DE3612823A1 - Schaltungsanordnung zur speisung elektrisch loesch- und programmierbarer nichtfluechtiger speicher in fernsprechendgeraeten - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruches 1.

Es ist bekannt, elektronische Wählorgane von Fern­ sprechendgeräten mit Speisespannungen über die Anschluß­ leitungen zu versorgen. Zu diesem Zweck werden bei­ spielsweise Speicherkondensatoren verwendet (DE-OS 29 27 474, DE-OS 35 12 327).

Weiterhin ist bekannt, mittels elektronischer Steuer­ einrichtungen, die Transistoren leitend steuern oder sperren, Leitungsunterbrechungen zur Impulsgabe zu erzeugen (DE-PS 24 62 048).

Um z. B. Wahlwiederholungen zu gewährleisten und Rufnummern zu speichern, ist ferner bekannt, hoch­ integrierte Schaltkreise zu verwenden, die über Speicherkondensatoren ihre Energie bei Schleifen­ unterbrechung erhalten (DE-OS 30 28 841).

Für die Verwendung handelsüblicher, elektrisch lösch- und programmierbarer nichtflüchtiger Speicher, z. B. für Wahlwiederholungen, sind Speicherkonden­ satoren nicht erforderlich. Diese nichtflüchtigen Speicher weisen jedoch den Mangel eines relativ hohen Spannungs- und Strombedarfes und einer begrenzten Schreibzyklenzahl auf.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, für Fernsprech­ endgeräte eine Schaltungsanordnung zu schaffen, die trotz der mangelnden Eigenschaften der elektrisch lösch- und programmierbaren Speicher deren Einsatz in leitungsgespeisten Fernsprechendgeräten gestattet.

Diese Aufgabe ist durch die Erfindung gelöst, wie sie im Kennzeichnungsteil des ersten Patentanspruches dargelegt ist. Weitere vorteilhafte Ausbildungen sind Gegenstand der Unteransprüche.

Anhand der Schaltungsanordnung wird die Erfindung nachfolgend näher erläutert.

Elektrisch lösch- und programmierbare nichtflüchtige Speicher, bekannt unter der Bezeichnung "elektrically erasable programmable read only emory", EEPROM, nachfolgend als Speicher (EEP) bezeichnet, benötigen typisch 1 bis 10 mA Strom für den Schreibzyklus bei einer relativ hohen Spannung von etwa 5 V. Die Speisung für einen solchen Speicher (EEP) wird erfindungsgemäß nur im Wahlzustand angelegt. Das heißt, eine Schleifen­ bildung zur Speisung ist nur während der Zwischen­ wahlzeit, also während der Zeit zwischen zwei Impuls­ serien, und während der Pausen innerhalb einer Impuls­ serie vorhanden. Da der Speicher (EEP), wie eingangs erwähnt, einen relativ hohen Spannungsbedarf hat, wird die Speisung direkt hinter dem Verpolungsschutz (VS), vorzugsweise einer Diodenbrücke abgegriffen. Über den Parallelspannungsregler, bestehend aus einem ersten Transistor (T 1) und einem zweiten Tran­ sistor (T 2), der durch eine hochgenaue Referenz (J 1), einer Bandgap-Spannungsregler-Diode gesteuert ist, wird der Spannungsbedarf des Speichers (EEP) gewährleistet. Dabei ist die Referenz (J 1) direkt zwischen dem negativen Pol des Verpolungsschutzes (VS) und dem Emitter des zweiten Transistors (T 2) des Spannungsreglers geschaltet.

Der Parallelspannungsregler (T 1, T 2) sichert während des Wahlzustandes den Spannungsbedarf des Speichers (EEP). Es sind Speicher verwendbar, deren Strombedarf bis zur Höhe des minimalen Schleifenstromes reichen, z. B. bis zu 20 mA. Der Parallelspannungsregler (T 1, T 2) übernimmt dann jeweils die Stromdifferenz zwischen Schleifenstrom und Stromverbrauch des Speichers (EEP).

Über einen Mikrorechner (MC) wird in bekannter Weise die Wahlausgabe, von der Tastatur (TW) elektronisch gesteuert, ausgelöst. Der Mikrorechner (MC) steuert ebenfalls den elektronischen Nummernschalter- Arbeitskontakt (NSA) in gewohnter Weise derart, daß dieser im Wählzustand geöffnet und im Sprech­ zustand der Schaltungsanordnung geschlossen ist.

Die Schaltungsanordnung aus dem Parallelspannungs­ regler (T 1, T 2) mit der vorgeschalteten Referenz (J 1 ) wird außerdem als Nummernschalter-Impulskontakt verwendet. Sie erzeugt ferner den im Wahlzustand geforderten Abschlußwiderstand der Leitung, z. B. kleiner 325 Ohm bei einem Stromfluß von 20 mA.

Zum Schutz des Parallelspannungsreglers (T 1, T 2) gegen Überspannungen ist der erste Transistor (T 1) mittels zweier Dioden an der Basis und eines Emitter­ widerstandes als Stromsenke ausgelegt. Eine Diode und der Emitterwiderstand sind an den positiven Pol des Verpolungsschutzes (VS) geschaltet.

Der Speicher (EEP) wird durch einen Schalter, bestehend aus einem dritten und einem vierten Tran­ sitor (T 3, T 4), und dem Mikrorechner (MC) gesteuert. Der dritte Transistor (T 3) des Schalters ist ebenfalls als Stromsenke mittels zweier Dioden und eines Emitter­ widerstandes ausgelegt, um den Speicher (EEP) bei Überspannungen zu schützen.

Da nichtflüchtige Speicher des eingangs beschriebenen Types eine begrenzte Schreibzyklenzahl aufweisen, z. B. größer 10⁴ Schreibzyklen, sind besondere Maß­ nahmen zur Gewährleistung des Datenerhaltes über eine Zeitspanne von mehreren Jahren zu treffen. Eine Erweiterung der Schreibzyklenzahl wird auf einfache Weise dadurch erzielt, daß nichtflüchtige Speicher mit einer wesentlich größeren Speicher­ kapazität als für den Anwendungsfall erforderlich, verwendet werden. In diesen Speichern werden für häufig wechselnde Daten, wie z. B. die Wahlwiederholung, nicht ständig identische Speicherzellen benutzt, sondern der gesamte Speicher wird zyklisch nach und nach vollgeschrieben. Damit ergibt sich je nach der Speicher-Übergröße ein Vielfaches der garantierten Schreibzyklen je Speicherzelle.

Claims (7)

1. Schaltungsanordnung zur Speisung elektrisch lösch- und programmierbarer nichtflüchtiger Speicher in über die Anschlußleitungen mit Energie ver­ sorgten Fernsprechendgeräten, dadurch gekenn­ zeichnet, daß ein aus zwei Transistoren (T 1, T 2) gebildeter Parallelspannungsregler, der von einer Referenz (J 1) gesteuert ist, unmittelbar nach dem Verpolungsschutz des Speichers (EEP) zur Energieversorgung zwischen die Leitungsadern (A, B) geschaltet ist, ein ebenfalls aus zwei Transistoren (T 3, T 4) bestehender Schalter in Verbindung mit einem Mikrorechner (MC) nur während des Wahlzustandes die Speisespannung des Parallel­ spannungsreglers an den Speicher (EEP) legt und daß als nichtflüchtiger Speicher (EEP) ein handels­ üblicher Speicher eingesetzt wird, der eine wesentlich höhere Speicherkapazität als für den Anwendungsfall erforderlich ist, aufweist.

2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Transistor (T 1) des Parallelspannungsreglers bei Überspannungen als Stromsenke über zwei Basisdioden und einen Emitterwiderstand an den positiven Pol des Ver­ polungsschutzes (VS) geschaltet ist.

3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Referenz (J 1) eine Bandgap- Spannungsregler-Diode dient.

4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Referenz (J 1) direkt zwischen dem negativen Pol des Verpolungsschutzes (VS) und dem Emitter des zweiten Transistors (T 2) des Parallelspannungsreglers geschaltet ist.

5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Parallelspannungsregler (T 1, T 2) als elektronischer Nummernschalt- Impulskontakt verwendet wird.

6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der dritte Transistor (T 3) des Schalters (T 3, T 4) des Speichers (EEP) als Stromsenke bei Überspannungen mittels zweier Basisdioden und eines Emitterwiderstandes ausgelegt ist.

7. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zum Erreichen einer hohen Schreibzyklenzahl und des Datenerhaltes über lange Zeitabschnitte sämtliche Speicherzellen des Speichers (EEP) zyklisch nach und nach voll­ geschrieben werden.