DE3523808C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Löten
gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 und auf die Ver
wendung dieses Verfahrens.
Lotmaterial, das als Hauptbestandteile Blei und Zinn auf
weist, wird auf vielen technischen Gebieten, insbesondere
in der Elektronikindustrie, in großem Umfang zum elektri
schen, thermischen oder mechanischen Verbinden von Teilen
aus unterschiedlichen Werkstoffen mit jeweils verschiedenen
Wärmedehnzahlen eingesetzt.
Nachstehend werden zuerst einige typische Beispiele von be
kannten Verbindungen beschrieben.
- 1. Die US-PS 34 29 040 zeigt eine bevorzugte Art des mecha nischen und elektrischen Verbindens eines Halbleitersubstrats mit einer Leiterbahn auf einem dielektrischen Träger durch Aufschmelzlöten, wobei die Oberflächenspannung des Verbindungswerkstoffes in der Schmelzphase genügend groß ist, um das Halbleitersubstrat und den Träger in einem Abstand zueinander zu halten. Dabei wird eine Lotzusammensetzung mit ca. 5-40 Gew.-% Zinn und ca. 95-60 Gew-% Blei als Verbindungs werkstoff eingesetzt.
- 2. In dem Artikel "Thermal Fatigue Failure of Soft-Soldered Contacts to Silicon Power Transistors" von S. K. Kang et al. in IEEE Trans. on Parts, Huybrids and Packaging, PHP-13, S. 318 (1977), ist eine Formkontaktiervorrichtung angegeben, wobei ein Siliciumsubstrat auf einem Kupferblech, einem Stahlblech silberverlötet ist, durch Einsatz eines Lots auf Bleibasis (95% Pb - 5% Sn) befestigt wird.
- 3. In der JP-Offenlegungsschrift 1 30 285/1977 ist eine Formkontaktiervorrichtung angegeben, wobei ein Halbleiterchip, der auf seiner Kontaktierungsfläche einen Nickelfilm trägt, mit einem metallischen Trägerkörper durch Verwendung eines Lots verbunden wird, das 1,0-2,0 Gew.-% Silber, 1,5-4,5 Gew.-% Zinn und 93,5-97,5 Gew.-% Blei aufweist.
- 4. In dem Artikel "Temperature Cycling of HIC Thin-Film Solder Connections" von H. N. Keller in IEEE Trans. on Com ponents, Hybrids, and Manufacture Technology, CHMT-4, S. 132 (1981), ist ein Halbleiterbauteil angegeben, wobei metallische Anschlußpunkte mit einer Keramikplatte für einen Hybridschalt kreis einstückig verbunden werden durch Lot, das aus 60 Gew.-% Zinn und 40 Gew.-% Blei besteht.
- 5. Der Artikel "Mechanical Design of Chip Comonents for "Flip" and Short Beam-Lead Mounting" von D. Boswell in Solid State Technology, Juli, S. 54 (1970), zeigt ein Lötgefüge, bei dem ein Kondensator mit zwei Anschlüssen mit einer Verdrahtung auf einem Aluminumoxidsubstrat durch ein Lot aus 60 Gew.-% Zinn und 40 Gew.-% Blei verbunden ist.
- 6. Die JP-Offenlegungsschrift 39 047/1983 zeigt eine Halbleitervorrichtung, bei der auf einen organischen Film aufgebrachte Metallfolienanschlußpunkte einstückig mit auf einem Halbleitersubstrat ausgebildeten Elektroden mit feinem Ohmschen Kontakt mit Hilfe eines Lots verbunden sind, das eine solche Zusammensetzung aufweist, daß das Atomverhältnis von Blei zu Zin nach der die Verbindung bewirkenden Wärmebehandlung 99,5/0,5 bis 70/30 ist.
- 7. Der Artikel "Solder for Semiconductor Assembly" von Arino et al. in Electronics Technology, Bd. 23, Nr. 7, S. 88 (1981), gibt die Zusammensetzungen und Schmelztempe raturen verschiedener Lotmaterialien mit Blei und Zinn als Hauptkomponenten an. Ferner wird dort der Einsatz von Lotmaterial bei Halbleiterbaugruppen angegeben, wobei das Lot aus 50 Gew.-% Pb und 50 Gew.-% Sn oder 30 Gew.-% Pb und 70 Gew.-% Sn besteht.
- 8. DIN 1707, Febr. 1981 beschreibt Sn-Pb-Lote mit einem Sn-Anteil von 1,5 bis 90,5 Gew.-%.
Die Gründe für die Verwendung von Blei-Zinn-Lot in der
Elektronikindustrie sind folgende:
- 1. Blei und Zinn sind relativ billig, die Legierungsbildung und Behandlung sind einfach und damit kostengünstig.
- 2. Der Schmelzpunkt des Lots liegt zwischen 183 und 327°C und ist niedriger als der Schmelzpunkt anderer metallischer Lotmaterialien vom Silber-, Gold- und Aluminiumtyp, und das Löten kann ohne eine durch Temperaturanstieg eintretende Beschädigung von Randteilen nahe der Verbindungsstelle erfolgen.
- 3. Blei-Zinn-Lot ist weich und sehr gut plastisch verformbar gegenüber anderen metallischen Lotmaterialien, so daß es als tragendes Element für die Aufnahme von thermischen Beanspru chungen besser geeignet ist.
Von den Lotmaterialien auf Blei-Zinn-Basis werden jedoch ein
Lot auf Bleibasis mit typischerweise 95 Ge.-% Blei und
5 Ge.-% Zinn sowie ein eutektisches Lot mit typischweise
40 Gew.-% Blei und 60 Ge.-% Zinn am meisten angewandt. Ins
besondere sind die Zusammensetzungen von Feinlot für Bauele
mente, bei denen ein Halbleiterchip und ein dielektrisches
Substrat elektrisch und mechanisch unter Anwendung einer
großen Anzahl Feinlotstellen miteinander verbunden werden, auf
das Lot auf Bleibasis sowie das eutektische Lot beschränkt,
und zwar aus folgenden Gründen.
Aus dem Zweistofflegierungs-Diagramm in dem Buch
"Constitution of Binary Alloy" von Max Hansen, S. 1106-1108
McGraw-Hill Book Company (1958), ist klar ersichtlich, daß in
dem Lot auf Bleibasis der Anteil einer α-Festlösung,
die weich und in
einem Beanspruchungsfeld in hohem Maß plastisch verformbar
ist, überwältigend größer als der Anteil einer β-Festlösung
ist, die
hart und nur unter Schwierigkeiten plastisch verformbar ist.
Somit beseht die Wahrscheinlichkeit, daß das Lotmaterial
insgesamt plastisch verformt wird, und es wurde bisher ange
nommen, daß diese Lotmaterialien auf Bleibasis in bezug auf
die Absorption von thermischen Beanspruchungen, die sich durch
die unterschiedlichen Wärmedehnzahlen der beiden zu verbin
denden Teile (etwa eines Halbleiterchips und eines dielektri
schen Substrats) ergeben, sowie hinsichtlich der Aufrechter
haltung des elektrischen und mechanischen Betriebsverhaltens
der Verbindungsstelle vorteilhafter sind.
Ferner ist aus dem vorgenannten Diagramm ebenfalls ersicht
lich, daß die Zusammensetzung eines eutektischen Lots nahe
einer eutektischen Zusammensetzung (37 Gew.-% Blei- 63 Gew.-%
Zinn) liegt und ein aus feinen Körnern bestehendes eutekti
sches Gefüge der α-Festlösung und der β-Festlösung aufweist.
Da das eutektische Lot aus feinen Kristallkörpern besteht,
besteht in diesem Fall die Wahrscheinlichkeit der plastischen
Verformung aufgrund des Gleitens der Korngrenzen und von Dif
fusionskreisen, und es tritt ein superplastisches Verhalten
auf, wie es z. B. in dem Artikel "Superplasticity in Lead-Tin
Alloys" von S. W. Zehr und W. A. Backofen in Transaction of the
ASM, Bd. 61, S. 300 (1968), beschrieben ist. Deshalb wurde bisher
angenommen, daß die eutektischen Lotmaterialien, hinsichtlich
der Aufnahme von thermischen Beanspruchungen, die aus den un
terschiedlichen Wärmedehnzahlen der beiden zu verbindenden
Teile resultieren, sowie im Hinblick auf die Aufrechterhaltung
des elektrischen, thermischen und mechanischen Betriebsver
haltens der Verbindungsstelle vorteilhaft sind.
Die oben genannten Veröffentlichungen (1) bis (6) beschreiben
auch die Verwendung von Lotmaterialien auf Bleibasis oder von
eutektischen Lotmaterialien. Andererseits geben die Veröffent
lichungen (1) und (7) an, daß Lotmaterialien verwendet werden
können, deren Zusammensetzung sich von derjenigen der Lot
materialien auf Bleibasis und der eutektischen Lotmaterialien
unterscheidet. Dabei ist in (1) eine Lotzusammensetzung mit
40 Ge.-% Zinn und 60 Gew.-% Blei angegeben, während in (7)
eine Lotzusammensetzung mit 50 Gew.-% Blei und 50 Gew.-% Zinn
oder 30 Gew.-% Blei und 70 Gew.-% Zinn angegeben ist. Es wird
jedoch angenommen, daß die Lotmaterialien, deren Zusammen
setzungen sich von den Lotmaterialien auf Bleibasis und den
eutektischen Lotmaterialien unterscheiden, eine geringere
Zuverlässigkeit haben, und es ist bisher üblich, den Einsatz
solcher Lotmaterialien zu vermeiden.
Das heißt mit anderen Worten, daß bei den Lotmaterialien,
deren Zusammensetzung außerhalb der Zusammensetzungsbereiche
des Lots auf Bleibasis und des eutektischen Lots liegt,
folgendes Problem auftritt.
Bei einer Lotzusammensetzung mit z. B. 60 Gew.-% Blei und
40 Gew.-% Zinn oder 50 Gew.-% Blei und 50 Gew.-% Zinn nimmt
der Anteil der α-Festlösung als Primärkristall ab, und in den
Korngrenzen zwischen den α-Festlösungen existiert ein eutek
tisches Gefüge, wodurch die Verformbarkeit der Korngrenzen
verringert wird.
Das heißt mit anderen Worten, daß die als Sn-Pb-System aus
gelegten Lotmaterialien, deren Zusammensetzung außerhalb des
Zusammensetzungsbereichs der Lotmaterialien auf Bleibasis oder
der eutektischen Lotmaterialien liegt, nur dazu einsetzbar
sind, Teile aus unterschiedlichen Werkstoffen metallurgisch zu
verbinden oder elektrisch zu verbin
den, wie dies in (1) und (7) angegeben ist. Es wurde jedoch
bisher angenommen, daß diese Lotmaterialien sich nicht dazu
eignen, Ausfallerscheinungen, wie sie durch
Beanspruchungen oder Spannungen an der Verbindungs
stelle auftreten, und
Ermüdungserscheinungen, wie sie durch die Temperaturwech
selbeanspruchung eines aus verschiedenen Werkstoffen bestehenden
Verbindungskörpers im praktischen Betrieb auftreten, so daß
diese funktionsunfähig werden, zu reduzieren. Ferner wurde
bisher bei der Verwendung von Lotmaterialien, die nicht den
Zusammensetzungen der Lotmaterialien auf Bleibasis bzw. der
eutektischen Lotmaterialien entsprechen, nicht ausreichend
untersucht, ob ein Verbindungsverfahren mit dem Ziel der Ver
besserung der Zuverlässigkeit möglich ist, so daß bisher
kein industrielles Lötverfahren mit solchen Lotmaterialien entwickelt wurde.
Ferner wurde bisher nicht geklärt, wie die
Wärmeermüdungs-Beständigkeit der Verbindungsstelle
durch die Abkühlgeschwindigkeit des Lots nach dem Schmelzen
beeinflußt wird. Es wurde bisher nicht versucht, die Ab
kühlgeschwindigkeit der geschmolzenen Sn-Pb-Lotmaterialien
zu kontrollieren, um eine befriedigende Wärmeermüdungs-
Beständigkeit der Verbindungsstelle zu erzielen.
Aufgabe der Erfindung ist es ein Lötver
fahren der eingangs genannten Art anzugeben, mit dem die Wärme
ermüdungs-Beständigkeit der Verbindungsstelle von Teilen einer
elektronischen Anordnung aus unterschiedlichen Werkstoffen mit unterschiedlichen
Wärmeausdehnungskoeffizienten verbessert wird.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch das kennzeichnende
Merkmal des Patentanspruchs 1 gelöst.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den
Ansprüchen 2 bis 4 gekennzeichnet.
Gegenstand der Erfindung sind außerdem die Verwendungen
des erfindungsgemäßen Verfahrens gemäß den Patentansprüchen 5
bis 8.
Die mit dem erfindungsgemäßen Verfahren erhaltene
Verbindungsstelle des Verbindungskörpers weist ein Metallge
füge auf, in dem das eutektische Gefüge mit relativ großen
Korngrößen relativ große α-Primärkristalle umfaßt.
Es besteht keine Beschränkung hinsichtlich der Dif
ferenz der Wärmedehnzahlen der zu verbindenden Teile aus un
terschiedlichen Werkstoffen, denn wenn eine solche Differenz
vorhanden ist, kann eine daraus resultierende Wärmeermüdung
entweder eliminiert oder mindestens reduziert werden. Zum Beispiel
haben durchgeführte Versuche gezeigt, daß eine erhebliche
Verbesserung der Wärmeermüdungs-Beständigkeit erzielt wird, wenn
das Verfahren gemäß der Erfindung eingesetzt wird, um Invar
(eine Legierung aus Fe - 36 Gew.-% Ni) mit einer Wärmedehnzahl
von 0,5 × 10-6/°C mit Messing zu verbinden, dessen Wärmedehn
zahl 20 × 10-6/°C ist.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden anhand der Zeichnung näher
erläutert. Es zeigt
Fig. 1 eine Schnittdarstellung eines Verbindungskörpers, hergestellt
gemäß eines Ausfhrungsbeispiels der Erfindung;
Fig. 2 ein Diagramm, das die Beziehung zwischen dem
Zinngehalt des Lötmittels in dem Verbindungskör
per nach Fig. 1 und der Wärmeermüdung der Ver
bindungsstelle zeigt;
Fig. 3 eine Schnittdarstellung eines Verbindungskörpers, hergestellt
gemäß eines weiteren Ausführungsbeispiels der Erfin
dung;
Fig. 4 ein Diagramm, das die Beziehung zwischen dem
Zinngehalt im Lötmittel des Verbindungskörpers
nach Fig. 3 und der Scherfestigkeit der Verbin
dungsstelle zeigt;
Fig. 5 ein Diagramm, das die Abkühlgeschwindigkeit des
Lötmittels in dem Verbindungskörper nach Fig. 3
und die Scherfestigkeit der Verbindungsstelle
zeigt;
Fig. 6a und 6b Schliffbilder, die das Metallgefüge der Verbin
dungsstelle des Verbindungskörpers, das
mit dem Lötverfahren nach der Erfindung erhalten
wird
bzw. das Metallgefüge der Verbin
dungsstelle des Verbindungskörpers zeigen, wenn
die Abkühlgeschwindigkeit höher als bei dem Ver
fahren nach der Erfindung ist;
Fig. 7 eine Schnittdarstellung eines Verbindungskörpers, hergestellt
gemäß eines weiteren Ausführungsbeispiels der Erfin
dung;
Fig. 8 ein Diagramm, das die Beziehung zwischen dem
Zinngehalt im Lötmittel des Verbindungskörpers
nach Fig. 7 und der Wärmeermüdung der Verbin
dungsstelle zeigt;
Fig. 9 eine Schnittdarstellung von Verbindungskörpern, hergestellt
gemäß weiteren Ausführungsbeispielen der Erfindung;
Fig. 10a bis 10d Schnittdarstellungen, die das Herstellungsver
fahren der Verbindungskörper nach Fig. 9 veran
schaulichen;
Fig. 11 ein Diagramm, das die Beziehung zwischen der
Temperatur des geschmolzenen Lots und der Abtra
gungstiefe von Kupfer durch das Lot zeigt; und
Fig. 12 ein Diagramm, das die Beziehung zwischen dem
Zinngehalt in den Verbindungskörpern nach Fig. 9
und der Wärmeermüdung zeigt.
Fig. 1 zeigt im Schnitt einen Verbindungskörper
und Fig. 2 zeigt die Beziehung zwischen dem
Zinngehalt der Verbindungsstelle des Verbindungskörpers und
der Wärmeermüdung.
Der Verbindungskörper nach Fig. 1 wird erhalten, indem ein
Siliciumsubstrat 3, das eine Dicke von 250 µm hat und sowohl
in Längs- wie auch in Querrichtung 13 mm breit ist, auf eine
Trägerplatte 2 aus vernickeltem Kupferblech mit einer Dicke
von 3 mm, einer Länge von 27 mm und einer Breite von 47 mm
unter Zwischenfügung eines 100 µm dicken Lotfilms 1 gelegt wird.
Die Anordnung wird in einer Wasserstoffatmosphäre unter Schmelzen der
Lotschicht erhitzt und das geschmolzene Lot anschließ
end mit einer Abkühlgeschwindigkeit von 40 ±10°C/min abge
kühlt, bis das Lot vollständig erstarrt ist.
Wenn Chrom, Nickel und Silber dem Lot zugeführt werden, werden diese Metalle nacheinander durch Aufdampfen
auf die Verbindungsfläche des Siliciumsubstrats 3 in Dicken
von 0,1 µm bzw. 0,6 µm bzw. 2 µm aufgebracht, so daß eine
Metallisierung durch Mehrschichtaufdampfen erfolgt. Die ein
gesetzten Lotfilme sind Legierungen innerhalb des Zusammen
setzungsbereichs von 35-59 Gew.-% Zinn, Rest im wesentlichen
Blei.
Die Wärmebehand
lung bei dem vorstehend angegebenen Verfahren wird so gere
gelt, daß die höchste erreichte Temperatur um ca. 50°C höher
als die Liquidustemperatur des Lots ist, und die Temperatur
wird auf diesem Pegel für ca. 5 min gehalten. Die höchste
erreichte Temperatur sollte so gewählt sein, daß die metallur
gische Verbindung zwischen dem Lot und den zu verbindenden
Teilen vollständig ist und daß eventuelle Nachteile, die sich
aus dem Vermischen der Bestandteile der zu verbindenden Teile
in das geschmolzene Lot ergeben, vermieden werden.
Das Diagramm von Fig. 2 zeigt die Abhängigkeit der Wärmeer
müdungs-Lebensdauer der Verbindungsstelle (d. h. der Lot
schicht 1) des Verbindungskörpers aus einem Siliciumsubstrat
3 (mit einer Wärmedehnzahl von 3,5 × 10-6/°C) und einer Kup
fertragplatte 2 (mit eine Wärmedehnzahl von 16,5 × 10-6/°C)
vom Zinngehalt. Die Wärmeermüdungs-Lebensdauerwerte
beinhalten die
mittlere Lebensdauer, wenn die "Lebensdauer" als die Anzahl
Wiederholungen definiert ist, bei denen der Wärmewiderstand,
der sequentiell durch einen wiederholten Temperaturwechsel von
-55°C bis +150°C in einem Zyklus pro Stunde
auf den Verbindungskörper
wirkt, das 1,5fache des Anfangswerts erreicht; dabei werden
die Lebensdauerwerte von zehn Proben in konventioneller Weise
in ein Weibull-Diagramm eingetragen, und die mittlere Lebens
dauer wird aus der resultierenden Kurve bestimmt.
Gemäß Fig. 2 weist die Wärmeermüdungs-Lebensdauer des Ver
bindungskörpers, der durch Lötverbinden des Siliciumsubstrats
3 mit der Kupfertragplatte 2 entstanden ist, eine deutliche
Zusammensetzung-Abhängigkeit auf und zeigt eine Lebensdauer-
Charakteristik mit lokalem Höchstwert, wenn die Zinnkon
zentration in der Lotschicht 1 50 Gew.-% beträgt. Wenn das
Lotmaterial mit dem Zusammensetzungsbereich des oben beschrie
benen Ausführungsbeispiels eingesetzt wird, wird ein Lebensdauer
wert von wenigstens 500 erhalten.
Fig. 2 zeigt ferner vergleichsweise die Wärmeerüdungslebensdauer
der Verbindungskörper, die
durch Einsatz von Lötmitteln erhalten werden, deren Zusammen
setzung außerhalb des Zusammensetzungsbereichs des Ausfüh
rungsbeispiels liegt, wobei das geschmolzene Lot mit einer Abkühl
geschwindigkeit von 40 ± 10°C/min in der gleichen Weise wie
oben abgekühlt wird. Wie aus dem Vergleich dieser Referenz-
Körper mit denjenigen, deren Zusammensetzung dem Ausführungs
beispiel entspricht, hervorgeht, ist die Grenze der Lebens
dauer der Referenz-Körper im
Vergleich mit den Verbindungskörpern, die unter Einsatz der
Lötmittel auf Bleibasis und der eutektischen Lötmittel gebil
det wurden, die bisher in großem Umfang zum Verbinden von
Teilen aus verschiedenen Werkstoffen eingesetzt wurden bei einer geringeren Anzahl
von Temperaturwechselbeanspruchungen erreicht.
Bis jetzt sind die Gründe für die Ab
hängigkeit der Lebensdauer von der Zusammensetzung und die
Frage, warum beim erfindungsgemäßen Verfahren die
bevorzugten Lebensdauer-Eigenschaften auftreten, nicht voll
ständig geklärt. Aufgrund der Ergebnisse von durchgeführten
Untersuchungen wird der nachstehend unter Bezugnahme auf das
zweite Ausführungsbeispiel erläuterte Mechanismus angenommen.
Fig. 3 zeigt die Schnittansicht des bei diesem Ausführungsbeispiel
gebildeten Verbindungskörpers und Fig. 4 die Beziehung
zwischen dem Zinngehalt der Verbindungsstelle des Verbindungs
körpers und deren Scherfestigkeit.
Der Verbindungskörper nach Fig. 3 wird erhalten, indem ein
pastöses Gemisch aus einem Kolophonium-Flußmittel und Löt
pulver zwischen ein Anschlußelement 5 aus Messing und ein
Aluminiumoxidsubstrat 4 gebracht wird, wonach Erhitzung in
Luft erfolgt, um das Lötpulver zu schmelzen, die Temperatur um
ca. 50°C höher als die Liquidustemperatur des Lötmaterials
gehalten wird und dann das geschmolzene Lot mit einer Abkühl
geschwindigkeit von 60 ± 10°C/min abgekühlt wird, bis
das geschmolzene Lot vollständig erstarrt ist. Das
Messing-Anschlußelement 5 wird durch Vernickeln eines 0,25 mm
dicken, 1 mm breiten und 13 mm langen Messingblechs mit einer
Vernickelungsschicht von 3 µm erzeugt und hat eine Wärmedehn
zahl von 20 × 10-6/°C. Das Aluminumoxidsubstrat 4 wird für
Hybridschaltkreise eingesetzt und ist 0,6 mm dick, 15 m breit
und 30 mm lang. Das Aluminiumoxidsubstrat hat eine Wärmedehn
zahl von 7,5 × 10-6/°C, und auf seinem Verbindungsabschnitt
ist eine Anschlußfläche (1 mm breit und 1,5 mm lang) mit einer
Vernickelungsschicht von ca. 3 µm Dicke auf einer Metall
sierungsschicht, die durch Sintermolybdän erhalten ist, aus
gebildet. Die auf die Verbindungsstelle aufgebrachte Lotmenge
ist so eingestellt, daß die Dicke der Lotschicht 1 nach dem
metallurgischen Prozeß ca. 100 µm beträgt.
Fig. 4 zeigt die Beziehung zwischen dem Zinngehalt in der
Verbindungsstelle des mit Hilfe der Lotschicht 1 zusammenge
setzten Verbindungskörpers und der Scherfestigkeit (Kurven
21, 22, 23). Die Kurven 21, 22 und 23 bezeichnen die bei
-25°C bzw. +20°C bzw. +100°C gemessenen Werte. Aus dem
Diagramm ist ersichtlich, daß die Scherfestigkeit eine solche
Zusammensetzungs-Abhängigkeit aufweist, daß sie bei einem
Zinngehalt im Lot von 50 Gew.-% einen lokalen Höchst
wert hat. Die Festigkeit nimmt mit niedrigerer Umgebungstem
peratur zu und mit höherer Umgebungstemperatur ab, weist
jedoch bei beiden Temperaturen eine im wesentlichen gleiche
Zusammensetzungs-Abhängigkeit auf. Dieser Trend entspricht
deutlich den Lebensdauer-Eigenschaften von Fig. 2 und deutet
darauf hin, daß der Grad der Versteifung der Lotschicht 1 sich
relativ stark auf die Ermüdungs-Lebensdauereigenschaten aus
wirkt.
Zu Vergleichszwecken zeigt das Diagramm auch die Scherfestig
keit bei 20°C der in dem Verbindungskörper vorhandenen Lot
schicht 1 zwischen dem Aluminiumoxidsubstrat 4 und dem
Messing-Anschlußelement 5 mit der 3 µm dicken Vernickelung,
wobei der Verbindungskörper mit einer Abkühlgeschwindigkeit
von ca. 200°C/min nach dem Schmelzen des Lots abgekühlt wurde
(Kurve 24). In diesem Fall wird eine von den Kurven 21, 22 und
23 vollständig verschiedene Tendenz erhalten. Der lokale
Höchstwert der Festigkeit bei dem Zinngehalt von 50 Gew.-%
ist nicht zu beobachten, und die Festig
keit ist über den gesamten Zusammensetzungsbereich gering. In
diesem Fall wird auch eine Tendenz beobachtet, die analog der
Zugfestigkeit ist, wie sie bei der Zugfestigkeitsprüfung eines
gewalzten Bleiblechs (entsprechend dem Artikel von Nishihata
et al. mit dem Titel "The effect of Strain Rate on Tensile
Strength and Elongation in Pb-Sn Alloys" in Material Testing
Technique, Bd. 25, Nr. 1, S. 31 (1980)) erhalten wird, aber
die Kurven 21, 22 und 23 weisen eine davon verschiedene Ten
denz auf. Daher weist Fig. 4 auf die wesentliche Tat
sache hin, daß die Scherfestigkeit
nicht durch
die Zusammensetzung
des Lotmaterials bestimmt wird, sondern durch das
Abkühlen.
Die durch die Kurven 21, 22, 23 und 24 in Fig. 4 gezeigten
Werte werden erhalten, indem Zugversuche beim
Körper von Fig. 3 bei jeder der bereits genannten Temperaturen
und mit einer Geschwindigkeit von 2 mm/min durchgeführt wer
den, so daß die Lotschicht 1 mit einer Zugspannung beauf
schlagt wird.
Wenn die Wärmeermüdungs-Lebensdauer von Proben untersucht
wird, die denen des Ausführungsbeispiels entsprechen, können
in gleicher Weise wie in Fig. 2 Wärmeermüdungs-Lebensdauer
eigenschaften erhalten werden, die einen lokalen Höchstwert bei dem
Zinngehalt von 50 Gew.-% der Lotschicht 1 aufweisen. In
diesem Fall wird die Wärmeermüdungs-Lebensdauer durch Brechen
einer Probe, die wiederholt mit vorbestimmten Temperaturwech
selbeanspruchungen beaufschlagt werden, mittels einer Zugprüf
einrichtung bestimmt und die Flächen oxidierter Abschnitte an
der Bruchstelle
werden vermessen und verglichen. Je
kleiner die Flächen sind, umso länger ist die Lebensdauer.
Das Diagramm von Fig. 5 zeigt die Beziehung zwischen der Ab
kühlgeschwindigkeit des Lots des Verbindungskörpers aus dem
Aluminiumoxidsubstrat 4 und dem Messing-Anschlußelement 5,
wobei zwei Arten von Lötmittel eingesetzt wurden,
nach dem Schmelzen des Lots und der Scherfestigkeit
der Verbindungsstelle bei Raumtemperatur. Dabei bezeichnet die
Kurve 25 einen Fall, bei dem Lot mit 50 Gew.-% Blei und
50 Gew.-% Zinn eingesetzt wird, und die Kurve 26 zeigt vergleichsweise den
Fall, bei dem Lot mit 25 Gew.-% Blei und 75 Gew.-% Zinn ein
gesetzt wird.
Wie aus dem Diagramm hervorgeht, ist die Scherfestigkeit in
einem Bereich niedriger Abkühlgeschwindigkeit hoch und im Fall
hoher Abkühlgeschwindigkeit niedrig, und eine konstante hohe
Festigkeit kann erzielt werden, wenn die Abkühlgeschwindigkeit
unterhalb ca. 125°C/min liegt. Eine gleichartige Abhängigkeit
von der Abkühlgeschwindigkeit ist auch für solche Lotmateria
lien ersichtlich, die im Bereich dieses Ausführungsbeispiels
liegen, jedoch eine andere Zusammensetzung als 50 Gew.-%
Pb/50 Gew.-% sn haben.
Die Fig. 6a zeigt das Metallgefüge eines Lotmaterials aus
50 Gew.-% Blei und 50 Gew.-% Zinn
nach dem bevorzugten metal
lurgischen Prozeß, also nach dem Abkühlen mit einer Geschwin
digkeit von 40°C/min, wobei dieses Material als typisches
Beispiel für die Lotmaterialien mit der Zusammensetzung nach
dem Ausführungsbeispiel ausgewählt ist. Die Fig. 6b
zeigt das Metallgefüge des Lotmaterials nach einem unerwünsch
ten metallurgischen Prozeß, d. h. nach Abkühlen mit einer
Geschwindigkeit von 150°C/min.
Aus Fig. 6a ist ersichtlich, daß die Lotschicht ein Gefüge
aufweist, in dem das eutektische Gefüge mit relativ großen
Korngrößen (ein Mischgefüge aus β-Festlösung 62 des Eutekti
kums und α-Festlösung 63) α-Festlösungs-Primär
kristalle 61 umfaßt, die zu Teilchen mit großen Korngrößen
gewachsen sind, wogegen in Fig. 6b das eutektische Gefüge aus
feinen Teilchen (ein Mischgefüge aus β-Festlösung 68 des
Eutektikums und α-Festklösung 69) α-Festlösungs-
Primärkristalle 67 mit relativ kleinen Korngrößen umfaßt.
Wie oben beschrieben, wird angenommen, daß das eutektische
Gefüge aus feinen Kristallkörnern aufgrund der Superplastizi
tät leicht verformbar ist; wenn jedoch die Kristallkorngrößen
sowohl der α-Festlösung 63 als auch der β-Festlösung 62, die
das eutektische Gefüge in Fig. 6a bilden, zunehmen, bewirkt
dies eine Verminderung der plastischen Verformbarkeit des
eutektischen Gefüges selbst und begrenzt die plastische Ver
formbarkeit der α-Festlösungs-Primärkristalle 61.
Wenn das erfindungsgemäße Verfahren
angewandt wird, wird anngenommen, daß die
Steifigkeit der Lotschicht verbessert wird
und daß die auf die Lotschicht konzentrierten Beanspruchungen
in geeigneter Weise auf die zu verbindenden Teile 2, 3, 4, 5
verteilt werden, so daß die Ausbildung von Ermüdungserschei
nungen infolge von plastischer Verformung schließlich begrenzt
werden kann. Der Grund, weshalb Lotmaterialien mit Zusammen
setzungen außerhalb des Bereichs des Ausführungsbeispiels und
mit höherem Bleigehalt, z. B. eine Zusammensetzung aus
95 Gew.-% Blei und 5 Gew.-% Zinn, schlechte Wärmeermüdungs-
Lebensdauereigenschaften aufweisen, liegt darin, daß der
Gehalt der α-Festlösung ganz erheblich größer ist und die
plastische Verformbarkeit der Lotschicht insgesamt aufrecht
erhalten bleibt. Der Grund, weshalb Lotmaterialien mit extrem
hohem Zinngehalt, z. B. eine Lotschicht aus 5 Gew.-% Blei und
95 Gew.-% Zinn, schlechte Wärmeermüdungs-Lebensdauereigen
schaften aufweisen, liegt darin, daß wegen der geringen Blei
konzentration die β-Festlösung die Eigenschaften aufweist, die
denen von reinem Zinnmetall analog sind.
Beim beschriebenen Verfahren wird das Lotmaterial dazu ver
wendet, elektrische, mechanische oder thermische Verbindungen
von Teilen aus unterschiedlichen Werkstoffen mit jeweils ver
schiedenen Wärmedehnzahlen zu erhalten. In jedem
dieser Fälle soll die metallurgische Verbindung zwischen dem Lot
material und den zu verbindenden Teilen eine möglichst hohe
Festigkeit haben. Da die Verbindung metallurgisch ist, erfolgt
natürlich eine Legierung zwischen dem Lotmaterial und wenig
stens den die äußerste Schicht der zu verbindenden Teile bil
dende Stoffe an den Abschnitten der Ver
bindung. Das bedeutet, daß von Blei und Zinn verschiedene,
dritte Bestandteile bildende Metalle unvermeidlich in das
Lotmaterial nach Herstellung der Verbindung eingebaut oder
darin gelöst sind. Es kann bevorzugt sein, andere Metalle als
Zinn und Blei dem Lotmaterial zuzusetzen, um die Benetzbarkeit
des Lotmaterials zu verbessern oder das Mischen der Bestand
teile der zu verbindenden Teile in das Lotmaterial zu begren
zen. Das in einem solchen Fall möglicherweise auftretende
Problem besteht darin, daß die Ermüdungsbeständigkeit des
Lotmaterials selbst durch die Zugabe der dritten Komponente
verringert wird. Diese Möglichkeit wird nachstehend unter
Bezugnahme auf das dritte Ausführungsbeispiel erläutert.
Die Schnittdarstellung von Fig. 7 zeigt den bei diesem Ausfüh
rungsbeispiel hergestellten Verbindungskörper, und das Diagramm von
Fig. 8 zeigt die Beziehung zwischen dem Zinngehalt der Ver
bindungsstelle des Verbindungskörpers und dessen Wärmeermü
dungs-Lebensdauer.
Der Verbindungskörper von Fig. 7 ist ein Aufbau für eine
Flüssigkristallanzeige, gebildet durch elektrisches und mecha
nisches Verbinden eines Halbleitersubtrasts 31 aus Silicium
als IS-Chip (6 mm breit, 7 mm lang und 0,4 mm dick) mit einem
Natronglassubstrat 6 (mit einer Wärmedehnzahl von 9 × 10-6/°C)
als dielektrisches Substrat unter Verwendung von Feinlotgrup
pen 11 mit einem Verfahren, das als Aufschmelzlöten
bezeichnet wird. Das IS-Chip-Substrat
trägt auf seiner Oberfläche Aluminiumleiterbahnen, und auf den
Aluminiumleiterbahnen sind selektiv und sequentiell Filme aus
Chrom mit 0,1 µm Dicke, aus Kupfer mit 0,6 µm Dicke und aus
Nickel mit 0,3 µm Dicke gebildet, so daß eine Metallschicht
aus einem Mehrlagen-Metallmuster gebildet ist. Davon getrennt
sind sequentiell und selketiv auf dem Glassubstrat 6 unter
Bildung eines weiteren Mehrlagen-Metallmusters Filme aus Chrom
mit 0,1 µm Dicke und aus Kupfer mit 2 µm Dicke gebildet. Diese
Metallfilme sind durch Aufdampfen im Vakuum hergestellt. Der
Verbindungskörper wird dadurch erhalten, daß Feinlot 11
zwischen beide Mehrlagen-Metallmuster gebracht wird, wonach
das Feinlot 11 auf eine Temperatur, die um ca. 50°C über der
Liquidustemperatur des Lotmaterials liegt, unter Anwendung
eines bekannten Kondensationslötverfahrens erhitzt wird, bei
dem die latente Verdampfungswärme von flüssigem Fluorkohlen
wasserstoff zum Schmelzen des Feinlots genutzt wird, wonach
das Lot mit einer Abkühlgeschwindigkeit von 15 ± 5°C/min abge
kühlt wird, bis die Erstarrung des Lots abgeschlos
sen ist. Hinsichtlich Einzelheiten des Kondensationslötver
fahrens sei z. B. auf den Artikel von Christian M. Val et al.
in Electrocomponent Science and Technology, 1983, Bd. 10, S.
111-127, verwiesen.
Das Diagramm von Fig. 8 zeigt die Wärmeermüdungs-Lebensdauer
der Verbindungsstelle des mit dem Feinlot 11 zusammengefügten
Körpers. Die Wärmeermüdungs-Lebensdauerwerte sind durch die
Anzahl Heizstromzyklen ausgedrückt, wobei an den IS-Chip des
Halbleitersubstrats 31 wiederholt ein Heizstrom angelegt wird,
um eine Temperaturwechselbeanspruchung zwischen 50°C und
125°C zu
bewirken, und der Chip seine Funktion als IS-Schaltung auf
grund eines Bruchs oder Fehlers der Verbindungsstelle infolge
der unterbrochenen Stromzuführung verliert. Die Daten werden
aufgrund eines Mittels von 15-20 Proben erhalten.
Das Diagramm zeigt die Resultate der Feinlotmaterialien 11,
die aus dem Zusammensetzungsbereich mit 35-59 Gew.-% Zinn,
1,0 Gew.-% Kupfer, Rest im wesentlichen
Blei
ausgewählt sind, und von als Vergleich dienenden Feinlotma
terialien, die aus einer Sn-Pb-Legierung mit anderen Zusammen
setzungen, denen 1,0 Gew.-% Kupfer zugefügt ist,
ausgewählt sind. Wie
aus dem Diagramm hervorgeht, zeigt die Heizstromzyklus-Lebens
dauer bzw. die Wärmeermüdungs-Lebensdauer der Lotschicht 11
des Verbindungskörpers solche Lebensdauer-Charakteristiken,
daß ein lokaler Höchstwert bei einer Zinnkonzentration von
50 Ge.-% erreicht wird. Somit zeigt die Lot
schicht 11 eine Zusammensetzungs-Abhängigkeit, die derjenigen
von Fig. 1 gleicht. Es ist somit verständlich, daß auch dann,
wenn Kupfer als dritte Komponente dem Feinlot 11 zugefügt ist,
die Zusammensetzungs-Abhängigkeit der Wärmeermüdungs-Lebens
dauer eine ähnliche Tendenz wie bei der Zusammensetzung ohne
Kupfer aufweist, und der Zusammensetzungsbereich dieses Aus
führungsbeispiels zeigt bessere Lebensdauer-Charatkeristiken als
die Zusammensetzung des Vergleichsbeispiels mit
Lotmaterialien auf Bleibasis oder eutektischen Lotmateria
lien.
Ferner wurde bestätigt, daß auch bei Zugabe von Silber, Gold,
Palladium, Nickel, Antimon, Zink, Wismut, Indium, Cadmium,
Arsen oder Gallium anstelle von Kupfer als dritte Komponente
zu dem metallurgischen Verfahren oder bei Zugabe mehrerer
dieser Metalle die Wärmeermüdungs-Lebensdauer der Lotschicht
die gleiche Zusammensetzungs-Abhängigkeit aufweist und die
Lebensdauer insbesondere bei Zugabe von Gold, Silber oder
Palladium verlängerbar ist. Auch wenn die dritte Metallkom
ponente zugegeben wird, verschlechtert sich die Wärmeermü
dungs-Lebensdauer nicht, solange die Lotschicht den bevorzug
ten metallurgischen Prozeß durchläuft, bei dem die Abkühlung
mit einer Geschwindigkeit von bis zu 125°C/min abläuft.
Unter Bezugnahme auf die Fig. 9-12 und Fig. 5 wird nachstehend
das vierte Ausführungsbeispiel erläutert. Wie Fig. 9 zeigt, wird
der Verbindungskörper hergestellt, indem ein
Tonerdekeramiksubstrat 42 mit einem Siliciumchip 41 unter
Anwendung mehrerer Lötstellen 43 zusammengefügt wird. Auf dem
Siliciumchip 41 und auf dem Tonerdekeramiksubstrat 42 sind
Lotelektroden 44 und 45 ausgebildet, die durch das Lot 43 mit
einander zu verbinden sind. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist der
Siliciumchip 41 ein Quadrat mit einer Seitenlänge von 5 mm,
und für jede Seite sind 20 Lötstellen 43 (von denen nur vier
gezeigt sind) bzw. insgesamt 80 Lötstellen vorgesehen. Die
chipseitigen Lotelektroden 44 und die substratseitigen Lot
elektroden 45 haben einen Durchmesser von 100 µm und einen
Mindestabstand von 200 µm.
Unter Bezugnahme auf die Fig. 10Abb. -10d wird das Herstellungs
verfahren des Bauteils dieser Ausführungsbeispiele erläutert.
- (a) Wie Fig. 10a zeigt, wird auf einem Siliciumsubstrat 46, auf dem bereits Transistoren, Dioden u. dgl. ausgebildet sind, ein Aluminiumfilm 48 für Leiterbahnen über einem zur Isolation dienende SiO2-Passivierungsfilm 47 gebildet, und ein weiterer SiO2-Passivierungsfilm 49 mit Öffnungen für externe Anschlüsse wird gebildet. Ein Verbundfilm, bestehend aus 0,1 µm dickem Chrom, 1 µm dickem Kupfer und 0,1 µm dickem Gold, wird über eine Metallmaske im Vakuum derart aufgedampft, daß die Öffnung überdeckt ist, und eine Lotelektrode 44 wird auf der Chipseite gebildet. Die Aufdampftemperatur liegt bei 350°C für Chrom und Kupfer, um die Haftung des Films zu steigern, und bei 100°C für Gold, um dessen Diffusion zu verhindern.
- Die Funktionen dieser Filme werden kurz erläutert. Der Chrom film dient der Verbesserung der Haftfähigkeit in Verbindung mit dem Aluminiumleiterfilm 48 und dem SiO2-Passivierungsfilm 49 als Basis und der Verhinderung der Reaktion des Lots 43 mit dem Aluminiumleiterfilm 48; der Kupferfilm dient der Verbes serung der Haftfähigkeit mit dem Lot 43, und der Goldfilm verhindert die Oxidation von Kupfer.
- (b) Wie Fig. 10b zeigt das Lot, das auf der chipseitigen Lotelektrode 44 durch Aufdampfen im Vakuum gebildet ist. Ein Blei film 50 wird zuerst im Vakuum aufgedampft, und dann wird darauf ein Zinnfilm 51 im Vakuum aufgedampft. Das erforder liche Lotvolumen ist 9 × 10-4 mm³. Die Dicke des Bleifilms 50 muß ca. der halben Dicke des Zinnfilms 51 entsprechen, damit die Lotzusammensetzung z. B. aus 50 Gew.-% Blei und 50 Gew.-% Zinn besteht. Die Gesamt dicke der Blei- und Zinnfilme beträgt 200 µm.
- (c) Fig. 10c zeigt das Siliciumsubstrat 46, auf dem der Bleifilm 50 und der Zinnfilm 51 in dieser Weise gebildet wurden. Es wird in einen elektrischen Ofen verbracht, um beide Filme 50 und 51 in einem Wasserstoffgastrom zu schmelzen. Da der eutektische Punkt von Blei und Zinn bei ca. 183°C liegt, beginnen der Bleifilm 50 und der Zinnfilm 51 oberhalb dieser Temperatur von ihrer gegenseitigen Grenzfläche aus allmählich zu schmelzen. Die Liquidustemperatur des aus 50 Gew.-% Blei und 50 Gew.-% Zinn bestehenden Lots liegt bei ca. 215°C, und wenn über dieser Temperatur liegende Temperaturen erreicht sind, wird ein im wesentlichen kugelförmiges Lotmaterial 52 auf der Chipseite gebildet. Bei diesem Ausführungsbeispel wird das Lot für 5 min bei 250°C zum Schmelzen gehalten.
- (d) Eine Lotelektrode 45 auf der Seite des Tonerdekeramiksub strats, die durch Metallisieren mittels eines dickfilmbilden den Naßverfahrens erhalten wird, wird auf dem Tonerdekeramik substrat 42 gebildet, und Lot 53 auf der Substratseite, be stehend aus 50 Gew.-% Blei und 50 Gew.-% Zinn, wird auf der Oberfläche der Elektrode gebildet (Fig. 10d). Die Lotelektrode 45 wird gebildet durch Bedrucken der Oberfläche eines Alumi nuiumoxid-Grünblechs mit einer Mo-Mn-Paste, Sintern des Blechs und Vernickeln der resultierenden Mo-Mn-Schicht (Dicke 1 µm) mit einem Ni-Film von 3 µm Dicke. Das Lot 53 auf der Substrat seite wird erhalten durch Vakuumaufdampfen von Blei und Zinn mit einer Gesamtdicke von 15-30 mm und Wärmebehandeln des Substrats bei 250°C während 5 min in Wasserstoffatmosphäre.
Anschließend wird das Siliciumsubstrat 46, auf dem das chip
seitige Lot 52 bereits gebildet wurde, unter Einsatz eines
Substratzerteilers in Siliciumchips 41 unterteilt, und der
Siliciumchip 41 wird auf dem Tonerdekeramiksubstrat 42, auf
dem das Lot 53 für die Substratseite bereits gebildet wurde,
positioniert. Während das Lot 52
auf der Chipseite und das Lot 53 auf der Substratseite in
gegenseitigem Kontakt gehalten werden, werden der Siliciumchip
41 und das Tonerdekeramiksubstrat 42 wieder in den Ofen ver
bracht und in der Wasserstoffatmosphäre auf eine Temperatur
erwärmt, die geringfügig über der Liquidustemperatur des Lots
aus 50 Gew.-% Blei und 50 Gew.-% Zinn liegt. Danach wird das
Lot langsam abgekühlt, so daß das Bauteil von Fig. 9 erhalten
wird. Dabei wird das Lot geschmolzen, indem es während 15 s
auf 260°C gehalten wird, und allmählich mit einer Abkühlge
schwindigkeit von 40°C/min abgekühlt.
Das Diagramm von Fig. 12 zeigt die Beziehung zwischen der
Lotzusammensetzung und der Wärmeermüdungs-Lebensdauer, wenn
der Verbindungskörper dieses Ausführungsbeispiels einer Tem
peraturwechselprüfung unterworfen wird, indem ein Temperatur
wechsel von -55°C bis +150°C in einem Zyklus pro Stunde
erfolgt. Dabei ist in Fig. 12 auf der Ordinate die Wärmeer
müdungs-Lebensdauer von Proben aufgetragen, die unter Anwen
dung von Lotmaterialien verschiedener Zusammensetzung herge
stellt wurden, wobei die Wärmeermüdungs-Lebensdauer des Lot
materials aus einer Pb/5 Gew.-% Sn-Legierung als Referenzwert
Eins aufgetragen ist. Auf der Abszisse ist der Sn-Gehalt der
eingesetzten Lotmaterialien aufgetragen.
Aus Fig. 12 ist ersichtlich, daß die Wärmeermüdungs-Lebens
dauer des Verbindungskörpers dieses Ausführungsbeispiels bis
zur neunfachen Lebensdauer des konventionellen Bauteils ver
bessert wird, das durch ein Lot 43 mit 95 Gew.-% Blei und
5 Gew.-% Zinn gebildet ist, wenn der Test mittels einer Tem
peraturwechselprüfung von -55°C bis +150°C in einem Zyklus
pro Stunde durchgeführt wird. Da jedoch der Zinngehalt erhöht
ist, besteht die Gefahr, daß die Reaktion zwischen dem Lot 43
und dem in der Lotelektrode 44 auf der Chipseite enthaltenen
Kupfer stärker als in dem konventionellen Bauteil ausfällt.
Daher wurden die Beziehung zwischen der Abtragungstiefe von
Kupfer durch ein Lot mit 95 Gew.-% Blei und 5 Ge.w.-% Zinn und
ein Lot mit 50 Gew.-% Blei und 50 Gew.-% Zinn und der Löttem
peratur untersucht, wie Fig. 11 zeigt. Die Haltezeit bei jeder Temperatur beträgt
15 s. Dabei wurden folgende Ergebnisse erhalten: Bei einem
Vergleich bei derselben Temperatur ist die Abtragungstiefe bei
dem Lot mit 50 Gew.-% Blei und 50 Gew.-% Zinn (Kurve 82)
größer, da jedoch die Liquidustemperatur dieses Lots um ca.
100°C niedriger als diejenige des Lots mit 95 Gew.-% Blei und
5 Gew.-% Zinn (Kurve 81) liegt, ist die Abtragungstiefe nur
geringfügig größer, wenn der Vergleich bei den Temperaturpunk
ten 86 und 87 erfolgt, die um 50°C über der Liquidustempera
tur liegen (die diesen Temperaturpunkten 86 und 87 entspre
chenden Temperaturen werden im allgemeinen als Löttemperaturen
gewählt). Es wurde somit gefunden, daß die Kupferfilmdicke von
1 µm ausreichend Spielraum bietet.
Die Beziehung zwischen der Abkühlgeschwindigkeit des Los nach
dem Schmelzen und der Scherfestigkeit der Verbindungsstelle
bei Raumtemperatur gleicht der Kurve 25 von Fig. 5. Das
Metallgefüge des Lots nach Durchlaufen des Abkühlungsprozesses
mit der Abkühlgeschwindigkeit von weniger als 125°C/min,
z. B. 40°C/min, gleicht demjenigen von Fig. 6a, und das
Metallgefüge nach Durchlaufen des Prozesses mit einer Abkühl
geschwindigkeit über 125°C/min, z. B. 150°C/min, gleicht
demjenigen von Fig. 6b.
Als Grund für die sehr guten Wärmeermüdungs-Charakteristiken
der Verbindungsstelle dieses Ausführungsbeispiels wird der
gleiche Grund angenommen, der unter Bezugnahme auf das zweite
Ausführungsbeispiel in Verbindung mit dem Metallgefüge be
schrieben ist.
Es wurde jedoch nunmehr klargestellt, daß die besseren Wärme
ermüdungs-Eigenschaften durch eine Entwicklung erzielbar sind,
bei der die plastische Verformbarkeit des Lots begrenzt wird
und das Lot und die es umgebenden Teile die Wärmebeanspruchung
gezwungenermaßen teilen müssen, wogegen bei der konventionel
len Entwicklung die Verformbarkeit des Lots unter Wärmeein
wirkung verstärkt wird und das Lot die Wärmebeanspruchung
vollständig allein tragen muß. In dem Zustand, in dem das
eutektische Gefüge mit relativ großen Korngrößen die
α-Primärkristalle mit großer Korngröße entsprechend Fig. 6a
umfaßt, ist ferner die Festigkeit des Lots hoch, und die Wär
meermüdungs-Beständigkeit ist verlängert. Um die Festig
keit des Lots bleibend zu verbessern, muß die Abkühlgeschwin
digkeit unterhalb ca. 125°C/min liegen, wie aus Fig. 5 deut
lich hervorgeht.
Bei diesem Ausführungsbeispiel wird zwar ein Verbundfilm aus
Chrom, Kupfer und Gold für die Lotelektrode 44 auf der Sili
ciumchipseite verwendet, der gleiche Effekt kann jedoch auch
unter Verwendung von Titan als Metall mit gleicher Funktion
wie Chrom und von Nickel als Metall mit gleicher Funktion wie
Kupfer erzielt werden. Die Lotelektrode 44 auf der Chipseite
wird zwar im vorliegenden Fall durch Maskenbedampfen im Vakuum
gebildet, das Elektrodenmuster kann aber auch nach Vakuumbe
dampfen der Gesamtfläche durch Ätzen gebildet werden. Andere
Verfahren als Bedampfen im Vakuum (z. B. Kathodenzerstäubung)
können ebenfalls angewandt werden. Anstelle des Aufdampfens im
Vakuum kann für die Bildung des Lots 52 auf der Chipseite
selbstverständlich auch ein Plattierverfahren angewandt wer
den. Wenn die Zusammensetzungen des Lots 52 auf der Chipseite
und des Lots 53 auf der Substratseite zwischen 35 Gew.-% und
weniger als 60 Gew.-% Zinn, Rest im wesentlichen Blei, umfas
sen, kann eine längere Wärmeermüdungs-Lebensdauer erhaltene
werden als mit dem 95 Gew.-% Blei und 5 Gew.-% Zinn enthal
tenden Lot, wenn die Abkühlgeschwindigkeit des Lots bis zu ca.
125°C/min beträgt (vgl. Fig. 12).
Die vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiele
zeigen
das Verbindungsver
fahren für elektronische Bauelemente.
Es ist jedoch auch möglich, Verbin
dungen zwischen organischen Harzen, z. B. Epoxidharz, Phenol
harz, und Metallen, zwischen anorganischen Dielekrika und
Halbleitern, zwischen organischen Harzen, zwischen Metallen
und zwischen Dielektrika herzustellen. Ferner ist es möglich,
Verbindungskörper dadurch zu erhalten, daß man wenigstens zwei
Teile aus den Stoffen organische Harze, Metalle, Dielektrika
oder Halbleiter in willkürlichen Kombinationen wählt.
Bei dem metallurgischen Verfahren nach der Erfindung kann die
Behandlung in einer kontrollierten Atmosphäre von Wasser
stoff-, Stickstoff-, Helium-, Argon- oder Kohlensäuregas, in
einer kontrollierten Atmosphäre von Dampf wie Fluorkohlen
wasserstoffdampf oder in Luft durchgeführt werden. Dabei ist
es möglich, irgendeines der bekannten Wärmebehandlungsverfah
ren wie Wärmebehandlung in einem Ofen, auf einer Heizplatte,
Bestrahlung mit IR-Strahlen, Laser- oder Elektronenstrahlbe
handlung, Heizstabbehandlung, Kondensationslöten, Parallel
spaltlöten usw. anzuwenden. Geeignete Flußmittel können nach
Maßgabe der erwünschten Eigenschaften des herzustellenden
Verbindungskörpers gewählt werden.
Claims (8)
1. Verfahren zum Löten von Teilen einer elektronischen
Anordnung aus unterschiedlichen Werkstoffen mit unter
schiedlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten durch Vor
sehen eines Lots mit einer Zusammensetzung von 35 Gew.-%
oder mehr bis weniger als 60 Gew.-% Zinn, Rest im wesent
lichen Blei, zwischen den Teilen aus unterschiedlichen
Werkstoffen,
dadurch gekennzeichnet
daß das Lot nach dem Schmelzen einen metallurgischen
Prozeß durchläuft, bei dem das geschmolzene Lot wenig
tens für eine Zeitdauer, bevor die Erstarrung des ge
schmolzenen Lots beendet ist, mit einer Abkühlgeschwin
digkeit von bis zu 125°C/min abgekühlt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Lot eine Zusammensetzung von 40-55 Ge.-% Zinn,
Rest im wesentlichen Blei, aufweist.
3. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Lot eine Zusammensetzung von ca. 50 Gew.-% Zinn,
Rest im wesentlichen Blei, aufweist.
4. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß dem Lot wenigstens eines der Metalle, Kupfer, Silber,
Gold, Palladium, Nickel, Antimon, Zink, Wismut, Indium,
Cadmium, Arsen oder Gallium zugefügt wird.
5. Verwendung des Verfahrens nach Anspruch 1 zum Löten
eines Halbleitersubstrats und eines dielektrischen
Substrats.
6. Verwendung des Verfahrens nach Anspruch 1 zum Löten
eines Halbleitersubstrats und eines dielektrischen Sub
strats, das auf seiner Oberfläche einen Leiterfilm vorbe
stimmter Form trägt.
7. Verwendung des Verfahrens nach Anspruch 1 zum Löten
eines Halbleitersubstrats, das auf seiner Oberfläche
einen Leiterfilm vorbestimmter Form trägt, und eines
dielektrischen Substrats.
8. Verwendung des Verfahrens nach Anspruch 1 zum Löten
eines Halbleitersubstrats und einer Metallplatte.
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