht aus amorphem Silicium auf einer Aluminium-Trommel mit Hilfe eines Glimmentladungs- Verfahrens verwendet wird. Die dargestellte Apparatur kann eine solche irgendeiner bekannten Bauweise, wie sie allgemein für die Herstellung einer herkömmlichen photoleitfähigen Schicht verwendet werden, sein und umfaßt eine Reaktionskammer 2, in der die Trommel 1, ein Paar Elektroden 9 und 9′, die innerhalb der Reaktionskammer 2 an den jeweiligen Seiten der Trommel 1 angeordnet sind, ein Analysator-Fenster für das Plasma- Spektrum, eine Hochfrequenz-Spannungsquelle 10, einen Antriebsmotor 4 zum Drehen der Trommel 1, ein an einer Abgas-Leitung angeordnetes Hauptventil 5, eine ebenfalls an der Abgas-Leitung angeordnete Booster-Pumpe 12 für den Mechanismus, eine hydraulische Rotations-Vakuumpumpe 6, ein Leckventil 13, eine Gas-Zuleitung 14, ein an der Gas-Zuleitung angebrachtes Hilfsventil 7 sowie Massen- Durchfluß-Regler 8.
Bei der Bildung einer Schicht aus amorphem Silicium auf einem Substrat mit Hilfe der Glimmentladungstechnik wird die aus Aluminium bestehende Trommel 1 als Substrat verwendet. Nachdem die Oberfläche der Trommel 1 in ausreichendem Maße gereinigt wurde, wird die Trommel 1 auf der Heizquelle 3 im Inneren der Reaktionskammer 2 befestigt. Die Heizquelle 3 ist von solcher Bauart, daß bei Befestigung der Trommel in einer Position im Inneren der Reaktionskammer 2 die Heizquelle 3 innerhalb des Hohlraums der Trommel in der Nähe der inneren Umfangsoberfläche derselben angebracht wird, so daß die Trommel 1 gleichmäßig erhitzt werden kann. Die so befestigte Trommel 1 kann antreibbar mit dem außerhalb der Reaktionskammer 2 angeordneten Antriebsmotor 4 verbunden werden, damit die Trommel gedreht werden kann.
Nach der Befestigung der Trommel 1 in der oben beschriebenen Weise wird das Absaugventil 5 geöffnet, um zu ermöglichen, daß die im Inneren der Reaktionskammer 2 befindliche Luft mit Hilfe der Vakuumpumpe 6 evakuiert wird. Gleichzeitig läßt man zum Erhitzen der Trommel 1 durch die Heizquelle 3 einen elektrischen Strom fließen, so daß sich die äußere Umfangsoberfläche der Trommel 1 auf eine vorherbestimmte Temperatur erhitzen läßt. Danach wird das Hilfsventil 7 geöffnet, um den Zufluß eines Gasgemischs, dessen Mischungsverhältnis mittels der Massen-Durchfluß-Regler 8 auf ein vorbestimmtes Verhältnis reguliert wurde, in die Reaktionskammer 2 zu ermöglichen. Zu diesem Zeitpunkt wird das Absaugventil 5 so eingestellt, daß der Druck im Inneren der Reaktionskammer 2 auf einem vorher festgelegten Wert gehalten wird. Das Gasgemisch besteht aus gasförmigem SiH4 als Grundsubstanz, dem gasförmiges B2H6 zur Einstellung eines vorher gewählten Mischungsverhältnisses zugesetzt wurde.
Nachdem in der Reaktionskammer 2 eine solche Atmosphäre eingestellt wurde, wurde aus der Spannungsquelle 10 eine Hochfrequenzspannung von 13,56 MHz an die Elektroden 9 und 9′ angelegt, wodurch eine Glimmentladung zwischen den Elektroden 9 und 9′ erzeugt wird, um eine Schicht aus amorphem Silicium auf der äußeren Umfangsoberfläche der dann mittels der Heizquelle 3 erhitzten Trommel 1 abzuscheiden.
Die Bedingungen, die zur Bildung der Schicht aus amorphem Silicium nach dem oben beschriebenen Verfahren erforderlich sind, sind in Tabelle 1 zusammengestellt. In Tabelle 1 wurde zu Vergleichszwecken während der Bildung der zweiten, die photoleitfähige Schicht bildenden Teilschicht der B2H6-Strom (5 ppm) in fünf Stufen innerhalb des Bereichs von 6 bis 200 cm3/min unter Standardbedingungen (0°C; 1,013 bar) unterteilt, wodurch die jeweiligen Schichten aus amorphem Silicium gebildet wurden. In den betreffenden fünf Stufen betrug das Verhältnis des B2H6-Durchflusses relativ zum dem SiH4- Durchfluß 10-7, 3,3 × 10-7, 6,7 × 10-7, 10-6 bzw. 3,3 × 10-6. Außerdem wurde zusammen mit der Änderung des B2H6-Durchflusses der H2-Strom so eingestellt, daß der Gesamt-Durchfluß 900 cm3/min unter Standardbedingungen betrug. Es ist anzumerken, daß die erste Teilschicht und die dritte Teilschicht der Schicht aus amorphem Silicium, die in Tabelle 1 aufgeführt sind, eine Unterlage zwischen der Trommel 1 und der photoleitfähigen Schicht bzw. eine Oberflächen-Schutzschicht bilden.
Die auf diese Weise gebildete Schicht aus amorphem Silicium hat eine dreilagige Struktur, wobei die Bedingungen zur Bildung jeder dieser Lagen (Teilschichten) in Tabelle 1 angegeben sind. Während der Bildung der zweiten Lage wurde der Durchfluß des mit Wasserstoff auf 5 ppm verdünnten B2H6-Gases so innerhalb des Bereichs von 6 bis 200 cm3/min unter Standardbedingungen variiert, daß das Verhältnis des B2H6-Stroms zu dem Strom des SiH4- Gases innerhalb des Bereichs von 1 × 10-7 bis 3,3 × 10-6 liegen konnte. Außerdem wurde der H2-Strom so eingestellt, daß der Gesamt-Durchfluß 900 cm3/min unter Standardbedingungen betragen konnte.
Unter Benutzung der auf diese Weise hergestellten Photorezeptor- Trommel wurden Tests zur Bestimmung des Produktes μτ für Elektronen unter Anwendung der Hecht'schen Formel aus der Lichtschwächung entsprechend einem xerographischen Verfahren durchgeführt, deren Ergebnisse in der graphischen Darstellung der Fig. 2 wiedergegeben sind. Wie aus der graphischen Darstellung der Fig. 2 hervorgeht, nimmt das Produkt μτ mit dem Ansteigen des Durchfluß-Verhältnisses B2H6/SiH4 ab.
Außerdem wurde unter Benutzung der so hergestellten Photorezeptor-Trommel eine Probekopie durch positive Aufladung hergestellt, und das Auftreten des Nachbild- Phänomens wurde untersucht. Das Ergebnis dieser Prüfung ist in Tabelle 2 dargestellt. Folgende Bedingungen wurden für die Untersuchung angewandt:
Umfangsgeschwindigkeit der Trommel254,4 cm/s Corona-Strom90 μA Vorspannung164 V Anfangspotential der Oberfläche650 ∼ 500 V
Tabelle 2
Aus Tabelle 2 wird deutlich, daß mit zunehmendem Durchfluß- Verhältnis das Produkt μτ abnimmt und aufgrunddessen das Auftreten der Nachbild-Erscheinung auf ein Minimum gesenkt wird. Wunschgemäße Ergebnisse konnten erzielt werden, wenn das Durchfluß-Verhältnis größer als 3,3 × 10-7 war, und wenn es größer als 6,7 × 10-7 ist, tritt das Nachbild-Phänomen nicht auf.
Auf diese Weise beseitigt die vorliegende Erfindung in wirksamer Weise das durch das Auftreten des Nachbild- Phänomens auf dem photoleitfähigen Material aus amorphem Silicium bedingte Problem.
Das Produkt μτ aus der Mobilität der Elektronen und der Lebensdauer in dem auf diese Weise hergestellten photoleitfähigen Material wurde unter Anwendung der Hecht'schen Formel aus der Lichtschwächung entsprechend einem xerographischen Verfahren durchgeführt, dessen Ergebnis in Fig. 2 dargestellt ist.
Die Berechnung des Produkts μτ wird auf folgende Weise durchgeführt. Nach der Hecht-Formel kann die Zunahme (gain) des lichtelektrischen Stroms durch folgende Gleichung ausgedrückt werden in der Jp den photoelektrischen Strom pro Flächeneinheit bezeichnet, der aufgrund der nachstehenden Gleichung berechnet werden kann, e die Menge der Ladungselemente bezeichnet, Fo die Zahl der Photonen des eingestrahlten Lichts pro Flächeneinheit bezeichnet, E die elektrische Feldstärke bezeichnet, L die Schichtdicke bezeichnet und n die Quantenausbeute bezeichnet.
Hierin bezeichnet ε o die Dielektrizitätskonstante im Vakuum, e bezeichnet die spezifische Dielektrizitätskonstante des amorphen Siliciums, und V bezeichnet das Oberflächenpotential. dV/dt läßt sich bestimmen durch Messung der anfänglichen zeitabhängigen Änderung des Oberflächenpotentials des photoleitfähigen Bauelements. Dementsprechend lassen sich aus den Gleichungen (1) und (2) n und μτ durch Anwendung der Methode der kleinsten Quadrate bestimmen.
Die Produkte μτ sind jeweils repräsentativ für das Verhältnis des B2H6-Stroms relativ zu dem SiH4-Strom, und die Ergebnisse der Auswertung der Probekopien, die durch Herstellung entsprechender Kopien unter Benutzung von Photorezeptor-Trommeln mit jeweils verschiedenen photoleitfähigen Schichten aus amorphem Silicium hergestellt worden waren, sind in Tabelle 2 aufgestellt. Wie Tabelle 2 verdeutlicht, zeigt die photoleitfähige Schicht mit einem Durchfluß-Verhältnis von 10-7 das Phänomen eines scharf auftretenden Nachbildes, die photoleitfähige Schicht mit einem Durchfluß-Verhältnis von 3,3 × 10-7 zeigt ein schwach auftretendes Nachbild, und die photoleitfähigen Schichten, bei denen das Durchfluß- Verhältnis gleich 6,7 × 10-7 oder größer war, zeigten keinerlei Nachbild. Dementsprechend läßt sich das Nachbild-Phänomen dann in wirksamer Weise vermeiden, wenn das Produkt μτ für Elektronen gleich 10-8 oder kleiner ist, und wenn das Produkt μτ gleich 2,9 × 10-9 oder kleiner ist, tritt überhaupt kein Nachbild auf. Aus den oben angegebenen Gründen bewirkt die Regulierung des Verhältnisses des B2H6-Stroms relativ zu dem SiH4- Strom auf einen Wert von etwa 3,3 × 10-7 oder größer, daß das Produkt μτ für Elektronen gleich oder kleiner als 10-8 cm2/V ist, wodurch das photoleitfähige Bauelement hoher Güte, das frei von auftretenden Nachbildern ist, erhalten werden kann.

Claims (2)

1. Verfahren zur Herstellung eines photoleitfähigen Bauelements mit einer Schicht aus amorphem Silicium auf einem Substrat, dadurch gekennzeichnet, daß beim Bilden der Schicht aus amorphem Silicium auf dem Substrat das Verhältnis des Gasstroms von B2H6 relativ zu dem Gasstrom von SiH4 in einer Reaktionskammer, in der eine Glimmentladung stattfindet, auf einen solchen Wert geregelt wird, daß das Produkt μτ aus der Beweglichkeit μ der Elektronen multipliziert mit deren Lebensdauer τ gleich oder kleiner als 10-8 cm2/V wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß beim Bilden der Schicht aus amorphem Silicium das B2H6/SiH4-Durchfluß-Verhältnis auf einem Wert gleich oder größer als 3,3 × 10-7 gehalten wird.
DE19863638200 1985-11-11 1986-11-08 Verfahren zur herstellung photoleitfaehiger bauelemente Granted DE3638200A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60253598A JPS62112166A (ja) 1985-11-11 1985-11-11 光導電性感光体の製造方法
JP60270311A JPS62130276A (ja) 1985-11-29 1985-11-29 光導電体の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3638200A1 true DE3638200A1 (de) 1987-05-14
DE3638200C2 DE3638200C2 (de) 1991-02-21

Family

ID=26541283

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19863638200 Granted DE3638200A1 (de) 1985-11-11 1986-11-08 Verfahren zur herstellung photoleitfaehiger bauelemente

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE3638200A1 (de)
FR (1) FR2590077A1 (de)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3321135A1 (de) * 1982-06-12 1983-12-15 Konishiroku Photo Industry Co., Ltd., Tokyo Elektrostatographisches aufzeichnungsmaterial
DE3340568A1 (de) * 1983-01-26 1984-07-26 Tokyo Shibaura Denki K.K., Kawasaki Halbleiteranordnung
DE3407643A1 (de) * 1983-03-01 1984-09-06 Masataka Hiroshima Hirose Verfahren zur herstellung eines amorphen siliziumfilms
DE3506657A1 (de) * 1984-02-28 1985-09-05 Sharp K.K., Osaka Photoleitfaehige vorrichtung
DE2855718C2 (de) * 1977-12-22 1990-02-15 Canon K.K., Tokio/Tokyo, Jp

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2855718C2 (de) * 1977-12-22 1990-02-15 Canon K.K., Tokio/Tokyo, Jp
DE3321135A1 (de) * 1982-06-12 1983-12-15 Konishiroku Photo Industry Co., Ltd., Tokyo Elektrostatographisches aufzeichnungsmaterial
DE3340568A1 (de) * 1983-01-26 1984-07-26 Tokyo Shibaura Denki K.K., Kawasaki Halbleiteranordnung
DE3407643A1 (de) * 1983-03-01 1984-09-06 Masataka Hiroshima Hirose Verfahren zur herstellung eines amorphen siliziumfilms
DE3506657A1 (de) * 1984-02-28 1985-09-05 Sharp K.K., Osaka Photoleitfaehige vorrichtung

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
GB-Z.: R.A. Street, J. Zesch, Time-of-flight Photocon ductivity in a-SiH, J. of Non-CrystallineSolids, 1983, S. 449-452 *

Also Published As

Publication number Publication date
DE3638200C2 (de) 1991-02-21
FR2590077A1 (fr) 1987-05-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3311462C2 (de)
DE2954552C2 (de)
DE3247526C2 (de) Lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial
DE3116798A1 (de) Photoleitendes element
DE3143764A1 (de) Photoleitfaehiges element
DE3304198C2 (de)
DE3152399A1 (en) Photoconductive member
DE3212184C2 (de)
DE3211081C2 (de)
DE3209055C2 (de)
DE3546544C2 (de)
DE3621196C2 (de)
DE3303700C2 (de)
DE3321648A1 (de) Photorezeptor
DE3418596C2 (de)
DE3412184C2 (de)
DE1932353B2 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines ladungsbildes auf einem elektrofotografischen aufzeichnungsmaterial
DE2951453A1 (de) Verfahren zur erzeugung eines films unter anwendung von glimmentladung
DE3433507A1 (de) Fotoleitfaehiges aufzeichnungselement
DE3216043C2 (de) Elektrophotographisches Aufzeichungsmaterial
DE3638200A1 (de) Verfahren zur herstellung photoleitfaehiger bauelemente
DE3412267C2 (de)
DE69604659T2 (de) Verringerung von restpotential und geisterbildformung in einem photoleiter
DE3346043C2 (de)
DE3340568C2 (de) Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8363 Opposition against the patent
8330 Complete disclaimer